專利名稱:一種電熔絲測試結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種電熔絲測試結(jié)構(gòu)，所述電熔絲測試結(jié)構(gòu)至少包括：若干電熔絲單元；所述每個(gè)電熔絲單元至少包括：第一端子以及一端分別電連接于所述第一端子上、下、左、右四個(gè)部位的電熔絲；與所述每個(gè)電熔絲的另一端分別電連接的第二端子；所述若干電熔絲單元呈矩陣分布且其中每個(gè)電熔絲與其距離最近的所述電熔絲通過共用所述第二端子相互電連接。所述呈矩陣分布的若干電熔絲的熔斷尺寸按該矩陣的行或列呈不同。本實(shí)用新型使得將熔斷尺寸在基準(zhǔn)尺寸周圍變化的不同熔斷尺寸的電熔絲電連接成矩陣分布的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，來對電熔絲的熔斷尺寸的窗口進(jìn)行測試，可以有效定義電熔絲熔斷尺寸的窗口并提高線上產(chǎn)品的生產(chǎn)良率。
【專利說明】一種電熔絲測試結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種電熔絲測試結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002]常規(guī)的集成電路(IC)可以包括至少一個(gè)可編程的電路元件，諸如片上電熔絲(electrical fuse, eFuse)，其用來定制所述1C，例如根據(jù)eFuse的編程狀態(tài)，可以依照客戶的合同或授權(quán)需求來啟用或禁止IC的特征。
[0003]eFuse的誕生源于幾年前IBM工程師的一個(gè)發(fā)現(xiàn):與更舊的激光熔斷技術(shù)相比，電子迀移(EM)特性可以用來生成小得多的熔絲結(jié)構(gòu)。電熔絲可以在芯片上編程，不論是在晶圓探測階段還是在封裝過程中。采用I/O電路的片上電壓(通常為2.5V)，一個(gè)持續(xù)200微秒的10毫安直流脈沖就足以編程單根熔絲。
[0004]不同于大多數(shù)FPGA使用的SRAM陣列，電熔絲一次只有一根熔絲能夠被編程，這是該方法的配置能力存在限制范圍的原因。但當(dāng)與日益成熟的內(nèi)置自測試(BIST)引擎組合使用時(shí)，這些熔絲就變成了強(qiáng)大的工具，能減少測試和自修復(fù)的成本，而這正是復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)所面臨的重大挑戰(zhàn)。
[0005]在半導(dǎo)體的制程中，電熔絲的制作需要進(jìn)行預(yù)檢測(Pre-check)以及預(yù)檢測之后的寫入(program)過程，而電熔絲一般是由多晶硅和沉積在多晶硅之上的金屬硅化物制作而成的結(jié)構(gòu)；金屬硅化物有助于降低器件的接觸電阻；而在eFuse的制程中，往往由于工藝過程中的一些影響因素而導(dǎo)致電熔絲熔斷寬度不在所定義的窗口中。
[0006]線上的大量產(chǎn)品，有時(shí)由于過刻蝕導(dǎo)致的電熔絲測試結(jié)構(gòu)中金屬硅化物變薄，寬度變窄，在預(yù)檢測的過程中會出現(xiàn)沒來得及測試電熔絲的電阻而電熔絲熔斷的現(xiàn)象；同樣，在進(jìn)行寫入的時(shí)候，由于多晶硅或金屬硅化物的熔斷寬度太大而導(dǎo)致在通大電流的情況下，電熔絲不能被熔斷的現(xiàn)象。因此，以上兩種情況使得電熔絲不能正常發(fā)揮編程的作用。
[0007]而現(xiàn)有技術(shù)中，在生產(chǎn)線上還沒有任何信息或數(shù)據(jù)能夠及時(shí)預(yù)測上述情況的發(fā)生，同時(shí)也沒有其他測試結(jié)構(gòu)能夠提供有效的測試手段來對eFuse的熔斷寬度定義合適的窗P。
[0008]因此，有必要提出一種新的電熔絲測試結(jié)構(gòu)來解決上述問題。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0009]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型的目的在于提供一種電熔絲測試結(jié)構(gòu)，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中由于過刻蝕導(dǎo)致的電熔絲測試結(jié)構(gòu)中金屬硅化物變薄，寬度變窄，在預(yù)檢測的過程中會出現(xiàn)沒來得及測試電熔絲的電阻而電熔絲熔斷的現(xiàn)象，以及在進(jìn)行寫入過程中，由于多晶硅或金屬硅化物的熔斷寬度太大而導(dǎo)致在通大電流的情況下，電熔絲不能被熔斷的問題。
[0010]為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實(shí)用新型提供一種電熔絲測試結(jié)構(gòu)，所述電熔絲測試結(jié)構(gòu)至少包括:若干電熔絲單元；所述每個(gè)電熔絲單元至少包括:第一端子以及一端分別電連接于所述第一端子上、下、左、右四個(gè)部位的電熔絲；與所述每個(gè)電熔絲的另一端分別電連接的第二端子；所述若干電熔絲單元呈矩陣分布且其中每個(gè)電熔絲與其距離最近的所述電熔絲通過共用所述第二端子相互電連接；所述呈矩陣分布的若干電熔絲的熔斷尺寸按該矩陣的行或列呈不同。
[0011]作為本實(shí)用新型的電熔絲測試結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述每個(gè)電熔絲單元中的第一端子電連接有第一焊墊；所述每個(gè)電熔絲單元中的第二端子都電連接有第二焊墊；所述每個(gè)第一焊墊都電連接至第一公共焊墊；所述每個(gè)第二焊墊都電連接至第二公共焊墊。
[0012]作為本實(shí)用新型的電熔絲測試結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述電熔絲為由多晶硅以及沉積在多晶硅之上的金屬硅化物構(gòu)成的條狀結(jié)構(gòu)；所述每個(gè)電熔絲的長度彼此相等；所述電熔絲的熔斷尺寸為所述條狀結(jié)構(gòu)的寬度。
[0013]作為本實(shí)用新型的電熔絲測試結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述第一、第二端子由多晶硅以及沉積在多晶硅之上的金屬硅化物構(gòu)成；并且所述第一、第二端子以及與該第一、第二端子連接的電熔絲一體成型。
[0014]作為本實(shí)用新型的電熔絲測試結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述第一端子的橫截面形狀為正方形；所述每個(gè)第一端子的面積彼此相等；所述每個(gè)第二端子的形狀以及面積大小彼此相同。
[0015]作為本實(shí)用新型的電熔絲測試結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述電熔絲電連接于所述橫截面為正方形的所述第一端子的四個(gè)角；并且所述電熔絲以及與該電熔絲電連接的所述第二端子沿所述正方形的對角線分布。
[0016]作為本實(shí)用新型的電熔絲測試結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述每個(gè)電熔絲單元中的電熔絲的熔斷尺寸彼此相同，并且按矩陣分布的所述若干電熔絲單元中的電熔絲的熔斷尺寸按該矩陣的行或列呈遞增或遞減變化。
[0017]作為本實(shí)用新型的電熔絲測試結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述呈矩陣分布的電熔絲單元中，每行的電熔絲單元數(shù)目等于每列的電熔絲單元數(shù)目。
[0018]作為本實(shí)用新型的電熔絲測試結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，由所述若干電熔絲單元分布構(gòu)成的矩陣為7*7矩陣；其中位于該矩陣第四列的電熔絲單元中電熔絲的熔斷尺寸為基準(zhǔn)尺寸；第三列至第一列的電熔絲單元中的電熔絲的熔斷尺寸在所述基準(zhǔn)尺寸的基礎(chǔ)上依次遞減I納米；第五列至第七列的電熔絲單元中的電熔絲的熔斷尺寸在所述基準(zhǔn)尺寸的基礎(chǔ)上依次遞增I納米。
[0019]作為本實(shí)用新型的電熔絲測試結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述電熔絲測試結(jié)構(gòu)中制程工藝的特征尺寸包括65nm、55nm或32nm。
[0020]如上所述，本實(shí)用新型的電熔絲測試結(jié)構(gòu)，具有以下有益效果:本實(shí)用新型使得將熔斷尺寸在基準(zhǔn)尺寸周圍變化的不同熔斷尺寸的電熔絲電連接成矩陣分布的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，并對電熔絲的熔斷尺寸的窗口進(jìn)行測試，可以有效定義電熔絲熔斷尺寸的窗口并提高線上產(chǎn)品的生廣良率。

【附圖說明】

[0021]圖1為本實(shí)用新型的電熔絲單元版圖示意圖。
[0022]圖2為本實(shí)用新型的電熔絲測試結(jié)構(gòu)版圖示意圖。
[0023]元件標(biāo)號說明
[0024]10電熔絲單元
[0025]101第一端子
[0026]102第二端子
[0027]103電恪絲
[0028]104第一焊墊
[0029]105第二焊墊
[0030]106第二公共焊墊

【具體實(shí)施方式】
[0031]以下通過特定的具體實(shí)例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的【具體實(shí)施方式】加以實(shí)施或應(yīng)用，本說明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。
[0032]請參閱圖1至圖2。需要說明的是，本實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發(fā)明的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。
[0033]如圖1和圖2所示，本實(shí)用新型提供一種電熔絲測試結(jié)構(gòu)，本實(shí)施例中，所述測試結(jié)構(gòu)包括如圖2所示的若干電熔絲單元10 ;圖1表示的是所述電熔絲單元的版圖示意圖，如圖1所示，所述每個(gè)電熔絲單元包括:第一端子101以及一端分別電連接于所述第一端子上、下、左、右四個(gè)部位的電熔絲103 ;與所述每個(gè)電熔絲的另一端分別電連接的第二端子102 ;優(yōu)選地，本實(shí)施例中，所述第一端子的橫截面形狀為正方形；也就是說，所述第一端子的上下、左右四個(gè)部位分別電連接一個(gè)所述電熔絲103 ;所述每個(gè)電熔絲的另一端又分別電連接一個(gè)所述第二端子102 ;進(jìn)一步優(yōu)選地，如圖1所示，所述電熔絲103電連接于所述橫截面為正方形的所述第一端子101的四個(gè)角；所述第一端子的版圖形狀顯示為正方形；并且所述電熔絲以及與該電熔絲電連接的所述第二端子沿所述正方形的對角線分布。亦即連接在所述第一端子上下部位的兩個(gè)所述電熔絲沿所述形狀為正方形的第一端子的其中一條對角線分布；而連接在該第一端子左右部位的兩個(gè)所述電熔絲沿該正方形的另一條對角線分布。
[0034]本實(shí)施例中，如圖1所示，所述每個(gè)電熔絲單元中的第一端子電連接有第一焊墊104 ;所述每個(gè)電熔絲單元中的第二端子都電連接有第二焊墊105 ;所述第一和第二焊墊為測試時(shí)使用。
[0035]本實(shí)施例中，所述電熔絲為由多晶硅以及沉積在多晶硅之上的金屬硅化物構(gòu)成；所述電熔絲為條狀結(jié)構(gòu)；如圖1所示，該條狀結(jié)構(gòu)連接在所述第一端子和第二端子之間；連接在同一個(gè)第一端子上的所述每個(gè)電熔絲的長度彼此相等；本實(shí)施例中，所述電熔絲的熔斷尺寸為所述條狀結(jié)構(gòu)的寬度。所述熔斷尺寸指的是該電熔絲在電流經(jīng)過時(shí)，可能出現(xiàn)燒斷現(xiàn)象，燒斷部位的寬度即為熔斷寬度。
[0036]本實(shí)施例中，所述第一、第二端子與所述電熔絲的構(gòu)造相同，也是由多晶硅以及沉積在多晶硅之上的金屬硅化物構(gòu)成；并且所述第一、第二端子以及與該第一、第二端子連接的電熔絲一體成型。也就是說，所述第一、第二端子以及所述電熔絲中的多晶硅在形式時(shí)為一體成型，然后在成型的多晶硅上沉積金屬硅化物同時(shí)形成第一、第二端子以及所述電熔絲。
[0037]如圖2所示，本實(shí)用新型的所述若干電熔絲單元呈矩陣分布，其中每個(gè)電熔絲與其距離最近的所述電熔絲通過共用所述第二端子相互電連接。也就是說，所述若干電熔絲單元排布形成的矩陣中，每個(gè)電熔絲單元既是構(gòu)成其中一行的矩陣單元，又是構(gòu)成其中一列的矩陣單元，而在每個(gè)電熔絲的周圍都具有與其距離最近的四個(gè)電熔絲單元(除去位于矩陣邊緣行或列的電熔絲單元)，亦即每個(gè)電熔絲單元的上下、左右分別有與其距離相等且距離最近的四個(gè)電熔絲單元；而位于所述四個(gè)電熔絲單元中央的所述電熔絲單元與該四個(gè)電熔絲單元分別相互電連接，電連接的方式是通過如圖2所示的彼此共用距離最近的第二端子102 ;本實(shí)施例中構(gòu)成所述矩陣的所有電熔絲單元中的每個(gè)第一端子的版圖形狀為正方形，所述每個(gè)第一端子的面積彼此相等。如圖2所示，構(gòu)成所述矩陣的所有電熔絲單元中的每個(gè)第二端子的形狀相同，彼此的面積大小亦相等。
[0038]本實(shí)施例中的每個(gè)電熔絲單元中，與所述第一端子電連接的第一焊墊都連接至第一公共焊墊，圖2中為簡化顯示，沒有給出所述第一公共焊墊；同時(shí)，所述與所述每個(gè)第二端子電連接的每個(gè)第二焊墊都電連接至如圖2所示的第二公共焊墊106。
[0039]進(jìn)一步優(yōu)選地，所述呈矩陣分布的電熔絲單元中，每行的電熔絲單元數(shù)目等于每列的電熔絲單元數(shù)目。亦即所述矩陣為方陣，所述矩陣的行數(shù)等于該矩陣的列數(shù)。
[0040]本實(shí)用新型中，所述呈矩陣分布的若干電熔絲的熔斷尺寸按該矩陣的行或列呈不同。本實(shí)施例中，所述電熔絲的熔斷尺寸為該電熔絲的寬度，如圖1所示，電熔絲的熔斷尺寸用Cd表示；優(yōu)選地，所述每個(gè)電熔絲單元中的電熔絲的熔斷尺寸彼此相同，并且按矩陣分布的所述若干電熔絲單元中的電熔絲的熔斷尺寸按該矩陣的行或列呈遞增或遞減變化。如圖2所示，若干電熔絲單元電連接以矩陣方式分布；該矩陣中的每個(gè)電熔絲單元中有四個(gè)電熔絲；每個(gè)電熔絲單元中的四個(gè)電熔絲的熔斷尺寸相同，也就是說，本實(shí)施例中的每個(gè)電熔絲單元中的四個(gè)電熔絲的Cd相同(即寬度相同)；而構(gòu)成該矩陣的若干電熔絲單元中電熔絲的熔斷尺寸彼此不同，例如，矩陣的第一列所有電熔絲單元中的電熔絲熔斷尺寸相同，第二列所有電熔絲單元中的電熔絲熔斷尺寸相同，而第一列與第二列的電熔絲熔斷尺寸不同，并且依據(jù)矩陣列的變化，電熔絲熔斷尺寸呈現(xiàn)遞增或遞減變化。亦即每一列的電熔絲熔斷尺寸有一個(gè)定值。各個(gè)列的電熔絲熔斷尺寸不同。或者依照矩陣行的變化，電熔絲熔斷尺寸呈現(xiàn)遞增或遞減。亦即每一行的電熔絲熔斷尺寸為一個(gè)定值，各個(gè)行的電熔絲熔斷尺寸不同。
[0041]優(yōu)選地，如圖2所示，由所述若干電熔絲單元分布構(gòu)成的矩陣為7*7矩陣；其中位于該矩陣第四列的電熔絲單元中電熔絲的熔斷尺寸為基準(zhǔn)尺寸；第三列至第一列的電熔絲單元中的電熔絲的熔斷尺寸在所述基準(zhǔn)尺寸的基礎(chǔ)上依次遞減I納米；第五列至第七列的電熔絲單元中的電熔絲的熔斷尺寸在所述基準(zhǔn)尺寸的基礎(chǔ)上依次遞增I納米。也就是說，所述電熔絲單元有七行和七列且構(gòu)成矩陣分布，第一列的電熔絲單元中電熔絲熔斷尺寸相等；第二列的電熔絲單元中電熔絲熔斷尺寸相等；第三列的電熔絲單元中電熔絲熔斷尺寸相等；第四列的電熔絲單元中電熔絲熔斷尺寸相等；第五列的電熔絲單元中電熔絲熔斷尺寸相等；第六列的電熔絲單元中電熔絲熔斷尺寸相等；第七列的電熔絲單元中電熔絲熔斷尺寸相等。其中，第四列的電熔絲單元中的電熔絲熔斷尺寸為基準(zhǔn)值；第三列電熔絲熔斷尺寸為基準(zhǔn)值減去I納米；第二列電熔絲熔斷尺寸為基準(zhǔn)值減去2納米；第一列電熔絲熔斷尺寸為基準(zhǔn)值減去3納米；而從第五列開始，電熔絲熔斷尺寸逐漸增加，第五列電熔絲熔斷尺寸為基準(zhǔn)值加I納米；第六列電熔絲熔斷尺寸為基準(zhǔn)值加2納米；第七列電熔絲熔斷尺寸為基準(zhǔn)值加3納米。而基準(zhǔn)值的選取是在工藝條件下選擇的一個(gè)適合的參考值，不同列的電熔絲熔斷尺寸在基準(zhǔn)值上下波動的目的在于使得該測試結(jié)構(gòu)中能夠包含在基準(zhǔn)值附近呈現(xiàn)不同變化的熔斷尺寸，將由工藝中的誤差考慮入該測試結(jié)構(gòu)所形成的模型中，為后續(xù)調(diào)整窗口提供了更現(xiàn)實(shí)的選擇范圍。
[0042]本實(shí)用新型的所述電恪絲測試結(jié)構(gòu)中制程工藝的特征尺寸包括65nm、55nm或32nm。針對以上特征尺寸不同的工藝本實(shí)用新型的測試結(jié)構(gòu)都適用。
[0043]本實(shí)用新型的電熔絲測試結(jié)構(gòu)在進(jìn)行測試時(shí)，將所有的第一焊墊接至第一公共焊墊；將所述第二焊墊都連接至第二公共焊墊，之后在所述第一、第二公共焊墊之間施加電壓，測試流過所述電熔絲測試結(jié)構(gòu)中的電流，計(jì)算出該電熔絲測試結(jié)構(gòu)的電阻，其中在預(yù)檢測過程中施加較低的預(yù)定電壓，計(jì)算出的電阻若不在預(yù)估計(jì)范圍內(nèi)(電阻較大)，則說明該電熔絲可能被熔斷，需要經(jīng)過切片電鏡監(jiān)測，核實(shí)是否出現(xiàn)熔斷；若熔斷，則說明該電熔絲熔斷尺寸的下限值較小，需要重新選定電熔絲的熔斷尺寸的下限值。若經(jīng)過計(jì)算出的電熔絲測試結(jié)構(gòu)的電阻在預(yù)計(jì)范圍內(nèi)，則說明預(yù)檢測成功，從而該電熔絲測試結(jié)構(gòu)的熔斷尺寸下限值選擇正確。
[0044]經(jīng)過預(yù)檢測成功后，需要進(jìn)行寫入過程，寫入時(shí)在所述第一、第二公共焊墊之間施加較大的電壓，測試流過所述電熔絲測試結(jié)構(gòu)中的電流，計(jì)算出該電熔絲測試結(jié)構(gòu)的電阻，若計(jì)算出的電阻若不在預(yù)估計(jì)范圍內(nèi)(電阻較小)，則說明該電熔絲可能沒有被熔斷，需要經(jīng)過切片電鏡監(jiān)測，核實(shí)是否出現(xiàn)熔斷；若沒有熔斷，則說明該電熔絲熔斷尺寸的上限值較大，需要重新選定電熔絲的熔斷尺寸的上限值。若經(jīng)過計(jì)算出的電熔絲測試結(jié)構(gòu)的電阻在預(yù)計(jì)范圍內(nèi)，則說明寫入成功，從而該電熔絲測試結(jié)構(gòu)的熔斷尺寸上限值選擇正確。
[0045]綜上所述，本實(shí)用新型使得將熔斷尺寸在基準(zhǔn)尺寸周圍變化的不同熔斷尺寸的電熔絲電連接成矩陣分布的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，并對電熔絲的熔斷尺寸的窗口進(jìn)行測試，可以有效定義電熔絲熔斷尺寸的窗口并提高線上產(chǎn)品的生產(chǎn)良率。所以，本實(shí)用新型有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。
[0046]上述實(shí)施例僅例示性說明本實(shí)用新型的原理及其功效，而非用于限制本實(shí)用新型。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本實(shí)用新型的精神及范疇下，對上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識者在未脫離本實(shí)用新型所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本實(shí)用新型的權(quán)利要求所涵蓋。
【權(quán)利要求】
1.一種電熔絲測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電熔絲測試結(jié)構(gòu)至少包括: 若干電熔絲單元； 所述每個(gè)電熔絲單元至少包括:第一端子以及一端分別電連接于所述第一端子上、下、左、右四個(gè)部位的電熔絲；與所述每個(gè)電熔絲的另一端分別電連接的第二端子； 所述若干電熔絲單元呈矩陣分布且其中每個(gè)電熔絲與其距離最近的所述電熔絲通過共用所述第二端子相互電連接； 所述呈矩陣分布的若干電熔絲的熔斷尺寸按該矩陣的行或列呈不同。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電熔絲測試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述每個(gè)電熔絲單元中的第一端子電連接有第一焊墊；所述每個(gè)電熔絲單元中的第二端子都電連接有第二焊墊；所述每個(gè)第一焊墊都電連接至第一公共焊墊；所述每個(gè)第二焊墊都電連接至第二公共焊墊。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電熔絲測試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述電熔絲為由多晶硅以及沉積在多晶硅之上的金屬硅化物構(gòu)成的條狀結(jié)構(gòu)；所述每個(gè)電熔絲的長度彼此相等；所述電熔絲的熔斷尺寸為所述條狀結(jié)構(gòu)的寬度。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電熔絲測試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一、第二端子由多晶硅以及沉積在多晶硅之上的金屬硅化物構(gòu)成；并且所述第一、第二端子以及與該第一、第二端子連接的電熔絲一體成型。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電熔絲測試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一端子的橫截面形狀為正方形；所述每個(gè)第一端子的面積彼此相等；所述每個(gè)第二端子的形狀以及面積大小彼此相同。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電熔絲測試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述電熔絲電連接于所述橫截面為正方形的所述第一端子的四個(gè)角；并且所述電熔絲以及與該電熔絲電連接的所述第二端子沿所述正方形的對角線分布。7.根據(jù)權(quán)利要求3或6所述的電熔絲測試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述每個(gè)電熔絲單元中的電熔絲的熔斷尺寸彼此相同，并且按矩陣分布的所述若干電熔絲單元中的電熔絲的熔斷尺寸按該矩陣的行或列呈遞增或遞減變化。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電熔絲測試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述呈矩陣分布的電熔絲單元中，每行的電熔絲單元數(shù)目等于每列的電熔絲單元數(shù)目。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電熔絲測試結(jié)構(gòu)，其特征在于:由所述若干電熔絲單元分布構(gòu)成的矩陣為7*7矩陣；其中位于該矩陣第四列的電熔絲單元中電熔絲的熔斷尺寸為基準(zhǔn)尺寸；第三列至第一列的電熔絲單元中的電熔絲的熔斷尺寸在所述基準(zhǔn)尺寸的基礎(chǔ)上依次遞減I納米；第五列至第七列的電熔絲單元中的電熔絲的熔斷尺寸在所述基準(zhǔn)尺寸的基礎(chǔ)上依次遞增I納米。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電熔絲測試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述電熔絲測試結(jié)構(gòu)中制程工藝的特征尺寸包括65nm、55nm或32nm。
【文檔編號】H01L21-66GK204271042SQ201420610166
【發(fā)明者】王喆 [申請人]中芯國際集成電路制造(北京)有限公司