專利名稱：襯底的處理方法及用于該方法的藥液的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及襯底的處理方法及用于該方法的藥液。
背景技術(shù)：
一直以來存在以下技術(shù)在半導(dǎo)體單晶片、LCD(液晶顯示屏)襯底或者其他襯底上形成有機(jī)膜圖案后，通過以該有機(jī)膜圖案為掩模對底?；蛞r底進(jìn)行蝕刻進(jìn)行圖案加工，從而形成布線電路等。并且，在底膜加工之后，有機(jī)膜圖案被去除。
并且，如同日本專利公開2002-334830所示還存在以下襯底的加工方法對底膜進(jìn)行加工，使有機(jī)膜圖案變形，以該變形后的有機(jī)膜圖案作為掩模對該底膜蝕刻，并去除有機(jī)膜圖案。
具體而言，所述文獻(xiàn)所述方法中記載有在進(jìn)行使有機(jī)膜圖案變形的處理之前，為了達(dá)到去除有機(jī)膜圖案中的變質(zhì)層或者沉積層、或者改善未被有機(jī)膜圖案覆蓋的襯底表面的濕潤性的目的，而實(shí)施灰化處理。下文中，使有機(jī)膜圖案變形的步驟被稱作溶解變形步驟或氣體氣氛處理步驟，因?yàn)橛袡C(jī)膜圖案通過將襯底暴露于氣體氣氛下進(jìn)行變形處理。
所述方法中，主要步驟是灰化處理和溶解變形步驟。
為了使這些處理穩(wěn)定地進(jìn)行，所述方法可包括將襯底溫度控制(具體是冷卻)到適當(dāng)?shù)臏囟取⒁约坝糜谶M(jìn)行溶解變形處理后的有機(jī)膜圖案烘干的加熱步驟。
這種現(xiàn)有技術(shù)中的流程圖如同圖1所示。
圖1中，常規(guī)的處理方法依次包括灰化處理(步驟S101)、襯底的溫度控制步驟(步驟S102)、將襯底暴露在氣體氣氛下的步驟(步驟S103)、及加熱襯底以烘干有機(jī)膜圖案步驟(步驟S104)。
這里的灰化處理具有諸如以下的干法處理步驟等離子體放電處理(在氧、或者氧/氟的氣氛中進(jìn)行)、使用諸如紫外線等波長短的光能源的處理、以及施用光能或熱的處理。
這里的通過灰化處理應(yīng)去除的有機(jī)膜圖案表面上形成的變質(zhì)層是由于老化、熱氧化、熱硬化、附著沉積層、使用酸蝕刻劑的濕法蝕刻處理、O2灰化、使用干法蝕刻氣體的干法蝕刻處理而造成的。即，有機(jī)膜圖案由于所述因素而受到物理的、化學(xué)的破壞而變質(zhì)，但由于其變質(zhì)的程度、特性根據(jù)以下因素而大為不同，所以也隨之產(chǎn)生變質(zhì)層去除的難易度的不同濕法蝕刻處理中使用的藥液；干法蝕刻處理是否是各向同性或各向異性；有機(jī)膜圖案上的沉積物的有無；干法蝕刻處理中的使用氣體。
并且，通過灰化處理應(yīng)去除的有機(jī)膜圖案表面上形成的沉積層是由于干法蝕刻處理造成的。該沉積層的特性也隨著以下因素的不同而大為不同，所以也隨之產(chǎn)生沉積層去除的難易度的不同干法蝕刻處理是否是各向同性或各向異性、干法蝕刻處理中的使用氣體。
作為干法處理方法的灰化處理分有二種。
第一種是等離子體放電步驟以外的灰化。例如，第一種灰化處理由以下步驟組成對諸如有機(jī)膜或底膜的物體施用短波長的光能如紫外線，或加熱物體。第一種灰化對物體的破壞較小，但處理速度慢。因而，第一種灰化處理只是用于有機(jī)膜圖案、底膜的表面狀態(tài)變化，而基本上不用于有機(jī)膜表面上的變質(zhì)層的去除這樣需要高速進(jìn)行的處理。
第二種灰化是等離子放電處理。等離子放電處理進(jìn)一步分為二種(下文中稱作“第一種等離子體放電”和“第二種等離子體放電”)。第一種等離子體放電是高壓、低功率、各向同性的等離子體放電處理。第二種等離子體放電是低壓、高功率、各向異性的等離子體放電處理。該等離子體放電處理中的任何一種的處理速度都比所述的被稱為“等離子體放電處理以外的灰化處理”的第一種灰化處理快。并且，第二種等離子體放電的處理速度比第一種等離子體放電的處理速度快。這樣一來，由于兩種等離子體放電處理的速度都較快，所以底膜的表面可以在短時(shí)間內(nèi)變化。另外，兩種等離子體放電處理也可用于有機(jī)膜表面的變質(zhì)層的去除及干法剝離這樣高速的處理中。但是，第二種灰化即等離子體放電處理對物體的破壞都比第一種灰化大。
特別是為了去除有機(jī)膜表面上形成的變質(zhì)層，第一種灰化處理是不充分的。并且，各向異性的等離子體放電處理(第二種等離子體放電)雖然可以充分去除最初形成的變質(zhì)層，但會對有機(jī)膜圖案產(chǎn)生較大的破壞，從而在有機(jī)膜上形成新的變質(zhì)層。因此，各向異性的等離子體放電處理(第二種等離子體放電)在去除有機(jī)膜圖案表面上形成的變質(zhì)層這個(gè)目標(biāo)上而言是沒有意義的。因此，在該目標(biāo)下，各向同性的等離子體放電處理(第一種等離子體放電)是最為廣泛使用的。
但是，在所述專利文獻(xiàn)中所述的方法中，當(dāng)將有機(jī)膜圖案表面上形成的變質(zhì)層除去以使得藥液(例如有機(jī)溶劑)滲透進(jìn)入有機(jī)膜圖案中使其變形處理均勻化時(shí)，無論是各向異性的等離子體放電處理(第二種等離子體放電處理)，還是各向同性的等離子體放電處理(第一種等離子體放電處理)，都難以完全除去變質(zhì)層，也不可能防止有機(jī)膜圖案上形成微小的變質(zhì)層的問題，該問題是由于各向異性和各向同性等離子體放電處理造成的新的破壞引起的。
并且，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)這種由于等離子體放電處理而形成的新的微小變質(zhì)層也是妨礙使有機(jī)膜圖案變形處理的均一化的問題所在，在該處理中使用藥液滲濾進(jìn)入有機(jī)膜圖案內(nèi)。
也就是說，所述文獻(xiàn)所述的技術(shù)中，因等離子體放電處理而導(dǎo)致的有機(jī)膜圖案的破壞以及在有機(jī)膜圖案上形成的新的微小的變質(zhì)層，不能充分地使藥液滲濾進(jìn)入有機(jī)膜圖案中，其結(jié)果是不能充分地進(jìn)行底膜的蝕刻。
發(fā)明概述本發(fā)明正是為了解決所述問題而產(chǎn)生的，其目的在于提供襯底的處理方法，該方法能夠防止有機(jī)膜圖案和襯底受到破壞。
本發(fā)明的目的還在于提供該方法所使用的藥液。
本發(fā)明的一個(gè)方面是提供襯底的處理方法，所述方法包括一種底板處理方法，該襯底處理包括對襯底上形成的有機(jī)膜圖案進(jìn)行加工的有機(jī)膜圖案形成步驟，在所述有機(jī)膜圖案形成步驟中，依次進(jìn)行去除處理，去除所述有機(jī)膜圖案的表面上形成的變質(zhì)層和沉積層；溶解變形步驟，將所述有機(jī)膜圖案溶解變形，其中所述去除步驟的至少一部分通過對所述有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理來進(jìn)行。
具體而言，本發(fā)明中，在進(jìn)行將襯底上形成的有機(jī)膜圖案溶解并然后變形的處理(下文簡稱為溶解變形處理)時(shí)，其前期處理中，去除變質(zhì)層或者沉積層的去除步驟的至少一部分通過對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理來進(jìn)行。本發(fā)明可以不對襯底和有機(jī)膜圖案產(chǎn)生破壞性并去除變質(zhì)層或者沉積層，并且可確保有機(jī)膜圖案的均勻溶解變形處理。
例如，溶解變形處理可例如通過使藥液(例如有機(jī)溶劑)滲透進(jìn)襯底上形成的有機(jī)膜圖案內(nèi)使之變形(例如溶解/逆流)來進(jìn)行。具體而言，溶解變形處理通過氣化的(使用氮?dú)夤呐?藥液(例如有機(jī)溶劑)，在該氣化藥液氣氛下使襯底暴露。
例如，進(jìn)行溶解變形處理的目的是用于擴(kuò)大有機(jī)膜圖案的面積，使鄰近設(shè)置的有機(jī)膜圖案互成一體，使有機(jī)膜圖案平坦化，使有機(jī)膜圖案變形使之成為絕緣膜，覆蓋襯底上形成的電路圖案。
本發(fā)明的襯底處理方法的第一方面的特征在于，前期處理的所有去除處理可完全通過對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理來進(jìn)行。具體而言，在襯底上形成有機(jī)膜圖案的加工處理中，依次進(jìn)行如下處理步驟去除處理，將所述有機(jī)膜圖案上形成的變質(zhì)層或者沉積層通去除，以及溶解變形步驟，將所述有機(jī)膜圖案溶解變形。
為了使這些處理穩(wěn)定地進(jìn)行，本方法可另外包括將襯底溫度控制(主要是降低)到適當(dāng)?shù)奶幚頊囟?、以及加熱襯底以對變形處理后的有機(jī)膜圖案烘干的步驟。
這種本發(fā)明的襯底處理方法的第一方面的實(shí)施步驟如同圖2所示。
圖2中的襯底處理方法中，依次包括對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理(步驟S1)、控制襯底的溫度達(dá)到適當(dāng)?shù)臏囟?步驟S2)、將有機(jī)膜圖案暴露在氣體氣氛下(步驟S3)及加熱有機(jī)膜圖案(步驟S4)。
本發(fā)明的第二方面，去除處理依次由如下處理組成作為干法處理的灰化處理和對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理。具體而言，在本發(fā)明的方法的第二方面，在去除處理進(jìn)行完之后進(jìn)行溶解變形處理，所述去除處理由灰化處理和對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理組成。
優(yōu)選進(jìn)行灰化處理去除變質(zhì)層或者沉積層的表面，特別適用于只去除表層部分，剩余的變質(zhì)層或者沉積層優(yōu)選通過對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理的濕法處理來進(jìn)行。
所述方法的第二方面和第一方面相比可縮短灰化時(shí)間，所以可以減少對襯底及有機(jī)膜圖案的破壞，其中在第一方面中所有去除處理完全通過灰化處理來進(jìn)行。并且，由于在對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理之前進(jìn)行灰化處理，所以即使存在只對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理無法去除的變質(zhì)層或者沉積層時(shí)，也可以容易地進(jìn)行去除。
襯底處理方法的第二方面也和第一方面一樣，也包括另外的處理將襯底溫度控制(具體是降低)到適當(dāng)?shù)奶幚頊囟?、以及在溶解變形處理后加熱襯底從而烘干有機(jī)膜圖案。
這種本發(fā)明的襯底處理方法的第二方面的工序如圖3所示。
圖3中的襯底處理方法依次包括以下處理灰化處理(步驟S7)、對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理(步驟S1)、控制襯底的溫度達(dá)到適當(dāng)?shù)臏囟?步驟S2)、將有機(jī)膜圖案暴露在氣體氣氛下(步驟S3)及加熱有機(jī)膜圖案(步驟S4)。
在對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理中所使用的藥液含有至少一種堿性化學(xué)品、酸性化學(xué)品及有機(jī)溶劑。即，所述藥液可含有一種或多種堿性化學(xué)品、酸性化學(xué)品及有機(jī)溶劑。
優(yōu)選有機(jī)溶劑至少含有胺類材料。
優(yōu)選所述藥液至少含有有機(jī)溶劑和胺類材料。
優(yōu)選堿性化學(xué)品至少含有胺類材料和水。
優(yōu)選所述藥液至少含有堿性化學(xué)品和胺類材料。
胺類材料選自例如一乙基胺、二乙基胺、三乙基胺、一異丙基胺、二異丙基胺、三異丙基胺、一丁基胺、二丁基胺、三丁基胺、羥胺、二乙基羥胺、脫水二乙基羥胺、吡啶、甲基吡啶等。
優(yōu)選所述藥液含有防腐劑。
并且，本發(fā)明的襯底處理方法的第三方面是對由感光性有機(jī)膜組成的有機(jī)膜圖案的施用方法。在本發(fā)明的方法的第三方面，設(shè)計(jì)藥液使其具有使有機(jī)膜圖案顯影的功能。
例如，涉及的藥液可含有顯影劑。
具有使有機(jī)膜圖案顯影功能的藥液可選自含有0.1到10.0重量％(含端值)的TMAH(氫氧化四甲基銨)的有機(jī)堿水溶液，或者選自如NaOH、CaOH的無機(jī)堿水溶液。
本發(fā)明的襯底處理方法的第三方面中，優(yōu)選有機(jī)膜圖案顯影后，保持有機(jī)膜圖案為無感光狀態(tài)。
并且，本發(fā)明的襯底處理方法的第四方面，與本發(fā)明的襯底處理方法的第三方面相比，另外包括使有機(jī)膜圖案感光的曝光處理，使有機(jī)膜圖案感光的曝光處理在有機(jī)膜圖案的顯影處理之前進(jìn)行。
根據(jù)襯底處理方法的第四方面，由于在顯影前進(jìn)行使有機(jī)膜圖案感光的曝光處理，所以即使有機(jī)膜圖案不均勻地暴露于光下的現(xiàn)象，也可以將有機(jī)膜圖案完全地暴露于光下。因而解決了有機(jī)膜圖案曝光時(shí)的不均勻性，從而確保了均勻顯影。
在本發(fā)明的襯底處理方法的第四方面中，優(yōu)選在有機(jī)膜圖案曝光之前保持有機(jī)膜圖案為無感光狀態(tài)。
并且，本發(fā)明的襯底處理方法的第五方面與本發(fā)明的襯底處理方法的第三、第四方面相比，可另外包括對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理的步驟。
并且，本發(fā)明的襯底處理方法的第六方面與本發(fā)明的襯底處理方法的第一至第五相比，另外包括對在有機(jī)膜圖案下形成的底膜進(jìn)行圖案形成加工，將具有溶解變形處理的變形前或者變形后的有機(jī)膜圖案的底膜通過蝕刻進(jìn)行圖案加工。
在本發(fā)明的襯底處理方法的第七方面中通過濕法蝕刻或干法蝕刻對特別是溶解變形處理前的底膜進(jìn)行圖案形成加工。根據(jù)本發(fā)明的襯底處理方法的第七方面可以使有機(jī)膜圖案表面上形成的變質(zhì)層僅僅由氧化膜組成，以及對所述變質(zhì)層或者沉積層的破壞較少、并且含有較少的沉積物。
本發(fā)明的襯底處理方法中，可以另外在各處理前后對襯底進(jìn)行加熱、冷卻，或者控制襯底溫度。
例如，應(yīng)被去除的變質(zhì)層是由于有機(jī)膜圖案的表面因老化、熱氧化、熱硬化、用濕法蝕刻劑對有機(jī)膜圖案的濕法蝕刻處理、對有機(jī)膜圖案的灰化處理(例如使用氧氣的等離子體處理、施用臭氧及加熱處理、施用紫外線處理)而形成的變質(zhì)，或者對有機(jī)膜圖案的干法蝕刻造成的沉積物所引起的變質(zhì)。
例如，應(yīng)被去除的沉積層是由對有機(jī)膜圖案的干法蝕刻造成的沉淀而引起的。
去除處理達(dá)到以下的一個(gè)效果(a)去除有機(jī)膜圖案表面上形成的變質(zhì)層或者沉積層的效果；(b)選擇性地去除有機(jī)膜圖案表面上形成的變質(zhì)層或者沉積層的效果；(c)去除有機(jī)膜圖案表面上形成的變質(zhì)層，使沒有變質(zhì)的有機(jī)膜圖案部分露出的效果；(d)去除有機(jī)膜圖案表面上形成的沉積層，使有機(jī)膜圖案露出效果。
在這里，變質(zhì)層的變質(zhì)程度、特性根據(jù)以下因素的不同而大為不同，所以也隨之產(chǎn)生變質(zhì)層去除的難易度的不同濕法蝕刻處理中使用的藥液；干法蝕刻處理是否是各向同性或各向異性；有機(jī)膜圖案上的沉積物的有無；干法蝕刻處理中的使用氣體。因而，本發(fā)明的襯底處理方法中第一至第七方面的去除處理的種類需要根據(jù)變質(zhì)層的變質(zhì)程度及性質(zhì)適當(dāng)?shù)剡x擇。
在本發(fā)明的方法中，進(jìn)一步包括實(shí)施加熱有機(jī)膜圖案的處理。該加熱有機(jī)膜圖案的處理的目的在于去除有機(jī)膜圖案內(nèi)滲入的水分、酸溶液和/或堿溶液，或者，在有機(jī)膜圖案和底膜之間的粘合力下降時(shí)，恢復(fù)該粘合力。這種有機(jī)膜圖案的加熱處理例如在50-150℃溫度下進(jìn)行60-300秒。
根據(jù)前述的本發(fā)明獲得的優(yōu)點(diǎn)將在下文闡述。
本發(fā)明方法中，依次包括如下處理去除步驟，去除所述有機(jī)膜圖案的表面上形成的變質(zhì)層和沉積層；溶解變形步驟，將所述有機(jī)膜圖案溶解變形，其中去除步驟的至少一部分通過對所述有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理來進(jìn)行。因此，可以不需要在所述去除步驟中實(shí)施灰化處理，或者可以縮短灰化處理的時(shí)間，所以可以降低對有機(jī)膜圖案或者襯底產(chǎn)生的破壞。
因而可以均勻地進(jìn)行溶解變形處理，在溶解變形處理中，擴(kuò)大有機(jī)膜圖案的面積、使鄰近設(shè)置的有機(jī)膜圖案互相成為一體，使有機(jī)膜圖案平坦化，或者使有機(jī)膜圖案變形以使其成為覆蓋襯底上形成的電路圖案的絕緣體。
一直以來，在進(jìn)行溶解變形處理之前進(jìn)行灰化處理，以去除有機(jī)膜圖案上形成的變質(zhì)層，但該灰化處理中很難完全去除變質(zhì)層，同時(shí)也由于形成另一變質(zhì)層而導(dǎo)致灰化處理對有機(jī)膜圖案的破壞。
而與之相對，在本發(fā)明中，由于去除步驟的至少一部分是通過對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理進(jìn)行，所以可以將對有機(jī)膜圖案的表面及襯底所產(chǎn)生的破壞限制到最小限度內(nèi)。因而，可均勻地實(shí)施溶解變形處理。
當(dāng)襯底上形成的最初的有機(jī)膜圖案是至少二個(gè)厚度彼此不同的部分時(shí)，并且使有機(jī)膜圖案中厚度小的部分更加薄，或者去除有機(jī)膜圖案中厚度小的部分時(shí)，優(yōu)選保持襯底為無曝光狀態(tài)直到有機(jī)膜圖案顯影。
當(dāng)具有至少兩個(gè)膜厚度彼此不同的部分的有機(jī)膜圖案中，使厚度小的部分更薄，或者去除厚度小的部分時(shí)，通常通過使用氧氣的干法蝕刻或者灰化(例如為各向異性灰化)進(jìn)行。本發(fā)明的方法可以實(shí)現(xiàn)以下效果特別是通過對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理或者使有機(jī)膜圖案的顯影這樣的濕法處理進(jìn)行，可以減少對有機(jī)膜圖案和襯底的破壞；可以利用有機(jī)膜圖案的感光性的有無所引起的顯影速度的差異，從而實(shí)現(xiàn)高選擇性的處理，如使厚度小的部分更薄。


圖1是常規(guī)的襯底處理方法的流程圖。
圖2是本發(fā)明的第一實(shí)施方案的襯底處理方法中實(shí)施步驟的流程圖。
圖3是本發(fā)明的第二實(shí)施方案的襯底處理方法中實(shí)施步驟的流程圖。
圖4是襯底處理裝置的一個(gè)例子的平面圖。
圖5是襯底處理裝置的另外一個(gè)例子的平面圖。
圖6是襯底處理裝置中將要安裝的候選處理單元的示意圖。
圖7是對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理的單元的一個(gè)例子的截面圖。
圖8是對有機(jī)膜圖案實(shí)施氣體氣氛處理的單元的一個(gè)例子的截面圖。
圖9是對有機(jī)膜圖案實(shí)施氣體氣氛處理的單元的另一個(gè)例子的截面圖。
圖10本發(fā)明的第三和第四實(shí)施方案的方法中實(shí)施步驟的流程圖。
圖11本發(fā)明的第五實(shí)施方案的方法中實(shí)施步驟的流程圖。
圖12說明了隨著形成變質(zhì)層各因素變化的變質(zhì)層的變質(zhì)化程度。
圖13說明了藥液中的胺類材料的濃度和去除率的關(guān)系的示意圖。
圖14說明了只實(shí)施灰化處理的變質(zhì)層的變化。
圖15說明了只實(shí)施藥液處理的變質(zhì)層的變化。
圖16說明了依次實(shí)施灰化處理和藥液處理時(shí)的變質(zhì)層的變化。
圖17說明了在溶解變形處理中的有機(jī)膜圖案的處理方式的差異的示意圖。
具體實(shí)施例方式
以下參照附圖對本發(fā)明涉及的實(shí)施方案進(jìn)行說明。
本發(fā)明的實(shí)施方案涉及襯底處理方法可以使用圖4所示的襯底處理裝置100或者圖5所示的襯底處理裝置200來實(shí)施。
這些襯底處理裝置100、200對于用于對襯底實(shí)施各種處理的處理單元(后面論述)可以根據(jù)需要選擇性地配備。
如圖6所示，這些襯底處理裝置100、200可具體包括以下7種處理單元有機(jī)膜圖案曝光的第一處理單元17、加熱有機(jī)膜圖案的第二處理單元18、控制有機(jī)膜圖案的溫度的第三處理單元19、使有機(jī)膜圖案顯影的第四處理單元20、對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理的第五處理單元21、對有機(jī)膜圖案實(shí)施氣體氣氛處理的第六處理單元22、以及對有機(jī)膜圖案實(shí)施灰化處理的第七單元23。
在有機(jī)膜圖案曝光的第一處理單元17中，對襯底上形成的有機(jī)膜圖案進(jìn)行曝光處理?？蓪Ω采w襯底的至少一部分的有機(jī)膜圖案曝光。例如，對完全覆蓋襯底的有機(jī)膜圖案或者襯底覆蓋面積為襯底總面積的至少1/10的有機(jī)膜圖案進(jìn)行曝光。在第一處理單元17中，可以是對有機(jī)膜圖案一次性完全曝光，或是在襯底的預(yù)定區(qū)域內(nèi)使用聚光燈掃描曝光。例如，有機(jī)膜圖案曝光所使用的光是紫外線、熒光或自然光。
在加熱有機(jī)膜圖案的第二處理單元18中，將襯底或有機(jī)膜圖案進(jìn)行加熱處理或烘干，加熱溫度為例如80℃-180℃、或者100℃-150℃的范圍。第二處理單元18具有使襯底呈水平狀態(tài)支承的平臺和內(nèi)部配置有該平臺的箱體。
第三處理單元19控制有機(jī)膜圖案或襯底的溫度。例如，第三處理單元19使有機(jī)膜圖案和/或襯底的溫度保持在例如為10℃-50℃、或者10℃-80℃范圍內(nèi)。第三處理單元19具有使襯底呈水平狀態(tài)支承的平臺和內(nèi)部配置有該平臺的箱體。
第五處理單元21用于對有機(jī)膜圖案或襯底實(shí)施藥液處理。
該第五處理單元21如同圖7所示，由例如具有存儲藥液的藥液箱301、內(nèi)部配置有襯底500的箱體302組成。箱體302具有將由藥液箱301輸送的藥液供應(yīng)到襯底500上的可動噴嘴303、使襯底500呈水平狀態(tài)支承的平臺304、從該箱體302內(nèi)排出廢液及排氣的排出口305。
在第五處理單元21中，通過向藥液箱301內(nèi)壓送氮?dú)?，可以將該藥液?01內(nèi)儲存的藥液通過可動噴嘴303提供到襯底500上?？蓜訃娮?03可以沿著水平方向移動。平臺304包括多個(gè)栓將襯底500從下面進(jìn)行點(diǎn)支承。
第五處理單元21也可以設(shè)計(jì)是將藥液蒸氣化并將氣化藥液提供到襯底500上的干式的構(gòu)造。
例如，第五處理單元21包含酸、有機(jī)溶劑和堿溶液的任意一種的藥液。
用于對有機(jī)膜圖案進(jìn)行顯影處理的第四處理單元20對有機(jī)膜圖案或襯底顯影。例如將第五處理單元21的藥液箱301內(nèi)存儲的藥液作為顯影液，除此之外也可以和第四處理單元20是相同的構(gòu)造。
第六處理單元22進(jìn)行使各種氣體暴露到有機(jī)膜圖案上的氣體氣氛處理，從而進(jìn)行使有機(jī)膜圖案溶解并變形(溶解變形處理)。
第六處理單元22如同圖8及圖9所示，也可由以下組成用于通過鼓泡生成氣體的容器401、內(nèi)部配置有襯底500的箱體402。箱體402具有氣體導(dǎo)入403，用于將來自容器401的氣體導(dǎo)入到箱體402內(nèi)；排氣孔404，用于從該箱體402內(nèi)排出氣體；平臺405，使襯底500呈水平狀態(tài)地支承；溫度控制機(jī)構(gòu)，用于將箱體402及容器401控制到希望的溫度。箱體402也可以是具有以下構(gòu)造的類型(圖8)位置互不相同的多個(gè)氣體導(dǎo)入口403；為了將氣體擴(kuò)散和分布到平臺405上支撐的襯底500上，多個(gè)孔部全面分散配置的氣體分布板406。此外箱體402還可以是具有以下構(gòu)造的類型(圖9)一個(gè)氣體導(dǎo)入口403；將來自氣體導(dǎo)入口403的氣體通過旋轉(zhuǎn)進(jìn)行分布的分布部件407。
在第六處理單元22中，可以向容器401內(nèi)儲存的液體(如有機(jī)溶劑)中鼓入氮?dú)膺M(jìn)行鼓泡，將通過鼓泡生成的氣體通過氣體導(dǎo)入口403導(dǎo)入到箱體內(nèi)402，并與襯底500接觸。
第七處理單元23是通過以下處理中的任意一種，或者其他處理來進(jìn)行襯底500上的有機(jī)膜圖案的蝕刻的單元等離子體處理(氧或者氧/氟等離子體)、使用紫外線等波長短的光能處理、及使用光能或者熱的臭氧處理。
并且如同圖4所示，裝置100組成如下第一盒子臺1，放置有用于存放襯底(例如LCD襯底或者半導(dǎo)體單晶片)的盒子L1；第二盒子臺2，放置有和盒子L1相同的盒子L2；分別配置有各種處理單元U1到U9的處理單元配置區(qū)域3到11；在第一和第二盒子臺1、2及各處理單元U1到U9相互之間進(jìn)行襯底傳送的襯底傳送自動機(jī)械12；控制襯底傳送和控制各處理單元U1到U9執(zhí)行各種處理的控制機(jī)構(gòu)24。
例如盒子L1用于存放襯底處理裝置100進(jìn)行處理前的襯底，盒子L2用于存放襯底處理裝置100處理結(jié)束后的襯底。
并且，各處理單元配置區(qū)域3到11中設(shè)置的各處理單元U1到U9可以將圖6所示的七種處理單元中的任意一種進(jìn)行選擇。
并且，根據(jù)處理的種類或者處理能力，可以適當(dāng)調(diào)節(jié)選擇的處理單元的數(shù)量。因此，處理單元配置區(qū)域3到11中的任何一個(gè)或多個(gè)可不設(shè)置有任何處理單元。
并且，控制機(jī)構(gòu)24根據(jù)處理方法選擇各處理單元U1到U9和自動機(jī)械12中將要執(zhí)行的程序，以及執(zhí)行所選擇的程序從而進(jìn)行各處理單元U1到U9和自動機(jī)械12的操作控制。
具體而言，控制機(jī)構(gòu)24根據(jù)處理順序的數(shù)據(jù)控制自動機(jī)械12的傳送順序，使從第一和第二盒子臺1、2及處理單元U1到U9中的襯底的取出、襯底存放等，按照規(guī)定的順序進(jìn)行。
另外，控制機(jī)構(gòu)24根據(jù)處理?xiàng)l件的數(shù)據(jù)，對各處理單元U1到U9的處理進(jìn)行執(zhí)行的控制。
圖4所示的裝置可以將各處理單元要執(zhí)行的處理順序進(jìn)行變更。
相比之下，裝置200中，處理單元要執(zhí)行的處理順序是固定的。
如同圖5所示，裝置200組成如下放置有盒子L1的第一盒子臺13；放置有盒子L2的第二盒子臺16；各個(gè)分別配置有各種處理單元U1到U7的處理單元配置區(qū)域3到9；在盒子L1和處理單元U1之間傳送襯底的第一自動機(jī)械14；在處理單元U7和盒子L2之間傳送襯底的第二自動機(jī)械15；控制自動機(jī)械14、15傳送襯底和控制處理單元U1到U7執(zhí)行各種處理的控制機(jī)構(gòu)24。
裝置200中，在處理單元U1到U7中的處理順序是固定的，具體而言，從位于上游的處理單元開始依次(圖中箭頭A的方向)進(jìn)行連續(xù)處理。
處理單元配置區(qū)域3到9中設(shè)置的各種處理單元U1到U7也可以選擇圖6所示的七種處理單元中的任意一種。并且，根據(jù)處理的種類或者處理能力，可以確定處理單元的數(shù)量。因此，在任何的一個(gè)或多個(gè)處理單元配置區(qū)域3到9中，也可以不設(shè)置處理單元。
裝置100、200中，為了實(shí)施對襯底上形成的有機(jī)膜圖案進(jìn)行加工，包括襯底傳送單元(具體地說是自動機(jī)械)和容納盒子的單元(具體地說是盒子臺)，從圖6的七種處理單元中選擇的處理單元。
盡管裝置100、200中設(shè)置的處理單元的數(shù)量分別設(shè)置有9個(gè)、7個(gè)的示例如同圖4、圖5所示，但這些數(shù)量也可以根據(jù)處理的種類、處理單元的能力、成本等情況適當(dāng)?shù)卦鰷p。
此外，盡管裝置100、200可包括兩個(gè)盒子L1及L2，但根據(jù)要求的能力、成本等情況適當(dāng)?shù)卦鰷p其數(shù)量。
襯底處理裝置100、200所具有的處理單元除了所述圖6中七種處理單元外，也可以追加處理單元。例如，裝置100和200可包括如下處理單元襯底曝光制造細(xì)微圖案的單元、蝕刻(干或濕)襯底的處理單元、在襯底上涂敷樹脂膜的處理單元、以及強(qiáng)化襯底和有機(jī)膜圖案之間的粘合力的處理單元、清洗襯底的處理單元(干清洗使用UV光或等離子體；濕清洗使用清洗液等)。
如果裝置100和200包括蝕刻(干或濕)襯底的處理單元時(shí)，可以將有機(jī)膜圖案作為掩模進(jìn)行底模(例如襯底表面)的圖案加工。
如果第五處理單元21含有的藥液，具體地是含有酸或堿的蝕刻劑，可蝕刻底膜，則第五處理單元21可用作蝕刻(干或濕)襯底的處理單元。
為了均勻?qū)崿F(xiàn)各處理，裝置100和200襯底可包括多個(gè)用于對襯底多次施加同一處理的同一處理單元。
當(dāng)裝置100和200襯底包括多個(gè)用于對襯底多次施加同一處理的同一處理單元時(shí)，優(yōu)選同一單元中進(jìn)行襯底的處理使襯底的朝向互相不同(例如使之為相反朝向)地進(jìn)行。此時(shí)，裝置100和200最好具有使襯底在處理單元中的朝向不同的進(jìn)行的功能，確保襯底朝向的變更不需要由作業(yè)者手動進(jìn)行，而可以自動進(jìn)行。
或者當(dāng)裝置100和200包括一個(gè)處理單元時(shí)，最好是使處理單元中加工多次的襯底的朝向在每次處理時(shí)互不相同。例如，最好在朝向互相相反的多個(gè)方向上，對襯底進(jìn)行處理。在這些情況下，裝置100和200最好具有將在一個(gè)處理單元中處理襯底時(shí)使襯底的朝向在每次處理時(shí)互不相同的功能。
也優(yōu)選在一個(gè)處理單元所進(jìn)行的處理中，襯底在第一方向處理并進(jìn)一步在與第一方向不同的第二方向處理。這種情況下，裝置100和200最好具有進(jìn)行這種處理的功能。
以下對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案進(jìn)行說明。
(第1實(shí)施方案)在第一實(shí)施方案中，對本發(fā)明的襯底處理方法的第一方面進(jìn)行說明。
本發(fā)明的襯底處理方法的第一方面用于以下目的(a)以有機(jī)膜(主要是掩模)圖案作為掩模進(jìn)行底膜(例如襯底)的蝕刻時(shí)，使底膜的蝕刻形狀錐形化，或者使蝕刻尺寸細(xì)微化(通過有機(jī)膜圖案的區(qū)域擴(kuò)大或者連接孔的尺寸減少從而減少蝕刻尺寸)；(b)以有機(jī)膜(例如是掩模)圖案作為掩模進(jìn)行底膜的蝕刻時(shí)，通過在溶解/變性處理之前或之后對底膜進(jìn)行蝕刻，將底膜蝕刻成為二層結(jié)構(gòu)，形成互相不同的二種圖案，或者形成分離圖案和結(jié)合圖案的組合(例如參照日本專利申請公開2002-334830的圖2及圖3)；(c)當(dāng)有機(jī)膜圖案為絕緣性的時(shí)候，對該有機(jī)膜圖案進(jìn)行變形，使之成為覆蓋在襯底上形成的電路圖案的絕緣膜。
本發(fā)明的方法的第一方面提供的有機(jī)膜圖案的處理方法用于實(shí)現(xiàn)所述目的(1)-(3)。
圖2是本發(fā)明的第一實(shí)施方案的方法中實(shí)施步驟的流程圖。
如同圖2所示，該方法依次包括如下處理步驟對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理(步驟S1)、控制襯底或有機(jī)膜圖案的溫度到適當(dāng)溫度(步驟S2)、將有機(jī)膜圖案暴露在氣體氣氛下(步驟S3)以及加熱有機(jī)膜圖案(步驟S4)。
步驟S1構(gòu)成了去除變質(zhì)層或沉積層的去除處理，步驟S3構(gòu)成了溶解變形處理。
步驟S1在第五處理單元21中進(jìn)行，通過對變質(zhì)層或沉積層實(shí)施藥液處理(酸性溶液、堿性溶液或有機(jī)溶劑溶液)除去有機(jī)膜圖案表面上形成的所述層。
步驟S1進(jìn)一步改善沒有被有機(jī)膜圖案覆蓋的襯底部分的濕潤性。
在步驟S1中，為了只去除有機(jī)膜圖案上形成的變質(zhì)層或者沉積層，最好設(shè)置步驟S1的處理時(shí)間或者選擇使用藥液。
去除變質(zhì)層或者沉積層的結(jié)果是，沒有變質(zhì)的有機(jī)膜圖案部分露出來，或者被沉積層覆蓋的有機(jī)膜圖案露出來。
例如，通過去除處理(步驟S1)應(yīng)去除的變質(zhì)層是由于有機(jī)膜圖案的表面老化、熱氧化、熱硬化、有機(jī)膜圖案附著沉積層、使用酸性濕法蝕刻劑對有機(jī)膜圖案濕法蝕刻、對有機(jī)膜圖案進(jìn)行灰化處理(如O2灰化)、使用其他干法蝕刻氣體的干法蝕刻處理)而變質(zhì)生成的。即，有機(jī)膜圖案由于所述因素而受到物理的、化學(xué)的破壞而變質(zhì)，但由于變質(zhì)層的變質(zhì)的程度、特性根據(jù)以下因素而大為不同，所以也隨之產(chǎn)生變質(zhì)層去除的難易度的不同濕法蝕刻處理中使用的藥液；干法蝕刻(實(shí)施等離子體)的各向同性或各向異性；有機(jī)膜圖案上的沉積物的有無；干法蝕刻處理中的使用氣體。
通過去除處理應(yīng)去除的沉積層是由于干法蝕刻處理造成的。該沉積層的特性也由于隨著以下因素而大為不同，所以也隨之產(chǎn)生沉積層去除的難易度的不同干法蝕刻處理的各向同性或各向異性、干法蝕刻處理中的使用氣體。
因此，步驟S1的實(shí)施時(shí)間的長短、步驟S1中所使用的藥液需要根據(jù)變質(zhì)層或者沉積層去除難易必要地進(jìn)行設(shè)定。
例如，步驟S1中所使用的藥液可以選自含有堿性化學(xué)品的藥液、含有酸性化學(xué)品的藥液、含有有機(jī)溶劑的化學(xué)品、含有有機(jī)溶劑和胺類材料的藥液、含有堿性化學(xué)品和胺類材料的藥液的任意一種。
例如，所述堿性化學(xué)品可以含有胺類材料和水，所述有機(jī)溶劑可以含有胺類材料。
步驟S1中所使用的藥液也可以含有防腐劑。
例如，胺類材料具體選自一乙基胺、二乙基胺、三乙基胺、一異丙基胺、二異丙基胺、三異丙基胺、一丁基胺、二丁基胺、三丁基胺、羥胺、二乙基羥胺、脫水二乙基羥胺、吡啶、甲基吡啶等。即，藥液在含有胺類材料時(shí)，可以含有這些材料中的任意一種，也可以含有任意的多種。并且，藥液含有胺類材料時(shí)，可以是在0.01到10重量％范圍內(nèi)含有胺類材料的水溶液。
步驟S2在步驟S3之前用于控制襯底或有機(jī)膜圖案的溫度保持在適當(dāng)?shù)臏囟?。例如，在步驟S2中，使襯底或有機(jī)膜圖案的溫度保持在10℃-50℃。在步驟S2中，將襯底放置到保持在預(yù)定溫度的第三處理單元19的平臺上，加熱襯底直到襯底溫度到達(dá)到預(yù)定溫度。例如，將襯底加熱3分鐘-5分鐘。
步驟S1和S2提供的優(yōu)點(diǎn)在于在隨后的步驟S3中氣體可能滲透進(jìn)入有機(jī)膜圖案中，因此提高步驟S3的效率。
在步驟S3中，在第六處理單元22中將襯底暴露在各種氣體(例如將有機(jī)溶劑)下，使襯底上的有機(jī)膜圖案溶解變形。例如，將襯底暴露在有機(jī)溶劑的氣體氣氛中。
表1表示步驟S3中優(yōu)選使用的有機(jī)溶劑。
●醇類(R-OH)●烷氧基醇類●醚類(R-O-R、Ar-O-R、Ar-O-Ar)●酯類●酮類●二醇類●亞烷基二醇類●二醇醚類在表1，R表示烷基或取代烷基，Ar表示苯基或不同于苯基的芳環(huán)。
●CH3OH、C2H5OH、CH3(CH2)XOH●異丙基醇(IPA)●乙氧基乙醇●甲氧基醇●長鏈烷基酯●一乙醇胺(MEA)●一乙基胺●二乙基胺●三乙基胺●一異丙基胺●二異丙基胺●三異丙基胺●一丁基胺●二丁基胺●三丁基胺●羥胺●二乙基羥胺●脫水二乙基羥胺●吡啶●甲基吡啶●丙酮●乙酰丙酮●二氧雜環(huán)己烷●醋酸乙基●醋酸丁基
●甲苯●甲基乙基酮(MEK)●二乙基酮●二甲基亞砜(DMSO)●甲基異丁基酮(MIBK)●丁基卡必醇●乙酸正丁基酯(nBA)●γ-丁內(nèi)酯●醋酸乙基纖溶劑(ECA)●乳酪乙酯●丙酮酸乙酯●2-庚酮●乙酸-3-甲氧基丁基酯●乙二醇●丙二醇●丁二醇●乙二醇一乙基醚●二乙二醇一乙基醚●乙二醇一乙基醚乙酸酯●乙二醇一甲基醚●乙二醇一甲基醚乙酸酯●乙二醇一正丁基醚●聚乙二醇●聚丙二醇●聚丁二醇●聚乙二醇一乙基醚●聚二乙二醇一乙基醚●聚乙二醇一乙基醚乙酸酯●聚乙二醇一甲基醚●聚乙二醇一甲基醚乙酸酯
●聚乙二醇一正丁基醚●甲基-3-甲氧基丙酸酯(MMP)●丙二醇一甲基醚(PGME)●丙二醇一甲基乙酸酯(PGMEA)●丙二醇一丙醚(PGP)●丙二醇一乙基醚(PGEE)●乙基-3-乙氧基丙酸酯(FEP)●二丙二醇一乙基醚●三丙二醇一乙基醚●聚丙二醇一乙基醚●丙二醇一甲基醚丙酸酯●3-甲氧基丙酸甲酯●3-乙氧基丙酸乙酯●N-甲基-2-吡咯烷酮使用從有機(jī)溶劑生成的氣體對襯底進(jìn)行氣體氣氛處理，是在有機(jī)溶劑滲透進(jìn)入有機(jī)膜圖案而溶解的情況下進(jìn)行的。例如，當(dāng)有機(jī)膜圖案可溶于水、酸和堿時(shí)，通過使用從水溶液、酸溶液或者堿溶液生成的氣體對襯底進(jìn)行氣體氣氛處理。
在步驟S4中，將襯底放置在第二處理單元18的平臺上(例如80℃-180℃)，放置襯底并使之保持規(guī)定的時(shí)間(例如3分鐘-5分鐘)。步驟S4可以使氣體更深入地滲透進(jìn)入有機(jī)膜圖案中，同時(shí)加快溶解變形。
用在第一實(shí)施方案中的裝置100或200至少包括第五處理單元21、第三處理單元19、第六處理單元22及第二處理單元18作為處理單元U1-U9或U1-U7。
在裝置100中，第五處理單元21、第三處理單元19、第六處理單元22以及第二處理單元18的配置是任意的。
相比之下，在裝置200中，需要依照第五處理單元21、第三處理單元19、第六處理單元22以及第二處理單元18的順序，按圖5中的箭頭A方向進(jìn)行配置。在下文所述方法中，各處理單元也需要按照這些處理順序配置。
根據(jù)所述的第一實(shí)施方案，通過步驟S1進(jìn)行完有機(jī)膜圖案的表面質(zhì)量改善、有機(jī)膜圖案的表面的部分去除、或者改善襯底表面的濕潤性后，進(jìn)行溶解變形處理(步驟S3)，所以可以很好地控制該溶解變形處理，并使之均勻且高效地進(jìn)行，從而可以很好地達(dá)到所述(1)-(3)的目的。
作為干法處理的灰化處理可以分為二類。
第一種灰化處理是不同于等離子體放電處理的處理。例如，第一種灰化處理由以下步驟組成對物體如有機(jī)膜或底膜施用紫外線等波長短的光能或熱處理。第一種灰化處理對物體的破壞較小，但處理速度慢。因而，第一種灰化處理僅僅用于有機(jī)膜圖案、底膜的表面狀態(tài)變化，而難以用于諸如有機(jī)膜上形成的變質(zhì)層的去除這樣需要高速進(jìn)行的處理。
第二種灰化處理是等離子體放電處理。等離子體放電處理進(jìn)一步分為二種。第一種等離子體放電處理是高壓、低功率、各向同性的等離子體放電處理。第二種等離子體放電處理是低壓、高功率、各向異性的等離子體放電處理。該等離子體放電處理中的任何一種的處理速度都比所述第一種灰化處理的快。并且第二種等離子體放電處理的處理速度比第一種等離子體放電處理的處理速度快。這樣一來，由于第一種和第二種等離子體放電處理的速度都較快，所以有機(jī)膜圖案可在短時(shí)間內(nèi)蝕刻、底膜的表面狀態(tài)變化可以在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行。另外，第一種和第二種等離子體放電處理可用于有機(jī)膜圖案表面上形成的變質(zhì)層的去除及干法剝離這樣高速的處理中。但是，第二種灰化處理即等離子體放電處理對物體的破壞比第一種灰化處理大。
特別是為了去除有機(jī)膜圖案表面上形成的部分變質(zhì)層，第一種灰化處理是不充分的。各向異性的等離子體放電處理(第二種等離子體放電處理)可以充分地去除最初形成的變質(zhì)層，但會對有機(jī)膜圖案產(chǎn)生較大的破壞，從而在有機(jī)膜圖案上形成新的變質(zhì)層。因此，選擇各向異性的等離子體放電處理(第二種等離子體放電處理)在去除有機(jī)膜圖案表面上形成的變質(zhì)層這個(gè)目標(biāo)上而言是沒有意義的。因此，在該目標(biāo)下，通常選擇各向同性的等離子體放電處理(第一種等離子體放電處理)用于除去有機(jī)膜圖案表面上形成的變質(zhì)層。
但是，在所述公報(bào)中所述的方法中，當(dāng)將有機(jī)膜圖案表面上形成的變質(zhì)層除去以使得藥液(例如有機(jī)溶劑)滲透進(jìn)入有機(jī)膜圖案中使其變形的步驟均勻化時(shí)，無論是各向異性的等離子體放電處理(第二種等離子體放電處理)，還是各向同性的等離子體放電處理(第一種等離子體放電處理)，都難以完全除去變質(zhì)層，也不能防止有機(jī)膜圖案上形成微小的變質(zhì)層的問題，該問題是由于各向異性和各向同性等離子體放電處理造成的新的破壞引起的。
本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)即使由于各向異性和各向同性等離子體放電處理新形成的微小變質(zhì)層，也是妨礙藥液滲透進(jìn)入有機(jī)膜圖案中使其變形步驟均一化的問題所在。
也就是說，所述公報(bào)所述的方法中伴隨的問題是，因?yàn)橛袡C(jī)膜圖案被等離子體放電處理所破壞并在其上形成新的微小變質(zhì)層，而不能充分地使藥液滲透進(jìn)入有機(jī)膜圖案中，因此不能充分地對底膜進(jìn)行蝕刻。
根據(jù)本發(fā)明，這樣一來，在常規(guī)方法中通過灰化處理對有機(jī)膜圖案表面上形成的變質(zhì)層或者沉積層的去除通過濕法處理進(jìn)行，具體而言，通過對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理進(jìn)行。所以可能防止對有機(jī)膜圖案或者襯底造成的破壞。
加熱有機(jī)膜圖案的步驟S4可以省略，在省略了該加熱處理的情況下，就不需要裝置100或200具有第二處理單元18了。如果步驟S4中在第二處理單元18中加熱有機(jī)膜圖案的溫度可通過第三處理單元19進(jìn)行控制的話，步驟S4的處理可以在第三處理單元19中進(jìn)行。在以下圖2至圖4的各個(gè)附圖中，和步驟S4一樣都被括號括起的步驟意味著它們也同樣可以被省略。另外，在以下要說明的各襯底處理方法中，對用括號括起的步驟所對應(yīng)的處理單元也同樣可以省略。
在步驟S4之后，最好將襯底的溫度冷卻至室溫。
在裝置100中，即使進(jìn)行N次同一處理(N為至少為2的整數(shù))，裝置100不必須包括用于實(shí)施所述處理的同一處理單元，但在裝置200中有必要包括用于實(shí)施所述步驟的同一處理單元。例如，如果在裝置200中要進(jìn)行二次步驟S4時(shí)，裝置200需要包含二個(gè)第六處理單元22。這一點(diǎn)在以下要說明的各襯底處理方法中是一樣的。
(第二實(shí)施方案)在第二實(shí)施方案中對本發(fā)明的襯底處理方法的第二方面進(jìn)行說明。
本發(fā)明方法的第二方面的實(shí)施目的和第一實(shí)施方案有一樣的目的(所述(a)-(c)的目的)。換句話說，第二實(shí)施方案的襯底處理方法涉及對應(yīng)所述目的(a)-(c)的和有機(jī)膜圖案的加工步驟。
圖3是本發(fā)明第二實(shí)施方案的方法中實(shí)施步驟的流程圖。
如同圖3所示，在該方法中，按照灰化處理有機(jī)膜圖案(步驟S7)、對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理(步驟S1)、控制襯底或有機(jī)膜圖案的溫度到適當(dāng)溫度(步驟S2)、將有機(jī)膜圖案暴露在氣體氣氛下(步驟S3)、以及加熱有機(jī)膜圖案(步驟S4)的順序進(jìn)行。
在第二實(shí)施方案中，去除處理由灰化處理(步驟S7)和對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理(步驟S1)組成。
在第二實(shí)施方案中，在進(jìn)行步驟S1前，進(jìn)一步追加灰化處理(步驟S7)。該灰化處理在第七處理單元23中進(jìn)行。
在灰化處理中，有機(jī)膜圖案的蝕刻通過如下處理進(jìn)行等離子體、使用諸如紫外線的波長短光能、或使用光能或者熱的臭氧。
在第一實(shí)施方案中，去除有機(jī)膜圖案表面上形成的變質(zhì)層或者沉積層通過濕法處理進(jìn)行，即，通過對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理進(jìn)行。與第一實(shí)施方案不同，第二實(shí)施方案包括灰化處理、干燥處理，由此去除變質(zhì)層，特別是去除變質(zhì)層的表面。
灰化步驟S7之后進(jìn)行濕法步驟S1，用于將灰化處理后仍殘留的變質(zhì)層去除。即，通過將步驟S7和步驟S1組合，從而全部去除有機(jī)膜圖案表面上形成的變質(zhì)層。
關(guān)于步驟S2、步驟S3、步驟S4和第一實(shí)施方案是一樣的。
在第二實(shí)施方案中，依次實(shí)施灰化處理(步驟S7)去除有機(jī)膜圖案表面上的變質(zhì)層或沉積層和對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理(步驟S1)。在灰化處理中，僅僅去除了表面的變質(zhì)層或沉積層。因此，與常規(guī)灰化處理相比，可縮短灰化處理的實(shí)施時(shí)間，并充分地減少灰化處理對有機(jī)膜圖案的破壞。
當(dāng)存在只用步驟S1無法去除的變質(zhì)層或者沉積層時(shí)，通過步驟S1之前的灰化步驟S7，可完全地去除所述層。
第二實(shí)施方案的步驟S1中所使用的藥液和第一實(shí)施方案的步驟S1中所使用的藥液相比，可以適用有機(jī)膜圖案的侵蝕度小的藥液，或者使第二實(shí)施方案的步驟S1的處理時(shí)間比第一實(shí)施方案的步驟S1縮短。
(第三實(shí)施方案)在本發(fā)明方法的第三方面，對本發(fā)明的第三實(shí)施方案進(jìn)行說明。
第三實(shí)施方案的方法是適用于有機(jī)膜圖案主要是由感光性有機(jī)膜組成時(shí)的方法，第三實(shí)施方案所使用的藥液除了選自具有使有機(jī)膜圖案顯影功能的藥液這一點(diǎn)外，和第一、第二實(shí)施方案的方法相同。
這里的藥液可選自含有0.1到10.0重量％的TMAH(氫氧化四甲基銨)的有機(jī)堿水溶液，或者諸如NaOH、CaOH的無機(jī)堿水溶液。
在第三實(shí)施方案中，當(dāng)初次曝光形成最初的有機(jī)膜圖案期間，最好保持襯底為無感光狀態(tài)。通過保持無感光狀態(tài)，可以使有機(jī)膜圖案顯影均一。
為了保持襯底為無感光狀態(tài)，最好對工序進(jìn)行管理，或者使裝置100或200具有這種功能。
圖10(a)表示第三實(shí)施方案方法中實(shí)施步驟的流程圖。
如同圖10(a)所示，第三實(shí)施方案的方法依次由以下步驟組成有機(jī)膜圖案顯影(步驟S5)、控制有機(jī)膜圖案的溫度(步驟S2)、對有機(jī)膜圖案實(shí)施氣體氣氛處理(步驟S3)、以及加熱有機(jī)膜圖案(步驟S4)。
有機(jī)膜圖案顯影的步驟S5構(gòu)成去除變質(zhì)層或沉積層的去除處理。
步驟S5是在第四處理單元20中實(shí)施。在步驟S5中，將有機(jī)膜圖案通過顯影劑進(jìn)行顯影，步驟S5和圖2中的步驟S1起到同樣的效果。
因此，根據(jù)第三實(shí)施方案的方法，可以得到和第一實(shí)施方案的方法相同的效果。
第三實(shí)施方案中所使用的裝置100或200需要包括作為處理單元U1-U9或者U1-U7的第四處理單元20、第三處理單元19、第六處理單元22及第二處理單元18。
在第三實(shí)施方案的方法中，也可以在有機(jī)膜圖案顯影處理前追加灰化處理(步驟S5)，在這種情況下，去除處理由灰化處理(步驟S7)及顯影處理(步驟S5)組成。
(第四實(shí)施方案)在本發(fā)明的方法的第四方面，對本發(fā)明的第四實(shí)施方案進(jìn)行說明。
第四實(shí)施方案的方法中，與第三實(shí)施方案相比，追加使有機(jī)膜圖案感光的曝光處理。在有機(jī)膜圖案顯影處理之前使有機(jī)膜圖案曝光。
在有機(jī)膜圖案曝光處理中，對覆蓋襯底的預(yù)定區(qū)域的有機(jī)膜圖案進(jìn)行曝光。該曝光是和使掩模曝光形成細(xì)微圖案的曝光不同的曝光，以下稱作“簡易曝光處理”。
該簡易曝光處理在第一處理單元17中進(jìn)行。在第一處理單元17中，將有機(jī)膜圖案暴露在紫外線、熒光、自然光或者其他光線下。
在該簡易曝光處理中，對覆蓋襯底的部分或整體的有機(jī)膜圖案進(jìn)行曝光。例如將覆蓋襯底總面積的至少1/10的有機(jī)膜圖案進(jìn)行曝光。在簡易曝光處理中，有機(jī)膜圖案可以一次曝光，或使用聚光燈掃描曝光。
在第四實(shí)施方案中，當(dāng)最初曝光形成有機(jī)膜圖案期間，最好保持襯底為無感光狀態(tài)。通過保持無感光狀態(tài)，可以使有機(jī)膜圖案均一顯影，并在簡易曝光處理中進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)襯底曝光的均一化。為了保持襯底為無感光狀態(tài)，最好對所有工序進(jìn)行管理，或者使裝置100或200具有這種功能。
該簡易曝光處理可以在以下任意一種情況下進(jìn)行。
在第一種情況中，對簡易曝光處理以前保持無感光狀態(tài)的襯底上的有機(jī)膜圖案在簡易曝光處理中進(jìn)行曝光。
在第二種情況中，在簡易曝光處理以前，一定程度上被曝光或曝光程度未知的情況下，實(shí)施簡易曝光處理使得襯底進(jìn)行完全曝光從而實(shí)現(xiàn)襯底曝光的均勻化，或?yàn)榱吮ｋU(xiǎn)起見追加襯底整體曝光。
(第四實(shí)施方案的實(shí)施例1)圖10(b)是第四實(shí)施方案實(shí)施例1的實(shí)施步驟的流程圖。
如同圖10(b)所示，在第四實(shí)施方案的實(shí)施例1中的方法依次由以下步驟組成簡易曝光(步驟S6)、有機(jī)膜圖案顯影(步驟S5)、控制有機(jī)膜圖案的溫度(步驟S2)、對有機(jī)膜圖案實(shí)施氣體氣氛處理(步驟S3)以及加熱有機(jī)膜圖案(步驟S4)。
簡易曝光處理(步驟S6)以及有機(jī)膜顯影處理(步驟S5)構(gòu)成去除變質(zhì)層或沉積層的去除處理。
圖10(b)的襯底處理方法包括在圖10(a)的襯底處理方法之前追加進(jìn)行的簡易曝光處理(步驟S6)的襯底處理方法。是當(dāng)有機(jī)膜圖案為感光性材料時(shí)，在(b)所示方法中有效地實(shí)施步驟S5。
在步驟6的簡易曝光處理中，將覆蓋襯底預(yù)定區(qū)域的有機(jī)膜圖案進(jìn)行曝光處理，該曝光處理是和對掩模進(jìn)行曝光處理形成細(xì)微圖案的曝光不同的曝光處理。
在第一處理單元17中進(jìn)行簡易曝光處理。在第一處理單元17中，使有機(jī)膜圖案曝光的光線是紫外線、熒光、自然光或者其他光線。
實(shí)施例1中所使用的裝置100或200中需要包括作為處理單元U1-U9或者U1-U7的第一處理單元17、第四處理單元20、第三處理單元19、第六處理單元22以及第二處理單元18。
(第四實(shí)施方案的實(shí)施例2)圖10(c)是第四實(shí)施方案的實(shí)施例2的實(shí)施步驟的流程圖。
如同圖10(c)所示，第四實(shí)施方案的實(shí)施例2的方法依次由以下步驟組成灰化處理(步驟S7)、簡易曝光(步驟S6)、有機(jī)膜圖案顯影(步驟S5)、控制有機(jī)膜圖案的溫度(步驟S2)、將有機(jī)膜圖案暴露在氣體氣氛下(步驟S3)以及加熱有機(jī)膜圖案(步驟S4)。
灰化處理(步驟S7)、簡易曝光處理(步驟S6)以及有機(jī)膜圖案顯影處理(捕獲走S5)構(gòu)成除去變質(zhì)層或沉積層的去除處理。
圖10(c)的襯底處理方法包括在圖10(b)的襯底處理方法之前追加在第七處理單元23中進(jìn)行的灰化處理(步驟S7)。
在實(shí)施例1中，完全在濕法處理中去除在有機(jī)膜圖案表面上形成的變質(zhì)層或沉積層。相比之下，在實(shí)施例2中，通過該灰化處理(步驟S7)去除變質(zhì)層，特別是去除變質(zhì)層的表面。
在步驟S7的灰化處理之后進(jìn)行的步驟S5中，將灰化處理后仍殘留的變質(zhì)層去除。
實(shí)施例2在其他方面和實(shí)施例1是相同的。
根據(jù)實(shí)施例2，由于在步驟S5之前進(jìn)行步驟S7的灰化處理，即使在有機(jī)膜圖案表面由于按照圖10(c)所示方法之前進(jìn)行的蝕刻處理產(chǎn)生硬化、變質(zhì)時(shí)，可以有效地去除該變質(zhì)層。即，優(yōu)選這種灰化步驟S7適用于表面因蝕刻引起硬化或變質(zhì)的有機(jī)膜圖案。
實(shí)施例2中的灰化步驟S7的實(shí)施時(shí)間比所述日本專利公報(bào)中的時(shí)間短。因?yàn)閷?shí)施例2具有步驟S5的有機(jī)膜顯影處理。
實(shí)施例2中所使用的裝置100或200中必須包括作為處理單元U1-U9或U1-U7的第七處理單元23、第一處理單元17、第四處理單元20、第三處理單元19、第六處理單元22以及第二處理單元18。
(第四實(shí)施方案的實(shí)施例3)圖10(d)是第四實(shí)施方案的實(shí)施例3的實(shí)施步驟的流程圖。
如同圖10(d)所示，第四實(shí)施方案的實(shí)施例3的方法依次由以下步驟組成簡易曝光(步驟S6)、灰化(步驟S7)、有機(jī)膜圖案顯影(步驟S5)、控制有機(jī)膜圖案的溫度(步驟S2)、對有機(jī)膜圖案實(shí)施氣體氣氛處理(步驟S3)以及加熱有機(jī)膜圖案(步驟S4)。
在實(shí)施例3中，同實(shí)施例2相比，改變了實(shí)施例步驟S6和S7的實(shí)施順序。實(shí)施例3獲得和實(shí)施例2相同的效果。
圖10(d)方法在步驟6的感光性有機(jī)膜圖案的變質(zhì)、硬化的情況下，比實(shí)施例2更適用。
實(shí)施例3中所使用的裝置100或200和實(shí)施例2中的裝置100或200相同。
第四實(shí)施方案中，采用簡易曝光處理作為標(biāo)準(zhǔn)曝光處理，這是從成本、能力、裝置100或200中的處理單元的設(shè)置角度出發(fā)。但并不僅限于此，第四實(shí)施方案也可以進(jìn)行通常形成細(xì)微圖案的曝光處理。
圖2、3和圖10所示的第一至第四各實(shí)施方案的實(shí)施目的在于(d)的有機(jī)膜圖案的平坦化(例如，日本專利公報(bào)2003-21827)，以及用于所述目的(a)-(c)。這里，將襯底的希望范圍所形成的有機(jī)膜看作“有機(jī)膜圖案”。
當(dāng)為所述目的(a)和(b)實(shí)施第一到第四實(shí)施方案時(shí)優(yōu)選在各處理之后、或者各處理前后兩方面實(shí)施底膜蝕刻。具體而言，優(yōu)選可以進(jìn)行將溶解變形處理的變形前的有機(jī)膜圖案作為掩模對該有機(jī)膜圖案下形成的底膜(例如襯底)進(jìn)行圖案加工，或者將溶解變形處理的變形后的有機(jī)膜圖案作為掩模對該有機(jī)膜圖案的底膜(例如襯底)進(jìn)行圖案加工。
(第五實(shí)施方案)
本發(fā)明的方法的第五方面在下面本發(fā)明的第五實(shí)施方案中進(jìn)行說明。
本發(fā)明的第五實(shí)施方案的方法，與第三和第四實(shí)施方案的襯底處理方法相比，在有機(jī)膜顯影處理之前進(jìn)一步包括對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理。
在對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理步驟中，使用不同于有機(jī)膜圖案顯影處理中所使用的具有顯影功能的藥液。
(第五實(shí)施方案的實(shí)施例1)圖11(a)是第五實(shí)施方案的實(shí)施例1的實(shí)施步驟流程圖。
如同圖11(a)所示，第五實(shí)施方案的實(shí)施例1的方法依次由以下步驟組成對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理(步驟S1)、有機(jī)膜圖案顯影(步驟S5)、控制有機(jī)膜圖案的溫度(步驟S2)、對有機(jī)膜圖案實(shí)施氣體氣氛處理(步驟S3)以及加熱有機(jī)膜圖案(步驟S4)。
對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理(步驟S1)和有機(jī)膜圖案顯影(步驟S5)構(gòu)成去除變質(zhì)層或沉積層的去除處理。
在步驟S1中，使用與具有使有機(jī)膜圖案顯影功能的藥液不同的藥液。
第五實(shí)施方案的實(shí)施例1的方法另外包括在圖10(a)所示方法之前實(shí)施步驟S1。
即，第五實(shí)施方案的實(shí)施例的方法改善了圖10(a)的所述方法。實(shí)施步驟S1用于去除有機(jī)膜圖案顯影處理(步驟S5)中無法去除變質(zhì)層或沉積層的部分(特別是表面)的變質(zhì)層或沉積層。對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理和第一實(shí)施方案中的步驟S1一樣，在第五處理單元21中進(jìn)行。
步驟S5、S2、S3和S4和第三實(shí)施方案中的步驟一樣。
(第五實(shí)施方案的實(shí)施例2)圖11(b)是第五實(shí)施方案的實(shí)施例2的實(shí)施步驟流程圖。
如同圖11(b)所示，第五實(shí)施方案的實(shí)施例2的方法依次由以下步驟組成對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理(步驟S1)、簡易曝光(步驟S6)、有機(jī)膜圖案顯影(步驟S5)、控制有機(jī)膜圖案的溫度(步驟S2)、對有機(jī)膜圖案實(shí)施氣體氣氛處理(步驟S3)以及加熱有機(jī)膜圖案(步驟S4)。
對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理(步驟S2)、簡易曝光(步驟S6)以及有機(jī)膜顯影(步驟S5)構(gòu)成去除變質(zhì)層或沉積層的去除處理。
在步驟S1中，使用與具有使有機(jī)膜圖案顯影功能的藥液不同的藥液。
第五實(shí)施方案的實(shí)施例2的方法包括在圖11(b)所示方法之前實(shí)施步驟S1。
即，第五實(shí)施方案的實(shí)施例2是改善了圖10(a)所示的方法，實(shí)施步驟S1和S6用于去除有機(jī)膜圖案顯影處理(步驟S5)中無法去除的變質(zhì)層或沉積層的部分(特別是表面)。在第五處理單元21中以與第一實(shí)施方案中的實(shí)施例步驟S1相同的方式對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理(步驟S1)。
步驟S5、S2、S3和S4和第四實(shí)施方案的實(shí)施例1中的步驟相同。
(第五實(shí)施方案的實(shí)施例3)圖11(c)是第五實(shí)施方案的實(shí)施例3的實(shí)施步驟的流程圖。
如同圖11(c)所示，第五實(shí)施方案的實(shí)施例3由以下步驟組成對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理(步驟S1)、灰化(步驟S7)、簡易曝光(步驟S6)、有機(jī)膜顯影(步驟S5)、控制有機(jī)膜圖案的溫度(步驟S2)、對有機(jī)膜圖案實(shí)施氣體氣氛處理(步驟S3)以及加熱有機(jī)膜圖案(步驟S4)。
對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理(步驟S1)、灰化(步驟S7)、簡易曝光(步驟S6)以及有機(jī)膜顯影(步驟S5)構(gòu)成去除變質(zhì)層或沉積層的去除處理。
在步驟S1中，使用與具有使有機(jī)膜圖案顯影功能的藥液不同的藥液。
第五實(shí)施方案的實(shí)施例3的方法另外包括在圖10(c)所示方法之前實(shí)施步驟S1。
即，第五實(shí)施方案的實(shí)施例3的方法改善了圖10(c)所示方法。實(shí)施步驟S1用于去除有機(jī)膜圖案顯影處理中無法去除變質(zhì)層或沉積層的部分(特別是便面)。在第五處理單元21中對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理與第一實(shí)施方案中的步驟S1的實(shí)施一樣。
其它步驟和第四實(shí)施方案的實(shí)施例2的步驟相同。
所述第五實(shí)施方案中的步驟S1的實(shí)施順序不僅限于圖11(a)、(b)和(c)所示的順序，只要在步驟S5的前面，任意的順序都是可以的。在圖11(c)中，列舉了在簡易曝光處理步驟S6之前進(jìn)行灰化處理步驟S7的情況，相比之下，也可以在簡易曝光處理步驟S6之后進(jìn)行灰化處理步驟S7。
即，例如可依次進(jìn)行簡易曝光(步驟S6)、對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理(步驟S1)、有機(jī)膜圖案顯影(步驟S5)、控制有機(jī)膜圖案的溫度(步驟S2)、對有機(jī)膜圖案實(shí)施氣體氣氛處理(步驟S3)以及加熱有機(jī)膜圖案(步驟S4)。
或者，可依次進(jìn)行灰化處理(步驟S7)、簡易曝光(步驟S6)、對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理(步驟S1)、有機(jī)膜圖案顯影(步驟S5)、控制有機(jī)膜圖案的溫度(步驟S2)、對有機(jī)膜圖案實(shí)施氣體氣氛處理(步驟S3)以及加熱有機(jī)膜圖案(步驟S4)。
或者，可依次進(jìn)行簡易曝光(步驟S6)、灰化(步驟S7)、對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理(步驟S1)、有機(jī)膜圖案顯影(步驟S5)、控制有機(jī)膜圖案的溫度(步驟S2)、對有機(jī)膜圖案實(shí)施氣體氣氛處理(步驟S3)以及加熱有機(jī)膜圖案(步驟S4)。
或者，可依次進(jìn)行灰化處理(步驟S7)、對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理(步驟S1)、簡易曝光(步驟S6)、有機(jī)膜圖案顯影(步驟S5)、控制有機(jī)膜圖案的溫度(步驟S2)、對有機(jī)膜圖案實(shí)施氣體氣氛處理(步驟S3)以及加熱有機(jī)膜圖案(步驟S4)。
根據(jù)第五實(shí)施方案，在有機(jī)膜圖案顯影(步驟S5)之前對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理(步驟S1)。因此，即使有機(jī)膜圖案由于前述蝕刻處理硬化、變質(zhì)，也可以比第三實(shí)施方案更有效地對該有機(jī)膜圖案的表面去除。即，第五實(shí)施方案的方法適用于表面發(fā)生較大硬化、變質(zhì)的有機(jī)膜圖案。
在所述第四及第五實(shí)施方案中，可省略簡易曝光處理(步驟S6)。在這種情況中，去除步驟依次由步驟S1、步驟S5組成，或者依次由步驟S7、步驟S1和步驟S5組成。
對簡易曝光處理(步驟S6)的省略例如可以在以下說明的二種情況下進(jìn)行。
在第一種情況中，在形成最初的有機(jī)膜圖案后、有機(jī)膜圖案形成步驟為止的期間內(nèi)的其它步驟或其它條件下使有機(jī)膜圖案曝光。這種第一種情況下，即使省略簡易曝光處理(步驟S6)，也可獲得和第四及第五實(shí)施方案相同的效果。
在第二種情況中，在形成最初的有機(jī)膜圖案后、有機(jī)膜圖案形成步驟為止的期間內(nèi)，保持有機(jī)膜圖案為無感光的狀態(tài)，然后通過對有機(jī)膜圖案施用具有顯影功能的藥液去除變質(zhì)層或者沉積層，使最初的有機(jī)膜圖案的經(jīng)過曝光的外周部分去除，而使最初的有機(jī)膜圖案的中心部分的無感光的、且沒有引起變質(zhì)的部分保存下來時(shí)。這種第二種情況下，在襯底上形成最初的有機(jī)膜圖案后、有機(jī)膜圖案形成步驟為止的期間，保持有機(jī)膜圖案為無感光的狀態(tài)，通過有機(jī)膜圖案顯影處理或者對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理去除變質(zhì)層或者沉積層，同時(shí)除掉最初的有機(jī)膜圖案的外周部分。其結(jié)果是，可以將有機(jī)膜圖案中心部分的未感光的、且未引起變質(zhì)的部分保留下來。
在所述第一到第五實(shí)施方案中，有機(jī)膜圖案的厚度是均勻的。但有機(jī)膜圖案可以是至少形成二個(gè)膜厚度彼此不同的部分。
當(dāng)有機(jī)膜圖案具有至少二個(gè)膜厚度彼此不同的部分時(shí)，通過進(jìn)行有機(jī)膜圖案顯影(步驟S5)，可以使有機(jī)膜圖案中膜厚度薄的部分更加薄，或者可以去除有機(jī)膜圖案中膜厚度薄的部分。
為了形成具有至少二個(gè)膜厚度彼此不同的有機(jī)膜圖案，通過將初始曝光的曝光量在有機(jī)膜圖案的面內(nèi)控制為至少二個(gè)水平即可。具體而言，例如可以使用至少二種透光量彼此不同的中間掩模。
這樣一來，實(shí)施有機(jī)膜圖案的顯影處理(和步驟S5的顯影處理不同)，結(jié)果是只有曝光量多或者少的部分的有機(jī)膜變薄，所以可以形成具有厚度彼此不同的部分的有機(jī)膜圖案。
由于有機(jī)膜圖案的曝光歷史在之后也會殘存，所以通過進(jìn)行所述顯影處理(步驟S5)，可使有機(jī)膜圖案中膜厚度薄的部分更薄，或者去除有機(jī)膜圖案中膜厚度薄的部分。
作為步驟5中使用的具有使有機(jī)膜圖案顯影功能的顯影劑，如果最初的有機(jī)膜圖案的顯影使用的是正型顯影劑，那么使用正片用顯影劑，如果最初的有機(jī)膜圖案的顯影使用的是負(fù)性顯影劑，那么使用負(fù)片用顯影劑。
當(dāng)具有厚度彼此不同的部分的有機(jī)膜圖案的各部分中厚度薄的部分是通過有機(jī)膜圖案顯影處理(步驟S5)使有機(jī)膜圖案中膜厚度薄的部分更加薄，或者去除有機(jī)膜圖案中膜厚度薄的部分的時(shí)候，優(yōu)選在形成有機(jī)膜圖案時(shí)的初始曝光后、到進(jìn)行有機(jī)膜圖案顯影為止的期間內(nèi)，將有機(jī)膜圖案保持無曝光狀態(tài)。
當(dāng)具有厚度彼此不同的部分的有機(jī)膜圖案的各部分中厚度薄的部分通過使用氧氣的干法蝕刻或通過各向異性灰化變得更薄或被去除。與現(xiàn)有技術(shù)相比，所述實(shí)施方案的方法提供的優(yōu)點(diǎn)在于通過濕法處理、特別是通過對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理對有機(jī)膜圖案和底膜的損壞較小，以及可以有效利用有機(jī)膜圖案的感光性的差異所引起的顯影速度的差異，從而實(shí)現(xiàn)高選擇性的處理(使膜厚度薄的薄膜部更薄，或者去除)。
以下對所述各實(shí)施方案的去除處理種類的選擇方針進(jìn)行說明。
圖12是和變質(zhì)層的成因所對應(yīng)的變質(zhì)層的變質(zhì)化程度的示意圖。在圖12中，以濕法剝離變質(zhì)層的難易為基準(zhǔn)對變質(zhì)化程度進(jìn)行確定。
如同圖12所示，變質(zhì)層的變質(zhì)化程度根據(jù)濕法蝕刻中使用的藥液，干法蝕刻是各向同性或各向異性、有機(jī)膜上有無沉積物以及干法蝕刻中的使用氣體的種類等而大為不同。因此，根據(jù)所述各種參數(shù)，變質(zhì)層的去除的難易度也不同。
對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理所使用藥液是選自酸溶液、堿溶液以及有機(jī)溶劑中的任意一種，或者是它們的組合。
具體而言，選擇至少一種含量為0.05-10重量％的作為有機(jī)溶劑的胺類材料的堿水溶液或水溶液作為藥液。
本文中，胺類材料的典型例子如一乙基胺、二乙基胺、三乙基胺、一異丙基胺、二異丙基胺、三異丙基胺、一丁基胺、二丁基胺、三丁基胺、羥胺、二乙基羥胺、脫水二乙基羥胺、吡啶或甲基吡啶等。
當(dāng)變質(zhì)層的變質(zhì)化程序相對輕微時(shí)，即，由于老化、酸蝕刻或各向同性O(shè)2灰化形成變質(zhì)層的情況下，所選藥液中胺類材料的含量是0.05-3重量％。
圖13是藥液中胺類材料的濃度和去除率之間的關(guān)系示意圖，該圖與有機(jī)膜有無變質(zhì)有聯(lián)系。
如同圖13所示，為了僅僅去除變質(zhì)層、并使沒有變質(zhì)的有機(jī)膜圖案的部分存留下來，優(yōu)選使用含有所述胺系有機(jī)溶劑為0.05-1.5重量％藥液。為此目的，優(yōu)選在藥液中含有羥胺、二乙基羥胺、脫水二乙基羥胺、吡啶或甲基吡啶。防腐劑可選自D-葡萄糖(C6H12O6)、螯合劑或抗氧化劑。
通過設(shè)定對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理的施用時(shí)間以及選擇適當(dāng)?shù)乃幰旱姆N類，可只去除變質(zhì)層或者沉積層，將沒有變質(zhì)的有機(jī)膜圖案的部分存留下來，或使被沉積層覆蓋的有膜圖案暴露出來。
對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理步驟提供的優(yōu)點(diǎn)在于使在其后的溶解變形處理中所使用的有機(jī)溶劑易于滲透進(jìn)入有機(jī)膜圖案中。
實(shí)際上，通過對有機(jī)膜圖案的表面施用所述藥液進(jìn)行處理，變質(zhì)層中出現(xiàn)龜裂，或者變質(zhì)層的一部分或者全部被去除。這樣一來，在溶解變形處理中(例如對有機(jī)膜圖案實(shí)施氣體氣氛處理)，可以避免變質(zhì)層妨礙有機(jī)溶劑滲透進(jìn)入有機(jī)膜圖案內(nèi)。
這里的要點(diǎn)是有機(jī)膜圖案中未變質(zhì)的部分未被去除而保留下來；通過只去除變質(zhì)層或通過使變質(zhì)層中出現(xiàn)龜裂從而使有機(jī)溶劑可以輕易地滲透進(jìn)入有機(jī)膜圖案中未變質(zhì)的部分中。需要選擇對變質(zhì)層可以發(fā)揮所述作用的藥液。
并且，如同圖3、圖10(c)和(d)、圖11(c)所示，優(yōu)選灰化處理在變質(zhì)層或者沉積層很頑固或較厚、以及難于去除時(shí)，在對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理前進(jìn)行?；一幚砗陀袡C(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理組合進(jìn)行，可以解決只通過對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理難于去除變質(zhì)層、或者去除時(shí)花費(fèi)時(shí)間等問題。
圖14表示對變質(zhì)層只實(shí)施O2灰化或各向同性等離子體處理時(shí)的變質(zhì)層的變化，圖15表示對變質(zhì)層只實(shí)施藥液(使用了含有2％羥胺的水溶液的藥液處理)時(shí)的變質(zhì)層的變化，圖16表示對變質(zhì)層依次實(shí)施所述灰化步驟和實(shí)施藥液處理步驟時(shí)的變質(zhì)層的變化。在圖14-圖16也和圖12一樣，根據(jù)濕法剝離的難易程序確定變質(zhì)層的變質(zhì)化程度。
如同圖14-圖16所示，在任何步驟中都可以去除變質(zhì)層。然而，將圖14所示的只進(jìn)行O2灰化(各向同性等離子體)去除變質(zhì)層與實(shí)施藥液處理(含有2％羥胺的水溶液的藥液)去除變質(zhì)層相比較，根據(jù)變質(zhì)層的厚度和性質(zhì)不同，變質(zhì)層的去除程度也不同。
O2灰化(各向同性等離子體)處理如同圖14所示，對有沉積物的變質(zhì)層的去除比較有效果。因此，如果對沒有沉積物的變質(zhì)層實(shí)施氧氣灰化(各向同性等離子體)處理時(shí)，比只對變質(zhì)層實(shí)施藥液處理時(shí)(圖15)剩余的變質(zhì)層的程度大。
與之相比，對變質(zhì)層實(shí)施藥液處理(含有2％羥胺的水溶液)如同圖15所示，雖然和施用氧氣灰化去除有沉積物的變質(zhì)層相比其效果差些，但不會對物體產(chǎn)生破壞。所以，如果對無沉積物的變質(zhì)層實(shí)施藥液處理時(shí)，比只進(jìn)行O2灰化處理時(shí)剩余的變質(zhì)層的程度大。
依次，為了具有圖14和圖15中雙方的優(yōu)點(diǎn)，如圖16所示，依次對變質(zhì)層實(shí)施O2灰化(各向同性等離子體)處理和實(shí)施藥液處理(含有2％羥胺的水溶液)?？梢岳斫?，圖16所示方法對于有無沉積物的變質(zhì)層都產(chǎn)生效果，同時(shí)是在不產(chǎn)生破壞的條件下去除變質(zhì)層。
為了進(jìn)一步提高溶解變形處理(例如對有機(jī)膜圖案實(shí)施氣體氣氛處理)的均勻性，優(yōu)選對有機(jī)膜圖案下的層進(jìn)行表面處理，提高其濕潤性。例如，提高底膜的濕潤性可以通過所述灰化處理，即通過氧氣(O2)等離子體或者UV臭氧處理來進(jìn)行。
例如，氧氣等離子體處理可以在以下條件下進(jìn)行120秒
氧氣流速300sccm，壓力100Pa，RF功率1000W。
UV臭氧處理例如可以在100℃到200℃的襯底溫度范圍內(nèi)，通過在臭氧氣體氣氛中照射UV光來進(jìn)行。
提高底膜的濕潤性的其他表面處理可以是各種等離子體放電處理，如氟氣體等離子體(SF6氣體等離子體、CF4氣體等離子體、CHF3氣體等離子體等)或者氟/氧氣體等離子體(包括SF6/O2氣體等離子體、CF4/O2氣體等離子體、CHF3/O2氣體等離子體等)處理。
這些等離子體處理改善了沒有被有機(jī)膜圖案覆蓋的底膜表面的濕潤性。因此，通過實(shí)施這些等離子體處理，通過溶解變形處理(例如對有機(jī)膜圖案實(shí)施氣體氣氛處理)使有機(jī)膜圖案變形可使底膜表面易于逆流。
諸如各種等離子體處理、氧等離子體處理或者UV臭氧處理等的前期處理和所述對有機(jī)膜圖案實(shí)施藥液處理相比，傾向于對物體產(chǎn)生破壞。因此，對變質(zhì)層實(shí)施前述前期處理之后對變質(zhì)膜實(shí)施藥液處理去除變質(zhì)層，可提高底膜的濕潤性，同時(shí)不對有機(jī)膜圖案產(chǎn)生破壞性并除有機(jī)膜圖案表面的變質(zhì)層，所以可以進(jìn)行均一的溶解變形處理。
圖17是在溶解變形處理(例如氣體氣氛處理)之前進(jìn)行本發(fā)明中的去除處理和現(xiàn)有技術(shù)的去除處理。
圖17(a)表示在襯底31上形成的有機(jī)膜圖案32。
圖17(b)表示以有機(jī)膜圖案32為掩模，通過蝕刻對底膜(例如襯底31的較上部分31a)進(jìn)行圖案形成處理。
圖17(c)是圖17(b)中的有機(jī)膜圖案32的放大圖。如同圖17(c)所示，有機(jī)膜圖案32的表面上形成由蝕刻引起的變質(zhì)層32a。因此，有機(jī)膜圖案32中，沒有變質(zhì)的部分32b處于被變質(zhì)層32a覆蓋的狀態(tài)。
圖17(d)表示實(shí)施了除去處理(例如實(shí)施藥液處理)的有機(jī)膜圖案32。如同圖17(d)所示，通過進(jìn)行去除處理，有機(jī)膜圖案32的變質(zhì)層32a被去除。并且，有機(jī)膜圖案32沒有破壞。
圖17(e)表示在圖17(d)之后進(jìn)行的溶解變形處理。如同圖17(e)所示，通過進(jìn)行溶解變形處理，可以使有機(jī)膜圖案32進(jìn)行均一變形。
圖17(f)表示實(shí)施了常規(guī)去除處理(只進(jìn)行灰化處理)的有機(jī)膜圖案32。如同圖17(f)所示，盡管常規(guī)去除去除了變質(zhì)層32a，但對有機(jī)膜圖案32產(chǎn)生破壞。
圖17(g)表示圖17(f)中的常規(guī)去除處理之后進(jìn)行溶解變形處理的有機(jī)膜圖案32。如同圖17(g)所示，根據(jù)剛才的去除處理所造成的破壞，通過溶解變形處理的有機(jī)膜圖案32的變形有時(shí)也會均一。但是當(dāng)破壞比較大的時(shí)候，有機(jī)膜圖案32的破壞大，變形變得不均一，或者有機(jī)膜圖案32不溶解，所以很難適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行溶解變形處理。
進(jìn)一步，本發(fā)明中，在有機(jī)膜圖案形成步驟的開始也可以追加實(shí)施加熱有機(jī)膜圖案的處理。該加熱處理的目的在于去除有機(jī)膜圖案內(nèi)滲入的水分、酸溶液、堿溶液，或者，在有機(jī)膜圖案和襯底之間的粘合力下降時(shí)，恢復(fù)該粘合力。這種加熱處理例如在50-150℃溫度下進(jìn)行60-300秒的處理。
權(quán)利要求
1.襯底的處理方法，該方法包括對襯底上形成的有機(jī)膜圖案進(jìn)行處理的步驟，所述處理步驟依次包括去除步驟，去除所述有機(jī)膜圖案上形成的變質(zhì)層和沉積層之一；和溶解變形步驟，將所述有機(jī)膜圖案溶解變形，其中所述去除步驟的至少一部分通過對所述有機(jī)膜圖案施用藥液來進(jìn)行。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述去除步驟中只去除所述變質(zhì)層和所述沉積層中的一個(gè)。
3.襯底的處理方法，該方法包括對襯底上形成的有機(jī)膜圖案進(jìn)行處理的步驟，所述處理步驟依次包括去除步驟，去除所述有機(jī)膜圖案上形成的變質(zhì)層，使所述有機(jī)膜圖案的未變質(zhì)的部分暴露；和溶解變形步驟，將所述有機(jī)膜圖案溶解變形，其中所述去除步驟的至少一部分通過對所述有機(jī)膜圖案施用藥液來進(jìn)行。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的方法，其中所述變質(zhì)層由所述有機(jī)膜圖案表面因老化、熱氧化和熱硬化而發(fā)生的變質(zhì)中的至少一種變質(zhì)引起。
5.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的方法，其中所述變質(zhì)層由使用濕法蝕刻劑的濕法蝕刻引起。
6.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的方法，其中所述變質(zhì)層由干法蝕刻或者灰化處理引起。
7.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的方法，其中所述變質(zhì)層由干法蝕刻引起的沉積物引起。
8.襯底的處理方法，該方法包括對襯底上形成的有機(jī)膜圖案進(jìn)行處理的步驟，所述處理步驟依次包括去除步驟，去除所述有機(jī)膜圖案上形成的沉積層，使所述有機(jī)膜圖案暴露；和溶解變形步驟，將所述有機(jī)膜圖案溶解變形，其中所述去除步驟的至少一部分通過對所述有機(jī)膜圖案施用藥液來進(jìn)行。
9.根據(jù)權(quán)利要求1、2或8所述的方法，其中所述沉積層由干法蝕刻引起。
10.根據(jù)權(quán)利要求1、3或8所述的方法，進(jìn)一步包括圖案形成步驟，所述步驟以所述溶解變形處理步驟進(jìn)行前的所述有機(jī)膜圖案作為掩模，對所述有機(jī)膜圖案下形成的底層進(jìn)行圖案形成處理。
11.根據(jù)權(quán)利要求1、3或8所述的方法，進(jìn)一步包括圖案形成步驟，所述步驟以進(jìn)行了所述溶解變形處理的所述有機(jī)膜圖案作為掩模，對所述有機(jī)膜圖案下形成的底層進(jìn)行圖案形成處理。
12.根據(jù)權(quán)利要求1、3或8所述的方法，其中所述溶解變形步驟由擴(kuò)大所述有機(jī)膜圖案的區(qū)域的步驟構(gòu)成。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述溶解變形步驟由使相鄰設(shè)置的有機(jī)膜圖案互相成為一體的步驟構(gòu)成。
14.根據(jù)權(quán)利要求1、3或8所述的方法，其中所述溶解變形步驟由使所述有機(jī)膜圖案平坦化的步驟構(gòu)成。
15.根據(jù)權(quán)利要求1、3或8所述的方法，其中所述溶解變形步驟由對所述有機(jī)膜圖案進(jìn)行變形處理，以使所述有機(jī)膜圖案成為覆蓋所述襯底上形成的電路圖案的絕緣膜的步驟構(gòu)成。
16.根據(jù)權(quán)利要求1、3或8所述的方法，其中所述溶解變形步驟由對所述有機(jī)膜圖案施用氣體氣氛的步驟構(gòu)成。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述氣體氣氛是有機(jī)溶劑的氣體氣氛。
18.根據(jù)權(quán)利要求1、3或8所述的方法，其中所述溶解變形步驟完全通過對所述有機(jī)膜圖案施用所述藥液來進(jìn)行。
19.根據(jù)權(quán)利要求1、3或8所述的方法，其中所述去除步驟依次包括對所述有機(jī)膜圖案實(shí)施灰化處理的步驟；和對所述有機(jī)膜圖案施用所述藥液的步驟。
20.根據(jù)權(quán)利要求1、3或8所述的方法，其中藥液至少含有酸性化學(xué)品。
21.根據(jù)權(quán)利要求1、3或8所述的方法，其中藥液至少含有有機(jī)溶劑。
22.根據(jù)權(quán)利要求1、3或8所述的方法，其中藥液至少含有堿性化學(xué)品。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述有機(jī)溶劑至少含有胺類材料。
24.根據(jù)權(quán)利要求1、3或8所述的方法，其中所述藥液至少含有有機(jī)溶劑和胺類材料。
25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中所述堿性化學(xué)品至少含有胺類材料和水。
26.根據(jù)權(quán)利要求1、3或8所述的方法，其中所述藥液至少含有堿性化學(xué)品和胺類材料。
27.根據(jù)權(quán)利要求23或25所述的方法，其中所述胺類材料選自一乙基胺、二乙基胺、三乙基胺、一異丙基胺、二異丙基胺、三異丙基胺、一丁基胺、二丁基胺、三丁基胺、羥胺、二乙基羥胺、脫水二乙基羥胺、吡啶和甲基吡啶。
28.根據(jù)權(quán)利要求23或25所述的方法，其中所述藥液中的所述胺類材料的含量范圍為0.01重量％到10重量％，含端值。
29.根據(jù)權(quán)利要求23或25所述的方法，其中所述藥液中的所述胺類材料的含量范圍為0.05重量％到3重量％，含端值。
30.根據(jù)權(quán)利要求23或25所述的方法，其中所述藥液中的所述胺類材料的含量范圍為0.05重量％到1.5重量％，含端值。
31.根據(jù)權(quán)利要求1、3或8所述的方法，其中所述藥液含有防腐劑。
32.根據(jù)權(quán)利要求1、3或8所述的方法，其中所述藥液具有使所述有機(jī)膜圖案顯影的功能。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中所述藥液由TMAH(氫氧化四甲基銨)的堿性水溶液或者無機(jī)堿水溶液構(gòu)成。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的方法，其中所述無機(jī)堿水溶液選自NaOH和CaOH。
35.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中所述去除步驟依次包括使所述有機(jī)膜圖案曝光；和通過對所述有機(jī)膜圖案施用所述藥液使所述有機(jī)膜圖案顯影。
36.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中所述去除步驟依次包括對所述有機(jī)膜圖案實(shí)施灰化處理；使所述有機(jī)膜圖案曝光；和通過對所述有機(jī)膜圖案施用所述藥液使所述有機(jī)膜圖案顯影。
37.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中所述去除步驟依次包括使所述有機(jī)膜圖案曝光；對所述有機(jī)膜圖案實(shí)施灰化處理；和通過對所述有機(jī)膜圖案施用所述藥液使所述有機(jī)膜圖案顯影。
38.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中所述去除步驟依次包括使所述有機(jī)膜圖案曝光；對所述有機(jī)膜圖案施用不使所述有機(jī)膜圖案顯影的所述藥液；和通過對所述有機(jī)膜圖案施用所述藥液使所述有機(jī)膜圖案顯影。
39.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中所述去除步驟依次包括對所述有機(jī)膜圖案實(shí)施灰化處理；使所述有機(jī)膜圖案曝光；對所述有機(jī)膜圖案施用不使所述有機(jī)膜圖案顯影的所述藥液；和通過對所述有機(jī)膜圖案施用所述藥液使所述有機(jī)膜圖案顯影。
40.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中所述去除步驟依次包括使所述有機(jī)膜圖案曝光；對所述有機(jī)膜圖案實(shí)施灰化處理；對所述有機(jī)膜圖案施用不使所述有機(jī)膜圖案顯影的所述藥液；和通過對所述有機(jī)膜圖案施用所述藥液使所述有機(jī)膜圖案顯影。
41.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中所述去除步驟依次包括對所述有機(jī)膜圖案實(shí)施灰化處理；對所述有機(jī)膜圖案施用不使所述有機(jī)膜圖案顯影的所述藥液；使所述有機(jī)膜圖案曝光；和通過對所述有機(jī)膜圖案施用所述藥液使所述有機(jī)膜圖案顯影。
42.根據(jù)權(quán)利要求35至41中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述有機(jī)膜圖案只在與所述襯底的預(yù)定區(qū)域有關(guān)的區(qū)域內(nèi)曝光。
43.根據(jù)權(quán)利要求42所述的方法，其中在所述區(qū)域內(nèi)通過對整個(gè)所述區(qū)域輻照光或通過對所述區(qū)域使用聚光燈掃描而使所述有機(jī)膜圖案曝光。
44.根據(jù)權(quán)利要求42所述的方法，其中所述預(yù)定區(qū)域的面積至少是所述襯底面積的1/10。
45.根據(jù)權(quán)利要求42所述的方法，其中將所述有機(jī)膜圖案暴露在紫外線、熒光或自然光下。
46.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中所述去除步驟依次包括對所述有機(jī)膜圖案施用不使所述有機(jī)膜圖案顯影的所述藥液；和通過對所述有機(jī)膜圖案施用所述藥液使所述有機(jī)膜圖案顯影。
47.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中所述去除步驟依次包括對所述有機(jī)膜圖案實(shí)施灰化處理；和通過對所述有機(jī)膜圖案施用所述藥液使所述有機(jī)膜圖案顯影。
48.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中所述去除步驟依次包括對所述有機(jī)膜圖案實(shí)施灰化處理；對所述有機(jī)膜圖案施用不使所述有機(jī)膜圖案顯影的所述藥液；和通過對所述有機(jī)膜圖案施用所述藥液使所述有機(jī)膜圖案顯影。
49.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述灰化處理由使用等離子體、臭氧及紫外線中的任意一種對所述襯底上形成的膜進(jìn)行蝕刻的步驟構(gòu)成。
50.根據(jù)權(quán)利要求1、3或8所述的方法，其中在所述襯底上最初形成的所述有機(jī)膜圖案具有至少兩個(gè)厚度彼此不同的部分。
51.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中在所述襯底上最初形成的所述有機(jī)膜圖案具有至少兩個(gè)厚度彼此不同的部分，厚度小的部分的厚度通過使所述有機(jī)膜圖案顯影進(jìn)一步變小。
52.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中在所述襯底上最初形成的所述有機(jī)膜圖案具有至少兩個(gè)厚度彼此不同的部分，厚度小的部分通過使所述有機(jī)膜圖案顯影被選擇性地去除。
53.根據(jù)權(quán)利要求51或者52所述的方法，其中在對所述有機(jī)膜圖案施用所述藥液之前保持有機(jī)膜圖案無感光狀態(tài)。
54.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中在對所述有機(jī)膜圖案施用所述藥液之前保持有機(jī)膜圖案無感光狀態(tài)。
55.權(quán)利要求23至27中任一項(xiàng)所述的方法中使用的藥液，所述藥液中的所述胺類材料的含量范圍為0.01重量％到10重量％，含端值。
56.根據(jù)權(quán)利要求55所述的藥液，其中所述藥液中的所述胺類材料的含量范圍為0.05重量％到3重量％，含端值。
57.根據(jù)權(quán)利要求56所述的藥液，其中所述藥液中所述胺類材料的含量范圍為0.05重量％到1.5重量％，含端值。
58.根據(jù)權(quán)利要求55所述的藥液，其中所述胺類材料選自羥胺、二乙基羥胺、脫水二乙基羥胺、吡啶和甲基吡啶。
全文摘要
本發(fā)明提供襯底處理方法，該方法包括對襯底31上形成的有機(jī)膜圖案(32)進(jìn)行處理的步驟，所述處理步驟依次包括去除步驟，去除有機(jī)膜圖案(32b)上形成的變質(zhì)層(32a)；溶解變形處理，將有機(jī)膜圖案(32)溶解變形，其中去除步驟的至少一部分通過對有機(jī)膜圖案(32)實(shí)施藥液處理來進(jìn)行。
文檔編號H01L21/02GK1599039SQ20041008250
公開日2005年3月23日 申請日期2004年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月18日
發(fā)明者城戶秀作 申請人:Nec液晶技術(shù)株式會社