專利名稱：垂直腔面發(fā)射激光器to同軸封裝測試用的夾具的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于光電子器件領(lǐng)域，更具體的說是一種用于垂直腔面發(fā)射激光器TO封裝的夾具。
背景技術(shù)：
自從1962年半導(dǎo)體激光器問世以來，就器件類型、結(jié)構(gòu)和增益介質(zhì)而言，從最初的同質(zhì)結(jié)，經(jīng)歷了單異質(zhì)結(jié)、雙異質(zhì)結(jié)、量子阱、應(yīng)變量子阱、法布里-珀羅(F-P)腔結(jié)構(gòu)、無腔的分布反饋式結(jié)構(gòu)、水平腔結(jié)構(gòu)、垂直腔結(jié)構(gòu)，直到今天正在發(fā)展的自組裝量子點(diǎn)和量子級(jí)連的單極性結(jié)構(gòu)的重要發(fā)展階段。其中于1977年由索達(dá)(Soda)、伊賀(Iga)等人研制的第一只可在77K溫度下脈沖激射的垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)在半導(dǎo)體激光器的發(fā)展史上具有劃時(shí)代的意義。垂直腔面發(fā)射激光器的最主要特點(diǎn)是激射光的出光面垂直于p-n結(jié)。其結(jié)構(gòu)主要包括有源區(qū)和上、下反射器。垂直腔面發(fā)射激光器與邊發(fā)射激光器相比具有如下幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)1、芯片不需要解理就可能進(jìn)行單個(gè)器件的基本性能在片測試；
2、小的發(fā)散角和圓形對(duì)稱的遠(yuǎn)、近場分布使其與光纖的耦合效率大大提高；3、出光反向垂直襯底，可實(shí)現(xiàn)高密度二維面陣的集成；4、光纖長度極短，可在較寬的溫度范圍內(nèi)單縱膜工作，動(dòng)態(tài)調(diào)制頻率高；5、制造工藝與發(fā)光二極管兼容，大規(guī)模制造的成本很低，近些年來，垂直腔面發(fā)射激光器成為人們研究的熱點(diǎn)。
半導(dǎo)體激光器的封裝形式主要包括TO同軸封裝、蝶型封裝和雙列直插封裝三種。其中TO同軸封裝由于具有尺寸小、價(jià)格低、結(jié)構(gòu)簡單無須制冷、使用靈活方便、技術(shù)成熟等優(yōu)點(diǎn)尤其適于用于垂直腔面發(fā)射激光器封裝。由于在垂直腔面發(fā)射激光器封裝中不需要用于檢測出射光能量的背光探測器，因此可以選用結(jié)構(gòu)較簡單的、用于半導(dǎo)體探測器的TO同軸封裝管座。當(dāng)垂直腔面發(fā)射激光器采用TO同軸封裝形式封裝好了之后，通常需要對(duì)其光、電性能進(jìn)行測試，如何將其固定成為了一個(gè)需要解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決垂直腔面發(fā)射激光器的TO同軸封裝組件在測試過程中的固定問題，本發(fā)明的目的在于提供一種垂直腔面發(fā)射激光器TO同軸封裝測試用的夾具，使用該結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不僅可以方便封裝后器件的電學(xué)和光學(xué)性能測試，而且還考慮了電絕緣的問題。
本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是
本發(fā)明一種垂直腔面發(fā)射激光器的TO同軸封裝測試用的夾具，其特性在于，其中包括一底件，該底件為矩形結(jié)構(gòu)，在該底件的上面開有一個(gè)尺寸小于TO同軸封裝管座的大小的圓孔，在該圓孔的兩側(cè)開有兩個(gè)螺孔；在該底件的長側(cè)面上開有第一圓孔和第二圓孔；一蓋片，該蓋片為矩形結(jié)構(gòu)，該蓋片的外形尺寸小于底件的外形尺寸，在蓋片的上面對(duì)應(yīng)底件上的圓孔開有一小于TO同軸封裝管座邊緣的第三圓孔，在該第三圓孔的兩側(cè)開有對(duì)應(yīng)底件上的兩個(gè)螺孔的第四圓孔和第五圓孔；該蓋片用螺絲與底件固定；一管座，該管座上的管腳上套接的熱縮管，其長度等于或小于TO同軸封裝管座上的管腳的長度，該管座置于底件與蓋片之間。
其中底件采用的材料是塑料、金屬、不銹鋼、聚四氟乙烯、有機(jī)玻璃或橡木。
其中蓋片采用的材料是塑料、金屬、不銹鋼、聚四氟乙烯、有機(jī)玻璃或橡木。
其中底件和蓋片的上、下表面經(jīng)過磨平工藝處理。
本發(fā)明的有益效果是這種垂直腔面發(fā)射激光器的TO同軸封裝測試用的夾具結(jié)構(gòu)有如下優(yōu)點(diǎn)1、加工工藝簡單、材料選取廣泛、成本低；2、采用熱縮管，解決了TO同軸封裝管腳之間或TO同軸封裝管腳與底件1短路問題，不會(huì)損壞芯片或?qū)y試結(jié)果造成不良影響。


為進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明，其中圖1是一種垂直腔面發(fā)射激光器的TO同軸封裝管座(已套熱縮管)示意圖；圖2是一種垂直腔面發(fā)射激光器的TO同軸封裝測試用的夾具結(jié)構(gòu)的立體圖；圖3是一種垂直腔面發(fā)射激光器的TO同軸封裝測試用的夾具結(jié)構(gòu)的頂視圖。
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)參閱圖1、圖2和圖3，本發(fā)明一種垂直腔面發(fā)射激光器的TO同軸封裝測試用的夾具，其中包括一底件1，該底件1為矩形結(jié)構(gòu)，在該底件1的上面開有一個(gè)尺寸小于TO同軸封裝管座20的大小的圓孔6，在該圓孔6的兩側(cè)開有兩個(gè)螺孔7、8，該兩個(gè)螺孔7、8用于蓋片2的螺固(后敘)；在該底件1的長側(cè)面上開有第一圓孔9和第二圓孔10(圖2所示，該第一圓孔9和第二圓孔10用于將底件1固定在測試臺(tái)上)；該底件1采用的材料是塑料、金屬、不銹鋼、聚四氟乙烯、有機(jī)玻璃或橡木；一蓋片2，該蓋片2為矩形結(jié)構(gòu)，該蓋片2的外形尺寸小于底件1的外形尺寸，在蓋片2的上面對(duì)應(yīng)底件1上的圓孔6開有一小于TO同軸封裝管座邊緣的第三圓孔3，在該第三圓孔3的兩側(cè)開有對(duì)應(yīng)底件1上的兩個(gè)螺孔7、8的第四圓孔4和第五圓孔5，該第四圓孔4和第五圓孔5用于用螺釘將蓋片2固定在底件1上；該蓋片2采用的材料是塑料、金屬、不銹鋼、聚四氟乙烯、有機(jī)玻璃或橡木；一管座20，該管座20上的管腳21上套接的熱縮管11，其長度等于或小于TO同軸封裝管座20上的管腳21的長度，該熱縮管11用于防止TO同軸封裝管腳之間或TO同軸封裝管腳與底件1之間短路，該管座20置于底件1與蓋片2之間。
其中該底件1和蓋片2的上、下表面經(jīng)過磨平工藝處理。
本發(fā)明測試用的夾具在使用時(shí)，先將管座20的三個(gè)管腳21套上熱縮管11，防止TO同軸封裝管腳之間或TO同軸封裝管腳與底件1之間短路，將管座20的三個(gè)管腳21插入到底件1上的圓孔6內(nèi)，在管座20上面放置管芯30，再將蓋片2蓋在管座20上，用螺絲將蓋片2與底件1固定，進(jìn)行對(duì)激光器的TO同軸封裝測試。
權(quán)利要求
1.一種垂直腔面發(fā)射激光器的TO同軸封裝測試用的夾具，其特性在于，其中包括一底件，該底件為矩形結(jié)構(gòu)，在該底件的上面開有一個(gè)尺寸小于TO同軸封裝管座的大小的圓孔，在該圓孔的兩側(cè)開有兩個(gè)螺孔；在該底件的長側(cè)面上開有第一圓孔和第二圓孔；一蓋片，該蓋片為矩形結(jié)構(gòu)，該蓋片的外形尺寸小于底件的外形尺寸，在蓋片的上面對(duì)應(yīng)底件上的圓孔開有一小于TO同軸封裝管座邊緣的第三圓孔，在該第三圓孔的兩側(cè)開有對(duì)應(yīng)底件上的兩個(gè)螺孔的第四圓孔和第五圓孔；該蓋片用螺絲與底件固定；一管座，該管座上的管腳上套接的熱縮管，其長度等于或小于TO同軸封裝管座上的管腳的長度，該管座置于底件與蓋片之間。
2.如權(quán)利要求1所述的一種垂直腔面發(fā)射激光器的TO同軸封裝測試用的夾具，其特征在于，其中底件采用的材料是塑料、金屬、不銹鋼、聚四氟乙烯、有機(jī)玻璃或橡木。
3.如權(quán)利要求1所述的一種垂直腔面發(fā)射激光器的TO同軸封裝測試用的夾具，其特征在于，其中蓋片采用的材料是塑料、金屬、不銹鋼、聚四氟乙烯、有機(jī)玻璃或橡木。
4.如權(quán)利要求1所述的一種垂直腔面發(fā)射激光器的TO同軸封裝測試用的夾具，其特征在于，其中底件和蓋片的上、下表面經(jīng)過磨平工藝處理。
全文摘要
一種垂直腔面發(fā)射激光器的TO同軸封裝測試用的夾具，其特性在于，其中包括一底件，該底件為矩形結(jié)構(gòu)，在該底件的上面開有一個(gè)尺寸小于TO同軸封裝管座的大小的圓孔，在該圓孔的兩側(cè)開有兩個(gè)螺孔；在該底件的長側(cè)面上開有第一圓孔和第二圓孔；一蓋片，該蓋片為矩形結(jié)構(gòu)，該蓋片的外形尺寸小于底件的外形尺寸，在蓋片的上面對(duì)應(yīng)底件上的圓孔開有一小于TO同軸封裝管座邊緣的第三圓孔，在該第三圓孔的兩側(cè)開有對(duì)應(yīng)底件上的兩個(gè)螺孔的第四圓孔和第五圓孔；該蓋片用螺絲與底件固定；一管座，該管座上的管腳上套接的熱縮管，其長度等于或小于TO同軸封裝管座上的管腳的長度，該管座置于底件與蓋片之間。
文檔編號(hào)H01L21/66GK1773303SQ20041000977
公開日2006年5月17日 申請(qǐng)日期2004年11月11日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月11日
發(fā)明者劉超, 袁海慶, 張尚劍, 王欣, 祝寧華 申請(qǐng)人:中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所