專利名稱：層疊陶瓷電容的篩選方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及篩選除去具有初期內(nèi)部構(gòu)造的缺陷和使用期間可導(dǎo)致壽命劣化的缺陷的層疊陶瓷電容的篩選方法。
背景技術(shù)：
伴隨電子設(shè)備的小型輕量化、高性能化，層疊陶瓷電容也顯著小型化、大電容化，每一層的電介質(zhì)層厚度也變得極薄，層疊電介質(zhì)內(nèi)部的微小的構(gòu)造缺陷成為降低層疊陶瓷電容的可靠性的原因。
因而，在層疊陶瓷電容中，執(zhí)行適于篩選除去具有內(nèi)部構(gòu)造缺陷的制品和使用期間中可能導(dǎo)致壽命劣化的制品的篩選方法，該方法施加額定電壓的數(shù)倍或數(shù)十倍的直流電壓，例如DC300V以上的電壓，測(cè)定直流絕緣電阻(以下稱為IR)。
執(zhí)行篩選時(shí)，必須考慮構(gòu)成層疊陶瓷電容的電介質(zhì)材料的特性及電極構(gòu)造，使得篩選不會(huì)對(duì)這些材料特性及電極構(gòu)造造成惡劣影響。另外，若考慮有必要預(yù)先篩選除去在使用期間可能導(dǎo)致壽命劣化的制品，則耐可靠性評(píng)測(cè)也是必要的。
對(duì)于篩選中必須滿足的上述條件，首先，若考慮電介質(zhì)材料方面，則該種電介質(zhì)材料伴隨電致伸縮現(xiàn)象。如果層疊陶瓷電容的端子電極間施加300V以上的直流電壓，則電致伸縮現(xiàn)象可能導(dǎo)致內(nèi)部構(gòu)造無缺陷的良質(zhì)制品發(fā)生裂紋等的情況。裂紋是安裝狀態(tài)下迅速引起IR的劣化的要因。
若將施加電壓設(shè)定成不發(fā)生電致伸縮裂紋等的電壓電平，則可避免上述問題點(diǎn)。但是，高可靠性、高品質(zhì)的層疊陶瓷電容的篩選變得不充分。
專利交獻(xiàn)1公開了取代僅向?qū)盈B陶瓷電容施加額定以上的直流電壓的方式，而在加熱層疊陶瓷電容的狀態(tài)下測(cè)定IR，將測(cè)定電阻異常的制品作為特性不良品篩選除去的技術(shù)。但是，專利文獻(xiàn)1雖然提出在50～150℃的溫度條件下加熱，但是實(shí)施例停留在85℃的加熱條件。該溫度條件依然不能防止伴隨電致伸縮現(xiàn)象的裂紋的發(fā)生。
專利交獻(xiàn)2作為解決專利文獻(xiàn)1中的問題點(diǎn)的手段，公開了對(duì)層疊陶瓷電容在至少150℃以上的溫度加熱的狀態(tài)下施加300V以上的直流電壓作為耐電壓試驗(yàn)來測(cè)定IR的篩選方法。
但是，加熱溫度的上限雖然記載為200℃，但是該上限值是根據(jù)測(cè)定器等的關(guān)系選擇的，而未公開應(yīng)滿足考慮了層疊陶瓷電容的電極構(gòu)造時(shí)的溫度條件。
而且，專利文獻(xiàn)2停留在公開疏松劑(relaxor)系列的層疊陶瓷電容的篩選方法，對(duì)于其他特性的層疊陶瓷電容，例如，B特性、F特性或X7R特性的層疊陶瓷電容，未公開應(yīng)滿足的篩選條件。更不用說可靠性評(píng)測(cè)。
專利交獻(xiàn)3雖然記載了加熱到電介質(zhì)層的居里溫度以上且125℃以上的溫度的情況，但它是根據(jù)阻抗的相位角、頻率和相位角的關(guān)系來預(yù)測(cè)判定IR及IR壽命，未公開直接測(cè)定IR的技術(shù)。
特開平9-205037號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)2]特開2000-150328號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)3]特開2000-260653號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的課題是提供不會(huì)發(fā)生電致伸縮裂紋等的篩選層疊陶瓷電容的方法。
本發(fā)明的另一課題是提供不會(huì)損害端子電極的篩選層疊陶瓷電容的方法。
本發(fā)明的又一課題是提供可保證層疊陶瓷電容的使用期間中的可靠性的篩選方法。
為了解決上述課題，本發(fā)明提供層疊陶瓷電容的篩選方法。
上述層疊陶瓷電容在電介質(zhì)基體的內(nèi)部層狀埋設(shè)多個(gè)內(nèi)部電極，上述內(nèi)部電極與上述電介質(zhì)基體的外面安裝的成對(duì)的端子電極導(dǎo)通，上述端子電極具有以Sn為主成分的最外層。
篩選中，將上述層疊陶瓷電容置于125℃以上180℃以下的溫度環(huán)境，在上述端子電極間施加直流電壓來測(cè)定直流絕緣電阻。
施加上述直流電壓的步驟包含第1步驟和第2步驟，上述第1步驟中，施加20～40(V/μm)范圍內(nèi)的直流電壓V1(V/μm)，上述第2步驟中，在上述第1步驟結(jié)束后施加考慮了額定電壓的直流電壓V2(V)。
層疊陶瓷電容中采用的電介質(zhì)材料，在比居里點(diǎn)低的溫度范圍表現(xiàn)強(qiáng)電介質(zhì)特性，施加電壓時(shí)，伴隨電致伸縮現(xiàn)象。從而，層疊陶瓷電容的端子電極間若施加高直流電壓，則電致伸縮現(xiàn)象導(dǎo)致無內(nèi)部構(gòu)造缺陷的良質(zhì)制品發(fā)生裂紋等。層疊陶瓷電容由于在電介質(zhì)基體的內(nèi)部，層狀埋設(shè)多個(gè)內(nèi)部電極，因而電致伸縮現(xiàn)象在內(nèi)部電極間的各電介質(zhì)層間發(fā)生，在電介質(zhì)層中產(chǎn)生裂紋。
另一方面，層疊陶瓷電容中采用的電介質(zhì)材料在比居里點(diǎn)高的溫度范圍表現(xiàn)普通電介質(zhì)特性，即使施加高直流電壓，電致伸縮現(xiàn)象也幾乎不發(fā)生。
本發(fā)明的篩選方法，著眼于上述電介質(zhì)材料的特性，將層疊陶瓷電容置于比構(gòu)成上述電介質(zhì)基體的電介質(zhì)材料的居里點(diǎn)高的溫度環(huán)境下，在端子電極間，施加直流電壓來測(cè)定IR。電介質(zhì)基體在比居里點(diǎn)高的溫度條件下成為普通電介質(zhì)，幾乎不發(fā)生電致伸縮現(xiàn)象，如前述。例如，X7R特性的層疊陶瓷電容中通常采用的電介質(zhì)材料的居里點(diǎn)在120℃左右。電致伸縮在居里點(diǎn)達(dá)到極大，在其以上的溫度急劇減少。因而，本發(fā)明中，將溫度條件的下限值，設(shè)定成比居里點(diǎn)高5℃的值。從而，根據(jù)本發(fā)明，可避免因篩選在內(nèi)部電極間的各電介質(zhì)層間由電致伸縮導(dǎo)致裂紋產(chǎn)生。
內(nèi)部電極與電介質(zhì)基體的外面安裝的成對(duì)的端子電極導(dǎo)通，端子電極用于焊接到電路基板等。端子電極具有以Sn為主成分的最外層，因此，利用構(gòu)成最外層的Sn，可將層疊陶瓷電容可靠地焊接到電路基板等。
本發(fā)明中，考慮端子電極的功能及構(gòu)造，將溫度條件的上限值設(shè)定在180℃以下。溫度條件的上限值若設(shè)定成180℃，則在篩選中，可避免構(gòu)成端子電極的最外層的Sn的氧化，在安裝時(shí)可靠地進(jìn)行焊接。
施加直流電壓的步驟包含第1步驟和第2步驟。第1步驟施加20～40(V/μm)的范圍內(nèi)的直流電壓。若在該電壓范圍，則對(duì)于不具有內(nèi)部構(gòu)造缺陷和使用期間中可能導(dǎo)致壽命劣化的缺陷的制品，不會(huì)造成任何損傷。另一方面，對(duì)于具有內(nèi)部構(gòu)造缺陷和使用期間中可能導(dǎo)致壽命劣化的缺陷的制品，可以使缺陷明顯化，根據(jù)其導(dǎo)致的IR的降低而作為不良品被篩選。
第1步驟施加的直流電壓V1(V/μm)不足20(V/μm)時(shí)，由于不能進(jìn)行充分地篩選，因而在熱評(píng)測(cè)及可靠性評(píng)測(cè)中產(chǎn)生裂紋和不良品。第1步驟施加的直流電壓V1(V/μm)若超過40(V/μm)，則成為過電壓，在制品中殘留內(nèi)部裂紋等的損害，在熱評(píng)測(cè)及可靠性評(píng)測(cè)中仍然產(chǎn)生裂紋和不良品。
而且，在第1步驟后，由于在第2步驟施加考慮了額定電壓的直流電壓V2(V)，因而該第2步驟中可降低熱評(píng)測(cè)及可靠性評(píng)測(cè)。因而，可預(yù)先篩選除去使用期間中可導(dǎo)致壽命劣化的制品，保證可靠性。
第2步驟必須在第1步驟后執(zhí)行。第2步驟若在第1步驟之前，則篩選不充分，在熱評(píng)測(cè)及可靠性評(píng)測(cè)中產(chǎn)生裂紋和不良品。
鄰接的內(nèi)部電極間的電介質(zhì)層的厚度(層間厚度)最好在10μm以下。通過使每一層的電介質(zhì)層厚度變成這樣的極薄層，可以獲得小型且大電容的層疊陶瓷電容。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明可獲得如下效果。
(a)可提供不會(huì)發(fā)生電致伸縮裂紋等的篩選層疊陶瓷電容的方法。
(b)可提供不會(huì)損害端子電極的篩選層疊陶瓷電容的方法。
(c)可提供可保證層疊陶瓷電容的使用期間中的可靠性的篩選方法。
以下參照實(shí)施例進(jìn)一步詳細(xì)說明本發(fā)明的其他目的、構(gòu)成及優(yōu)點(diǎn)。


圖1是采用本發(fā)明的篩選方法的層疊陶瓷電容的一例的示意截面圖。
圖2是本發(fā)明的篩選方法的概略示意圖。
符號(hào)的說明1 電介質(zhì)基體21、22內(nèi)部電極3、4 端子電極33、44以Sn為主成分的最外層5 加熱裝置6、7 直流電源8 測(cè)定器具體實(shí)施方式
圖1是采用本發(fā)明的篩選方法的層疊陶瓷電容的一例的示意截面圖。圖示的層疊陶瓷電容在電介質(zhì)基體1的內(nèi)部層狀埋設(shè)多個(gè)內(nèi)部電極21、22。鄰接的2個(gè)內(nèi)部電極21、22，例如經(jīng)由10μm以下的電介質(zhì)層相向設(shè)置。內(nèi)部電極21、22例如由Ni或Cu等構(gòu)成。內(nèi)部電極21、22的層數(shù)根據(jù)要求的靜電電容而變化，為數(shù)十層到數(shù)百層。
內(nèi)部電極21與電介質(zhì)基體1的外面安裝的成對(duì)的端子電極3、4中的端子電極3導(dǎo)通，內(nèi)部電極22與端子電極4導(dǎo)通。端子電極3、4具有以Sn為主成分的最外層33、43。最外層33、43的內(nèi)側(cè)設(shè)置以Ni為主成分的中間層32、42，中間層32、42的下側(cè)設(shè)置以Cu為主成分的最下層31、41。以Cu為主成分的最下層31、41是與內(nèi)部電極21、22直接接觸的部分，以Sn為主成分的最外層33、43是為確保安裝時(shí)的焊接附著性而設(shè)的層。以Ni為主成分的中間層32、42起保護(hù)以Cu為主成分的最下層31、41不受焊接侵蝕現(xiàn)象等的作用。
圖2是本發(fā)明的篩選方法的概略示意圖。篩選中，圖1所示的層疊陶瓷電容C例如采用加熱裝置5加熱，置于125℃以上180℃以下的溫度環(huán)境下。加熱裝置5例如可采用恒溫槽和加熱板。然后，將層疊陶瓷電容C置于125℃以上180℃以下的溫度環(huán)境的狀態(tài)，從直流電源6、7向端子電極3-4間施加直流電壓，通過測(cè)定器8測(cè)定IR。
施加直流電壓的步驟包含第1步驟和第2步驟。第1步驟中，施加20～40(V/μm)范圍內(nèi)的直流電壓V1(V/μm)。
接著，第2步驟中，在第1步驟之后施加考慮了額定電壓的直流電壓V2(V)。直流電壓V2(V)最好是額定電壓的3～5倍左右。這是因?yàn)?，若不足額定電壓的3倍則第2步驟的可靠性評(píng)測(cè)不充分，若超過5倍則成為過電壓。
圖示的實(shí)施例具備直流電源6、7，說明了通過切換電路9切換直流電源6、7來執(zhí)行第1步驟及第2步驟的例。第1步驟中，將切換電路9的可動(dòng)接片S1與接點(diǎn)P1接觸，向端子3-4間施加直流電源6的直流電壓V1。施加時(shí)間例如可設(shè)定成10msec～1.0sec的范圍。
第2步驟在第1步驟結(jié)束后，將切換電路9的可動(dòng)接片S1與接點(diǎn)P2接觸，向端子3-4間施加直流電源7的直流電壓V2。施加時(shí)間例如可設(shè)定成10msec～1.0sec的范圍。
如上所述，第1步驟中包含將層疊陶瓷電容C置于比該電介質(zhì)材料的居里點(diǎn)120℃高的125℃的溫度環(huán)境下，向端子電極3-4間施加直流電壓V1、V2并測(cè)定IR的步驟。電介質(zhì)基體1在比居里點(diǎn)高的溫度條件下成為普通電介質(zhì)，幾乎不產(chǎn)生電致伸縮現(xiàn)象，如前所述。從而，根據(jù)本發(fā)明，由于內(nèi)部電極21-22間的各電介質(zhì)層間幾乎不產(chǎn)生電致伸縮，可避免因篩選而在電介質(zhì)基體1中通過電致伸縮導(dǎo)致裂紋產(chǎn)生。
本發(fā)明的層疊陶瓷電容中，由于內(nèi)部電極21、22與電介質(zhì)基體1的外面安裝的成對(duì)的端子電極3、4導(dǎo)通，端子電極3、4具有以Sn為主成分的最外層33、43，因而利用構(gòu)成最外層33、43的Sn，可將層疊陶瓷電容C可靠地焊接在電路基板等上。
本發(fā)明中，考慮端子電極3、4的功能及構(gòu)造，將溫度條件的上限設(shè)定在180℃以下。溫度條件的上限值若設(shè)定成180℃，則篩選中可避免構(gòu)成端子電極3、4的最外層33、43的Sn的氧化，在安裝時(shí)可以可靠地焊接。
施加直流電壓的步驟包含第1步驟和第2步驟。第1步驟中施加的直流電壓V1(V/μm)采用20～40(V/μm)范圍內(nèi)的電壓。若在該電壓范圍，則在鄰接的內(nèi)部電極21-22間存在的電介質(zhì)層不會(huì)產(chǎn)生裂紋和電壓破壞。從而，對(duì)于不具有內(nèi)部構(gòu)造缺陷和使用期間中可導(dǎo)致壽命劣化的缺陷的制品，在篩選中不會(huì)形成任何損害。另一方面，對(duì)于內(nèi)部電極21-22間具有缺陷的制品，可以使缺陷明顯化，根據(jù)其導(dǎo)致的IR的降低而作為不良品被篩選。
第1步驟施加的直流電壓V1(V/μm)不足20(V/μm)時(shí)，由于不能進(jìn)行充分地篩選，因而在熱評(píng)測(cè)及可靠性評(píng)測(cè)中產(chǎn)生裂紋和不良品。第1步驟施加的直流電壓V1(V/μm)若超過40(V/μm)，則成為過電壓，在制品中殘留內(nèi)部裂紋等的損害，在熱評(píng)測(cè)及可靠性評(píng)測(cè)中產(chǎn)生裂紋和不良品。
而且，在第1步驟后，由于在第2步驟施加考慮了額定電壓的直流電壓V2(V)，因而該第2步驟中可降低可靠性評(píng)測(cè)。因而，可預(yù)先篩選除去使用期間中可導(dǎo)致壽命劣化的制品，保證可靠性。
鄰接的內(nèi)部電極21-22間的電介質(zhì)層的厚度(層間厚度)最好在10μm以下。通過使每一層的電介質(zhì)層厚度變成這樣的極薄層，可以獲得小型且大電容的層疊陶瓷電容C。
第2步驟必須在第1步驟后執(zhí)行。第2步驟若在第1步驟之前，則篩選不充分，在熱評(píng)測(cè)及可靠性評(píng)測(cè)中產(chǎn)生裂紋和不良品。
本發(fā)明的篩選方法適用于由表示出B特性、F特性、X7R特性的電介質(zhì)材料構(gòu)成的層疊陶瓷電容C。B特性是指在(-25℃)～(+85℃)的溫度范圍，無電壓施加時(shí)的靜電電容變化率(ΔC/C)進(jìn)入±10％的范圍的情況。F特性是指在(-25℃)～(+85℃)的溫度范圍中，無電壓施加時(shí)的靜電電容變化率(ΔC/C)進(jìn)入(+30％)～(-80％)的范圍的情況。X7R特性是指在(-55℃)～(+125℃)的溫度范圍中，無電壓施加時(shí)的靜電電容變化率(ΔC/C)進(jìn)入±15％的范圍的情況。
接著，通過實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)說明本發(fā)明的篩選方法的效果。
1.評(píng)測(cè)對(duì)象制品(1)組1制品形狀長(zhǎng)L×寬W(mm)＝5.7×5.0(mm)溫度特性B特性層數(shù)100層層間厚度(燒制后)10μm額定電壓50V組1中包含的制品稱為C5750。
(2)組2制品形狀長(zhǎng)L×寬W(mm)＝4.5×3.2(mm)溫度特性F特性層數(shù)100層層間厚度(燒制后)14μm額定電壓50V組2中包含的制品稱為C4532。
2.試驗(yàn)條件及評(píng)測(cè)(1)篩選將評(píng)測(cè)對(duì)象制品置于加熱板上逐漸升溫，當(dāng)評(píng)測(cè)對(duì)象制品的表面溫度穩(wěn)定在設(shè)定溫度后，施加直流電壓，測(cè)定IR，進(jìn)行篩選。該篩選中，第1步驟中的直流電壓V1的施加時(shí)間設(shè)定在10msec～1.0sec的范圍內(nèi)，第2步驟中的直流電壓V2的施加時(shí)間設(shè)定在10msec～1.0sec的范圍內(nèi)。
(2)熱評(píng)測(cè)為了確認(rèn)電壓施加的損害，對(duì)篩選中判定為良品的評(píng)測(cè)對(duì)象制品60個(gè)進(jìn)行熱評(píng)測(cè)。具體的內(nèi)容如下。
首先，將篩選處理結(jié)束的評(píng)測(cè)對(duì)象制品用粘貼劑固定在評(píng)測(cè)用環(huán)氧玻璃基板后，采用噴流焊接裝置進(jìn)行流動(dòng)焊接。焊接溫度設(shè)定成320℃。觀察焊接結(jié)束后評(píng)測(cè)對(duì)象制品的外觀，確認(rèn)裂紋的發(fā)生個(gè)數(shù)(數(shù)量)。
(3)可靠性評(píng)測(cè)通過再流動(dòng)焊接將篩選及熱評(píng)測(cè)中認(rèn)為是良品的300個(gè)評(píng)測(cè)對(duì)象制品焊接到可靠性評(píng)測(cè)用環(huán)氧玻璃基板上。以高溫負(fù)載試驗(yàn)(125℃，W-V×2倍的電壓)作為評(píng)測(cè)條件，確認(rèn)到250小時(shí)為止的不良發(fā)生狀況。
表1表示各個(gè)評(píng)測(cè)對(duì)象制品的試驗(yàn)條件及評(píng)測(cè)。表中，V1(V/μm)是第1步驟施加的直流電壓。由于評(píng)測(cè)對(duì)象品C5750的每一層層厚是10μm，因而被施加10倍的直流電壓V1(V)。由于評(píng)測(cè)對(duì)象品C4532的每一層的層厚是14μm，因而被施加14倍的直流電壓V1(V)。
V2是第2步驟施加的直流電壓。由于評(píng)測(cè)對(duì)象品C5750、C4532的額定電壓都是50V，因而第2步驟施加的直流電壓V2在實(shí)施例5中是額定電壓的5倍，在其他實(shí)施例及比較例中是額定電壓的3倍。即，第2步驟中施加額定電壓的3～5倍左右的直流電壓V2。
表1

參照表1，在環(huán)境溫度25℃下，不滿足本發(fā)明的溫度條件的比較例1中，在熱評(píng)測(cè)中，60個(gè)中有27個(gè)確認(rèn)發(fā)生裂紋，在可靠性評(píng)測(cè)中，300個(gè)中有3個(gè)發(fā)生不良。
這推測(cè)是常溫下施加直流電壓時(shí)的電致伸縮變大，在電介質(zhì)層發(fā)生裂紋的緣故。
第1步驟施加本發(fā)明范圍外的15(V/μm)的直流電壓V1(V/μm)的比較例2中，在可靠性評(píng)測(cè)中，300個(gè)中有4個(gè)發(fā)生不良。這推測(cè)是因?yàn)榈?步驟中施加的直流電壓V1(V/μm)低，不能進(jìn)行充分篩選的緣故。
第1步驟施加本發(fā)明范圍外的45(V/μm)的直流電壓V1(V/μm)的比較例3中，在熱評(píng)測(cè)中，60個(gè)中有47個(gè)發(fā)生裂紋，在可靠性評(píng)測(cè)中，300個(gè)中有30個(gè)發(fā)生不良。這推測(cè)是因?yàn)榈?步驟中施加的直流電壓V1(V/μm)的值過高，在制品中殘留內(nèi)部裂紋等的損傷的緣故。
第1步驟施加本發(fā)明的范圍內(nèi)的30(V/μm)的直流電壓V1(V/μm)但不具有第2步驟的比較例4中，在可靠性評(píng)測(cè)中，300個(gè)中有7個(gè)發(fā)生不良。其結(jié)果表明為了確?？煽啃裕?步驟是不可欠缺的。
相對(duì)地，本發(fā)明的實(shí)施例1～6在熱評(píng)測(cè)及可靠性評(píng)測(cè)中都確認(rèn)沒有裂紋及不良品的發(fā)生。
第2步驟必須在第1步驟后執(zhí)行。第2步驟若在第1步驟之前，則熱評(píng)測(cè)及可靠性評(píng)測(cè)中發(fā)生裂紋和不良品。
表2表示第1步驟中施加150(V)的直流電壓V1后，第2步驟中施加30(V/μm)的直流電壓V2(V/μm)的情況，即，第1步驟和第2步驟的處理順序交換的情況。
表2

如表2所示，應(yīng)施加考慮了額定電壓的直流電壓的第2步驟和應(yīng)施加20～40(V/μm)的直流電壓的第1步驟的順序若交換，則在可靠性評(píng)測(cè)中，300個(gè)中發(fā)生5個(gè)不良品。這推測(cè)是篩選不充分的緣故。
以上，參照優(yōu)選實(shí)施例詳細(xì)說明了本發(fā)明，但是應(yīng)該明白本發(fā)明不限于此，本專業(yè)技術(shù)人員可根據(jù)該基本的技術(shù)思想及示例實(shí)現(xiàn)多種的變形例。
權(quán)利要求
1.一種篩選層疊陶瓷電容的方法，其特征在于，上述層疊陶瓷電容在電介質(zhì)基體的內(nèi)部層狀埋設(shè)多個(gè)內(nèi)部電極，上述內(nèi)部電極與上述電介質(zhì)基體的外面安裝的成對(duì)的端子電極導(dǎo)通，上述端子電極具有以Sn為主成分的最外層，包含將上述層疊陶瓷電容置于125℃以上180℃以下的溫度環(huán)境，向上述端子電極間施加直流電壓并測(cè)定直流絕緣電阻的步驟，施加上述直流電壓的步驟包含第1步驟和第2步驟，上述第1步驟中，施加20～40(V/μm)范圍內(nèi)的直流電壓V1(V/μm)，上述第2步驟中，在上述第1步驟結(jié)束后施加考慮了額定電壓的直流電壓V2(V)。
2.權(quán)利要求1所述的篩選方法，其特征在于，層間厚度為10μm以下。
3.權(quán)利要求1所述的篩選方法，其特征在于，上述電介質(zhì)材料是常溫下表現(xiàn)為強(qiáng)電介質(zhì)特性的疏松劑以外的電介質(zhì)材料。
4.權(quán)利要求1所述的篩選方法，其特征在于，上述第2步驟中施加的直流電壓V2(V)最好是額定電壓的3～5倍。
5.權(quán)利要求1所述的篩選方法，其特征在于，上述第1步驟中的電壓施加時(shí)間最好是10msec～1.0sec。
6.權(quán)利要求1所述的篩選方法，其特征在于，上述第2步驟中的電壓施加時(shí)間最好是10msec～1.0sec。
全文摘要
本發(fā)明提供不會(huì)發(fā)生電致伸縮裂紋等、不會(huì)損害端子電極且可保證高度可靠性的層疊陶瓷電容的篩選方法。層疊陶瓷電容C在電介質(zhì)基體1的內(nèi)部層狀埋設(shè)多個(gè)內(nèi)部電極21、22，內(nèi)部電極21與電介質(zhì)基體1的外面安裝的成對(duì)的端子電極3、4導(dǎo)通，端子電極3、4具有以Sn為主成分的最外層33、43。包含將層疊陶瓷電容C置于125℃以上180℃以下的溫度環(huán)境，在端子電極3－4間施加直流電壓來測(cè)定直流絕緣電阻的步驟。施加直流電壓的步驟包含第1步驟和第2步驟，第1步驟中，施加20～40(V/μm)范圍內(nèi)的直流電壓V1(V/μm)，第2步驟中，在第1步驟結(jié)束后施加考慮了額定電壓的直流電壓V2(V)。
文檔編號(hào)H01G13/00GK1601290SQ200410085118
公開日2005年3月30日 申請(qǐng)日期2004年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月25日
發(fā)明者伊東和則, 堀江優(yōu)作, 長(zhǎng)谷部和幸 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社