專(zhuān)利名稱(chēng)：表面保護(hù)用板以及半導(dǎo)體晶片的磨削方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及表面保護(hù)用板以及半導(dǎo)體晶片(semiconductor wafer)的磨削方法，特別涉及適宜使用在，磨削在電路面上高密度排列高度高的凸點(diǎn)(bump)的半導(dǎo)體晶片的內(nèi)側(cè)面的工序中的表面保護(hù)用板以及磨削形成有這種凸點(diǎn)的半導(dǎo)體晶片的方法。
背景技術(shù)：
伴隨著半導(dǎo)體裝置的高密度安裝化，在半導(dǎo)體芯片和基板的接合中使用了由錫焊等形成的凸點(diǎn)，在直接接合的情況時(shí)多使用直徑為100μm左右的球狀物。當(dāng)磨削在電路面中形成有這樣的高凸點(diǎn)的晶片的內(nèi)側(cè)面時(shí)，這種高凸點(diǎn)的高低差異所引起的壓力差直接影響內(nèi)側(cè)面，該影響不能完全被用于表面保護(hù)的粘合板的緩沖性所抑制，從而在磨削工序中發(fā)生破損以及產(chǎn)生微凹(內(nèi)側(cè)面出現(xiàn)凹陷)，這成為制成裝置的可靠性差的主要原因。以往是使完成厚度比較厚來(lái)防止晶片的破損或者使凸點(diǎn)的排列密度疏松來(lái)防止這種情況的發(fā)生。
但是，近年來(lái)要求高密度排列高度高的凸點(diǎn)的裝置增多。對(duì)于這種裝置，如果使用通常的表面保護(hù)用的粘合板A，則如圖4所示，由于凸點(diǎn)的影響粘合劑層不能粘附在晶片的端部。結(jié)果導(dǎo)致一部分在除用于磨削內(nèi)側(cè)面時(shí)的熱或切削屑而噴霧的洗滌水滲入到電路面?zhèn)?，造成電路面的污染?br> 因此，通過(guò)增厚粘合劑層的厚度以及提高粘合劑的流動(dòng)性來(lái)使粘合劑層和晶片的端部粘合，但是由于粘合劑容易流入到凸點(diǎn)的根部，因此在粘合板的剝離操作中，附著在凸點(diǎn)的根部的粘合劑會(huì)引起層內(nèi)破壞，有時(shí)其中一部分還殘留。這是使用用能量線固化型粘合劑的粘合板也會(huì)發(fā)生的問(wèn)題。如果不通過(guò)溶劑清洗等除去在電路面殘留的粘合劑，則會(huì)作為裝置的異物而殘留下來(lái)，從而有損完成的裝置的可靠性。
在專(zhuān)利文獻(xiàn)1中，公開(kāi)了向半導(dǎo)體晶片貼附保護(hù)帶的方法，其特征在于，使用可經(jīng)適宜處理控制粘合力的保護(hù)帶，只對(duì)半導(dǎo)體晶片的周邊部以強(qiáng)粘合的狀態(tài)貼附保護(hù)帶。該方法簡(jiǎn)要說(shuō)就是是，使用紫外線固化型粘合帶作為保護(hù)帶，在貼附半導(dǎo)體晶片之前，先使與晶片的元件形成區(qū)域結(jié)合的粘合劑層固化，再只在晶片的周邊部進(jìn)行晶片的固定。
但是，在專(zhuān)利文獻(xiàn)1的方法中，被固化的粘合劑層和未固化的粘合劑層在同一平面上。因此，如果凸點(diǎn)的高度增高，由于凸點(diǎn)的影響，粘合劑層不能貼附在晶片的端部。所以，如圖4所示，仍不能充分改善洗滌水滲入到電路面?zhèn)鹊膯?wèn)題。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1日本專(zhuān)利特開(kāi)平5-62950號(hào)公報(bào)發(fā)明的揭示發(fā)明要解決的課題本發(fā)明鑒于如上所述的以往技術(shù)，提供了即使是高密度排列有高度高的凸點(diǎn)的晶片，即使磨削至極薄，也不發(fā)生微凹、不發(fā)生晶片的破損、污染，且剝離后在凸點(diǎn)的根部不附著粘合劑的表面保護(hù)用板以及半導(dǎo)體晶片的磨削方法。
解決課題的方法本發(fā)明涉及的表面保護(hù)用板是用于磨削半導(dǎo)體晶片的內(nèi)側(cè)面的保護(hù)用板，其特征在于，在基材板的單面上，設(shè)置有比所需貼附的半導(dǎo)體晶片的外徑小的直徑的不形成粘合劑層的開(kāi)口部，以及形成有在其外周形成的粘合劑層的部分。
上述表面保護(hù)用板中，較好為先將基材板和要貼附粘合劑層的半導(dǎo)體晶片切割成近似同徑，再使與形成上述粘合劑層的部分成近似同心圓。
本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體晶片的磨削方法，其特征在于，將在電路面上形成有凸點(diǎn)的半導(dǎo)體晶片形成為下述的表面保護(hù)形態(tài)，將其基板側(cè)安裝在固定臺(tái)上，磨削半導(dǎo)體晶片的內(nèi)側(cè)面?zhèn)?，上述表面保護(hù)形態(tài)是指形成具有與形成有凸點(diǎn)的部分相對(duì)應(yīng)的沒(méi)有形成粘合劑層的開(kāi)口部，在沒(méi)有形成凸點(diǎn)的晶片的外周部分上形成了作為粘合劑形成部的粘合劑層，再在該粘合劑層上層疊基材板以封閉粘合劑層的開(kāi)口部。
上述內(nèi)側(cè)面磨削方法中的表面保護(hù)形態(tài)可通過(guò)將前述的本發(fā)明表面保護(hù)板貼附在半導(dǎo)體晶片的電路面上來(lái)實(shí)現(xiàn)。
另外，也可通過(guò)以下方法來(lái)實(shí)現(xiàn)表面保護(hù)形態(tài)，即，在電路面上形成有凸點(diǎn)的半導(dǎo)體晶片上貼附粘合劑層，并使之與該半導(dǎo)體晶片的外周部分重合，再在該粘合劑層上層疊貼附基材板來(lái)封閉粘合劑層的開(kāi)口部，該粘合劑層具有與形成有凸點(diǎn)的部分相對(duì)應(yīng)的開(kāi)口部和與不形成凸點(diǎn)的晶片外周部分相對(duì)應(yīng)的粘合劑形成部。
通過(guò)上述磨削方法，即使是對(duì)在電路面上形成的凸點(diǎn)的高度在50μm以上，在最外側(cè)配置的凸點(diǎn)的位置距自晶片的外周2～10mm的半導(dǎo)體晶片也可進(jìn)行加工處理。上述磨削方法中，表面保護(hù)用板的粘合劑層的厚度(At)與隆起焊的高度(Bt)之差(Bt-At)較好為-5～50μm。
發(fā)明的效果本發(fā)明的表面保護(hù)用板以及半導(dǎo)體晶片的磨削方法，由于在與凸點(diǎn)接合的部分沒(méi)有設(shè)置粘合劑，因此在凸點(diǎn)的根部不會(huì)附著粘合劑，從而不會(huì)發(fā)生裝置的可靠性不足。另外，由于晶片的端部可通過(guò)粘合劑層來(lái)密合固定，因此可防止洗滌水滲入電路面，從而防止晶片的污損。
附圖的簡(jiǎn)單說(shuō)明

圖1本發(fā)明的表面保護(hù)用板的截面圖。
圖2本發(fā)明的表面保護(hù)用板的斜視圖。
圖3顯示了本發(fā)明的表面保護(hù)用板貼附在晶片的凸點(diǎn)面上，進(jìn)行晶片內(nèi)側(cè)面磨削的狀態(tài)。
圖4顯示了以往的表面保護(hù)用粘合板A貼附在晶片的凸點(diǎn)面上，進(jìn)行晶片內(nèi)側(cè)面磨削的狀態(tài)。
符號(hào)的說(shuō)明1…基材板2…粘合劑層3…開(kāi)口部4…半導(dǎo)體晶片5…凸點(diǎn)10…表面保護(hù)用板A…以往的表面保護(hù)用粘合板實(shí)施本發(fā)明的最佳方式以下，參考附圖具體說(shuō)明本發(fā)明。
如圖1中的截面圖、圖2中的斜視圖所示，本發(fā)明涉及的表面保護(hù)用板10，其特征在于，在基材板1的單面上設(shè)置有比所需貼附的半導(dǎo)體晶片的外徑小的直徑的不形成粘合劑層的開(kāi)口部3，以及形成有在其外周形成的粘合劑層2的部分。
(基材板1)如果本發(fā)明的表面保護(hù)用板10中使用的基材板1是樹(shù)脂板，則無(wú)需特別地選擇既可使用。作為這樣的樹(shù)脂板，可例舉如低密度聚乙烯、直鏈低密度聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯等聚烯烴；乙烯醋酸乙烯共聚物、乙烯(甲基)丙烯酸酸共聚物、乙烯(甲基)丙烯酸酯共聚物等乙烯共聚物；聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯；聚氯化乙烯、丙烯酸類(lèi)橡膠、聚酰胺、聚氨酯、聚酰亞胺等樹(shù)脂膜?；陌?可以是這些的單層，也可是由層疊體形成的。另外，也可是經(jīng)交聯(lián)等處理的板材。
作為這樣的基材板1，可以使用熱塑性樹(shù)脂經(jīng)過(guò)擠出成形而形成的板材，也可是通過(guò)規(guī)定方法將固化性樹(shù)脂薄膜化、固化而形成的板材。作為固化性樹(shù)脂，例如可使用以能量線固化性的氨基甲酸酯丙烯酸酯系低聚物作為主劑、以具有體積較大的基團(tuán)的丙烯酸酯單體為稀釋劑、根據(jù)需要混合光聚合引發(fā)劑而形成的樹(shù)脂組合物。
基材板的厚度較好為30～1000μm，更好為50～500μm，特好為100～300μm。
(粘合劑層2)本發(fā)明的表面保護(hù)用板10的粘合劑層2，如果具有適度的再剝離性，則其種類(lèi)沒(méi)有特別的限定，可以由橡膠系、丙烯酸系、硅酮系、聚氨酯系、乙烯基醚系等常用的粘合劑形成。另外，也可以是通過(guò)能量線的照射而固化具有再剝離性的能量線固化型粘合劑。
另外，粘合劑層2可以由單層的粘合劑形成，如圖1所示，也可以是在芯材膜22的兩面設(shè)置粘合劑層21，23的雙面粘合板。
在用雙面粘合板形成粘合劑層時(shí)，如使用聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜這樣剛性較高的膜作為芯材膜22，則由于在表面保護(hù)用板10的制造時(shí)以及晶片貼附時(shí)的尺寸穩(wěn)定性良好，因此較好。在芯材膜22上設(shè)置的粘合劑可以是雙面均相同的，但較好為在朝向基材板1一側(cè)的粘合劑23是具有強(qiáng)粘合性的粘合劑，而朝向晶片一側(cè)的粘合劑21為顯示再剝離性的粘合劑。
粘合劑層2的較好的厚度，由在所貼附的晶片4上形成的凸點(diǎn)5的高來(lái)決定。粘合劑層的厚度(At)和凸點(diǎn)高度(Bt)的差(Bt-At)較好為-5～+50μm，更好為±0～+40μm，特好為+10～+30μm。例如，當(dāng)凸點(diǎn)5的高度(Bt)為100μm時(shí)，粘合劑層2的厚度(At)較好為50～105μm，更好為60～100μm，特好為70～90μm。如果具有這樣的厚度關(guān)系，則晶片的凸點(diǎn)5和基材板1以適度的壓力相接，在磨削加工時(shí)不會(huì)發(fā)生表面保護(hù)用板10的剝落或位置偏移等。即使該差(Bt-At)為負(fù)值時(shí)，粘合劑層的厚度大于凸點(diǎn)的高度而留有間隙，但是如果該值較小，則磨削加工時(shí)的施壓會(huì)將半導(dǎo)體晶片彎曲，這樣會(huì)產(chǎn)生適度的壓力，從而仍可將晶片整體固定。
由于在將2與基材層層疊之前，要進(jìn)行打孔等加工，因此以在其兩面層疊有用硅酮系剝離劑等處理實(shí)施過(guò)的剝離膜的形態(tài)來(lái)供加工使用，可以起到保護(hù)粘合劑層、賦予其自身支持性的作用。在兩面層疊的剝離膜如是輕剝離型·重剝離型這樣具有剝離差的構(gòu)成，則制造表面保護(hù)用板時(shí)的作業(yè)性提高，因此較好。在使用在粘合劑層21，23中用了不同的粘合劑的雙面粘合板時(shí)，由于輕剝離型的剝離膜可首先剝離，朝向其的粘合劑面是在基材板1上層疊的面，與重剝離型的剝離膜相對(duì)的粘合面是貼附在晶片4上的面。
(表面保護(hù)用板10的制造)本發(fā)明的表面保護(hù)用板10中是沒(méi)有形成粘合劑層的基材板面(以下，稱(chēng)為“開(kāi)口部”，圖中的“3”)與所要貼附的晶片4的設(shè)有凸點(diǎn)5的電路形成部分相對(duì)，沒(méi)有形成電路的晶片的外圍部分與粘合劑層2相對(duì)。
將粘合劑層2層疊在基材板1上之前，用打孔等方法切割除去成為近圓形，形成沒(méi)有粘合劑層形成的開(kāi)口部3。此時(shí)，如果只對(duì)粘合劑層和輕剝離型的剝離膜打孔，而沒(méi)有完全打孔至重剝離型的剝離膜，則重剝離型的剝離膜成為粘合劑層的載體，以后的加工也可以roll-to-roll連續(xù)進(jìn)行，因此較好。接著，一邊剝離殘留的輕剝離型的剝離膜，一邊層疊在基材板1上，制成表面保護(hù)用板10。
可以將該階段的構(gòu)成作為本發(fā)明的表面保護(hù)用板10使用。以該構(gòu)成使用時(shí)，將表面保護(hù)用板10的開(kāi)口部3與晶片的電路面的位置對(duì)合，同時(shí)將外周的粘合劑層2貼附在晶片的外圍。然后，將超出晶片的表面保護(hù)用板沿著晶片4的外周(圖2中以虛線表示)切斷分離，供于內(nèi)側(cè)面磨削。
作為本發(fā)明的表面保護(hù)用板的較好方式是，在先前制造階段所得構(gòu)成的基礎(chǔ)上，按照形成與切割除去的粘合劑層呈近同心圓狀，且與所需貼附的晶片的徑相吻合，沖裁粘合劑層的外周而得的結(jié)構(gòu)。此時(shí)，也較好為只對(duì)重剝離型的剝離膜不進(jìn)行沖裁。即，在如圖2所示的構(gòu)成中，事先按照與晶片4的外徑相吻合的要求對(duì)基材1和粘合劑層2進(jìn)行裁切。通過(guò)事先切割成與晶片相同的形狀，在晶片上貼附表面保護(hù)用板時(shí)，就無(wú)需進(jìn)行用切割機(jī)切割表面保護(hù)用板的工序。如果那樣，則可避免如下情況的發(fā)生，即，切割機(jī)的刀刃會(huì)傷損晶片的端部，從而在之后的加工中引發(fā)晶片的破損。
(晶片的表面保護(hù)形態(tài))如圖3所示，通過(guò)向晶片4貼附表面保護(hù)板10在不使粘合劑層2與凸點(diǎn)5相對(duì)接地使位置高精度吻合的同時(shí)，形成為用于磨削半導(dǎo)體晶片的表面保護(hù)形態(tài)。盡量將表面保護(hù)板10低張力地貼附以避免由張力引起變形。
另外，作為其它方法，也可不制造如上述的表面保護(hù)用板10，通過(guò)在半導(dǎo)體晶片4的外周部貼附粘合劑層2，接著層疊貼附基材板1使該粘合劑層的開(kāi)口部3封閉來(lái)形成同樣的表面保護(hù)形態(tài)。具體地講，分別準(zhǔn)備基材板1和粘合劑層2。在粘合劑層2中切除與半導(dǎo)體晶片的電路面上形成有凸點(diǎn)的部分相當(dāng)?shù)牟糠?，形成開(kāi)口部3。按照使將粘合劑層2的開(kāi)口部3與半導(dǎo)體晶片4的電路部分相對(duì)合的要求高精度貼附。接著，將基材板1層疊在粘合劑層2以及開(kāi)口部3上使開(kāi)口部3封閉，最后，將超出半導(dǎo)體晶片4的外周的基材板1和粘合劑層2的層疊體一并用切割機(jī)切去。這樣，可以形成與使用表面保護(hù)板10的情況相同的表面保護(hù)形態(tài)。
(晶片的內(nèi)側(cè)面磨削)如果本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片的磨削方法中使用的晶片，如果是在電路面上形成有凸點(diǎn)的，則可使用任意結(jié)構(gòu)的晶片，而凸點(diǎn)的高度在50μm，較好在100μm以上，且在最外配置的凸點(diǎn)的位置在距晶片外周2～10mm內(nèi)側(cè)的晶片，很難應(yīng)用以往的表面保護(hù)用粘合板，卻比較適用于本發(fā)明。
在晶片磨削裝置的晶片固定臺(tái)(圖中未示)上，安裝形成了上述表面保護(hù)形態(tài)的晶片4的表面保護(hù)用板10側(cè)，通過(guò)通常的磨削手法進(jìn)行磨削。
由于將粘合劑層2整體確實(shí)接合在晶片4的外圍部，因此在磨削加工時(shí)的洗滌水等的滲入不會(huì)發(fā)生，從而不會(huì)引起晶片的電路面的污染。另外，對(duì)于晶片電路面而言，由于凸點(diǎn)的頂點(diǎn)以適度的壓力與基材板相接，因此在磨削加工時(shí)不易造成表面保護(hù)板的剝離和位置偏移等。
實(shí)施例(1)混合重均分子量5000的氨基甲酸酯丙烯酸酯系低聚物(荒川化學(xué)公司制)50重量份、丙烯酸異冰片酯25重量份、苯基羥丙基丙烯酸酯25重量份、光聚合引發(fā)劑(チバ·スペシヤルティケミカルズ社制、イルガキュア184)2重量份以及酞菁系顏料0.2重量份，得到用于通過(guò)澆延制膜制造基材板的具有光固化性的樹(shù)脂組合物。
通過(guò)噴注(ファウンテンダイ)方式，將所得的樹(shù)脂組合物涂布在聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜(東し社制、厚度38μm)上，形成160μm的厚度，再在涂布膜上層疊相同的PET膜，之后使用高壓汞燈(160W/cm、高度10cm)，在光量250mJ/cm2的條件下進(jìn)行紫外線照射處理，使涂布膜交聯(lián)·固化。之后，剝離兩面的PET膜，得到厚度160μm的基材板。
(2)在厚度為50μm的PET膜(東し社制)的單面上，涂布干燥強(qiáng)粘合型的丙烯酸系粘合劑(リンテツク社制、PA-T1)，使干燥膜厚為15μm。在粘合劑涂布面上層疊輕剝離型的剝離膜(リンテツク社制、商品名SP-PET3801、厚度38μm)的剝離處理面，得到單面粘合板。
接著，在重剝離型的剝離膜(リンテツク社制、商品名SP-PET3811、厚度38μm)的剝離處理面上涂布干燥能量線固化型粘合劑(丙烯酸正丁酯/丙烯酸＝91/9(重量份)的共聚物(重均分子量約60萬(wàn))100重量份、氨基甲酸酯丙烯酸酯(分子量約7000)120重量份、交聯(lián)劑(異氰酸酯系)2重量份)，形成15μm的干燥膜厚度，在先前制成的單面粘合板的無(wú)涂布面(PET膜側(cè))上層疊能量線固化型粘合劑的涂布面，制成粘合劑層的厚度為80μm的雙面粘合板。
(3)將將(2)制成的雙面粘合板的從剝離膜(輕剝離型)到能量線固化性粘合劑層的層打直徑為190mm的圓形孔，只殘留剝離膜(重剝離型)不打孔，除去該圓形部分。剝離穿孔的剝離膜(輕剝離型)，將暴露的強(qiáng)粘合型的丙烯酸系粘合劑面層疊在(1)制成的基材膜上。
接著，除剝離膜(重剝離型)之外，將從基材板到能量線固定性粘合劑層的層，沖裁出直徑為200mm的與先前打孔所形成的圓形部分為同心圓的圓形，除去其外周部分形成開(kāi)口部。這樣，制成了在基材板上設(shè)置有外周大小為5mm的粘合劑層的徑為200mm的表面保護(hù)用板。
(4)在直徑200mm、厚度750μm的硅晶片的鏡面上實(shí)施點(diǎn)狀的印刷(點(diǎn)高度100μm、點(diǎn)徑100～200μm、點(diǎn)間距1mm、點(diǎn)的最外側(cè)的位置距晶片外周6mm)，這些視為凸點(diǎn)。剝離由(3)制成的表面保護(hù)用板剝離膜(重剝離型)，層疊在該硅片的印刷面并使各自的外圍相對(duì)合。由于凸點(diǎn)高度為100μm，相對(duì)于粘合劑層的厚度80μm，凸點(diǎn)高度與粘合劑層的厚度差為20μm。
將該硅片的表面保護(hù)用板側(cè)固定在晶片磨削裝置的磨削臺(tái)面上，進(jìn)行磨削使最終厚度為350μm。
可以在表面保護(hù)用板不會(huì)在磨削中途脫落，不使洗滌水滲入晶片的電路面?zhèn)?，以及晶片不?huì)破損的前提下完成磨削。在表面保護(hù)用板上照射能量線(紫外線)、進(jìn)行剝離后，觀察電路面，確認(rèn)無(wú)異物。
產(chǎn)業(yè)上利用的可能性采用本發(fā)明的表面保護(hù)用板以及半導(dǎo)體晶片的磨削方法，由于在與凸點(diǎn)相接的部分沒(méi)有粘合劑，因此在凸點(diǎn)根部不會(huì)附著粘合劑，從而不會(huì)造成由此引起的裝置可靠性不足。因此，可以對(duì)高密度排列有具有高低差的凸點(diǎn)的晶片進(jìn)行磨削。由于粘合劑層2可真正確實(shí)地粘接在晶片4的整個(gè)外圍部，因此也不會(huì)造成由磨削加工時(shí)的洗滌水等的滲入引起的晶片的電路面污染。
權(quán)利要求
1.表面保護(hù)用板，它是在進(jìn)行半導(dǎo)體晶片的內(nèi)側(cè)面磨削時(shí)使用的表面保護(hù)用板，其特征在于，在基材板的單面上設(shè)置有直徑比所需貼附的半導(dǎo)體晶片的外徑小的不形成粘合劑層的開(kāi)口部，以及形成有在其外周形成的粘合劑層的部分。
2.如權(quán)利要求1所述的表面保護(hù)用板，其特征還在于，將基材板及粘合劑層切割成與所需貼附的半導(dǎo)體晶片近似徑，形成有上述粘合劑層的部分形成為近似同心圓。
3.半導(dǎo)體晶片的磨削方法，其特征在于，將在電路面上形成有凸點(diǎn)的半導(dǎo)體晶片形成為下述的表面保護(hù)形態(tài)，將其基板側(cè)安裝在固定臺(tái)上，磨削半導(dǎo)體晶片的內(nèi)側(cè)面?zhèn)龋鲜霰砻姹Ｗo(hù)形態(tài)是指具有與形成凸點(diǎn)的部分相對(duì)應(yīng)的沒(méi)有形成粘合劑層的開(kāi)口部，在沒(méi)有形成凸點(diǎn)的晶片的外周部分形成了成為粘合劑形成部的粘合劑層，再在該粘合劑層上層疊基材板以封閉粘合劑層的開(kāi)口部。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體晶片的磨削方法，其特征還在于，通過(guò)在半導(dǎo)體晶片的電路面上貼附權(quán)利要求1或2所述的表面保護(hù)板來(lái)實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求3所述的表面保護(hù)形態(tài)。
5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體晶片的磨削方法，其特征還在于，通過(guò)以下方法形成權(quán)利要求3的表面保護(hù)形態(tài)，即，在電路面上形成有凸點(diǎn)的半導(dǎo)體晶片上，與該半導(dǎo)體晶片的外周部分相重合地貼附具有與形成凸點(diǎn)的部分相對(duì)應(yīng)的開(kāi)口部和與沒(méi)有形成凸點(diǎn)的晶片的外周部分相對(duì)應(yīng)的粘合劑形成部的粘合劑層，再在該粘合劑層上層疊貼附基材板將粘合劑層的開(kāi)口部封閉。
6.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體晶片的磨削方法，其特征還在于，在電路面上形成的凸點(diǎn)的高度在50μm以上，在最外部配置的凸點(diǎn)的位置距晶片的外周2～10mm。
7.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體晶片的磨削方法，其特征還在于，粘合劑層的厚度(At)與凸點(diǎn)的高度(Bt)之差(Bt-At)為-5～50μm。
全文摘要
本發(fā)明的目的是提供，即使對(duì)于高密度排列有高度高的凸點(diǎn)的晶片，即使磨削到極薄，也不發(fā)生微凹，不發(fā)生晶片的破損、污染，且在剝離后，凸點(diǎn)的根部不附著粘合劑的表面保護(hù)用板以及半導(dǎo)體晶片的磨削方法。本發(fā)明涉及的表面保護(hù)用板是在磨削半導(dǎo)體晶片的內(nèi)側(cè)面時(shí)使用的表面保護(hù)板，其特征在于，在基材板的單面上設(shè)置有比所需貼附的半導(dǎo)體晶片的外徑小的直徑的不形成粘合劑層的開(kāi)口部3，以及形成有在其外周形成的粘合劑層2的部分。
文檔編號(hào)H01L21/68GK1868040SQ20048003022
公開(kāi)日2006年11月22日 申請(qǐng)日期2004年10月14日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月16日
發(fā)明者永元公市, 大橋仁, 高橋和弘 申請(qǐng)人:琳得科株式會(huì)社