專(zhuān)利名稱(chēng)：升壓電路、電源電路以及液晶驅(qū)動(dòng)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種升壓電路、電源電路以及液晶驅(qū)動(dòng)裝置。
背景技術(shù)：
在便攜式電子設(shè)備中，越來(lái)越要求低功耗化。作為裝配在這些電子設(shè)備中的顯示裝置，例如一般使用液晶裝置。
但是，驅(qū)動(dòng)液晶裝置需要高的電壓。從而，從成本角度考慮，也需要將生成高的電壓的電源電路內(nèi)置于驅(qū)動(dòng)液晶裝置的液晶驅(qū)動(dòng)裝置。此時(shí)，電源電路將包括升壓電路。作為這些升壓電路，可通過(guò)所謂由電荷泵而生成升壓電壓的電荷泵電路，來(lái)實(shí)現(xiàn)低功耗化。
電荷泵電路(廣義上為升壓電路)，通過(guò)開(kāi)關(guān)元件(例如，金屬氧化膜半導(dǎo)體(Metal Oxide SemiconductorMOS)晶體管)，將積蓄了電荷的電容器的一端逐步連接至各種電壓上，從而逐漸使對(duì)應(yīng)于積蓄在該電容器上電荷的電壓升壓。為此，即使停止了電荷泵電路的工作，在工作中積蓄在電容器上的電荷將被保持。
但是，在構(gòu)成液晶裝置像素的液晶上施加直流電壓時(shí)，該液晶將劣化。從而，當(dāng)停止用于生成液晶裝置用電壓的電荷泵電路的工作時(shí)，有必要以預(yù)定步驟進(jìn)行放電工作來(lái)控制施加在液晶上的電壓。
但是，當(dāng)停止用于生成液晶裝置用電壓的電荷泵電路的工作時(shí)，由于用如上所述的方法積蓄在電容器上的電荷，其電壓被施加在液晶上。特別是在簡(jiǎn)單矩陣型液晶裝置(無(wú)源矩陣型液晶裝置)中，COM電極和SEG電極之間的電壓直接施加在液晶上。因此，當(dāng)停止電荷泵電路的工作時(shí)，有必要將電容器上的電荷放電。但是，若無(wú)法快速地將電容器上的電荷放電，則結(jié)束步驟的時(shí)間將會(huì)變長(zhǎng)，從而作為反復(fù)操作電源開(kāi)通和電源關(guān)閉的使用者將會(huì)感到不便。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1特開(kāi)2000-262045號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明鑒于上述技術(shù)問(wèn)題，其目的在于提供一種升壓電路、電源電路以及液晶驅(qū)動(dòng)裝置，其可以以簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)快速地將積蓄在用于電荷泵工作的電容器上的電荷放電。
為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明涉及一種升壓電路，其利用由電荷泵工作而積蓄在電容器上的電荷生成升壓電壓，其特征在于，包括第一晶體管～第N(N為大于等于2的整數(shù))晶體管，用于進(jìn)行電荷泵工作，在所述第一晶體管的一端上提供第一電壓，而各晶體管被串聯(lián)連接；放電晶體管，其一端上提供所述第一電壓或大于所述第一電壓的第二電壓，而另一端連接在第(k-1)晶體管以及第k(k為大于等于2且小于等于N的某一整數(shù))晶體管所連接的節(jié)點(diǎn)上，所述第一晶體管～第N晶體管形成在p型第一勢(shì)阱區(qū)～第N勢(shì)阱區(qū)，而所述p型第一勢(shì)阱區(qū)～第N勢(shì)阱區(qū)則設(shè)置在p型半導(dǎo)體襯底的n型勢(shì)阱區(qū)上，在所述n型勢(shì)阱區(qū)上，對(duì)所述第一勢(shì)阱區(qū)～第N勢(shì)阱區(qū)施加反向偏壓，所述第一勢(shì)阱區(qū)～第N勢(shì)阱區(qū)的各勢(shì)阱區(qū)，具有n型源區(qū)以及漏區(qū)，所述第一晶體管～第N晶體管的各柵極，通過(guò)絕緣膜設(shè)置在所述源區(qū)以及漏區(qū)之間的溝道區(qū)上，在所述第一勢(shì)阱區(qū)的漏區(qū)上提供所述第一電壓的同時(shí)，第(m-1)(2≤m≤N，m為整數(shù))勢(shì)阱區(qū)的源區(qū)電連接在第m勢(shì)阱區(qū)的漏區(qū)，而所述第N勢(shì)阱區(qū)的源區(qū)電壓則作為所述升壓電壓輸出，在正常工作時(shí)，所述第k晶體管～第N晶體管被設(shè)置為導(dǎo)通狀態(tài)，而所述放電晶體管則被設(shè)置為非導(dǎo)通狀態(tài)，通過(guò)利用所述第一晶體管～第(k-1)晶體管的電荷泵工作生成所述升壓電壓，在放電工作時(shí)，所述第k晶體管～第N晶體管被設(shè)置為非導(dǎo)通狀態(tài)，而所述放電晶體管則被設(shè)置為導(dǎo)通狀態(tài)，而由第一勢(shì)阱區(qū)～第(k-1)勢(shì)阱區(qū)的各勢(shì)阱區(qū)、設(shè)置在該各勢(shì)阱區(qū)的各漏區(qū)以及由所述n型勢(shì)阱區(qū)形成的第一寄生雙極晶體管元件～第(k-1)寄生雙極晶體管元件，形成電流通路。
另外，在本發(fā)明所涉及的升壓電路中，在所述第一晶體管的一端上提供所述第一電壓，在第一期間向第一電容器的一端上施加所述第一電壓，而所述第一電容器的另一端在第一期間內(nèi)具有所述第二電壓、在第二期間內(nèi)具有所述第一電壓，第i(2≤i≤N，N為大于等于3的整數(shù)，i為偶數(shù))的晶體管的一端連接在第(i-1)晶體管的一端上，而在所述第二期間第i電容器的一端則連接在第(i-1)電容器的一端上，所述第i電容器的另一端在所述第一期間內(nèi)具有所述第一電壓、在所述第二期間內(nèi)具有所述第二電壓，第j(3≤j≤N，j為奇數(shù))晶體管的一端連接在第(j-1)晶體管的一端上，而在所述第一期間第j電容器的一端則連接在第(j-1)電容器的一端上，所述第j電容器的另一端在所述第一期間內(nèi)具有所述第二電壓、在所述第二期間內(nèi)具有所述第一電壓。
在本發(fā)明中，通過(guò)電荷泵工作，可輸出例如將第一以及第二電壓的電壓差升壓N倍的升壓電壓，而該電荷泵工作使用了由所謂三重勢(shì)阱結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)的第一～第N晶體管、和連接在其上的電容器。在這些結(jié)構(gòu)的第一～第N晶體管中，第k～第N晶體管被設(shè)定為固定的導(dǎo)通狀態(tài)，通過(guò)使用了第一～第(k-1)晶體管和連接在其上的電容器的電荷泵工作，可輸出將例如第一以及第二電壓的電壓差升壓例如(k-1)倍的升壓電壓。此時(shí)，在將電容器上的電荷放電的放電工作時(shí)，第k～第N晶體管被設(shè)置為非導(dǎo)通裝置，而通過(guò)連接在第(k-1)以及第k晶體管的連接節(jié)點(diǎn)上的放電晶體管，將第一電壓或比其更高的電壓施加至該連接節(jié)點(diǎn)上時(shí)，寄生雙極性晶體管元件將導(dǎo)通，并由連接在寄生雙極性晶體管元件形成電流通路。由此，例如無(wú)需設(shè)置分別連接在電容器上的放電晶體管，而只用一個(gè)放電晶體管即可快速地將用于進(jìn)行電荷泵工作的電容器上的電荷放電。
特別是在本發(fā)明中，寄生雙極性晶體管元件為npn型，因此，與pnp型相比，其電流放大倍數(shù)大，從而可使其放電更快速。
另外，在本發(fā)明所涉及的升壓電路中，所述反向偏壓也可以是在所述升壓電路中用到的電壓中的最高電壓。
根據(jù)本發(fā)明，在正常工作時(shí)，可切實(shí)防止閉鎖；且在放電工作時(shí)，只用上述一個(gè)放電晶體管即可實(shí)現(xiàn)快速放電。
另外，本發(fā)明涉及一種升壓電路，其利用由電荷泵工作而積蓄在電容器上的電荷生成升壓電壓，其特征在于，包括第一晶體管～第N(N為大于等于2的整數(shù))晶體管，是用于進(jìn)行電荷泵工作的晶體管，在所述第一晶體管的一端上提供第一電壓，而各晶體管則被串聯(lián)連接；放電晶體管，在其一端上提供所述第一電壓或大于所述第一電壓的第二電壓，而另一端則連接在第(k-1)以及第k(k為大于等于2且小于等于N的某一整數(shù))晶體管所連接的節(jié)點(diǎn)上，所述第一晶體管～第N晶體管，形成在n型第一勢(shì)阱區(qū)～第N勢(shì)阱區(qū)，而所述n型第一勢(shì)阱區(qū)～第N勢(shì)阱區(qū)則設(shè)置在n型半導(dǎo)體襯底的p型勢(shì)阱區(qū)上，在所述p型勢(shì)阱區(qū)上，對(duì)所述第一勢(shì)阱區(qū)～第N勢(shì)阱區(qū)施加反向偏壓，所述第一勢(shì)阱區(qū)～第N勢(shì)阱區(qū)的各勢(shì)阱區(qū)，具有p型源區(qū)以及漏區(qū)，所述第一晶體管～第N晶體管的各柵極，通過(guò)絕緣膜被設(shè)置在所述源區(qū)以及漏區(qū)之間的溝道區(qū)上，在第一勢(shì)阱區(qū)的漏區(qū)上提供所述第一電壓的同時(shí)，第(m-1)(2≤m≤N，m為整數(shù))勢(shì)阱區(qū)的源區(qū)電連接在第m勢(shì)阱區(qū)的漏區(qū)，而第N勢(shì)阱區(qū)的源區(qū)電壓則作為所述升壓電壓輸出，在正常工作時(shí)，第k晶體管～第N晶體管被設(shè)置為導(dǎo)通狀態(tài)，而所述放電晶體管則被設(shè)置為非導(dǎo)通狀態(tài)，通過(guò)利用第一晶體管～第(k-1)晶體管的電荷泵工作生成所述升壓電壓，在放電工作時(shí)，第k晶體管～第N晶體管被設(shè)置為非導(dǎo)通狀態(tài)，而所述放電晶體管則被設(shè)置為導(dǎo)通狀態(tài)，而由第一勢(shì)阱區(qū)～第(k-1)勢(shì)阱區(qū)的各勢(shì)阱區(qū)、設(shè)置在該各勢(shì)阱區(qū)的各漏區(qū)以及由所述p型勢(shì)阱區(qū)形成的第一寄生雙極晶體管元件～第(k-1)寄生雙極晶體管元件，形成電流通路。
在本發(fā)明中，通過(guò)電荷泵工作，可輸出例如將第一以及第二電壓的電壓差升壓N倍的升壓電壓，而該電荷泵工作使用了由所謂三重勢(shì)阱結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)的第一～第N晶體管、和連接在其上的電容器。在這些結(jié)構(gòu)的第一～第N晶體管中，第k～第N晶體管被設(shè)定為固定的導(dǎo)通狀態(tài)，通過(guò)使用了第一～第(k-1)晶體管和連接在其上的電容器的電荷泵工作，可輸出將例如第一以及第二電壓的電壓差升壓例如(k-1)倍的升壓電壓。此時(shí)，在將電容器上的電荷放電的放電工作時(shí)，第k～第N晶體管被設(shè)置為非導(dǎo)通裝置，而通過(guò)連接在第(k-1)以及第k晶體管的連接節(jié)點(diǎn)上的放電晶體管，將第一電壓或比其更高的電壓施加至該連接節(jié)點(diǎn)上時(shí)，寄生雙極性晶體管元件將導(dǎo)通，并由連接在寄生雙極性晶體管元件形成電流通路。由此，例如無(wú)需設(shè)置分別連接在電容器上的放電晶體管，而只用一個(gè)放電晶體管即可快速地將用于進(jìn)行電荷泵工作的電容器上的電荷放電。
另外，在本發(fā)明所涉及的升壓電壓中，k可以是N。
根據(jù)本發(fā)明，寄生雙極性晶體管元件可使被達(dá)林頓連接的階數(shù)為最多，因此，可以以最大的電流放大倍數(shù)實(shí)現(xiàn)放電工作，從而可使其放電更快速。
另外，在本發(fā)明所涉及的升壓電路中，包括設(shè)置在所述第N勢(shì)阱區(qū)和所述第一或第二電壓之間的輸出放電晶體管，在正常工作時(shí)，所述輸出放電晶體管可被設(shè)置為非導(dǎo)通狀態(tài)；在放電工作時(shí)，所述輸出放電晶體管可被設(shè)置為導(dǎo)通狀態(tài)。
根據(jù)本發(fā)明，放電工作時(shí)，即使第N晶體管被設(shè)置為非導(dǎo)通狀態(tài)，輸出升壓電壓的節(jié)點(diǎn)可利用輸出放電晶體管放電。因此，在上述放電工作后，可避免施加不預(yù)期的升壓電壓的情況。
另外，本發(fā)明涉及一種電源電路，包括上述任意一項(xiàng)所述的升壓電路；電壓極性翻轉(zhuǎn)電路，其以所述第一電壓以及第二電壓之間的電壓為基準(zhǔn)，使所述升壓電壓的極性翻轉(zhuǎn)。
另外，在本發(fā)明所涉及的電源電路中，所述第一電壓，是施加在簡(jiǎn)單矩陣型液晶面板段電極上的電壓中的一個(gè)；所述反向偏壓，可以是施加在所述液晶面板公共電極上的高電位側(cè)電壓以及低電位側(cè)電壓的一方；所述升壓電壓，可以是所述高電位側(cè)電壓以及所述低電位側(cè)電壓的另一方。
根據(jù)本發(fā)明，可提供以簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)快速地將積蓄在用于電荷泵工作的電容器上的電荷放電。
另外，本發(fā)明涉及一種液晶驅(qū)動(dòng)裝置，其包括上述電源電路；驅(qū)動(dòng)電路，利用所述第一電壓、所述反向偏壓、以及所述升壓電壓中的至少一個(gè)，驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單矩陣型液晶面板的段電極或公共電極。
根據(jù)本發(fā)明，以簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)快速地將積蓄在用于電荷泵工作的電容器上的電荷放電，從而可以供切實(shí)防止簡(jiǎn)單矩陣型液晶面板的液晶劣化的液晶驅(qū)動(dòng)裝置。


圖1為包括本實(shí)施形態(tài)的液晶驅(qū)動(dòng)裝置的液晶裝置的構(gòu)成例框圖。
圖2為X驅(qū)動(dòng)部分的構(gòu)成例框圖。
圖3為Y驅(qū)動(dòng)部分的構(gòu)成例框圖。
圖4為用于說(shuō)明液晶驅(qū)動(dòng)用的各種電壓的關(guān)系的圖。
圖5為COM電極、SEG電極、導(dǎo)通像素、以及關(guān)閉像素的各波形的一例示意圖。
圖6為本實(shí)施形態(tài)的電源電路的構(gòu)成例框圖。
圖7為電荷泵電路的構(gòu)成例的示意圖。
圖8為作為充電時(shí)鐘的基準(zhǔn)時(shí)序的兩個(gè)時(shí)鐘的示意圖。
圖9為充電時(shí)鐘生成電路的一例示意圖。
圖10為圖6的電壓極性翻轉(zhuǎn)電路的構(gòu)成例的示意圖。
圖11為3倍升壓時(shí)的本實(shí)施形態(tài)的電荷泵電路的電容器連接例的示意圖。
圖12為連接在圖11的電荷泵電路上的電容器兩端電壓波形的一例示意圖。
圖13為在p型半導(dǎo)體襯底上形成圖11的電荷泵電路MOS晶體管時(shí)的截面圖。
圖14為MOS晶體管、放電晶體管、以及輸出放電晶體管的控制例的說(shuō)明圖。
圖15為圖13的寄生雙極性晶體管元件被達(dá)林頓連接時(shí)的說(shuō)明圖。
圖16(A)、(B)為比較例的放電工作的檢測(cè)波形的示意圖。
圖17(A)、(B)為本實(shí)施形態(tài)的放電工作的檢測(cè)波形的示意圖。
圖18為形成在n型硅片上的電荷泵電路的電路圖的一例示意圖。
圖19為將圖18的MOS晶體管形成在n型半導(dǎo)體襯底上時(shí)的截面圖。
圖20為圖19的寄生雙極性晶體管元件被達(dá)林頓連接時(shí)的說(shuō)明圖。
具體實(shí)施例方式
下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。此外，下面所說(shuō)明的實(shí)施形態(tài)，并非是對(duì)權(quán)利要求所述的本發(fā)明內(nèi)容的不當(dāng)限定。另外，下面所說(shuō)明的結(jié)構(gòu)的全部并非限定于本發(fā)明的必要結(jié)構(gòu)要件。
1.液晶裝置圖1示出了包括本實(shí)施形態(tài)的液晶驅(qū)動(dòng)裝置的液晶裝置的構(gòu)成例框圖。
液晶裝置510包括液晶面板520和液晶驅(qū)動(dòng)裝置530。
液晶面板520包括多個(gè)COM電極(公共電極)(狹義為掃描線)、多個(gè)SEG電極(段電極)(狹義為數(shù)據(jù)線)、以及由COM電極和SEG電極特定的像素。該液晶面板520為簡(jiǎn)單矩陣型液晶面板。
更具體地，液晶面板520形成在面板襯底(例如玻璃襯底)上。在該面板襯底上配置著COM電極COM1～COMM(M為大于等于2的自然數(shù))，其多個(gè)地排列在圖1的Y方向上并各自向X方向延伸；以及SEG電極SEG1～SEGN(N為大于等于2的自然數(shù))，其多個(gè)地排列在X方向上并各自向Y方向延伸。另外，在COM電極COMK(1≤K≤M，K為自然數(shù))和SEG電極SEGL(1≤L≤N，L為自然數(shù))之間的交叉點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的位置上，設(shè)置了像素。各像素是在COM電極和SEG電極之間封入液晶而形成，其透過(guò)率隨施加在COM電極和SEG電極之間的電壓變化。
此外，在液晶面板520中，在每個(gè)COM電極上從相互對(duì)置的該面板的兩邊向該面板內(nèi)側(cè)配置了各COM電極。從而在每個(gè)COM電極上，從液晶面板520的第一邊側(cè)和對(duì)置于該第一邊的第二邊側(cè)驅(qū)動(dòng)。
液晶驅(qū)動(dòng)裝置530，包括X驅(qū)動(dòng)部分532、Y驅(qū)動(dòng)部分534、電源電路536。X驅(qū)動(dòng)部分532，根據(jù)顯示數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)液晶面板520的SEG電極SEG1～SEGN。另外，Y驅(qū)動(dòng)部分534，根據(jù)顯示數(shù)據(jù)依次驅(qū)動(dòng)液晶面板520的COM電極COM1～COMM。電源電路536，生成SEG電極的驅(qū)動(dòng)電壓、COM電極的驅(qū)動(dòng)電壓。
液晶驅(qū)動(dòng)裝置530，根據(jù)由圖中未示出的中央處理單元(CentralProcessing UnitCPU)等主機(jī)、或被該主機(jī)控制的控制器所設(shè)定的內(nèi)容工作。
更具體地，主機(jī)或控制器向液晶驅(qū)動(dòng)裝置530的X驅(qū)動(dòng)部分532以及Y驅(qū)動(dòng)部分534，提供例如工作模式的設(shè)定或由內(nèi)部生成的垂直同步信號(hào)或水平同步信號(hào)，而對(duì)液晶驅(qū)動(dòng)裝置530的電源電路536進(jìn)行升壓倍數(shù)的設(shè)定或放電工作的控制。
電源電路536，根據(jù)外部提供的系統(tǒng)接地電源電壓GND以及外部提供的系統(tǒng)電源電壓VDD，生成SEG電極的驅(qū)動(dòng)電壓(V1、MV1、VC)、COM電極的驅(qū)動(dòng)電壓(V2、MV2、VC)。X驅(qū)動(dòng)部分532，根據(jù)顯示數(shù)據(jù)將由電源電路536生成的驅(qū)動(dòng)電壓V1、MV1、VC中的某一個(gè)施加在SEG電極上。Y驅(qū)動(dòng)部分534，將由電源電路536生成的驅(qū)動(dòng)電壓V2、MV2、VC中的某一個(gè)施加在COM電極上。
圖2示出了X驅(qū)動(dòng)部分532的構(gòu)成例框圖。
X驅(qū)動(dòng)部分532，包括顯示數(shù)據(jù)RAM 540、脈寬調(diào)制(PulseWidth ModulationPWM)信號(hào)生成電路542、SEG電極驅(qū)動(dòng)電路544(廣義上為驅(qū)動(dòng)電路)。顯示數(shù)據(jù)RAM 540，存儲(chǔ)例如一個(gè)垂直掃描期間內(nèi)的顯示數(shù)據(jù)。PWM信號(hào)生成電路542，從顯示數(shù)據(jù)RAM540讀出一個(gè)水平掃描期間內(nèi)的顯示數(shù)據(jù)，并分別生成施加在各SEG電極上的PWM信號(hào)。SEG電極驅(qū)動(dòng)電路544，將對(duì)應(yīng)于由PWM信號(hào)生成電路542生成的各PWM信號(hào)的驅(qū)動(dòng)電壓V1、MV1中的某一個(gè)施加在各SEG電極上。此外，SEG電極驅(qū)動(dòng)電路544，可向非顯示區(qū)的SEG電極施加驅(qū)動(dòng)電壓VC。驅(qū)動(dòng)電壓VC，是與Y驅(qū)動(dòng)部分534相同的電壓。
圖3示出了Y驅(qū)動(dòng)部分534的構(gòu)成例框圖。
Y驅(qū)動(dòng)部分534，包括移位寄存器550、COM電極驅(qū)動(dòng)電路552(廣義上為驅(qū)動(dòng)電路)。移位寄存器550，包括相對(duì)各COM電極而設(shè)置并依次連接的多個(gè)觸發(fā)器。該移位寄存器550，與水平同步信號(hào)Hsync同步，將垂直同步信號(hào)Vsync保持在觸發(fā)器中，從而與水平同步信號(hào)Hsync同步依次將垂直同步信號(hào)Vsync移位至相鄰觸發(fā)器中。
COM電極驅(qū)動(dòng)電路552，將來(lái)自移位寄存器550的電壓水平轉(zhuǎn)換為驅(qū)動(dòng)電壓V2、MV2、VC中的某一個(gè)電壓水平。并將電平轉(zhuǎn)換后的電壓輸出至COM電極。當(dāng)對(duì)應(yīng)于保持了由移位寄存器550移位的垂直同步信號(hào)Vsync的觸發(fā)器的COM電極被選擇時(shí)，在該COM電極上施加驅(qū)動(dòng)電壓V2、MV2中的某一個(gè)。在未被選擇的COM電極上，施加驅(qū)動(dòng)電壓VC。
圖4示出了用于說(shuō)明液晶驅(qū)動(dòng)用的各種電壓的關(guān)系的圖。
在本實(shí)施形態(tài)中，將驅(qū)動(dòng)電壓VC當(dāng)作可共同施加在SEG電極和COM電極的電壓。并以驅(qū)動(dòng)電壓VC為基準(zhǔn)，生成其正方向以及負(fù)方向上具有相同幅值的SEG電極的驅(qū)動(dòng)電壓V1、MV1。即，SEG電極的驅(qū)動(dòng)電壓V1、MV1之間的一半電壓，即為驅(qū)動(dòng)電壓VC。此時(shí)，可將驅(qū)動(dòng)電壓MV1作為系統(tǒng)接地電源電壓GND。驅(qū)動(dòng)電壓V1和驅(qū)動(dòng)電壓MV1之間的電壓，例如為3.3V。
另外，以驅(qū)動(dòng)電壓VC為基準(zhǔn)，生成其正方向以及負(fù)方向上具有相同幅值的COM電極的驅(qū)動(dòng)電壓V2、MV2。驅(qū)動(dòng)電壓VC和驅(qū)動(dòng)電壓V2之間的電壓，例如為20V，驅(qū)動(dòng)電壓MV2和驅(qū)動(dòng)電壓VC之間的電壓，例如為20V。
圖5示出了COM電極、SEG電極、導(dǎo)通像素、以及關(guān)閉像素的各波形的一例。
在圖5中示出了在每楨中進(jìn)行用于極性翻轉(zhuǎn)的極性翻轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的COM電極COM1～COM3的波形、SEG電極SEG1～SEG3的波形。
并且，示出了作為導(dǎo)通像素的對(duì)應(yīng)于COM電極COM1和SEG電極SEG1之間的交叉位置上的像素的波形。另外，示出了作為關(guān)閉像素的對(duì)應(yīng)于COM電極COM1和SEG電極SEG1之間的交叉位置上的像素的波形。由此，簡(jiǎn)單矩陣型液晶面板，利用了對(duì)由圖5所示的導(dǎo)通像素以及關(guān)閉像素的斜線部分決定的有效值進(jìn)行應(yīng)答的液晶性質(zhì)。
2.電源電路圖6示出了本實(shí)施形態(tài)的電源電路的構(gòu)成例框圖。本實(shí)施形態(tài)的電源電路100，可適用于圖1所示的液晶裝置的電源電路536上。
電源電路100，包括阻抗分割電路110、穩(wěn)壓器120、分壓電路130、電荷泵電路200、以及電壓極性翻轉(zhuǎn)電路140。
阻抗分割電路110，設(shè)置在電源電壓VDD1和系統(tǒng)接地電源電壓GND之間。電源電壓VDD1，例如可在電源電路100內(nèi)將外部提供的系統(tǒng)電源電壓VDD升壓而生成。并由阻抗電路將電源電壓VDD1和系統(tǒng)接地電源電壓GND之間的電壓進(jìn)行分壓的分壓電壓提供給穩(wěn)壓器120。阻抗分割電路110，可根據(jù)圖中未示出的設(shè)定寄存器的設(shè)定值變更分壓點(diǎn)，將電源電壓VDD1和系統(tǒng)接地電源電壓GND之間的期望電壓提供給穩(wěn)壓器120。
穩(wěn)壓器120，調(diào)整由阻抗分割電路110提供的分壓電壓，并將調(diào)整后的電壓作為驅(qū)動(dòng)電壓V1輸出。更具體地，穩(wěn)壓器120由連接為電壓跟隨器的運(yùn)算放大器構(gòu)成，并對(duì)分壓電壓進(jìn)行阻抗變換從而作為驅(qū)動(dòng)電壓V1輸出。
分壓電路130，設(shè)置在穩(wěn)壓器120的輸出和系統(tǒng)接地電源電壓GND之間。并將穩(wěn)壓器120的輸出電壓(驅(qū)動(dòng)電壓V1)和系統(tǒng)接地電源電壓GND之間電壓的一半分壓電壓作為驅(qū)動(dòng)電壓VC輸出。
電荷泵電路(廣義上為升壓電路)200，根據(jù)穩(wěn)壓器120的輸出和系統(tǒng)接地電源電壓GND之間的電壓，生成驅(qū)動(dòng)電壓MV2。更具體地，電荷泵電路200，將穩(wěn)壓器120的輸出即驅(qū)動(dòng)電壓V1、以及系統(tǒng)接地電源電壓GND之間的電壓，以系統(tǒng)接地電源電壓GND為基準(zhǔn)向負(fù)方向升壓，從而生成驅(qū)動(dòng)電壓MV2。
電壓極性翻轉(zhuǎn)電路140，將由電荷泵電路200生成的驅(qū)動(dòng)電壓MV2，以驅(qū)動(dòng)電壓VC為基準(zhǔn)生成將其極性翻轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)電壓V2。
由該電源電路100，生成具有圖4所示關(guān)系的各種驅(qū)動(dòng)電壓。
為此，電源電路100包括電荷泵電路200(升壓電路)和電壓極性翻轉(zhuǎn)電路140，電壓極性翻轉(zhuǎn)電路140以電源電壓VDD1以及系統(tǒng)接地電源電壓GND之間的電壓VC(第一電壓以及第二電壓之間的電壓)為基準(zhǔn)，使驅(qū)動(dòng)電壓MV2的極性翻轉(zhuǎn)。
在電源電路100中，穩(wěn)壓器120以及分壓電路130可由眾所周知的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)，因此，省略其說(shuō)明。
圖7示出了電荷泵電路200的構(gòu)成例。
在圖7中示出了將驅(qū)動(dòng)電壓V1和系統(tǒng)接地電源電壓GND之間的電壓以接地電源電壓GND為基準(zhǔn)，向負(fù)方向升壓4倍的電荷泵電路的結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明并不限定升壓倍數(shù)。
另外，圖7的電荷泵電路200，具有用于進(jìn)行電荷泵工作的開(kāi)關(guān)元件組、外部連接端TC1～TC7，從而用于進(jìn)行電荷泵工作的電容器在電源電路100的外部(電源電路100適用于液晶驅(qū)動(dòng)裝置時(shí)，是該液晶驅(qū)動(dòng)裝置的外部)連接。以下，作為開(kāi)關(guān)元件，以其使用金屬氧化膜半導(dǎo)體(Metal Oxide SemiconductorMOS)晶體管來(lái)說(shuō)明。還有，在本說(shuō)明書(shū)中，只有將用于進(jìn)行電荷泵工作的開(kāi)關(guān)元件組適當(dāng)?shù)胤Q(chēng)為廣義電荷泵電路。
電荷泵電路200，包括串聯(lián)連接在驅(qū)動(dòng)電壓V1和系統(tǒng)接地電源電壓GND之間的p型(例如第一導(dǎo)電型)MOS晶體管PSW1、n型(例如第二導(dǎo)電型)MOS晶體管PSW2。另外，還包括串聯(lián)連接在驅(qū)動(dòng)電壓V1和系統(tǒng)接地電源電壓GND之間的p型MOS晶體管PSW3、n型MOS晶體管PSW4。MOS晶體管PSW1、PSW2的連接節(jié)點(diǎn)，連接在電容器的一端上，該電容器則連接在外部連接端TC1。MOS晶體管PSW3、PSW4的連接節(jié)點(diǎn)，連接在電容器的一端上，該電容器則連接在外部連接端TC2。
還有，電荷泵電路200，包括第一～第N(N為大于等于2的整數(shù))晶體管，是用于進(jìn)行電荷泵工作的晶體管，在第一晶體管的一端上提供了第一電壓，而各晶體管則被串聯(lián)連接；放電晶體管，其一端上提供了第一電壓或大于第一電壓的第二電壓，而另一端則連接在第(k-1)以及第k(k為大于等于2且小于等于N的某一整數(shù))的晶體管所連接的節(jié)點(diǎn)上。在圖7中，示出了K為N的情況，且N為5的情況。
即，圖7的電荷泵電路200，包括n型MOS晶體管NSW1～NSW5(第一～第五晶體管)，是用于進(jìn)行電荷泵工作的晶體管，在n型MOS晶體管NSW1(第一晶體管)的一端上提供了系統(tǒng)接地電源電壓(第一電壓)，而各晶體管則被串聯(lián)連接。
這些MOS晶體管NSW1～NSW5形成在p型半導(dǎo)體襯底上時(shí)，可采用所謂的三重勢(shì)阱結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)。
電荷泵電路200，包括放電晶體管DSW1，其一端上提供了系統(tǒng)接地電源電壓GND或驅(qū)動(dòng)電壓V1(第一電壓或大于第一電壓的電壓)，而另一端則連接在MOS晶體管NSW4、NSW5所連接的節(jié)點(diǎn)上。放電晶體管DSW1，可由n型MOS晶體管實(shí)現(xiàn)。
外部連接端TC3，連接在MOS晶體管NSW1、NSW2的連接節(jié)點(diǎn)上。外部連接端TC4，連接在MOS晶體管NSW2、NSW3的連接節(jié)點(diǎn)上。外部連接端TC5，連接在MOS晶體管NSW3、NSW4的連接節(jié)點(diǎn)上。外部連接端TC6，連接在MOS晶體管NSW4、NSW5的連接節(jié)點(diǎn)上。外部連接端TC7，連接在MOS晶體管NSW5的漏極上。
另外，電荷泵電路200，可以在MOS晶體管NSW5的漏極上包括輸出放電晶體管DSW2。輸出放電晶體管DSW2，可以由n型MOS晶體管實(shí)現(xiàn)。
在外部連接端TC1、TC3之間，在外部連接了電容器C1。在外部連接端TC2、TC4之間，在外部連接了電容器C2。在外部連接端TC1、TC5之間，在外部連接了電容器C3。在外部連接端TC2、TC6之間，在外部連接了電容器C4。在外部連接端TC7和系統(tǒng)接地電源電壓GND之間，在外部連接了穩(wěn)壓用電容器Cs。
這些結(jié)構(gòu)的電荷泵電路200，在正常工作時(shí)，放電晶體管DSW1、輸出放電晶體管DSW2被設(shè)定為非導(dǎo)通狀態(tài)，根據(jù)使用MOS晶體管PSW1～PSW4、NSW1～NSW5的電荷泵的工作，將驅(qū)動(dòng)電壓MV2作為升壓電壓輸出，并保持在穩(wěn)壓用電容器Cs上。此時(shí)，驅(qū)動(dòng)電壓MV2，以系統(tǒng)接地電源電壓GND為基準(zhǔn)，將系統(tǒng)接地電源電壓GND和驅(qū)動(dòng)電壓V1之間的電壓向負(fù)方向升壓至4倍的電壓。
為了在電荷泵電路200的正常工作時(shí)，進(jìn)行電荷泵工作，在MOS晶體管PSW1～PSW4、NSW1～NSW5的各柵極上，提供了充電時(shí)鐘CL10～CL13、CL1～CL5。
圖8以及圖9示出了充電時(shí)鐘的說(shuō)明圖。
圖8示出了作為充電時(shí)鐘CL10～CL13、CL1～CL5的基準(zhǔn)時(shí)序的兩個(gè)時(shí)鐘CLA、CLB。時(shí)鐘CLA、CLB，其相位是相互翻轉(zhuǎn)的。例如在第一期間T1中，時(shí)鐘CLA為高電平時(shí)，時(shí)鐘CLB為低電平；在第二期間T2中，時(shí)鐘CLA為低電平時(shí)，時(shí)鐘CLB為高電平。
圖9示出了充電時(shí)鐘CL10～CL13、CL1～CL5的生成電路的一例。充電時(shí)鐘CL10～CL13、CL1～CL5，是將時(shí)鐘CLA、CLB的某一個(gè)轉(zhuǎn)換為各MOS晶體管的電壓水平的時(shí)鐘。例如，充電時(shí)鐘CL1，作為轉(zhuǎn)換為系統(tǒng)接地電源電壓GND(MV1)和驅(qū)動(dòng)電壓V1之間的電壓幅值的時(shí)鐘而生成時(shí)鐘CLA的幅值。另外，例如充電時(shí)鐘CL4，作為轉(zhuǎn)換為驅(qū)動(dòng)電壓MV2和驅(qū)動(dòng)電壓V1之間的電壓幅值的時(shí)鐘而生成時(shí)鐘CLB的幅值。
圖7中，例如在第一期間T1中，MOS晶體管PSW1為導(dǎo)通，而MOS晶體管PSW2為關(guān)閉，電容器C1的一端連接在驅(qū)動(dòng)電壓V1上。此時(shí)，MOS晶體管NSW1為導(dǎo)通，而MOS晶體管NSW2為關(guān)閉，因此，電容器C1的另一端連接在系統(tǒng)接地電源電壓GND上。
同樣地，例如在第二期間T2中，MOS晶體管PSW1為關(guān)閉，而MOS晶體管PSW2為導(dǎo)通，電容器C1的一端連接在系統(tǒng)接地電源電壓GND上。此時(shí)，MOS晶體管NSW1為關(guān)閉，而MOS晶體管NSW2為導(dǎo)通，因此，電容器C1的另一端電位(-V1)變?yōu)殡娙萜鰿2的一端的電位。在第二期間T2中，MOS晶體管PSW3為導(dǎo)通，而MOS晶體管PSW4為關(guān)閉，因此，該電容器C2的另一端連接在驅(qū)動(dòng)電壓V1上。此刻，電容器C2積蓄相當(dāng)于電壓2×V1的電荷。
即，電荷泵電路200，可包括MOS晶體管NSW1(第一晶體管)，在其一端上提供系統(tǒng)接地電源電壓GND(第一電壓)，在第一期間T1中在該電容器C1(第一電容器)的另一端施加系統(tǒng)電源電壓GND，該電容器C1具有其一端在第一期間TI中為驅(qū)動(dòng)電壓V1(第二電壓)、在第二期間T2中為系統(tǒng)接地電源電壓GND。電荷泵電路200，還可包括如下的MOS晶體管NSW2～NSWN(第二～第N晶體管)。
MOS晶體管NSWi(第i晶體管)(2≤i≤N，N為大于等于3的整數(shù)，i為偶數(shù))，其一端連接在MOS晶體管NSW(i-1)(第(i-1)晶體管)的一端上，而電容器Ci(第i電容器)的另一端則連接在第二期間T2中的電容器C(i-1)(第(i-1)電容器)的一端上，而該電容器C(i-1)的一端在第一期間T1內(nèi)具有系統(tǒng)接地電源電壓GND、在第二期間T2內(nèi)具有驅(qū)動(dòng)電壓V1。
MOS晶體管NSWj(第j晶體管)(3≤j≤N，j為奇數(shù))，其一端連接在MOS晶體管NSW(j-1)(第(j-1)晶體管)的一端上，而電容器Cj(第j電容器)的另一端則連接在第一期間T1中的電容器C(j-1)(第(j-1)電容器)的一端上，而該第j電容器的另一端在第一期間T1內(nèi)具有驅(qū)動(dòng)電壓V1、在第二期間T2內(nèi)具有系統(tǒng)接地電源電壓GND。
此外，在圖7中示出了在第一期間T1以及第二期間T2中，施加在各電容器的一端上的電壓的一例。
與如圖8以及圖9所示生成的充電時(shí)鐘同步，利用如上所述的電容器而反復(fù)電荷泵工作，從而向電容器C4積蓄相當(dāng)于電壓4×V1的電荷。
圖10示出了電壓極性翻轉(zhuǎn)電路140的構(gòu)成例。
電壓極性翻轉(zhuǎn)電路140，具有串聯(lián)連接在驅(qū)動(dòng)電壓VC、MV2之間的p型MOS晶體管PL1、n型MOS晶體管PL2。另外，在電壓極性翻轉(zhuǎn)電路140中，包括n型MOS晶體管PL3、p型MOS晶體管PL4。在源極側(cè)提供了驅(qū)動(dòng)電壓VC的n型MOS晶體管PL3的漏極側(cè)，連接在p型MOS晶體管PL4。
電壓極性翻轉(zhuǎn)電路140，另外還具有外部連接端TL1～TL3。外部連接端TL1，連接在MOS晶體管PL4的源極側(cè)上。外部連接端TL2，連接在MOS晶體管PL3、PL4的連接節(jié)點(diǎn)上。外部連接端TL3，連接在MOS晶體管PL1、PL2的連接節(jié)點(diǎn)上。
在外部連接端TL2、TL3之間，在外部連接著電容器Cp1。在外部連接端TL1和系統(tǒng)接地電源電壓GND之間，在外部連接著電容器Cp2。
施加在MOS晶體管PL1～PL4的各柵極上的充電時(shí)鐘，可以與圖7所示的電荷泵電路200的充電時(shí)鐘同步，也可以是非同步。在MOS晶體管PL1～PL4的各柵極上，提供充電時(shí)鐘，以便例如在第一期間T1內(nèi)向電容器Cp1的兩端施加驅(qū)動(dòng)電壓VC、MV2，在其次的第二期間T2內(nèi)施加驅(qū)動(dòng)電壓MV2的電容器的一端上，施加驅(qū)動(dòng)電壓VC。
上述的本實(shí)施形態(tài)中的電源電路100，可生成具有圖4所示的關(guān)系的多個(gè)驅(qū)動(dòng)電壓。
3.電荷泵電路在具有圖7所示結(jié)構(gòu)的電荷泵電路200中，在正常工作時(shí)，放電晶體管DSW1、輸出放電晶體管DSW2被設(shè)定為非導(dǎo)通狀態(tài)，通過(guò)使用MOS晶體管PSW1～PSW4、NSW1～NSW5的電荷泵工作，將4倍的升壓電壓作為驅(qū)動(dòng)電壓MV2輸出。
具有如此結(jié)構(gòu)的電荷泵電路200，通過(guò)省略電容器的連接，可實(shí)現(xiàn)3倍升壓、2倍升壓等。
圖11示出了3倍升壓時(shí)的本實(shí)施形態(tài)的電荷泵電路的電容器連接例。
在圖11中，對(duì)與圖7所示的電荷泵電路200相同的部分將標(biāo)記相同符號(hào)，并適當(dāng)省略其說(shuō)明。進(jìn)行3倍升壓的圖11所示的電荷泵電路與進(jìn)行4倍升壓的圖7所示的電荷泵電路的不同點(diǎn)在于，圖11中省略了電容器C4的連接。此外，不同點(diǎn)還有，充電時(shí)鐘CL20提供給MOS晶體管NSW5的柵極，以便在MOS晶體管NSW5為正常工作狀態(tài)時(shí)，處于長(zhǎng)開(kāi)狀態(tài)。
圖12示出了連接在圖11所示的電荷泵電路上的電容器兩端電壓波形的一例。
在圖12中，將連接在MOS晶體管PSW1～PSW4中的某一個(gè)上的電容器一端作為正側(cè)，而將連接在MOS晶體管NSW1～NSW5中的某一個(gè)上的電容器另一端作為負(fù)側(cè)。
除了MOS晶體管NSW5，3倍升壓時(shí)和4倍升壓時(shí)也是同樣的工作，因此，省略其說(shuō)明。
在具有如此結(jié)構(gòu)的電荷泵電路200中，具有三重勢(shì)阱結(jié)構(gòu)，只使用放電晶體管DSW1，不附加其他多余的放電晶體管，可使施加在三重勢(shì)阱結(jié)構(gòu)的規(guī)定區(qū)域上的電壓向系統(tǒng)接地電源電壓GND快速變化。
下面，對(duì)此點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明。
圖13示出了當(dāng)MOS晶體管NSW1～NSW5形成在p型半導(dǎo)體襯底上時(shí)的截面圖的一例。對(duì)圖13和圖11相同部分將標(biāo)記同一符號(hào)。
當(dāng)如圖7以及圖11所示的電荷泵電路200形成在p型半導(dǎo)體襯底上時(shí)，有必要采用所謂三重勢(shì)阱結(jié)構(gòu)。
當(dāng)MOS晶體管NSW1～NSW5形成在p型(例如第一導(dǎo)電型)硅片300(廣義上為襯底)上時(shí)，在p型硅片300上形成n型勢(shì)阱(n型(例如第二導(dǎo)電型)勢(shì)阱區(qū))310。在n勢(shì)阱310上，形成第一～第五p勢(shì)阱(p型第一～第五勢(shì)阱區(qū))320-1～320-5。在第一～第五p勢(shì)阱320-1～320-5上，形成MOS晶體管NSW1～NSW5。
在p型硅片300上，通過(guò)p+區(qū)提供系統(tǒng)接地電源電壓GND。在n勢(shì)阱310上，通過(guò)n+區(qū)提供用于對(duì)應(yīng)第一～第五p勢(shì)阱的反向偏壓。反向偏壓，優(yōu)選為在用于防止閉鎖的電源電路100的電壓中最高的電壓。在圖13中，如圖4所示，將驅(qū)動(dòng)電壓V2作為反向偏壓。從而，反向偏壓，可稱(chēng)為施加在液晶面板520的掃描電極上的高電位側(cè)電壓以及低電位側(cè)電壓中的高電位側(cè)電壓。由于驅(qū)動(dòng)電壓V2根據(jù)驅(qū)動(dòng)電壓MV2生成，因此反向偏壓可稱(chēng)為根據(jù)升壓電壓而生成的電壓。
在圖13中，第一～第五p勢(shì)阱320-1～320-5形成在n勢(shì)阱310上，但是并非限定于此。第一～第五p勢(shì)阱320-1～320-5，也可以形成在各自分離的n勢(shì)阱上。但是，在分離的n勢(shì)阱上，各自施加反向偏壓。
在第一～第五p勢(shì)阱320-1～320-5的各勢(shì)阱區(qū)中，形成n型漏區(qū)322-1～322-5以及源區(qū)324-1～324-5。
MOS晶體管NSW1(第一晶體管)的柵極，是通過(guò)絕緣膜設(shè)置在漏區(qū)322-1以及源區(qū)324-1之間的溝道區(qū)上。MOS晶體管NSW2(第二晶體管)的柵極，是通過(guò)絕緣膜設(shè)置在漏區(qū)322-2以及源區(qū)324-2之間的溝道區(qū)上。MOS晶體管NSW3(第三晶體管)的柵極，是通過(guò)絕緣膜設(shè)置在漏區(qū)322-3以及源區(qū)324-3之間的溝道區(qū)上。MOS晶體管NSW4(第四晶體管)的柵極，是通過(guò)絕緣膜設(shè)置在漏區(qū)322-4以及源區(qū)324-4之間的溝道區(qū)上。MOS晶體管NSW5(第五晶體管)的柵極，是通過(guò)絕緣膜設(shè)置在漏區(qū)322-5以及源區(qū)324-5之間的溝道區(qū)上。
在第一p勢(shì)阱320-1的漏區(qū)322-1上，提供系統(tǒng)接地電源電壓GND。第(m-1)(2≤m≤5，m為整數(shù))的p勢(shì)阱320-(m-1)的源區(qū)324-(m-1)，電連接在第mp勢(shì)阱320-m的漏區(qū)322-m上，從而第五p勢(shì)阱320-5的源區(qū)324-5的電壓成為驅(qū)動(dòng)電壓MV2。
在圖13中，形成npn型第一寄生雙極性晶體管元件PBE-1，其將第一p勢(shì)阱320-1作為基區(qū)、n勢(shì)阱310作為集電區(qū)、漏區(qū)322-1作為發(fā)射區(qū)。同樣地，形成npn型第二寄生雙極性晶體管元件PBE-2，其將第二p勢(shì)阱320-2作為基區(qū)、n勢(shì)阱310作為集電區(qū)、漏區(qū)322-2作為發(fā)射區(qū)。形成npn型第三寄生雙極性晶體管元件PBE-3，其將第三p勢(shì)阱320-3作為基區(qū)、n勢(shì)阱310作為集電區(qū)、漏區(qū)322-3作為發(fā)射區(qū)。形成npn型第四寄生雙極性晶體管元件PBE-4，其將第四p勢(shì)阱320-4作為基區(qū)、n勢(shì)阱310作為集電區(qū)、漏區(qū)322-4作為發(fā)射區(qū)。形成npn型第五寄生雙極性晶體管元件PBE-5，其將第五p勢(shì)阱320-5作為基區(qū)、n勢(shì)阱310作為集電區(qū)、漏區(qū)322-5作為發(fā)射區(qū)。
圖14示出了MOS晶體管NSW5、放電晶體管DSW1、輸出放電晶體管DSW2的控制例的說(shuō)明圖。
在進(jìn)行三倍升壓時(shí)的電荷泵電路200中，在正常工作時(shí)，MOS晶體管NSW5被設(shè)定為導(dǎo)通狀態(tài)，放電晶體管DSW1、輸出放電晶體管DSW2被設(shè)定為非導(dǎo)通狀態(tài)。
另外，用于在電源關(guān)閉時(shí)將積蓄在電荷泵電路200的電容器上的電荷放掉的放電工作時(shí)，MOS晶體管NSW5被設(shè)定為非導(dǎo)通狀態(tài)，放電晶體管DSW1以及輸出放電晶體管DSW2被設(shè)定為導(dǎo)通狀態(tài)。
由于在放電工作時(shí)，MOS晶體管NSW5被設(shè)定為非導(dǎo)通狀態(tài)，放電晶體管DSW1被設(shè)定為導(dǎo)通狀態(tài)，因此，MOS晶體管NSW4、NSW5的連接節(jié)點(diǎn)A4的電壓，被設(shè)定為系統(tǒng)接地電源電壓GND或驅(qū)動(dòng)電壓V1。
此時(shí)，上述寄生雙極性晶體管元件PBE-4的基區(qū)，被設(shè)定為系統(tǒng)接地電源電壓GND或驅(qū)動(dòng)電壓V1。其結(jié)果，如圖15所示，第四寄生雙極性晶體管元件PBE-4變?yōu)閷?dǎo)通，而第一～第四寄生雙極性晶體管元件PBE-1～PBE-4處于達(dá)林頓連接狀態(tài)。即，寄生雙極性晶體管元件PBE-1～PBE-4導(dǎo)通，從而從反向偏壓V2向系統(tǒng)接地電源電壓GND形成電流通路。
即使寄生雙極性晶體管元件PBE-4導(dǎo)通，其電流放大倍數(shù)也是小的。但是，隨著制造工藝的微細(xì)化或者增加串聯(lián)連接的MOS晶體管數(shù)量從而增加寄生雙極性晶體管元件的達(dá)林頓連接數(shù)，其電流放大倍數(shù)將會(huì)增大，因此，作為其結(jié)果施加在n勢(shì)阱310上的電壓，快速變化為系統(tǒng)接地電源電壓GND。特別是施加在n勢(shì)阱310上的反向偏壓V2，由圖10所示的電壓極性翻轉(zhuǎn)電路140的電荷泵工作生成時(shí)，只設(shè)置一個(gè)放電晶體管DSW1即可快速向電容器Cp2充電。連接節(jié)點(diǎn)A1～A3的電壓，也接近于系統(tǒng)接地電源電壓GND，因此，只用放電晶體管DSW1而無(wú)需附加多余的放電晶體管即可快速進(jìn)行放電工作。
此外，在圖11中，在連接節(jié)點(diǎn)A4上連接放電晶體管DSW1的一端，但并非限定于此。也可以連接在連接節(jié)點(diǎn)A3、A2、A1上。但是，由于連接在連接節(jié)點(diǎn)A4上，如圖15所示達(dá)林頓連接數(shù)將增加，因此，其電流放大倍數(shù)也變大，從而可實(shí)現(xiàn)更快速的放電工作。
該本實(shí)施形態(tài)中的電荷泵電路200，可以以簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)快速實(shí)現(xiàn)放電工作，該放電工作是在電源關(guān)閉時(shí)進(jìn)行電容器電荷的放電。
圖16(A)、(B)示出了比較例的放電工作的檢測(cè)波形。在比較例中，在用于電荷泵工作的全部電容器的兩端上設(shè)置了放電晶體管。在放電工作時(shí)，同時(shí)使這些放電晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)。
圖17(A)、(B)示出了本實(shí)施形態(tài)的放電工作的檢測(cè)波形。
圖16(A)、圖17(A)中，橫軸為20毫秒/div，縱軸為5伏/div。圖16(B)、圖17(B)中，橫軸為400微秒/div，縱軸為5伏/div。
比較圖16(B)、圖17(B)，作為反向偏壓而施加的驅(qū)動(dòng)電壓V2，快速下降為系統(tǒng)接地電源電壓GND。另外，對(duì)于由電荷泵電路200生成的升壓電壓即驅(qū)動(dòng)電壓MV2，盡管只有一個(gè)放電晶體管DSW1，卻以相同或更高的速度下降為系統(tǒng)接地電源電壓GND。
將如上所述的電荷泵電路200適用于電源電路100時(shí)，可將系統(tǒng)接地電源電壓GND(＝MV1)當(dāng)作施加在簡(jiǎn)單矩陣型液晶面板的段電極上的一個(gè)電壓。另外，可將反向偏壓當(dāng)作施加在液晶面板的公共電極上的高電位側(cè)電壓以及低電位側(cè)電壓中的高電位側(cè)電壓，而可將作為升壓電壓的驅(qū)動(dòng)電壓MV2當(dāng)作施加在公共電極上的高電位側(cè)電壓以及低電位側(cè)電壓中的低電位側(cè)電極。
此外，可提供包括驅(qū)動(dòng)電路的液晶驅(qū)動(dòng)裝置，該驅(qū)動(dòng)電路利用上述電源電路、系統(tǒng)接地電源電壓GND(第一電壓)、驅(qū)動(dòng)電壓V2(反向偏壓)、以及驅(qū)動(dòng)電壓MV2(升壓電壓)中的至少一個(gè)，驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單矩陣型液晶面板的段電極或公共電極。
4.變形例在以上說(shuō)明的實(shí)施形態(tài)中，雖然對(duì)形成在p型硅片上的電荷泵電路進(jìn)行了說(shuō)明，但是并非限定于此。也可以將電荷泵電路形成在n型硅片上。形成在n型硅片上的電荷泵電路350，也可適用于圖6所示的電源電路、圖1所示的液晶驅(qū)動(dòng)裝置。此時(shí)，電荷泵電路350生成驅(qū)動(dòng)電壓V2，生成使電壓極性翻轉(zhuǎn)電路以驅(qū)動(dòng)電壓VC為基準(zhǔn)翻轉(zhuǎn)其極性的驅(qū)動(dòng)電壓MV2。
圖18示出了形成在n型硅片上的電荷泵電路的電路圖的一例。
電荷泵電路350，包括串聯(lián)連接在驅(qū)動(dòng)電壓V1和系統(tǒng)接地電源電壓GND之間的p型MOS晶體管PSW1、n型MOS晶體管PSW2。另外，包括串聯(lián)連接在驅(qū)動(dòng)電壓V1和系統(tǒng)接地電源電壓GND之間的p型MOS晶體管PSW3、n型MOS晶體管PSW4。MOS晶體管PSW1、PSW2的連接節(jié)點(diǎn)，連接在電容器的一端上，而該電容器連接在外部連接端TC1上。MOS晶體管PSW3、PSW4的連接節(jié)點(diǎn)，連接在電容器的一端上，而該電容器連接在外部連接端TC2上。
電荷泵電路350，包括第一～第N(N為大于等于2的整數(shù))晶體管，是用于進(jìn)行電荷泵工作的晶體管，在第一晶體管的一端上提供第一電壓，而各晶體管則被串聯(lián)連接；放電晶體管，其一端上提供第一電壓或小于第一電壓的第二電壓，而另一端則連接在第(k-1)以及第k(k為大于等于2且小于等于N的某一整數(shù))的晶體管所連接的節(jié)點(diǎn)上。在圖18中示出了k為5的情況。
當(dāng)將這些MOS晶體管PSW11～PSW15形成在n型半導(dǎo)體襯底時(shí)，可以通過(guò)采用所謂三重勢(shì)阱結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)。
外部連接端TC3，連接在MOS晶體管PSW11、PSW12的連接節(jié)點(diǎn)上。外部連接端TC4，連接在MOS晶體管PSW12、PSW13的連接節(jié)點(diǎn)上。外部連接端TC5，連接在MOS晶體管PSW13、PSW14的連接節(jié)點(diǎn)上。外部連接端TC6，連接在MOS晶體管PSW14、PSW15的連接節(jié)點(diǎn)上。外部連接端TC7，連接在MOS晶體管PSW15的源極上。
另外，電荷泵電路350，可在MOS晶體管PSW15的源極上包括輸出用晶體管DSW2。輸出用晶體管DSW2，可由n型MOS晶體管實(shí)現(xiàn)。
在外部連接端TC1、TC3之間，在外部連接電容器C1。在外部連接端TC2、TC4之間，在外部連接電容器C2。在外部連接端TC1、TC5之間，在外部連接電容器C3。在外部連接端TC7和系統(tǒng)接地電源電壓GND之間，在外部連接穩(wěn)壓用電容器Cs。
具有如此結(jié)構(gòu)的電荷泵電路350，進(jìn)行與圖11相同的兩相電荷泵時(shí)鐘同步的電荷泵工作，因此，省略其說(shuō)明。
采用了與電荷泵電路200同樣的三重勢(shì)阱結(jié)構(gòu)，因此，形成寄生雙極性晶體管元件。
圖19示出了將MOS晶體管PSW11～PSW15形成在n型半導(dǎo)體襯底上時(shí)的截面圖的一例。對(duì)圖18與圖19相同部分，將標(biāo)記同一符號(hào)。
在n型硅片400上，形成p勢(shì)阱(p型勢(shì)阱區(qū))410。在p勢(shì)阱410上，形成第一～第五n勢(shì)阱(n型第一～第五勢(shì)阱區(qū))420-1～420-5。在第一～第五n勢(shì)阱420-1～420-5上，形成MOS晶體管PSW11～PSW15。
在n型硅片400上，通過(guò)n+區(qū)提供例如驅(qū)動(dòng)電壓V1。在p勢(shì)阱410上，通過(guò)p+區(qū)提供用于對(duì)應(yīng)第一～第五n區(qū)的反向偏壓。反向偏壓，優(yōu)選為在用于防止閉鎖的電源電路100的電壓中是最高的電壓?？蓪⑷鐖D4所示的驅(qū)動(dòng)電壓MV2或系統(tǒng)接地電源電壓GND作為反向偏壓。從而，此時(shí)，反向偏壓，可稱(chēng)為施加在液晶面板520的掃描電極上的高電位側(cè)電壓以及低電位側(cè)電壓中的低電位側(cè)電壓。由于驅(qū)動(dòng)電壓MV2根據(jù)驅(qū)動(dòng)電壓V2生成，因此反向偏壓也可稱(chēng)為根據(jù)升壓電壓而生成的電壓。
在圖19中，雖然第一～第五n勢(shì)阱420-1～420-5形成在p勢(shì)阱410上，但并非限定于此。第一～第五n勢(shì)阱420-1～420-5，也可以形成在各自分離的p勢(shì)阱上。但是，在分離的p勢(shì)阱上，各自施加了反向偏壓。
在第一～第五n勢(shì)阱420-1～420-5的各勢(shì)阱區(qū)中，形成p型源區(qū)424-1～424-5以及漏區(qū)422-1～422-5。
MOS晶體管PSW11(第一晶體管)的柵極，是通過(guò)絕緣膜設(shè)置在源區(qū)424-1以及漏區(qū)422-1之間的溝道區(qū)上。MOS晶體管PSW12(第二晶體管)的柵極，是通過(guò)絕緣膜設(shè)置在源區(qū)424-2以及漏區(qū)422-2之間的溝道區(qū)上。MOS晶體管PSW13(第三晶體管)的柵極，是通過(guò)絕緣膜設(shè)置在源區(qū)424-3以及漏區(qū)422-3之間的溝道區(qū)上。MOS晶體管PSW14(第四晶體管)的柵極，是通過(guò)絕緣膜設(shè)置在源區(qū)424-4以及漏區(qū)422-4之間的溝道區(qū)上。MOS晶體管PSW15(第五晶體管)的柵極，是通過(guò)絕緣膜設(shè)置在源區(qū)424-5以及漏區(qū)422-5之間的溝道區(qū)上。
在第一n勢(shì)阱420-1的漏區(qū)422-1上，提供驅(qū)動(dòng)電壓V1。第(m-1)(2≤m≤5，m為整數(shù))的n勢(shì)阱420-(m-1)的源區(qū)424-(m-1)，電連接在第mn勢(shì)阱420-m的漏區(qū)422-m上，從而第五n勢(shì)阱420-5的源區(qū)424-5的電壓成為驅(qū)動(dòng)電壓V2。
在圖19中，也形成了pnp型第一寄生雙極性晶體管元件PBE-11，其將第一n勢(shì)阱420-1作為基區(qū)、p勢(shì)阱410作為集電區(qū)、漏區(qū)422-1作為發(fā)射區(qū)。同樣地，形成pnp型第二寄生雙極性晶體管元件PBE-12，其將第二n勢(shì)阱420-2作為基區(qū)、p勢(shì)阱410作為集電區(qū)、漏區(qū)422-2作為發(fā)射區(qū)。形成pnp型第三寄生雙極性晶體管元件PBE-13，其將第三n勢(shì)阱420-3作為基區(qū)、p勢(shì)阱410作為集電區(qū)、漏區(qū)422-3作為發(fā)射區(qū)。形成pnp型第四寄生雙極性晶體管元件PBE-14，其將第四n勢(shì)阱420-4作為基區(qū)、p勢(shì)阱410作為集電區(qū)、漏區(qū)422-4作為發(fā)射區(qū)。形成pnp型第五寄生雙極性晶體管元件PBE-15，其將第五n勢(shì)阱420-5作為基區(qū)、p勢(shì)阱410作為集電區(qū)、漏區(qū)422-5作為發(fā)射區(qū)。
在電荷泵電路350中，在正常工作時(shí)，MOS晶體管PSW15被設(shè)定為導(dǎo)通狀態(tài)，放電晶體管DSW1以及輸出放電晶體管DSW2被設(shè)定為非導(dǎo)通狀態(tài)。
另外，用于在電源關(guān)閉時(shí)將積蓄在電荷泵電路350的電容器上的電荷放掉的放電工作時(shí)，MOS晶體管PSW15被設(shè)定為非導(dǎo)通狀態(tài)，放電晶體管DSW1以及輸出放電晶體管DSW2被設(shè)定為導(dǎo)通狀態(tài)。
因此，MOS晶體管PSW14、PSW15的連接節(jié)點(diǎn)B4的電壓，被設(shè)定為系統(tǒng)接地電源電壓GND或驅(qū)動(dòng)電壓V1(第一電壓或低于該第一電壓的第二電壓)。
此時(shí)，上述寄生雙極性晶體管元件PBE-14的基區(qū)，被設(shè)定為系統(tǒng)接地電源電壓GND或驅(qū)動(dòng)電壓V1。其結(jié)果，如圖20所示，第四寄生雙極性晶體管元件PBE-14變?yōu)閷?dǎo)通，而第一～第四寄生雙極性晶體管元件PBE-11～PBE-14處于達(dá)林頓連接狀態(tài)，從而形成電流通路。
此外，電荷泵電路350的寄生雙極性晶體管元件為pnp型，因此，與npn型相比，其電流放大倍數(shù)小。從而，與npn型寄生雙極性晶體管元件被達(dá)林頓連接時(shí)相比，放電工作速度將變低。
但是，只用一個(gè)放電晶體管的簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)，即可實(shí)現(xiàn)快速的放電。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍之內(nèi)。例如，本發(fā)明不限于對(duì)上述液晶顯示裝置的驅(qū)動(dòng)，也可以適用于場(chǎng)致發(fā)光或等離子顯示裝置的驅(qū)動(dòng)。
另外，根據(jù)本發(fā)明中的從屬權(quán)利要求的技術(shù)方案，也可以省略從屬權(quán)利要求的組成要件的一部分。另外，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)獨(dú)立權(quán)利要求的技術(shù)方案的主要部分也可以從屬于其他獨(dú)立權(quán)利要求。
符號(hào)說(shuō)明100、536 電源電路 110 阻抗分割電路120 穩(wěn)壓器130 分壓電路140 電壓極性翻轉(zhuǎn)電路 200 電荷泵電路510 液晶裝置 520 液晶面板530 液晶驅(qū)動(dòng)裝置 532 X驅(qū)動(dòng)部分534 Y驅(qū)動(dòng)部分 C1～C5 電容器Cs 穩(wěn)定用電容器 CL1～CL5、CL10～CL15充電時(shí)鐘DSW1 放電晶體管 DSW2輸出放電晶體管NSW1～NSW5、PSW1～PSW4 MOS晶體管TC1～TC7 外部連接用端子
權(quán)利要求
1.一種升壓電路，其利用由電荷泵工作而積蓄在電容器上的電荷生成升壓電壓，其特征在于，包括第一晶體管～第N晶體管，其中，N為大于等于2的整數(shù)，用于進(jìn)行電荷泵工作，在所述第一晶體管的一端上提供第一電壓，而各晶體管被串聯(lián)連接；放電晶體管，其一端被提供所述第一電壓或大于所述第一電壓的第二電壓，而另一端連接在第(k-1)晶體管以及第k晶體管所連接的節(jié)點(diǎn)上，其中，k為大于等于2且小于等于N的整數(shù)，所述第一晶體管～第N晶體管形成在p型第一勢(shì)阱區(qū)～第N勢(shì)阱區(qū)，而所述p型第一勢(shì)阱區(qū)～第N勢(shì)阱區(qū)則設(shè)置在p型半導(dǎo)體襯底的n型勢(shì)阱區(qū)上，在所述n型勢(shì)阱區(qū)上，對(duì)所述第一勢(shì)阱區(qū)～第N勢(shì)阱區(qū)施加反向偏壓，所述第一勢(shì)阱區(qū)～第N勢(shì)阱區(qū)的各勢(shì)阱區(qū)，具有n型源區(qū)以及漏區(qū)，所述第一晶體管～第N晶體管的各柵極，通過(guò)絕緣膜設(shè)置在所述源區(qū)以及漏區(qū)之間的溝道區(qū)上，在所述第一勢(shì)阱區(qū)的漏區(qū)上提供所述第一電壓的同時(shí)，第(m-1)勢(shì)阱區(qū)的源區(qū)電連接在第m勢(shì)阱區(qū)的漏區(qū)，其中，2≤m≤N，m為整數(shù)，而所述第N勢(shì)阱區(qū)的源區(qū)電壓則作為所述升壓電壓輸出，在正常工作時(shí)，所述第k晶體管～第N晶體管被設(shè)置為導(dǎo)通狀態(tài)，而所述放電晶體管則被設(shè)置為非導(dǎo)通狀態(tài)，通過(guò)利用所述第一晶體管～第(k-1)晶體管的電荷泵工作生成所述升壓電壓，在放電工作時(shí)，所述第k晶體管～第N晶體管被設(shè)置為非導(dǎo)通狀態(tài)，而所述放電晶體管則被設(shè)置為導(dǎo)通狀態(tài)，而由第一勢(shì)阱區(qū)～第(k-1)勢(shì)阱區(qū)的各勢(shì)阱區(qū)、設(shè)置在該各勢(shì)阱區(qū)的各漏區(qū)以及由所述n型勢(shì)阱區(qū)形成的第一寄生雙極晶體管元件～第(k-1)寄生雙極晶體管元件，形成電流通路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的升壓電路，其特征在于，在所述第一晶體管的一端上提供所述第一電壓，在第一期間向第一電容器的一端上施加所述第一電壓，而所述第一電容器的另一端在第一期間內(nèi)具有所述第二電壓、在第二期間內(nèi)具有所述第一電壓，第i晶體管的一端連接在第(i-1)晶體管的一端上，而在所述第二期間第i電容器的一端則連接在第(i-1)電容器的一端上，所述第i電容器的另一端在所述第一期間內(nèi)具有所述第一電壓、在所述第二期間內(nèi)具有所述第二電壓，其中，2≤i≤N，N為大于等于3的整數(shù)，i為偶數(shù)，第j晶體管的一端連接在第(j-1)晶體管的一端上，而在所述第一期間第j電容器的一端則連接在第(j-1)電容器的一端上，所述第j電容器的另一端在所述第一期間內(nèi)具有所述第二電壓、在所述第二期間內(nèi)具有所述第一電壓，其中，3≤j≤N，j為奇數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的升壓電路，其特征在于，所述反向偏壓是在所述升壓電路中用到的電壓中的最高電壓。
4.一種升壓電路，其利用由電荷泵工作而積蓄在電容器上的電荷生成升壓電壓，其特征在于，包括第一晶體管～第N晶體管，其中，N為大于等于2的整數(shù)，用于進(jìn)行電荷泵工作，在所述第一晶體管的一端上提供第一電壓，而各晶體管則被串聯(lián)連接；放電晶體管，在其一端上提供所述第一電壓或大于所述第一電壓的第二電壓，而另一端則連接在第(k-1)以及第k晶體管所連接的節(jié)點(diǎn)上，其中，k為大于等于2且小于等于N的整數(shù)，所述第一晶體管～第N晶體管，形成在n型第一勢(shì)阱區(qū)～第N勢(shì)阱區(qū)，而所述n型第一勢(shì)阱區(qū)～第N勢(shì)阱區(qū)則設(shè)置在n型半導(dǎo)體襯底的p型勢(shì)阱區(qū)上，在所述p型勢(shì)阱區(qū)上，對(duì)所述第一勢(shì)阱區(qū)～第N勢(shì)阱區(qū)施加反向偏壓，所述第一勢(shì)阱區(qū)～第N勢(shì)阱區(qū)的各勢(shì)阱區(qū)，具有p型源區(qū)以及漏區(qū)，所述第一晶體管～第N晶體管的各柵極，通過(guò)絕緣膜被設(shè)置在所述源區(qū)以及漏區(qū)之間的溝道區(qū)上，在第一勢(shì)阱區(qū)的漏區(qū)上提供所述第一電壓的同時(shí)，第(m-1)勢(shì)阱區(qū)的源區(qū)電連接在第m勢(shì)阱區(qū)的漏區(qū)，而第N勢(shì)阱區(qū)的源區(qū)電壓則作為所述升壓電壓輸出，其中，2≤m≤N，m為整數(shù)，在正常工作時(shí)，第k晶體管～第N晶體管被設(shè)置為導(dǎo)通狀態(tài)，而所述放電晶體管則被設(shè)置為非導(dǎo)通狀態(tài)，通過(guò)利用第一晶體管～第(k-1)晶體管的電荷泵工作生成所述升壓電壓，在放電工作時(shí)，第k晶體管～第N晶體管被設(shè)置為非導(dǎo)通狀態(tài)，而所述放電晶體管則被設(shè)置為導(dǎo)通狀態(tài)，而由第一勢(shì)阱區(qū)～第(k-1)勢(shì)阱區(qū)的各勢(shì)阱區(qū)、設(shè)置在該各勢(shì)阱區(qū)的各漏區(qū)以及由所述p型勢(shì)阱區(qū)形成的第一寄生雙極晶體管元件～第(k-1)寄生雙極晶體管元件，形成電流通路。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的升壓電路，其特征在于k為N。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的升壓電路，其特征在于k為N。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的升壓電路，其特征在于，包括輸出放電晶體管，其設(shè)置在所述第N勢(shì)阱區(qū)和所述第一電壓或第二電壓之間，在正常工作時(shí)，所述輸出放電晶體管被設(shè)置為非導(dǎo)通狀態(tài)；在放電工作時(shí)，所述輸出放電晶體管被設(shè)置為導(dǎo)通狀態(tài)。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的升壓電路，其特征在于，包括輸出放電晶體管，其設(shè)置在所述第N勢(shì)阱區(qū)和所述第一電壓或第二電壓之間，在正常工作時(shí)，所述輸出放電晶體管被設(shè)置為非導(dǎo)通狀態(tài)；在放電工作時(shí)，所述輸出放電晶體管被設(shè)置為導(dǎo)通狀態(tài)。
9.一種電源電路，其特征在于，包括權(quán)利要求1所述的升壓電路；電壓極性翻轉(zhuǎn)電路，其以所述第一電壓以及第二電壓之間的電壓為基準(zhǔn)，使所述升壓電壓的極性翻轉(zhuǎn)。
10.一種電源電路，其特征在于，包括權(quán)利要求4所述的升壓電路；電壓極性翻轉(zhuǎn)電路，其以所述第一電壓以及第二電壓之間的電壓為基準(zhǔn)，使所述升壓電壓的極性翻轉(zhuǎn)。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的升壓電路，其特征在于所述第一電壓是施加在簡(jiǎn)單矩陣型液晶面板的段電極上的電壓中的一個(gè)；所述反向偏壓是施加在所述液晶面板的公共電極上的高電位側(cè)電壓以及低電位側(cè)電壓中的一個(gè)；以及所述升壓電壓是所述高電位側(cè)電壓以及所述低電位側(cè)電壓中的另一個(gè)。
12.一種液晶驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求9至11中任一項(xiàng)的電源電路；驅(qū)動(dòng)電路，利用所述第一電壓、所述反向偏壓、以及所述升壓電壓中的至少一個(gè)，驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單矩陣型液晶面板的段電極或公共電極。
全文摘要
提供一種升壓電路、電源電路以及液晶驅(qū)動(dòng)裝置，其可以以簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)快速地將積蓄在用于電荷泵工作的電容器上的電荷放掉。電荷泵電路(200)包括MOS晶體管NSW1～NSW5，在n型MOS晶體管NSW1的一端上提供系統(tǒng)接地電源電壓，而各晶體管則被串聯(lián)連接；放電晶體管DSW1，其一端上提供系統(tǒng)接地電源電壓GND，而另一端則連接在MOS晶體管NSW4、NSW5所連接的節(jié)點(diǎn)上，其可以由形成在p型半導(dǎo)體襯底上的三重勢(shì)阱結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)。在正常工作時(shí)，MOS晶體管NSW5被設(shè)定為導(dǎo)通，而放電晶體管DSW1則被設(shè)定為關(guān)閉。在放電工作時(shí)，MOS晶體管NSW5被設(shè)定為關(guān)閉，而放電晶體管DSW1則被設(shè)定為導(dǎo)通，由寄生雙極性晶體管元件形成電流通路。
文檔編號(hào)H01L27/04GK1641985SQ20051000230
公開(kāi)日2005年7月20日 申請(qǐng)日期2005年1月17日 優(yōu)先權(quán)日2004年1月15日
發(fā)明者西村元章 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社