專利名稱：用于編程的比特單元和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路，且更具體地說(shuō)，涉及在集成電路中使用的比特單元(bit-cell)。
背景技術(shù)：
在版本(revision)標(biāo)識(shí)寄存器中用來(lái)標(biāo)識(shí)集成電路的版本級(jí)的比特單元通常都是使用自動(dòng)工具來(lái)合成、放置及布線。通常，必須修改多個(gè)金屬層來(lái)實(shí)現(xiàn)這些自動(dòng)生成的版本標(biāo)識(shí)寄存器。將自動(dòng)生成的版本標(biāo)識(shí)寄存器中的比特單元的修改限制在一個(gè)金屬層中，這一般都是不可能的。因此，即使集成的邏輯改變只需要修改一個(gè)金屬層，對(duì)版本標(biāo)識(shí)寄存器的相應(yīng)修改也可能需要改變一層以上的金屬層，這增加了改變的成本。


圖1A圖示了根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施方案的、包括多個(gè)橋結(jié)構(gòu)的比特單元。
圖1B圖示了根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施方案的、在圖1A所示的多個(gè)橋結(jié)構(gòu)之一。
圖1C是圖1B中所示的傳導(dǎo)棧(stack)沿著剖面線X的剖面視圖，根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方案，圖示了耦合結(jié)構(gòu)與兩個(gè)相鄰的傳導(dǎo)件之間的關(guān)系。
圖1D是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方案，圖示了圖1B所示的橋結(jié)構(gòu)，其中圖1B中所示的傳導(dǎo)棧被具有間隙的傳導(dǎo)棧取代。
圖1E圖示了根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方案，將信號(hào)源連接到圖1A中所示的橋結(jié)構(gòu)的傳導(dǎo)棧和傳導(dǎo)件。
圖1F是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方案，圖1A中所示的驅(qū)動(dòng)器的示意圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方案，包括多個(gè)圖1A中所示的比特單元的通信系統(tǒng)的框圖。
圖3根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方案圖示了一個(gè)互連，其包括第一傳導(dǎo)橋結(jié)構(gòu)和第二傳導(dǎo)橋結(jié)構(gòu)，例如圖1B中所示的傳導(dǎo)橋結(jié)構(gòu)。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方案，用于修改圖1A中所示的比特單元的方法的流程圖。
圖5是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的框圖，該系統(tǒng)包括處理器和管芯(die)，管芯包括圖2中所示的標(biāo)識(shí)寄存器，而該標(biāo)識(shí)寄存器具有圖1B所示的多個(gè)傳導(dǎo)橋結(jié)構(gòu)。
圖6是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方案，包括形成在襯底上的信息存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)和邏輯在內(nèi)的裝置的框圖，所述信息存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)包括一個(gè)或多個(gè)圖1A所示的比特單元。
具體實(shí)施例方式
在以下對(duì)本發(fā)明一些實(shí)施方案的描述中，參考構(gòu)成所述描述一部分的附圖，在附圖中以示例的方式示出了本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)的具體實(shí)施方案。在附圖中，相同的標(biāo)號(hào)在幾幅圖中描述了基本類似的組件。這些實(shí)施方案被充分詳細(xì)地描述，使得本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明?？梢圆捎闷渌麑?shí)施方案，并且可以作出結(jié)構(gòu)、邏輯和電氣上的改變，而不會(huì)偏離本發(fā)明的范圍。以下詳細(xì)的描述不想被視為限制性的，本發(fā)明的范圍僅由所附的權(quán)利要求書及其全部等同物來(lái)限定。
圖1A根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方案，圖示了包括多個(gè)橋結(jié)構(gòu)102、103、104、105和106在內(nèi)的比特單元100。除了多個(gè)橋結(jié)構(gòu)102、103、104、105和106之外，比特單元100還包括具有輸入端口110和輸出端口112的驅(qū)動(dòng)器108以及信號(hào)源114。信號(hào)源114與橋結(jié)構(gòu)102相連。多個(gè)橋結(jié)構(gòu)102、103、104、105和106中每一個(gè)都與驅(qū)動(dòng)器108的輸入端口110相連。
在運(yùn)行中，信號(hào)源114向橋結(jié)構(gòu)102提供信號(hào)。橋結(jié)構(gòu)102提供信號(hào)源114和驅(qū)動(dòng)器108的輸入端口110之間的傳導(dǎo)路徑。驅(qū)動(dòng)器108對(duì)信號(hào)進(jìn)行處理并在輸出端口112處提供處理后的信號(hào)。橋結(jié)構(gòu)103、104、105和106不與信號(hào)源114相連，因此橋結(jié)構(gòu)103、104、105和106不向驅(qū)動(dòng)器108的輸入端口110提供信號(hào)。如果信號(hào)源114與橋結(jié)構(gòu)102斷開，那么可以將一個(gè)信號(hào)源(未示出)連接到橋結(jié)構(gòu)103、104、105或106之一，以向驅(qū)動(dòng)器108提供信號(hào)。
圖1B圖示了根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方案，在圖1A中所示的多個(gè)橋結(jié)構(gòu)102、103、104、105和106中的一個(gè)。橋結(jié)構(gòu)102包括傳導(dǎo)棧116和118。傳導(dǎo)棧116通過(guò)傳導(dǎo)梁120與傳導(dǎo)棧118相連。
傳導(dǎo)棧116包括多個(gè)傳導(dǎo)件(element)122、123、124、125和126。傳導(dǎo)棧118包括多個(gè)傳導(dǎo)件128、129、130、131和132。傳導(dǎo)件122、123、124、125和126中的每一個(gè)以及傳導(dǎo)件128、129、130、131和132中的每一個(gè)分別借助耦合結(jié)構(gòu)134與相鄰的傳導(dǎo)件或者傳導(dǎo)梁120相連。
圖1C是圖1B中所示的傳導(dǎo)棧116沿著剖面線X的剖面視圖，根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方案，圖示了耦合結(jié)構(gòu)134與兩個(gè)相鄰的傳導(dǎo)件124和125之間的關(guān)系。耦合結(jié)構(gòu)134包括電介質(zhì)136和通路(via)138。從圖1C中可以看出，通路138不在耦合結(jié)構(gòu)134的中央。相反，通路138位于耦合結(jié)構(gòu)134的一側(cè)，而電介質(zhì)136則位于另一側(cè)。在相鄰的耦合結(jié)構(gòu)134中，通路138和電介質(zhì)136將換邊。電介質(zhì)136是電荷的非傳導(dǎo)體。在一些實(shí)施方案中，電介質(zhì)136是二氧化硅。通路138是電荷的導(dǎo)體。在一些實(shí)施方案中，通路是金屬。適用于與制造通路138有關(guān)的示例性的金屬包括鋁、銅、鎢以及鋁、銅、鎢的合金。在一些實(shí)施方案中，通路是多晶硅。
再次參考圖1B，傳導(dǎo)梁120，多個(gè)傳導(dǎo)件122、123、124、125和126中的每一個(gè)以及多個(gè)傳導(dǎo)件128、129、130、131和132中的每一個(gè)都由傳導(dǎo)材料制成。在一些實(shí)施方案中，傳導(dǎo)梁120，多個(gè)傳導(dǎo)件122、123、124、125和126中的每一個(gè)以及多個(gè)傳導(dǎo)件128、129、130、131和132中的每一個(gè)都由金屬制成。適用于與制造傳導(dǎo)梁120，多個(gè)傳導(dǎo)件122、123、124、125和126以及多個(gè)傳導(dǎo)件128、129、130、131和132中的每一個(gè)有關(guān)的示例性金屬包括鋁、鎢、銅以及鋁、鎢、銅的合金。多個(gè)傳導(dǎo)件122、123、124、125和126中的每一個(gè)以及多個(gè)傳導(dǎo)件128、129、130、131和132中的每一個(gè)與一個(gè)或多個(gè)相鄰元件相連。傳導(dǎo)梁120與傳導(dǎo)件122和132相連。
圖1D是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方案，圖示了圖1B所示的橋結(jié)構(gòu)102，其中圖1B中所示的傳導(dǎo)棧116被具有間隙142的傳導(dǎo)棧140取代。圖1D所示的橋結(jié)構(gòu)102包括傳導(dǎo)棧118、傳導(dǎo)梁120和傳導(dǎo)棧140。傳導(dǎo)梁120將傳導(dǎo)棧140連接到傳導(dǎo)棧118。
傳導(dǎo)棧140包括在圖1B所示的傳導(dǎo)棧116中所包括的傳導(dǎo)件122、123、125和126，但傳導(dǎo)棧140不包括在傳導(dǎo)棧116所包括的傳導(dǎo)件124。傳導(dǎo)棧140包括間隙142來(lái)取代傳導(dǎo)棧116的傳導(dǎo)件124(在圖1B中示出)。在一些實(shí)施方案中，使用六層金屬化工藝來(lái)形成橋結(jié)構(gòu)102。在六層金屬化工藝中，傳導(dǎo)件126被包括在第一金屬化層中，而傳導(dǎo)梁120被包括在第六金屬化層中。六層金屬化工藝中的每個(gè)金屬化層都由掩模來(lái)限定。間隙142被包括在金屬化層3中，用來(lái)限定傳導(dǎo)件124的掩模被修改來(lái)限定傳導(dǎo)棧140中的間隙142。
圖1E圖示了根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方案，將信號(hào)源148連接到圖1A中所示的橋結(jié)構(gòu)103的傳導(dǎo)棧144和傳導(dǎo)件146。傳導(dǎo)棧144包括多個(gè)傳導(dǎo)件147、148、149、150、151和152。在制造圖1B所示的傳導(dǎo)棧116和118時(shí)所使用的上述材料和方法適合于在制造傳導(dǎo)棧144中使用。在制造圖1B所示的多個(gè)傳導(dǎo)件122、123、124、125和126時(shí)所使用的上述材料和方法適合于在制造多個(gè)傳導(dǎo)件147、148、149、150、151和152中使用。
傳導(dǎo)件146將傳導(dǎo)棧144連接到橋結(jié)構(gòu)102。在制造(圖1B中所示的)多個(gè)傳導(dǎo)件122、123、124、125和126時(shí)所使用的上述材料和方法適合于在制造多個(gè)傳導(dǎo)件146中使用。傳導(dǎo)件146形成在第三金屬化層上，并將傳導(dǎo)棧144的傳導(dǎo)件150連接到橋結(jié)構(gòu)103中的傳導(dǎo)棧116的傳導(dǎo)件124。傳導(dǎo)件146在金屬化層3掩模中來(lái)限定。
圖1F是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方案，圖1A中所示的驅(qū)動(dòng)器108的示意圖。驅(qū)動(dòng)器108不限于特定類型的電路、特定的技術(shù)或特定的功率級(jí)。驅(qū)動(dòng)器108是具有輸入端口110和輸出端口112的反相器。適于在制造驅(qū)動(dòng)器108時(shí)使用的技術(shù)包括多種半導(dǎo)體技術(shù)，例如硅、鍺和砷化鎵。驅(qū)動(dòng)器108并不限于處理特定類型的信號(hào)。適于由驅(qū)動(dòng)器108處理的示例性信號(hào)類型包括邏輯信號(hào)(例如數(shù)字信號(hào))和功率信號(hào)(例如電源信號(hào))。
再次參考圖1A、1B、1D和1E，在比特單元100中，對(duì)特定層(在這個(gè)實(shí)施方案中是第三金屬化層)的改變可以改變?cè)隍?qū)動(dòng)器108的輸出端口112所提供的信號(hào)。所述改變可以通過(guò)僅僅編輯單個(gè)掩模來(lái)實(shí)現(xiàn)。所述改變包括從傳導(dǎo)橋102中去除傳導(dǎo)件124(從而將信號(hào)源114與驅(qū)動(dòng)器108斷開)并且在傳導(dǎo)棧144和傳導(dǎo)橋103之間加入傳導(dǎo)件146(從而將信號(hào)源148連接到驅(qū)動(dòng)器108)。因此，如果僅僅改變單個(gè)掩模級(jí)(mask level)就足以更新集成電路，那么在同一掩模級(jí)上對(duì)比特單元100的改變就足以更新集成電路的(由比特單元100表示的)版本級(jí)(revision level)。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方案，包括多個(gè)圖1A中所示的比特單元100的通信系統(tǒng)200的框圖。通信系統(tǒng)200包括襯底202、通信電路204和標(biāo)識(shí)寄存器206。通信電路204和標(biāo)識(shí)寄存器206被形成在襯底202上。通信電路204被耦合到天線208。標(biāo)識(shí)寄存器206包括多個(gè)比特單元100。在通信電路204的制造過(guò)程中，可以通過(guò)僅改變一個(gè)金屬化掩模來(lái)改變多個(gè)比特單元100中的每一個(gè)。多個(gè)比特單元100包括形成在襯底202上的多個(gè)(在圖1中示出的)橋結(jié)構(gòu)102、103、104、105和106。橋結(jié)構(gòu)102、103、104、105和106由在通信電路204的制造中所包括的金屬化層形成。襯底202不限于具體的材料。適于在制造通信電路204時(shí)使用的示例性襯底202材料包括半導(dǎo)體，例如硅、鍺和砷化鎵。
在運(yùn)行中，標(biāo)識(shí)寄存器206可以向通信電路204提供版本(version)信息。通信電路204被耦合到用于收發(fā)信息的天線208。
圖3根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方案圖示了一個(gè)互連300，其包括第一傳導(dǎo)橋結(jié)構(gòu)302和第二傳導(dǎo)橋結(jié)構(gòu)304，例如圖1B中所示的傳導(dǎo)橋結(jié)構(gòu)102。第一和第二傳導(dǎo)橋結(jié)構(gòu)302和304被形成在襯底306上。第一傳導(dǎo)橋結(jié)構(gòu)302包括近端308和遠(yuǎn)端310。第二傳導(dǎo)橋結(jié)構(gòu)304包括近端312和遠(yuǎn)端314。第一傳導(dǎo)橋結(jié)構(gòu)302的近端308與第二傳導(dǎo)橋結(jié)構(gòu)304的近端312相連。第一傳導(dǎo)橋結(jié)構(gòu)302的遠(yuǎn)端310和第二傳導(dǎo)橋結(jié)構(gòu)304的遠(yuǎn)端314是斷開的。在一些實(shí)施方案中，第二傳導(dǎo)橋結(jié)構(gòu)304的遠(yuǎn)端314與第一電源接觸體316相鄰。在一些實(shí)施方案中，信號(hào)源318(例如邏輯信號(hào)源)與第一傳導(dǎo)橋結(jié)構(gòu)302的遠(yuǎn)端310相連。在一些實(shí)施方案中，第一電源接觸體316包括傳導(dǎo)棧，例如在圖1E中所示的傳導(dǎo)棧144。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方案，用于修改圖1A中所示的比特單元100的方法400的流程圖。方法400包括從第一橋結(jié)構(gòu)中去除第一特定傳導(dǎo)層中的傳導(dǎo)件(框402)，并且在第一特定傳導(dǎo)層中加入傳導(dǎo)件，以將第二橋結(jié)構(gòu)連接到第一信號(hào)源(框404)。
在方法400的一些實(shí)施方案中，從第一橋結(jié)構(gòu)中去除第一特定傳導(dǎo)層中的傳導(dǎo)件(框402)的步驟包括在制造第一橋結(jié)構(gòu)的過(guò)程中，通過(guò)編輯用于特定傳導(dǎo)層的金屬化掩模來(lái)去除所述傳導(dǎo)件。
在方法400的一些實(shí)施方案中，在第一特定傳導(dǎo)層中加入傳導(dǎo)件，以將第二橋結(jié)構(gòu)連接到第一信號(hào)源(框404)的步驟包括通過(guò)編輯金屬化掩模來(lái)加入傳導(dǎo)件。
在方法400的一些實(shí)施方案中，方法400還包括在第二橋結(jié)構(gòu)中去除第二特定傳導(dǎo)層中的傳導(dǎo)件。
在方法400的一些實(shí)施方案中，方法400還包括在第二特定傳導(dǎo)層中加入傳導(dǎo)件，以將第三橋結(jié)構(gòu)連接到第二信號(hào)源。
圖5是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)500的框圖，該系統(tǒng)包括處理器502和管芯504，管芯504包括圖2中所示的標(biāo)識(shí)寄存器206，而標(biāo)識(shí)寄存器206具有圖1B所示的多個(gè)傳導(dǎo)橋結(jié)構(gòu)102。標(biāo)識(shí)寄存器206被耦合到處理器502。在一些實(shí)施方案中，處理器502包括微處理器。在一些實(shí)施方案中，多個(gè)傳導(dǎo)橋結(jié)構(gòu)102中至少有一個(gè)包括(圖1D中示出的)具有間隙的傳導(dǎo)棧140。
圖6是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方案，包括形成在襯底606上的信息存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)602和邏輯604在內(nèi)的裝置600的框圖，所述信息存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)602包括一個(gè)或多個(gè)圖1A所示的比特單元100。信息存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)602起到與邏輯604耦合的只讀存儲(chǔ)器的作用，所述邏輯604形成處理器核、微控制器或微處理器。只讀存儲(chǔ)器可以包含適于邏輯604執(zhí)行的微碼指令或者由邏輯604來(lái)處理的數(shù)據(jù)。當(dāng)被存儲(chǔ)在信息存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)602中時(shí)，微碼指令或數(shù)據(jù)可以通過(guò)編輯單個(gè)金屬化掩模而改變。因此，如果邏輯604例如在金屬化層3上需要改變的話，并且微碼指令或數(shù)據(jù)也需要改變的話，則僅通過(guò)改變金屬化層3，就也可以對(duì)微碼指令或數(shù)據(jù)進(jìn)行改變。適于在制造襯底606時(shí)使用的示例性材料包括半導(dǎo)體，例如硅、鍺和砷化鎵。
雖然這里描述并圖示說(shuō)明了具體的實(shí)施方案，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員在得知本公開內(nèi)容后將會(huì)明白，意在實(shí)現(xiàn)同樣目的的任何布置都可以取代所示的具體實(shí)施方案。本申請(qǐng)想要覆蓋本發(fā)明的所有調(diào)整方案和改動(dòng)方案。因此，本發(fā)明想要由權(quán)利要求書及其等同物來(lái)限定。
權(quán)利要求
1.一種比特單元，包括多個(gè)橋結(jié)構(gòu)；以及包括輸入端口和輸出端口的驅(qū)動(dòng)器，所述輸入端口與所述多個(gè)橋結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)相連，其中所述多個(gè)橋結(jié)構(gòu)中至多有一個(gè)橋結(jié)構(gòu)與信號(hào)源相連。
2.如權(quán)利要求1所述的比特單元，其中所述多個(gè)橋結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)都包括通過(guò)傳導(dǎo)梁與第二傳導(dǎo)棧相連的第一傳導(dǎo)棧。
3.如權(quán)利要求2所述的比特單元，其中所述傳導(dǎo)梁包括金屬。
4.如權(quán)利要求2所述的比特單元，其中所述第一傳導(dǎo)棧在特定層上包括間隙。
5.如權(quán)利要求4所述的比特單元，其中所述多個(gè)橋結(jié)構(gòu)中至少有一個(gè)橋結(jié)構(gòu)包括在所述特定層上與信號(hào)源的連接。
6.如權(quán)利要求1所述的比特單元，其中所述驅(qū)動(dòng)器包括反相器。
7.如權(quán)利要求1所述的比特單元，其中所述信號(hào)源包括電源。
8.一種通信系統(tǒng)，包括襯底；形成在所述襯底上并且耦合到天線的通信電路；以及形成在所述襯底上并且包括多個(gè)比特單元的標(biāo)識(shí)寄存器，其中所述多個(gè)比特單元中的每一個(gè)都可以在所述通信電路的制造過(guò)程中，通過(guò)僅改變一個(gè)金屬化掩模來(lái)改變。
9.如權(quán)利要求8所述的通信系統(tǒng)，其中所述多個(gè)比特單元中至少有一個(gè)比特單元包括形成在所述襯底上的多個(gè)橋結(jié)構(gòu)；以及形成在所述襯底上的驅(qū)動(dòng)器，所述驅(qū)動(dòng)器包括輸入端口和輸出端口，所述輸入端口與所述多個(gè)橋結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)相連，其中所述多個(gè)橋結(jié)構(gòu)中至多有一個(gè)橋結(jié)構(gòu)與信號(hào)源相連。
10.如權(quán)利要求9所述的通信系統(tǒng)，其中所述襯底包括半導(dǎo)體。
11.如權(quán)利要求10所述的通信系統(tǒng)，其中所述多個(gè)橋結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)都包括通過(guò)傳導(dǎo)梁與第二傳導(dǎo)棧相連的第一傳導(dǎo)棧。
12.如權(quán)利要求11所述的通信系統(tǒng)，其中所述第一傳導(dǎo)棧包括多個(gè)傳導(dǎo)件。
13.如權(quán)利要求12所述的通信系統(tǒng)，其中所述多個(gè)傳導(dǎo)件中的每一個(gè)都通過(guò)電介質(zhì)與相鄰的傳導(dǎo)件相隔離，并且通過(guò)通路與相鄰的傳導(dǎo)件相連。
14.一種互連，包括形成在襯底上的第一傳導(dǎo)橋結(jié)構(gòu)，所述第一傳導(dǎo)橋結(jié)構(gòu)包括被包括在集成電路中的多個(gè)金屬化層中的每一層，所述第一傳導(dǎo)橋結(jié)構(gòu)具有近端和遠(yuǎn)端，并且所述第一傳導(dǎo)橋結(jié)構(gòu)在所述近端和所述遠(yuǎn)端之間形成傳導(dǎo)路徑；以及形成在所述襯底上的第二傳導(dǎo)橋結(jié)構(gòu)，所述第二傳導(dǎo)橋結(jié)構(gòu)包括所述多個(gè)金屬化層中的每一層，所述第二傳導(dǎo)橋結(jié)構(gòu)具有近端和遠(yuǎn)端，所述第一橋結(jié)構(gòu)的近端與所述第二橋結(jié)構(gòu)的近端相連，所述第二傳導(dǎo)橋結(jié)構(gòu)在所述第二橋結(jié)構(gòu)的近端和所述第二橋結(jié)構(gòu)的遠(yuǎn)端之間形成傳導(dǎo)路徑，并且所述第一傳導(dǎo)橋結(jié)構(gòu)的遠(yuǎn)端與所述第二傳導(dǎo)橋結(jié)構(gòu)的遠(yuǎn)端是斷開的。
15.如權(quán)利要求14所述的互連，還包括與所述第一橋結(jié)構(gòu)的遠(yuǎn)端相連的信號(hào)源。
16.如權(quán)利要求15所述的互連，其中所述信號(hào)源包括邏輯信號(hào)。
17.如權(quán)利要求14所述的互連，其中所述第二傳導(dǎo)橋結(jié)構(gòu)的遠(yuǎn)端與第一電源接觸體相鄰。
18.如權(quán)利要求17所述的互連，其中所述第一電源接觸體包括傳導(dǎo)棧。
19.一種方法，包括從第一橋結(jié)構(gòu)中去除第一特定傳導(dǎo)層中的傳導(dǎo)件；以及在所述第一特定傳導(dǎo)層中加入傳導(dǎo)件，以將第二橋結(jié)構(gòu)連接到第一信號(hào)源。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中“從第一橋結(jié)構(gòu)中去除第一特定傳導(dǎo)層中的傳導(dǎo)件”的步驟包括在制造所述第一橋結(jié)構(gòu)的過(guò)程中，通過(guò)編輯用于所述特定傳導(dǎo)層的金屬化掩模來(lái)去除所述傳導(dǎo)件。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，其中“在第一特定傳導(dǎo)層中加入傳導(dǎo)件，以將第二橋結(jié)構(gòu)連接到第一信號(hào)源”的步驟包括通過(guò)編輯所述金屬化掩模來(lái)加入所述傳導(dǎo)件。
22.如權(quán)利要求21所述的方法，還包括在所述第二橋結(jié)構(gòu)中去除第二特定傳導(dǎo)層中的傳導(dǎo)件。
23.如權(quán)利要求22所述的方法，還包括在所述第二特定傳導(dǎo)層中加入傳導(dǎo)件，以將第三橋結(jié)構(gòu)連接到第二信號(hào)源。
24.一種計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，包括處理器；包括具有多個(gè)傳導(dǎo)橋結(jié)構(gòu)的標(biāo)識(shí)寄存器的管芯，所述標(biāo)識(shí)寄存器被耦合到所述處理器。
25.如權(quán)利要求24所述的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，其中所述處理器包括微處理器。
26.如權(quán)利要求25所述的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，其中所述多個(gè)傳導(dǎo)橋結(jié)構(gòu)中至少有一個(gè)包括具有間隙的傳導(dǎo)棧。
27.一種方法，包括在管芯上提供標(biāo)識(shí)寄存器，所述管芯包括具有多個(gè)金屬化層的電路；以及僅改變一個(gè)金屬化掩模來(lái)修改所述電路以及所述標(biāo)識(shí)寄存器。
28.如權(quán)利要求27所述的方法，其中在包括電路的管芯上提供標(biāo)識(shí)寄存器的步驟包括提供一個(gè)比特單元，該比特單元包括多個(gè)傳導(dǎo)橋結(jié)構(gòu)。
29.如權(quán)利要求27所述的方法，其中在包括電路的管芯上提供標(biāo)識(shí)寄存器的步驟包括提供多個(gè)比特單元，所述多個(gè)比特單元中的每一個(gè)都包括多個(gè)傳導(dǎo)橋結(jié)構(gòu)。
30.一種裝置，包括形成在管芯上的邏輯；以及耦合到所述邏輯的信息存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，所述信息存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)包括一個(gè)或多個(gè)比特單元，所述一個(gè)或多個(gè)比特單元中的每一個(gè)都包括多個(gè)傳導(dǎo)橋結(jié)構(gòu)。
31.如權(quán)利要求30所述的裝置，其中所述信息存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)包括一個(gè)或多個(gè)微碼指令。
32.如權(quán)利要求30所述的裝置，其中所述邏輯包括處理器。
全文摘要
比特單元包括多個(gè)橋結(jié)構(gòu)以及包括輸入端口和輸出端口的驅(qū)動(dòng)器。輸入端口與多個(gè)橋結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)相連，并且多個(gè)橋結(jié)構(gòu)中至多有一個(gè)橋結(jié)構(gòu)與信號(hào)源相連。一種方法包括從第一橋結(jié)構(gòu)中去除第一特定傳導(dǎo)層中的傳導(dǎo)件，并且在第一特定傳導(dǎo)層中加入傳導(dǎo)件，以將第二橋結(jié)構(gòu)連接到第一信號(hào)源。
文檔編號(hào)H01L27/06GK1762054SQ200480007063
公開日2006年4月19日 申請(qǐng)日期2004年3月10日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月25日
發(fā)明者肯尼思·丘 申請(qǐng)人:英特爾公司