專利名稱：：顯示裝置及其制造方法和制造裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及面板型的顯示裝置，尤其涉及使用在帶狀多晶半導(dǎo)體膜上制作出有源元件的絕緣基板的顯示裝置及其制造方法和制造裝置。該帶狀多晶半導(dǎo)體膜是對絕緣基板的一個(gè)主要面上形成的非晶質(zhì)或者粒狀多晶半導(dǎo)體膜實(shí)施用激光照射(下面簡稱激光)進(jìn)行退火使其晶粒長大而成為大致帶狀的改質(zhì)處理得到的。
背景技術(shù)：
：這種顯示裝置是將由具有以下部件的象素電路構(gòu)成的象素排列成矩陣狀構(gòu)成，即在形成薄膜晶體管及薄膜二極管等的有源元件的絕緣基板(下面，也稱為“有源·矩陣基板”；由于是將薄膜晶體管作為有源元件，因而也稱為“薄膜晶體管基板”)的一面的顯示區(qū)域的一個(gè)方向上延續(xù)并排設(shè)置的多條數(shù)據(jù)線(就薄膜晶體管而言為漏極線)，在與上述那個(gè)方向交叉的另一個(gè)方向上延續(xù)并排設(shè)置的多條掃描線(就薄膜晶體管而言為柵極線)，作為形成在上述有源·矩陣基板上的半導(dǎo)體膜由粒狀多晶硅膜(聚硅膜)制作、并配置在上述數(shù)據(jù)線和上述掃描線的交叉部的有源元件及以由上述有源元件驅(qū)動(dòng)的象素電極。下面，將半導(dǎo)體膜做成硅膜，有源元件以使用作為其代表的薄膜晶體管為主進(jìn)行說明?，F(xiàn)在，就面板型的顯示裝置而言，就作為有源·矩陣基板的玻璃或熔融石英等的絕緣基板上形成由半導(dǎo)體膜為非晶質(zhì)硅膜(下面也稱為“非晶硅膜”)或粒狀多晶硅膜(下面也簡稱為“聚硅膜”—“ポリシリコン膜”)制成的薄膜晶體管構(gòu)成的象素電路，通過利用該象素電路的薄膜晶體管的開關(guān)選擇象素來形成圖像。構(gòu)成各象素電路的薄膜晶體管被設(shè)置在有源·矩陣基板的四周的驅(qū)動(dòng)電路(下面也稱為“驅(qū)動(dòng)電路”或簡稱為“驅(qū)動(dòng)器”)驅(qū)動(dòng)。另外，上述的粒狀多晶硅膜是將如后述的晶粒直徑小的硅膜，此處所謂“晶粒直徑小”是指例如在薄膜晶體管的激活層(活性層或活性區(qū)域)，即所謂溝道的寬度內(nèi)存在多個(gè)硅晶粒的邊界，通過該激活層的電流意味著其必然橫穿硅晶粒的多個(gè)晶粒邊界的大小。只要是能與象素電路的薄膜晶體管同時(shí)形成驅(qū)動(dòng)構(gòu)成該象素電路的薄膜晶體管的上述驅(qū)動(dòng)電路，那么大幅度地降低制造成本和提高可靠性都是可指望的。但是，由于形成薄膜晶體管的激活層的半導(dǎo)體、即現(xiàn)有的聚硅膜的結(jié)晶性差(晶粒的粒徑小)，因而，代表電子或孔穴的移動(dòng)度的動(dòng)作性能(動(dòng)作特性)低，要制作要求高速·高效能的電路是困難的。為了制作這種高速·高效能的電路，必須高移動(dòng)度的薄膜晶體管，為了實(shí)現(xiàn)這一目的，就必須改善聚硅膜的結(jié)晶性。改善結(jié)晶性是指將其尺寸增大，即主要是將晶粒的粒徑增大，或者使結(jié)晶在一個(gè)方向的尺寸比另一個(gè)方向的尺寸更大而呈現(xiàn)大致的帶狀或條紋狀。在本說明書中，為了與現(xiàn)有的聚硅膜區(qū)別，將上述被改質(zhì)的硅膜稱為“帶狀多晶硅膜”。作為改善硅膜的結(jié)晶性的方法，現(xiàn)已公知的是使用激發(fā)物激光(エキシマレ一ザ)等的激光的退火法。該方法是在熔融石英或玻璃等絕緣基板(下面，也簡稱為“基板”)上所形成的非晶硅膜上，通過照射激發(fā)物激光使非晶硅膜變化成聚硅膜以改善其移動(dòng)度的方法。然而，通過照射激發(fā)物激光所得到的聚硅膜，其晶粒直徑為數(shù)100nm左右，移動(dòng)度為100cm2/Vs左右，為用于驅(qū)動(dòng)液晶面板的驅(qū)動(dòng)電路等其性能是不夠的。作為解決該問題的方法，公知的有如非專利文獻(xiàn)1(F.Takeuchietal“Performanceofpoly-SiTFTsfabricatedbyaStableScanningCWLaserCrystallization”AM-LCD’01(TFT4-3))中記載的利用連續(xù)振蕩激光的退火技術(shù)。另外，在專利文獻(xiàn)1(日本特開平7-335547公報(bào))中，有如下的記載，即通過將脈沖激光的脈沖寬度定在1μs-100ms范圍內(nèi)，可降低所制作的晶體管的閾值的波動(dòng)。另外，關(guān)于利用激光的照射使硅膜改質(zhì)記載在專利文獻(xiàn)2(日本特開平5-283356號公報(bào))中。在上述“非專利文獻(xiàn)1”記載的現(xiàn)有技術(shù)中，通過在玻璃基板上形成由二級管激發(fā)產(chǎn)生連續(xù)振蕩的YVO4激光的二次諧波的非晶薄膜上進(jìn)行掃描使晶粒生長，可以獲得超過500cm2/Vs的移動(dòng)度。當(dāng)?shù)玫竭@種程度的移動(dòng)度時(shí)，可以形成足夠性能的驅(qū)動(dòng)電路，從而可以實(shí)現(xiàn)在基板上直接制作驅(qū)動(dòng)電路的、所謂面板系統(tǒng)(或者芯片玻片載實(shí)裝COG)。然而，就上述“非專利文獻(xiàn)1”記載的現(xiàn)有技術(shù)而言，是以連續(xù)振蕩激光對形成基板上的驅(qū)動(dòng)電路的全部區(qū)域進(jìn)行掃描照射的，只對必要部分進(jìn)行照射這方面是未予考慮的。因此，在形成高移動(dòng)度的晶體管的部分及包含其周邊的廣泛區(qū)域應(yīng)連續(xù)地照射激光。其結(jié)果，激光開始照射后，被硅膜吸收的激光轉(zhuǎn)換為熱并且慢慢地積累在基板上，致使硅膜熔融并因表面張力凝聚，或者導(dǎo)致基板的熱損傷。為了解決這個(gè)問題，雖可以有選擇的僅在必要的區(qū)域照射激光，但為將激光照射到相對激光以高速相對移動(dòng)的基板的特定位置，需要高精度地實(shí)現(xiàn)激光的開始照射和停止照射的裝置是從來沒有的，這就成為本發(fā)明要解決的問題之一。另外，在上述“專利文獻(xiàn)1”中，雖有如下記載，即通過將脈沖激光的寬度設(shè)定為11μs-100ms可降低所制作的晶體管的閾值的波動(dòng)，但是對于在基板相對激光作高速相對移動(dòng)的特定位置照射激光的方法則完全未予考慮，這也是本發(fā)明要解決的另一問題。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明就是鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)存在的這些問題而提出的。本發(fā)明的第一目的在于獲得用有源矩陣基板構(gòu)成的顯示裝置，該顯示裝置僅在絕緣基板上的所希望的位置上形成的穩(wěn)定而且高品質(zhì)的半導(dǎo)體膜(硅膜)上具有薄膜晶體管等有源元件。另外，本發(fā)明的第二目的在于提供一種顯示裝置的制造方法，該顯示裝置可僅在上述基板上所希望的位置上形成穩(wěn)定而且高品質(zhì)的硅膜。而且，本發(fā)明的第三目的在于提供一種用于實(shí)現(xiàn)上述制造方法的制造裝置。為了達(dá)到上述第一目的，構(gòu)成本發(fā)明的顯示裝置的絕緣基板(有源矩陣基板)具有在該絕緣基板上至少顯示區(qū)域的一個(gè)方向上延續(xù)并排設(shè)置的多條數(shù)據(jù)線和與上述那個(gè)方向交叉的另一方向上延續(xù)并排設(shè)置的多條掃描線。在該絕緣基板上的數(shù)據(jù)線和掃描線的交叉部分上具有晶體管等有源元件(以下，稱為“薄膜晶體管”)所構(gòu)成的象素電路。薄膜晶體管由具有在絕緣基板上有上述結(jié)晶性能的帶狀多晶硅膜制成并在顯示區(qū)域內(nèi)布置成矩陣狀。各象素由具有以該薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)的象素電極的象素電路構(gòu)成。在該顯示區(qū)域的外側(cè)、在上述絕緣基板的一邊上形成分割成多處的驅(qū)動(dòng)電路(以下，也稱為“驅(qū)動(dòng)電路”)。構(gòu)成該驅(qū)動(dòng)電路的薄膜晶體管的激光層(活性區(qū)域)由聚硅膜即帶狀多晶硅膜構(gòu)成，該聚硅膜通過使聚光成線狀或者矩形的長邊與短邊的比值極大的矩形狀(帶狀)的連續(xù)振蕩的激光在與其長邊方向交叉的方向上進(jìn)行一定方向的掃描而進(jìn)行改質(zhì)得到并包含不具有橫穿電流流動(dòng)方向的晶粒邊界的結(jié)晶。使用該薄膜晶體管基板構(gòu)成顯示裝置。為了達(dá)到上述第二目的，由上述薄膜晶體基板構(gòu)成的顯示裝置的制造方法是使用光電調(diào)制器(以下，稱為“EO調(diào)制器”)，以必須的定時(shí)產(chǎn)生連續(xù)振蕩的激光并使其形成上述的線狀或矩形狀，并在玻璃等絕緣基板的一個(gè)主要面的整個(gè)面上形成的非晶硅膜或由微晶構(gòu)成的聚硅薄膜中，僅在構(gòu)成布置在顯示區(qū)域外側(cè)的驅(qū)動(dòng)電路的薄膜晶體管部分和包含其近旁的必要部分照射激光。將薄膜晶體管基板的一個(gè)主要面朝上裝置在相對激光作相對移動(dòng)的工作臺(tái)上，對薄膜晶體管的上述所要求的部分通過照射掃描激光進(jìn)行改質(zhì)。這種掃描為檢測伴隨著工作臺(tái)的移動(dòng)該工作臺(tái)的位置、對由線性標(biāo)度產(chǎn)生的脈沖信號進(jìn)行計(jì)數(shù)，當(dāng)?shù)竭_(dá)應(yīng)形成薄膜晶體管的位置的時(shí)刻開始照射激光。進(jìn)而，對上述脈沖信號進(jìn)行計(jì)數(shù)，當(dāng)通過照射激光的區(qū)域的時(shí)刻停止照射激光。這一過程在使工作臺(tái)移動(dòng)的狀態(tài)下連續(xù)地進(jìn)行。使用本發(fā)明，在使工作臺(tái)連續(xù)移動(dòng)的狀態(tài)下，通過使連續(xù)振蕩的激光開通/斷開，可只對必須的部分照射激光；由于不對不需要照射激光的部分照射激光，因而，即使硅膜產(chǎn)生熔融、凝聚，也能防止作為薄膜晶體管基板的玻璃基板等發(fā)生熱損傷。另外，由于激光照射的開始和停止由工作臺(tái)的位置控制，因而，即使工作臺(tái)的移動(dòng)速度有所變動(dòng)，也能以高精度確保照射的開始/照射的停止。另外，作為用于正確照射激光的技術(shù)，在“專利文獻(xiàn)2”中雖公開了激光的照射位置與激光照射部分對應(yīng)時(shí)發(fā)出激光脈沖的結(jié)構(gòu)，但像本發(fā)明所采用的那樣在使工作臺(tái)移動(dòng)的狀態(tài)下，在特定的位置開始照射連續(xù)振蕩的激光，并在照射一定時(shí)間(一定距離)后停止照射這種有關(guān)控制的方法則未曾考慮過。圖1是簡要說明實(shí)施用于制造本發(fā)明的顯示裝置的制造方法的制造裝置的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。圖2是說明圖1的EO調(diào)制器的功能的立體圖。圖3是說明圖1的EO調(diào)制器的功能的立體圖。圖4是表示EO調(diào)制器的外加電壓和透射率的關(guān)系的曲線圖。圖5是表示EO調(diào)制器的激光輸入、外加電壓和激光輸出的關(guān)系的曲線圖。圖6是說明作為本發(fā)明的制造方法的一個(gè)實(shí)施例的激光退火方法的對象的玻璃基板的平面圖。圖7是說明本發(fā)明的制造方法的時(shí)間關(guān)系圖。圖8是表示實(shí)施本發(fā)明的制造方法的一個(gè)實(shí)施例的激光退火方法前的結(jié)晶狀態(tài)的平面圖。圖9是表示實(shí)施激光退火方法后的結(jié)晶狀態(tài)的平面圖。圖10是表示實(shí)施激光退火方法的區(qū)域和驅(qū)動(dòng)電路活性區(qū)域的位置關(guān)系的基板的平面圖。圖11是表示實(shí)施本發(fā)明的激光退火方法所形成的驅(qū)動(dòng)部薄膜晶體管的構(gòu)成的基板的平面圖。圖12是裝有本發(fā)明的顯示裝置的電子設(shè)備的實(shí)例的說明圖。圖13是表示作為本發(fā)明的制造方法的另一實(shí)施例的激光退火方法中工作臺(tái)的移動(dòng)和照射激光的定時(shí)的時(shí)間關(guān)系圖。圖14是本發(fā)明的制造裝置，即激光退火裝置的另一實(shí)施例的說明圖。圖15是圖14的光學(xué)系統(tǒng)的簡要結(jié)構(gòu)的說明圖。圖16是說明實(shí)施本發(fā)明的激光退火的最佳激光的聚光狀態(tài)的立體圖。圖17是說明進(jìn)行本發(fā)明的激光退火時(shí)的激光照射區(qū)域的立體圖。圖18是說明本發(fā)明的制造方法的另一實(shí)施例的絕緣基板的平面圖。圖19是說明本發(fā)明的另一實(shí)施例的工作臺(tái)位置和激光輸出的關(guān)系的說明圖。圖20是表示實(shí)施本發(fā)明的實(shí)施例的激光退火方法的薄膜晶體管基板的斷面形狀的斷面圖。圖21是表示實(shí)施圖19(a)的方法的薄膜晶體管基板的斷面形狀的斷面圖。圖22是說明適用本發(fā)明的制造方法的顯示裝置的制造工藝的流程圖。圖23是說明圖22的本發(fā)明的退火工序部分的流程圖。圖24是說明作為本發(fā)明的顯示裝置的一個(gè)例子構(gòu)成液晶顯示裝置的液晶顯示面板的構(gòu)成例子的重要部分的斷面圖。圖25是說明作為本發(fā)明的顯示裝置的一個(gè)例子構(gòu)成液晶顯示裝置的液晶顯示面板的另一構(gòu)成例子的重要部分的斷面圖。圖26是說明使用以圖2或圖25說明的液晶顯示面板的液晶顯示裝置的大致結(jié)構(gòu)的斷面圖。圖27是說明作為本發(fā)明的顯示裝置另一例子構(gòu)成有機(jī)場致發(fā)光顯示裝置的顯示面板的構(gòu)成例子的重要部分的斷面圖。圖28是表示本發(fā)明的第1次掃描的退火區(qū)域的狀態(tài)的平面圖。圖29是表示本發(fā)明的第2次掃描的退火區(qū)域的狀態(tài)的平面圖。圖30是表示本發(fā)明的退火結(jié)束后的退火區(qū)域的狀態(tài)的平面圖。圖31是表示本發(fā)明的退火結(jié)束后的可形成晶體管的區(qū)域的平面圖。圖32是表示本發(fā)明的別的實(shí)施例的第1次掃描后的退火區(qū)域的狀態(tài)的平面圖。圖33是表示本發(fā)明的別的實(shí)施例的第2次掃描后的退火區(qū)域的狀態(tài)的平面圖。圖34是表示本發(fā)明的別的實(shí)施例的退火結(jié)束后的退火區(qū)域的狀態(tài)的平面圖。圖35是表示實(shí)施本發(fā)明的激光退火的面板的象素部分與周邊電路部分及形成在周邊電路部分的電路的位置關(guān)系的說明圖。具體實(shí)施例方式下面，參照實(shí)施例的附圖對本發(fā)明的實(shí)施例予以詳細(xì)說明。圖1是簡要說明實(shí)施用于制造本發(fā)明的顯示裝置的制造方法的制造裝置的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。此處，作為構(gòu)成薄膜晶體管的絕緣基板使用玻璃板。玻璃板1裝置在可在一個(gè)方向(x)和與該方向垂直的另一個(gè)方向(y)上移動(dòng)、并在面方向(θ)可進(jìn)行調(diào)整的XYθ工作臺(tái)(以下，簡稱工作臺(tái))2上。在固定于具有防振機(jī)構(gòu)的平臺(tái)(未圖示)的工作臺(tái)2上還分別裝有用于檢測x方向及y方向的位置坐標(biāo)的線性標(biāo)度(或也可稱為線性編碼器)3、4。用于進(jìn)行硅膜改質(zhì)的激光照射系統(tǒng)(退火光學(xué)系統(tǒng))具有產(chǎn)生連續(xù)振蕩激光18的振蕩器6；為防止激光18不小心被照射的快門7；用于擴(kuò)大激光18的光束直徑的光束擴(kuò)展器8；用于調(diào)整激光18的輸出(能量)的透射率可變的濾光器9；用于進(jìn)行激光的開通/斷開和根據(jù)需要進(jìn)行時(shí)間調(diào)制的EO(電—光)調(diào)制器10及其電源(驅(qū)動(dòng)器)21；在一個(gè)方向上壓縮激光18并將其變換為線狀光束的光束成形光學(xué)系統(tǒng)11；用于僅將成形為線狀的激光18的必要部分取出的電動(dòng)矩形狹縫12；用于將透過電動(dòng)矩形狹縫12的激光18照射到玻璃基板1上的物鏡13；用于確認(rèn)激光18的照射位置、形狀的狹縫參照光源14；用于對玻璃基板表面進(jìn)行照明的反射照明光源15；用于觀察玻璃基板表面或根據(jù)需要在定位時(shí)對定位標(biāo)記進(jìn)行攝像的CCD攝像機(jī)16。另外，還具有用于進(jìn)行快門7的開關(guān)及透射率可變的濾光器9的透射率調(diào)整，EO調(diào)制器電源(驅(qū)動(dòng)器)21的控制，電動(dòng)矩形狹縫12的控制，工作臺(tái)2的控制，來自線性標(biāo)度3、4的信號處理，以CCD攝像機(jī)攝得的圖像的處理等的控制裝置22。另外，作為圖1中的電氣連接，只示出線性標(biāo)度(線性編碼器)3、4和控制裝置22及EO調(diào)制器10和電源(驅(qū)動(dòng)器)21之間的關(guān)系。激光振蕩器6可使用產(chǎn)生紫外光或可視波長的連續(xù)振蕩光的振蕩器，尤其是從輸出功率的大小、穩(wěn)定性等考慮以激光二極管激發(fā)的YVO4激光的二次諧波為最佳。但是，并不限定于此，也可使用氬氣激光、YAG激光的高次諧波等?？扉T7是為玻璃基板1在運(yùn)送中、定位中等不會(huì)因不小心照射激光而設(shè)置，并非用于激光退火時(shí)的激光18的開通/斷開。光束擴(kuò)展器8為防止光學(xué)元件、尤其是構(gòu)成EO調(diào)制器10的普克爾斯元件(ポツケルスセル)等的結(jié)晶產(chǎn)生損傷而將光束直徑擴(kuò)大，但在使用承受高能密度的普克爾斯元件時(shí)，尤其是可以不使用。由激光振蕩器6產(chǎn)生的連續(xù)振蕩激光18在快門7開通的狀態(tài)下通過，由光束擴(kuò)展器8擴(kuò)大光束直徑并入射到EO調(diào)制器10。這時(shí)，考慮EO調(diào)制器的耐高能性，由光束擴(kuò)展器8擴(kuò)大光束直徑直到接近EO調(diào)制器10的有效直徑的大小。由激光振蕩器6產(chǎn)生的激光18的光束直徑約為2mm，在使用有效直徑為15mm的EO調(diào)制器10時(shí)，光束擴(kuò)展器8的放大率以3-5倍左右較為適當(dāng)。由光束擴(kuò)展器8擴(kuò)大了光束直徑的激光18入射到EO調(diào)制器10。圖2是說明圖1的EO調(diào)制器的功能的立體圖。另外，圖3也是說明圖1的EO調(diào)制器的功能的立體圖。此處的EO調(diào)制器10，如圖2和圖3所示，由普克爾斯元件6(以下也稱為“結(jié)晶”)和偏振光光束分離器62組合而成。激光18為直線偏振光時(shí)，如圖2所示，通過將電壓V1(通常電壓為0V)經(jīng)EO調(diào)制器電源(未圖示)施加到結(jié)晶61上，通過結(jié)晶61的激光18的偏振光方向仍保持其原狀而不旋轉(zhuǎn)，并作為S偏振光入射到偏振光光束分離器62，并設(shè)定為使其偏轉(zhuǎn)90°方向。即，在這種狀態(tài)下，激光18由于偏轉(zhuǎn)90°輸出而未入射到以后的光學(xué)系統(tǒng)中，在玻璃基板1上，使激光18變成斷開狀態(tài)。另外，如圖所示，通過施加電壓V2可以使通過結(jié)晶61的激光18的偏振光方向旋轉(zhuǎn)90°，通過結(jié)晶61的激光18的偏振光方向旋轉(zhuǎn)90°后作為P偏振光入射到偏振光光束分離器62。這時(shí)，激光18通過偏振光光束分離器62并直線前進(jìn)。即，在這種狀態(tài)下，由于激光18直線前進(jìn)并入射到以后的光學(xué)系統(tǒng)中，因而，在玻璃基板1上，成為激光18開通狀態(tài)。圖4是表示EO調(diào)制器的外加電壓和透射率的關(guān)系的曲線圖。為了弄清外加在圖4所示的結(jié)晶61上的電壓和通過EO調(diào)制器10的激光18的透射率T1的關(guān)系，通過使外加在結(jié)晶61上的電壓在V1(通常為0V)和V2之間變化，可以將通過EO調(diào)制器10的激光18的透射率任意地設(shè)定在T1(通常為0)和T2(此處為最大透射率即為1)之間。即，可以將通過EO調(diào)制器10的激光18的透射率任意地設(shè)定在0-1之間。但是，在此認(rèn)為在結(jié)晶61和偏振光光束分離器62的表面沒有反射和吸收。圖5是表示EO調(diào)制器的激光輸入和外加電壓及激光輸出的關(guān)系的曲線圖。如圖5所示，由圖3和圖4的說明可知，將入射到EO調(diào)制器10的激光18的輸出(向EO調(diào)制器10的輸入)P0設(shè)為一定，通過使外加在結(jié)晶61上的電壓變化為V1、V2、V3、V1，作為由EO調(diào)制器10的激光輸出，可以得到輸出為P2、P3的階梯狀的脈沖輸出。在此，輸出P2可以由對EO調(diào)制器10的輸入P0和外加了電壓V2時(shí)的透射率T2的乘積求得；輸出P3可以由輸入P0和外加了電壓V3時(shí)的透射率T3的乘積求得。當(dāng)然，通過連續(xù)地改變外加在晶結(jié)61上的電壓，就可以連續(xù)地改變通過的激光18的輸出，其結(jié)果則可以得到具有任意時(shí)間變化的脈沖激光18。此處，作為EO調(diào)制器10雖說明由普克爾斯元件61和偏振光光束分離器62組合而成，但也可以用各種偏振光片來代替偏振光光束分離器62。另外，在以后的說明中將結(jié)晶61和偏振光光束分離器62(或偏振光片)的組合稱為EO調(diào)制器10。另外，除了EO調(diào)制器外，還可以使用AO(聲音—光學(xué))調(diào)制器。但是，通常AO調(diào)制器與EO調(diào)制器比較，由于驅(qū)動(dòng)頻率低，因而也有必須高速上升或下降的情況及不適合用于切出脈沖寬度較小的脈沖激光的情況。這樣，通過使用EO調(diào)制器10或AO調(diào)制器等調(diào)制器，在由激光振蕩器通常輸出連續(xù)振蕩激光的狀態(tài)下，可以對被照射部在任意的開始照射點(diǎn)開始進(jìn)行照射，而在任意的結(jié)束照射點(diǎn)結(jié)束照射。由EO調(diào)制器10變成開通狀態(tài)的激光18由光束成形光學(xué)系統(tǒng)11成形為所要求的形狀。通常，由氣體激光振蕩器及固體激光振蕩器輸出的激光光束，由于在圓形中具有高斯?fàn)畹哪芰糠植?，其原狀是不能用于本發(fā)明的激光退火的。若振蕩器的輸出足夠大，通過將光束直徑充分地?cái)U(kuò)大，由其中心部比較均勻的部分切出必須的形狀，則可獲得具有大致均勻能量分布的任意形狀，因此應(yīng)舍去光束的周邊部分而使能量的大部分變得無用。為了解決這個(gè)問題，而將高斯形分布轉(zhuǎn)換成均勻分布，根據(jù)需要使用光束均化器?；蛘?，通過利用圓柱形透鏡僅在一個(gè)方向上對激光18進(jìn)行聚光，可以在電動(dòng)矩形開口狹縫12面上得到線狀光束。另外，圖1中，作為光束成形光學(xué)系統(tǒng)11僅顯示了圓柱形透鏡。返回圖1說明本發(fā)明的制造裝置的動(dòng)作。用圓柱形透鏡聚光成線狀的激光18利用電動(dòng)矩形開口狹縫12去掉周邊部分不需要的光而將其成形為矩形形狀(從宏觀上看可稱為線狀)，用物鏡13縮小投影到玻璃基板1上。用圓柱形透鏡11聚光成線狀時(shí)，長度方向的能量分布仍保持原有的高斯形狀即為兩端低。因此，通常，用電動(dòng)矩形開口狹縫12切掉不適用于退火的低能量密度部分。這樣，通過用聚光成線狀的激光對玻璃基板1的寬度方向進(jìn)行掃描，可以對全部掃描部分進(jìn)行良好的退火處理。而且，當(dāng)把物鏡13的倍率定為M時(shí)，電動(dòng)矩形開口狹縫12的像或通過電動(dòng)矩形開口狹縫12面的激光18的大小以倍率的倒數(shù)、即1/M的大小進(jìn)行投影。當(dāng)對玻璃基板1照射激光18時(shí)，在XY平面內(nèi)移動(dòng)工作臺(tái)2的同時(shí)，以脈沖方式對所要求的位置照射激光18，但由于玻璃基板1表面的凹凸不平、曲折起伏等引起焦點(diǎn)波動(dòng)時(shí)，由于被聚焦的激光18的能量密度變動(dòng)而引起照射形狀的惡化，從而不能達(dá)到所要求的目的。因此，為了能夠經(jīng)常在焦點(diǎn)位置進(jìn)行照射，則要利用自動(dòng)對焦光學(xué)系統(tǒng)(未圖示)檢測焦點(diǎn)位置并進(jìn)行控制，在與焦點(diǎn)位置偏離時(shí)，或者在Z方向(高度方向)驅(qū)動(dòng)工作臺(tái)2，或者在Z方向(高度方向)驅(qū)動(dòng)光學(xué)系統(tǒng)，從而使焦點(diǎn)位置(電動(dòng)矩形開口狹縫12面的投影位置)和玻璃基板1的表面經(jīng)常保持一致?？梢杂糜煞瓷湔彰鞴庠?5產(chǎn)生的照明光對由激光18照射的玻璃基板1的表面進(jìn)行照明。利用CCD攝像機(jī)16對其進(jìn)行攝像，利用監(jiān)控器(未圖示)對玻璃基板1的表面進(jìn)行觀察。在激光照射過程中對玻璃基板1的表面進(jìn)行觀察時(shí)，在CCD攝像機(jī)16的前邊插上激光剪裁濾光器，以免因由玻璃基板1表面反射的激光引起CCD攝像機(jī)16出現(xiàn)成暈現(xiàn)象而不能觀察，甚至在極端情況下遭到損壞。裝置在工作臺(tái)2上的玻璃基板1的定位可相對XYθ的三個(gè)軸移動(dòng)按如下方法進(jìn)行用物鏡13、CCD攝像機(jī)16對形成在玻璃基板1上的定位標(biāo)記或玻璃基板角部或特定的圖案的多個(gè)位置進(jìn)行攝像，分別利用控制裝置22根據(jù)需要進(jìn)行雙值處理、圖案匹配處理等圖像處理，算出它們的位置坐標(biāo)，通過驅(qū)動(dòng)工作臺(tái)2相對XYθ三個(gè)軸移動(dòng)來進(jìn)行。圖1表示的雖是一個(gè)物鏡13，但可以在電動(dòng)物鏡轉(zhuǎn)換器上預(yù)先安裝多個(gè)物鏡，根據(jù)來自控制裝置22的信號進(jìn)行適當(dāng)?shù)那袚Q，可以根據(jù)處理內(nèi)容分別使用最佳的物鏡。即，在工作臺(tái)2上裝置玻璃基板1時(shí)的定位，根據(jù)需要進(jìn)行的精確定位、激光退火處理、處理后的觀察以及將于后述的定位標(biāo)記的形成等，均可分別使用最佳的物鏡。定位雖可設(shè)置專用的光學(xué)系統(tǒng)(透鏡、攝像裝置及照明裝置)來進(jìn)行，但通過將進(jìn)行激光退火的光學(xué)系統(tǒng)與定位用的光學(xué)系統(tǒng)共用，可在同一光軸上進(jìn)行檢測，可提高定位的精度。下面，對使用上述的本發(fā)明的制造裝置實(shí)施本發(fā)明的顯示裝置的制造方法，即激光退火方法的一個(gè)實(shí)施例進(jìn)行說明。此處，作為退火對象的玻璃基板1是在厚度為0.3mm-1.0mm左右的玻璃基板一個(gè)主要面上通過絕緣薄膜形成厚度為40nm-150nm的非晶硅膜(非晶質(zhì)硅膜)，再用激發(fā)物激光對其進(jìn)行全面掃描，從而使其重新結(jié)晶成聚硅膜(多晶硅膜)。下面，有時(shí)也將其簡稱為玻璃基板1。此處，所謂絕緣薄膜是指膜厚為50nm-200nm的SiO2或SiN或它們的復(fù)合膜。圖6是說明本發(fā)明的制造方法的一個(gè)實(shí)施例，即作為激光退火方法的對象的玻璃基板的平面圖及其重要部分的放大圖。將用激發(fā)物激光進(jìn)行退火、形成聚硅膜的玻璃基板1裝置在圖1的工作臺(tái)2上。該玻璃基板1如圖6所示，由作為象素部分的顯示區(qū)域101和驅(qū)動(dòng)電路部分102、102’構(gòu)成，在外緣部分形成至少兩處定位標(biāo)記103、103’。這些定位標(biāo)記103、103’雖可以用光刻技術(shù)形成，但僅以該目的就實(shí)施光致抗蝕膜工序太浪費(fèi)。因此，利用圓柱形透鏡11的旋轉(zhuǎn)和電動(dòng)矩形狹縫12依次將用于激光退火的激光18成形為例如具有縱向和橫向長度的矩形并通過除去多晶硅薄膜的加工而形成十字標(biāo)記，便可做出定位標(biāo)記103、103’?；蛘?，也可以利用噴墨裝置等形成點(diǎn)狀的定位標(biāo)記。在這種情況下，有必要預(yù)先利用玻璃基板1的角部等進(jìn)行預(yù)定位。檢測定位標(biāo)記103、103’的位置，在XYθ(x軸、y軸、θ軸)三個(gè)方向進(jìn)行位置補(bǔ)償后，依照設(shè)計(jì)上的坐標(biāo)，使工作臺(tái)2在圖6的箭頭所示的方向或其反方向上移動(dòng)，使光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行相對掃描的同時(shí)，利用物鏡聚光照射由EO調(diào)制器10變成開通狀態(tài)的激光18。照射激光18的區(qū)域是形成用于例如驅(qū)動(dòng)各象素的驅(qū)動(dòng)電路的部分102、102’，更嚴(yán)密地講是驅(qū)動(dòng)部薄膜晶體管的形成區(qū)域(在圖6的放大圖中，是以104、105、106、107、108、109和110表示的部分，下面也稱為“退火區(qū)域”)。根據(jù)需要可使玻璃基板1相對往復(fù)數(shù)次，同時(shí)依次進(jìn)行照射、根據(jù)裝置的結(jié)構(gòu)不同，也可通過使光學(xué)系統(tǒng)移動(dòng)進(jìn)行相對掃描。圖16是說明實(shí)施本發(fā)明的激光退火的最佳激光聚光狀態(tài)的立體圖。退火區(qū)域104-110各自的大小為例如4mm×100μm，該矩形區(qū)域的間距設(shè)定為250μm。另一方面，所照射的激光光束的大小為500μm×10μm。即，激光光束如圖16所示成形為長度方向?yàn)?00μm，寬度方向?yàn)?0μm的矩形(帶狀)。這時(shí)所照射的激光的能量密度以100×103w/cm2-500×103w/cm2左右為宜，但其最佳值隨激光的掃描速度、硅膜的膜厚、是非晶質(zhì)還是多晶體等而變化。當(dāng)使用輸出功率為10w的激光振蕩器時(shí)，由于一次掃描可退火的區(qū)域的寬度是500μm，因而為了對必須寬度(4mm)進(jìn)行退火就必須掃描8個(gè)單程或往復(fù)4次進(jìn)行照射?？赏嘶鸬膮^(qū)域的寬度由激光振蕩器6的輸出功率決定，如果振蕩器6的輸出功率足夠大，則可照射更大的區(qū)域并可減少掃描次數(shù)?；蛘?，可將所照射的激光光束的形狀做成增大其長度方向而減小其聚光寬度。圖17是說明進(jìn)行本發(fā)明的激光退火時(shí)的激光照射區(qū)域的立體圖。使玻璃基板1以500mm/秒的速度作相對移動(dòng)的同時(shí)，以250μm的間距、以圖17所示的要點(diǎn)只照射100μm的長度。即，在照射開始位置開始激光的照射，在持續(xù)照射激光的狀態(tài)下使工作臺(tái)2相對移動(dòng)100μm，在照射結(jié)束位置停止激光的照射。隨后，在工作臺(tái)2移動(dòng)250μm后的位置，再次進(jìn)行開始照射及以后的停止照射，將此重復(fù)必要的次數(shù)。其間，工作臺(tái)2不停止，而是以一定速度繼續(xù)進(jìn)行連續(xù)的移動(dòng)。這樣，通過以250μm的間隔形成大致為500μm×100μm的退火區(qū)域(當(dāng)考慮所照射的激光寬度時(shí)，更嚴(yán)密地講是500μm×110μm的退火區(qū)域)，如以后將詳述那樣在激光掃描的方向上使晶粒長大。圖7是說明本發(fā)明的制造方法的時(shí)間關(guān)系圖，表示工作臺(tái)2的移動(dòng)和照射激光的定時(shí)。計(jì)數(shù)器C1-C4位于控制裝置22中，圖示予以省略。此處，對使玻璃基板1進(jìn)行相對掃描同時(shí)由EO調(diào)制器10開通/斷開激光18進(jìn)行照射的順序進(jìn)行說明。如圖6的箭頭所示，一邊在X方向進(jìn)行掃描，一邊以250μm的間距只對100μm的距離進(jìn)行照射共1024處。附屬于工作臺(tái)2的X軸的線性標(biāo)度(線性偏碼器)3在工作臺(tái)2每向X方向移動(dòng)一定距離時(shí)就產(chǎn)生一個(gè)脈沖的脈沖信號。所產(chǎn)生的信號是正弦波時(shí)可以轉(zhuǎn)換成矩形波使用。通過對該脈沖信號進(jìn)行計(jì)數(shù)，可以檢測出工作臺(tái)2的位置。由線性標(biāo)度產(chǎn)生的脈沖信號就高精度的線性標(biāo)度而言，每移動(dòng)例如1μm就產(chǎn)生1個(gè)脈沖。當(dāng)脈沖間隔大時(shí)，可以進(jìn)行電氣分割，也可做成小的脈沖間隔。工作臺(tái)2由停止?fàn)顟B(tài)到達(dá)到一定速度，必須有一定距離(加速區(qū)域)。當(dāng)將激光照射時(shí)的工作臺(tái)速度定為500mm/秒時(shí)，必須約50mm的加速區(qū)域，由照射開始位置(圖6的退火區(qū)域104的左邊)定位并停止于例如僅60mm左側(cè)的位置(圖7的XS)以使加速區(qū)域在50mm以上。在此，根據(jù)控制裝置22的指令對來自線性標(biāo)度3的脈沖信號進(jìn)行計(jì)數(shù)的計(jì)數(shù)器電路C1(計(jì)數(shù)器1)對原有計(jì)數(shù)一次清除后開始計(jì)數(shù)的同時(shí)，開始驅(qū)動(dòng)工作臺(tái)2。計(jì)數(shù)器電路C1隨著工作臺(tái)2的移動(dòng)對所產(chǎn)生的脈沖信號進(jìn)行計(jì)數(shù)，在工作臺(tái)2到達(dá)最初的照射開始位置X1的時(shí)刻，即在相當(dāng)于移動(dòng)60mm計(jì)數(shù)的脈沖數(shù)n1(600000個(gè)脈沖)的時(shí)刻，輸出開門信號(門開)。利用該信號，打開通向EO調(diào)制器電源21的門，從而使信號可傳送到EO調(diào)制器電源21。在該時(shí)刻，工作臺(tái)速度的加速結(jié)束，達(dá)到了一定速度。接收該開門信號后，計(jì)數(shù)器電路C3(計(jì)數(shù)器3)輸出EO調(diào)制器電源21的開通信號(EOMON)的同時(shí)，清除原有計(jì)數(shù)并開始計(jì)數(shù)，以后，每當(dāng)計(jì)數(shù)到相當(dāng)于照射間距的脈沖數(shù)n3(2500個(gè)脈沖)時(shí)，就對EO調(diào)制器電源21輸出開通信號。圖7中，將向EO調(diào)制器施加的電壓表示為EOM。另一方面，計(jì)數(shù)器電路C4(計(jì)數(shù)器4)接收向EO調(diào)制器電源21的開通信號，清除原有計(jì)數(shù)并開始計(jì)數(shù)，在計(jì)數(shù)到相當(dāng)于退火區(qū)域長度100μm的脈沖數(shù)n4(1000個(gè)脈沖)的時(shí)刻，就對EO調(diào)制器電源21輸出斷開信號(EOMOFF)。每當(dāng)計(jì)數(shù)器電路C3產(chǎn)生EO調(diào)制器電源21開通信號時(shí)就重復(fù)該動(dòng)作。EO調(diào)制器電源21自接收EO調(diào)制器電源開通信號到接收EO調(diào)制器電源斷開信號的時(shí)間(以工作臺(tái)速度為500mm/秒通過100μm的距離的時(shí)間200μs)，對普克爾斯元件61外加使激光18的偏振光方向旋轉(zhuǎn)90°的電壓。因此，只在與對普爾克斯元件61外加電壓的時(shí)間相同的時(shí)間內(nèi)，使激光18通過EO調(diào)制器10，照射到基板1上。另一方面，計(jì)數(shù)器電路C2(計(jì)數(shù)器2)接收來自計(jì)數(shù)器電路C1的開門信號在清除原有計(jì)數(shù)的同時(shí)，對由計(jì)數(shù)器電路C4輸出的EO調(diào)制器電源斷開信號進(jìn)行計(jì)數(shù)，在計(jì)數(shù)到相當(dāng)于退火區(qū)域數(shù)的脈沖數(shù)n2(1024個(gè)脈沖)的時(shí)刻，將門關(guān)閉。因此，EO調(diào)制器電源21不再接收EO調(diào)制器電源開通信號及EO調(diào)制器電源斷開信號，EO調(diào)制器電源21停止動(dòng)作。根據(jù)以上的順序，圖6所示的驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域102的第一次激光退火雖結(jié)束，但實(shí)際情況是驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域?yàn)閹缀撩?，在一次掃描中不能完成全部退火。因此，僅以一定間距(在本實(shí)施例中為500μm)在Y方向上移動(dòng)重復(fù)上述的順序。這樣，可在完全不受工作臺(tái)速度變動(dòng)的影響，在使工作臺(tái)2繼續(xù)移動(dòng)的狀態(tài)下，高精度地照射激光18。但是，在重復(fù)掃描的情況下，有時(shí)產(chǎn)生與掃描方向平行的重復(fù)退火的部分或者激光未照射到的部分，由于在這樣的部分中晶粒的成長混亂，因而，希望在安排設(shè)計(jì)時(shí)考慮使其在掃描部分和與掃描部分連接的部分不形成晶體管。此處，說明的是在照射激光18時(shí)，多晶硅薄膜的變化狀況。如上所述，本實(shí)施例中，將用激發(fā)物激光對玻璃基板1進(jìn)行退火(即，改質(zhì))而形成多晶硅薄膜的基板用作退火對象。圖8是表示實(shí)施本發(fā)明的制造方法的一個(gè)實(shí)施例的激光退火方法之前的結(jié)晶狀態(tài)的平面；圖9是表示實(shí)施激光退火方法之后的結(jié)晶狀態(tài)的平面圖；圖10是表示實(shí)施激光退火方法的區(qū)域和驅(qū)動(dòng)電路活性區(qū)域的位置關(guān)系的基板的平面圖。由激發(fā)物激光進(jìn)行退火得到的多晶硅薄膜，如圖8所示，是晶粒直徑在1μm以下(數(shù)百nm)的微小晶粒120、121的集合體。當(dāng)對圖中所示的區(qū)域照射激光時(shí)，激光照射區(qū)域以外的微小晶粒120仍保持原狀，而激光照射區(qū)域內(nèi)的微小晶粒(例如晶粒121)則熔融。其后，當(dāng)激光照射區(qū)域通過后便迅速地凝固并再結(jié)晶。此時(shí)，熔融的硅以殘留在熔融部分周邊的晶粒作為種晶、結(jié)晶方位與種晶一樣的結(jié)晶按照溫度梯度沿激光的掃描方向進(jìn)行生長。這時(shí)，由于晶粒的生長速度隨結(jié)晶方位而不同，最終結(jié)果是只有具有生長速度最快的結(jié)晶方位的晶粒繼續(xù)成長。即，如圖9所示，具有成長速度慢的結(jié)晶方位的晶粒122被其周圍的具有成長速度快的結(jié)晶方位的晶粒124、126的成長抑制，使晶粒長大終止。另外，具有成長速度為中等程度的結(jié)晶方位的晶粒123、124雖繼續(xù)成長，但進(jìn)一步成長受到成長速度快的晶粒125、126的成長的抑制，其成長仍然停止。最終，只有具有成長速度最大的結(jié)晶方位的晶粒125、126、127繼續(xù)成長。這些直到最后晶粒繼續(xù)長大的晶粒125、126、127按照嚴(yán)格的意義雖是獨(dú)立的晶粒，但都具有大致相同的結(jié)晶方位，其熔融再結(jié)晶的部分實(shí)際上幾乎可以看作是單晶。如上所述，通過對多晶硅薄膜照射激光，只有照射激光的部分進(jìn)行了島狀退火，只有具有特定結(jié)晶方位的晶粒成長，按照嚴(yán)格的意義雖是多晶狀態(tài)，但仍形成了具有近乎單晶性質(zhì)的區(qū)域125-127。尤其是，在未橫穿晶粒邊界的方向上，即在激光掃描的方向上，實(shí)質(zhì)上可認(rèn)為是單晶。在本發(fā)明中將這樣結(jié)晶的硅膜稱為帶狀多晶硅膜。一邊對玻璃基板1進(jìn)行相對掃描，一邊重復(fù)上述順序，通過對必須退火的部分依次照射激光，可以將形成驅(qū)動(dòng)電路部的薄膜晶體管(驅(qū)動(dòng)部薄膜晶體管)的全部區(qū)域轉(zhuǎn)換成具有近乎單晶性質(zhì)的帶狀多晶硅膜的區(qū)域。進(jìn)而，具有近乎單晶性質(zhì)的區(qū)域如圖9所示，由于晶粒在一定方向上成長，在形成晶體管時(shí)，通過使電流流動(dòng)的方向和晶粒的成長方向一致，則可避免電流在橫穿晶粒邊界的方向上流動(dòng)。圖11是表示實(shí)施本發(fā)明的激光退火方法所形成的驅(qū)動(dòng)部薄膜晶體管的構(gòu)成的基板的平面圖。即，如圖10所示的激光照射區(qū)域301中，只有由成長速度快的晶粒構(gòu)成的部分才是適合于做成驅(qū)動(dòng)電路晶體管的激活層(活性區(qū)域)302、303的位置。經(jīng)雜質(zhì)擴(kuò)散工序和光刻工序，除活性區(qū)域302、303以外，如圖11所示利用光致抗蝕膜工序，形成使柵絕緣膜介于中間的柵電極305，具有歐姆連接的源電極306和漏電極307，從而完成薄膜晶體管。此處，在活性區(qū)域303中雖存在晶粒邊界304、304’，但由于電流在源電極306和漏電極307之間流動(dòng)，因而電流不會(huì)橫穿晶粒邊界304、304’，實(shí)質(zhì)上可以得到與單晶構(gòu)成時(shí)等值的移動(dòng)度。如上所述利用本發(fā)明的激光退火熔融再結(jié)晶的部分，通過將其做成使電流的流動(dòng)方向和晶粒邊界的方向一致，并使電流不橫穿晶粒邊界，從而其移動(dòng)度與只進(jìn)行用激發(fā)物激光退火的多晶硅薄膜比較為其2倍以上，具體的可改善達(dá)到350cm2/VS以上。該移動(dòng)度對于構(gòu)成用于高速驅(qū)動(dòng)液晶的驅(qū)動(dòng)電路來說其值已足夠。另一方面，象素部的開關(guān)用晶體管(象素部薄膜晶體管)僅在利用激發(fā)物激光實(shí)施退火的多晶硅薄膜103的區(qū)域形成。由激發(fā)物激光退火得到的多晶硅膜由于晶粒細(xì)小而結(jié)晶方向又是隨機(jī)的，因而與用本發(fā)明的激光退火得到的晶粒比較移動(dòng)度雖較小，但作為象素部薄膜晶體管、即開關(guān)用薄膜晶體管使用其性能已足夠。根據(jù)情況的不同，作為該象素部薄膜晶體管即使是非晶質(zhì)硅膜也足夠使用。這時(shí)，在玻璃基板1上形成非晶質(zhì)硅薄膜，而無需實(shí)施利用激發(fā)物激光的退火，可以對形成驅(qū)動(dòng)電路的部分實(shí)施本發(fā)明的激光退火方法。而且，最初照射激光18，熔融的硅在凝固過程中形成微小多晶粒的狀態(tài)，這時(shí)形成的晶粒成為種晶，與對利用激發(fā)物激光照射形成的多晶狀態(tài)的硅膜再照射激光18的情況相同，具有各種結(jié)晶方位的晶粒雖都成長，但最終只有成長速度最快的方向的晶粒繼續(xù)成長，實(shí)質(zhì)上可以形成可以稱作單晶的多晶硅薄膜。對圖6所示的驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域102的激光退火結(jié)束后，應(yīng)對驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域102’進(jìn)行退火，這時(shí)，既可使基板旋轉(zhuǎn)90°，也可使掃描方向變更90°。對于后一種情況，使光束成形器(圖1中為柱狀透鏡11)旋轉(zhuǎn)90°，另外還必須切換矩形狹縫的寬度方向和長度方向。再有，圖6所示的驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域102通常是數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域(將薄膜晶體管作為有源元件時(shí)，稱為漏極驅(qū)動(dòng)等)；驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域102’則是掃描驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域(將薄膜晶體管作為有源元件時(shí)，稱為柵極驅(qū)動(dòng)等)。但是，在圖6所示的玻璃基板1上，對于驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域102，102’中的一方，例如驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域102若要做成必須高速動(dòng)作的晶體管，則只有對驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域102實(shí)施本發(fā)明的激光退火才行。即，在驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域102中形成的晶體管的激活層(活性區(qū)域)由含有在電流流動(dòng)的方向上沒有晶粒邊界的晶粒的多晶硅薄膜構(gòu)成，從而可以得到高速動(dòng)作的晶體管。另一方面，在驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域102’由于形成無需那樣高速運(yùn)作的薄膜晶體管，則晶體管的激活層(活性區(qū)域)僅用激發(fā)物激光進(jìn)行退火的由微小晶粒構(gòu)成的多晶硅膜構(gòu)成。這時(shí)，則無需使基板旋轉(zhuǎn)或者使掃描方向和線狀光束的方向旋轉(zhuǎn)，而且由于還可將應(yīng)退火的區(qū)域減小，則提高生產(chǎn)率的效果更明顯。圖18是說明本發(fā)明的制造方法的另一實(shí)施例的絕緣基板的平面圖。在本實(shí)施例中，將作為激光退火方法對象的驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域集中在絕緣基板(玻璃基板)的一邊。如圖18所示，若可將形成于玻璃基板1上的驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域602集中到象素區(qū)域601的外側(cè)的一邊，而可得到驅(qū)動(dòng)部薄膜晶體管的全部激活層(活性區(qū)域)由包含在電流流動(dòng)的方向上沒有晶粒邊界的晶粒的多晶硅膜構(gòu)成的、高速動(dòng)作的薄膜晶體管。進(jìn)而，也無需使基板旋轉(zhuǎn)或掃描方向和線狀光束的方向旋轉(zhuǎn)，從提高生產(chǎn)率方面看更好。但是，多個(gè)定位標(biāo)記，例如圖示的定位標(biāo)記603、603’不用說仍是必要的。另外，在本實(shí)施例中，為了檢測工作臺(tái)的位置或者移動(dòng)量，通過對來自設(shè)置在工作臺(tái)上的線性標(biāo)度(線性編碼器)的信號進(jìn)行計(jì)數(shù)的方法進(jìn)行了說明，但不受此限定；為了檢測工作臺(tái)的位置，可以使用采用激光干涉的測長儀，來自設(shè)置于驅(qū)動(dòng)工作臺(tái)的電機(jī)軸上的旋轉(zhuǎn)編碼器等的輸出信號。上述的本發(fā)明的包含對帶狀多晶硅膜改質(zhì)順序的薄膜晶體管基板(有源·矩陣基板)的制造工序可以匯總于圖22和圖23所示的流程圖。圖22是說明使用本發(fā)明的制造方法的顯示裝置的制造工序的流程圖。此處，將制造液晶顯示裝置的工序作為例子。另外，圖23是說明圖22的本發(fā)明的退火工序的部分的流程圖。各工序用p-xx表示。如圖22所示，在基板上形成絕緣膜為工序(p-1)，形成a-Si(非晶質(zhì)硅)膜為工序(p-2)，進(jìn)行激發(fā)物激光退火為工序(p-3)，在工序(P-3)后僅對構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路的晶體管的激活層部分及其周邊部分進(jìn)行本發(fā)明的激光退火為工序(p-4)。將本發(fā)明的激光退火工序(p-4)的詳細(xì)情況示于圖23。圖23中，將經(jīng)激發(fā)物激光退火(p-3)的基板(玻璃基板)裝置在本發(fā)明的圖1中說明的制造裝置(激光退火裝置)的工作臺(tái)2上(p-41)，用基板的端面或角部進(jìn)行預(yù)定位(p-42)，利用激光加工形成定位標(biāo)記(p-43)。檢測該定位標(biāo)記進(jìn)行定位(精定位)(p-44)后，根據(jù)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)僅對構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路的薄膜晶體管的激活層部分及其周邊實(shí)施激光退火(p-45)。裝置在激光退火裝置上的時(shí)刻，在以光致抗蝕膜處理等其它方式形成定位標(biāo)記的情況下，則無需預(yù)定位工序(p-42)、形成定位標(biāo)記工序(p-43)。重復(fù)上述工序直到所要求的區(qū)域全部退火后(p-46)，將基板送出(p-47)。此后，如圖22所示，以定位標(biāo)記103、103’為基準(zhǔn)，或以由定位標(biāo)記103、103’算出的原點(diǎn)坐標(biāo)為基準(zhǔn)，利用光刻工序僅將多晶硅膜的必要部分留下成島狀。其后，利用光致抗蝕膜工序，在形成柵絕緣膜(p-6)，形成柵電極(p-7)之后，再進(jìn)行雜質(zhì)擴(kuò)散(p-8)和擴(kuò)散區(qū)域活性化(p-9)。然后，在形成層間絕緣膜(p-10)，形成源、漏電極(p-11)，形成保護(hù)膜(鈍化膜)(p-12)等光致抗蝕膜工序之后，再形成驅(qū)動(dòng)電路和象素部分從而完成TFT基板(LCD(面板)工序-p-13)。另外，在進(jìn)行本發(fā)明的激光退火之后，定位標(biāo)記103、103’用于光致抗蝕膜工序中的定位至少一次。然后，可以使用在上述光致抗蝕膜工序中所形成的定位標(biāo)記。再有，上述圖11所示的薄膜晶體管只不過是表示的一個(gè)例子，本發(fā)明不受此限制。作為薄膜晶體管雖可有各種構(gòu)造，但很明顯，只要是在不超出本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)可形成各種構(gòu)造的晶體管。另一方面，象素部的開關(guān)用晶體管(象素部薄膜晶體管)形成在僅實(shí)施了激發(fā)物激光退火的多晶硅薄膜103的區(qū)域中。即，以定位標(biāo)記為基準(zhǔn)或以由定位標(biāo)記算出的原點(diǎn)坐標(biāo)為基準(zhǔn)，經(jīng)用于形成柵絕緣膜、形成柵電極、雜質(zhì)擴(kuò)散、擴(kuò)散區(qū)域的活性化、形成源、漏電極、形成鈍化膜等的光致抗蝕膜處理，完成TFT基板。此后，在完成的薄膜晶體管基板上形成定向膜，在經(jīng)研磨工序的TFT基板上，再經(jīng)重疊彩色濾光器并封入液晶材料LCD(面板)工序，與背照光等一起裝入的模塊加工工序(p-14)，便完成在玻璃基板上形成了高速驅(qū)動(dòng)電路的液晶顯示裝置(所謂面板系統(tǒng)-SystemOnPanel)。另外，在上述實(shí)施例中，作為本發(fā)明的激光退火對象雖通過使用以激發(fā)物激光退火形成的微小多晶硅薄膜予以說明，但在基板上直接形成多晶硅薄膜時(shí)，在圖22所示的流程圖中，以形成非晶質(zhì)即非晶硅膜(a-Si膜)代替形成多晶體即聚硅膜(Poly-Si膜)，則可省略激發(fā)物激光退火，并可取得與上述實(shí)施例完全相同的效果。圖12是裝置本發(fā)明的顯示裝置的電子設(shè)備例子的說明圖。在圖12(a)所示的電視接收機(jī)401的顯示部分，圖12(b)所示的手機(jī)402所示的顯示部分或者圖12(c)所示的筆記本式個(gè)人電腦403的顯示部分中都可裝置本發(fā)明的顯示裝置。此外，還可列舉裝在汽車的儀表板中的各種計(jì)量儀表的顯示部分，攜帶型游戲機(jī)的顯示部分，VTR及數(shù)字式照相機(jī)的監(jiān)控顯示部分等。另外，本發(fā)明的顯示裝置除了使用上述實(shí)施例中說明的液晶顯示面板的液晶顯示裝置外，還可以做成使用有機(jī)場致發(fā)光元件面板、其它面板型顯示元件的顯示裝置。下面，對本發(fā)明的制造方法的其它實(shí)施例進(jìn)行說明。圖13是表示本發(fā)明的制造方法的另一實(shí)施例的激光退火方法的工作臺(tái)移動(dòng)和照射激光的定時(shí)的時(shí)間關(guān)系圖。如與先前敘述的實(shí)施例同樣的圖6的箭頭所示，在例子中說明了一邊在X方向進(jìn)行掃描，一邊以250μm的間距僅照射距離100μm共1024處的情況。本實(shí)施例與先前敘述的實(shí)施例相比，不同的是一邊對基板進(jìn)行相對掃描，一邊用EO調(diào)制器使激光開通/斷開的順序。附加在圖1的工作臺(tái)2的X軸上的線性標(biāo)度3隨著工作臺(tái)向X方向的移動(dòng)，以一定間隔產(chǎn)生脈沖信號。當(dāng)所產(chǎn)生的信號為正弦波時(shí)可轉(zhuǎn)換成矩形波使用。通過對該脈沖信號進(jìn)行計(jì)數(shù)，可檢測出工作臺(tái)的位置。用線性標(biāo)度3產(chǎn)生脈沖信號就高精度線性標(biāo)度而言，例如每移動(dòng)0.1μm可產(chǎn)生1個(gè)脈沖。在脈沖間隔大的情況下，可進(jìn)行電分割劃小，也可做成小的脈沖間隔。工作臺(tái)2從停止?fàn)顟B(tài)到達(dá)到一定速度，必須一定距離(加速區(qū)域)。當(dāng)將激光照射時(shí)的工作臺(tái)速度設(shè)定為500mm/秒時(shí)，加速區(qū)域必須50mm左右，由照射開始位置(圖6的退火區(qū)域104的左邊)起加速區(qū)域在50mm以上，則應(yīng)定位、停止于例如只有60mm的左側(cè)位置(圖7的Xs)。此處，按照控制裝置22的指令，對來自線性標(biāo)度3的脈沖信號進(jìn)行計(jì)數(shù)的計(jì)數(shù)器電路C1(計(jì)數(shù)器1)進(jìn)行清除后，開始計(jì)數(shù)的同時(shí)開始驅(qū)動(dòng)工作臺(tái)2。計(jì)數(shù)器電路C1對隨著工作臺(tái)的移動(dòng)產(chǎn)生的脈沖信號進(jìn)行計(jì)數(shù)，在工作臺(tái)2到達(dá)照射開始位置X1的時(shí)刻，即在計(jì)數(shù)到相當(dāng)于移動(dòng)60mm的脈沖數(shù)n1(600,000個(gè)脈沖)的時(shí)刻輸出開門信號。利用該信號，開啟向EO調(diào)制器電源21的門，從而可向EO調(diào)制器電源21傳輸信號。在該時(shí)刻，工作臺(tái)速度終止加速而達(dá)到一定速度。接收該開門信號(GateOn)，計(jì)數(shù)器電路C3(計(jì)數(shù)器3)輸出EO調(diào)制器電源21的開通信號(EOMON)的同時(shí)對計(jì)數(shù)器清零并開始計(jì)數(shù)；以后，每計(jì)數(shù)到相當(dāng)于照射間距的脈沖數(shù)n3(2500個(gè)脈沖)時(shí)就向EO調(diào)制器電源21輸出開通信號。另一方面，控制裝置22具有的未圖示的計(jì)數(shù)器T1(計(jì)時(shí)器1)接收EO調(diào)制器電源21的開通信號并開始對時(shí)間進(jìn)行計(jì)時(shí)，在為移動(dòng)100μm的退火距離經(jīng)過了所需時(shí)間(200μm)的時(shí)刻，向EO調(diào)制器電源21輸出斷開信號(EOMOFF)?；蛘?，接收EO調(diào)制器電源21的開通信號，為移動(dòng)100μm的退火距離可以使其產(chǎn)生具有所需要的時(shí)間(200μs)的脈沖寬度的脈沖信號。在每次接收到EO調(diào)制器電源21的開通信號時(shí)都重復(fù)該動(dòng)作。EO調(diào)制器電源21在從接收EO調(diào)制器電源開通信號到接收EO調(diào)制器電源斷開信號的期間(以500mm/秒的速度通過100μm的時(shí)間為200μs)，對普克爾斯元件61施加使激光18的偏振光方向旋轉(zhuǎn)90°的電壓。因此，只在與對普克爾斯元件61施加電壓的時(shí)間相同的時(shí)間內(nèi)，激光18才通過EO調(diào)制器10而輸出，并照射到基板1上。另外，作為EO調(diào)制器電源21，也有通過從外部輸入脈沖信號，對普克爾斯元件61施加與脈沖信號波形相對應(yīng)的電壓波形的方式。在這種情況下，可以使用脈沖發(fā)生器代替計(jì)時(shí)器T1。即，計(jì)數(shù)器電路C3每計(jì)數(shù)到相當(dāng)于照射間距的脈沖數(shù)n3(2500個(gè)脈沖)時(shí)，都將所產(chǎn)生的EO調(diào)制器電源21的開通信號輸入給脈沖發(fā)生器，使其產(chǎn)生預(yù)設(shè)的脈沖寬度，即相當(dāng)于激光為通過退火區(qū)域所必須的時(shí)間的脈沖寬度的信號(在本實(shí)施例的情況下脈沖寬度為2500μs)，并將其輸入到EO調(diào)制器電源21。這樣，與上述實(shí)施例同樣，可將激光照射到基板1上的所要求的區(qū)域。另一方面，計(jì)數(shù)器電路C2(計(jì)數(shù)器2)從計(jì)數(shù)器電路C1接收開門信號并對計(jì)數(shù)器清零的同時(shí)，對計(jì)數(shù)器電路C4輸出的EO調(diào)制器電源斷開信號或者脈沖發(fā)生器的輸出脈沖進(jìn)行計(jì)數(shù)，當(dāng)計(jì)數(shù)到相當(dāng)于退火位置個(gè)數(shù)的脈沖數(shù)n2(1024個(gè)脈沖)的時(shí)刻，關(guān)門。這樣，EO調(diào)制器電源21不會(huì)接收EO調(diào)制器電源開通信號及EO調(diào)制器電源斷開信號，EO調(diào)制器電源21不動(dòng)作。在本實(shí)施例中，激光照射開始位置雖由工作臺(tái)位置控制，但激光照射結(jié)束位置由激光照射開始后的時(shí)間或脈沖發(fā)生器輸出脈沖的脈沖寬度規(guī)定。因此，在工作臺(tái)速度有變動(dòng)時(shí)，照射結(jié)束位置根據(jù)工作臺(tái)速度的變動(dòng)情況，有稍許變動(dòng)的可能性。然而，具有大質(zhì)量的工作臺(tái)以高速移動(dòng)時(shí)，因變動(dòng)很小，實(shí)際上受工作臺(tái)速度變動(dòng)的影響極小。工作臺(tái)速度即使變動(dòng)±1％左右，照射開始位置完全沒有變動(dòng)，照射結(jié)束位置的變動(dòng)也只有1μm左右，實(shí)質(zhì)上不產(chǎn)生任何問題。按照以上順序，圖6所示的驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域102的第一次激光退火雖結(jié)束，但實(shí)際上作為驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域必須數(shù)毫米寬，不能以一次掃描對全部進(jìn)行退火。因此，以一定間距(本實(shí)施例中為500μm)在Y方向移動(dòng)，可重復(fù)如上所述的順序。這樣，可以不受工作臺(tái)速度變動(dòng)的影響，高精度地進(jìn)行照射。但是，重復(fù)掃描時(shí)，有時(shí)會(huì)出現(xiàn)與掃描方向平行的重復(fù)退火部分，或者激光未照射到的部分，在這樣的部分中由于晶粒的生成產(chǎn)生混亂，因而希望對掃描部分和與掃描部分連接的部分的安排設(shè)計(jì)使其不形成晶體管。另外，激光18照射時(shí)多晶硅薄膜的晶粒的變化已如前述。與上述實(shí)施例中的說明相同，在圖6所示的玻璃基板1中，驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域102、102’中的一方，例如驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域102中若能將必須高速動(dòng)作的晶體管集中，則只對驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域102實(shí)施本發(fā)明的激光退火即可。即，形成于驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域102中的晶體管的激活層(活性區(qū)域)由包含在電流流動(dòng)的方向上沒有晶粒邊界的晶粒的多晶硅構(gòu)成，可以得到高速動(dòng)作的晶體管。另一方面，由于在驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域102’中形成無需那樣高速動(dòng)作的晶體管，晶體管的激活層(活性區(qū)域)可只由激發(fā)物激光進(jìn)行退火的微小晶粒構(gòu)成的多晶硅膜構(gòu)成。這時(shí)，則無必要使基板旋轉(zhuǎn)或使掃描方向和線狀光束的方向旋轉(zhuǎn)，而且還可減小應(yīng)予退火的區(qū)域，提高生產(chǎn)率的效果顯著?；蛘?，如圖18所示，若能將形成于基板1上的驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域602集中到象素區(qū)域601的外側(cè)的一邊，則可由包含驅(qū)動(dòng)電路用晶體管的全部激活層(活性區(qū)域)在電流流動(dòng)的方向上沒有晶粒邊界的多晶硅構(gòu)成，可以得到高速動(dòng)作的晶體管。這種情況也無必要使基板旋轉(zhuǎn)或使掃描方向和線狀光束的方向旋轉(zhuǎn)。從提高生產(chǎn)率方面考慮也有利。不用說，定位標(biāo)記603、603’是必要的。另外，在本實(shí)施例的說明中，為了檢測工作臺(tái)的位置或移動(dòng)量，通過對來自設(shè)置在工作臺(tái)上的線性標(biāo)度(線性編碼)的信號進(jìn)行計(jì)數(shù)來實(shí)現(xiàn)進(jìn)行了說明，但本發(fā)明不限于此，為了檢測工作臺(tái)的位置，可以使用來自利用激光干涉的測長儀，設(shè)置于驅(qū)動(dòng)工作臺(tái)的電機(jī)軸上的旋轉(zhuǎn)編碼器等輸出的信號。下面，對本發(fā)明的制造方法的另一實(shí)施例進(jìn)行說明。前述實(shí)施例中，表示的是以250μm的間隔將500μm×100μm的微米級寬度的退火區(qū)域并排排列的情況，但下面要說明的是將退火區(qū)域緊密排列的情況。作為1個(gè)例子可考慮將4mm寬的區(qū)域用500μm×100μm的激光光束進(jìn)行掃描退火，在1次掃描中退火的寬度希望在激光輸出功率許可的范圍內(nèi)盡可能地大，另外，退火長度(掃描方向的退火區(qū)域的尺寸)和退火區(qū)域的間距希望是象素間距的整數(shù)倍。因此，當(dāng)考慮將象素間距假定為250μm時(shí)，可將一個(gè)退火區(qū)域設(shè)定為500μm×500μm。首先，在一次掃描中以1mm的間距照射500μm×500μm的區(qū)域。這時(shí)，如圖28所示，在500μm×510μm的區(qū)域照射激光，以1mm間距形成被退火的區(qū)域。在各個(gè)退火區(qū)域801、802、803中，退火開始部分10μm左右的區(qū)域811、812、813因熔融的硅的表面張力拉向掃描方向，使膜厚變薄。另外，退火結(jié)束部分的10μm左右的區(qū)域821、822、823則形成隆起(突起)。夾在它們之間的區(qū)域801、802、803則進(jìn)行了良好的退火并形成類似單晶的膜。其次，同樣地將照射區(qū)域原樣設(shè)定為500μm×500μm，通過使照射開始位置在掃描方向錯(cuò)開500μm并以1mm間距進(jìn)行退火，則對先前掃描對未予退火的區(qū)域804、805進(jìn)行退火，如圖29所示形成500μm寬的退火區(qū)域。然而，如先前說明的那樣，由于照射開始部分和照射結(jié)束部分或者變薄，或者形成突起，以500μm的間距形成了不適宜于形成晶體管的寬度為10μm左右的區(qū)域811、842、843、844、845、832。此處，若試想一下區(qū)域842，在最初的掃描中雖為退火區(qū)域結(jié)束部分，形成了突起；但在第2次掃描中成為退火開始部分，突起基本消失，其與正常的區(qū)域例如801不同，不適宜于形成晶體管。另外，若試想一下區(qū)域843，在最初的掃描中雖為退火區(qū)域開始部分、使膜厚變?。坏捎谠诘?次掃描中變成了退火結(jié)束部分而形成了突起，仍不適宜于形成晶體管。隨后，在與掃描方向垂直的方向上移動(dòng)500μm，進(jìn)行同樣的退火，重復(fù)進(jìn)行直到必須進(jìn)行退火的寬度全部完成退火。在本實(shí)施例中，由于要退火4mm的寬度，因而需重復(fù)掃描8列即16次。這時(shí)，如圖30所示，在與掃描方向垂直的方向上移動(dòng)500μm進(jìn)行照射時(shí)的重疊部分851、852，其結(jié)果或者殘留了重復(fù)照射或未被照射掃描的部分，或者先前被退火的部分受到后來照射時(shí)的熱影響而在靠近照射部分的部分產(chǎn)生了結(jié)晶狀態(tài)的混亂。因此，在10μm左右的寬度中，殘留著不適宜于形成晶體管的區(qū)域851、852。若考慮這些情況，結(jié)果如圖31所示，應(yīng)以500μm的間距形成約490μm×490μm經(jīng)良好退火的區(qū)域(即，近似單晶的區(qū)域)800。若更容易理解地表述，應(yīng)在玻璃基板1上以500μm的間距形成張490μm×490μm的近似單晶硅膜片的狀態(tài)。通過設(shè)計(jì)使晶體管布置在該近似單晶硅的膜片上，可形成高性能的晶體管。另外，此處雖對一邊在同方向掃描一邊進(jìn)行退火的情況進(jìn)行了說明，但也可以設(shè)定成在往復(fù)掃描中在去和回的行程中都進(jìn)行照射，但使照射位置錯(cuò)開500μm。這種情況下，雖然最終得到的膜厚變薄部分和形成突起部分的排列方式有所改變，但因無論那一種在約10μm的寬度中都不適宜于形成晶體管，適于形成晶體管的近似單晶區(qū)域與圖31所示仍相同。所形成的晶體管假定為如圖35所示的構(gòu)成在玻璃基板980上形成的信號線用驅(qū)動(dòng)電路981時(shí)，在以500μm間距形成的一個(gè)近似單晶區(qū)域982中形成6組用于驅(qū)動(dòng)象素的2個(gè)象素成分，即6個(gè)點(diǎn)成分的電路983，該象素是由2個(gè)象素，更正確地說是由RGB的各1個(gè)點(diǎn)構(gòu)成250μm間距的象素。通常，在一個(gè)近似單晶區(qū)域內(nèi)以等間距形成的電路構(gòu)成電路組，這些電路組在近似單晶區(qū)域中以形成的等間距形成。即，在玻璃基板上用于驅(qū)動(dòng)各信號線具有同樣功能的電路不是以等間距分布在1個(gè)面板內(nèi)，具有相同功能的多個(gè)電路組以相同的間距布置構(gòu)成。另外，作為別的實(shí)施例，可考慮以500μm×10μm的激光光束對4mm寬的區(qū)域進(jìn)行掃描退火。在1次掃描中退火的寬度在激光輸出功率許可范圍內(nèi)希望盡可能大，而退火長度(掃描方向的退火區(qū)域尺寸)及退火區(qū)域的間距希望是象素間距的整數(shù)倍。因此，假定象素間距為250μm，則可將一次退火的區(qū)域設(shè)定為500μm×480μm，以500μm的間距進(jìn)行照射。首先，在第1次掃描中，如圖32所示，以1mm間距照射500μm×490μm的區(qū)域。這時(shí)，500μm×490μm的區(qū)域以激光照射，并以500μm的間距形成已退火的區(qū)域。在各個(gè)退火區(qū)域901、902、903、904、905中，退火開始部分10μm左右的區(qū)域911、912、913、914、915中熔融的硅由于所具有的表面張力的作用而變薄。另外，退火結(jié)束部分的10μm左右的區(qū)域921、922、923、924、925形成隆起(突起)。夾在它們之間的區(qū)域901、902、903、904、905經(jīng)良好的退火而形成近似單晶膜。再有，在本實(shí)施例中，在各照射區(qū)域之間，殘留著約10μm的激光未予照射到的區(qū)域。但是，該區(qū)域一度使此前的晶粒生成停止而引起新的晶粒生長，并且杜絕熱量隨著激光的照射在基板上的積累，因而是必要的區(qū)域。其次，在與掃描方向垂直的方向上移動(dòng)500μm進(jìn)行同樣的退火，重復(fù)進(jìn)行這種掃描退火直到需要退火的寬度被完全退火。在本實(shí)施例中，由于要退火4mm的寬度，因而需要復(fù)掃描8列即8次。改變列進(jìn)行照射時(shí)的重疊部分951、952、953、954、955、956、957、958、959、960，其結(jié)果，或者產(chǎn)生照射的重復(fù)，或出現(xiàn)未被照射到的部分，或者因先前被照射的部分受到后來照射時(shí)的影響，使靠近照射部分的那部分的結(jié)晶狀態(tài)混亂。因此，以10μm左右的寬度殘留不適宜于形成晶體管的區(qū)域。當(dāng)考慮這些時(shí)，其結(jié)果如圖31所示，應(yīng)以500μm間距形成約490μm×470μm的良好退火區(qū)域(即，近似單晶區(qū)域)900。若更容易理解地表述，就是在玻璃基板上形成以500μm的間距張貼490μm×470μm的近似單晶硅膜片的狀態(tài)。通過設(shè)計(jì)使在該近似單晶硅的膜片上布置晶體管，則可形成高性能的晶體管。另外，在此雖對一邊在同一方向進(jìn)行掃描一邊進(jìn)行退火的情況進(jìn)行了說明，但也可以設(shè)定為在往復(fù)掃描中在去和回的行程中在與掃描方向垂直的方向上使其錯(cuò)開500μm進(jìn)行照射。這種情況下，膜厚變薄的部分和形成突起的部分的排列方式隨列而改變，但因任何一種都以約10μm的寬度不適宜于形成晶體管，因而適于形成晶體管的近似單晶區(qū)域與圖31所示相同。與先前所示的實(shí)施例相比，近似單晶區(qū)域雖多少變窄，但生產(chǎn)率卻提高了約一倍。所形成的晶體管如圖35所示，假定是構(gòu)成在玻璃基板上形成的信號線用驅(qū)動(dòng)電路981的情況，在以500μm的間距形成的一個(gè)近似單晶區(qū)域982中形成6組用于驅(qū)動(dòng)象素的2個(gè)象素成分，即6個(gè)點(diǎn)成分的電路983。通常，在一個(gè)近似單晶區(qū)域中以等間距形成電路構(gòu)成電路組，這些電路組以近似單晶區(qū)域間的形成間距形成。即，在玻璃基板上用于驅(qū)動(dòng)各信號線的具有相同功能的電路不是等間隔地分布在1個(gè)面板內(nèi)，具有相同功能的多個(gè)電路組以相同間距布置而成。另外，在上述說明中按退火寬度、退火長度、間距對激光退火區(qū)域作了規(guī)定并予說明，但各個(gè)尺寸可換算成安裝在工作臺(tái)上的線性標(biāo)度產(chǎn)生的脈沖數(shù)。因此，激光的開通/斷開的定時(shí)，很明顯可通過在計(jì)數(shù)到與各個(gè)尺寸相當(dāng)?shù)拿}沖數(shù)的時(shí)刻使其動(dòng)作來實(shí)現(xiàn)，而在此省略詳細(xì)的說明。圖14是本發(fā)明的制造裝置，即激光退火裝置的另一實(shí)施例的說明圖，在本實(shí)施例中，該裝置由以下部件構(gòu)成裝置有可制作多個(gè)面板的大型玻璃基板501的工作臺(tái)502，具有激光照射光學(xué)系統(tǒng)的多個(gè)光學(xué)鏡筒503，用于對上述光學(xué)鏡筒的各個(gè)單獨(dú)進(jìn)行位置調(diào)整的調(diào)整臺(tái)504，用于支承上述調(diào)整臺(tái)的504的架臺(tái)505(圖中僅表示其一部分)，產(chǎn)生連續(xù)振蕩的激光振蕩器506，用于激發(fā)激光振蕩器506的激光二極管電源507，用于傳送激發(fā)光的光纖508，用于檢測工作臺(tái)位置的線性標(biāo)度509、510。圖15是圖14的光學(xué)系統(tǒng)的簡要結(jié)構(gòu)的說明圖。在圖14的光學(xué)鏡筒503內(nèi)部如圖15所示，裝有由快門511，光束擴(kuò)展器512，透射率可變?yōu)V光器513，EO調(diào)制器514，柱形透鏡515，矩形狹縫516、物鏡517、CCD攝像機(jī)518等構(gòu)成的激光照射光學(xué)系統(tǒng)。另外，在圖15中，雖然省略了觀察用照明裝置、參照光用光源裝置、觀察用監(jiān)視器、自動(dòng)對焦光學(xué)系統(tǒng)、圖象處理裝置、控制裝置等，但這些與圖1所示的結(jié)構(gòu)基本相同。另外，關(guān)于各部分的功能，也與圖1所示的激光退火裝置相同，在此不詳細(xì)論及。其不同之點(diǎn)在于多組(圖14中為6組)激光照射光學(xué)系統(tǒng)分別裝于獨(dú)立的光學(xué)鏡筒(圖中以503表示)中，并分別固定在XYZ三個(gè)方向可獨(dú)立移動(dòng)的調(diào)整臺(tái)(圖中以504表示)上，對各光學(xué)鏡筒(圖中以503表示)的位置可進(jìn)行調(diào)整使其能將激光照射到各面板的同一位置，也能同時(shí)對多個(gè)位置進(jìn)行激光退火。下面，說明利用上述的激光退火裝置的激光退火方法。作為基板501，如圖6所示，使用在玻璃基板1的主要面上通過絕緣薄膜形成非晶質(zhì)硅薄膜，再通過以激發(fā)物激光進(jìn)行全面掃描而將其轉(zhuǎn)化為微小晶粒的多晶硅膜的多晶硅薄膜基板501。此處，絕緣薄膜是指SiO2膜或SiN膜或它們的復(fù)合膜。在上述多晶硅薄膜基板上形成多個(gè)面板(圖14中在1個(gè)基板上為6個(gè)面板)。首先，將多晶硅薄膜基板501裝置在工作臺(tái)502上。在該多晶硅薄膜基板501上在要形成各面板(圖14中為6個(gè)面板)的區(qū)域的多個(gè)位置上形成定位標(biāo)記(未圖示)。這些定位標(biāo)記通常以光刻技術(shù)形成，但僅以該目的而實(shí)施光刻工序浪費(fèi)很大。因此，在檢測多晶硅薄膜基板501的角部進(jìn)行大致的定位后，通過以矩形狹縫516將用一個(gè)光學(xué)鏡筒503進(jìn)行激光退火所使用的激光成形為例如縱向和橫向具有一定長度的矩形，并通過進(jìn)行除去多晶硅薄膜的加工，依次在各面板的多個(gè)位置形成十字標(biāo)記，從而可將其做成定位標(biāo)記。或者，也可以利用噴墨裝置形成點(diǎn)狀的定位標(biāo)記。其次，以一個(gè)光學(xué)鏡筒(例如503)的CCD攝像機(jī)518對兩個(gè)位置的定位標(biāo)記依次攝像，檢測其重心位置，根據(jù)以定位標(biāo)記為基準(zhǔn)的設(shè)計(jì)上的坐標(biāo)，在XYZ3根軸線的方向上使工作臺(tái)502移動(dòng)，從而進(jìn)行多晶硅薄膜基板501的精確定位。另外，在定位標(biāo)記的檢測中雖使用用于實(shí)施退火的光學(xué)鏡筒的CCD攝像機(jī)，但也可以另外設(shè)置定位用光學(xué)系統(tǒng)。這時(shí)，既可以用1個(gè)光學(xué)系統(tǒng)依次檢測多個(gè)定位標(biāo)記，也可以用多個(gè)光學(xué)系統(tǒng)同時(shí)檢測多個(gè)定位標(biāo)記。多晶硅薄膜基板501的定位結(jié)束后，按照設(shè)計(jì)上的坐標(biāo)，使工作臺(tái)502移動(dòng)，從而使各面板的定位標(biāo)記中的1個(gè)納入各光學(xué)鏡筒的視野內(nèi)，用各光學(xué)系統(tǒng)的CCD攝像機(jī)518對定位標(biāo)記進(jìn)行攝像，通過各光學(xué)鏡筒的調(diào)整臺(tái)504進(jìn)行調(diào)整，使其重心與視野中心一致。這樣，各光學(xué)鏡筒的位置就得到調(diào)整，使其照射到形成于多晶硅薄膜基板501上的面板的同一位置。其后，按照如上所述的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)，僅對形成各面板的驅(qū)動(dòng)電路形成區(qū)域的激活層(活性區(qū)域)的部分照射激光，進(jìn)行退火。這時(shí)，對設(shè)置在工作臺(tái)502上的線性標(biāo)度509或510產(chǎn)生的脈沖信號進(jìn)行計(jì)數(shù)，假如達(dá)到激光被照射的位置，由EO調(diào)制器514使激光成為開通狀態(tài)，用柱形透鏡聚光成線狀，用矩形狹縫516切去不需要的部分，再由物鏡517進(jìn)行聚光照射。根據(jù)需要，用透射率可變的濾光器513調(diào)整激光能量。進(jìn)而，對由線性標(biāo)度509或510發(fā)出的信號進(jìn)行計(jì)數(shù)，當(dāng)工作臺(tái)移動(dòng)通過應(yīng)退火的區(qū)域時(shí)，利用EO調(diào)制器514通過將激光變?yōu)閿嚅_狀態(tài)，則可僅對必須退火的區(qū)域正確地照射激光。另外，關(guān)于激光照射的定時(shí)，如圖17和圖13的說明。激光照射的區(qū)域是構(gòu)成用于驅(qū)動(dòng)如各象素的驅(qū)動(dòng)電路的薄膜晶體管的激活層部分，驅(qū)動(dòng)工作臺(tái)502一邊對多晶硅薄膜基板501進(jìn)行掃描一邊僅對必須退火的部分依次進(jìn)行照射。這時(shí)，各光學(xué)鏡筒利用自動(dòng)對焦機(jī)構(gòu)(未圖示)，分別獨(dú)立地在Z方向?qū)ρb置各光學(xué)鏡筒的調(diào)整用臺(tái)504進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，從而控制所有的物鏡使其與基板501的表面具有一定的位置關(guān)系。在一張玻璃基板上排列多塊小型面板時(shí)，對幾個(gè)面板進(jìn)行退火，通過僅移動(dòng)面板排列的間距部分后，再次進(jìn)行退火并重復(fù)這一順序即可進(jìn)行全部面板的退火。另外，激光18照射時(shí)的多晶硅薄膜的晶粒的變化已如前述，在激光18掃描的方向上晶粒成長，通過在形成晶體管時(shí)使電流流動(dòng)的方向與晶粒的成長方向一致，即可得到實(shí)質(zhì)上與單晶相同的特性。下面，說明本發(fā)明的另一實(shí)施例。在到此為止所述的實(shí)施例中說明的都僅對應(yīng)予激光退火的區(qū)域進(jìn)行照射的例子。即，從工作臺(tái)2(502)開始移動(dòng)到到達(dá)照射區(qū)域，激光18完全處于斷開狀態(tài)，在到達(dá)照射區(qū)域的時(shí)刻開始以一定的輸出功率進(jìn)行照射，在通過照射區(qū)域的時(shí)刻，又使激光處于斷開狀態(tài)，通過這樣重復(fù)對多個(gè)照射區(qū)域進(jìn)行退火。當(dāng)用這種方法照射激光時(shí)，會(huì)產(chǎn)生如下現(xiàn)象。圖20是表示實(shí)施本實(shí)施例的激光退火方法的薄膜晶體管基板的斷面形狀的斷面圖。如圖20所示，在玻璃基板701上使絕緣膜702介于其間形成的多晶硅膜703在照射開始的位置、在開始照射連續(xù)振蕩的激光的瞬間熔融，熔融硅由于表面張力的作用而在激光掃描方向擴(kuò)展。因此，在激光通過之后冷卻、凝固時(shí)，與激光照射前比較產(chǎn)生膜厚度變薄的部分705。與該膜厚變薄部分連接的區(qū)域雖是原來的膜厚部分704，但在激光照射結(jié)束的位置，當(dāng)使連續(xù)振蕩的激光變?yōu)閿嚅_狀態(tài)時(shí)，由于表面張力作用而擴(kuò)展過來的熔融硅由于原狀冷卻、凝固而產(chǎn)生隆起部分706。這樣，由于激光的照射開始部分和照射結(jié)束部分的硅膜厚度與其它部分不同，由于在該部分形成的晶體管的特性與其它部分比較產(chǎn)生變化，因而在該部分不能布置晶體管。因此，必須考慮使膜厚變薄的部分705和隆起部分706不能與構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路的薄膜晶體管的激活層相重疊。再有，在照射結(jié)束部分的隆起部分706比較大時(shí)，我們知道會(huì)存在如下問題，即在為僅殘留薄膜晶體管激活層的蝕刻工序中，產(chǎn)生不能完全除去的蝕刻殘留物，在最壞的情況下產(chǎn)生在該殘留物上通過的電極或布線的斷線，或者即使不斷線其可靠性也降低。因此，采用如下的激光照射方法。圖19是表示本發(fā)明的另一實(shí)施例的工作臺(tái)位置和激光輸出的關(guān)系的說明圖。變更圖1所示的EO調(diào)制器10的設(shè)定，在如圖19(a)所示的不進(jìn)行退火的區(qū)域以低輸出功率進(jìn)行照射，而在應(yīng)進(jìn)行退火的區(qū)域以適宜于退火的輸出功率進(jìn)行照射。如前所述，在退火時(shí)適宜的功率密度為100×103瓦/cm2-500×10W3/cm2，而在不進(jìn)行退火的區(qū)域以該功率密度值的1/3以下進(jìn)行照射。圖21是表示實(shí)施圖19(a)的方法的薄膜晶體管基板的斷面形狀的斷面圖。如圖21所示，在玻璃基板701上使絕緣膜702介于其間形成的帶狀多晶硅膜703中在以低輸出功率進(jìn)行照射的部分中，由于未被退火不會(huì)產(chǎn)生對基板的破壞，可以減小照射開始部分的膜厚變薄部分705’和照射結(jié)束部分的隆起部分706’，以適宜于退火的輸出功率照射的部分在激光掃描方向上晶粒成長，可以得到所要求的帶狀多晶硅膜的質(zhì)量。另外，如圖19(b)或圖19(c)所示，從到達(dá)進(jìn)行退火區(qū)域的一定時(shí)間或一定距離之前使激光輸出功率連續(xù)地增加并在到達(dá)應(yīng)退火的區(qū)域的時(shí)刻達(dá)到進(jìn)行退火的輸出功率，而在從通過應(yīng)退火區(qū)域的時(shí)刻起使激光輸出功率連續(xù)地減小并在一定時(shí)間或一定距離后使激光成為進(jìn)行退火的輸出功率的1/3以下的狀態(tài)或者使激光斷開的狀態(tài)。因此，可將照射開始部分和照射結(jié)束部分中急劇的溫度上升加以緩解，從而可使照射開始部分的膜厚變薄以及照射結(jié)束部分的隆起得以緩解，而在以適宜于退火的輸出功率照射的部分在以激光掃描的方向上晶粒成長，可以得到所要求的質(zhì)量的硅膜。圖24是說明構(gòu)成本發(fā)明的顯示裝置的一個(gè)例子的液晶顯示裝置的液晶顯示板的結(jié)構(gòu)例子的主要部分的斷面圖。液晶顯示板是在第一基板SUB1和第二基板SUB2貼合的間隙中夾持著液晶層LC構(gòu)成。第一基板SUB1相當(dāng)于前述各實(shí)施例中說明的有源、矩陣基板(薄膜晶體管基板)。該第一基板SUB1是玻璃基板，是在其一個(gè)主要面即內(nèi)表面上形成有柵電極GT、由帶狀多晶硅膜構(gòu)成的激活層(半導(dǎo)體膜)PSI、源電極SD1、和漏電極DS2，與源電極SD1連接的象素電極PX。另外，參考標(biāo)號GI、PASD(1層或多層)為絕緣膜，ORI1為定向膜、POL1為偏振光板。在第一基板SUB1的周邊形成有在上述圖6或圖16中說明的驅(qū)動(dòng)電路部。另一方面，第二基板SUB2也由玻璃基板構(gòu)成，在其一個(gè)主要面(內(nèi)表面)上形成有由黑基體BM劃分的彩色濾光器CF，外涂層OC，共用電極(對置電極)ITO及定向膜ORI2。另外，參考標(biāo)號POL2是偏振光板。而且，在圖象電極PX和共用電極ITO之間形成與基板面垂直方向的電場并控制構(gòu)成液晶層的液晶組合物的分子定向的方向，從而通過控制入射到第一基板SUB1的光從第二基板SUB2出射或遮擋而顯示圖象。圖25是說明構(gòu)成作為本發(fā)明的顯示裝置的一個(gè)例子的顯示裝置的液晶顯示板另一結(jié)構(gòu)例子的主要部分的斷面圖。液晶顯示板是在第一基板SUB1和第二基板SUB2的貼合間隙中夾持著液晶層LC構(gòu)成。第一基板SUB1相當(dāng)于在前述各實(shí)施例中說明的有源、矩陣基板(薄膜晶體管基板)，該第一基板SUB1是玻璃基板，在其一個(gè)主要面即內(nèi)表面上形成有柵電極GT、由帶狀多晶硅膜構(gòu)成的激活層(半導(dǎo)體膜)PSI、源電極SD1和漏電極DS2，與源電極SD1連接的圖象電極PX在圖象區(qū)域形成梳齒狀。在該梳齒狀的圖象電極PX之間排列著對置電極CT。另外，參考標(biāo)號GI、PAS(1層或多層)為絕緣層、ORI1表示定向膜、POL1是偏振光板。在第一基板SUB1的周邊上形成有在上述圖6或圖18中說明的驅(qū)動(dòng)電路部分。另一方面，第二基板SUB2也由玻璃基板構(gòu)成，在其一個(gè)主要面(內(nèi)表面)上形成有由黑基體BM劃分的彩色濾光器CF、外涂層OC、及定向膜ORI2。另外，參考標(biāo)號POL2是偏振光板。而且，在象素電極PX與對置電極CT之間形成有與基板面平行方向的電場，從而控制構(gòu)成液晶層LC的液晶組合物的分子定向的方向，通過控制入射到第一基板SUB1的光從第二基板的出射或遮擋以顯示圖象。圖26是說明使用圖2或圖25中說明的液晶顯示板的液晶顯示裝置的簡要結(jié)構(gòu)的斷面圖。該液晶顯示裝置(液晶顯示模塊)在液晶板PNL的背面設(shè)置背景光并使由擴(kuò)散板和棱鏡板疊層構(gòu)成的光學(xué)補(bǔ)償板類OPS升于其間，由上殼即屏蔽光SHD和下殼即模制殼做成一體。也有將下殼做成金屬殼的。在構(gòu)成液晶板PNL的第一基板SUB1的周邊上形成有上述的驅(qū)動(dòng)電路部DR。圖26所示的背景光是所謂側(cè)光型，它由在使用丙烯酸板作為導(dǎo)光板GLB的側(cè)邊配置的光源(在此為冷陰極熒光燈CFL)，反射板RFS，燈反射板LFS等構(gòu)成。但是，除這種形式以外，已知的還有所謂直下型背景光或前光型等，直下型背景光在液晶顯示板的背面正下方配置多個(gè)光源，而前光型是將光源設(shè)置在液晶顯示板的表面(觀察面)一側(cè)的近旁。圖27是說明構(gòu)成本發(fā)明的顯示裝置的另一例子的有機(jī)場致發(fā)光元件顯示裝置的顯示板的結(jié)構(gòu)例子的重要部分的斷面圖。該有機(jī)場致發(fā)光元件顯示裝置(稱為有機(jī)EL)雖由第一基板SUB1和第二基板SUB2構(gòu)成，第二基板SUB2是保護(hù)第一基板SUB1具有的下述功能不受環(huán)境影響的密封盒，不限于玻璃板，也有時(shí)用金屬板制成。第一基板SUB1相當(dāng)于上述各實(shí)施例中說明的有源、矩陣基板(薄膜晶體管基板)。該第一基板SUB1是玻璃基板，在其一個(gè)主要面即內(nèi)表面上具有用上述制造方法改質(zhì)的帶狀多晶硅膜做成的薄膜晶體管。有機(jī)EL面板的圖象電路的各個(gè)至少具有開關(guān)用薄膜晶體管和驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管，圖示的薄膜晶體管相當(dāng)于驅(qū)動(dòng)用晶體管，開關(guān)用的薄膜晶體管省略了其圖示。薄膜晶體管由帶狀多晶硅膜PSI、柵電極GT、源電極SD構(gòu)成。而且，具有與源電極SD連接的陽極AD、發(fā)光層OLE、陰極CD。另外，參考標(biāo)號IS(IS1、IS2、IS3)、PSV、IL表示絕緣層。另外，也有在第二基板SUB2的內(nèi)表面上設(shè)置吸濕劑的情況。再有，陽極AD和陰極CD也不必限于圖示的配置，也可以做成更換其極性的結(jié)構(gòu)。在該種結(jié)構(gòu)中，電流由驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管選擇在陽極AD和陰極CD之間流動(dòng)，使插在陽極AD和陰極CD之間的發(fā)光層OLE發(fā)光。該發(fā)光層OLE發(fā)出的光L從第一基板SUB1一側(cè)出射。另外，也有通過將陽極AD作為反射金屬，將陰將CD作為透明電極使發(fā)出的光從第二基板SUB2一側(cè)出射的形式。這時(shí)，第二基板SUB2(密封盒)做成玻璃板等的透明板。該有機(jī)EL面板被裝在適當(dāng)?shù)暮谢蚩蛑?，做成有機(jī)EL顯示裝置(模塊)。另外，本發(fā)明不限定于上述結(jié)構(gòu)，只要在不超出本發(fā)明的技術(shù)思想的范圍內(nèi)可以有種種變更，不用說本發(fā)明對于在絕緣基板上制作薄膜晶體管等有源元件的各種電子設(shè)備用基板都能同樣地適用。如以上說明，使用本發(fā)明的制造方法和制造裝置(激光退火方法和激光退火裝置)，可防止對玻璃等絕緣基板的熱影響，而且不受工作臺(tái)速度變動(dòng)的影響可將激光正確地照射到應(yīng)照射(應(yīng)退火)的位置。而且，由于工作臺(tái)以一定速度移動(dòng)，可以不受基板內(nèi)位置的影響以恒定條件進(jìn)行退火。因此，可使非晶質(zhì)或多晶硅薄膜的晶粒在所要求的方向上成長，可對由超過10μm大小的晶粒構(gòu)成的帶狀多晶硅膜進(jìn)行改質(zhì)，從而大幅度地改善由這種帶狀多晶硅膜制作的薄膜晶體管等有源元件的移動(dòng)度。而且，用本發(fā)明的改質(zhì)的硅膜形成的薄膜晶體管等有源元件具有為構(gòu)成液晶顯示裝置及有機(jī)EL等顯示裝置的驅(qū)動(dòng)電路足夠的性能，可以實(shí)現(xiàn)所謂面板系統(tǒng)，并可提供一種實(shí)現(xiàn)了小型化、低成本的液晶顯示裝置的各種顯示裝置。權(quán)利要求1.一種顯示裝置，具有在一個(gè)主要面上形成半導(dǎo)體膜的第一基板、以一定的間隙疊合在上述第一基板的上述一個(gè)主要面上的第二基板，在上述第一基板的上述一個(gè)主要面上的一個(gè)方向上延續(xù)并列設(shè)置的多條數(shù)據(jù)線和在與上述那個(gè)方向交叉的另一方向上延續(xù)并列設(shè)置的多條掃描線，用上述半導(dǎo)體膜制作的、配置在上述數(shù)據(jù)線和上述掃描線的交叉部分的附近的、由具有象素部有源元件的象素電路構(gòu)成的多個(gè)象素排列成矩陣狀的顯示區(qū)域；其特征在于在上述第一基板上的上述顯示區(qū)域的外側(cè)的至少一邊上具有包含通過上述數(shù)據(jù)線和上述掃描線驅(qū)動(dòng)上述象素電路的驅(qū)動(dòng)部有源元件的驅(qū)動(dòng)電路，制作上述驅(qū)動(dòng)部有源元件的上述半導(dǎo)體膜由包含不具有橫穿電流流動(dòng)方向的晶粒邊界的帶狀晶粒的多晶體半導(dǎo)體膜構(gòu)成。2.據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于上述驅(qū)動(dòng)電路分割形成于上述第一基板的至少一邊的多個(gè)位置。3.據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于上述第一基板和上述第二基板是玻璃基板，上述象素部有源元件和上述驅(qū)動(dòng)部有源元件是薄膜晶體管，上述象素具有被構(gòu)成該象素的象素電路的上述象素部薄膜晶體管的輸出驅(qū)動(dòng)的象素電極，在上述第一基板和上述第二基板之間夾持有液晶層。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其特征在于在上述第二基板上具有用于在與上述象素電極之間形成電場的共用電極。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其特征在于在上述第一基板上具有用于在與上述象素電極之間形成電場的對置電極。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于上述第一基板至少是玻璃基板，上述象素部有源元件和上述驅(qū)動(dòng)部有源元件是薄膜晶體管，上述象素具有被構(gòu)成該象素的象素電路的上述象素部薄膜晶體管的輸出驅(qū)動(dòng)的正極或負(fù)極的電極，在與上述一方的電極之間具有與該一方電極成正負(fù)對的負(fù)極或正極的電極，其中間有有機(jī)發(fā)光層。7.一種顯示裝置的制造方法，該方法是將在一個(gè)主要面上形成有非晶質(zhì)半導(dǎo)體膜或粒狀多晶半導(dǎo)體膜的絕緣基板裝置在工作臺(tái)上，通過對上述絕緣基板上的上述非晶質(zhì)半導(dǎo)體膜或粒狀多晶半導(dǎo)體膜的多個(gè)區(qū)域用激光照射進(jìn)行退火，從而將上述非晶質(zhì)半導(dǎo)體膜或粒狀多晶半導(dǎo)體膜改質(zhì)成包含帶狀結(jié)晶的多晶體半導(dǎo)體膜以獲得顯示裝置用的有源、矩陣基板，其特征在于作為上述激光，使用聚光成線狀或矩形狹縫的連續(xù)振蕩的激光，使上述絕緣基板在與上述激光的上述線狀或矩形狹縫的長度方向交叉的方向上連續(xù)地移動(dòng)，在到達(dá)應(yīng)照射上述激光的各個(gè)區(qū)域的時(shí)刻開始照射上述連續(xù)振蕩的激光，在通過應(yīng)照射上述激光的區(qū)域的時(shí)刻停止照射上述連續(xù)振蕩的激光，通過重復(fù)上述動(dòng)作，可對上述絕緣基板在移動(dòng)方向上不連續(xù)地形成上述被改質(zhì)的上述帶狀多晶半導(dǎo)體膜。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于與上述絕緣基板的移動(dòng)開始一起開始以適合于對上述非晶質(zhì)半導(dǎo)體膜或粒狀多晶半導(dǎo)體膜進(jìn)行上述改質(zhì)的上述連續(xù)振蕩的激光的照射能量密度值的1/3以下進(jìn)行照射，在使上述絕緣基板連續(xù)移動(dòng)的狀態(tài)下，在到達(dá)應(yīng)實(shí)施上述改質(zhì)的區(qū)域的時(shí)刻設(shè)定為適合于上述改質(zhì)的上述連續(xù)振蕩的激光的照射能量密度的值，在通過應(yīng)實(shí)施上述改質(zhì)的區(qū)域的時(shí)刻降低到適合于上述改質(zhì)的上述連續(xù)振蕩的激光的照射能量密度值的1/3以下并重復(fù)上述動(dòng)作。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于應(yīng)實(shí)施上述改質(zhì)的區(qū)域是薄膜晶體管的激活區(qū)域及其周圍部分。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于上述絕緣基板是玻璃基板，上述應(yīng)實(shí)施改質(zhì)的區(qū)域是形成驅(qū)動(dòng)上述象素的驅(qū)動(dòng)部薄膜晶體管的激活區(qū)域的區(qū)域。11.權(quán)利要求7所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于上述連續(xù)振蕩的激光是YVO4激光的二次諧波。12.顯示裝置的制造裝置，具有可裝載構(gòu)成顯示裝置的絕緣基板并可移動(dòng)的工作臺(tái)裝置，檢測上述工作臺(tái)裝置的位置或移動(dòng)距離的位置檢測裝置，產(chǎn)生連續(xù)振蕩的激光的激光光源裝置，對由上述激光光源裝置產(chǎn)生的連續(xù)振蕩的激光進(jìn)行開通或斷開的調(diào)制裝置，使通過上述調(diào)制裝置的連續(xù)振蕩的激光經(jīng)線狀或矩形狹縫狀成形的成形光學(xué)裝置，將成形為線狀或矩形狹縫狀的激光投影、照射到上述絕緣基板上的聚光光學(xué)裝置，其特征在于具有控制狀態(tài)的控制裝置，即上述位置檢測裝置對上述工作臺(tái)裝置每移動(dòng)一定距離產(chǎn)生的信號進(jìn)行計(jì)數(shù)，在到達(dá)應(yīng)開始激光照射的位置的時(shí)刻由上述調(diào)制裝置控制上述連續(xù)振蕩的激光成為開通的狀態(tài)，對由上述位置檢測裝置產(chǎn)生的信號進(jìn)行計(jì)數(shù)，在到達(dá)應(yīng)停止激光照射的位置的時(shí)刻由上述調(diào)制裝置控制上述連續(xù)振蕩的激光成為斷開狀態(tài)，在使上述工作臺(tái)裝置連續(xù)移動(dòng)的狀態(tài)下，對上述絕緣基板的多個(gè)區(qū)域照射上述連續(xù)振蕩的激光。13.一種顯示裝置的制造裝置，具有可裝載構(gòu)成顯示裝置的絕緣基板并可移動(dòng)的工作臺(tái)裝置，檢測上述工作臺(tái)裝置的位置或移動(dòng)距離的位置檢測裝置，產(chǎn)生連續(xù)振蕩的激光的激光光源裝置，對由上述激光光源裝置產(chǎn)生的連續(xù)振蕩的激光進(jìn)行開通或斷開的調(diào)制裝置，使通過上述調(diào)制裝置的連續(xù)振蕩的激光經(jīng)線狀或矩形狹縫狀成形的成形光學(xué)裝置，將成形為線狀或矩形狹縫狀的激光投影、照射到上述絕緣基板上的聚光光學(xué)裝置，其特征在于具有控制狀態(tài)的控制裝置，即上述位置檢測裝置對上述工作臺(tái)裝置每移動(dòng)一定距離產(chǎn)生的信號進(jìn)行計(jì)數(shù)，在到達(dá)應(yīng)開始激光照射的位置的時(shí)刻由上述調(diào)制裝置控制上述連續(xù)振蕩的激光成為開通的狀態(tài)，從開始上述激光照射起在經(jīng)過預(yù)先設(shè)定的時(shí)間后的時(shí)刻由上述調(diào)制裝置控制上述連續(xù)振蕩的激光成為斷開的狀態(tài)，在使上述工作臺(tái)裝置連續(xù)移動(dòng)的狀態(tài)下，對上述絕緣基板的多個(gè)區(qū)域照射上述連續(xù)振蕩的激光。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于上述調(diào)制裝置是電氣--光學(xué)調(diào)制器。15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置的制造裝置，其特征在于上述絕緣基板是形成有非晶質(zhì)半導(dǎo)體膜或粒狀多晶半導(dǎo)體膜的絕緣基板。16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置的制造裝置，其特征在于上述激光光源裝置是YVO4激光的二次諧波。17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置的制造裝置，其特征在于其構(gòu)成如下具有多組上述激光光源裝置，上述調(diào)制裝置，上述成形光學(xué)裝置，和上述聚光光學(xué)裝置，同時(shí)對裝載在上述工作臺(tái)裝置上的上述絕緣基板的多個(gè)位置照射激光。18.一種顯示裝置，具有在一個(gè)主要面上形成半導(dǎo)體膜的第一基板，以一定的間隙疊合在上述第一基板的上述一個(gè)主要面上的第二基板，在上述第一基板的上述一個(gè)主要面上的一個(gè)方向上并排設(shè)置的多條數(shù)據(jù)線和與上述一個(gè)方向交叉的另一方向上并排設(shè)置的多條掃描線，用上述半導(dǎo)體膜制作的、由具有配置在上述數(shù)據(jù)線和上述掃描線的交叉部分的近旁的象素部有源元件的象素電路組成的許多象素排列成矩陣狀的顯示區(qū)域，其特征在于在上述第一基板上的上述顯示區(qū)域的外側(cè)的至少一邊上具有包含通過上述數(shù)據(jù)線和上述掃描線驅(qū)動(dòng)上述象素電路的驅(qū)動(dòng)部有源元件的驅(qū)動(dòng)電路，上述驅(qū)動(dòng)電路分割成等間隔配置的多個(gè)區(qū)段，其結(jié)構(gòu)是將通過數(shù)據(jù)線或掃描線驅(qū)動(dòng)上述象素電路的多個(gè)上述驅(qū)動(dòng)部有源元件等間隔地排列在上述區(qū)段內(nèi)。19.一種顯示裝置的制造方法，該方法是將在一個(gè)主要面上形成有非晶質(zhì)半導(dǎo)體膜或粒狀多晶半導(dǎo)體膜的絕緣基板裝載在工作臺(tái)上，通過對上述絕緣基板上的上述非晶質(zhì)半導(dǎo)體膜或粒狀多晶半導(dǎo)體膜的多個(gè)區(qū)域照射激光進(jìn)行退火，從而可將上述非晶質(zhì)半導(dǎo)體膜或粒狀多晶半導(dǎo)體膜改質(zhì)為含有帶狀結(jié)晶的多晶半導(dǎo)體膜而獲得顯示裝置用的有源、矩陣基板，其特征在于作為上述激光，使用聚光成線狀或矩形狹縫狀的連續(xù)振蕩的激光，通過使上述絕緣基板在與上述激光的上述線狀或矩形狹縫狀的長度方向交叉的方向上連續(xù)地移動(dòng)，在到達(dá)應(yīng)照射上述激光的各個(gè)區(qū)域的時(shí)刻開始照射上述連續(xù)振蕩的激光，在通過應(yīng)照射上述激光的區(qū)域的時(shí)刻停止照射上述連續(xù)振蕩的激光，通過重復(fù)上述動(dòng)作，相對于上述絕緣基板的移動(dòng)方向以一定的間距等尺寸地形成上述被改質(zhì)的上述帶狀多晶半導(dǎo)體膜。全文摘要本發(fā)明涉及面板型的顯示裝置。本發(fā)明可提供在顯示區(qū)域外的絕緣基板上具有穩(wěn)定而且高品質(zhì)的有源元件的顯示裝置。它是在絕緣基板上形成的顯示區(qū)域的外側(cè)、用于驅(qū)動(dòng)顯示區(qū)域所形成的驅(qū)動(dòng)電路的區(qū)域的非晶質(zhì)半導(dǎo)體膜(非晶硅膜)上一邊進(jìn)行掃描、一邊使聚光成線狀或矩形狀(帶狀)的連續(xù)振蕩的激光開通或斷開。借此，利用聚集的連續(xù)振蕩的激光對做成驅(qū)動(dòng)電路的區(qū)域的非晶質(zhì)半導(dǎo)體膜進(jìn)行退火，從而可將在該區(qū)域形成有源元件時(shí)的有源元件激活層改質(zhì)為包含不具有橫穿電流流動(dòng)方向的晶粒邊界的晶粒的帶狀多晶硅膜。文檔編號H01L21/84GK1480780SQ03150070公開日2004年3月10日申請日期2003年7月31日優(yōu)先權(quán)日2002年9月2日發(fā)明者本鄉(xiāng)干雄,宇都幸雄,野本峰生,中田俊彥,波多野睦子,山口伸也,大倉理,也,彥,生,睦子,雄申請人:株式會(huì)社日立顯示器