專利名稱：微納米轉(zhuǎn)印裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種轉(zhuǎn)印裝置，特別是關(guān)于一種微納米轉(zhuǎn)印裝置。
背景技術(shù)：
在過去十幾年中，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在全球經(jīng)濟(jì)中扮演著非常重要的角色，借由半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展帶動了各類微機(jī)電產(chǎn)品的開發(fā)與應(yīng)用。然而，隨著各類產(chǎn)品加工線寬與線距逐漸縮小至100納米以下，現(xiàn)有的光學(xué)微影制程(Photo-lithography)已遇到光學(xué)成像的物理障礙，制程技術(shù)的難度以及生產(chǎn)設(shè)備的成本也因而倍增。同時，雖有人提出下一代微影技術(shù)(Next-generation lithography)，但這種技術(shù)仍有設(shè)備成本高以及產(chǎn)能低等問題。因此，目前廣受關(guān)注的微影加工技術(shù)，是不受光學(xué)微影繞射極限限制且具有微影分辨率高、制造速度快、生產(chǎn)成本低等特色的納米轉(zhuǎn)印微影術(shù)(Nanoimprint lithography，NIL)。
大致來說，在納米轉(zhuǎn)印技術(shù)的領(lǐng)域中，以熱壓成形以及紫外光硬化為當(dāng)前的技術(shù)主流。熱壓成形技術(shù)是利用高溫高壓將模具圖案轉(zhuǎn)印到已涂布有高分子材料的基板，紫外光硬化技術(shù)則是在常溫常壓下用紫外光照射將微結(jié)構(gòu)硬化成形。由于這兩種技術(shù)的成形技術(shù)與制程條件截然不同，所以在現(xiàn)有的裝置設(shè)計中大多是各自獨立的系統(tǒng)模塊。
例如，PCT專利第WO 2004/016406號案提出一種采用紫外光硬化技術(shù)的微納米轉(zhuǎn)印裝置，如圖4A以及圖4B所示。如圖4A所示，該微納米轉(zhuǎn)印裝置主要包括動力源301、壓印單元承架302、壓印單元303、紫外光模塊304、模具305、基板306、基板承座307、可動進(jìn)給平臺308以及平臺承座309。如圖4B所示，該壓印單元303具有自調(diào)機(jī)構(gòu)3031，由該自調(diào)機(jī)構(gòu)3031調(diào)整該模具305與該基板306間的平行度。該紫外光模塊304則包括紫外光源3041以及折射鏡片3042。
當(dāng)進(jìn)行轉(zhuǎn)印時，由該動力源301帶動該壓印單元303向下進(jìn)給，并令該模具305與該基板306接觸，其中，由該自調(diào)機(jī)構(gòu)3031調(diào)整該模具305與基板306間的平行度并保持平行。此時，由該紫外光模塊304的紫外光源3041提供適當(dāng)功率的紫外光能量，并通過該折射鏡片3042傳遞能量，將該模具305與該基板306間的成形材料硬化成形。
然而，由于這種微納米轉(zhuǎn)印裝置的動力源以及紫外光源是位于同一側(cè)，為避免光源與動力源以及諸如模具夾持機(jī)構(gòu)等構(gòu)件在配置上產(chǎn)生干涉，必須采用令光源由側(cè)向入光再通過該折射鏡片傳遞能量的復(fù)雜的光學(xué)機(jī)構(gòu)設(shè)計，才能使紫外光能量傳遞到成形材料。這樣，不僅使光源設(shè)計結(jié)構(gòu)復(fù)雜，裝置成本也呈現(xiàn)倍數(shù)增加。
同時，這種微納米轉(zhuǎn)印裝置僅可應(yīng)用在小面積的轉(zhuǎn)印制程，當(dāng)需要進(jìn)行大面積的轉(zhuǎn)印制程時，則需要周期性地重復(fù)轉(zhuǎn)印制程。因此，這種現(xiàn)有技術(shù)除了將延長制造產(chǎn)品所需的周期時間外，各周期之間的對位精度誤差更直接影響產(chǎn)品的優(yōu)良率。
另外，也有人提出可同時實施熱壓成形以及紫外光硬化制程的微納米轉(zhuǎn)印裝置，例如美國專利6,482,742號案。美國專利6,482,742號案提出一種流體壓力轉(zhuǎn)印微影裝置，如圖5A以及圖5B所示，該流體壓力轉(zhuǎn)印微影裝置包括密閉腔體401、形成于該密閉腔體401左右兩側(cè)的流體入口402、模具403、已涂布成形材料404的基板405、用于包住該模具403與該基板405的密封套406、設(shè)于該密閉腔體401內(nèi)部的加熱單元407以及設(shè)于該密閉腔體401頂側(cè)的可透光窗口408。
當(dāng)進(jìn)行轉(zhuǎn)印時，先由該密封套406將該模具403與該基板405包住后再置入該密閉腔體401內(nèi)部，由該加熱單元407將該基板405加熱至預(yù)定的成形溫度后，從各該流體入口402灌入流體(未標(biāo)出)對該模具403施壓，進(jìn)行熱壓成形制程。此外，當(dāng)流體對該模具403施壓時，也可令外部的紫外光源(未標(biāo)出)通過可透光窗口408對該基板405上的成形材料404照射，進(jìn)行紫外光硬化制程。借此，便可由兼具熱壓成形及紫外光硬化成形功能的設(shè)計進(jìn)行納米結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)印成形。
但是，應(yīng)用美國專利6,482,742號案的流體壓力轉(zhuǎn)印微影裝置時，必須耗費時間在更換系統(tǒng)模塊上，這勢必增加裝置成本。同時，由于轉(zhuǎn)印前需要先進(jìn)行模具與基板的堆棧以及密封，且在轉(zhuǎn)印成形后也必須除去密封套，解除密封狀態(tài)再進(jìn)行脫模。這樣，不僅轉(zhuǎn)印前后的處理成本提高且制程控制不連貫，延長成形周期，不利于量產(chǎn)。
此外，加設(shè)密封套的透光性通常較不佳，所以當(dāng)紫外光必須穿過可透光窗口再穿過該密封套時，紫外光能量會在傳遞過程中被吸收甚至形成散射。這樣，因為這種現(xiàn)有技術(shù)無法控制所提供的紫外光能量，且無法獲得均勻的轉(zhuǎn)印成品，影響到成形材料的成形品質(zhì)。
因此，由于上述現(xiàn)有技術(shù)具有光源設(shè)計機(jī)構(gòu)復(fù)雜、設(shè)備成本昂貴、轉(zhuǎn)印面積小、處理成本提高、制程控制不連貫、成形周期延長以及成形品質(zhì)難以控制等缺點，導(dǎo)致成本高、產(chǎn)能低、品質(zhì)不佳且不利于量產(chǎn)，所以存在急待改良之處。

發(fā)明內(nèi)容
為克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本發(fā)明的主要目的在于提出一種微納米轉(zhuǎn)印裝置，提供兼具不同轉(zhuǎn)印制程功能的同時，達(dá)到簡化結(jié)構(gòu)的效果。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種可一次完成大面積轉(zhuǎn)印的微納米轉(zhuǎn)印裝置，提高了產(chǎn)量。
本發(fā)明的再一目的在于提供一種可均勻地進(jìn)行轉(zhuǎn)印的微納米轉(zhuǎn)印裝置，提高了成形品質(zhì)。
本發(fā)明的又一目的在于提供一種微納米轉(zhuǎn)印裝置，降低裝置成本。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種微納米轉(zhuǎn)印裝置，縮短成形周期。
本發(fā)明的再一目的在于提供一種微納米轉(zhuǎn)印裝置，提供設(shè)計靈活性。
為達(dá)上述以及其它目的，本發(fā)明提供一種微納米轉(zhuǎn)印裝置，該微納米轉(zhuǎn)印裝置至少包括模具；基板，相對該模具而設(shè)置，至少具有一成形材料層；以及傳遞能量模塊，包括能量傳遞件以及至少一個能量源，由該能量傳遞件接設(shè)該基板或該模具，并使該能量源提供轉(zhuǎn)印能量到該基板或該模具，至少令部分轉(zhuǎn)印能量穿透該能量傳遞件到該基板或該模具，進(jìn)行轉(zhuǎn)印成形。
該模具特征結(jié)構(gòu)尺寸在100微米以下，且該模具可選擇為可透光模具。該基板相對該模具設(shè)置，并且該基板至少設(shè)有一個成形材料層。該基板是硅基板、玻璃基板或其它可透光基板。
在本發(fā)明中該微納米轉(zhuǎn)印裝置包括兩個該能量源。該能量源包括紫外光源和加熱源，且該紫外光源與該加熱源可設(shè)置在同一側(cè)或不同側(cè)。
本發(fā)明的微納米轉(zhuǎn)印裝置也可包括一個該能量源，該能量源可以是紫外光源或加熱源。
該紫外光源是波長在10×10-9米至400×10-9米范圍間的光源。該加熱源包括電磁波源、電熱加熱源、光輻射加熱源、感應(yīng)加熱源以及由上述一項以上的加熱源組成熱源中的一種。該電磁波源是頻率在300KHz至300GHz范圍間的加熱源。
該能量傳遞件則是能量可穿透材質(zhì)制成的結(jié)構(gòu)。該能量傳遞件是部分或完全可透光材質(zhì)制成的結(jié)構(gòu)。該能量傳遞件最好是選自由石英、玻璃、高分子以及陶瓷材料組成的組合中的一種。
綜上所述，由于本發(fā)明是以能量可穿透的能量傳遞件接設(shè)該基板或該模具，令該能量源可采用簡易的設(shè)置結(jié)構(gòu)進(jìn)行照射，避免了能量源與動力源以及諸如模具夾持機(jī)構(gòu)等構(gòu)件在配置上產(chǎn)生干涉。所以，應(yīng)用本發(fā)明可在提供兼具不同轉(zhuǎn)印制程功能的同時，簡化了微納米轉(zhuǎn)印裝置的結(jié)構(gòu)，借此解決上述現(xiàn)有技術(shù)的光源設(shè)計機(jī)構(gòu)復(fù)雜、設(shè)備成本昂貴、轉(zhuǎn)印面積小、處理成本提高、制程控制不連貫、成形周期延長以及成形品質(zhì)難以控制等缺點造成的成本高、產(chǎn)能低、品質(zhì)不佳且不利于量產(chǎn)等問題，可一次完成大面積轉(zhuǎn)印并均勻地進(jìn)行轉(zhuǎn)印，在提高產(chǎn)量、提高成形品質(zhì)、降低裝置成本、縮短成形周期的同時，使裝置的設(shè)計更具靈活性，提高了產(chǎn)業(yè)利用價值。


圖1是本發(fā)明的實施例1的微納米轉(zhuǎn)印裝置的示意圖；圖2是本發(fā)明的實施例2的微納米轉(zhuǎn)印裝置的示意圖；圖3是本發(fā)明的實施例3的微納米轉(zhuǎn)印裝置的示意圖；圖4A以及圖4B是PCT專利第WO 2004/016406號案的微納米轉(zhuǎn)印裝置的示意圖，其中，圖4A是整個微納米轉(zhuǎn)印裝置的結(jié)構(gòu)，圖4B是放大了顯示模具、基板以及密封套間的設(shè)置關(guān)系；以及圖5A以及圖5B是美國專利6,482,742號案的流體壓力轉(zhuǎn)印微影裝置的示意圖，其中，圖5A是整個流體壓力轉(zhuǎn)印微影裝置的結(jié)構(gòu)，圖5B是放大該裝置的光源設(shè)置機(jī)構(gòu)。
具體實施例方式
以下實施例是進(jìn)一步詳細(xì)說明本發(fā)明的觀點，但并非以任何觀點限制本發(fā)明的范疇。
實施例1圖1是按照本發(fā)明的微納米轉(zhuǎn)印裝置的實施例1繪制的。應(yīng)注意的是，本發(fā)明的微納米轉(zhuǎn)印裝置應(yīng)用在轉(zhuǎn)印納米級結(jié)構(gòu)，以下的實施例采用可制造諸如特征結(jié)構(gòu)尺寸在100微米以下納米結(jié)構(gòu)的微納米轉(zhuǎn)印裝置為例進(jìn)行說明，但并非以此為限者。由于現(xiàn)有的納米結(jié)構(gòu)均為適用對象，其結(jié)構(gòu)并未改變，所以為簡化起見，使本發(fā)明的特征及結(jié)構(gòu)更清晰易懂，在附圖中僅顯示與本發(fā)明直接關(guān)聯(lián)的結(jié)構(gòu)，其余部分略除。
如圖1所示，本實施例的微納米轉(zhuǎn)印裝置至少包括模具11、基板13以及傳遞能量模塊15。
該模具11特征結(jié)構(gòu)尺寸在100微米以下。該基板13相對該模具11而設(shè)置，并且該基板13至少具有一個成形材料層131，該基板可以是硅基板、玻璃基板或其它可透光基板。該傳遞能量模塊15包括能量傳遞件151以及兩個能量源153、155。該能量傳遞件151接設(shè)該基板13，且該能量傳遞件151是能量穿透材質(zhì)所制成的結(jié)構(gòu)。較佳地，該能量傳遞件151可選擇為部分透光或完全透光的材質(zhì)所制成的結(jié)構(gòu)。更佳地，該能量傳遞件151可例如是石英、玻璃、高分子、陶瓷或其它等效元件。該能量源153、155則可分別是紫外光源以及加熱源。
該模具11上方設(shè)有動力機(jī)構(gòu)17，該動力機(jī)構(gòu)17與動力源(未標(biāo)出)連接，向下進(jìn)給該動力機(jī)構(gòu)17以及該模具11。在本實施例中，該動力機(jī)構(gòu)17包括連接該動力源的保持件171、由該保持件171所保持并可接觸該模具11的施壓件173以及設(shè)在該保持件171內(nèi)并可接觸該施壓件173的均壓件175。本發(fā)明也可應(yīng)用其它可調(diào)整施加的高壓及/或常壓以均勻進(jìn)行轉(zhuǎn)印的其它動力機(jī)構(gòu)，非以本實施例為限。
當(dāng)進(jìn)行例如紫外光硬化制程時，可由該動力源帶動該動力機(jī)構(gòu)17向下進(jìn)給該動力機(jī)構(gòu)17以及該模具11壓抵到該基板13，令該模具11與該基板13上的成形材料層131完全接觸，且在該模具11與該成形材料層131之間產(chǎn)生適當(dāng)壓力后便立即停止進(jìn)給，并維持在保壓階段。此時，可由例如紫外光源的能量源153輸出適當(dāng)能量，該紫外光源可選擇波長在10×10-9米至400×10-9米范圍間的光源，但并非以此為限。這樣，便可通過接設(shè)該基板13的能量傳遞件151，將該能量源153提供的轉(zhuǎn)印能量傳遞到該基板13上的成形材料層131，對該成形材料層131進(jìn)行轉(zhuǎn)印成形制程。
當(dāng)進(jìn)行例如熱壓成形制程時，同樣可由該動力源帶動該動力機(jī)構(gòu)17向下進(jìn)給該動力機(jī)構(gòu)17以及該模具11壓抵到該基板13，令該模具11與該基板13上的成形材料層131完全接觸，且在該模具11與該成形材料層131之間產(chǎn)生適當(dāng)壓力后便立即停止進(jìn)給，并維持在保壓階段。不同于上述紫外光硬化制程的是，此時，可由例如加熱源的能量源155輸出適當(dāng)能量，其中，該加熱源例如是電磁波源、電熱加熱源、光輻射加熱源、感應(yīng)加熱源或其它等效的加熱源，裝置中的熱源可由上述一種以上的加熱源組成，輸出適當(dāng)?shù)哪芰?。?dāng)使用電磁波源時，則該電磁波源較佳是頻率在300KHz至300GHz范圍間的加熱源，但并非以此為限。這樣，便可通過接設(shè)該基板13的能量傳遞件151，將該能量源155提供的轉(zhuǎn)印能量傳遞到該基板13上的成形材料層131，對該成形材料層131進(jìn)行轉(zhuǎn)印成形制程。
由于紫外光硬化制程利用的常溫常壓制程條件以及熱壓成形制程利用的高溫高壓制程條件均為現(xiàn)有技術(shù)，故在此不再贅述。
同時，雖然本實施例中的能量源153、155是選擇設(shè)置在同一側(cè)且同時置于該能量傳遞件151下方，但在其它實施例中，也可另設(shè)一個切換機(jī)構(gòu)(未標(biāo)出)，由該切換機(jī)構(gòu)調(diào)整設(shè)在該能量傳遞件151下方的能量源153或能量源155，根據(jù)需要使用所需的能量源。而且，本實施例是選擇以承座157接設(shè)該能量傳遞件151，但設(shè)置該能量傳遞件151的結(jié)構(gòu)并非以此為限，只要不會干涉該能量源153、155進(jìn)行能量傳遞的結(jié)構(gòu)都適用于本發(fā)明。
此外，在本實施例中可使用可透光基板作為該基板13，使該能量傳遞件151傳遞的紫外光能量，由該基板13傳遞于該成形材料層131；但在其它實施例中，也可使用例如可透光模具的模具11，將該模具11與該基板13的設(shè)置位置對調(diào)，該能量傳遞件151傳遞的紫外光能量，便由該模具11傳遞于該成形材料層131。這樣，便可由該能量傳遞件151接設(shè)該基板13或該模具11，并使該能量源153或能量源155提供轉(zhuǎn)印能量到該基板13或該模具11，至少令部分轉(zhuǎn)印能量穿透該能量傳遞件151至該基板13或該模具11，進(jìn)行不同的轉(zhuǎn)印成形制程。
與光源設(shè)計機(jī)構(gòu)復(fù)雜、設(shè)備成本昂貴、轉(zhuǎn)印面積小、處理成本提高、制程控制不連貫、成形周期延長、且成形品質(zhì)難以控制的現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明能夠避免能量源與動力源以及諸如模具夾持機(jī)構(gòu)等構(gòu)件在配置上產(chǎn)生干涉，令能量可穿透的能量傳遞件可選擇接設(shè)該基板或該模具，且該能量源可采用簡易、彈性的配置結(jié)構(gòu)進(jìn)行照射，使本發(fā)明可采用簡化的結(jié)構(gòu)并兼具不同轉(zhuǎn)印制程功能。
同時，由于本發(fā)明不受現(xiàn)有技術(shù)光源由側(cè)向入光的限制，可一次完成大面積轉(zhuǎn)印，并且可通過施加適當(dāng)?shù)膲毫鶆虻剡M(jìn)行轉(zhuǎn)印，避免了使用密封套造成的處理成本高、制程控制不連貫以及成形周期延長等缺點，有利于量產(chǎn)。
此外，本發(fā)明的設(shè)計至少可滿足紫外光硬化制程以及熱壓成形制程所需的制程條件，除了可按照制程需要調(diào)整所需能量源而兼具不同轉(zhuǎn)印制程功能之外，更可互換基板與模具的相對設(shè)置位置，比現(xiàn)有技術(shù)更加靈活。
所以，應(yīng)用本發(fā)明可在提供兼具不同轉(zhuǎn)印制程功能的同時，簡化微納米轉(zhuǎn)印裝置的結(jié)構(gòu)，借此解決現(xiàn)有技術(shù)造成的種種問題，更能提高納米結(jié)構(gòu)產(chǎn)品的品質(zhì)，同時提高了裝置的產(chǎn)業(yè)利用價值。
實施例2圖2是按照本發(fā)明的微納米轉(zhuǎn)印裝置的實施例2繪制的。其中，與實施例1相同或近似的組件是以相同或近似的組件符號表示。
實施例2與實施例1最大不同之處在于，實施例1是使用兩個能量源設(shè)在同一側(cè)的傳遞能量模塊，實施例2則可形成兩個能量源設(shè)在不同側(cè)的傳遞能量模塊。
如圖2所示，本實施例的微納米轉(zhuǎn)印裝置至少包括模具11、基板13以及傳遞能量模塊15′。該傳遞能量模塊15′包括該能量傳遞件151、能量源153′以及能量源155′，該能量源153′可例如是紫外光源，該能量源155′則可以是可夾持該模具11的加熱源，并可將該能量源155′設(shè)置在該動力機(jī)構(gòu)17的保持件171，省略實施例1中接觸該模具11的施壓件173。
這樣，當(dāng)要進(jìn)行例如紫外光硬化制程時，可由例如設(shè)置在該能量傳遞件151下方的能量源153′輸出適當(dāng)能量，通過接設(shè)該基板13的能量傳遞件151，將該能量源153′提供的轉(zhuǎn)印能量傳遞到該基板13上的成形材料層131；當(dāng)要進(jìn)行例如熱壓成形制程時，則可由例如設(shè)置在該模具11上方的能量源155′輸出適當(dāng)能量，再通過接設(shè)該基板13的能量傳遞件151，將該能量源155′提供的轉(zhuǎn)印能量傳遞到該基板13上的成形材料層131。當(dāng)然，該模具11與該基板13的設(shè)置位置也可以互換，只要能夠?qū)⒛芰總鬟f到該成形材料層131，對該成形材料層131進(jìn)行轉(zhuǎn)印成形的結(jié)構(gòu)都適用于本發(fā)明。
實施例3圖3是按照本發(fā)明的微納米轉(zhuǎn)印裝置的實施例3繪制的。其中，與上述實施例相同或近似的組件以相同或近似的組件符號表示。
實施例3與實施例2最大不同之處在于，實施例2是將例如紫外光源的能量源153′設(shè)置在該能量傳遞件151下方，且例如加熱源的能量源155′設(shè)置在該模具11上方，實施例3則將實施例2該能量源153′與該能量源155′的設(shè)置位置互換。
如圖3所示，本實施例是將該傳遞能量模塊15′例如加熱源的能量源155′設(shè)置在該能量傳遞件151下方，且例如紫外光源的能量源153′設(shè)置在該模具11上方。此時，可使用例如可透光模具的模具11，供傳遞紫外光。當(dāng)然，也可將該模具11與該基板13的設(shè)置位置互換，并使用例如可透光基板的基板13用于傳遞紫外光。
由上可知，用能量可穿透的能量傳遞件接設(shè)可透光模具的模具或可透光基板的基板，不僅可進(jìn)行紫外光硬化制程并可采用較簡易的照射配置，且不生產(chǎn)產(chǎn)生現(xiàn)有技術(shù)中與動力源產(chǎn)生干涉的問題，更可進(jìn)行熱壓成形制程，提供兼具有熱壓與紫外光轉(zhuǎn)印成形的效果。同時，均壓件配合施壓件或可夾持模具的能量源，可一次完成大面積且均勻的轉(zhuǎn)印，不需要增加前、后處理所需的成本，也沒有延長成形周期的缺點。此外，該模具與該基板的設(shè)置位置以及不同能量源的設(shè)置位置可以互換，所以使用者可根據(jù)需求變化，且該變化并無困難。
綜上所述，本發(fā)明的微納米轉(zhuǎn)印裝置不僅在提供兼具不同轉(zhuǎn)印制程功能的同時，達(dá)到簡化結(jié)構(gòu)的效果，更可一次完成大面積轉(zhuǎn)印，提高了產(chǎn)量，且可均勻地進(jìn)行轉(zhuǎn)印提高了成形品質(zhì)，并借此降低裝置成本以及縮短成形周期。所以，本發(fā)明可解決現(xiàn)有技術(shù)的種種缺點，且本發(fā)明具有設(shè)計的靈活性，可有效提高產(chǎn)業(yè)利用價值。
權(quán)利要求
1.一種微納米轉(zhuǎn)印裝置，其特征在于，該裝置至少包括模具；基板，相對該模具而設(shè)置，至少具有一成形材料層；以及傳遞能量模塊，包括能量傳遞件以及至少一個能量源，由該能量傳遞件接設(shè)該基板或該模具，并使該能量源提供轉(zhuǎn)印能量到該基板或該模具，至少令部分轉(zhuǎn)印能量穿透該能量傳遞件到該基板或該模具，進(jìn)行轉(zhuǎn)印成形。
2.如權(quán)利要求1所述的微納米轉(zhuǎn)印裝置，其特征在于，該模具特征結(jié)構(gòu)尺寸在100微米以下。
3.如權(quán)利要求1所述的微納米轉(zhuǎn)印裝置，其特征在于，該模具是可透光模具。
4.如權(quán)利要求1所述的微納米轉(zhuǎn)印裝置，其特征在于，該基板是可透光基板。
5.如權(quán)利要求1所述的微納米轉(zhuǎn)印裝置，其特征在于，該基板是硅基板或玻璃基板。
6.如權(quán)利要求1所述的微納米轉(zhuǎn)印裝置，其特征在于，該裝置包括兩個該能量源。
7.如權(quán)利要求6所述的微納米轉(zhuǎn)印裝置，其特征在于，該能量源包括紫外光源和加熱源。
8.如權(quán)利要求7所述的微納米轉(zhuǎn)印裝置，其特征在于，該紫外光源波長在10×10-9米至400×10-9米范圍間的光源。
9.如權(quán)利要求7所述的微納米轉(zhuǎn)印裝置，其特征在于，該加熱源包括電磁波源、電熱加熱源、光輻射加熱源、感應(yīng)加熱源以及由上述一項以上的加熱源組成熱源中的一種。
10.如權(quán)利要求9所述的微納米轉(zhuǎn)印裝置，其特征在于，該電磁波源是頻率在300KHz至300GHz范圍間的加熱源。
11.如權(quán)利要求7所述的微納米轉(zhuǎn)印裝置，其特征在于，該紫外光源與該加熱源設(shè)置在同一側(cè)。
12.如權(quán)利要求7所述的微納米轉(zhuǎn)印裝置，其特征在于，該紫外光源與該加熱源設(shè)置在相對側(cè)。
13.如權(quán)利要求1所述的微納米轉(zhuǎn)印裝置，其特征在于，該裝置包括一個該能量源。
14.如權(quán)利要求13所述的微納米轉(zhuǎn)印裝置，其特征在于，該能量源是紫外光源。
15.如權(quán)利要求14所述的微納米轉(zhuǎn)印裝置，其特征在于，該紫外光源是波長在10×10-9米至400×10-9米范圍間的光源。
16.如權(quán)利要求13所述的微納米轉(zhuǎn)印裝置，其特征在于，該能量源是加熱源。
17.如權(quán)利要求16所述的微納米轉(zhuǎn)印裝置，其特征在于，該加熱源是選自由電磁波源、電熱加熱源、光輻射加熱源以及感應(yīng)加熱源組成組合中的至少一種。
18.如權(quán)利要求17所述的微納米轉(zhuǎn)印裝置，其特征在于，該電磁波源是頻率在300KHz至300GHz范圍間的加熱源。
19.如權(quán)利要求1所述的微納米轉(zhuǎn)印裝置，其特征在于，該能量傳遞件包括石英、玻璃、高分子以及陶瓷材料組成組合中的一種。
20.如權(quán)利要求1所述的微納米轉(zhuǎn)印裝置，其特征在于，該能量傳遞件是能量可穿透材質(zhì)制成的結(jié)構(gòu)。
21.如權(quán)利要求20所述的微納米轉(zhuǎn)印裝置，其特征在于，該能量傳遞件是可部分透光材質(zhì)制成的結(jié)構(gòu)。
22.如權(quán)利要求20所述的微納米轉(zhuǎn)印裝置，其特征在于，該能量傳遞件是可完全透光材質(zhì)制成的結(jié)構(gòu)。
全文摘要
一種微納米轉(zhuǎn)印裝置至少包括模具、基板以及傳遞能量模塊，該基板是相對該模具而設(shè)置并至少具有一成形材料層，該傳遞能量模塊包括能量傳遞件以及至少一個能量源，由該能量傳遞件接設(shè)該基板或該模具，使該能量源提供轉(zhuǎn)印能量至該基板或該模具，至少令部分轉(zhuǎn)印能量穿透該能量傳遞件至該基板或該模具，對該成形材料層進(jìn)行轉(zhuǎn)印成形；本發(fā)明的微納米轉(zhuǎn)印裝置能在提供兼具不同轉(zhuǎn)印制程功能的同時，達(dá)到簡化結(jié)構(gòu)的效果，并可一次完成大面積、均勻轉(zhuǎn)印，提高了產(chǎn)量和成形品質(zhì)，還可降低裝置成本，縮短成形周期，提供設(shè)計靈活性。
文檔編號H01L21/027GK1831644SQ20051005341
公開日2006年9月13日 申請日期2005年3月7日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月7日
發(fā)明者何侑倫, 陳來勝, 王維漢, 巫震華, 陳釧鋒, 陳守仁 申請人:財團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院