專利名稱：：光刻投影組件、裝載鎖閉裝置和轉(zhuǎn)移物體的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種包括含有處理室的物體處理器的光刻投影組件和一種包括投影室的光刻投影裝置，其中所述投影室和處理室可以相通，用于把將要被處理的物體從處理室轉(zhuǎn)移到投影室，反之亦然，所述物體尤其是基底，例如硅晶片，或構(gòu)圖裝置例如掩模或中間掩模版。光刻投影裝置一般典型地包括-用于提供輻射投影光束的輻射系統(tǒng)；-用于支承構(gòu)圖裝置(patterningmeans)的支承結(jié)構(gòu)，所述構(gòu)圖裝置用于根據(jù)期望的圖案對投影光束進行構(gòu)圖；-用于保持基底的基底臺(substratetable)；和-用于將帶圖案的光束投影到基底的目標部分上的投影系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
：這里使用的術(shù)語“構(gòu)圖裝置”應(yīng)廣義地解釋為能夠給入射的輻射束賦予帶圖案的截面的部件，其中所述圖案與要在基底的目標部分上形成的圖案一致；本文中也使用術(shù)語“光閥”。一般地，所述圖案與在目標部分中形成的特定功能層相應(yīng)，例如集成電路或其他器件(見下文)。這些構(gòu)圖裝置的例子包括-掩模。掩模的概念在光刻中是公知的。它包括如二進制型、交替相移型、和衰減相移型的掩模類型，以及各種混合掩模類型。這種掩模在輻射光束中的布置使入射到掩模上的輻射能夠根據(jù)掩模上的圖案而選擇性的被透射(在透射掩模的情況下)或者被反射(在反射掩模的情況下)。在使用掩模的情況下，支承結(jié)構(gòu)一般是一個掩模臺，它能夠保證掩模被保持在入射輻射光束中的期望位置，并且如果需要該掩模臺會相對所述光束移動；-可編程反射鏡陣列。這種設(shè)備的一個例子是具有一粘彈性控制層和一反射表面的矩陣可尋址表面。這種裝置的基本原理是(例如)反射表面的已尋址區(qū)域?qū)⑷肷涔夥瓷錇檠苌涔?，而未尋址區(qū)域?qū)⑷肷涔夥瓷錇闉榉茄苌涔狻Ｓ靡粋€適當?shù)臑V光器，從反射的光束中過濾出所述非衍射光，只保留衍射光；按照這種方式，光束根據(jù)矩陣可尋址表面的定址圖案而產(chǎn)生圖案?？删幊谭瓷溏R陣列的另一實施例利用微小反射鏡的矩陣排列，通過使用適當定位的電場，或者通過使用壓電致動器裝置，使得每個反射鏡能夠獨立地關(guān)于一軸傾斜。再者，反射鏡是矩陣可尋址的，由此已定址反射鏡以不同的方向?qū)⑷肷涞妮椛涔馐瓷涞轿炊ㄖ返姆瓷溏R上；按照這種方式，根據(jù)矩陣可尋址反射鏡的定址圖案對反射光束進行構(gòu)圖?？梢杂眠m當?shù)碾娮友b置進行該所需的矩陣尋址。在上述兩種情況中，構(gòu)圖裝置可包括一個或者多個可編程反射鏡陣列。反射鏡陣列的更多信息可以從例如美國專利US5,296,891、美國專利US5,523,193、PCT專利申請WO98/38597和WO98/33096中獲得，這些文獻在這里引入作為參照。在可編程反射鏡陣列的情況中，所述支承結(jié)構(gòu)可以是例如框架或者工作臺，所述結(jié)構(gòu)根據(jù)需要可以是固定的或者是可移動的；和-可編程LCD陣列，這種結(jié)構(gòu)的例子在例如由美國專利US5,229,872中給出。如上所述，在這種情況下支承結(jié)構(gòu)可以是例如框架或者工作臺，所述結(jié)構(gòu)根據(jù)需要可以是固定的或者是可移動的。為簡單起見，本文的其余部分在某些位置具體以掩模和掩模臺為例；可是，在這樣的例子中所討論的一般原理應(yīng)適用于上述更寬范圍的構(gòu)圖裝置。光刻投影裝置可以用于例如集成電路(IC)的制造。在這種情況下，構(gòu)圖裝置可產(chǎn)生對應(yīng)于IC每一層的電路圖案，該圖案可以成像在已涂覆輻射敏感材料(抗蝕劑)層的基底(硅片)的目標部分上(例如包括一個或者多個管芯(die))。一般的，單晶片將包含相鄰目標部分的整個網(wǎng)格，該相鄰目標部分由投影系統(tǒng)逐個相繼輻射。在目前采用掩模臺上的掩模進行構(gòu)圖的裝置中，有兩種不同類型的機器。一類光刻投影裝置是，通過一次曝光目標部分上的整個掩模圖案而輻射每一個目標部分；這種裝置通常稱作晶片步進器(stepper)或步進重復(fù)(step-and-repeat)裝置。另一種裝置-通常稱作步進掃描裝置-通過在投影光束下沿給定的參考方向(“掃描”方向)依次掃描掩模圖案、并同時沿與該方向平行或者反平行的方向同步掃描基底臺來輻射每一目標部分；因為一般來說，投影系統(tǒng)有一個放大系數(shù)M(通常＜1)，因此對基底臺的掃描速度V是對掩模臺掃描速度的M倍。這里描述的關(guān)于光刻設(shè)備的更多信息可以從例如美國專利US6,046,792中獲得。在用光刻投影裝置的制造方法中，(例如在掩模中的)圖案成像在至少部分由一層輻射敏感材料(抗蝕劑)覆蓋的基底上。在這種成像步驟之前，可以對基底可進行各種處理，如打底，涂敷抗蝕劑和弱烘烤。在曝光后，可以對基底進行其它的處理，如曝光后烘烤(PEB)，顯影，強烘烤和測量/檢查成像特征。以這一系列工藝為基礎(chǔ)，對例如IC的器件的單層形成圖案。然后這種圖案層可進行任何不同的處理，如蝕刻、離子注入(摻雜)、鍍金屬、氧化、化學(xué)-機械拋光等完成一單層所需的所有處理。如果需要多層，那么對每一新層重復(fù)全部步驟或者其變化。最終，在基底(晶片)上出現(xiàn)器件陣列。然后采用例如切割或者鋸斷的技術(shù)將這些器件彼此分開，單個器件可以安裝在載體上，與管腳連接等。關(guān)于這些步驟的進一步信息可從例如PetervanZant的“微型集成電路片制造半導(dǎo)體加工實踐入門(MicrochipFabricationAPracticalGuidetoSemiconductorProcessing)”一書(第三版，McGrawHillPublishingCo.，1997，ISBN0-07-067250-4)中獲得，這里作為參考引入。為了簡單起見，投影系統(tǒng)在下文稱為“鏡頭”；可是，該術(shù)語應(yīng)廣義地解釋為包含各種類型的投影系統(tǒng)，包括例如折射光學(xué)裝置、反射光學(xué)裝置和反折射系統(tǒng)。輻射系統(tǒng)還可以包括根據(jù)這些設(shè)計類型中任一設(shè)計的操作部件，該操作部件用于引導(dǎo)、整形或者控制輻射的投影光束，這種部件在下文還可共同地或者單獨地稱作“鏡頭”。另外，光刻裝置可以具有兩個或者多個基底臺(和/或兩個或者多個掩模臺)。在這種“多臺式(multiplestage)”器件中，可以并行使用這些附加臺，或者可以在一個或者多個臺上進行準備步驟，而一個或者多個其它臺用于曝光。例如在美國專利US5,969,441和WO98/40791中描述的二級光刻裝置。在典型的光刻設(shè)備中，通過基底軌道(track)和基底處理器(handler)將基底傳送到光刻投影裝置的基底臺上。在基底軌道中基底的表面被預(yù)處理?；椎念A(yù)處理典型地包括用輻射敏感材料(抗蝕劑)層至少部分地覆蓋基底。進一步，在成像步驟之前，基底可經(jīng)過各種其他預(yù)處理工序，如打底，和弱烘烤。在基底預(yù)處理之后，通過基底處理器將基底從基底軌道傳送到基底臺(stage)。基底處理器典型地適合將基底精確定位在基底臺上，且還可以控制基底的溫度。對于確定的光刻投影裝置，例如使用遠紫外輻射(簡寫EUV輻射)的裝置，只有在真空條件下才能獲得基底上的投影。因此基板處理器應(yīng)適合將預(yù)處理的基底轉(zhuǎn)移到真空中。那就典型地意味著至少在基底軌道中基底的預(yù)處理之后，基底的處理和溫度控制必須在真空中完成。對于另一類型的光刻投影裝置，例如在N2環(huán)境中使用如157nm輻射操作的裝置，保持特殊的氣體環(huán)境，例如N2環(huán)境是必要的。因此基底處理器應(yīng)適合將預(yù)處理的基底轉(zhuǎn)移進特殊氣體環(huán)境中。那通常意味著至少在基底軌道中基底的預(yù)處理之后，基底的處理和溫度控制必須在特殊氣體環(huán)境中完成。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的第一方面第一方面，本發(fā)明涉及一種構(gòu)成光刻投影組件部分的裝載鎖閉裝置(loadlock)。裝載鎖閉裝置是用于將物體例如基底，從第一環(huán)境轉(zhuǎn)移到第二環(huán)境的裝置，由此例如其中的一個環(huán)境具有比另一個環(huán)境較低的氣壓。在兩個環(huán)境中氣壓也是可以相同的。其本質(zhì)是裝載鎖閉裝置是在兩個或更多個具有不同條件例如不同的氣壓、不同的溫度、不同的氣體成分或氣氛(atmospheres)、以及其它的環(huán)境之間的中間空間。從以前的技術(shù)可以了解到，裝載鎖閉裝置設(shè)有單一的支承位置(supportposition)。該支承位置用于將來自第一環(huán)境的要轉(zhuǎn)移的物體轉(zhuǎn)移到第二環(huán)境，以及將來自第二環(huán)境的要轉(zhuǎn)移的物體轉(zhuǎn)移到第一環(huán)境。在從第一環(huán)境到第二環(huán)境的物體轉(zhuǎn)移過程中，裝載鎖閉裝置的內(nèi)部被排氣。排氣需要花費一定量的時間。為了提高從第一環(huán)境轉(zhuǎn)移到第二環(huán)境的物體的數(shù)量，提高排氣過程的速度是有可能的。然而依照以前的技術(shù)，裝載鎖閉裝置的排氣仍需要一個最小時間量。鑒于容納光刻投影組件的部件的空間較小的事實，本發(fā)明的第一方面的目的是提高光刻投影組件的生產(chǎn)量。依照本發(fā)明的第一方面，通過提供下述光刻投影組件達到該目的，該光刻投影組件包含至少一個用于在第一環(huán)境與第二環(huán)境之間轉(zhuǎn)移物體尤其是基底的裝載鎖閉裝置；包含處理室的物體處理器，在該處理室內(nèi)第二環(huán)境占優(yōu)勢，物體處理器和裝載鎖閉裝置被構(gòu)造和布置成在它們之間轉(zhuǎn)移物體，和包括投影室的光刻投影裝置；其中所述處理室和投影室為了在它們之間轉(zhuǎn)移物體而相通，且其中所述裝載鎖閉裝置包括裝載鎖閉裝置室，該裝載鎖閉裝置室設(shè)有至少兩個彼此不同的物體支承位置。在裝載鎖閉裝置內(nèi)存在至少兩個物體支承位置例如第一和第二二支承位置的優(yōu)點是，在一個裝載鎖閉裝置循環(huán)內(nèi)第一物體可以定位在一個物體支承位置上，第二物體可以從另一個物體支承位置移除。例如，當打開裝載鎖閉裝置以將裝載鎖閉裝置室內(nèi)部與第二環(huán)境連接時，這就使首先在一個物體支承位置上定位處理過的基底，而后移動已經(jīng)定位在另一個物體支承位置上將要處理的物體成為可能。接著，在關(guān)閉所述裝載鎖閉裝置室和朝向第一環(huán)境將所述裝載鎖閉裝置室通氣之后，所述裝載鎖閉裝置室內(nèi)部與第一環(huán)境相連接，能移去處理過的物體和插入新的將要被處理的物體。然后可以將裝載鎖閉裝置排氣并重復(fù)在前的步驟，等等。該步驟能夠使在第一和第二環(huán)境之間的轉(zhuǎn)移物體例如基底的時間變得有效率。此外用于移動像操縱器如機械手這樣的設(shè)備所必需的時間能保持到最小，其中該設(shè)備用于抓住和操縱將在第一環(huán)境和第二環(huán)境之間轉(zhuǎn)移的物體，例如基底。倘若兩個環(huán)境之間的差別在于將裝載鎖閉裝置內(nèi)部排氣時兩個環(huán)境的氣壓，該氣壓差就會影響裝載鎖閉裝置室內(nèi)的溫度。由于該氣壓差，裝載鎖閉裝置室內(nèi)的物體如基底的溫度也會受到影響。至于在光刻投影組件中的將要被處理的物體，該物體的溫度是需要控制的因素之一。這在當基底在光刻投影裝置內(nèi)時尤其適用，然而這也意味著在向光刻投影裝置的轉(zhuǎn)移過程中，應(yīng)注意基底的溫度。在將物體經(jīng)過裝載鎖閉裝置轉(zhuǎn)移的過程中，為了改善物體的溫度控制，依照本發(fā)明的一個實施例，所述裝載鎖閉裝置包括體積減小裝置用來減小氣體體積尤其是定位于至少一個物體支承位置上的鄰近物體表面的氣體體積。由于這個措施，鄰近物體表面的氣體體積會最小化。那就意味著在物體的轉(zhuǎn)移過程中由氣壓差導(dǎo)致的溫度差會保持到最小。依照本發(fā)明該方面的一個實施方案，所述至少一個物體支承位置包括尺寸大約等于或大于被支承的物體的支承板，頂棚板，設(shè)在所述至少一個物體支承位置上面，所述頂棚板具有大約等于或大于所述物體的尺寸；和所述體積減小裝置，包括一個定位裝置，用來●在所述裝載鎖閉裝置室的排氣之前和/或該過程中減小所述支承板和所述至少一個物體支承位置的所述頂棚板之間的距離；和●在物體從所述至少一個物體支承位置移去或?qū)⑽矬w遞送到所述至少一個物體支承位置上之前，增大所述支承板與所述頂棚板之間的距離。尺寸大約等于或大于被支承的物體的支承板是指，在基底的情況下，阻止所述基底的支承側(cè)與鄰近于基底的氣體體積相接觸或，當所述支承板是以前技術(shù)中公知的小突起片(pimpledplate)時，所述支承側(cè)與存在于基底的支承側(cè)，支承板和所述支承板的小突起(pimples)之間的氣體體積具有有限的接觸。所述頂棚板可以是布置在裝載鎖閉裝置室內(nèi)的單獨的板元件以及鎖閉裝置室的壁或存在于鎖閉裝置室內(nèi)的任何元件的表面，它也需要具有大約等于或大于所述基底的尺寸，以使鄰近基底上表面的氣體體積能夠最小化。依照本發(fā)明該方面進一步的實施方案，所述定位裝置適合作用于所述支承板，而相應(yīng)的頂棚板優(yōu)選以固定的方式布置在所述裝載鎖閉裝置室內(nèi)。這個布置在縮短用于處理基底從夾子到基底支承位置上，或反之，處理基底從基底支承位置到夾子上所需要的時間方面提供了優(yōu)點。依照本發(fā)明該方面進一步的實施方案，所述定位裝置設(shè)在所述裝載鎖閉裝置室的側(cè)面和/或在所述裝載鎖閉裝置室的頂部和/或在所述裝載鎖閉裝置室的底部。這個布置允許從前側(cè)以及從后側(cè)自由進入裝載鎖閉裝置室。為了補償在通過裝載鎖閉裝置室轉(zhuǎn)移過程中作用在物體上的溫度影響和/或為了使物體在早期階段受到溫度處理，依照本發(fā)明的一個實施方案，所述裝載鎖閉裝置，優(yōu)選是一個或多個具有所述至少兩個支承位置的裝載鎖閉裝置，包括熱處理裝置，用來使物體達到預(yù)定的溫度和/或使整個物體上的溫度均衡。在該方面，依照本發(fā)明的一個實施方案，包含一個或多個所述至少兩個支承位置的支承板設(shè)有熱處理裝置。這種熱處理裝置可以是，例如管線的形式，例如管子或通道，其設(shè)在各自支承板的內(nèi)部，通過所述的管線抽吸流體，以控制支承板的溫度，且經(jīng)由支承板控制物體的溫度。依照本發(fā)明該方面進一步的實施方案，兩個所述的至少兩個支承位置，一個放置在另一個的上面。這種情況下，有利于熱處理裝置定位在所述的兩個支承位置之間。熱處理裝置可以是，例如帶有內(nèi)部管線的板，通過該內(nèi)部管線抽吸流體，就像以前描述的一樣。這種結(jié)構(gòu)的優(yōu)點是通過提供熱處理裝置可以節(jié)省空間和裝置，該熱處理裝置可以用于所述熱處理裝置上面的支承位置和所述熱處理裝置下面的支承位置的熱處理。倘若一個且相同的裝載鎖閉裝置用于轉(zhuǎn)移在光刻投影裝置中將要被處理的物體，以及在所述光刻投影裝置中處理過的物體，值得注意的是一般地所述熱處理對于仍要被處理的物體來說是非常重要的，對于已經(jīng)處理的物體不太重要，但這取決于仍相當重要的后面的處理工序。這意味著布置在兩個支承位置之間的熱處理裝置對于兩個支承位置來說不需要有相同的效果，至少可以設(shè)想其中一個支承位置用于仍需要被處理的物體，另一個支承位置用于已經(jīng)處理過的物體。依照本發(fā)明的一個實施方案，就像已經(jīng)指出的，當所述熱處理裝置包括管線例如管子或通道和用來通過所述的管線泵送流體的流體泵送系統(tǒng)是有利的，所述管線設(shè)在支承板內(nèi)和/或裝載鎖閉裝置室的一個或多個壁內(nèi)。依照本發(fā)明該方面的又一個優(yōu)選實施方案，所述裝載鎖閉裝置室包括頂壁和底壁，其中所述排氣裝置包括排氣開口，其設(shè)在所述裝載鎖閉裝置室的底壁中，和其中所述裝載鎖閉裝置包括通氣(venting)開口，其設(shè)在所述裝載鎖閉裝置室的頂壁中。通過從所述底壁排氣和從所述頂壁通氣，裝置內(nèi)的氣流會從頂部到底部。這意味著粒子，如果存在的話，將會被氣體從裝載鎖閉裝置室的上部傳送到下部。所述粒子會沉積在裝載鎖閉裝置室的底部或從裝載鎖閉裝置室移除。在這個方面，優(yōu)選所述的通氣開口和所述的排氣開口相對于所述支承位置居中布置，所述支承位置一個布置在另一個上面。這就為在排氣和或/通氣以移除粒子的過程中使用產(chǎn)生于裝載鎖閉裝置室內(nèi)部的氣流提供了可能性，所述粒子可能放置在或可能粘附在裝載鎖閉裝置室內(nèi)的基底上。所述頂壁和/或底壁可以固定，但不是必需固定，有利地，為了維修的目的頂壁和底壁是可移動的。依照該方面的進一步的實施方案，其中所述的投影室是一個真空室，所述的光刻投影裝置包括真空裝置，用來在所述真空室中形成和維持真空。真空意味著絕對氣壓大約0.1巴或更小。依照本發(fā)明該方面的進一步的實施方案，其中所述投影裝置包括-用于提供輻射投影光束的輻射系統(tǒng)；-用于支承構(gòu)圖裝置(patterningmeans)的支承結(jié)構(gòu)，所述構(gòu)圖裝置用于根據(jù)期望的圖案對投影光束進行構(gòu)圖；-用于保持基底的基底臺(substratetable)；和-用于將形成圖案的光束投影到基底的目標部分上的投影系統(tǒng)。依照本發(fā)明該方面的進一步的實施方案，所述物體是半導(dǎo)體晶片。依照本發(fā)明該方面的進一步的實施方案，所述門裝置包括朝向所述第一環(huán)境的第一門和朝向所述第二環(huán)境的第二門。由于具有兩個門，每一個朝向一個環(huán)境，這就避免了不得不操作裝載鎖閉裝置室本身。所述裝載鎖閉裝置室可以設(shè)置在一個固定的位置。這提高了裝載鎖閉裝置的輸入速度。為了提高光刻投影組件的生產(chǎn)量，依照本發(fā)明的一個實施方案，當光刻投影組件具有兩個或多個裝載鎖閉裝置時是有利的。裝載鎖閉裝置的生產(chǎn)量方面的限制因素是通氣和排氣所需要的時間。通過具有兩個或更多個裝載鎖閉裝置，可以在一個時間段內(nèi)向第二環(huán)境提供更多個物體。例如一個裝載鎖閉裝置可以向第二環(huán)境打開，同時另一個裝載鎖閉裝置已經(jīng)包含了一個物體，該物體是后來將要被轉(zhuǎn)移到第二環(huán)境中的。依照第一方面，本發(fā)明進一步涉及一種光刻投影組件，包括用于在第一環(huán)境和第二環(huán)境之間轉(zhuǎn)移物體特別是基底的至少一個裝載鎖閉裝置；物體處理器，其包括一個處理室，在其中第二環(huán)境占優(yōu)勢，所述物體處理器和所述裝載鎖閉裝置被構(gòu)造和布置成在它們之間轉(zhuǎn)移物體，和光刻投影裝置，其包括一個投影室；其中所述處理室和投影室為了在它們之間轉(zhuǎn)移物體而相通，且其中所述裝載鎖閉裝置包括一個裝載鎖閉裝置室，該裝載室設(shè)有至少兩個彼此不同的物體支承位置，其中所述物體處理器結(jié)合在所述裝載鎖閉裝置內(nèi)，以使所述處理室和所述裝載鎖閉裝置室是相同的。這就導(dǎo)致一個更加緊湊的組件。依照本發(fā)明的第一方面，本發(fā)明也涉及一種上面討論的裝載鎖閉裝置。換言之本發(fā)明也涉及一種在第一環(huán)境和第二環(huán)境之間用于轉(zhuǎn)移物體特別是基底的裝載鎖閉裝置，其中所述裝載鎖閉裝置包括裝載鎖閉裝置室，該裝載室設(shè)有至少兩個彼此不同的物體支承位置。本發(fā)明也尤其涉及一種在第一環(huán)境和第二環(huán)境之間用于轉(zhuǎn)移物體特別是基底的裝載鎖閉裝置，所述第二環(huán)境具有比所述第一環(huán)境低的氣壓；其中所述裝載鎖閉裝置包括裝載鎖閉裝置室；排氣裝置，用于將所述的裝載鎖閉裝置室排氣；門裝置，用于在排氣過程中關(guān)閉所述裝載鎖閉裝置室，和打開所述裝載鎖閉裝置室以使物體進入裝載鎖閉裝置室和從所述裝載鎖閉裝置室移除物體，其中所述裝載鎖閉裝置室設(shè)有至少兩個物體支承位置。涉及光刻投影組件的從屬權(quán)利要求也可以被看作是從屬于這個裝載鎖閉裝置權(quán)利要求，構(gòu)成裝載鎖閉裝置優(yōu)選實施方案的權(quán)利要求。依照本發(fā)明該方面，本發(fā)明也涉及一種依照本發(fā)明的裝載鎖閉裝置組件和晶片軌道系統(tǒng)，其中面向所述的第一環(huán)境的所述的門裝置在晶片軌道(track)系統(tǒng)處有出口。依照該方面，本發(fā)明也涉及一種在第一環(huán)境和第二環(huán)境之間轉(zhuǎn)移物體，尤其是基底的方法，該方法使用裝載鎖閉裝置優(yōu)選上面描述的裝載鎖閉裝置，所述裝載鎖閉裝置具有裝載鎖閉裝置室，該方法包括-將第一物體定位在裝載鎖閉裝置內(nèi)的第一物體支承位置上，-關(guān)閉所述裝載鎖閉裝置以密封第一物體，-通過排氣裝置將所述裝載鎖閉裝置排氣，-打開所述裝載鎖閉裝置以將裝載鎖閉裝置與第二環(huán)境相連，-將第二物體定位在所述裝載鎖閉裝置內(nèi)的第二物體支承位置上和從第一物體支承位置移除第一物體。這個方法的優(yōu)點從以前的關(guān)于光刻投影組件的描述是很清楚的。依照本發(fā)明該方面的方法的一個實施方案，當所述方法相繼地包括下述步驟時是有利的-關(guān)閉裝載鎖閉裝置以密封第二物體，-將所述裝載鎖閉裝置通氣，-打開裝載鎖閉裝置以將裝載鎖閉裝置與第一環(huán)境相連，和-從裝載鎖閉裝置移除第二物體。依照本發(fā)明的實施方案，當定位第二物體是在移除第一物體之前執(zhí)行時，且當所述的定位和移除兩個步驟用相同的夾子執(zhí)行時，可以提高所述方法的生產(chǎn)量。由于前面解釋的原因，依照本發(fā)明實施方案的方法，在裝載鎖閉裝置的排氣之前有利地包括減小與定位在第一物體支承位置上的第一物體鄰近的氣體體積。本發(fā)明的第二方面本發(fā)明的進一步目標是提供一種具有以下布置的光刻投影組件，該布置能使用有限數(shù)量的傳送裝置以在第一環(huán)境例如基底軌道與投影室之間有效地轉(zhuǎn)移基底，所述投影室一般包括基底臺。依照本發(fā)明，這個目標在光刻投影組件內(nèi)達到，該光刻投影組件包括●用于在第一環(huán)境和第二環(huán)境之間轉(zhuǎn)移基底的至少兩個裝載鎖閉裝置，第二環(huán)境具有比第一環(huán)境低的氣壓；●基底處理器，其包括處理室，在其中第二環(huán)境占優(yōu)勢；●光刻投影裝置，包括投影室；所述處理室和所述投影室一方面通過裝載位置相通以使基底從處理室進入投影室，另一方面，通過卸載位置用于將基底從投影室移進處理室，在這個方面應(yīng)當注意的是所述裝載位置和卸載位置可以是一個且相同的位置，也可以是不同的位置；所述處理室設(shè)有●預(yù)處理裝置，例如預(yù)對準裝置和/或熱處理裝置，用于基底的預(yù)處理；和傳輸裝置，適合將基底從裝載鎖閉裝置轉(zhuǎn)移到預(yù)處理裝置和從預(yù)處理裝置轉(zhuǎn)移到裝載鎖閉裝置，以及將基底從卸載位置轉(zhuǎn)移到裝載鎖閉裝置。所述裝載鎖閉裝置能將基底從第一環(huán)境例如空氣環(huán)境進入到第二環(huán)境，第二環(huán)境具有比第一環(huán)境低的氣壓，所述第二環(huán)境例如是真空，或接近真空。處理室中第二環(huán)境占優(yōu)勢。所述處理室包括傳輸裝置，用于將基底從裝載鎖閉裝置轉(zhuǎn)移到投影室，反之亦然。所述處理室也包括預(yù)處理裝置，例如預(yù)對準裝置，用于精確定位基底-以使得隨后在投影室中基底可以得到非常精確地處理一，和/或熱處理裝置，用于基底的熱處理以使其達到預(yù)定的溫度和/或使整個基底的溫度均衡和/或調(diào)節(jié)基底的溫度。所述預(yù)對準裝置一般包括用于相對于某個參考點來確定和/或糾正基底的位置的部件。通過提供至少兩個裝載鎖閉裝置，投影裝置中將要被處理的基底以及投影裝置中處理過的基底的生產(chǎn)量得到提高，這又必定增加傳輸裝置的數(shù)量，例如機器人的數(shù)量，或提高傳輸裝置的處理速度。依照一個實施方案，所述投影室是一個真空室，所述光刻投影裝置包括真空裝置，以在真空室中形成或維持真空。這樣的光刻投影組件尤其適合使用EUV輻射，其需要在真空下處理基底。對于真空，可以理解為絕對氣壓低于0,1巴(bar)。依照一個實施方案，所述傳輸裝置包括一個單一的，尤其僅僅一個操縱器，該操縱器設(shè)有夾子，且所述光刻投影組件包括適合控制操縱器的控制裝置，用于●從一個所述裝載鎖閉裝置抓取基底，并將所述基底轉(zhuǎn)移到預(yù)處理裝置；●從預(yù)處理裝置抓取基底，并將所述基底轉(zhuǎn)移到所述裝載位置；和●從所述卸載位置抓取基底，并將所述基底轉(zhuǎn)移到所述裝載鎖閉裝置中的一個上。這個實施方案能使用最小數(shù)量的操縱器，又節(jié)省了空間和成本。依照進一步的實施方案，所述光刻投影組件特征在于所述傳輸裝置包括第一操縱器，其設(shè)有第一夾子；和第二操縱器，其設(shè)有第二夾子，且在光刻投影組件中包括適合控制第一和第二操縱器的控制裝置，用來●用第一夾子從一個所述裝載鎖閉裝置上抓取基底，并將所述基底轉(zhuǎn)移到預(yù)處理裝置；●用第二夾子從預(yù)處理裝置上抓取基底，并將所述基底轉(zhuǎn)移到裝載位置；●用第一夾子從卸載位置上抓取基底，并將所述基底轉(zhuǎn)移到所述裝載鎖閉裝置的一個中。通過提供第一和第二操縱器和因此合適的控制裝置，可以實現(xiàn)第二夾子僅把將要被處理的基底轉(zhuǎn)移進投影室中。這意味著，在預(yù)處理裝置的預(yù)處理后，所述基底被第二夾子處理，其非常精確地工作，而第一夾子可以允許較低精度的操作，這又降低了對第一夾子和操縱器的要求。任選地，預(yù)處理裝置可以包括預(yù)對準基底的預(yù)對準裝置，用于提高基底位置的精確性。第一夾子僅向裝載鎖閉裝置轉(zhuǎn)移已處理過的基底，以及從裝載鎖閉裝置移出將要被處理的基底。因此，通過使用一個用于向裝載鎖閉裝置轉(zhuǎn)移和從裝載鎖閉裝置移出基底的操縱器，在繁忙的基底通行交通的區(qū)域中得到了一個節(jié)省結(jié)構(gòu)的空間。進一步，通過使用用于將基底遞送進投影室的第二操縱器和通過使用用于將基底從投影室移出的第一操縱器，在投影室和處理室之間的交換率得到提高。為了提高生產(chǎn)量，依照本發(fā)明的一個實施方案，當?shù)谝缓?或第二夾子設(shè)有熱處理裝置，用于將基底達到預(yù)定的溫度和/或使整個基底上的溫度均衡，和/或調(diào)節(jié)基底的溫度時是有利的。通過這個實施方案，用于基底轉(zhuǎn)移的時間同時被用于基底的熱處理。基底溫度的調(diào)節(jié)會使所述基底溫度的干擾最小化。為了使所需要的操縱器的數(shù)量最小化，依照本發(fā)明的一個實施方案，當所述至少兩個裝載鎖閉裝置包括第一和第二裝載鎖閉裝置時是有利的，為了與所述的第一和第二裝載鎖閉裝置相配合，定位所述單一的操縱器或第一操縱器。因此，從基底處理器的測面，一個且相同的操縱器服務(wù)于兩個裝載鎖閉裝置。進一步，這個構(gòu)形提高了基底的生產(chǎn)量。當服務(wù)于裝載鎖閉裝置的操縱器為了將基底定位在第一裝載鎖閉裝置內(nèi)或?qū)⒒讖牡谝谎b載鎖閉裝置收回而被使用時，所述第二裝載鎖閉裝置能同時用于在第一環(huán)境和第二環(huán)境之間轉(zhuǎn)移基底。依照一個進一步的實施方案，所述至少一個裝載鎖閉裝置，例如第一和/或第二裝載鎖閉裝置，設(shè)有第一和第二基底支承位置。這提高了使用所述至少一個裝載鎖閉裝置的靈活性。例如，當一個裝載鎖閉裝置將一個將要被處理的基底引進基底處理器時，所述操縱器可以首先將一個處理過的基底遞送到裝載鎖閉裝置內(nèi)的一個空的支承位置上，然后取走所引進的將要被處理的基底。這降低了操縱器的運動次數(shù)。依照進一步的一個實施方案，第一和第二裝載鎖閉裝置與基底軌道(substratetrack)相連，用于向第一和第二裝載鎖閉裝置的基底供給和從第一和第二裝載鎖閉裝置的基底移除。依照進一步的一個實施方案，所述光刻投影組件還包括第三裝載鎖閉裝置，用于將物體，例如基底從第三環(huán)境轉(zhuǎn)移到第二環(huán)境，所述第三裝載鎖閉裝置設(shè)在面向第三環(huán)境的側(cè)面上，可自由到達。這種可自由到達的第三裝載鎖閉裝置一方面能將特殊物體引進光刻投影組件，該物體例如替換部件、工具等等，其由于某些原因需要進入光刻投影組件。通過第三裝載鎖閉裝置實施這些操作，可以維持在處理室和/或投影室內(nèi)的真空或接近真空條件。為了能將第三裝載鎖閉裝置用作臨時緩沖器或存儲位置，依照本發(fā)明的一個實施方案，當所述控制裝置適合下述操作時是有利的，即用所述傳輸裝置將基底放進所述第三裝載鎖閉裝置，所述被放置的基底在第三裝載鎖閉裝置內(nèi)的同時保持第三裝載鎖閉裝置的外部門關(guān)閉，和在所述的傳輸裝置轉(zhuǎn)移其他基底后，用相同的傳輸裝置夾子來抓取和轉(zhuǎn)移所述的被放置的基底。為了提高光刻投影組件的靈活性，依照本發(fā)明的一個實施方案，當所述控制裝置適合彼此獨立地控制裝載鎖閉裝置時是有利的。這意味著所述裝載鎖閉裝置在相位上彼此相對不耦合，除非控制裝置在裝載鎖閉裝置上施加一個確定的相位差。事實上所述裝載鎖閉裝置可以是被驅(qū)動的項目(events)，所述項目在控制裝置的控制下。依照本發(fā)明一個進一步的實施方案，一個或更多個所述至少兩個裝載鎖閉裝置包括一個附加的門，用于將物體例如基底從第四環(huán)境轉(zhuǎn)移到第二環(huán)境，所述附加的門面對第四環(huán)境，且可以自由到達。這種可自由到達的附加的門能將特殊物體引進光刻投影組件，該物體例如是替換部件、工具等等，其由于某些原因需要進入光刻投影組件。通過附加的門實施這些操作，可以維持在處理室和/或投影室內(nèi)的第二環(huán)境的真空度，同時裝載鎖閉裝置第一環(huán)境側(cè)的位置可以保持在與裝載鎖閉裝置沒有脫開的地方。這里自由到達意思是通過操作器而不需要移動大部分的硬件便可到達，所述裝載鎖閉裝置或它的象這樣的附加的門可以任意地被蓋子密封。依照一個進一步的實施方案，預(yù)處理裝置包括熱處理裝置，用于使基底達到預(yù)定的溫度和/或使整個基底上的溫度均衡。通過提供帶有熱處理裝置的預(yù)處理裝置，能在裝載鎖閉裝置內(nèi)實施熱處理或在裝載鎖閉裝置內(nèi)只允許一個適度的熱處理。通過這個實施方案，裝載鎖閉裝置的生產(chǎn)量可以提高，其生產(chǎn)量是總體上光刻投影組件的總生產(chǎn)量中的決定因素中的一個。進一步的優(yōu)點，因為預(yù)對準作業(yè)能花費較大量的時間，所以當預(yù)處理裝置也包括預(yù)對準裝置時，熱處理裝置與預(yù)對準裝置的組合會導(dǎo)致在預(yù)對準的同時有效的熱處理。依照一個進一步的實施方案，所述基底是半導(dǎo)體晶片。依照本發(fā)明當前方面的一個子方面，本發(fā)明也涉及一種處理裝置，用于處理基底，包括依照本發(fā)明的所述組件，但是沒有投影裝置。這種處理裝置，叫做基底處理器組件，它能更加清楚地限定為，包括●至少兩個裝載鎖閉裝置，用于將基底從第一環(huán)境轉(zhuǎn)移到第二環(huán)境，所述第二環(huán)境具有比第一環(huán)境低的氣壓；●基底處理器，包括一個處理室，在其內(nèi)第二環(huán)境占優(yōu)勢；所述處理室的連通一方面通過裝載位置，用來使基底從處理室進入下一個位置，另一方面，通過卸載位置，用于使基底從所述下一個位置移進處理室；所述處理室設(shè)有●預(yù)處理裝置，用于基底的處理；和●傳輸裝置，適合將基底從所述裝載鎖閉裝置轉(zhuǎn)移到所述預(yù)處理裝置和從所述預(yù)處理裝置轉(zhuǎn)移到所述裝載位置，以及適合將基底從所述卸載位置轉(zhuǎn)移到所述裝載鎖閉裝置。對于所述處理裝置和所述基底處理器組件，與依照本發(fā)明的光刻投影組件一樣，當它進一步包括一個軌道時是有利的，其中至少所述至少兩個裝載鎖閉裝置布置成在所述軌道和所述基底處理器之間。依照本發(fā)明當前方面的子方面，也提供了一種處理基底的方法，包括下面的步驟a)通過所述裝載鎖閉裝置外部的門將基底從第一環(huán)境轉(zhuǎn)移進至少兩個裝載鎖閉裝置中的一個；b)關(guān)閉所述的外部門，并將所述一個裝載鎖閉裝置排氣；c)打開所述裝載鎖閉裝置的內(nèi)部門；d)使用第一操縱器從所述裝載鎖閉裝置抓取基底，并使用所述的第一操縱器將基底轉(zhuǎn)移到預(yù)處理裝置；e)用預(yù)處理裝置處理所述基底；f)用所述的第一操縱器或第二操縱器從預(yù)處理裝置抓取所述基底；g)使用所述的第一或第二操縱器將基底從預(yù)處理裝置轉(zhuǎn)移到裝載位置；h)處理所述基底，并將基底遞送到卸載位置；i)使用所述的第一操縱器從卸載位置上抓取所述基底；并通過所述內(nèi)部門將基底轉(zhuǎn)移進所述的裝載鎖閉裝置或通過內(nèi)部門轉(zhuǎn)移進另外一個裝載鎖閉裝置；j)關(guān)閉各自的內(nèi)部門，并將各自的裝載鎖閉裝置通氣；和k)打開所述的各自的裝載鎖閉裝置，并將基底從所述的各自的裝載鎖閉裝置移除。這個方法可以用最小數(shù)量的操縱器且在時間上有效率地執(zhí)行。進一步的優(yōu)點可以從以前的描述部分清楚地看到。為了使投影室內(nèi)的將要處理的基底達到確定的溫度，在步驟c)之前，在步驟b)的排氣步驟的過程中和/或之后，熱處理所述基底是有利的。通過這個實施方案，例如可以利用排氣所需要的時間來使所述基底經(jīng)歷至少一部分的熱處理，所述熱處理是它必須經(jīng)歷的。依照一個進一步的實施方案，當所述基底在預(yù)處理裝置時，可以熱處理所述基底。通過這個實施方案，可以有利地利用預(yù)對準所需要的時間(時間相對長)來使基底經(jīng)歷其所需的一部分或全部的熱處理。為了提高第一環(huán)境和第二環(huán)境之間的交換速度，依照本發(fā)明的一個實施方案，當步驟d)相對于一個裝載鎖閉裝置被執(zhí)行，而步驟a)和/或b)和/或c)和/或j和/或k在另外一個裝載鎖閉裝置內(nèi)同時被執(zhí)行時是有利的。依照一個進一步的實施方案，所述基底是半導(dǎo)體晶片。依照該方面進一步的子方面，本發(fā)明提供了一種依照本發(fā)明該方面操作光刻投影組件的方法，包括啟動模式(startupmode)，常規(guī)操作模式和空運行模式(runemptymode)，所述至少兩個裝載鎖閉裝置的每一個都具有一個抽氣循環(huán)，在該循環(huán)內(nèi)各自裝載鎖閉裝置內(nèi)的氣壓減小，也具有一個通氣循環(huán)，在該循環(huán)內(nèi)各自裝載鎖閉裝置內(nèi)的壓力升高，其中，在啟動模式中，至少兩個裝載鎖閉裝置中的至少一個執(zhí)行所述的通氣循環(huán)而在各自的裝載鎖閉裝置內(nèi)沒有基底存在，同時各自的裝載鎖閉裝置執(zhí)行抽氣循環(huán)在，各自的裝載鎖閉裝置內(nèi)有基底存在；其中，在常規(guī)操作模式中，所述至少兩個裝載鎖閉裝置中的至少一個執(zhí)行抽氣循環(huán)和通氣循環(huán)，在各自的裝載鎖閉裝置內(nèi)有基底存在；其中，在空運行模式中，所述至少兩個裝載鎖閉裝置中的至少一個執(zhí)行抽氣循環(huán)，而在各自的裝載鎖閉裝置內(nèi)沒有基底存在，并且當各自的裝載鎖閉裝置執(zhí)行通氣循環(huán)時，在各自的裝載鎖閉裝置內(nèi)有基底存在時。這個方法使時間上有效率地利用至少兩個裝載鎖閉裝置-或交替地使用至少一個裝載鎖閉裝置(見下面某些段落在該方面的說明)-和用來以相對大的生產(chǎn)量連續(xù)持續(xù)幾天地操作例如依照本發(fā)明的光刻投影組件的傳輸裝置。在例如在光刻投影裝置中發(fā)生的或在向裝載鎖閉裝置移入將要被處理的基底時基底停滯的情況下，所述控制裝置會從常規(guī)操作模式切換到空運行模式。依據(jù)情況，這個空運行模式能操作很長時間或非常短的時間，例如僅僅一個裝載鎖閉裝置的一個通氣循環(huán)。當所述停滯解決時，所述控制裝置會依據(jù)情況直接切換到常規(guī)操作模式或啟動模式，可能隨后通過開關(guān)切換到常規(guī)操作模式，盡管依據(jù)情況切換回空運行模式也是可能的。所述啟動模式和所述空運行模式因此不僅僅發(fā)生在基底生產(chǎn)的開始或基底生產(chǎn)的結(jié)束，而是也發(fā)生在生產(chǎn)過程中。因此依照一個優(yōu)選的實施方案，一個或更多個開啟模式、常規(guī)操作模式和空運行模式依據(jù)發(fā)生在光刻投影組件中的基底處理過程中的事件而按任意順序重復(fù)。依照本發(fā)明的這個方法，當在僅僅一個單獨的裝載鎖閉裝置的情況下獲得了高效率，這個裝載鎖閉裝置設(shè)有第一和第二基底支承位置。當然也可以使用多于一個裝載鎖閉裝置，其全部或僅僅一些設(shè)有第一和第二基底支承位置是有利的。然而，在兩個或更多個裝載鎖閉裝置的情況下，倘若所有裝載鎖閉裝置或一些裝載鎖閉裝置具有僅僅一個基底支承位置，效率也會很高。依照本發(fā)明這個方面的光刻投影組件，也能僅僅使用一個裝載鎖閉裝置來操作，即在權(quán)利要求中詞語“至少兩個裝載鎖閉裝置”可以被“至少一個裝載鎖閉裝置”替換?！爸辽賰蓚€裝載鎖閉裝置”的一些優(yōu)點由于這個取代而丟失，可是許多其他優(yōu)點還在“一個裝載鎖閉裝置“的情況中還存在。進一步可以了解，依照本發(fā)明這個方面，操縱器，例如所述單一的操縱器和/或所述第一操縱器和/或所述第二操縱器可以僅僅設(shè)有一個夾子(優(yōu)選地)，也可以設(shè)有兩個或更多個夾子。簡要注釋盡管在本文中，給出了具體的依照本發(fā)明的裝置在制造IC中的使用，但是應(yīng)當明確地理解為，這種裝置具有許多其他可能的應(yīng)用。例如，它可以用于集成光學(xué)系統(tǒng)的制造、磁疇存儲器(magneticdomainmemories)、液晶顯示板，薄膜磁頭等的引導(dǎo)和檢測圖案。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，在這種可選擇的應(yīng)用范圍中，本文中的任何術(shù)語“中間掩模版(reticle)”，“晶片”或“管芯(die)”中的使用應(yīng)當認為可以分別由更普遍的術(shù)語“掩摸”，“基底”和“目標部分(targetportion)”所代替。在本文獻中，術(shù)語“輻射”和“光束”用于包含所有類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如使用365，248，193，157或126nm的波長)和遠紫外(EUV)輻射(例如具有在5-20納米范圍內(nèi)的波長)，以及粒子束，例如離子束或電子束。將會很清楚，本發(fā)明包括幾個方面。每一個方面是與其他方面分離的發(fā)明，然而依照本發(fā)明一個或多個方面，或部分所述的方面能相互有利地結(jié)合。本發(fā)明的實施方案將參照所附的示意圖，僅僅作為例子在下面描述，圖中相應(yīng)的參考標記或數(shù)字表示相應(yīng)的部分，其中-圖1示意性地描述了依照本發(fā)明一個實施方案的光刻投影裝置；-圖2示意性地描述了依照本發(fā)明一個實施方案的光刻投影組件的分離模塊的總布局圖；-圖3描述了依照本發(fā)明第一實施方案的光刻投影組件；-圖4描述了依照本發(fā)明第二實施方案的光刻投影組件；-圖5描述了依照本發(fā)明一個實施方案的裝載鎖閉裝置的截面圖；-圖6描述了依照本發(fā)明一個實施方案的裝載鎖閉裝置的與圖5截面垂直(線VI-VI)的截面圖；在下面的描述中相同的標號或數(shù)字在整個圖中代表相同的部件。具體實施例方式圖1示意性地描述了依照本發(fā)明一個特定的實施方案的光刻投影裝置(LP)。該圖的描述列出了光刻投影裝置的各個部件。該裝置包括-輻射系統(tǒng)Ex，IL，用于提供輻射的投影光束PB(例如EUV輻射)。在該具體的例子中輻射系統(tǒng)還包括一個輻射源LA；-第一物體臺(掩模臺)MT，設(shè)有用于保持掩模MA(例如中間掩模版)的掩模保持器，并與用于將該掩模相對于零件PL精確定位的第一定位裝置PM連接；-第二物體(基底臺)WT，設(shè)有用于保持基底W(例如涂覆抗蝕劑的硅晶片)的基底臺，并與用于將基底相對于零件PL精確定位的第二定位裝置PW連接；和-投影系統(tǒng)(“鏡頭”)PL(例如反射鏡系統(tǒng))，用于將掩模MA的被照射部分成像在基底W的目標部分C(例如包括一個或多個管芯(dies))上。如上所述，該裝置是反射型的(即具有反射掩模)。但是該裝置通常也可以例如是透射型的(折射透鏡系統(tǒng)中具有透射掩模)?？蛇x擇地，該裝置可以采用其他類型的構(gòu)圖裝置，例如上述可編程反射鏡陣列類型。輻射源LA(例如等離子輻射源)產(chǎn)生輻射束。該光束直接或經(jīng)過如光束擴束器Ex的橫向調(diào)節(jié)裝置后，再照射到照射系統(tǒng)(照射器)IL上。照射器IL包括調(diào)節(jié)裝置AM，用于設(shè)定光束強度分布的外和/或內(nèi)徑向量(通常分別稱為σ-外和σ-內(nèi))。另外，它一般包括各種其它部件，如積分器IN和聚光器CO。按照這種方式，照射到掩模MA上的光束PB在其橫截面具有理想的均勻性和強度分布。應(yīng)該注意，圖1中的輻射源LA可以置于光刻投影裝置的殼體中(例如當源LA是汞燈時經(jīng)常是這種情況)，但也可以遠離光刻投影裝置，其產(chǎn)生的輻射光束被(例如通過適當?shù)亩ㄏ蚍瓷溏R的幫助)引導(dǎo)進該裝置中；當源LA是準分子激光器時通常是后面的那種情況。本發(fā)明和權(quán)利要求包含這兩種方案。光束PB然后與保持在掩模臺MT上的掩模MA相交。經(jīng)過掩模MA之后，光束PB通過鏡頭PL，該鏡頭將光束PB聚焦在基底W的目標部分C上。在第二定位裝置PW(和干涉測量裝置IF)的輔助下，基底臺WT可以精確地移動，例如使得在光束PB的光路中定位不同的目標部分C。類似地，例如在從掩模庫中機械取出掩模MA后或在掃描期間，可以使用第一定位裝置PM將掩模MA相對光束PB的光路進行精確定位。一般地，在圖1中未明確顯示的長沖程模塊(粗略定位)和短沖程模塊(精確定位)的輔助下，可以實現(xiàn)物體臺MT、WT的移動?？墒牵诰謾n器(與步進掃描裝置相對)的情況下，掩模臺MT可僅與短沖程執(zhí)行裝置連接，或者固定。掩模MA和基底W可以用掩模對準標記M1、M2和基底對準標記P1、P2對準。所描述的裝置可以按照兩種不同模式使用1.在步進模式中，掩模臺MT基本保持不動，整個掩模圖像被一次投影(即單“閃”)到目標部分C上。然后基底臺WT沿x和/或y方向移動，以使不同的目標部分C能夠被光束PB照射；和2.在掃描模式中，基本為相同的情況，除了所給的目標部分C沒有在單“閃”中曝光。取而代之的是，掩模臺MT沿給定的方向(所謂的“掃描方向”，例如y方向)以速度v移動，以使投影光束PB掃描整個掩模圖像；同時，基底臺WT沿相同或者相反的方向以速度V＝Mv同時移動，其中M是鏡頭PL的放大率(通常M＝1/4或1/5)。以這種方式，可以曝光相當大的目標部分C，而沒有犧牲分辨率。圖2示意性地描述了依照本發(fā)明一個實施方案的光刻投影組件LPA的分離模塊的平面圖；該圖用來說明在該公開文件中使用的模塊。所述布局圖包括-兩個用于在第一環(huán)境和第二環(huán)境之間轉(zhuǎn)移基底的裝載鎖閉裝置LL。在模塊HC和LP中占優(yōu)勢的第二環(huán)境具有比第一環(huán)境低的氣壓；-處理室HC，其設(shè)有用于基底預(yù)處理的預(yù)處理裝置，例如預(yù)對準裝置和/或熱處理裝置，和用于將基底從裝載鎖閉裝置LL轉(zhuǎn)移到預(yù)處理裝置，并進一步將基底從預(yù)處理裝置轉(zhuǎn)移到光刻投影裝置LP的裝載位置和沿相反方向?qū)⒒讖墓饪掏队把b置LP的卸載位置轉(zhuǎn)移到裝載鎖閉裝置LL的傳輸裝置。-光刻投影裝置LP，如上面詳細描述的一樣。所述裝載鎖閉裝置與處理室通常共同稱作基底處理器SH或，如果正在處理晶片，稱作晶片處理器。所述光刻投影裝置包括投影室，該投影室包括在其中的基底臺WT，典型地圖1中的第二定位裝置PW，和用于將投影室排氣的排氣裝置。所述裝載鎖閉裝置和處理室的功能在下面作更詳細地描述。圖3和圖4分別描述了依照本發(fā)明的第一和第二實施方案的光刻投影組件。在兩幅圖中可以看到下面的模塊-兩個裝載鎖閉裝置LL-處理室HC，與兩個裝載鎖閉裝置LL共同被稱作基底處理器SH或晶片處理器-光刻投影裝置LP，包括一投影室。后面的模塊LP并沒有詳細示出其布置，但可以從圖1和2的例子中了解。鄰近與處理室HC相對的裝載鎖閉裝置LL將存在另外一個模塊例如基底軌道ST(見圖2)，它配備用來向裝載鎖閉裝置LL供給基底和從裝載鎖閉裝置移除基底。在每一個裝載鎖閉裝置LL中存在門10、11，所述門是指用來允許在第一環(huán)境和裝載鎖閉裝置LL之間轉(zhuǎn)移基底。在它的相對側(cè)，每一個裝載鎖閉裝置設(shè)有門12、13，以允許在裝載鎖閉裝置LL和處理室HC之間轉(zhuǎn)移基底。在投影步驟過程中第二環(huán)境在處理室HC和光刻投影裝置LP中占優(yōu)勢。每一個門10、11、12、13設(shè)置成以氣密的方式封閉各自裝載鎖閉裝置的內(nèi)部。每一個裝載鎖閉裝置具有基底支承位置14a，15a，以支承基底或晶片。在圖4中沒有顯示第二基底支承位置14b、15b。所述第一和第二基底支承位置顯示在圖5和6中，且在下文解釋。第二環(huán)境具有比第一環(huán)境低的氣壓。當所述光刻投影裝置LP使用例如遠紫外(EUV)輻射時，第二環(huán)境會是真空環(huán)境。這種情況下投影室是真空室。為了形成真空氛圍，兩個實施方案的光刻投影組件可以設(shè)有真空裝置，以形成或維持真空(沒有示出)?？蛇x擇地，第二環(huán)境也可以是特殊氣體環(huán)境，例如氮氣環(huán)境。為了在第一環(huán)境和具有較低氣壓的第二環(huán)境之間轉(zhuǎn)移基底而不會由于不受控制的強烈氣流損壞重要部分，每次只將裝載鎖閉裝置LL的一個門打開。在從基底支承位置14a、15a到第一環(huán)境的轉(zhuǎn)移時，所述裝載鎖閉裝置LL在打開各自的門10、11之前將首先被通氣(vented)，而在從基底支承位置14b、15b到第二環(huán)境的轉(zhuǎn)移之時，所述裝載鎖閉裝置在打開各自的門12、13之前將首先被抽氣到必需的真空水平。在處理室HC中存在一個預(yù)處理位16，預(yù)對準裝置和熱處理裝置設(shè)置在那里(沒有示出)。為了達到晶片臺WT上的基底定位所必需的精確水平，預(yù)處理位16處的預(yù)對準是很重要的。下一個位置是光刻投影裝置LP中的裝載位置17。在該位置處，基底放置在圖1中的基底臺WT上。如果正在處理晶片，該臺就認為是晶片臺。為了維持整個基底的控制溫度，在位置16處使用熱處理裝置是很有利的。在圖4所描述的本發(fā)明的第二實施方案中，附加的卸載位置18設(shè)置在光刻投影裝置LP中。這與圖3的第一實施方案形成對比，圖3中兩個位置17和18恰好重合。當在處理室HC和光刻投影裝置LP之間，反之，轉(zhuǎn)移基底時，基底經(jīng)過入口23或24。與先前段落中的差別相比，在圖3的第一實施方案中，在處理室與裝載及卸載位置之間的入口23、24恰好重合。圖3和圖4的第一和第二實施方案之間的另一個差別涉及傳送裝置。圖3的第一實施方案包括一個含有夾子20的操縱器19，而圖4中描述的第二實施方案包括與第一操縱器鄰接的第二操縱器，其也具有夾子22。在這些實施方案中兩個操縱器都是機器人(robot)，一種SCARA機器人，但也可以是能想到的其他機器人或其他操縱器。所述機器人適合下面的操作1.從其中一個裝載鎖閉裝置LL上抓取基底，并將所述基底轉(zhuǎn)移到預(yù)處理裝置16上；和/或2.從預(yù)處理裝置16上抓取基底，并將所述基底轉(zhuǎn)移到裝載位置17；和/或3.從卸載位置18抓取基底，并將所述基底轉(zhuǎn)移到其中一個裝載鎖閉裝置LL的基底傳輸位置14，15。在將其中任一裝載鎖閉裝置LL通氣或抽氣之前，結(jié)合兩個或多個上面提到的三個操作可以提高第一實施方案中的生產(chǎn)量。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員容易理解使用兩個機器人代替一個機器人能夠很大地提高上述操作結(jié)合的可能性，在第二實施方案中就是這樣的情況。當然其他有利的組合也是可能的。最合理的轉(zhuǎn)移操作的順序?qū)⑷Q于光刻投影組件LPA的操作模式；-啟動階段(start-upphase)，在該階段中不需要將基底從卸載位置18轉(zhuǎn)移到裝載鎖閉裝置LL，且一個或多個基底被轉(zhuǎn)移進處理室和光刻投影裝置-穩(wěn)態(tài)操作；其中分別平穩(wěn)轉(zhuǎn)移到裝載位置17和從卸載位置18轉(zhuǎn)移-空運行階段，在該階段中從裝載鎖閉裝置LL到預(yù)處理位置16或到裝載位置沒有轉(zhuǎn)移發(fā)生，一個或多個基底被轉(zhuǎn)移出處理室和光刻投影裝置。依照本發(fā)明的實施方案，每一個裝載鎖閉裝置LL設(shè)有第一14a，15a和第二基底支承位置14b、15b(圖3和4中沒有示出，但圖5和6中示出了)。附加的支承位置提高了結(jié)合所提到的三個轉(zhuǎn)移操作的可能性，因為所述第二位置能作為一種引入和引出基底的緩沖器。在第一和第二兩個實施方案中，裝載鎖閉裝置與相應(yīng)的機器人一起構(gòu)成了所謂的雙向(two-way)裝載鎖閉裝置，即意味著通過處理室中的機器人和來自例如基底軌道的機器人，每一個裝載鎖閉裝置以這樣一種方式是可到達的，使得基底能通過門10、11、12、13沿兩個方向被轉(zhuǎn)移。這在圖3和4中用帶有箭頭的線D、E、F、G被表示出來。這種結(jié)構(gòu)能提高基底的生產(chǎn)量。依照本發(fā)明的光刻投影組件，其中一個裝載鎖閉裝置用于引入基底和另一個裝載鎖閉裝置用于引出基底的實施方案也是可行的。這種實施方案降低了三個轉(zhuǎn)移操作組合的靈活性，但同時降低了機器人操作要達到的要求。在兩個實施方案中，基底處理器SH可以任選地設(shè)有第三裝載鎖閉裝置25，用于在第三環(huán)境和第二環(huán)境之間轉(zhuǎn)移基底。在第三裝載鎖閉裝置25的相對側(cè)面上設(shè)有兩個門27、28。該門27將第三裝載鎖閉裝置的內(nèi)部與處理室連接起來。外部門28將第三裝載鎖閉裝置的內(nèi)部與基底處理器的外部環(huán)境連接起來。該第三裝載鎖閉裝置設(shè)置在可自由到達的處理室的一個側(cè)面上，這提高了光刻投影組件LPA的靈活性和應(yīng)用可能性，例如通過使用該第三裝載鎖閉裝置作為一個緩沖器，倘若基底應(yīng)該被移除或倘若第一和第二裝載鎖閉裝置的基底支承位置14a，14b，15a，15b已經(jīng)被占用。此外它可以用于使處理室HC和/或光刻投影裝置LP的維修和維護變得容易。應(yīng)當注意第三環(huán)境可以與第一環(huán)境相同，但也可以與第一環(huán)境不同。在圖3和4中，其中一個裝載鎖閉裝置LL包括一個任選的外部門26，其設(shè)置在可自由到達的一側(cè)上。該門26用于將基底或其他物體直接從第三環(huán)境(其可以與第一環(huán)境相同)轉(zhuǎn)移到裝載鎖閉裝置。此外它可以用于相應(yīng)裝載鎖閉裝置的維修和維護。將兩個裝載鎖閉裝置都設(shè)置外部門26或?qū)⑼獠块T26設(shè)置在另外一個裝載鎖閉裝置LL上也是可能的。圖5描述了依照本發(fā)明的一個實施方案的裝載鎖閉裝置的截面圖。圖5中的幾個部分可以從以前的兩個圖中看出來-裝載鎖閉裝置門10，11，用于與第一環(huán)境相連-裝載鎖閉裝置門12，13，用于與第二環(huán)境相連-裝載鎖閉裝置上面部分中的第一基底支承位置14a，15a-裝載鎖閉裝置下面部分中的第二基底支承位置14b，15b-來自處理室HC中的機器人的夾子20在左側(cè)表示出夾子30，其配備用來在裝載鎖閉裝置與例如基底軌道系統(tǒng)中的第一環(huán)境之間轉(zhuǎn)移基底。該夾子30與夾子20一樣，能拾取和遞送基底到各基底支承位置和從各基底支承位置抓取和遞送基底。圖5中夾子30正好將基底31放置在第一基底支承位置14a上，而第二基底支承位置14b，15b支承著第二基底32。兩組基底支承位置14a，14b，15a，15b包括支承板33，35和推頂桿34，36。所述推頂桿34，36使基底與支承板33，35之間的移動變得容易，以使不管是將基底遞送到基底支承位置上還是從基底支承位置移除基底時，夾子的一部分能夠插入到基底和支承板之間。在夾子30已經(jīng)遞送了基底31且本身移出了裝載鎖閉裝置后，推頂桿34，36和/或支承板33，35在它們之間移動，以使支承板33，35支承基底，就像圖5中較低的基底32的情形。相似地，推頂桿34，36和/或支承板33，35在它們之間移動，以讓夾子30，20的一部分插入基底和支承板之間，以使夾子抓取和將基底轉(zhuǎn)移出裝載鎖閉裝置。圖5中僅僅描述了每個支承板一個推頂桿34，36，但大多數(shù)情況下支承板將具有三個和更多個推頂桿。在支承板33，35之間，設(shè)置有中間板55，其功能將在后面描述。參照圖5很容易解釋兩個基底支承位置的優(yōu)點。裝載鎖閉裝置LL與第一環(huán)境通氣(vent)，當來自處理室HC的且在將裝載鎖閉裝置通氣以前已經(jīng)存在的第二基底被支承在第二基底支承位置14b，15b上時，第一基底31剛好被遞送到第一基底支承位置14a，15a。從這個情形出發(fā)可以執(zhí)行下面的操作-將夾子30移到裝載鎖閉裝置的外面；-支承板33和/或推頂桿34之間移動，以使支承板33完全支承基底31；-支承板35和/或推頂桿36之間移動，以使第二基底32從支承板35舉起；-將夾子30或可能的第二夾子(沒有示出)移到第二基底32，隨后讓那個夾子抓住第二基底32；-將帶有第二基底32的夾子或可能的第二夾子(沒有示出)移到裝載鎖閉裝置的外面(第一環(huán)境)；-關(guān)閉門10，11，且對裝載鎖閉裝置抽氣。所述優(yōu)點是基底在兩個相繼的通氣和排氣之間的操作中既能轉(zhuǎn)移到裝載鎖閉裝置，又能從裝載鎖閉裝置中轉(zhuǎn)移。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易理解，為了在處理室HC和裝載鎖閉裝置LL之間用夾子20轉(zhuǎn)移兩個基底，類似的操作順序是可能的。進一步在圖5中，一方面描述了包括通氣(venting)開口37的頂壁38，另一方面描述了包括排氣(evacuating)開口39的底壁40。通過通氣和排氣裝置，所述開口37，39用于供給或抽出氣體。通氣開口和排氣開口的這個結(jié)構(gòu)的優(yōu)點是在裝載鎖閉裝置內(nèi)氣流總是從頂端到底端，這有利于阻止空氣中的粒子降落在基底的未支承的表面上。雖然圖5中沒有詳細顯示，但本發(fā)明的另一方面是與一個或多個支承板結(jié)合在一起的可選擇的溫度控制裝置，以穩(wěn)定基底的溫度。這意味著，舉例來說，包括設(shè)置在支承板內(nèi)部的管線60，61，例如通道，管道或管子，和用來通過所述管線來抽吸溫度控制流體的流體泵系統(tǒng)。支承板33，35可以受到不同的溫度處理。可選擇的是在一個或多個壁，如壁38，40，50，51和/或裝載鎖閉裝置室的門10，11，12，13上設(shè)置溫度控制裝置，其在穩(wěn)定基底溫度方面的有效性較小，但是給出了更加簡單的結(jié)構(gòu)。圖6描述了依照本發(fā)明一個實施方案的裝載鎖閉裝置按照圖5中的線VI-VI的截面圖。在這個截面圖中描繪了側(cè)壁50和51而不是裝載鎖閉裝置的門。這些壁與底壁40和頂壁38一起確定了裝載鎖閉裝置室52。除了推頂桿34，36，支承板33，35及通氣和排氣開口37，39以外，該實施方案包括舉起部件53和/或54。波紋管(bellow)56，57用作密封件。這些舉起裝置在裝載鎖閉裝置室排氣之前首先一方面減小基底31與頂壁38之間的距離A，另一方面減小基底32與中間片55之間的距離B。其次舉起裝置在遞送或抓取基底之前分別增加支承板33與頂壁38，支承板35與中間片55之間的距離。如前面所討論的，減小距離A和B的有益的效果是減小了基底周圍存在氣體的體積。隨著氣體體積的減小，裝載鎖閉裝置室52排氣過程中的絕熱影響和基底上的溫度影響也減小。為了避免基底與頂壁或中間片的任何接觸，距離A和B大于100μm。其另外的原因是避免增加抽氣時間，這可能發(fā)生在當過小的縫隙存在于裝載鎖閉裝置室內(nèi)時。在使裝載鎖閉裝置室52排氣和打開門12，13之后，距離A，B增大來為夾子20抓取和移除或遞送基底形成足夠的空間。代替向固定的頂壁38/中間片55移動支承板33，35/基底31，32，可選擇的是使用活動的頂棚(ceiling)板(沒有示出)，其向著固定的或可移動的支承板/基底移動。對于帶有基底31的第一支承板33，這樣一種頂棚板設(shè)置在頂壁38處，其中設(shè)置合適的移動部件，然而對于帶有基底32的第二支承板35，中間片55起到頂棚板的功能。對于所述后者合適的移動部件可以設(shè)置在例如側(cè)壁50中。圖6中兩組基底支承位置14a，14b，15a，15b都是可移動的。僅僅其中一組基底支承位置可移動的實施方案也是可行的。當保留一個基底支承位置(用于較大的部分)用于引出晶片，其中對于該晶片精密封閉的溫度控制的關(guān)鍵性較小時，這種實施方案尤其有利。依照該方面優(yōu)選的實施方案，上面的基底支承位置14a，15a是可移動的，同時下面的基底支承位置14b，15b是固定的(即，例如波紋管56是多余的，且舉起裝置54可以被固定的桿取代)。但是，上面的基底支承位置14a，15a是固定的，同時下面的基底支承位置14b，15b是活動的也是可行的。在可選擇的實施方案中，將舉起裝置53，54結(jié)合在壁50，51中也是可行的。在圖6b的實施方案中，排氣開口39結(jié)合在舉起裝置54的結(jié)構(gòu)內(nèi)。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員可以得知，由于污染物粒子能夠妨礙投影光達到基底W的輻射敏感表面，因此在光刻投影裝置LP中的污染物應(yīng)該最小化。同樣，基底W的背側(cè)表面上的或基底臺WT的基底支承表面上的污染物粒子能引起投影到基底W上的圖案的誤差。因此，在裝載鎖閉裝置LL內(nèi)的，尤其是在裝載鎖閉裝置內(nèi)與基底W接觸的表面的一個或多個表面由對污染物粒子具有良好親合力的材料構(gòu)成是有利的，例如有機材料。這會使污染物粒子粘在裝載鎖閉裝置LL內(nèi)的表面上，而不是粘到基底W上。污染物粒子的收集也可以通過使用靜電力來達到。例如，裝載鎖閉裝置LL的一個或多個表面可以帶有電荷，污染物粒子帶有相反的電荷，以將污染物粒子吸附到一個或多個表面上。裝載鎖閉裝置LL可以設(shè)有蓋子，以向其上吸附有粒子的表面提供清洗通路，所述表面，尤其接觸表面可以按這樣的方式布置，即為了容易清洗，它們可以容易的從裝載鎖閉裝置LL移除。為了使例如處理室HC內(nèi)的污染物的最小化，裝載鎖閉裝置LL內(nèi)污染物粒子的收集使從第一到第二環(huán)境傳輸?shù)奈廴疚锪Ｗ舆_到最小化，反之亦然。而且通過在裝載鎖閉裝置LL內(nèi)聚集許多粒子，到達光刻投影裝置LP內(nèi)的基底臺WT的污染物粒子能夠減少，其中污染物粒子是有害的。此外，與清洗基底臺WT或處理室HC相比，裝載鎖閉裝置LL的清洗更加容易，花費的時間也較少。通過在裝載鎖閉裝置LL內(nèi)收集粒子，可以減少打開處理室HC或光刻投影裝置LP，而因此干擾真空的需要。作為結(jié)果，由于清洗步驟而花費的時間會更少，因為重新形成真空是耗費時間的。因為處理室和/或光刻投影裝置可以更少打開來清洗，所以作為清洗步驟的結(jié)果污染物的危險也降低(例如指紋)。裝載鎖閉裝置LL也可以用來將所謂的粘性晶片傳送到處理室HC和/或光刻投影裝置LP中。這些粘性晶片是像晶片的物體，其具有收集污染物粒子(例如抗蝕劑的殘留物)的特性。這些粘性晶片的一個或多個通過光刻投影裝置LP、處理室HC和/或裝載鎖閉裝置LL循環(huán)以收集污染物粒子。這種粘性晶片的表面應(yīng)該比光刻投影裝置LP、處理室HC和/或裝載鎖閉裝置LL內(nèi)的接觸表面具有更大的對污染物粒子親合力。其上收集有粒子的粘性晶片可以被傳送出機器，被清洗，然后為了下一循環(huán)被重新插入機器。粘性晶片的收集特性可以基于幾種機制。例如，一種機制是靜電。所述粘性晶片可以被充上靜電以吸引污染物粒子。當晶片循環(huán)時，自由的帶電粒子(包括偶極子)會被吸引到粘性晶片上，且被移出機器，例如通過將粘性晶片傳輸出機器。磁力也可以用于粘性晶片，其對污染物粒子是適宜的。另外一個收集機制的例子可以是附著力和/或凝聚力。帶粘性的晶片具有對污染物粒子(例如抗蝕劑粒子)較大的親合力。污染物粒子具有粘附到粘性晶片上的趨向。在有粘聚性的粘性晶片的情況下，粘附到所述粘性晶片上的粒子將趨向保持在所述粘性晶片上，而不會到其他的表面上，例如到夾子的表面上。有利地，粘性晶片會提供強的附著力和強的凝聚力?？梢允褂貌煌降母街?或凝聚力以適合應(yīng)用。這種附著力和/或凝聚力可以通過例如，晶片上特殊的粘性和/或有粘聚性的涂覆層或者本身就是由粘性的和/或有粘聚性的材料構(gòu)成的晶片來提供。粘性晶片作為清洗元件的使用具有至少幾個優(yōu)點。例如，粘性晶片比普通的晶片更有效。進一步，當粘性晶片通過機器循環(huán)時處理室HC和/或光刻投影裝置LP內(nèi)的真空能保持不受干擾。重新形成真空是耗費時間的。進一步，因為很少需要手工清洗處理室HC、裝載鎖閉裝置LL和/或光刻投影裝置LP，所以可以降低由于手工清洗本身造成的污染物的危險。雖然本發(fā)明詳細的實施方案已經(jīng)在上面描述過，但是可以理解，本發(fā)明可以用除所描述以外的其他的方式來實施。所述描述并不打算限定本發(fā)明。權(quán)利要求1.光刻投影組件，包括用于在第一環(huán)境和第二環(huán)境之間轉(zhuǎn)移物體特別是基底的至少一個裝載鎖閉裝置；包括處理室的物體處理器，在處理室中第二環(huán)境占優(yōu)勢，所述物體處理器和所述裝載鎖閉裝置被構(gòu)造和布置成在它們之間轉(zhuǎn)移物體，和包括投影室的光刻投影裝置；其中所述處理室和投影室為了在它們之間轉(zhuǎn)移物體而相通，且其中所述裝載鎖閉裝置包括裝載鎖閉裝置室，該裝載室設(shè)有至少兩個彼此不同的物體支承位置。2.依照權(quán)利要求1的組件，其中所述第二環(huán)境具有比所述第一環(huán)境低的氣壓。3.依照權(quán)利要求2的組件，其中所述裝載鎖閉裝置還包括排氣裝置，用于將所述的裝載鎖閉裝置室排氣。4.依照權(quán)利要求2或3的組件，其中所述裝載鎖閉裝置進一步包括門裝置，用于在排氣過程中關(guān)閉所述裝載鎖閉裝置室，和用于打開所述裝載鎖閉裝置室以分別使物體進入所述裝載鎖閉裝置室和從所述裝載鎖閉裝置室移除。5.依照權(quán)利要求1的組件，其中所述裝載鎖閉裝置包括體積減小裝置，用于減小氣體體積。6.依照權(quán)利要求5的組件，其中所述體積減小裝置適合減小鄰近定位在至少一個所述物體支承位置上的物體表面的氣體體積。7.依照權(quán)利要求5或6的組件，其中所述至少一個物體支承位置包括尺寸大約等于或大于被支承的物體的支承板，其中頂棚板設(shè)在所述至少一個物體支承位置上面，所述頂棚板具有大約等于或大于所述物體的尺寸；其中所述體積減小裝置包括一定位裝置，用來在所述裝載鎖閉裝置室的排氣之前和/或該過程中減小所述支承板與所述至少一個物體支承位置的所述頂棚板之間的距離；和在物體從至少一個物體支承位置移除或遞送到所述至少一個物體支承位置上之前，增大所述支承板與所述頂棚板之間的距離。8.依照權(quán)利要求7的組件，其中所述定位裝置適合分別作用于所述支承板或所述頂棚板上，而相應(yīng)的頂棚板、相應(yīng)的支承板分別優(yōu)選以固定的方式布置在所述裝載鎖閉裝置室內(nèi)。9.依照權(quán)利要求7或8的組件，其中所述定位裝置設(shè)在所述裝載鎖閉裝置室的側(cè)面和/或在所述裝載鎖閉裝置室的頂部和/或在所述裝載鎖閉裝置室的底部。10.依照前述的任意一項權(quán)利要求的組件，其中所述裝載鎖閉裝置，優(yōu)選是所述至少兩個支承位置的一個或多個，包括熱處理裝置，用來使物體達到預(yù)定的溫度和/或使整個物體上的溫度均衡。11.依照權(quán)利要求10的組件，其中所述至少兩個物體支承位置中的一個或多個的支承板設(shè)有熱處理裝置。12.依照前述的任意一項權(quán)利要求的組件，其中，兩個所述的至少兩個物體支承位置，一個放置在另一個的上面，其中熱處理裝置定位在所述的兩個物體支承位置之間。13.依照權(quán)利要求10到12中任意一項的組件，其中所述熱處理裝置包括管線例如管子或通道，和流體泵送系統(tǒng)，用來通過所述的管線泵送流體，以使所述管線與相應(yīng)的支承板處于良好的熱接觸。14.依照權(quán)利要求13的組件，其中所述管線設(shè)在支承板的內(nèi)部和/或在所述裝載鎖閉裝置室的一個或多個壁中。15.依照前述的任意一項權(quán)利要求的組件，其中所述裝載鎖閉裝置室包括一頂壁和一底壁，其中所述排氣裝置包括排氣開口，其設(shè)在所述裝載鎖閉裝置室的底壁中，和其中所述裝載鎖閉裝置包括通氣開口，其設(shè)在所述裝載鎖閉裝置室的頂壁中。16.依照權(quán)利要求15的組件，其中所述的通氣開口和所述的排氣開口基本上相對于所述物體支承位置居中布置，所述物體支承位置一個布置在另一個上面。17.依照前述的任意一項權(quán)利要求的組件，其中所述的投影室是一個真空室，其中所述的光刻投影裝置包括真空裝置，用來在所述真空室中形成和維持真空。18.依照前述的任意一項權(quán)利要求的組件，其中所述投影裝置包括-用于提供輻射投影光束的輻射系統(tǒng)；-用于支承構(gòu)圖裝置的支承結(jié)構(gòu)，所述構(gòu)圖裝置用于根據(jù)期望的圖案對投影光束進行構(gòu)圖；-用于保持基底的基底臺；和-用于將形成圖案的光束投影到基底的目標部分上的投影系統(tǒng)。19.依照前述的任意一項權(quán)利要求的組件，其中所述物體是半導(dǎo)體晶片。20.依照前述的任意一項權(quán)利要求的組件，其中所述的門裝置包括朝向所述第一環(huán)境的第一門和朝向所述第二環(huán)境的第二門。21.依照前述的任意一項權(quán)利要求的組件，包括兩個或更多個所述的裝載鎖閉裝置。22.光刻投影組件，包括用于在第一環(huán)境和第二環(huán)境之間轉(zhuǎn)移物體，特別是基底的至少一個裝載鎖閉裝置；包括處理室的物體處理器，在處理室中第二環(huán)境占優(yōu)勢，所述物體處理器和所述裝載鎖閉裝置被構(gòu)造和布置成在它們之間轉(zhuǎn)移物體，和包括投影室的光刻投影裝置；其中所述處理室和投影室為了在它們之間轉(zhuǎn)移物體而相通，且其中所述裝載鎖閉裝置包括裝載鎖閉裝置室，該裝載室設(shè)有至少兩個彼此不同的物體支承位置，其中所述物體處理器結(jié)合在所述裝載鎖閉裝置內(nèi)，以使所述處理室和所述裝載鎖閉裝置室是相同的。23.在第一環(huán)境和第二環(huán)境之間用于轉(zhuǎn)移物體特別是基底的裝載鎖閉裝置，其中所述裝載鎖閉裝置包括裝載鎖閉裝置室，設(shè)有至少兩個彼此不同的物體支承位置。24.依照權(quán)利要求23的裝載鎖閉裝置，其中所述第二環(huán)境具有比所述第一環(huán)境低的氣壓，且其中所述裝載鎖閉裝置還包括排氣裝置，用于將所述的裝載鎖閉裝置室排氣；門裝置，用于在排氣過程中關(guān)閉所述裝載鎖閉裝置室，和用于打開所述裝載鎖閉裝置室以分別使物體進入所述裝載鎖閉裝置室和從所述裝載鎖閉裝置室移除物體。25.依照權(quán)利要求24的裝載鎖閉裝置的組件和晶片軌道系統(tǒng)，其中面向所述的第一環(huán)境的所述的門裝置在晶片軌道系統(tǒng)處有出口。26.在第一環(huán)境和第二環(huán)境之間轉(zhuǎn)移物體尤其是基底的方法，該方法使用一裝載鎖閉裝置，優(yōu)選依照權(quán)利要求23或24的裝載鎖閉裝置，所述裝載鎖閉裝置具有裝載鎖閉裝置室，該方法包括-將第一物體定位在所述裝載鎖閉裝置內(nèi)的第一物體支承位置，該物體來自第一環(huán)境，-關(guān)閉所述裝載鎖閉裝置以封閉第一物體，-通過排氣裝置將所述裝載鎖閉裝置排氣，-打開所述裝載鎖閉裝置以將該裝載鎖閉裝置與第二環(huán)境相連，和-將第二物體定位在所述裝載鎖閉裝置內(nèi)的第二物體支承位置上和從所述第一物體支承位置移除所述第一物體。27.依照權(quán)利要求26的方法，所述方法相繼包括-關(guān)閉所述裝載鎖閉裝置以封閉所述第二物體，-將所述裝載鎖閉裝置通氣，-打開所述裝載鎖閉裝置以將該裝載鎖閉裝置與第一環(huán)境相連，和-從所述裝載鎖閉裝置移除所述第二物體。28.依照權(quán)利要求26或權(quán)利要求27的方法，其中定位所述第二物體是在移除所述第一物體之前執(zhí)行，且其中所述的定位和移除兩個步驟用相同的夾子執(zhí)行。29.依照權(quán)利要求26-28任一項的方法，包括在所述裝載鎖閉裝置的排氣之前，減小鄰近定位在所述第一物體支承位置上的第一物體的氣體體積。全文摘要光刻投影組件，包括用于在第一環(huán)境和第二環(huán)境之間轉(zhuǎn)移物體特別是基底的至少一個裝載鎖閉裝置，第二環(huán)境優(yōu)選具有比第一環(huán)境低的氣壓；包括處理室的物體處理器，在處理室中第二環(huán)境占優(yōu)勢；和包括投影室的光刻投影裝置。所述處理室和投影室為了轉(zhuǎn)移物體而相通。所述裝載鎖閉裝置包括裝載鎖閉裝置室；排氣裝置，用來將所述的裝載鎖閉裝置室排氣；和門裝置，用于在排氣過程中關(guān)閉所述裝載鎖閉裝置室，和用于打開所述裝載鎖閉裝置室以使物體進入所述裝載鎖閉裝置室或從所述裝載鎖閉裝置室移除物體。所述裝載鎖閉裝置室設(shè)有至少兩個彼此不同的物體支承位置。文檔編號H01L21/677GK1570761SQ20041003268公開日2005年1月26日申請日期2004年3月10日優(yōu)先權(quán)日2003年3月11日發(fā)明者A·J·H·克洛普,J·F·胡格坎普,J·C·J·A·烏格特斯,R·G·里維塞伊,J·H·G·弗蘭斯森申請人:Asml荷蘭有限公司