專利名稱：凸塊制作工藝及結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)一種凸塊(bump)制作工藝及結(jié)構(gòu)，特別是關(guān)于一種平坦化凸塊的制作工藝及結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
打線接合(wire bonding)、卷帶自動(dòng)接合(Tap Automatic Bonding；TAB)與覆晶(flip chip)接合是集成電路(IC)封裝的典型技術(shù)。一般而言，打線接合應(yīng)用在約300個(gè)接點(diǎn)以下的低密度連線封裝，TAB應(yīng)用的高連線密度封裝達(dá)到約600個(gè)接點(diǎn)，覆晶接合提供600個(gè)以上接點(diǎn)的更高連線密度封裝。使用覆晶接合的封裝必須先在IC的接合墊(bonding pad)上成長凸塊，以便在芯片貼合玻璃(Chip On Glass；COG)、芯片貼合電路板(ChipOn Board；COB)、芯片貼合膜片(Chip On Film；COF)或其它封裝程序中進(jìn)行壓合。為降低電信干擾、增加黏著性及導(dǎo)電性，一般凸塊多采用金的材質(zhì)，這使得凸塊的制作昂貴且困難，因此凸塊制作工藝與結(jié)構(gòu)成為封裝技術(shù)改良的重要課題。另一方面，封裝的密度及性能表現(xiàn)也限制了芯片的尺寸及性能表現(xiàn)。當(dāng)IC不斷地微縮，如果封裝的密度及性能表現(xiàn)無法跟著提高，例如凸塊的尺寸及節(jié)距受到局限，或者凸塊的傳導(dǎo)性能不夠好，那么封裝將成為芯片尺寸進(jìn)一步縮小的瓶頸。
圖1顯示已知的金凸塊結(jié)構(gòu)10，在基板12上的接合墊14被護(hù)層16覆蓋一部分，凸塊底層金屬(Under-Bump Metallization；UBM)18在接合墊14露出的接觸面及護(hù)層16上，金膜20與金凸塊22在UBM 18上。典型地，接合墊14的材質(zhì)為鋁，護(hù)層16包含一層二氧化硅24及一層氮化硅26、UBM18為鈦及鎢的疊層。金膜20以濺鍍法制作，其結(jié)晶粒子較細(xì)密，可增加金凸塊22與UBM18之間的黏著力，金凸塊22以電鍍法制作，其結(jié)晶粒子較大，硬度較高。由于護(hù)層16在接合墊14邊緣形成的階梯28，凸塊22的上表面邊緣也跟著形成階梯30。因此只有中心的凹陷區(qū)域32成為在壓合時(shí)的有效區(qū)域，此上表面的粗糙度h約為2μm。如果要得到足夠大的有效區(qū)域32，接合墊14必須較大，如果只增加凸塊22的寬度，如圖2所示，由于凸塊22的上表面不平坦，增加的區(qū)域34仍然是無效區(qū)域，有效區(qū)域32的尺寸并無改變。圖3顯示在基底12上有多個(gè)凸塊22的情況，接合墊14的寬度為w1，凸塊間隙為g，凸塊節(jié)距為p，凸塊22的寬度w2不大于接合墊14的寬度w1，因此，有效區(qū)域32與接合墊14比較起來是非常小的。為增加有效區(qū)域32，要求接合墊14較大，因此芯片的接點(diǎn)密度較低，芯片的尺寸也無法縮小。大的接合墊14也導(dǎo)致大的凸塊節(jié)距p，如果凸塊間隙g不變，要提高接點(diǎn)密度唯有縮小接合墊14，但是縮小接合墊14將造成有效區(qū)域32縮小，因此已知技術(shù)有無法克服的困難。
已知的凸塊制作工藝如圖4A至4E所示。在圖4A中，沉積厚度約1.2μm的護(hù)層16覆蓋在基板12的接合墊14上。在圖4B中，蝕刻護(hù)層16形成開口36以暴露接合墊14，于是在接合墊14的邊緣也跟著形成階梯38，當(dāng)護(hù)層16的厚度越厚，階梯38的高度就越高，開口36就越深。在圖4C中，沉積厚度約800埃的鈦/鎢作為UBM18，以及沉積厚度約800埃的金膜20，由于階梯38的緣故，隨之形成的階梯40更寬，當(dāng)UBM18的厚度越厚，凹陷42的寬度就越窄。圖案化UBM18與金膜20后如圖4D所示。在圖4E中，從金膜20成長厚度約17μm的金凸塊22。從前述工藝中顯示出，階梯38是無法避免的。因此最終必定得到較小面積的有效區(qū)域32，而且護(hù)層16越厚，粗糙度h就越大，UBM18越厚，有效區(qū)域32就越小。雖然IC工藝可將元件尺寸縮小，但是后段的封裝技術(shù)卻跟不上元件尺寸微縮的速度，因而限制了芯片的最小尺寸。
已知的凸塊結(jié)構(gòu)在壓合時(shí)也有缺點(diǎn)。參照?qǐng)D5的COG結(jié)構(gòu)44，在壓合凸塊22至玻璃基板46上的導(dǎo)線48時(shí)，兩者之間使用異方性導(dǎo)電膜(Anisotropic Conductive Film；ACF)50作為接口。ACF是一種含有導(dǎo)電粒子的膠狀聚乙醯，其導(dǎo)電粒子在壓合時(shí)受壓迫而在壓合方向上形成傳導(dǎo)路徑。由于凸塊22的表面粗糙度約2μm，因此ACF50中的導(dǎo)電粒子52的粒徑必須大于3μm才能在凸塊22與導(dǎo)線48之間獲得良好的傳導(dǎo)。然而，粒徑較大的導(dǎo)電粒子52導(dǎo)致在壓合時(shí)被擄獲在有效區(qū)域32內(nèi)的數(shù)量較少，因此接觸阻抗較大，壓合后的導(dǎo)電品質(zhì)較差。另一方面。在進(jìn)行壓合時(shí)，凸塊間隙54內(nèi)的導(dǎo)電粒子56因?yàn)榱捷^大容易擠壓變形而造成相鄰?fù)箟K22之間發(fā)生短路與漏電，造成壓合良率低。如果使用粒徑較小的導(dǎo)電粒子52，則無法提供凸塊22與導(dǎo)線48之間良好的連接，因此已知技術(shù)有無法克服的困難。隨著IC尺寸的縮小與高腳數(shù)(I/O count)的需求，IC的接合墊14也縮小，有效區(qū)域32因而縮小，造成壓合良率與壓合后的導(dǎo)電品質(zhì)降低。再者，覆晶封裝的一項(xiàng)天生的缺點(diǎn)是凸塊22邊緣區(qū)域58的機(jī)械強(qiáng)度較弱，容易因?yàn)闄M向的拉扯而破裂。然而，要在凸塊22表面得到較小的粗糙度h，必須減少階梯28的高度，因此護(hù)層16的厚度較薄，如此機(jī)械強(qiáng)度較弱的缺點(diǎn)也無法克服。
因此，一種改良的凸塊制作工藝及結(jié)構(gòu)是人們所期待的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的，在于提出一種平坦化凸塊制作工藝及結(jié)構(gòu)，以改善已知技術(shù)的種種缺點(diǎn)。
根據(jù)本發(fā)明，一種凸塊制作工藝包括形成一具有一平坦化表面的護(hù)層以覆蓋一基板上的一接合墊，形成一開口穿過該護(hù)層以暴露該接合墊的一接觸面，以及形成一凸塊在該接合墊的該接觸面及該護(hù)層的該平坦化表面上。
根據(jù)本發(fā)明，一種凸塊結(jié)構(gòu)包括一具有一平坦化表面的護(hù)層覆蓋一基板上的一接合墊的一部分，以及一凸塊接觸該接合墊未被該護(hù)層覆蓋的接觸面及該護(hù)層的該平坦化的表面。
較好的情況是，該護(hù)層包括硬度不同的多膜層堆疊。
較好的情況還有，該接觸面具有一狹長形狀。
由于該護(hù)層具有該平坦化表面的緣故，該接合墊可以縮小，該護(hù)層在該接合墊邊緣區(qū)域的機(jī)械強(qiáng)度增加，在壓合時(shí)，該凸塊具有較大的有效區(qū)域，異方性導(dǎo)電膜的選擇空間較大，凸塊間隙內(nèi)的短路及漏電機(jī)率降低，該凸塊的壓合良率及導(dǎo)電品質(zhì)提高。


圖1是已知金凸塊結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖2是加大圖1中的凸塊22后的示意圖；圖3是在基底12上有多個(gè)凸塊22的示意圖；圖4A至圖4E是已知的凸塊制作工藝；圖5是已知的COG結(jié)構(gòu)；圖6A及圖6B是本發(fā)明金凸塊結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖7A及圖7B是本發(fā)明金凸塊結(jié)構(gòu)的上視圖；圖8A至圖8G是本發(fā)明金凸塊制作工藝的第一實(shí)施例；圖9A至圖9D是本發(fā)明金凸塊制作工藝的第二實(shí)施例；圖10是本發(fā)明的COG結(jié)構(gòu)；以及圖11是增加護(hù)層厚度的金凸塊結(jié)構(gòu)。
主要元件符號(hào)說明10金凸塊結(jié)構(gòu)12基板14接合墊16護(hù)層18凸塊底層金屬
20金膜22金凸塊24二氧化硅26氮化硅28階梯30階梯32有效區(qū)域34無效區(qū)域36開口38階梯40階梯42凹陷44COG結(jié)構(gòu)46玻璃基板48導(dǎo)線50異方性導(dǎo)電膜52導(dǎo)電粒子54凸塊間隙56導(dǎo)電粒子58邊緣區(qū)域60金凸塊結(jié)構(gòu)62接合墊64護(hù)層66金凸塊68無效區(qū)域70有效區(qū)域
72接觸面74接觸面76膜層78平坦化表面80膜層82平坦化表面84開口86平坦化表面88GOG結(jié)構(gòu)90異方性導(dǎo)電膜92導(dǎo)電粒子94凸塊間隙96邊緣區(qū)域98膜層具體實(shí)施方式
根據(jù)本發(fā)明，一種金凸塊結(jié)構(gòu)60如圖6A及圖6B所示，其上視圖如圖7A及圖7B所示，圖6A是在X方向上的剖面圖、圖6B是在Y方向上的剖面圖。參照?qǐng)D6A及圖6B，在凸塊結(jié)構(gòu)60中，具有平坦化表面的護(hù)層64覆蓋在基板12的接合墊62上，UBM18及金膜20堆疊在接合墊62與護(hù)層64上，金凸塊66在金膜20上。接合墊62的材質(zhì)為鋁、鋁合金、或其他高度導(dǎo)電的金屬或合金。護(hù)層64包括一或多層二氧化硅、氮化硅或其它抗化性強(qiáng)的材料或其組合，以保護(hù)其下方基板12內(nèi)的電路。UBM18主要在保護(hù)接合墊62避免后續(xù)工藝中各種化學(xué)分子侵入接合墊62影響產(chǎn)品電性，同時(shí)提高金膜20與接合墊62之間的黏著性，在一實(shí)施例中，接合墊62為鋁，UBM18包含鈦和鎢，鈦在底層，與鋁有良好的共結(jié)面，鎢在上層，與金有良好的共結(jié)面。如圖6A所示，接合墊62在X方向上的寬度w1x遠(yuǎn)小于已知的接合墊，凸塊66在X方向上的寬度w2x也較小，因此凸塊節(jié)距p可以大幅縮小。然而在Y方向上，如圖6B所示，雖然接合墊62的寬度w1y也較已知的接合墊小，但是凸塊66的寬度w2y遠(yuǎn)大于接合墊62的寬度w1y。因?yàn)榻雍蠅|62較小，所以凸塊66上表面中心的凹陷區(qū)域68縮得更小，如果UBM18較厚的話，凹陷區(qū)域68可以完全消失。由于使用具有平坦化表面的護(hù)層64，因此凸塊66上表面大部分為平坦化的區(qū)域70，可供作為壓合時(shí)的有效區(qū)域。與已知的凸塊結(jié)構(gòu)10不同，凸塊66的有效區(qū)域70是在上表面的周圍，而非中心，也就是說，主要在護(hù)層64上方的區(qū)域。
圖7A進(jìn)一步顯示凸塊66與接合墊62的關(guān)系，為了比較，已知的凸塊22與接合墊14也顯示在圖7A的右側(cè)。在已知的凸塊結(jié)構(gòu)10中，接合墊14比凸塊22大，凸塊22為得到足夠的有效區(qū)域，接合墊14不能縮小。而在本發(fā)明的凸塊結(jié)構(gòu)60中，凸塊66可以比接合墊62大，因此接合墊62可以盡量縮小。在本發(fā)明的凸塊結(jié)構(gòu)60中，接合墊62露出供連接凸塊66的接觸面72具有狹長形狀。而在已知的凸塊結(jié)構(gòu)10中。接合墊14露出供連接凸塊22的接觸面74在X與Y方向上的寬度接近。圖7B是在基板12上形成高密度凸塊66的示意圖，凸塊66呈狹長條狀在Y方向上延伸。在X方向上，由于接合墊62可以縮小，因此凸塊66可以更緊密地排列，如果要增加凸塊66的平坦化區(qū)域70，可以通過增加其Y方向的寬度而達(dá)成。由于接合墊62可以縮小，因此在相同尺寸的IC中可以容納更多的凸塊66，提高IC的接點(diǎn)密度及腳數(shù)。
圖8A至圖8G是根據(jù)本發(fā)明的凸塊制作工藝。在圖8A中，沉積例如二氧化硅或氧化硅的膜層76約1000至1200埃覆蓋基板12上的接合墊62。以例如化學(xué)機(jī)械研磨法回蝕刻膜層76至留下約600至800埃的厚度，因而使其具有平坦化表面78，如圖8B所示。在圖8C中，在膜層76上沉積例如氮化硅或氮氧化硅的膜層80約300至500埃，由于膜層76的平坦化表面78，膜層80也具有平坦化表面82。膜層76及80作為圖6A中的護(hù)層64，較好的情況是，膜層80的材質(zhì)比膜層76硬，較軟的膜層76用來保護(hù)基板12及接合墊62的表面，較硬的膜層80用來抵抗外力。如圖8D所示，蝕刻膜層80及76形成開口84從平坦化表面82穿過膜層80及76，暴露接合墊62的接觸面72。在圖8E中，以濺鍍法沉積例如鈦及鎢約800埃作為UBM18在接合墊62的接觸面72及膜層80的表面82上，以濺鍍法沉積約800埃的金膜20在UBM18上。如圖8F所示，圖案化金膜20及UBM18。在圖8G中，以電鍍法從金膜20成長金凸塊66約15至20μm。由于在先前的步驟中形成具有平坦化表面的護(hù)層76及80，因此凸塊66上表面中心的凹陷68很小或沒有凹陷，大部分為平坦化的區(qū)域70。
圖9A至圖9D是根據(jù)本發(fā)明的另一凸塊制作工藝。在圖9A中，連續(xù)沉積膜層76及80覆蓋基板12上的接合墊62，較好的情況是，膜層80的材質(zhì)比膜層76硬，較軟的膜層76用來保護(hù)基板12及接合墊62的接觸面，較硬的膜層80用來抵抗外力，例如，膜層76包含二氧化硅或氧化硅，厚度約200至800埃，膜層80包含氮化硅或氮氧化硅，厚度約300至500埃。在圖9B中，以例如化學(xué)機(jī)械研磨法回蝕刻至膜層76及80的總厚度約600至1000埃的厚度，因而形成平坦化表面86。在圖9C中，形成開口84暴露接合墊62的接觸面72。在圖9D中，以濺鍍法沉積例如鈦及鎢約800埃作為UBM18在接合墊62的接觸面72及平坦化表面86上，以濺鍍法沉積約800埃的金膜20在UBM18上，圖案化金膜20及UBM18，以電鍍法從金膜20成長金凸塊66約15至20μm。由于在先前的步驟中形成的平坦化表面86，因此凸塊66上表面中心的凹陷68很小或沒有凹陷，大部分為平坦化的區(qū)域70。
在本發(fā)明的凸塊制作工藝中，因?yàn)槭褂镁哂衅教够砻娴淖o(hù)層64，所以UBM18在該平坦化表面上的面積可以遠(yuǎn)大于在接觸面72上的面積，得到很大的有效區(qū)域70，因此可以將接合墊62盡量縮小。
圖10顯示壓合凸塊66至玻璃基板46上的導(dǎo)線48的結(jié)構(gòu)88，與已知的COG結(jié)構(gòu)44不同，凸塊66提供壓合的有效區(qū)域是平坦化的區(qū)域70，由于沒有表面粗糙度的問題，因此ACF90中的導(dǎo)電粒子92的粒徑有較大的選擇空間，例如1至5μm，即使使用粒徑較小的導(dǎo)電粒子92依然可以獲得良好的導(dǎo)電品質(zhì)。因?yàn)橛行^(qū)域是平坦化的區(qū)域70，其面積較大，因此在壓合時(shí)有效區(qū)域70可以擄獲較多的導(dǎo)電粒子92，如果使用粒徑較小的導(dǎo)電粒子92，擄獲的數(shù)量更多，導(dǎo)電品質(zhì)更好。另一方面，如果使用粒徑較小的導(dǎo)電粒子92，在凸塊間隙94內(nèi)的導(dǎo)電粒子92受擠壓而發(fā)生短路或漏電的機(jī)率降低。再者，由于使用具有平坦化表面的護(hù)層64，因此凸塊66邊緣區(qū)域96的機(jī)械強(qiáng)度提高，較不易發(fā)生破裂。由于在凸塊結(jié)構(gòu)60中使用具有平坦化表面的護(hù)層64，因此其厚度不會(huì)受到局限，圖11是一示例，護(hù)層64包含膜層76、80及98，膜層76及98使用二氧化硅或氧化硅，膜層80使用氮化硅或氮氧化硅，并且膜層76、80及98的總厚度提高至1.2μm以上，因此增加機(jī)械強(qiáng)度。
權(quán)利要求
1.一種凸塊制作工藝，用來形成一凸塊電性連接至在一基板上的一接合墊，其特征在于，該工藝包括下列步驟形成一具有一平坦化表面的護(hù)層以覆蓋該接合墊；形成一開口穿過該護(hù)層以暴露該接合墊的一接觸面；以及形成該凸塊在該接合墊的該接觸面及該護(hù)層的該平坦化表面上。
2.如權(quán)利要求1所述的凸塊制作工藝，其特征在于，所述形成一具有一平坦化表面的護(hù)層的步驟包括下列步驟沉積一第一膜層覆蓋在該接合墊上；平坦化該第一膜層的一表面；以及沉積一第二膜層在該第一膜層上。
3.如權(quán)利要求2所述的凸塊制作工藝，其特征在于，所述第二膜層包括至少一層材料較該第一膜層硬。
4.如權(quán)利要求2所述的凸塊制作工藝，其特征在于，所述第一膜層包括二氧化硅或氧化硅，該第二膜層包括氮化硅或氮氧化硅。
5.如權(quán)利要求2所述的凸塊制作工藝，其特征在于，所述第一膜層包括二氧化硅或氧化硅，所述第二膜層包括氮化硅或氮氧化硅與二氧化硅或氧化硅的疊層。
6.如權(quán)利要求2所述的凸塊制作工藝，其特征在于，所述平坦化該第一膜層的一表面的步驟包括回蝕刻該第一膜層。
7.如權(quán)利要求6所述的凸塊制作工藝，其特征在于，所述回蝕刻該第一膜層的步驟包括化學(xué)機(jī)械研磨該第一膜層。
8.如權(quán)利要求1所述的凸塊制作工藝，其特征在于，所述形成一具有一平坦化表面的護(hù)層的步驟包括下列步驟沉積一疊層覆蓋在該接合墊上；以及平坦化該疊層的一表面。
9.如權(quán)利要求8所述的凸塊制作工藝，其特征在于，所述疊層包括一第一膜層；以及一第二膜層在該所述第一膜層上，該第二膜層較該第一膜層硬。
10.如權(quán)利要求9所述的凸塊制作工藝，其特征在于，所述第一膜層包括二氧化硅或氧化硅，所述第二膜層包括氮化硅或氮氧化硅。
11.如權(quán)利要求8所述的凸塊制作工藝，其特征在于，所述疊層包括一第一膜層；一第二膜層在該第一膜層上，該第二膜層較該第一膜層硬；以及一第三膜層在該第二膜層上，該第三膜層較該第二膜層軟。
12.如權(quán)利要求11所述的凸塊制作工藝，其特征在于，所述第一及第三膜層包括二氧化硅或氧化硅，所述第二膜層包括氮化硅或氮氧化硅。
13.如權(quán)利要求8所述的凸塊制作工藝，其特征在于，所述平坦化該疊層的一表面的步驟包括回蝕刻該疊層。
14.如權(quán)利要求13所述的凸塊制作工藝，其特征在于，所述回蝕刻該疊層的步驟包括化學(xué)機(jī)械研磨該疊層。
15.如權(quán)利要求1所述的凸塊制作工藝，其特征在于，所述開口在該接合墊的該接觸面上具有一狹長形狀。
16.如權(quán)利要求1所述的凸塊制作工藝，其特征在于，所述形成該凸塊在該接合墊的該接觸面及該護(hù)層的該平坦化表面上的步驟包括下列步驟形成一凸塊底層金屬在該接合墊的該接觸面上具有一第一面積及在該護(hù)層的該平坦化表面上具有一第二面積，該第二面積大于該第一面積；以及形成一導(dǎo)電凸塊接觸該凸塊底層金屬。
17.如權(quán)利要求16所述的凸塊制作工藝，其特征在于，所述形成一導(dǎo)電凸塊接觸該凸塊底層金屬的步驟包括下列步驟濺鍍一金膜在該凸塊底層金屬上；以及從該金膜成長一金凸塊。
18.如權(quán)利要求1所述的凸塊制作工藝，其特征在于，所述形成該凸塊在該接合墊的該接觸面及該護(hù)層的該平坦化表面上的步驟包括下列步驟形成一凸塊底層金屬在該接合墊的該接觸面及該護(hù)層的該平坦化表面上；以及形成一導(dǎo)電凸塊接觸該凸塊底層金屬，該導(dǎo)電凸塊在相對(duì)于該凸塊底層金屬的另一側(cè)具有一平坦化的表面。
19.如權(quán)利要求18所述的凸塊制作工藝，其特征在于，所述形成一導(dǎo)電凸塊接觸該凸塊底層金屬的步驟包括下列步驟濺鍍一金膜在該凸塊底層金屬上；以及從該金膜成長一金凸塊。
20.如權(quán)利要求1所述的凸塊制作工藝，其特征在于，所述導(dǎo)電凸塊的面積大于該接合墊的面積。
21.一種凸塊結(jié)構(gòu)，用來電性連接至在一基板上的一接合墊，其特征在于，該凸塊結(jié)構(gòu)包括一具有一平坦化表面的護(hù)層覆蓋該接合墊的一部分；以及一凸塊接觸該接合墊未被該護(hù)層覆蓋的接觸面及該護(hù)層的該平坦化的表面。
22.如權(quán)利要求21所述的凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述護(hù)層包括一具有一平坦化表面的第一膜層；以及一第二膜層在該第一膜層上。
23.如權(quán)利要求22所述的凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二膜層包括至少一層材料較該第一膜層硬。
24.如權(quán)利要求22所述的凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一膜層包括二氧化硅或氧化硅，所述第二膜層包括氮化硅或氮氧化硅。
25.如權(quán)利要求22所述的凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一膜層包括二氧化硅或氧化硅，所述第二膜層包括氮化硅或氮?dú)饣枧c二氧化硅或氧化硅的疊層。
26.如權(quán)利要求21所述的凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述護(hù)層包括一第一膜層；以及一具有該平坦化表面的第二膜層在該第一膜層上。
27.如權(quán)利要求26所述的凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二膜層包括至少一層材料較該第一膜層硬。
28.如權(quán)利要求26所述的凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一膜層包括二氧化硅或氧化硅，所述第二膜層包括氮化硅或氮氧化硅。
29.如權(quán)利要求26所述的凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一膜層包括二氧化硅或氧化硅，所述第二膜層包括氮化硅或氮氧化硅與二氧化硅或氧化硅的疊層。
30.如權(quán)利要求21所述的凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述護(hù)層包括二膜層夾一較該二膜層硬的膜層。
31.如權(quán)利要求21所述的凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述接合墊未被該護(hù)層覆蓋的該接觸面具有一狹長形狀。
32.如權(quán)利要求21所述的凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凸塊包括一凸塊底層金屬在該接合墊的未被該護(hù)層覆蓋的該接觸面上具有一第一面積及在該護(hù)層的該平坦化的表面上具有一第二面積，該第二面積大于該第一面積；以及一導(dǎo)電凸塊在該凸塊底層金屬上。
33.如權(quán)利要求32所述的凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電凸塊包括一金膜在該凸塊底層金屬上；以及一金凸塊在該金膜上。
34.如權(quán)利要求21所述的凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凸塊包括一凸塊底層金屬在該接合墊的未被該護(hù)層覆蓋的該接觸面及該護(hù)層的該平坦化的表面上；以及一導(dǎo)電凸塊接觸該凸塊底層金屬，該導(dǎo)電凸塊在相對(duì)于該凸塊底層金屬的另一側(cè)具有一平坦化的表面。
35.如權(quán)利要求21所述的凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電凸塊的面積大于該接合墊的面積。
36.一種凸塊壓合結(jié)構(gòu)，用來電性連接在一第一基板上的一接合墊與在一第二基板上的一導(dǎo)線，其特征在于，該凸塊壓合結(jié)構(gòu)包括一具有一平坦化表面的護(hù)層覆蓋該接合墊的一部分；一凸塊接觸該接合墊未被該護(hù)層覆蓋的接觸面及該護(hù)層的該平坦化的表面，該凸塊具有一平坦化的表面面對(duì)該護(hù)層的該平坦化的表面；以及許多導(dǎo)電粒子被壓迫于該凸塊的該平坦化的表面與該導(dǎo)線之間。
全文摘要
一種凸塊制作工藝及結(jié)構(gòu)，包括形成一具有一平坦化表面的護(hù)層覆蓋在一基板的一接合墊上，形成一開口穿過該護(hù)層暴露該接合墊的一接觸面，以及形成一凸塊在該接觸面及該平坦化表面上。由于該護(hù)層具有該平坦化表面的緣故，該接合墊可以縮小，該護(hù)層在該接合墊邊緣區(qū)域的機(jī)械強(qiáng)度增加，在壓合時(shí)，該凸塊具有較大的有效區(qū)域，異方性導(dǎo)電膜的選擇空間較大，凸塊間隙內(nèi)的短路及漏電機(jī)率降低，該凸塊的壓合良率及導(dǎo)電品質(zhì)提高。
文檔編號(hào)H01L21/60GK1862771SQ20051006910
公開日2006年11月15日 申請(qǐng)日期2005年5月10日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月10日
發(fā)明者胡鈞屏, 陳正中, 蔡建文, 李育青 申請(qǐng)人:義隆電子股份有限公司