專利名稱：激光器和檢測裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光學(xué)裝置，具體來說，涉及激光器和光檢測器。
背景技術(shù)：
典型的激光器包6括2個反射鏡和有源區(qū)諧振腔。在垂直諧振腔表面發(fā)射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting LasersVCSELS)中有2個反射鏡，分別為具有較大反射率的底部反射鏡和通過其使光輸出的頂部反射鏡。此外還有介于兩個反射鏡之間產(chǎn)生光的有源區(qū)。上述反射鏡在典型情況下是“摻雜的”，這意味著有雜質(zhì)摻入到材料中以使其導(dǎo)電。該有源區(qū)在典型情況下是“本征的”，是指該有源區(qū)并未為得到顯著的導(dǎo)電性而摻雜。
電泵浦激光器獲得輸入電流并將其轉(zhuǎn)換為光功率輸出。作為輸入多少電流的函數(shù)的激光器發(fā)射多少激光取決于若干參數(shù)。首先是激光器結(jié)構(gòu)的細(xì)節(jié)。激光器結(jié)構(gòu)可以針對高輸出功率進(jìn)行優(yōu)化，但因此而要求高輸入電流，也可以針對低電流工作進(jìn)行優(yōu)化，但將不會有較多的光輸出。
涉及激光器工作另有3個主要參數(shù)閾值電流、差分量子效率和最大功率輸出點(diǎn)。如圖1的激光器的一個實(shí)例特性曲線100所示，閾值電流102是激光器開始“發(fā)出激光”的最小電流。低于該閾值電流104該裝置便起到發(fā)光二極管(LED)的作用。差分量子效率106是每單位輸入電流變化量的輸出功率變化量。最大功率輸出點(diǎn)108是激光器所能輸出的最大功率，與達(dá)到該輸出功率所要求的輸入電流有關(guān)。
影響激光器工作的其他非結(jié)構(gòu)條件為1)激光器溫度；2)激光器的自然老化；以及3)激光器因環(huán)境、機(jī)械或電氣沖擊所造成的退化。
每個半導(dǎo)體激光器都具有描述輸入電流和激光器輸出功率之間的關(guān)系的工作特性曲線。圖2中給出一個這樣的具有代表性的曲線。如圖2所示，當(dāng)激光器工作時，通常設(shè)定2種電流，分別為與“截止”或“0”邏輯狀態(tài)相對應(yīng)的電流(I偏置)和與“導(dǎo)通”或“1”邏輯狀態(tài)相對應(yīng)的電流(I偏置+I調(diào)制)，其中I偏置為偏置電流，I調(diào)制制為調(diào)制電流。當(dāng)非結(jié)構(gòu)條件中的任何一個或多個條件改變時，激光器的輸出功率和輸入電流之間的特性關(guān)系也變化。這樣就典型地造成激光特性曲線的“扁平化”，稱之為處于“退化”狀態(tài)。
圖3是圖2的復(fù)制曲線并將其與處于退化狀態(tài)下的同一個裝置的實(shí)例曲線并列。如圖3所示，該退化狀態(tài)造成I偏置水平處于該激光器只是LED的區(qū)域中。結(jié)果，如圖3所示，必須改變對于I偏置和/或I調(diào)制的設(shè)定來實(shí)現(xiàn)相同的或可接受的輸出功率性能。
當(dāng)然，某些情況下激光器將隨時間發(fā)生嚴(yán)重退化，以致于即便是改變偏置電流和調(diào)制電流仍無法達(dá)到原始(或者至少是最低要求)的輸出功率。在此意義上激光器可以說即使不是實(shí)際上，在效果上也已經(jīng)失效。
為了解決激光器退化的問題和適應(yīng)非結(jié)構(gòu)性變化，通常對激光輸出進(jìn)行測定以便能有規(guī)律地調(diào)節(jié)I偏置和/或I調(diào)制的設(shè)定以應(yīng)對任何這類變化。為了做到這一點(diǎn)，設(shè)計(jì)師設(shè)法對激光輸出功率進(jìn)行精確取樣，并以實(shí)時方式連續(xù)辨別何時必須改變I偏置和/或I調(diào)制的設(shè)定，按與電路中的反饋補(bǔ)償相類似的方法對其進(jìn)行調(diào)節(jié)。
對發(fā)射器組件進(jìn)行該項(xiàng)工作的一個方法如圖4所示。分立的檢測器402結(jié)合到包含至少一個激光器406的封裝404中。該封裝404包括各個連接件，圖中被顯示為引腳408，向激光器406和檢測器402提供電源、接地以及外部信號的入口通路。容納激光器406和檢測器402的封裝404具有半透明的窗口412，窗口412位于激光器406和檢測器402上方并與其相距足夠的距離，以便由激光器406發(fā)射的某些光將被反射回檢測器402。檢測器402用于對輸出的光取樣，并根據(jù)所檢測的光量幫助辨別應(yīng)何時調(diào)節(jié)I偏置和/或I調(diào)制的設(shè)定，和/或上述設(shè)定何時不再調(diào)節(jié)，從而該激光器被認(rèn)為已經(jīng)退化到失去可用性或已經(jīng)“失效”。
雖然上述配置能夠工作，但其使用通常限于共用一個檢測器的激光器的數(shù)目較小的情形(因?yàn)闄z測器是對集合體進(jìn)行取樣，并且無法在不同激光器當(dāng)中加以辨別)，理想的情形是每一個激光器有一個檢測器(并且該對激光器-檢測器與任何其他激光器-檢測器對相隔離)。但一旦激光器數(shù)目增加到十多個，該項(xiàng)技術(shù)便不再可行。這是因?yàn)?，采用此?xiàng)技術(shù)時，裝置數(shù)目增加意味著尺寸增大、間距要求提高、更為復(fù)雜、更多的連接、電源要求提高、基于所增加的裝置數(shù)目的故障之間的平均時間減小等等。
另一方法是使用腔內(nèi)光檢測器。由于該腔內(nèi)光檢測器的設(shè)計(jì)必須成為激光器總體設(shè)計(jì)的一部分，既增加了復(fù)雜性又提高了成本，所以該方法并不理想。
一個替代方法是將一個檢測結(jié)構(gòu)、例如較薄或半透明肖特基接觸(若采用肖特基二極管)或光柵(若采用金屬-半導(dǎo)體-金屬(MSM)檢測器裝置)置于激光器輸出端附近，以便離開激光器輸出端(即穿過激光器結(jié)構(gòu)中相對于另一反射鏡具有較低反射率的反射鏡離開)的激光在其離開激光器時經(jīng)過該檢測結(jié)構(gòu)并穿過其中。
圖5以簡化方式顯示激光器輸出端附近采用肖特基接觸的頂發(fā)射的垂直諧振腔表面發(fā)射激光器(VCSEL)500。
激光器500具有頂部反射鏡502、有源區(qū)504和底部反射鏡506，其中底部反射鏡506鄰接裝置襯底508。由于該VCSEL是頂發(fā)射的，因而光輸出510穿過頂部反射鏡502。置于激光器500發(fā)射表面514上的肖特基接觸512提供與激光器500輸出成比例的電流輸出。
圖6以簡化方式顯示激光器輸出端附近同樣采用肖特基接觸的底發(fā)射的垂直諧振腔表面發(fā)射激光器(VCSEL)600。
激光器600具有頂部反射鏡602、有源區(qū)604和底部反射鏡606，其中底部反射鏡606鄰接裝置襯底608。由于該VCSEL是底發(fā)射的，因而光輸出510穿過襯底608。置于激光器600發(fā)射表面614(也是襯底608的與激光器反射鏡602、606和有源區(qū)604所處的表面相對的表面)上的肖特基接觸612提供與激光器600輸出成比例的電流輸出。
圖7以簡化方式顯示激光器輸出端附近采用光柵的頂發(fā)射的VCSEL 700。
圖7中的方法除了采用光柵702和較薄或半透明MSM接觸704而非采用肖特基接觸之外與圖5中的方法相同。
圖8以簡化方式顯示激光器輸出端附近采用光柵的底發(fā)射的VCSEL 800。
圖8中的方法除了采用光柵802和較薄或半透明MSM接觸804而非采用肖特基接觸之外與圖5中的方法相同。
圖5至圖8中的方法與腔內(nèi)方法相比更容易實(shí)施，并提供對激光器輸出的精確讀出。但每種方法還是會對出射光量以及模式品質(zhì)造成不利的影響。
沒有現(xiàn)成的途徑以在其中包括不會對激光器輸出帶來妨礙或不利影響的現(xiàn)有的或在其上建立的半導(dǎo)體激光器設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體裝置來實(shí)現(xiàn)辨別激光器輸出何時退化到超過規(guī)定的閾值之外甚至激光器在效果方面已經(jīng)失效的任務(wù)。

發(fā)明內(nèi)容
我們設(shè)計(jì)出一種方法，該方法將檢測器功能與裝置結(jié)合在一起以不再要求分開的激光器和檢測器的配置。我們的方法可與現(xiàn)有的半導(dǎo)體激光器(包括購自第三方的半導(dǎo)體激光器)一起使用，既不會使激光器輸出降低，又不會影響輸出光束的模式。
總體而言，我們在激光器的非發(fā)射側(cè)將功率監(jiān)測結(jié)構(gòu)與激光器結(jié)構(gòu)結(jié)合在一起。該監(jiān)測結(jié)構(gòu)能隨時監(jiān)測激光器，用以提供有關(guān)激光器工作的反饋，以例如保持固定不變的輸出功率和/或精確地檢測何時個別激光器的輸出已經(jīng)減小到需要補(bǔ)償?shù)某潭?，精確地檢測激光器已經(jīng)失效或者相對于其所用于的應(yīng)用來說已經(jīng)退化到在效果方面“失效”的程度。
通過位于激光器的非發(fā)射側(cè)的結(jié)構(gòu)來進(jìn)行取樣具有例如下列一個或多個優(yōu)點(diǎn)可便于與頂發(fā)射(遠(yuǎn)離激光器襯底)型和底發(fā)射(朝向激光器襯底)型兩種激光器一起使用，幾乎沒有對于來自激光器本身之外的因素的反饋，該結(jié)構(gòu)不對激光器輸出形成干擾，激光器基本結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)可保持基本上相同(若非實(shí)際上相同)，允許激光器與包含其他電子集成電路的芯片進(jìn)行緊密的集成/混合，并與激光器裝置非常密集的集成相兼容。
本文說明的各個優(yōu)點(diǎn)和特征為可從代表性實(shí)施例得到的許多優(yōu)點(diǎn)和特征中的一部分，給出上述優(yōu)點(diǎn)和特征僅是為了有助于理解本發(fā)明。應(yīng)該理解，這些優(yōu)點(diǎn)和特征不應(yīng)視為如權(quán)利要求所限定的對于本發(fā)明的限制、或?qū)τ跈?quán)利要求的等效內(nèi)容的限制。舉例來說，上述優(yōu)點(diǎn)中的某些優(yōu)點(diǎn)互相矛盾，即無法在單個實(shí)施例中同時體現(xiàn)。同樣，某些優(yōu)點(diǎn)適用于發(fā)明的某一方面，但不適用于其他方面。因而，對于各個特征和各個優(yōu)點(diǎn)的概述在確定等效性方面不應(yīng)視為決定性的。通過附圖和權(quán)利要求，本發(fā)明的另外的特征和優(yōu)點(diǎn)在下文的說明中將更加明顯。


圖1是激光器的一例總體特性曲線；圖2是特定激光器的一例特性曲線；圖3是圖2中的激光器在正常狀態(tài)和退化狀態(tài)下的一例特性曲線；圖4是結(jié)合至少一個激光器和檢測器的現(xiàn)有技術(shù)的一例封裝；圖5以簡化方式顯示激光器輸出端附近采用肖特基接觸的頂發(fā)射的垂直諧振腔表面發(fā)射激光器(VCSEL)；圖6以簡化方式顯示激光器輸出端附近同樣采用肖特基接觸的底發(fā)射的垂直諧振腔表面發(fā)射激光器(VCSEL)；圖7以簡化方式顯示激光器輸出端附近采用光柵的頂發(fā)射的VCSEL；圖8以簡化方式顯示激光器輸出端附近采用光柵的底發(fā)射的VCSEL；圖9是常規(guī)的底發(fā)射的VCSEL的簡化圖示；圖10是具有根據(jù)本發(fā)明的一個或多個光電子芯片的系統(tǒng)的運(yùn)行的控制算法的一例流程圖。
具體實(shí)施例方式
激光器結(jié)構(gòu)對其設(shè)計(jì)制造非常敏感，當(dāng)前使用中的激光器設(shè)計(jì)經(jīng)過多年優(yōu)化以取得充分的功能。因而，尋求使用那些激光器的人們都不愿偏離或改變那些設(shè)計(jì)而惟恐所搭建的裝置無法正常工作。而且，我們意識到這類裝置可以在不采用可能對激光器輸出形成干擾的結(jié)構(gòu)的情況下使用。
為了便于本文的說明，激光器的具有較低反射率的反射鏡的一側(cè)稱為“有源”側(cè)，其中該反射鏡對應(yīng)于在工作期間用以通過其發(fā)射激光的反射鏡。激光器的與發(fā)射側(cè)(即有源側(cè))相對的一側(cè)在本文中稱為激光器的“無源側(cè)”，該側(cè)的反射鏡則稱為無源側(cè)反射鏡。
圖9是常規(guī)的底發(fā)射的VCSEL900的簡化圖示，該VCSEL 900包括一對反射鏡902、904，該反射鏡902、904之間的有源區(qū)906和其上形成激光器的襯底908。由于是底發(fā)射的VCSEL，因而發(fā)射是穿過襯底908發(fā)生的。結(jié)果，無源側(cè)910與上反射鏡902的外表面912相對應(yīng)。
圖10是常規(guī)的頂發(fā)射的VCSEL 1000的簡化圖示，該VCSEL 1000包括一對反射鏡1002、1004，該反射鏡1002、1004之間的有源區(qū)1006和其上形成激光器的襯底1008。由于是頂發(fā)射的VCSEL，因而發(fā)射是遠(yuǎn)離襯底1008發(fā)生的。結(jié)果，無源側(cè)1010與VCSEL 1000的襯底1008側(cè)相對應(yīng)。
總體而言，由于非理想半導(dǎo)體激光器會有少量的光子漏出無源側(cè)，我們在激光器的無源側(cè)放置一個小的吸收區(qū)。該光子泄漏雖不足以用于高度精確的瞬時補(bǔ)償測定的目的，但會生成足以與激光器輸出成比例的信號，該信號舉例來說可用于由于隨時間(按小時或更長時間的數(shù)量級)的退化而進(jìn)行的激光器補(bǔ)償，針對在效果方面或?qū)嶋H上失效的激光器的判別，或這兩者功能兼而有之。
該層將該少量的泄漏光子轉(zhuǎn)換回電流形式的電信號，其可以隨后在激光裝置的外部得到測定。如果激光器的總輸出功率提高，所吸收的漏光子量的絕對值便會增加。同樣，如果總輸出功率降低，所吸收的泄漏光子量的絕對值便會減小。
該方法提供若干優(yōu)點(diǎn)。由于輸出端一側(cè)沒有設(shè)置任何元件，輸出光束的強(qiáng)度和/或品質(zhì)未受到直接影響。此外，基本的激光器結(jié)構(gòu)沒有修改，使得該方法適合于與平常的或成熟的設(shè)計(jì)一起使用。該方法還與用于將激光器混合到電子集成電路的技術(shù)兼容。而且，該方法還與非常密集的集成技術(shù)相兼容，這是因?yàn)樵摷す馄鞑⒉徽加萌魏瘟硗獾淖罱K面積。
圖11是實(shí)施本發(fā)明的裝置1100的高度簡化實(shí)例。圖11中，裝置1100包括襯底1102，其上生長VCSEL型激光器1104(示范性的是p-I-n型)。該VCSEL 1104具有鄰接襯底1102的反射鏡1106、在反射鏡1106頂部上的有源區(qū)1108和鄰接該有源區(qū)1108但在該有源區(qū)1108的相對側(cè)上的第二反射鏡1110。有源區(qū)1108的寬度1112(稱為臺寬)小于裝置有源側(cè)的反射鏡的寬度1113。各個反射鏡的觸點(diǎn)1114、1116提供激光器與適當(dāng)?shù)尿?qū)動器和/或控制電路(未圖示)的電連接。襯底中的(可選)開口1118以可互換方式稱為入口通路，確保襯底在激光器的輸出表面上方足夠薄甚至不存在以便于獲得理想的輸出。
通常小于2微米厚度，舉例來說是1微米厚度的薄層的薄層材料1120置于無源側(cè)反射鏡1110上。肖特基金屬接觸1122形成于材料1120的頂部，并用于檢測該材料中由漏光子生成的電流。應(yīng)注意，雖然許多激光器結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)自動造成某些微量光子從無源側(cè)反射鏡漏出，但如果特定設(shè)計(jì)不具有足夠的泄漏，對無源側(cè)反射鏡的反射率進(jìn)行細(xì)微變動可能使泄漏增加，但對激光器的工作并不造成有意義的影響。
材料1120被選擇為在激光器的工作波長下成為吸收材料，可稍微摻雜或不摻雜，但摻雜程度越大，該區(qū)域由于肖特基接觸被“耗盡”的程度越小。這種耗盡的缺乏將在材料1120范圍內(nèi)生成一個電場，該電場可用于清除光吸收期間生成的載流子。
表1更為詳盡地顯示裝置1100。該激光器由形成激光器的p型反射鏡的經(jīng)過碳摻雜的砷化鋁鎵(Aluminum Gallium Arsenide(Al(x)GaAs))層、形成激光器的n型反射鏡的經(jīng)過硅摻雜的砷化鋁鎵層和砷化鎵層，以及形成激光器的有源區(qū)的未經(jīng)過摻雜的砷化鋁鎵和砷化鎵本征層的各個層組成。


表1僅為了說明的目的，表1中的組成“層24”的材料1120為未經(jīng)摻雜的半絕緣材料，舉例來說為砷化鎵(GaAs)。
顯然，圖11中的配置為一種三端配置。該三端或三觸點(diǎn)對應(yīng)于a)激光器的正極端；b)激光器的負(fù)極端；以及c)肖特基接觸。使用中，成比例地表明激光器輸出的電流測定在各激光器的其中一個觸點(diǎn)和肖特基接觸之間進(jìn)行。
為了有效進(jìn)行測定，必須選擇合適的材料以便形成與電阻接觸相反的肖特基接觸。由于形成肖特基接觸的工藝過程本身是公知的，這里無需進(jìn)行詳盡說明。但出于完整說明的目的，下文給出對于與形成用于例如本文結(jié)合圖11說明的裝置的肖特基接觸的實(shí)例相關(guān)的適當(dāng)細(xì)節(jié)的簡要說明，用以理解使用僅舉幾個代表性的實(shí)例的例如鈦(Ti)、金(Au)、鎳(Ni)和鉑(Pt)等其他材料的其他肖特基接觸。
在這一方面，圖12是與圖11中具有鋁(Al)的肖特基接觸、砷化鎵的吸收區(qū)以及p型砷化鎵的無源側(cè)反射鏡的裝置1100類似的更為“真實(shí)”的實(shí)例裝置的能帶圖，其中Eo表示基帶勢能，Ef表示費(fèi)米能級，因此使電子逃逸的能量為Eo和Ef兩者之差，ΦM是特定金屬的功函數(shù)，ΦS是特定半導(dǎo)體材料的功函數(shù)，Eg是禁帶寬度的能量差，Ec是導(dǎo)帶能量，Ev是價帶能量。
總體而言，應(yīng)選擇這樣一種材料，其中無源側(cè)反射鏡為p型的情況下半導(dǎo)體的功函數(shù)應(yīng)大于金屬的功函數(shù)，而無源側(cè)反射鏡為n型的情況下金屬的功函數(shù)應(yīng)大于半導(dǎo)體的功函數(shù)。
圖13是包含一微米厚的吸收區(qū)的圖12中的肖特基勢壘的能帶圖。
該配置的工作如下。當(dāng)激光器工作時，大量光子離開激光器的發(fā)射側(cè)。但是，所生成的光子中的較小百分比從無源側(cè)泄漏，而且光子的泄漏在統(tǒng)計(jì)上與激光器的發(fā)射輸出成比例。那些“所漏出的”光子進(jìn)入其中光功率轉(zhuǎn)換為電功率的吸收區(qū)。肖特基檢測器則通過肖特基接觸測定電功率，并可以根據(jù)測定結(jié)果進(jìn)行適當(dāng)調(diào)節(jié)或?qū)す馄魇欠裨谛Ч矫婊驅(qū)嶋H上失效作出確定。
但圖11中的配置不適合某些應(yīng)用。這是因?yàn)?，對于圖11中的配置的工作，為了發(fā)出激光對激光器進(jìn)行偏置，p觸點(diǎn)必須相對于n觸點(diǎn)正向偏置。但對于肖特基檢測器，肖特基接觸必須如下進(jìn)行偏置a)當(dāng)肖特基檢測器的其他觸點(diǎn)連接到p型層時相對于肖特基檢測器的其他觸點(diǎn)正向偏置；或b)當(dāng)肖特基檢測器的其他觸點(diǎn)連接到n型層時相對于肖特基檢測器的其他觸點(diǎn)反向偏置。另外，理想的是使總體電壓電平保持盡可能低。因此，在理想的情況下，將對激光器使用所有的電壓。但對肖特基檢測器觸點(diǎn)的偏置需要某些電壓并且其中有損于激光器的電壓，某些情況下可能限制激光器的工作。
為了對此進(jìn)行解釋，激光器在具有0.7伏壓降的以晶體管為基礎(chǔ)的快速電路的偏置下需要2.3伏工作電壓，兩者的總壓降大約為3.0伏。由于半導(dǎo)體激光器裝置在其中工作的許多系統(tǒng)通常是3.3伏系統(tǒng)，可提供最大0.3伏來用于檢測器，某些情況下該電壓可能是不足的電壓。
對于具有最靠近襯底的n型激光器層的激光器該情況相似。迅速切換激光器的要求以及NMOS(和NPN)晶體管相對于PMOS(和PNP)晶體管所固有的速度優(yōu)勢造成激光器的p觸點(diǎn)保持固定不變，n觸點(diǎn)成為受到調(diào)制來控制激光器的觸點(diǎn)。在這種情況下，例如，激光器的p觸點(diǎn)可以保持在3.3伏，而n觸點(diǎn)則可在3.1伏和1伏之間擺動。在這種情況下，如果p接點(diǎn)為了獲得激光器的最大范圍而保持于最大電源電壓(該情況中為3.3伏)，就可能沒有另外的電壓可用于相對于p觸點(diǎn)正向偏置肖特基接觸。
當(dāng)然，對于使用電流控制或電流切換的電路來說情況基本相同，這是因?yàn)?，雖然電壓本身未受到調(diào)制，但通過激光器抽出電流的效應(yīng)仍然以相似的方式影響該激光器兩端的電壓。
圖14是在上面剛說明的情況下實(shí)施本發(fā)明的激光器裝置1400的簡化實(shí)例。如圖14所示，n型區(qū)域1402生長于包括頂部反射鏡1404的上部p型區(qū)域的頂部。取決于特定的實(shí)施方案，該n型區(qū)域1402可以在頂部反射鏡1404之外，或可以包括該反射鏡本身的頂部(未圖示)。吸收區(qū)1408和肖特基接觸1410分別層疊于n型區(qū)域1402的頂部。而且，可使該n型區(qū)域1402處于浮動(即沒有加上電壓)或可使之對p型反射鏡1404短路。如圖14所示，該兩者由上部觸點(diǎn)1406連接(即處于短路配置中)。
回過來參照對于圖11的實(shí)施方案有疑問的上述情況，具體來說，n型激光器觸點(diǎn)受到調(diào)制，圖14的實(shí)施方案中，p型區(qū)域1404和在其上生長的n型區(qū)域1402兩者可保持于3.3伏。但現(xiàn)在肖特基接觸1408層與n型吸收區(qū)1402相關(guān)(n型肖特基二極管)。這意味著，肖特基接觸1410可相對于n觸點(diǎn)(因而相對于激光器的p觸點(diǎn))反向偏置。因而，激光器p型區(qū)域1404可以處于3.3伏，激光器的n型區(qū)域觸點(diǎn)1412可如上所述受到調(diào)制，但肖特基接觸1408可保持于0伏，例如，能夠在肖特基二極管1402兩端加上最大電場，因而從肖特基二極管1402得到最大百分比的光生成的載流子。
圖15和圖16是具有p摻雜的GaAs無源側(cè)反射鏡、并配置為諸如圖14所示的裝置1400的實(shí)例裝置的與圖12和圖13相似的能帶圖。
圖17和圖18是具有p摻雜的Al(x)GaAs，具體來說采用Al0.16Ga0.84As的無源側(cè)反射鏡、并配置為如圖14所示的裝置1400的替代實(shí)例裝置的與圖15和圖16相似的能帶圖。
回到更為相關(guān)的方面，直到現(xiàn)在為止上述說明主要針對的是底發(fā)射的(也稱為背面?zhèn)劝l(fā)射的)激光器。但本發(fā)明同樣適用于頂發(fā)射的激光器。而且，對頂發(fā)射的激光器來說，某些實(shí)施方案中，使用背面?zhèn)?即襯底側(cè))肖特基接觸的好處甚至可以比底面發(fā)射的激光器可取得的好處更大。這是因?yàn)?，在頂發(fā)射的激光器變形例中，檢測器裝置不需要定位于裝置臺面上。結(jié)果，在觸點(diǎn)尺寸和臺面尺寸方面加工裝置的公差可以放寬。這一優(yōu)點(diǎn)對某些高性能裝置來說是至關(guān)重要的。
圖19至圖21(包括圖21在內(nèi))是實(shí)施本發(fā)明的頂發(fā)射的激光器裝置1900、2000、2100的高度簡化實(shí)例。
圖19是結(jié)合本發(fā)明的裝置1900的簡化實(shí)例。如同采用底發(fā)射激光器的裝置那樣，圖19中的裝置包括的激光器1902由襯底1904、底部(即無源側(cè))反射鏡1906、頂部(即發(fā)射側(cè))反射鏡1908以及底部反射鏡1906和頂部反射鏡1908之間的有源區(qū)1910組成。襯底1904是吸收激光器發(fā)射的(各種)波長的材料。如圖所示，襯底1904也是半絕緣材料。結(jié)果，進(jìn)入到襯底1904中的光子泄漏生成光載流子。如果襯底1904不太厚(即薄到足以允許收集光載流子)，其可如上文所述用作吸收(即肖特基二極管)材料。結(jié)果，肖特基接觸1910可置于襯底1904的背面?zhèn)?912。該配置隨后按與底有源實(shí)施方案相同的方式工作，即光子泄漏生成與肖特基接觸1910所檢出的輸出大體成比例的電流。
某些情況下，襯底對于允許其直接用作吸收區(qū)可能太厚。但可通過例如求助于所研究的2個替代實(shí)例中的某一個來實(shí)施本發(fā)明。在第一方法中，例如可用化學(xué)機(jī)械工藝(CMP)、諸如蝕刻的化學(xué)處理或諸如拋光或研磨的物理處理減小襯底整個背面?zhèn)鹊暮穸?，直到其薄到足以用作吸收區(qū)(理想的是僅幾微米的厚度)。這將允許肖特基接觸足夠靠近地設(shè)置。第二方法例如用諸如通過形成圖形和(各向同性或各向異性)蝕刻工藝的化學(xué)處理、或用諸如機(jī)械或激光鉆孔工藝的物理處理減少激光器本身無源側(cè)下面的區(qū)域的厚度，來使相關(guān)區(qū)域的襯底下降至如第一方法指出的合適深度。很清楚，第一方法的優(yōu)點(diǎn)在于簡單的處理工藝，這是因?yàn)檎麄€表面被均勻處理，而第二方法的優(yōu)點(diǎn)在于具有更好的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，這是因?yàn)榇蟛糠忠r底將保持相當(dāng)厚度，而且/或者允許溝槽的圖形蝕刻深入到襯底中，以便其后整個襯底可用金屬涂覆(用諸如濺射、氣相淀積、電鍍或化學(xué)鍍等任何合適的工藝)，該金屬涂覆溝槽的壁面或填入溝槽，以便襯底中的溝槽直接或例如通過諸如CMP、諸如化學(xué)蝕刻的純化學(xué)處理、或諸如拋光的純機(jī)械處理的后續(xù)工藝而成為導(dǎo)電跡線。
圖20是結(jié)合本發(fā)明的裝置2000的簡化實(shí)例，實(shí)際上與圖19的裝置1900相同，只是該情況中襯底2002在最初用作吸收區(qū)太厚。如圖所示，襯底2002用各向同性的蝕刻工藝通過形成圖案和蝕刻在規(guī)定區(qū)域內(nèi)使之減薄而形成朝內(nèi)面向的開口。接著用例如濺射淀積或其他合適的工藝在開口內(nèi)形成或設(shè)置肖特基接觸2004。
雖然上述說明對于其中襯底為半絕緣或未經(jīng)摻雜的頂發(fā)射的激光器的情形，但某些情況中生長頂發(fā)射的激光器的襯底將是摻雜的襯底。這種情況下，該摻雜可能限制吸收區(qū)的有效尺寸，造成其本身在適用于實(shí)施本發(fā)明方面有所欠缺。但甚至在襯底摻雜的情況下也能創(chuàng)造本發(fā)明的實(shí)施方案。
圖21是結(jié)合本發(fā)明的裝置2100的簡化實(shí)例，其中襯底2102是摻雜襯底。為了實(shí)施本發(fā)明，半絕緣層2104在無源側(cè)反射鏡2106下面生長，或作為無源側(cè)反射鏡2106的一部分生長。半絕緣層2104將用作裝置的吸收區(qū)。接著在襯底2102中從襯底2102的后側(cè)2110制作開口2108，以便暴露半絕緣層2104的合適區(qū)域來從后側(cè)2110進(jìn)入。然后肖特基接觸2112如上文所說明的那樣形成，并經(jīng)由開口2108通過襯底2104與吸收區(qū)2104連接。
上文的全部說明中，所顯示的和所說明的各個激光器全部為p-i-n型，其中n摻雜的反射鏡始終與襯底最為接近。但應(yīng)該理解，可采用本發(fā)明的其中各層的摻雜相反的即為n-i-p型的裝置，其中p摻雜的反射鏡與襯底最為接近。這樣，其優(yōu)點(diǎn)在于，即便是特定配置必須如結(jié)合圖14所說明的那樣增加另一層次并使該接觸短路也能夠使用上述方法。
應(yīng)該理解，雖然對于“p”型摻雜劑指的是碳，但可容易地使用諸如鈹或鋅的其他已知的“p”型摻雜劑。同樣，雖然對于“n”型摻雜劑提及的是硅，但可使用諸如碲的其他已知的“n”型摻雜劑。這是因?yàn)?，用于形成激光器結(jié)構(gòu)(即反射鏡和有源區(qū))的不論是特定的摻雜劑還是特定的材料或激光器對于實(shí)施本發(fā)明均不是至關(guān)重要的。
本發(fā)明的代表性的實(shí)例應(yīng)用雖然上述說明是針對單個半導(dǎo)體激光器圍繞本發(fā)明的實(shí)施方案進(jìn)行的，但使用晶片規(guī)模加工技術(shù)，這樣的激光器可以同時集中形成數(shù)十個至數(shù)萬個或更多。結(jié)果，可以創(chuàng)造出結(jié)合2個至數(shù)千個這樣的激光器的激光器陣列，并可獲得以前無法提供的好處。為了便于說明，下面給出本發(fā)明實(shí)施方案的2個應(yīng)用實(shí)例，不論是以單個激光器還是以激光器陣列來實(shí)施，均可認(rèn)識到，眾多其他應(yīng)用都能從本發(fā)明的應(yīng)用中受益。
在實(shí)施本發(fā)明的激光器陣列集中用作泵浦激光器的情況下，可對各個單獨(dú)激光器進(jìn)行監(jiān)測，以便任何一個或多個單獨(dú)激光器的總功率隨時間的推移而退化時，可在工作期間迅速辨別該退化，并可通過調(diào)節(jié)該激光器(這些激光器)的例如偏置電流和/或調(diào)制電流來進(jìn)行補(bǔ)償。同樣，如果有一個激光器在效果方面(或?qū)嶋H上)失效的話，通過利用本發(fā)明，也可迅速意識到該情況，并可調(diào)節(jié)余下的(n-1)個激光器，通過對余下的激光器的實(shí)際輸出功率增加其單個功率的額外的1/(n-1)而將其輸出功率稍加提高來補(bǔ)償此損失。
共同轉(zhuǎn)讓的美國專利申請10/180,367(其全部的公開內(nèi)容通過引用而結(jié)合在本文中)中說明一例可從本文說明的本發(fā)明中受益的由許多分立的低功率半導(dǎo)體激光器制作出的非常精確的高功率激光器。通過應(yīng)用本發(fā)明，輸出功率可得到非常精確的控制來應(yīng)對各個單獨(dú)激光器之間的輸出變動，以及由于隨時間推移而退化和溫度波動等因素造成的整個裝置的種種變動。
另一應(yīng)用實(shí)例涉及對諸如共同轉(zhuǎn)讓的美國專利申請10/180,603(其全部的公開內(nèi)容通過引用而結(jié)合在本文中)中顯示和說明的多波長激光器陣列的使用。通過在該配置中應(yīng)用本發(fā)明，可以應(yīng)對與漂移有關(guān)的老化或退化問題。
其他情況下還使用冗余激光器(即具有可在其中單獨(dú)選擇和切換的冗余的有源區(qū)的激光器，或者配置兩個或多個分立的單獨(dú)激光器以便在其中一個發(fā)生故障的事件中可由另一個來替代)，通過應(yīng)用本發(fā)明，可實(shí)現(xiàn)對激光器在效果方面或?qū)嶋H上失效的辨別，用于自動切換(即排除故障)和/或發(fā)出故障警告。結(jié)果，可對陣列以對用戶完全透明的方式獲得超過不用冗余所能達(dá)到的水準(zhǔn)的更高的MTBF。
共同轉(zhuǎn)讓的美國專利申請09/896,797(其全部的公開內(nèi)容通過引用而結(jié)合在本文中)中說明一例可從本發(fā)明中受益的冗余激光器配置。
進(jìn)一步替代性的實(shí)施方案取決于應(yīng)用本發(fā)明的特定應(yīng)用場合，理想的是將激光器混合集成到包括例如激光器的電子驅(qū)動器和控制電路的電子芯片中。激光器與電子芯片的連接可通過例如導(dǎo)線鍵合或通過應(yīng)用諸如共同轉(zhuǎn)讓的美國專利申請系列號09/896,189，09/896,665，09/896,983，09/897,158以及09/897,160(其各自的全部公開內(nèi)容在此通過引用來一并考慮)中顯示和說明的技術(shù)將激光器與電子芯片混合集成在一起來實(shí)現(xiàn)。
當(dāng)使用混合集成方法時，肖特基接觸可在某些實(shí)施方案中一開始就成為電子集成電路(IC)的一部分而非光學(xué)IC(即激光器為其中一部分的芯片)的一部分。該替代性方法顯示于圖22和圖23中。
圖22是包括帶有底發(fā)射的激光器的利用該替代性方法的激光器陣列的裝置2200(未圖示)中的一部分2202的簡化圖示。所示的激光器2204如上文結(jié)合圖11所說明的那樣配置，只是不同之處在于吸收區(qū)2206雖是承載激光器的芯片2208中的一部分，但沒有肖特基接觸。電介質(zhì)2210覆蓋(各個)激光器2204，并用于使承載激光器的芯片2208的其余部分與吸收區(qū)2206的最朝外的表面2212“齊平”。通過例如穿過電介質(zhì)2210直至觸點(diǎn)2214的蝕刻并用金屬或其他導(dǎo)電材料2215填入該孔中，裝置的觸點(diǎn)2214便通過電介質(zhì)2210引出至水平表面2212。
承載激光器的芯片2208與之相混合集成的電子芯片2216包括一組電觸點(diǎn)2218和肖特基接觸2220，其中該組電觸點(diǎn)2218與裝置觸點(diǎn)2214正確地電氣對應(yīng)，該肖特基接觸2220則設(shè)置為當(dāng)芯片2208、2216混合集成在一起時正確地連接到吸收區(qū)2206。
作為對理解本發(fā)明并非至關(guān)重要的旁注，應(yīng)該理解，如果電子芯片2216的觸點(diǎn)在電子芯片2216本身的外表面上方延伸，以可選方式理想的是也使該表面“平坦化”，來確保兩芯片2208、2216之間的最佳連接。
圖23是用頂發(fā)射的激光器實(shí)施的該替代性方法的簡化圖示。該方法與圖22所說明的方法相似，只是不同之處在于用的是頂發(fā)射的(各個)激光器2302。如同圖22，在圖23的實(shí)施方案中，肖特基接觸2304是激光器承載芯片2308與之混合集成的電子芯片2306的一部分，通過例如在襯底2312中蝕刻開口2314并用淀積工藝或其他填充工藝或使導(dǎo)線鍵合2316通過該開口2314而使開口2314導(dǎo)電，使裝置觸點(diǎn)2310與電子芯片2306通過襯底2312相接觸。當(dāng)然，也可使用可選擇的平坦化電介質(zhì)2318的方法。
圖24顯示圖21的芯片2100連接到電子芯片2402后單元2400的一部分、具體來說，顯示來自該芯片2100的單個激光器。
一旦(各個)光學(xué)裝置承載芯片連接到(各個)電子芯片(不論是通過混合集成、導(dǎo)線鍵合，還是其他方法)，便可如下在例如網(wǎng)絡(luò)或通信系統(tǒng)中使用所連接的裝置。為了說明簡單，下面稱各個激光器裝置和(各個)電子芯片的組合為“光電子單元”。該光電子單元被建立來例如周期性或連續(xù)性地監(jiān)測來自檢測器(包括無源側(cè)吸收區(qū)和肖特基接觸)的輸出，并在必要時根據(jù)該輸出計(jì)算新I偏置和I調(diào)制設(shè)定值。
如果電子芯片具有相關(guān)的溫度傳感器(可以是分離的或與該單元中的任何芯片集成)，該信息也可用于計(jì)算新I偏置和I調(diào)制設(shè)定值。
而且，在包括冗余(即備份)激光器的各種設(shè)計(jì)中，電子芯片可以進(jìn)一步包括邏輯或包含處理器運(yùn)行程序代碼，如果例如有一個激光器發(fā)生故障或在效果方面失效(即無法設(shè)定I偏置和I調(diào)制來足以使功率達(dá)到使激光器在符合規(guī)范的范圍內(nèi)的合適的水平上發(fā)光所要求的水平)，這些邏輯和程序代碼將決定切換至備份激光器。
圖25顯示具有一個或多個根據(jù)本發(fā)明的光電子單元的系統(tǒng)中用于上述某些特征的控制算法的樣本相關(guān)部分。
根據(jù)所需的輸出功率(在單個裝置或裝置集合的基礎(chǔ)上)設(shè)定初始的激光器偏置電流和激活電流(步驟2502)。然后將電流輸入到所使用的各個激光器中(步驟2504)。測定無源側(cè)光子泄漏(步驟2506)，并且取決于實(shí)施方案，根據(jù)經(jīng)由無源側(cè)收集器測定的光子泄漏和輸出功率之間的比例關(guān)系估計(jì)激光器輸出功率(可選步驟2507)，或?qū)o源側(cè)的測定值直接用作輸出功率的替代。接著將所測定或所估計(jì)的功率與設(shè)定點(diǎn)(即某些基準(zhǔn)或標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值或范圍)相比較(步驟2508)。如果激光器的輸出與該基準(zhǔn)或標(biāo)準(zhǔn)相符或處于范圍中(步驟2510)，則使用相同的輸入電流(即返回步驟2504)。否則，作出激光器是否在效果方面失效(在所示實(shí)例中包括實(shí)際上失效)的決定(步驟2512)。如果激光器并未在效果方面失效，則利用該輸出以及如果能得到的話利用在某些有意義的時間(即步驟2506至步驟2512之前、期間、之后的特定應(yīng)用的任何合理時間)得到的溫度測定值(步驟2500)計(jì)算激光器的新偏置電流和/或調(diào)制電流(步驟2514)并重復(fù)上述處理過程(即返回步驟2502)。
如果激光器在效果上失效，而且如果該系統(tǒng)包括排除故障特征，便可以起動該排除故障處理過程(步驟2516)。如果沒有排除故障選項(xiàng)，便發(fā)送溝道警告信號或中斷信號(步驟2520)。如果提供排除故障而且如果該系統(tǒng)包括在人工方式和自動方式排除故障之間的選擇，便可例如根據(jù)特定的設(shè)定值或外部干預(yù)作出該決定(步驟2518)。如果排除故障必須進(jìn)行人工干預(yù)，便可發(fā)送例如溝道警告信號或中斷信號的信號(步驟2520)。如果采用自動方式排除故障，則確定備用激光器的可用性(步驟2522)。如果沒有備用激光器可用，便發(fā)送警告或中斷信號(步驟2520)。如果備用激光器可用，便切換到備用激光器(步驟2524)，對新激光器設(shè)定初始的偏置電流和調(diào)制電流(步驟2514)，并重復(fù)上述處理過程(即返回步驟2502)。
說明了若干個不同實(shí)施例和應(yīng)用之后，很顯然，可以直接產(chǎn)生或替代各種的排列和組合，例如，在圖25所示的流程圖的情況下，諸如溫度測定和排除故障的各個方面均為可選項(xiàng)，從而在特定實(shí)施方案中可省略其中之一或兩者，并可加入或替代利用本發(fā)明的其他技術(shù)特征。
應(yīng)該理解，上述說明只是呈現(xiàn)了各個說明性的實(shí)施例。為了便于讀者理解，上述說明針對全部可能的實(shí)施例的代表性的實(shí)例以及反映本發(fā)明的原理的樣本。本說明書并不試圖窮舉全部可能的變化。對于本發(fā)明的特定部分可能并不存在替代性的實(shí)施例，或?qū)τ谀骋徊糠挚赡艽嬖诹硗獾奈凑f明的替代性實(shí)施例，這些不應(yīng)認(rèn)為是對那些替代性實(shí)施例權(quán)利的放棄。本領(lǐng)域的熟練技術(shù)人員將理解，結(jié)合本發(fā)明的相同原理的許多未作說明的實(shí)施例以及其他實(shí)施例都是等效的。
權(quán)利要求
1.一種以激光器為基礎(chǔ)的裝置，其特征在于，該裝置包括具有有源側(cè)和與該有源側(cè)相對的無源側(cè)的VCSEL-型激光器；和無源側(cè)上的光檢測器單元，該光檢測器單元包括定位成接收通過無源側(cè)射出激光器的泄漏光子的吸收區(qū)；和肖特基接觸，具有與吸收區(qū)鄰接的第一部分，并且通過該肖特基接觸可測定在吸收中由對泄漏光子的吸收所產(chǎn)生的電流。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，該裝置還包括與有源側(cè)鄰接的襯底。
3.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述襯底包括處于有源側(cè)的至少一部分上的入口通路，使得當(dāng)激光器通過有源側(cè)發(fā)光時，光的發(fā)射將通過該入口通路。
4.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述吸收區(qū)包括其上生長有激光器的襯底。
5.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，還包括位于肖特基接觸的第二部分和所述吸收區(qū)之間的襯底。
6.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述激光器是頂發(fā)射的激光器。
7.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述激光器是底發(fā)射的激光器。
8.如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，還包括與激光器混合的電子電路芯片。
9.如權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，還包括位于電子電路芯片的至少一部分和激光器之間的平坦化電介質(zhì)。
10.如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，所述有源側(cè)包括有源側(cè)反射鏡，且其中有源側(cè)反射鏡被摻雜為p型。
11.如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，所述有源側(cè)包括有源側(cè)反射鏡，且其中有源側(cè)反射鏡被摻雜為n型。
12.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述吸收區(qū)是半絕緣材料。
13.如權(quán)利要求12所述的裝置，其特征在于，所述半絕緣材料包括砷化鎵。
14.如權(quán)利要求12所述的裝置，其特征在于，所述半絕緣材料的厚度小于2微米。
15.如權(quán)利要求12所述的裝置，其特征在于，所述半絕緣材料的厚度約為1微米。
16.如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，所述有源側(cè)包括有源側(cè)反射鏡，且其中有源側(cè)反射鏡包括碳摻雜劑、鈹摻雜劑和鋅摻雜劑中的至少一種。
17.如權(quán)利要求16所述的裝置，其特征在于，所述有源側(cè)反射鏡包括砷化鋁鎵。
18.如權(quán)利要求1至7中任之一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，所述無源側(cè)包括無源側(cè)反射鏡，且其中無源側(cè)反射鏡包括硅摻雜劑和碲摻雜劑中的至少一種。
19.如權(quán)利要求18所述的裝置，其特征在于，所述有源側(cè)反射鏡包括砷化鋁鎵。
20.一種由包括激光器的裝置進(jìn)行的方法，該激光器具有激光器通過其發(fā)射輸出信號的有源側(cè)反射鏡以及與該有源側(cè)反射鏡相對的無源側(cè)反射鏡，其特征在于，該方法包括通過肖特基接觸對通過無源側(cè)反射鏡漏出激光器并進(jìn)入到材料中的光子進(jìn)行測定，該材料將該光子轉(zhuǎn)換為可用肖特基接觸測定的電流；確定測定結(jié)果是否需要補(bǔ)償動作；和當(dāng)需要該補(bǔ)償動作時進(jìn)行補(bǔ)償動作，除非測定結(jié)果表明激光器實(shí)際上已經(jīng)失效。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，還包括根據(jù)光子泄漏和激光器輸出功率之間的比例關(guān)系確定激光器的輸出功率量。
22.如權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，進(jìn)行補(bǔ)償動作包括調(diào)節(jié)激光器的偏置電流。
23.如權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，進(jìn)行補(bǔ)償動作包括調(diào)節(jié)激光器的調(diào)制電流。
24.如權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，還包括當(dāng)測定結(jié)果表明激光器實(shí)際上已經(jīng)失效時，以冗余的激光器替代該激光器。
25.一種方法，其特征在于，包括a)形成激光器，該激光器具有第一和第二反射鏡，其中第一反射鏡具有第一反射率，第二反射鏡具有小于第一反射率的第二反射率；b)在激光器外側(cè)限定激光器的包含第一反射鏡的一側(cè)鄰接的吸收區(qū)；和c)將肖特基接觸與吸收區(qū)的與第一反射鏡相對的一側(cè)相鄰接。
26.如權(quán)利要求25所述的方法，其特征在于，吸收區(qū)的限定包括將半絕緣材料涂覆到第一反射鏡上。
27.如權(quán)利要求25所述的方法，其特征在于，吸收區(qū)的限定包括在襯底上形成半絕緣材料，以及其中激光器的形成包括在半絕緣材料上生長第一反射鏡，使該半絕緣材料處于襯底和第一反射鏡之間。
28.如權(quán)利要求25所述的方法，其特征在于，所述第一反射鏡具有p型和n型中的一種摻雜，并且其中吸收區(qū)的限定包括在第一反射鏡上形成具有p型和n型中的一種摻雜的區(qū)域，并且該摻雜與第一反射鏡的摻雜相反；和將半絕緣材料涂覆到該區(qū)域上。
29.如權(quán)利要求25所述的方法，其特征在于，肖特基接觸的鄰接包括在半絕緣材料的與該區(qū)域相反的一側(cè)并位于使肖特基接觸能與電子集成電路連接的位置上形成肖特基接觸。
30.如權(quán)利要求25所述的方法，其特征在于，肖特基接觸的鄰接包括在配置為與其上具有激光器的芯片混合的電子集成電路上形成肖特基接觸。
31.如權(quán)利要求29或30所述的方法，其特征在于，激光器是多個激光器中的一個激光器，該方法還包括將該激光器混合集成到電子集成電路中。
32.如權(quán)利要求25至30中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，激光器是頂發(fā)射的激光器，該方法還包括在鄰接吸收區(qū)的襯底中形成開口，使得肖特基接觸的鄰接通過該開口發(fā)生。
全文摘要
本發(fā)明的檢測器設(shè)置于激光器的無源側(cè)，以檢測通過無源側(cè)反射鏡的光子泄漏，并通過肖特基接觸測定檢測器中生成的電流。
文檔編號H01L21/00GK101061611SQ200480032155
公開日2007年10月24日 申請日期2004年10月18日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月29日
發(fā)明者約翰·特雷扎, 穆罕默德·迪亞涅 申請人:美莎諾普有限公司