国产精品1024永久观看,大尺度欧美暖暖视频在线观看,亚洲宅男精品一区在线观看,欧美日韩一区二区三区视频,2021中文字幕在线观看

  • <option id="fbvk0"></option>
    1. <rt id="fbvk0"><tr id="fbvk0"></tr></rt>
      <center id="fbvk0"><optgroup id="fbvk0"></optgroup></center>
      <center id="fbvk0"></center>

      <li id="fbvk0"><abbr id="fbvk0"><dl id="fbvk0"></dl></abbr></li>

      有機(jī)el器件的制造方法以及有機(jī)el器件制造裝置的清洗方法

      文檔序號(hào):6846676閱讀:117來源:國(guó)知局
      專利名稱:有機(jī)el器件的制造方法以及有機(jī)el器件制造裝置的清洗方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及通過確實(shí)地避免當(dāng)例如在其上形成有陽(yáng)極的襯底的表面上形成有機(jī)層時(shí)由于有機(jī)物等引起的不利影響而穩(wěn)定地制造高質(zhì)量有機(jī)EL器件方法。
      背景技術(shù)
      對(duì)于以平板類型顯示器為代表的下一代顯示器的應(yīng)用,利用有機(jī)化合物的電致發(fā)光器件(有機(jī)EL器件)被認(rèn)為是迄今還沒有獲得的具有高轉(zhuǎn)換效率的基于電/光轉(zhuǎn)換的器件,并且在最近幾年中,迅速地進(jìn)行其研發(fā)。
      作為有機(jī)EL器件的一個(gè)例子,示例了有機(jī)EL器件101,其中將空穴注入層104、空穴傳輸層105、發(fā)射層106、電子傳輸層107,以及背電極(陰極)108層疊在襯底102的表面上,襯底102包括透明材料例如玻璃,具有包括透明導(dǎo)電膜例如在前一個(gè)步驟中在其表面上形成的ITO膜的陽(yáng)極(例如,空穴注入電極)103,以及最終用密封材料109封裝整體,在圖5中顯示其橫截面。在這種構(gòu)造中,空穴注入層104、空穴傳輸層105、發(fā)射層106,以及電子傳輸層107每個(gè)都是具有各自功能的包括有機(jī)化合物的有機(jī)層。
      可以使用例如在圖6中顯示了其略圖的用于在表面上形成有陽(yáng)極的襯底的表面上形成有機(jī)層的裝置(有機(jī)層形成裝置)來制造圖5中所示的有機(jī)EL器件101。
      在圖6中,標(biāo)號(hào)1是裝載室,標(biāo)號(hào)2是輸送室,標(biāo)號(hào)3是預(yù)處理室,標(biāo)號(hào)4是有機(jī)膜形成室,標(biāo)號(hào)5是裝料室,標(biāo)號(hào)6是輸送室,標(biāo)號(hào)7是有機(jī)膜形成室,標(biāo)號(hào)8是有機(jī)膜形成室,標(biāo)號(hào)9是裝料室,標(biāo)號(hào)10是輸送室,標(biāo)號(hào)11是有機(jī)膜形成室,標(biāo)號(hào)12是電極膜形成室,標(biāo)號(hào)13是封裝室,標(biāo)號(hào)14是卸載室,并且標(biāo)記a至l是閘門閥。將其表面上形成有陽(yáng)極103的襯底102(形成有電極的襯底)放置到裝載室1中,并且通過閘門閥a將它發(fā)送到輸送室2。其后,用在輸送室2的內(nèi)部中提供的機(jī)器人(沒有顯示),通過閘門閥b,將已形成電極的襯底發(fā)送到預(yù)處理室3,在那里用臭氧氣體、紫外線照射等清洗襯底。其后,將襯底接連地發(fā)送到有機(jī)膜形成室4,7,8和11,電極膜形成室12,以及封裝室13,從而將空穴注入層104、空穴傳輸層105、發(fā)射層106、電子傳輸層107,以及背電極(陰極)108分別層疊在清洗過的已形成電極的襯底的表面上,最終用密封材料109封裝整體,并且從卸載室14中送出有機(jī)EL器件101。
      順便提及,當(dāng)有機(jī)層形成裝置長(zhǎng)時(shí)間工作時(shí),大量的沉積材料粘附到有機(jī)膜形成室的內(nèi)壁,放置在其內(nèi)部的粘附防護(hù)板(防止沉積材料粘附到有機(jī)膜形成室的內(nèi)壁的防護(hù)板)等,并且粘附的沉積材料可以不利地影響均勻有機(jī)層的形成。因此,為了避免這種事情,在例如專利文獻(xiàn)1中提出了一種方法作為有機(jī)層形成裝置的清洗方法,該方法通過用紅外線、紫外線等照射有機(jī)膜形成室的內(nèi)部,使粘附的沉積材料升華從而將升華的沉積材料排空,而去除粘附到有機(jī)膜形成室的內(nèi)壁、放置在其內(nèi)部的粘附防護(hù)板等的沉積材料。
      但是,即使去除了粘附到有機(jī)膜形成室的內(nèi)壁、放置在其內(nèi)部的粘附防護(hù)板等的沉積材料,有這種情況其中制造的有機(jī)EL器件有時(shí)包括具有不良質(zhì)量的一些器件。
      此外,一般地,在有機(jī)EL器件的制造步驟中,使用有機(jī)層形成裝置在已形成電極的襯底的表面上形成有機(jī)層的步驟是與在襯底的表面上形成電極的步驟分開的步驟。因此,有這種情況在將襯底放置到有機(jī)層形成裝置的過程中,大氣中的有機(jī)物等粘附到在前一個(gè)步驟中制造的已形成電極的襯底的表面上。在大氣中的有機(jī)物等已粘附到襯底的表面的狀態(tài)下形成有機(jī)層時(shí),例如在有機(jī)層到襯底的表面的粘附中出現(xiàn)障礙。結(jié)果,這可能導(dǎo)致這些事情例如所形成的有機(jī)層的發(fā)射效率降低,驅(qū)動(dòng)電壓增加,以及發(fā)射壽命的陳舊加速化。
      因此,為了避免這些事情,提出了一種方法,將已形成電極的襯底放置到有機(jī)層形成裝置,在預(yù)處理室中用臭氧氣體清洗襯底以去除粘附到襯底的表面的大氣中的有機(jī)物等,通過輸送室將襯底發(fā)送到有機(jī)層形成室,以及在襯底的表面上形成有機(jī)層(例如,見專利文獻(xiàn)2)。
      但是,即使用臭氧氣體清洗已形成電極的襯底,有這種情況其中制造的有機(jī)EL器件有時(shí)包括具有不良質(zhì)量的一些器件。
      專利文獻(xiàn)1JP-A-2002-60926專利文獻(xiàn)2JP-A-11-45779發(fā)明內(nèi)容發(fā)明要解決的問題因此,本發(fā)明的目的在于提供一種方法,通過確實(shí)地避免當(dāng)在已形成電極的襯底等的表面上形成有機(jī)層時(shí)由于有機(jī)物等引起的不利影響而穩(wěn)定地制造高質(zhì)量有機(jī)EL器件。
      解決問題的手段作為考慮上面問題的多種研究的結(jié)果,本發(fā)明者發(fā)現(xiàn)即使在去除了粘附到有機(jī)膜形成室的內(nèi)壁、放置在其內(nèi)部的粘附防護(hù)板等的沉積材料的情況中,有這種情況其中制造的有機(jī)EL器件有時(shí)包括具有不良質(zhì)量的一些器件,并且這是由于在輸送室中的污染。關(guān)于輸送室的清潔度對(duì)有機(jī)層在已形成電極的襯底的表面上的形成具有什么影響,迄今還沒有進(jìn)行研究,因此沒有以任何形式提出其對(duì)策。
      此外,本發(fā)明者已發(fā)現(xiàn)即使用臭氧氣體清洗已形成電極的襯底,有這種情況其中制造的有機(jī)EL器件有時(shí)包括具有不良質(zhì)量的一些器件,并且這是由于當(dāng)新近制造裝置或拆卸裝置和檢修裝置時(shí)在制造裝置期間粘附到有機(jī)層形成裝置內(nèi)部的大氣中的有機(jī)物等。結(jié)果,他們已發(fā)現(xiàn)在用臭氧氣體清洗裝置的內(nèi)部從而去除大氣中的粘附有機(jī)物等,然后在已形成電極的襯底的表面上形成有機(jī)層的情況下,可以穩(wěn)定地制造高質(zhì)量有機(jī)EL器件。關(guān)于當(dāng)新近制造裝置或拆卸裝置和檢修裝置時(shí)在制造裝置期間粘附到有機(jī)層形成裝置內(nèi)部的大氣中的有機(jī)物等對(duì)有機(jī)層在已形成電極的襯底的表面上的形成具有什么影響,迄今還沒有進(jìn)行研究,因此沒有以任何形式提出其對(duì)策。
      基于上面的背景進(jìn)行本發(fā)明。本發(fā)明的有機(jī)EL器件的制造方法其特征在于用臭氧氣體清洗裝配有用于在襯底的表面上形成有機(jī)層的有機(jī)膜形成室的有機(jī)EL器件制造裝置的內(nèi)部,然后形成有機(jī)層,如在權(quán)利要求1中描述的。
      在權(quán)利要求2中描述的制造方法其特征在于,在權(quán)利要求1所描述的制造方法中,襯底是已形成電極的襯底。
      在權(quán)利要求3中描述的制造方法其特征在于,在權(quán)利要求1或2所描述的制造方法中,有機(jī)EL器件制造裝置是這樣的有機(jī)EL器件制造裝置,其至少裝配有用于在襯底的表面上形成有機(jī)層的有機(jī)膜形成室,以及在其內(nèi)部提供有機(jī)器人用于將襯底發(fā)送到有機(jī)膜形成室的輸送室;并且利用將放置在有機(jī)膜形成室內(nèi)部的沉積源交換為新沉積源的時(shí)間,用臭氧氣體清洗輸送室的內(nèi)部,然后形成有機(jī)層。
      在權(quán)利要求4中描述的制造方法其特征在于,在權(quán)利要求1或2所描述的制造方法中,當(dāng)新近制造有機(jī)EL器件制造裝置或者拆卸和檢修裝置時(shí),用臭氧氣體清洗裝置的內(nèi)部,然后形成有機(jī)層。
      本發(fā)明的有機(jī)EL器件制造裝置的清洗方法其特征在于,用臭氧氣體清洗裝配有用于在襯底的表面上形成有機(jī)層的有機(jī)膜形成室的有機(jī)EL器件制造裝置的內(nèi)部,如在權(quán)利要求5中描述的。
      在權(quán)利要求6中描述的清洗方法其特征在于,在權(quán)利要求5所描述的清洗方法中,襯底是已形成電極的襯底。
      在權(quán)利要求7中描述的清洗方法其特征在于,在權(quán)利要求5或6所描述的清洗方法中,有機(jī)EL器件制造裝置是這樣的有機(jī)EL器件制造裝置,其至少裝配有用于在襯底的表面上形成有機(jī)層的有機(jī)膜形成室,以及在其內(nèi)部提供有機(jī)器人用于將襯底發(fā)送到有機(jī)膜形成室的輸送室;并且利用將放置在有機(jī)膜形成室內(nèi)部的沉積源交換為新沉積源的時(shí)間,用臭氧氣體清洗輸送室的內(nèi)部。
      在權(quán)利要求8中描述的清洗方法其特征在于,在權(quán)利要求5或6所描述的清洗方法中,當(dāng)新近制造有機(jī)EL器件制造裝置或者拆卸和檢修裝置時(shí),用臭氧氣體清洗裝置的內(nèi)部。
      發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明,提供了一種方法,通過確實(shí)地避免當(dāng)在已形成電極的襯底等的表面上形成有機(jī)層時(shí)由于有機(jī)物等引起的不利影響而穩(wěn)定地制造高質(zhì)量有機(jī)EL器件。


      圖1是顯示實(shí)例1中偽樣襯底的表面上的水接觸角的平均值的轉(zhuǎn)變的曲線。
      圖2是顯示實(shí)例1中有機(jī)EL器件的性能的比較。
      圖3是顯示實(shí)例2中偽樣襯底的表面上的水接觸角的平均值的轉(zhuǎn)變的曲線。
      圖4是顯示實(shí)例2中有機(jī)EL器件的性能的比較。
      圖5是有機(jī)EL器件的構(gòu)造的一個(gè)例子的橫截面視圖。
      圖6是有機(jī)層形成裝置的一個(gè)例子的示意圖。
      附圖標(biāo)號(hào)和標(biāo)記的描述1 裝載室2,6,10 輸送室3 預(yù)處理室4,7,8,11有機(jī)膜形成室5,9 裝料室12 電極膜形成室13 封裝室14 卸載室a~l 閘門閥101有機(jī)EL器件
      102襯底103陽(yáng)極104空穴注入層105空穴傳輸層106發(fā)射層107電子傳輸層108背電極(陰極)109密封材料具體實(shí)施方式
      本發(fā)明的有機(jī)EL器件的制造方法其特征在于用臭氧氣體清洗裝配有用于在襯底的表面上形成有機(jī)層的有機(jī)膜形成室的有機(jī)EL器件制造裝置的內(nèi)部,然后形成有機(jī)層。此外,本發(fā)明的有機(jī)EL器件制造裝置的清洗方法其特征在于用臭氧氣體清洗裝配有用于在襯底的表面上形成有機(jī)層的有機(jī)膜形成室的有機(jī)EL器件制造裝置的內(nèi)部。
      如上所述,在專利文獻(xiàn)2等中提出了一種方法,將前一個(gè)步驟中制造的已形成電極的襯底放置到有機(jī)層形成裝置,在預(yù)處理室中用臭氧氣體清洗襯底以去除粘附到襯底的表面的大氣中的有機(jī)物等,通過輸送室將襯底發(fā)送到有機(jī)層形成室,以及在襯底的表面上形成有機(jī)層。但是,沒有現(xiàn)有技術(shù)參考資料描述或建議有機(jī)層形成裝置本身作為清洗對(duì)象,用臭氧氣體清洗裝置的內(nèi)部,然后在已形成電極的襯底的表面上形成有機(jī)層。
      在本發(fā)明中,不特別地限制用臭氧氣體清洗有機(jī)EL器件制造裝置的內(nèi)部的方法。例如,可以執(zhí)行實(shí)施方案,其中將臭氧機(jī)(臭氧發(fā)生裝置)所產(chǎn)生的臭氧氣體提供到裝置的內(nèi)部??梢酝ㄟ^例如根據(jù)有機(jī)層的形成步驟使偽樣襯底(dummy substrate)穿過裝置的內(nèi)部,以及測(cè)量其表面上的水接觸角,來實(shí)施清洗裝置內(nèi)部的必要性的確認(rèn)和清洗效果的確認(rèn)。特別地,例如在水接觸角為5°或更小(優(yōu)選地4°或更小)的情況下,可以估計(jì)清潔度是良好的,而在超過該值的情況下,可以估計(jì)有清洗的必要性。
      例如,大氣中的有機(jī)物等或多或少地從裝載室1通過閘門閥a進(jìn)入圖6中所示的有機(jī)層形成裝置的輸送室2,并且沉積材料也或多或少地從有機(jī)膜形成室4通過閘門閥c進(jìn)入輸送室2。結(jié)果,這些東西粘附到輸送室2的內(nèi)部的現(xiàn)象發(fā)生。此外,不同的沉積材料或多或少地分別從有機(jī)膜形成室7和有機(jī)膜形成室8進(jìn)入輸送室6,結(jié)果這些東西粘附到其內(nèi)部的現(xiàn)象發(fā)生。本發(fā)明在于穩(wěn)定地制造高質(zhì)量有機(jī)EL器件,其利用將放置在有機(jī)膜形成室內(nèi)部的沉積源交換為新沉積源的時(shí)間,用臭氧氣體清洗被上述現(xiàn)象污染的輸送室的內(nèi)部,這是在有機(jī)EL器件的制造步驟中實(shí)施的,從而去除大氣中的粘附有機(jī)物等以及粘附的沉積材料,并且在已形成電極的襯底的表面上均勻地形成有機(jī)層。
      不特別地限制利用將放置在有機(jī)膜形成室內(nèi)部的沉積源交換為新沉積源的時(shí)間用臭氧氣體清洗輸送室內(nèi)部的方法。例如,可以執(zhí)行實(shí)施方案,其中將臭氧機(jī)所產(chǎn)生的臭氧氣體提供到輸送室。在將放置在圖6中所示的有機(jī)層形成裝置的有機(jī)膜形成室4內(nèi)部的沉積源交換為新沉積源的情況中,通過提供臭氧氣體到輸送室2,6和10來清洗內(nèi)部。不總是對(duì)于所有輸送室同時(shí)實(shí)施輸送室內(nèi)部的清洗。選擇任意的輸送室,并且可以僅清洗選定輸送室的內(nèi)部。
      作為清洗條件,例如這樣的條件是期望的,將臭氧氣體引入輸送室的內(nèi)部直到使其壓力達(dá)到100~300Torr,并且在允許保持0.5~5小時(shí)之后,實(shí)施高真空抽空0.5小時(shí)或更長(zhǎng)。不必說,可以根據(jù)需要而多次實(shí)施這種循環(huán)。
      優(yōu)選地,通過提供臭氧氣體到那里與清洗輸送室的內(nèi)部同時(shí)地清洗裝載室、預(yù)處理室、裝料室、卸載室等的內(nèi)部。這些室也具有大氣中的有機(jī)物等或沉積材料粘附到其內(nèi)部而污染內(nèi)部的可能性,并且這不利地影響均勻有機(jī)層的形成。
      此外,作為在新近制造裝置之后或者在拆卸和檢修裝置之后保證有機(jī)層形成裝置內(nèi)部的清潔度的方法,例如有一種方法,通過在制造裝置之前使用清洗液例如有機(jī)溶劑或堿性清洗劑脫脂清洗單個(gè)部件,而不在裝置的制造之后實(shí)施清洗。但是,在該方法中,大氣中的有機(jī)物等粘附到清洗過的部件,并且這導(dǎo)致大氣中的該有機(jī)物等粘附到裝置的內(nèi)部。此外,有一種方法在裝置的制造之后用浸滿了異丙醇的無塵和無油廢布擦拭裝置的內(nèi)部,以及有一種方法實(shí)施真空抽空同時(shí)加熱到60~80°(熱脫氣)。但是,在前一種方法中不可能充分地擦拭裝置的內(nèi)部直至細(xì)微部分,而后一種方法不能總是有效地去除粘附到裝置內(nèi)部的大氣中的有機(jī)物等。
      在本發(fā)明中,當(dāng)新近制造有機(jī)層形成裝置或者拆卸和檢修裝置時(shí),用臭氧氣體清洗裝置的內(nèi)部,結(jié)果可以有效地去除粘附到裝置內(nèi)部的大氣中的有機(jī)物等。因此,當(dāng)用臭氧氣體清洗裝置的內(nèi)部,然后在已形成電極的襯底的表面上形成有機(jī)層時(shí),可以穩(wěn)定地制造高質(zhì)量有機(jī)EL器件。
      不特別地限制當(dāng)新近制造裝置或者拆卸和檢修裝置時(shí),用臭氧氣體清洗圖6中所示的有機(jī)層形成裝置的內(nèi)部的方法。例如,可以執(zhí)行實(shí)施方案,其中將臭氧機(jī)所產(chǎn)生的臭氧氣體提供到每個(gè)室。關(guān)于有機(jī)膜形成室和電極膜形成室,優(yōu)選地在放置粘附防護(hù)板的狀態(tài)下,并且在不放置其中充滿沉積材料的沉積源的狀態(tài)下實(shí)施清洗。這個(gè)的原因是為了避免沉積材料的質(zhì)量隨臭氧氣體而改變。
      作為清洗條件,例如這樣的條件是期望的,將臭氧氣體引入輸送室的內(nèi)部直到使其壓力達(dá)到100~300Torr,并且在允許保持0.5~5小時(shí)之后,實(shí)施高真空抽空0.5小時(shí)或更長(zhǎng)。不必說,可以根據(jù)需要而多次實(shí)施這種循環(huán)。
      在上面描述其上形成有機(jī)層的襯底是已形成電極的襯底的實(shí)施方案作為一個(gè)例子,但是其上形成有機(jī)層的襯底不限于該實(shí)施方案。
      實(shí)例通過下面的例子更詳細(xì)地描述本發(fā)明,但是發(fā)明不限于下面的說明。
      實(shí)例1
      實(shí)驗(yàn)A。用臭氧氣體清洗有機(jī)層形成裝置的輸送室內(nèi)部的效果。
      將六個(gè)偽樣襯底插入在某個(gè)時(shí)段內(nèi)工作的圖6中所示的有機(jī)層形成裝置的輸送室2的內(nèi)部,緊接著進(jìn)行高真空抽空(壓力6.9×10-4Pa)30分鐘。將室向大氣敞開,并且從室中取出偽樣襯底。測(cè)量所取出的偽樣襯底的表面上的水接觸角,以評(píng)估輸送室2內(nèi)部的清潔度。結(jié)果,初始平均值3.8°增加到25.4°。該現(xiàn)象被認(rèn)為是由于粘附到輸送室2內(nèi)部的大氣中的有機(jī)物等或沉積材料消除并再次粘附到偽樣襯底,結(jié)果污染了表面。
      作為第一清洗,將臭氧氣體引入輸送室2的內(nèi)部直到使其壓力達(dá)到200Torr,并且在允許保持2小時(shí)之后,實(shí)施高真空抽空2小時(shí)。在向大氣敞開之后,將六個(gè)偽樣襯底插入輸送室2的內(nèi)部,緊接著進(jìn)行高真空抽空(壓力5.3×10-4Pa)30分鐘。將室向大氣敞開,從室中取出偽樣襯底,并且測(cè)量其表面上的水接觸角。結(jié)果,初始平均值3.5°增加到11.3°。
      其后,再次實(shí)施高真空抽空2小時(shí)。在向大氣敞開之后,將六個(gè)偽樣襯底插入輸送室2的內(nèi)部,緊接著進(jìn)行高真空抽空(壓力4.5×10-4Pa)30分鐘。將室向大氣敞開,從室中取出偽樣襯底,并且測(cè)量其表面上的水接觸角。結(jié)果,初始平均值3.5°增加到11.3°。
      作為第二清洗,將臭氧氣體引入輸送室2的內(nèi)部直到使其壓力達(dá)到200Torr,并且在允許保持2小時(shí)之后,實(shí)施高真空抽空2小時(shí)。在向大氣敞開之后,將六個(gè)偽樣襯底插入輸送室2的內(nèi)部,緊接著進(jìn)行高真空抽空(壓力3.9×10-4Pa)30分鐘。將室向大氣敞開,從室中取出偽樣襯底,并且測(cè)量其表面上的水接觸角。結(jié)果,初始平均值3.8°增加到9.5°。
      其后,再次實(shí)施高真空抽空2小時(shí)。在向大氣敞開之后,將六個(gè)偽樣襯底插入輸送室2的內(nèi)部,緊接著進(jìn)行高真空抽空(壓力1.9×10-4Pa)30分鐘。將室向大氣敞開,從室中取出偽樣襯底,并且測(cè)量其表面上的水接觸角。結(jié)果,初始平均值3.5°增加到9.0°。
      作為第三清洗,將臭氧氣體引入輸送室2的內(nèi)部直到使其壓力達(dá)到200Torr,并且在允許保持2小時(shí)之后,實(shí)施高真空抽空2小時(shí)。在向大氣敞開之后,將六個(gè)偽樣襯底插入輸送室2的內(nèi)部,緊接著進(jìn)行高真空抽空(壓力2.8×10-4Pa)30分鐘。將室向大氣敞開,從室中取出偽樣襯底,并且測(cè)量其表面上的水接觸角。結(jié)果,初始平均值3.4°增加到4.6°。
      其后,再次實(shí)施高真空抽空2小時(shí)。在向大氣敞開之后,將六個(gè)偽樣襯底插入輸送室2的內(nèi)部,緊接著進(jìn)行高真空抽空(壓力2.3×10-4Pa)30分鐘。將室向大氣敞開,從室中取出偽樣襯底,并且測(cè)量其表面上的水接觸角。結(jié)果,初始平均值3.6°增加到4.1°。
      作為第四清洗,將臭氧氣體引入輸送室2的內(nèi)部直到使其壓力達(dá)到200Torr,并且在允許保持2小時(shí)之后,實(shí)施高真空抽空24小時(shí)。在向大氣敞開之后,將六個(gè)偽樣襯底插入輸送室2的內(nèi)部,緊接著進(jìn)行高真空抽空(壓力1.9×10-4Pa)30分鐘。將室向大氣敞開,從室中取出偽樣襯底,并且測(cè)量其表面上的水接觸角。結(jié)果,初始平均值3.6°保持不變。
      在表1中顯示上面結(jié)果的詳細(xì)數(shù)據(jù)。此外,在圖1中顯示偽樣襯底的表面上的水接觸角的平均值的轉(zhuǎn)變。
      表1

      從圖1中可看到,偽樣襯底的表面上的水接觸角的平均值隨著用臭氧氣體的清洗數(shù)的增加而降低。從該事實(shí),可以理解在實(shí)驗(yàn)開始之前大氣中大量的有機(jī)物等或沉積材料粘附到輸送室2的內(nèi)部,但是通過用臭氧氣體去除這些東西清洗了輸送室2的內(nèi)部。
      實(shí)驗(yàn)B。使用有機(jī)層形成裝置的有機(jī)EL器件的制造,其中用臭氧氣體清洗了有機(jī)層形成裝置的輸送室的內(nèi)部。
      使用有機(jī)層形成裝置制造有機(jī)EL器件,其中在實(shí)驗(yàn)A中根據(jù)常規(guī)方法四次將使用臭氧氣體的清洗應(yīng)用于輸送室的內(nèi)部。任意地選擇十個(gè)有機(jī)EL器件,并且檢查那些性能。結(jié)果,任何器件都不會(huì)在短時(shí)間內(nèi)導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電壓值的升高(圖2,實(shí)例)。另一方面,當(dāng)使用有機(jī)層形成裝置制造有機(jī)EL器件,其中使用臭氧氣體的清洗沒有應(yīng)用于輸送室的內(nèi)部時(shí),在所制造的器件中存在在短時(shí)間內(nèi)導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電壓值升高的一些器件(圖2,比較實(shí)例)。從該事實(shí),可以理解當(dāng)用臭氧氣體清洗有機(jī)層形成裝置的輸送室的內(nèi)部,然后在已形成電極的襯底的表面上形成有機(jī)層時(shí),在所制造的有機(jī)EL器件中,可以維持其高質(zhì)量并提高產(chǎn)量。
      實(shí)例2實(shí)驗(yàn)A。用臭氧氣體清洗有機(jī)層形成裝置的內(nèi)部的效果。
      將六個(gè)偽樣襯底插入圖6中所示的有機(jī)層形成裝置的裝料室5的內(nèi)部,其中使用在裝置的制造之前已使用清洗液例如有機(jī)溶劑或堿性清洗劑進(jìn)行脫脂清洗的部件來新近制造該有機(jī)層形成裝置,緊接著進(jìn)行高真空抽空(壓力6.9×10-4Pa)30分鐘。將室向大氣敞開,并且從室中取出偽樣襯底。測(cè)量所取出的偽樣襯底的表面上的水接觸角,以評(píng)估有機(jī)層形成裝置內(nèi)部的清潔度。結(jié)果,初始平均值3.8°增加到26.1°。該現(xiàn)象被認(rèn)為是由于粘附到裝料室5內(nèi)部的大氣中的有機(jī)物等消除并再次粘附到偽樣襯底,結(jié)果污染了表面。
      作為第一清洗,將臭氧氣體引入裝料室5的內(nèi)部直到使其壓力達(dá)到200Torr,并且在允許保持2小時(shí)之后,實(shí)施高真空抽空2小時(shí)。在向大氣敞開之后,將六個(gè)偽樣襯底插入裝料室5的內(nèi)部,緊接著進(jìn)行高真空抽空(壓力5.3×10-4Pa)30分鐘。將室向大氣敞開,從室中取出偽樣襯底,并且測(cè)量其表面上的水接觸角。結(jié)果,初始平均值3.5°增加到12.0°。
      其后,再次實(shí)施高真空抽空2小時(shí)。在向大氣敞開之后,將六個(gè)偽樣襯底插入裝料室5的內(nèi)部,緊接著進(jìn)行高真空抽空(壓力4.5×10-4Pa)30分鐘。將室向大氣敞開,從室中取出偽樣襯底,并且測(cè)量其表面上的水接觸角。結(jié)果,初始平均值3.5°增加到12.0°。
      作為第二清洗,將臭氧氣體引入裝料室5的內(nèi)部直到使其壓力達(dá)到200Torr,并且在允許保持2小時(shí)之后,實(shí)施高真空抽空2小時(shí)。在向大氣敞開之后,將六個(gè)偽樣襯底插入裝料室5的內(nèi)部,緊接著進(jìn)行高真空抽空(壓力3.9×10-4Pa)30分鐘。將室向大氣敞開,從室中取出偽樣襯底,并且測(cè)量其表面上的水接觸角。結(jié)果,初始平均值3.8°增加到11.0°。
      其后,再次實(shí)施高真空抽空2小時(shí)。在向大氣敞開之后,將六個(gè)偽樣襯底插入裝料室5的內(nèi)部,緊接著進(jìn)行高真空抽空(壓力1.9×10-4Pa)30分鐘。將室向大氣敞開,從室中取出偽樣襯底,并且測(cè)量其表面上的水接觸角。結(jié)果,初始平均值3.5°增加到10.5°。
      作為第三清洗,將臭氧氣體引入裝料室5的內(nèi)部直到使其壓力達(dá)到200Torr,并且在允許保持2小時(shí)之后,實(shí)施高真空抽空2小時(shí)。在向大氣敞開之后,將六個(gè)偽樣襯底插入裝料室5的內(nèi)部,緊接著進(jìn)行高真空抽空(壓力2.8×10-4Pa)30分鐘。將室向大氣敞開,從室中取出偽樣襯底,并且測(cè)量其表面上的水接觸角。結(jié)果,初始平均值3.4°增加到4.9°。
      其后,再次實(shí)施高真空抽空2小時(shí)。在向大氣敞開之后,將六個(gè)偽樣襯底插入裝料室5的內(nèi)部,緊接著進(jìn)行高真空抽空(壓力2.3×10-4Pa)30分鐘。將室向大氣敞開,從室中取出偽樣襯底,并且測(cè)量其表面上的水接觸角。結(jié)果,初始平均值3.6°增加到4.8°。
      作為第四清洗,將臭氧氣體引入裝料室5的內(nèi)部直到使其壓力達(dá)到200Torr,并且在允許保持2小時(shí)之后,實(shí)施高真空抽空24小時(shí)。在向大氣敞開之后,將六個(gè)偽樣襯底插入裝料室5的內(nèi)部,緊接著進(jìn)行高真空抽空(壓力1.9×10-4Pa)30分鐘。將室向大氣敞開,從室中取出偽樣襯底,并且測(cè)量其表面上的水接觸角。結(jié)果,初始平均值3.6°下降到3.4°。
      在表2中顯示上面結(jié)果的詳細(xì)數(shù)據(jù)。此外,在圖3中顯示偽樣襯底的表面上的水接觸角的平均值的轉(zhuǎn)變。
      表2

      從圖3中可看到,偽樣襯底的表面上的水接觸角的平均值隨著用臭氧氣體的清洗數(shù)的增加而降低。從該事實(shí),可以理解在新近制造裝置時(shí)大氣中大量的有機(jī)物等粘附到裝置的內(nèi)部,但是通過用臭氧氣體去除這些東西清洗了裝置的內(nèi)部。
      實(shí)驗(yàn)B。使用有機(jī)層形成裝置的有機(jī)EL器件的制造,其中用臭氧氣體清洗了有機(jī)層形成裝置的內(nèi)部。
      使用有機(jī)層形成裝置制造有機(jī)EL器件,其中有機(jī)層形成裝置已在實(shí)驗(yàn)A中根據(jù)常規(guī)方法四次受到使用臭氧氣體的清洗。任意地選擇有機(jī)EL器件,并且檢查那些性能。結(jié)果,任何器件都不會(huì)在短時(shí)間內(nèi)導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電壓值的升高(圖4,實(shí)例)。另一方面,當(dāng)使用有機(jī)層形成裝置制造有機(jī)EL器件,其中在新近制造裝置之后該裝置已受到用臭氧氣體的清洗時(shí),在所制造的器件中存在在短時(shí)間內(nèi)導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電壓值升高的一些器件(圖4,比較實(shí)例)。從該事實(shí),可以理解當(dāng)用臭氧氣體清洗有機(jī)層形成裝置的內(nèi)部,然后在已形成電極的襯底的表面上形成有機(jī)層時(shí),在所制造的有機(jī)EL器件中,可以維持其高質(zhì)量并提高產(chǎn)量。
      實(shí)例3關(guān)于拆卸和檢修圖6中所示的有機(jī)層形成裝置,通過實(shí)施與實(shí)例2中所描述的實(shí)驗(yàn)相同的實(shí)驗(yàn),確認(rèn)獲得相同的效果。
      工業(yè)應(yīng)用性本發(fā)明在這點(diǎn)上具有工業(yè)應(yīng)用性,它能夠提供一種方法,通過確實(shí)地避免當(dāng)例如在其上形成有陽(yáng)極的襯底的表面上形成有機(jī)層時(shí)由于有機(jī)物等引起的不利影響而穩(wěn)定地制造高質(zhì)量有機(jī)EL器件。
      權(quán)利要求
      1.一種有機(jī)EL器件的制造方法,其特征在于,用臭氧氣體清洗裝配有用于在襯底的表面上形成有機(jī)層的有機(jī)膜形成室的有機(jī)EL器件制造裝置的內(nèi)部,然后形成有機(jī)層。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1的制造方法,其特征在于,襯底是已形成電極的襯底。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的制造方法,其特征在于,有機(jī)EL器件制造裝置是這樣的有機(jī)EL器件制造裝置,其至少裝配有用于在襯底的表面上形成有機(jī)層的有機(jī)膜形成室,以及輸送室,在其內(nèi)部提供有機(jī)器人用于將襯底發(fā)送到有機(jī)膜形成室;并且利用將放置在有機(jī)膜形成室內(nèi)部的沉積源交換為新沉積源的時(shí)間,用臭氧氣體清洗輸送室的內(nèi)部,然后形成有機(jī)層。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1或2的制造方法,其特征在于,當(dāng)新近制造有機(jī)EL器件制造裝置或者拆卸和檢修裝置時(shí),用臭氧氣體清洗裝置的內(nèi)部,然后形成有機(jī)層。
      5.一種有機(jī)EL器件制造裝置的清洗方法,其特征在于,用臭氧氣體清洗裝配有用于在襯底的表面上形成有機(jī)層的有機(jī)膜形成室的有機(jī)EL器件制造裝置的內(nèi)部。
      6.根據(jù)權(quán)利要求5的清洗方法,其特征在于,襯底是已形成電極的襯底。
      7.根據(jù)權(quán)利要求5或6的清洗方法,其特征在于,有機(jī)EL器件制造裝置是這樣的有機(jī)EL器件制造裝置,其至少裝配有用于在襯底的表面上形成有機(jī)層的有機(jī)膜形成室,以及輸送室,在其內(nèi)部提供有機(jī)器人用于將襯底發(fā)送到有機(jī)膜形成室;并且利用將放置在有機(jī)膜形成室內(nèi)部的沉積源交換為新沉積源的時(shí)間,用臭氧氣體清洗輸送室的內(nèi)部。
      8.根據(jù)權(quán)利要求5或6的清洗方法,其特征在于,當(dāng)新近制造有機(jī)EL器件制造裝置或者拆卸和檢修裝置時(shí),用臭氧氣體清洗裝置的內(nèi)部。
      全文摘要
      本發(fā)明的目的在于提供一種方法,通過確實(shí)地避免當(dāng)例如在其上形成有陽(yáng)極的襯底的表面上形成有機(jī)層時(shí)由于有機(jī)物等引起的不利影響而穩(wěn)定地制造高質(zhì)量有機(jī)EL器件。解決方法的特征在于用臭氧氣體清洗裝配有用于例如在其上形成有陽(yáng)極的襯底的表面上形成有機(jī)層的有機(jī)膜形成室的有機(jī)EL器件制造裝置的內(nèi)部,然后形成有機(jī)層。
      文檔編號(hào)H01L51/56GK1994022SQ200480043619
      公開日2007年7月4日 申請(qǐng)日期2004年5月31日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月31日
      發(fā)明者高橋夏木, 逆瀬川浩一, 五十嵐武, 西之坊泰樹, 大友政彥, 入澤修, 山田和男 申請(qǐng)人:株式會(huì)社愛發(fā)科
      網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
      • 還沒有人留言評(píng)論。精彩留言會(huì)獲得點(diǎn)贊!
      1