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      一種增強(qiáng)型高頻傳導(dǎo)濾波器的制作方法

      文檔序號(hào):6795884閱讀:429來源:國知局
      專利名稱:一種增強(qiáng)型高頻傳導(dǎo)濾波器的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型涉及電磁技術(shù)領(lǐng)域,尤其是一種增強(qiáng)型高頻傳導(dǎo)濾波器。
      背景技術(shù)
      高頻電磁騷擾信號(hào)在傳輸導(dǎo)線的傳輸過程中,部分信號(hào)會(huì)沿導(dǎo)線表面向空間輻射,產(chǎn)生射頻干擾,要達(dá)到相關(guān)國際和國家標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的電磁射頻限值,需要在傳輸線路中接入電磁兼容濾波器。現(xiàn)有的濾波器能有效過濾低頻干擾信號(hào),但對(duì)高頻干擾信號(hào)的濾除效果不夠理想,大量高頻干擾信號(hào)進(jìn)入供電電路,導(dǎo)致電子電氣設(shè)備的電磁兼容不符合國標(biāo)要求,需要針對(duì)高頻電磁進(jìn)行創(chuàng)新性改進(jìn)。

      實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是為了克服上述技術(shù)缺點(diǎn)提供一種增強(qiáng)型高頻傳導(dǎo)濾波器。本實(shí)用新型解決技術(shù)問題采用的技術(shù)方案為:一種增強(qiáng)型高頻傳導(dǎo)濾波器,包括金屬屏蔽外殼和射頻發(fā)射導(dǎo)體,所述金屬屏蔽外殼內(nèi)壁上設(shè)有絕緣保護(hù)層,絕緣保護(hù)層內(nèi)部設(shè)有射頻發(fā)射導(dǎo)體,所述射頻發(fā)射導(dǎo)體上設(shè)有發(fā)射天線,射頻發(fā)射導(dǎo)體兩端伸出金屬屏蔽外殼,并分別連接輸入導(dǎo)線和輸出導(dǎo)線,連接輸入導(dǎo)線的一端連接有高頻濾波電容,金屬屏蔽外殼靠近輸出導(dǎo)線的一端外壁上設(shè)有接地導(dǎo)體。所述射 頻發(fā)射導(dǎo)體為空心金屬導(dǎo)線制成的并行彎曲開環(huán)結(jié)構(gòu)體。所述射頻發(fā)射導(dǎo)體上包裹有高頻吸收材料燒結(jié)粘合而成的高頻電阻。所述射頻發(fā)射導(dǎo)體伸出金屬屏蔽外殼的部分上包裹有電磁屏蔽護(hù)套。所述高頻濾波電容、高頻電阻、接地導(dǎo)體之間連接為電氣通路。本實(shí)用新型所具有的有益效果是:本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理,利用高頻吸收材料形成的高頻電阻來抑制并過濾導(dǎo)線中的高頻電磁干擾,通過高頻濾波電容將高頻干擾信號(hào)旁路入地,實(shí)現(xiàn)在電子電路中抑制傳導(dǎo)高頻電磁干擾的功能,具有很好的推廣應(yīng)用價(jià)值。

      附圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
      具體實(shí)施方式
      以下結(jié)合附圖1對(duì)本實(shí)用新型做以下詳細(xì)說明。如圖1所示,本實(shí)用新型包括金屬屏蔽外殼I和射頻發(fā)射導(dǎo)體4,所述金屬屏蔽外殼I內(nèi)壁上設(shè)有絕緣保護(hù)層2,絕緣保護(hù)層2內(nèi)部設(shè)有射頻發(fā)射導(dǎo)體4,所述射頻發(fā)射導(dǎo)體4上設(shè)有發(fā)射天線5,射頻發(fā)射導(dǎo)體4兩端伸出金屬屏蔽外殼1,并分別連接輸入導(dǎo)線8和輸出導(dǎo)線9,連接輸入導(dǎo)線8的一端連接有高頻濾波電容6,金屬屏蔽外殼I靠近輸出導(dǎo)線9的一端外壁上設(shè)有接地導(dǎo)體10 ;所述射頻發(fā)射導(dǎo)體4為空心金屬導(dǎo)線制成的并行彎曲開環(huán)結(jié)構(gòu)體;所述射頻發(fā)射導(dǎo)體4上包裹有高頻吸收材料燒結(jié)粘合而成的高頻電阻3 ;所述射頻發(fā)射導(dǎo)體4伸出金屬屏蔽外殼I的部分上包裹有電磁屏蔽護(hù)套7 ;所述高頻濾波電容6、高頻電阻3、接地導(dǎo)體10之間連接為電氣通路。工作過程中,金屬屏蔽外殼I用于屏蔽內(nèi)外高頻信號(hào)串?dāng)_,高頻信號(hào)通過高頻電阻3時(shí),射頻干擾被吸收,并轉(zhuǎn)換成熱能耗散;少量的高頻干擾信號(hào)經(jīng)高頻濾波電容6和接電``導(dǎo)體10濾除,從而實(shí)現(xiàn)高頻抑制效果。
      權(quán)利要求1.一種增強(qiáng)型高頻傳導(dǎo)濾波器,包括金屬屏蔽外殼和射頻發(fā)射導(dǎo)體,其特征在于:所述金屬屏蔽外殼內(nèi)壁上設(shè)有絕緣保護(hù)層,絕緣保護(hù)層內(nèi)部設(shè)有射頻發(fā)射導(dǎo)體,所述射頻發(fā)射導(dǎo)體上設(shè)有發(fā)射天線,射頻發(fā)射導(dǎo)體兩端伸出金屬屏蔽外殼,并分別連接輸入導(dǎo)線和輸出導(dǎo)線,連接輸入導(dǎo)線的一端連接有高頻濾波電容,金屬屏蔽外殼靠近輸出導(dǎo)線的一端外壁上設(shè)有接地導(dǎo)體。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種增強(qiáng)型高頻傳導(dǎo)濾波器,其特征在于:所述射頻發(fā)射導(dǎo)體為空心金屬導(dǎo)線制成的并行彎曲開環(huán)結(jié)構(gòu)體。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種增強(qiáng)型高頻傳導(dǎo)濾波器,其特征在于:所述射頻發(fā)射導(dǎo)體上包裹有高頻吸收材料燒結(jié)粘合而成的高頻電阻。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種增強(qiáng)型高頻傳導(dǎo)濾波器,其特征在于:所述射頻發(fā)射導(dǎo)體伸出金屬屏蔽外殼的部分上包裹有電磁屏蔽護(hù)套。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種增強(qiáng)型高頻傳導(dǎo)濾波器,其特征在于:所述高頻濾波電容、高頻 電阻、接地導(dǎo)體之間連接為電氣通路。
      專利摘要本實(shí)用新型涉及電磁技術(shù)領(lǐng)域,尤其是一種增強(qiáng)型高頻傳導(dǎo)濾波器。本實(shí)用新型包括金屬屏蔽外殼和射頻發(fā)射導(dǎo)體,所述金屬屏蔽外殼內(nèi)壁上設(shè)有絕緣保護(hù)層,絕緣保護(hù)層內(nèi)部設(shè)有射頻發(fā)射導(dǎo)體,所述射頻發(fā)射導(dǎo)體上設(shè)有發(fā)射天線,射頻發(fā)射導(dǎo)體兩端伸出金屬屏蔽外殼,并分別連接輸入導(dǎo)線和輸出導(dǎo)線,連接輸入導(dǎo)線的一端連接有高頻濾波電容,金屬屏蔽外殼靠近輸出導(dǎo)線的一端外壁上設(shè)有接地導(dǎo)體。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理,利用高頻吸收材料形成的高頻電阻來抑制并過濾導(dǎo)線中的高頻電磁干擾,通過高頻濾波電容將高頻干擾信號(hào)旁路入地,實(shí)現(xiàn)在電子電路中抑制傳導(dǎo)高頻電磁干擾的功能,具有很好的推廣應(yīng)用價(jià)值。
      文檔編號(hào)H01P1/20GK203119064SQ20132009386
      公開日2013年8月7日 申請(qǐng)日期2013年3月1日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月1日
      發(fā)明者陳劍彬 申請(qǐng)人:陳劍彬
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