專利名稱：在半導(dǎo)體器件中形成隔離膜的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在半導(dǎo)體器件中形成隔離膜的方法，更加特別地，涉及一種在半導(dǎo)體器件中形成能夠防止電場集中在淺溝槽隔離(shallow trenchisolation；STI)結(jié)構(gòu)隔離膜中溝槽頂角上的隔離膜的方法。
背景技術(shù)：
在所有半導(dǎo)體器件中，都要形成用于電隔離形成在半導(dǎo)體襯底中的各種器件的隔離膜。傳統(tǒng)上，隔離膜通過局部氧化(local oxidation；LOCOS)工藝的手段形成。但是，在該情形中，在隔離膜的頂角出現(xiàn)鳥喙形。由此，造成器件的電學(xué)特性及集成度劣化的問題。
隨著半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，隔離膜應(yīng)形成為具有STI(淺溝槽隔離)結(jié)構(gòu)，其可以使隔離膜處的鳥喙形的產(chǎn)生最小化，同時(shí)還防止其產(chǎn)生。
參考圖1A至1D，說明在半導(dǎo)體器件中形成隔離膜的傳統(tǒng)方法。
參考圖1A，在半導(dǎo)體襯底101上順序形成襯墊氧化膜102及襯墊氮化膜103。然后將光致抗蝕劑覆蓋于襯墊氮化膜103上。接著，實(shí)施曝光及顯影工藝，以形成光致抗蝕劑圖案104，其中限定了將形成隔離膜的隔離區(qū)域。由此，在將要形成隔離膜的區(qū)域內(nèi)的襯墊氮化膜103被曝光。
參考圖1B，通過蝕刻工藝移除隔離區(qū)域內(nèi)的襯墊氮化膜103。下面暴露出來的襯墊氧化膜102也被移除。藉此曝光隔離區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體襯底101。
參考圖1C，隔離區(qū)域中的半導(dǎo)體襯底101被蝕刻至既定深度以形成溝槽105。接著，移除光致抗蝕劑圖案(圖1B中的104)。
參考圖1D，形成絕緣材料層(未示出)，以掩埋溝槽105。接著，通過化學(xué)機(jī)械拋光工藝移除襯墊氮化膜(圖1C中的103)上的絕緣材料層。同樣，通過蝕刻工藝，順序移除襯墊氮化膜和襯墊氧化膜(圖1C中的102)。由此，使絕緣材料層僅保留于溝槽中，以形成由絕緣材料層組成的隔離膜106。
對上述隔離膜的形成方法進(jìn)行檢驗(yàn)。若形成的隔離膜具有STI結(jié)構(gòu)，則不會(huì)產(chǎn)生鳥喙形缺陷。因此，可防止由于鳥喙造成的電學(xué)特性及集成度的降低。
但是，STI結(jié)構(gòu)中隔離膜的最大弱點(diǎn)為，電場集中于溝槽頂角(圖1C中的105a)的尖銳部分。若溝槽頂角非常尖銳，則該部分上會(huì)形成很薄的柵極氧化膜，這會(huì)增加該部分的漏電流。電場集中于該部分還可改變晶體管的閾值電壓，產(chǎn)生器件缺陷。因此，將出現(xiàn)器件可靠性降低的問題。
防止該問題的方法為，在蝕刻襯底形成溝槽時(shí)，使用光致抗蝕劑圖案而不是用襯墊氮化膜當(dāng)作蝕刻掩模。下面將詳細(xì)說明該方法。
在圖1C中，在光致抗蝕劑圖案保持于襯墊氮化膜103上原封未動(dòng)而不移除該光致抗蝕劑圖案的狀態(tài)下，如圖1B所示，若在使用蝕刻劑蝕刻襯底形成溝槽時(shí)產(chǎn)生聚合反應(yīng)，當(dāng)聚合物產(chǎn)生時(shí)則產(chǎn)生聚合物累積于隔離區(qū)域角落里的襯底上。因?yàn)槔鄯e的聚合物中的硅成分和蝕刻選擇率不同，所以在蝕刻襯底時(shí)，累積聚合物作為抗蝕刻膜。因此，與隔離膜的中心相比，其上累積聚合物的隔離膜的角落幾乎未被蝕刻。因而溝槽的頂角形成圓形。
但是，該方法不能準(zhǔn)確控制聚合物的產(chǎn)生量。因此，難以將溝槽的頂角均勻地形成圓形。另外，若光致抗蝕劑圖案被用作蝕刻掩模，由于在集成圖案大小時(shí)在光致抗蝕劑中產(chǎn)生聚合物，因此難以蝕刻該半導(dǎo)體襯底。因此，需要移除光致抗蝕劑圖案后再蝕刻半導(dǎo)體襯底。但是，若移除光致抗蝕劑圖案后使用襯墊氮化膜作為蝕刻掩模，則缺少產(chǎn)生聚合物的碳源。因此，更難以用聚合物將溝槽的頂角制成圓形。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的意圖主要在于排除由于現(xiàn)有技術(shù)的限制及缺點(diǎn)所產(chǎn)生的一種或多種問題。
本發(fā)明的目的在于提供一種在半導(dǎo)體器件中形成隔離膜的方法，在形成襯墊氧化膜和襯墊氮化膜的堆疊結(jié)構(gòu)以暴露隔離區(qū)域中的半導(dǎo)體襯底的工藝中，在鄰近襯底表面的襯墊氧化膜和襯墊氮化膜的底部側(cè)壁上形成尾形突出部分，并且在蝕刻半導(dǎo)體襯底時(shí)，使用突出部分作為抗蝕刻膜使溝槽的頂角形成為圓形，因此可以防止溝槽的電場集中于溝槽的頂角上，抑制漏電的產(chǎn)生，因而改善工藝的可靠性及器件的電學(xué)特性，同時(shí)由于溝槽的頂角為圓形，即使移除光致抗蝕劑圖案，也可解決聚合物工藝的困難。
本發(fā)明的其它好處、目的及特征將部分在以下的說明中提出，而部分地可由本領(lǐng)域技術(shù)人員在檢驗(yàn)以下內(nèi)容后更加了解，或可由實(shí)施本發(fā)明來學(xué)習(xí)到。本發(fā)明的目的及其它好處可由下文中的說明及權(quán)利要求，以及附圖所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)及獲得。
為實(shí)現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明意圖的這些目的及其它優(yōu)點(diǎn)(如本文所體現(xiàn)及廣泛說明地)，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例，一種在半導(dǎo)體器件中形成隔離膜的方法，其特征在于包括步驟在半導(dǎo)體襯底上順序形成襯墊氧化膜和襯墊氮化膜；移除隔離區(qū)域上的襯墊氮化膜和襯墊氧化膜，從而在隔離區(qū)域的頂角處形成尾形的突出部分；蝕刻隔離區(qū)域的半導(dǎo)體襯底，同時(shí)使用突出部分作為抗蝕刻膜，以形成其頂角形成為圓形的溝槽；以及，用絕緣材料掩埋溝槽，然后移除半導(dǎo)體襯底上的襯墊氮化膜和襯墊氧化膜以形成隔離膜。
在上述說明中，在移除隔離區(qū)域內(nèi)的襯墊氮化膜后，可通過在移除襯墊氮化膜的時(shí)間的1至10％的時(shí)間段內(nèi)使用CHF3氣體實(shí)施過蝕刻工藝形成突出部分?；蛘撸怀霾糠滞ㄟ^實(shí)施在移除襯墊氮化膜與襯墊氧化膜的蝕刻工藝中對氧化物具有高選擇率的蝕刻工藝而形成。同時(shí)，蝕刻工藝使用CF4氣體和CHF3氣體作為蝕刻氣體來實(shí)施，其中，CHF3氣體供應(yīng)得比CF4氣體多，從而增大對氧化物的選擇率。此時(shí)，CHF3氣體和氣體CF4氣體的供應(yīng)比率為2∶1至10∶1。此蝕刻工藝通過設(shè)定探測到襯墊氧化膜的氧化物成分時(shí)的時(shí)間點(diǎn)為結(jié)束點(diǎn)(EOP)而實(shí)施。
而且，光致抗蝕劑圖案形成于襯墊氮化膜上，以便界定隔離區(qū)域。此時(shí)，在移除隔離區(qū)域上的襯墊氮化膜和襯墊氧化膜后，在形成溝槽前移除光致抗蝕劑圖案，從而防止光致抗蝕劑產(chǎn)生的聚合物影響用于形成溝槽的蝕刻工藝。
形成溝槽的蝕刻工藝在移除襯墊氮化膜和襯墊氧化膜后在蝕刻室內(nèi)就地立即實(shí)施，以便防止在隔離區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上形成原生氧化膜。
形成溝槽的蝕刻工藝可包括步驟對半導(dǎo)體襯底實(shí)施第一次蝕刻工藝，其工藝條件僅為對突出部分具有高選擇率，以形成其頂角不為圓形的溝槽；以及，實(shí)施第二次蝕刻工藝，使用對突出部分具有低選擇率的工藝條件的過蝕刻處理(PET)，以便在移除突出部分的同時(shí)在溝槽的頂角處形成蝕刻斜面，由此形成為圓形的溝槽。此時(shí)，對于突出部分和半導(dǎo)體襯底的蝕刻選擇率通過調(diào)整蝕刻氣體中HBr的氣體流量而控制。第一次蝕刻工藝中，通過增加HBr氣體的流量來僅蝕刻半導(dǎo)體襯底。在第二次蝕刻工藝中，通過相對減少HBr的氣體流量來蝕刻溝槽的頂角及突出部分。
在本發(fā)明的另一方面中，應(yīng)理解，上述對本發(fā)明的一般性說明及以下的詳細(xì)說明均為范例及說明性，意在提供如權(quán)利要求的發(fā)明的進(jìn)一步解釋。


通過以下參考附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)說明，更能明了本發(fā)明的上述及其它目的、特征及優(yōu)點(diǎn)，附圖中圖1A至1D為說明在半導(dǎo)體器件中形成隔離膜的傳統(tǒng)方法的半導(dǎo)體器件的截面圖；圖2A至2E為說明在本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中形成隔離膜的方法的半導(dǎo)體器件的截面圖；以及圖3A和3B為說明形成圖2C的溝槽的蝕刻工藝的實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的截面圖，其中，附圖標(biāo)記說明如下101 半導(dǎo)體襯底102 襯墊氧化膜103 襯墊氮化膜104 光致抗蝕劑圖案105 溝槽 105a 溝槽的頂角106 隔離膜201 半導(dǎo)體襯底202 襯墊氧化膜203 襯墊氮化膜204 光致抗蝕劑圖案205 溝槽205a 溝槽的頂角206 絕緣材料層207 隔離膜具體實(shí)施方式
現(xiàn)將詳細(xì)參考本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，實(shí)施例的范例在附圖中說明，其中相同的附圖標(biāo)記代表相同或類似的部分。
圖2A至2E用于解釋在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中形成隔離膜的方法的半導(dǎo)體器件的截面圖。
參考圖2A，在半導(dǎo)體襯底201上順序形成襯墊氧化膜202及襯墊氮化膜203。然后光致抗蝕劑覆蓋于該襯墊氮化膜203上。接著，實(shí)施曝光及顯影工藝，以形成光致抗蝕劑圖案204，其中界定將形成隔離膜的隔離區(qū)域。藉此，在待形成隔離膜的區(qū)域內(nèi)暴露襯墊氮化膜203。此時(shí)，形成的襯墊氮化膜203的厚度優(yōu)選在1500以下。
參考圖2B，通過蝕刻工藝移除隔離區(qū)域內(nèi)的襯墊氮化膜203。然后，移除在襯墊氮化膜203下暴露的襯墊氧化膜202，藉此，暴露隔離區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體襯底201。此時(shí)，在移除隔離區(qū)域內(nèi)的襯墊氮化膜203與襯墊氧化膜202的工藝中，在與半導(dǎo)體襯底201的表面接觸的襯墊氮化膜203與襯墊氧化膜202的底部側(cè)壁上形成尾形的突出部分230。此時(shí)，突出部分230作為抗蝕刻膜，在隨后蝕該半導(dǎo)體襯底201以形成溝槽的工藝中防止隔離區(qū)域的角被蝕刻。
盡管有許多方法可形成突出部分230，下面將說明作為范例的兩個(gè)實(shí)施例。
第一種方法，在移除隔離區(qū)域的襯墊氮化膜203的蝕刻工藝中，通過控制有關(guān)蝕刻氣體及過蝕刻的工藝條件的方法可形成突出部分230。更具體而言，在蝕刻隔離區(qū)域內(nèi)的襯墊氮化膜203后移除襯墊氮化膜203的時(shí)間的1至10％時(shí)間內(nèi)，使用CHF3氣體實(shí)施過蝕刻。此時(shí)，若過蝕刻工藝是使用CHF3氣體實(shí)施，則將產(chǎn)生聚合物。但是，因?yàn)檫^蝕刻工藝在短時(shí)間內(nèi)實(shí)施，在形成突出部分230的同時(shí)聚合物累積于襯墊氮化膜203與襯墊氧化膜202的底部側(cè)壁上。
第二種方法，在移除隔離區(qū)域內(nèi)的襯墊氮化膜203與襯墊氧化膜202的蝕刻工藝中，通過控制襯墊氮化膜203與襯墊氧化膜202的蝕刻選擇率可形成突出部分230。更具體而言，襯墊氮化膜203通常通過使用CF4氣體與CHF3氣體的蝕刻工藝移除。一般而言，CF4氣體的供應(yīng)量多于CHF3氣體。但是，若CHF3氣體供應(yīng)得更多，氧化物的選擇率則會(huì)降低。因此，在形成由氮化物/氧化物組成的尾形突出部分230的同時(shí)，在襯墊氧化膜202的下部側(cè)壁也形成蝕刻斜面。此時(shí)，CHF3氣體與CF4氣體的供應(yīng)比例可為2∶1至10∶1。同時(shí)，在此情況下，當(dāng)蝕刻襯墊氮化膜203與襯墊氧化膜202時(shí)，探測到半導(dǎo)體襯底201的硅成分時(shí)的時(shí)間點(diǎn)未被設(shè)定為結(jié)束點(diǎn)(EOP)。相反，探測到墊氧化膜202的氧化成分時(shí)的時(shí)間點(diǎn)被設(shè)定為EOP。
如上所述，若通過蝕刻氣體及過蝕刻工藝、或通過控制襯墊氮化膜203與襯墊氧化膜202的蝕刻選擇率來移除隔離區(qū)域內(nèi)的襯墊氮化膜203與襯墊氧化膜202，則尾形突出部分230即形成于襯墊氮化膜203與襯墊氧化膜202的底部側(cè)壁上。
參考圖2C，該光致抗蝕劑圖案(圖2B中的204)被移除。然后，隔離區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體襯底201被蝕刻既定深度以形成溝槽205。此時(shí)，因形成于隔離區(qū)域頂角的突出部分(圖2B的230)阻礙隔離區(qū)域的角被蝕刻，在溝槽205的頂角205a處形成蝕刻斜面。因此，溝槽205的頂角205a即被制成圓形。
在上述說明中，在移除隔離區(qū)域的襯墊氮化膜與襯墊氧化膜后形成溝槽205前，通常實(shí)施蝕刻工藝，以便移除在暴露的半導(dǎo)體襯底表面上形成的原生氧化膜。但是，若實(shí)施該蝕刻工藝移除該原生氧化膜，則可能損壞突出部分230。因此，為從開始即防止形成原生氧化膜，在移除襯墊氮化膜與襯墊氧化膜后，在蝕刻室內(nèi)原位立即在隔離區(qū)域內(nèi)形成溝槽。這樣，若半導(dǎo)體襯底201原位蝕刻形成溝槽，就可省略移除原生氧化膜的蝕刻工藝。因此，具有減少工藝步驟的優(yōu)點(diǎn)。
同時(shí)，在形成溝槽205的蝕刻工藝中，可在各種方法中實(shí)施利用突出部分使溝槽205的頂角制成圓形的蝕刻工藝。下面將作更詳細(xì)的說明。
作為第一種方法，若溝槽205通過普通半導(dǎo)體襯底201的蝕刻工藝形成，則在蝕刻半導(dǎo)體襯底201時(shí)對突出部分230更慢地蝕刻，同時(shí)在隔離區(qū)域的角處自然形成了蝕刻斜面，藉此形成呈圓形的溝槽205。
作為第二種方法，通過控制對于由氮化物和氧化物構(gòu)成的突出部分230與半導(dǎo)體襯底201的蝕刻選擇率，可形成由兩次蝕刻工藝使其頂角為圓形的溝槽205。參考圖3A與圖3B，進(jìn)行更詳細(xì)地說明。圖3A與圖3B為說明形成圖2C的溝槽的蝕刻工藝的實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的截面圖。
參考圖3A，在由氮化物和氧化物構(gòu)成的突出部分230形成于襯墊氮化膜203和襯墊氧化膜202的底部側(cè)壁的狀態(tài)中，僅蝕刻半導(dǎo)體襯底201，使用的工藝條件為對突出部分230具有高選擇率，因而形成其預(yù)角205a未被圓化的溝槽205。
參考圖3B，通過實(shí)施工藝條件為對突出部分230具有低選擇率的PET(后蝕刻處理)工藝，蝕刻斜面形成于溝槽205的頂角205a，以形成圓化的溝槽205，同時(shí)移除突出部分(圖3A中的230)。此時(shí)，對突出部分(圖3A中的230)和半導(dǎo)體襯底201的蝕刻選擇率可通過僅調(diào)整蝕刻氣體中的HBr氣體流量而控制。換言之，在第一次蝕刻工藝中，通過增加HBr氣體的流量來僅對半導(dǎo)體襯底201進(jìn)行蝕刻。在第二次蝕刻工藝中，相對減少HBr氣體流量，蝕刻溝槽205的頂角205a及突出部分(圖3A中的230)。
此時(shí)，本發(fā)明的最重要特征之一，即通過上述方法形成溝槽的原因如下。由于溝槽在移除光致抗蝕劑圖案后形成，溝槽不會(huì)受光致抗蝕劑產(chǎn)生的聚合物的影響。因此，可更準(zhǔn)確地控制蝕刻工藝，從而工藝的可靠性也可改善。
參考圖2D，在整個(gè)結(jié)構(gòu)上形成絕緣材料層206，從而掩埋溝槽205。
參考圖2E，襯墊氮化膜(圖2D中的203)上的絕緣材料層(圖2D中的206)通過化學(xué)機(jī)械拋光工藝移除。然后，通過蝕刻工藝順序移除襯墊氮化膜和襯墊氧化膜(圖2D中的202)。藉此，絕緣材料層僅保留在其頂角為圓形的溝槽(圖2D的205)處，因而形成由絕緣材料層構(gòu)成的隔離膜207。
如上所述，當(dāng)使用上述方法形成STI結(jié)構(gòu)的隔離膜時(shí)，本發(fā)明具有以下有益效果。
第一，因?yàn)橥怀霾糠滞ㄟ^調(diào)整實(shí)施過蝕刻工藝所需的時(shí)間或調(diào)整其形成時(shí)蝕刻氣體的混合比率而形成，因而可精確控制突出部分的形狀。因此，因溝槽的頂角可均勻地形成為圓形，從而改善了工藝的可靠性。
第二，在移除襯墊氮化膜與襯墊氧化膜后，通過在蝕刻室內(nèi)就地立即蝕刻半導(dǎo)體襯底而形成溝槽。由此能夠防止形成原生氧化膜。因此，可省略移除原生氧化膜的清除工藝，因而減少工藝步驟與時(shí)間。
第三，由于溝槽的頂角形成為圓形，因此防止了電場的集中。因此，可防止半導(dǎo)體器件(如晶體管)的閾值電壓發(fā)生變化。
第四，由于溝槽的頂角形成為圓形，因此防止了電場的集中。因此，可產(chǎn)生硅位錯(cuò)(dislocation)。
第五，由于溝槽的頂角形成為圓形，因此防止了在后續(xù)工藝中形成薄弱的柵極氧化膜。因此，可能防止漏電的增加。
第六，由于即使移除光致抗蝕劑圖案，溝槽的頂角也可形成為圓形，因此可解決工藝中存在的難以移除光致抗蝕劑圖案及使溝槽的頂角形成為圓形的問題。
上述實(shí)施例僅為示范，不應(yīng)解釋為限制本發(fā)明。本發(fā)明很容易應(yīng)用于其它類型的設(shè)備。本發(fā)明的介紹是說明性的，并非限制權(quán)力要求的范圍。本領(lǐng)域技術(shù)人員清楚地知道本發(fā)明的各種替換、修改及變化。
權(quán)利要求
1.一種在半導(dǎo)體器件中形成隔離膜的方法，包括步驟在半導(dǎo)體襯底上順序形成襯墊氧化膜和襯墊氮化膜；移除隔離區(qū)域上的襯墊氮化膜和襯墊氧化膜，從而在隔離區(qū)域的頂角處形成尾形突出部分；蝕刻隔離區(qū)域的半導(dǎo)體襯底，同時(shí)使用突出部分作為抗蝕刻膜，以形成其頂角形成為圓形的溝槽；以及用絕緣材料掩埋溝槽，然后移除半導(dǎo)體襯底上的襯墊氮化膜和襯墊氧化膜以形成隔離膜。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在移除隔離區(qū)域內(nèi)的襯墊氮化膜后，通過在移除襯墊氮化膜所用時(shí)間的1至10％的期間內(nèi)使用CHF3氣體實(shí)施過蝕刻工藝來形成突出部分。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中突出部分通過實(shí)施在移除襯墊氮化膜與襯墊氧化膜的蝕刻工藝中對氧化物具有高選擇率的蝕刻工藝而形成。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中蝕刻工藝使用CF4氣體和CHF3氣體作為蝕刻氣體來實(shí)施，其中，CHF3氣體供應(yīng)得比CF4氣體多，從而增大對氧化物的選擇率。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中CHF3氣體與CF4氣體的供應(yīng)比率為2∶1至10∶1。
6.如權(quán)利要求3所述的的方法，其中蝕刻工藝通過設(shè)定探測到襯墊氧化膜的氧化物成分時(shí)的時(shí)間點(diǎn)為結(jié)束點(diǎn)(EOP)而實(shí)施。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中光致抗蝕劑圖案形成于襯墊氮化膜上，以便界定隔離區(qū)域，并且，其中在移除隔離區(qū)域上的襯墊氮化膜和襯墊氧化膜后，在形成溝槽前移除光致抗蝕劑圖案，從而防止光致抗蝕劑產(chǎn)生的聚合物影響用于形成溝槽的蝕刻工藝。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成溝槽的蝕刻工藝在借以移除襯墊氮化膜和襯墊氧化膜的蝕刻室內(nèi)立即就地實(shí)施，以便防止在隔離區(qū)域的半導(dǎo)體襯底上形成原生氧化膜。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成溝槽的蝕刻工藝包括步驟在對突出部分具有高選擇率的工藝條件下僅對半導(dǎo)體襯底實(shí)施第一次蝕刻工藝，以形成其頂角不為圓形的溝槽；以及使用對突出部分具有低選擇率的工藝條件的后蝕刻處理(PET)實(shí)施第二次蝕刻工藝，以便在移除突出部分的同時(shí)在溝槽的頂角處形成蝕刻斜面，由此形成呈圓角的溝槽。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中對于突出部分和半導(dǎo)體襯底的蝕刻選擇率通過調(diào)整蝕刻氣體中HBr氣體的流量來控制。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中在第一次蝕刻工藝中，通過增加HBr氣體的流量來僅對半導(dǎo)體襯底進(jìn)行蝕刻，而在第二次蝕刻工藝中，通過相對減少HBr氣體的流量來蝕刻溝槽的頂角及突出部分。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種在半導(dǎo)體器件中形成隔離膜的方法。在形成襯墊氧化膜和襯墊氮化膜的堆疊結(jié)構(gòu)以暴露隔離區(qū)域中的半導(dǎo)體襯底的工藝中，在鄰近襯底表面的襯墊氧化膜和襯墊氮化膜的底部側(cè)壁上形成尾形突出部分，并且在蝕刻襯底時(shí)，使用突出部分作為抗蝕刻膜使溝槽的頂角成為圓形。因此，可以防止電場集中于溝槽的頂角上，抑制漏電的產(chǎn)生。因此，可改善該工藝的可靠性及器件的電學(xué)特性。
文檔編號(hào)H01L21/70GK1499605SQ200310114810
公開日2004年5月26日 申請日期2003年11月7日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月7日
發(fā)明者李圣勛 申請人:海力士半導(dǎo)體有限公司