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      薄型芯片電解電容器構造的制作方法

      文檔序號:6831346閱讀:196來源:國知局
      專利名稱:薄型芯片電解電容器構造的制作方法
      技術領域
      本發(fā)明涉及一種薄型芯片電解電容器構造,尤指一種導入超音波熔接、自動點膠、定量填注電解液等制程技術,開創(chuàng)新的產制方式,以達到提升電解電容器的品質及可靠度及消費性電子產品輕、薄、短、小的使用電子組件薄型化的目標。
      背景技術
      請參閱圖1A所示,為一種習用芯片式電容器構造的立體分解圖,其主要是由殼套110、電介質(dielectric)120、內蓋板130、外蓋板140所構成;主要是將電介質120置入在殼套110的容置室111內,先加入電解液后,再將內蓋板130覆于該殼套110上,該電介質120的二引腳121自該內蓋板130的二穿孔131穿設而出,在該內蓋板130上充膠后,在將外蓋板140覆蓋于該殼套110并加以黏合,該二引腳121自該外蓋板140的二穿孔141穿設而出。
      此種習用的芯片式電容器,當電介質120置入在殼套110的容置室111內且灌入電解液后,該殼套110的容置室111內壁會沾附電解液,因此,內蓋板130與外蓋板140無法很牢固的黏合在該殼套110上,進而該電介質120也很容易由該殼套110脫離,且于先灌入電解液加工過程中,該電介質120二引腳121容易被電解液污染,造成該電容器焊性不良。
      針對于上述習知結構進行改良的電容器結構,如臺灣專利申請案號第90213145號(圖1B所示),為由一殼套210、一電介質(dielectric)220、一彈性體230及一蓋板240所組成;該殼套210是形成電容器的外殼,殼套210內具有開放的容置室211可供電介質220及彈性體230置入,使該彈性體230可以形成緊密的套合在容置室211內;殼套210的開口端具一環(huán)墻框212,該環(huán)墻框212內可以供蓋板240置入,且該殼套210底部設有數條預裂線213,該彈性體230設有二穿孔231,可讓電介質220的二引腳221穿過,該蓋板240是用以將殼套210的開口端封閉。
      此前案雖可改善圖1A所示結構粘合不易的缺點外,但仍無法改善電介質220二引腳221于先灌入電解液加工過程時,所遭污染的問題;且電介質220二引腳221在電容器使用中欲予以彎折等處理時,因彈性體230僅用于固定二引腳221,但一遇到此外力處理影響時,因彈性體230為屬較軟性物質,無法完全將引腳221與殼套210的結合結構成為一體,造成脆弱的電介質220與二引腳221結合部份容易遭到破壞,而使使用過程中良率的降低。
      緣此,本發(fā)明的主要目的即是針對上述二種習知電容器的結構缺點進行改良,即改善了殼套與蓋板不易粘合、導線端子遭污染及導線端子與電介質(dielectric)使用過程中強度脆弱等缺點,以更簡易的結構設計,提高電容器的密閉性及制程時間與良率。

      發(fā)明內容
      本發(fā)明的主要目的是提供一種薄型芯片電解電容器構造,系將其套殼結構開發(fā)利用塑料射出成型技術,制作出一高強度工程塑料為套殼的材質,再將鋁箔、導針與絕緣紙的組合稱之素子先置入塑料殼內,再定量填注電解液,再其利用多點定量點膠/涂膠技術應用機電控制技術,研發(fā)新的點膠機構的路徑控制(MovingControl)技術,達到高速涂膠,不拉絲、無殘膠,符合產品需求的技術,以及電解液多點定量填注/真空抽氣技術--研發(fā)低黏度液體的多點定量填注/真空抽氣以增加電解液吸附速度,以符合產量的要求,再配合超音波熔接及環(huán)氧樹脂(Epoxy)膠著固化的封裝技術,取代傳統(tǒng)橡膠迫緊的封裝方式,徹底解決習知的芯片式電容器密合度不足造成的易漏液、對外力敏感、無法薄型化的缺點。
      本發(fā)明的目的是這樣實現的一種薄型芯片電解電容器構造,其特征在于包括有一本體,其本體內裝設有兩個凹槽,一槽為電介質(dielectric)容置槽,另一槽為隔離空間,兩槽間有一隔板,該隔板上設有對應于電介質(dielectric)的導線端子的穿孔;一底座,用以覆蓋前述的隔離空間而加以封閉,其設有對應前述穿孔的穿孔;一電介質(dielectric),具有二導線端子,置入前述電介質(dielectric)容置槽,且導線端子伸出在隔板及底座相對應的穿孔;一蓋板,電介質(dielectric)放置容置槽后填入電解液將其頂蓋封裝其本體上。所述的薄型芯片電解電容器構造,其特征在于該本體于電介質(dielectric)設置空間的內緣面設有用以與頂蓋結合的固設槽。薄型芯片電解電容器構造底座的一側面設有凹槽,用以容置彎折后的導線端子,而形成表面粘著組件。薄型芯片電解電容器構造的隔離空間系填充環(huán)氧樹脂,以隔離定位電介質(dielectric),并對導線端子與穿越本體結合部處,予以強度固化。薄型芯片電解電容器構造的頂蓋設有對應于前述固設槽的固設嵌片。薄型芯片電解電容器構造頂蓋與本體的結合,及底座與本體的結合是施以超音波熔接而成一體,底座與本體更可以鉚釘緊密鉚合。薄型芯片電解電容器構造隔離空間一側面的四個本體端角,分別嵌設有四個插孔,底座設有對應隔離空間一側面的四個本體端角插孔,并對應其本體的四端角所設的插孔分別設有對應的插柱。
      本發(fā)明對于先前技術的效果是本發(fā)明主要是在一本體內設有一將本體隔成二深度不等的電介質(dielectric)設置空間及隔離空間的隔板,該隔板設有對應于電介質(dielectric)的導線端子的穿孔,電介質(dielectric)設置空間供電介質(dielectric)容置,并使導線端子穿過穿孔延伸出隔離空間,該隔離空間并配合一具有對應穿孔的底座加以封閉,而供環(huán)氧化物(Epoxy)填充于內對電介質(dielectric)加以隔離定位,并對導線端子予以強度固化,該電介質(dielectric)設置空間另配合一頂蓋形成一可灌注電解液的密閉空間,據上組成一完整的電解電容器架構。
      本發(fā)明的另一目的是以環(huán)氧樹脂取代前述前案的彈性體,同樣具有隔離絕緣的功效,但不需額外以治具(mold)裝設,簡化制程程序。


      圖1A為一種習用芯片式電容器構造的立體分解圖;圖1B為另一種習用芯片式電容器構造的立體分解圖;圖2為為本發(fā)明第一實施例的立體分解圖;圖3為本發(fā)明第一實施例中底座與本體的分解剖面圖;
      圖4為本發(fā)明第一實施例的組合剖面圖;圖5為本發(fā)明第一實施例的另一種組合剖面圖;圖6為本發(fā)明第二實施例的立體分解圖;圖7為本發(fā)明第二實施例中底座與本體的分解剖面圖;圖8為本發(fā)明第二實施例的組合剖面圖;圖9為本發(fā)明第三實施例,其顯示以鉚釘組合底座及本體的分解剖試圖;圖10為本發(fā)明第二實施例的仰視圖。
      圖11為本發(fā)明第二實施例的俯視圖。
      組件符號說明110殼套111容置室120電介質(dielectric)121引腳130內蓋板131穿孔140外蓋板141穿孔210殼套211容置室212環(huán)墻框213預裂線220電介質(dielectric)221引腳230彈性體
      231穿孔240蓋板300電解電容器310本體310電介質(dielectric)設置空間312隔離空間313隔板314穿孔315固設槽316環(huán)氧樹脂320底座321穿孔322凹槽330電介質(dielectric)331導線端子340頂蓋341固設嵌片400電解電容器410本體411電介質(dielectric)設置空間412隔離空間413隔板414穿孔415插孔416固設槽
      417環(huán)氧化物420底座421穿孔422插柱423凹槽430電介質(dielectric)431導線端子440頂蓋441固設嵌片500鉚釘具體實施方式
      如圖2所示,為本創(chuàng)作第一實施例的立體分解圖;本創(chuàng)作的電解電容器300包括有一本體310,其內設有一體成型將本體310隔成二深度不等的電介質(dielectric)設置空間311及隔離空間312的隔板313,該隔板313設有對應于電介質(dielectric)330的導線端子331的穿孔314,此設計可使先裝設的電介質(dielectric)330的導線端子331透過穿孔314先穿隔板313,而將電介質(dielectric)330置于設置空間311,再灌注入電解液,免除導線端子331遭電解液污染。
      前述的電介質設置空間311為一開放空間供電介質330容置于內,于此開放空間的本體310內緣面設有用以與頂蓋340結合的固設槽315。
      一底座320,用以覆蓋前述的隔離空間312而加以封閉,其設有對應前述穿孔314的穿孔321,并于另一側面設有凹槽322(如圖3所示)。
      前述的隔離空間312供環(huán)氧化物316(epoxy)填充于內,藉以對電介質330加以隔離定位,此填充過程可于制程之一步驟完成,并透過對導線端子331與穿越本體310結合部處,予以固化增加其結合強度,無須額外的治具(mold)壓縮置入。
      一電介質(dielectric)330,可為習知構造,其具有二導線端子331,該電介質330置入在本體310的電介質設置空間311,且導線端子331是伸出在隔板313及底座320相對應的穿孔314、321。
      一頂蓋340,其一側面設有對應于前述固設槽315的固設嵌片341,用以結合于本體310而封閉電介質設置空間311。
      另外,在封閉頂蓋340前,系灌注入電解液以使電介質330產生電容效應。而頂蓋340與本體310的結合,及底座320與本體310的結合系施以超音波(sonicate)熔接而成一體(如圖4所示)。
      如圖5所示,為適用于自動化制程的表面黏著技術(SMT),延伸出底座320的導電端子331將予以彎折處理,使導電端子331沉置于該凹槽322中,而形成表面黏著組件(SMD)。
      如圖6所示,為本創(chuàng)作第二實施例的立體分解圖;本實施例的電解電容器400包括有一本體410,其內設有一體成型將本體410隔成二深度不等的電介質(dielectric)設置空間411及隔離空間412的隔板413,該隔板413設有對應于電介質(dielectric)430的導線端子431的穿孔414,且于隔離空間412一側面的四個本體410端角,分別嵌設有四個插孔415(如圖7所示)。
      前述的電介質設置空間411為一開放空間供電介質430容置于內,于此開放空間的本體410內緣面設有用以與頂蓋440結合的固設槽416,其中頂蓋440為一圓形裝置,以節(jié)省習知方型頂蓋需另費功夫將其對準缺角位置。
      一底座420,用以覆蓋前述的隔離空間412而加以封閉,其設有對應前述穿孔414的穿孔421,并于對應前述本體410的四端角所設的插孔415分別設有對應的插柱422,而底座420的另一側面則設有凹槽423(如圖7所示)。
      前述的隔離空間412供環(huán)氧樹脂417(epoxy)填充于內,藉以對電介質430加以隔離定位,并透過對導線端子331與穿越本體310結合部處,予以固化增加其強度,此填充過程可于制程之一步驟完成,無須額外的治具(mold)壓縮置入。
      電介質430,可為習知構造,其具有二導線端子431,該電介質(430)置入在本體410的電介質設置空間411,且導線端子431是伸出在隔板413及底座420相對應的穿孔414、421。
      一頂蓋440,其一側面設有對應于前述固設槽416的固設嵌片441,用以結合于本體410而封閉電介質430設置空間。
      另外,在封閉頂蓋440前,灌注入電解液以使電介質430產生電容效應。而頂蓋440與本體410的結合系施以超音波(sonicate)熔接而成一體,底座420與本體410的結合則由插柱422與插孔415相互吻合固接,而二者結合的縫隙則可同樣施以超音波熔接或以粘劑粘合成一體(如圖8所示)。
      又,底座420與本體410之間的組合架構除上述外,亦可以圖9所示以鉚釘500鉚合的方式達成,同樣能達到緊密組合的目的。
      如圖10為本創(chuàng)作實施例二的仰視及圖11為本創(chuàng)作實施例二的俯視圖所示,由于電解電容器300、400的二導電端子331、431具有正、負電極的差別,因此在焊接時必須要特別注意,以避免反向插接而引發(fā)爆炸,特別是在表面粘著制程的裝料,圖10所示僅為揭露本創(chuàng)作的一種標示方式,于本體310、410的兩相鄰角落同時去掉兩截角,以表示電解電容器300、400的電極方向性。
      是以,本發(fā)明所提供的電解電容器結構,簡化電解電容器的結構,確實能提高電容器的密閉性及制程時間與良率,深具有產業(yè)利用價值,已符合于發(fā)明專利的要件,爰依法提出申請,祈鈞局早日賜準專利,實感德便。
      以上已將本發(fā)明作一詳細說明,惟以上所述者,僅為本發(fā)明的一較佳實施例而已,當不能限定本發(fā)明實施的范圍。即凡依本發(fā)明申請范圍所作的均等變化與修飾等,皆應仍屬本發(fā)明的專利涵蓋范圍內。
      權利要求
      1.一種薄型芯片電解電容器構造,其特征在于包括有一本體,其本體內裝設有兩個凹槽,一槽為電介質容置槽,另一槽為隔離空間,兩槽間有一隔板,該隔板上設有對應于電介質的導線端子的穿孔;一底座,用以覆蓋前述的隔離空間而加以封閉,其設有對應前述穿孔的穿孔;一電介質,具有二導線端子,置入前述電介質容置槽,且導線端子伸出在隔板及底座相對應的穿孔;一蓋板,電介質放置容置槽后填入電解液將其頂蓋封裝其本體上。
      2.根據權利要求1所述的薄型芯片電解電容器構造,其特征在于該本體于電介質設置空間的內緣面設有用以與頂蓋結合的固設槽。
      3.根據權利要求1所述的薄型芯片電解電容器構造,其特征在于該底座的一側面設有凹槽,用以容置彎折后的導線端子,而形成表面粘著組件。
      4.根據權利要求1所述的薄型芯片電解電容器構造,其特征在于該隔離空間系填充環(huán)氧樹脂,以隔離定位電介質,并對導線端子與穿越本體結合部處,予以強度固化。
      5.根據權利要求1所述的薄型芯片電解電容器構造,其特征在于該頂蓋設有對應于前述固設槽的固設嵌片。
      6.根據權利要求1所述的薄型芯片電解電容器構造,其特征在于該頂蓋與本體的結合,及底座與本體的結合是施以超音波熔接而成一體。
      7.根據權利要求1所述的薄型芯片電解電容器構造,其特征在于該底座與本體更可以鉚釘緊密鉚合。
      8.根據權利要求1所述的薄型芯片電解電容器構造,其特征在于隔離空間一側面的四個本體端角,分別嵌設有四個插孔。
      9.根據權利要求1所述的薄型芯片電解電容器構造,其特征在于底座設有對應隔離空間一側面的四個本體端角插孔,并對應其本體的四端角所設的插孔分別設有對應的插柱。
      10.根據權利要求1所述的薄型芯片電解電容器構造,其特征在于該本體的兩相鄰角落為去掉兩截角,以表示電容器的電極方向性。
      11.根據權利要求1所述的薄型芯片電解電容器構造,其特征在于蓋板為圓形結構,此圓型上蓋因無方向性,故方便制作工藝上的便利性。
      全文摘要
      一種薄型芯片電解電容器構造,包括本體內設有一將本體隔成二個空間的隔板,分別為電介質設置空間及隔離空間,該隔板設有對應于電介質導線端子的穿孔,電介質設置空間供電介質容置,并使導線端子穿過穿孔延伸出隔離空間,該隔離空間并配合一具有對應穿孔的底座加以封閉,再配合超音波熔接及環(huán)氧樹脂膠著固化加以封裝;本發(fā)明的殼套結構應用塑料射出成型技術,以高強度工程塑料為套殼的材質,配合超音波熔接及環(huán)氧樹脂膠著固化的封裝技術,取代傳統(tǒng)橡膠迫緊的封裝方式,徹底解決易漏液、對外力敏感、無法薄型化的缺點,再配合自動點膠、定量填注電解液等新的制程技術,達到提升電解電容器的品質及可靠度,電子組件薄型化及降低電解液污染環(huán)境的目標。
      文檔編號H01G9/00GK1713316SQ20041005017
      公開日2005年12月28日 申請日期2004年6月25日 優(yōu)先權日2004年6月25日
      發(fā)明者林杰夫 申請人:林杰夫
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