專利名稱：平板顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請(qǐng)涉及平板顯示器及其制造方法，以及尤其涉及具有抗靜電結(jié)構(gòu)的平板顯示器及其制造方法。
背景技術(shù)：
通常，陰極射線管(CRT)已經(jīng)典型地用于電視機(jī)、測(cè)量儀表的監(jiān)視器、信息終端等。然而，由于其重量和尺寸，CRT不可能滿足體積小和重量輕的電子產(chǎn)品的需要。
具有體積小和重量輕特點(diǎn)的平板顯示器作為CRT的替代品已經(jīng)引起關(guān)注。平板顯示器裝置包括液晶顯示器(LCD)、有機(jī)電致發(fā)光顯示器(OLED)等。
通常平板顯示器可以包括薄膜晶體管(TFT)襯底，該薄膜晶體管襯底具有TFT和紅、綠和藍(lán)電致發(fā)光元件。
這樣的平板顯示器典型地通過TFT陣列工藝制造，陣列工藝包括形成用于施加像素信號(hào)的TFT；形成實(shí)現(xiàn)顏色的紅、綠和藍(lán)電致發(fā)光元件；和用來形成單位平板顯示器單元的切割。
單元切割工藝可以包括在形成電致發(fā)光元件后在TFT襯底上形成切割線的劃線工藝，和用來通過施加壓力沿切割線切割TFT襯底的斷開工藝。
制造平板顯示器的工藝主要可以在諸如玻璃襯底的絕緣襯底上進(jìn)行。由于當(dāng)襯底是絕緣體時(shí)，瞬時(shí)產(chǎn)生的電荷不能沿襯底電放電，所以玻璃襯底可以對(duì)靜電非常敏感。因此，靜電可以損傷絕緣層、TFT或在絕緣襯底上形成的電致發(fā)光元件。
靜電可以有很高的電壓和很低的電荷來局部惡化襯底。另外，在切割襯底的單元切割工藝中可以大量地產(chǎn)生靜電，而且大部分通過柵極線和數(shù)據(jù)線的焊墊部分引入，其中靜電可以惡化TFT溝道。
圖1是顯示傳統(tǒng)有機(jī)電致發(fā)光顯示器的TFT襯底的平面示意圖。
參考圖1，柵極線110和數(shù)據(jù)線120在絕緣襯底上彼此垂直形成。開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT(未示出)可以形成于像素區(qū)中，像素區(qū)由交叉的柵極線和數(shù)據(jù)線110、120界定。
抗靜電線130，可以稱為短路棒，連接多個(gè)柵極線110和數(shù)據(jù)線120，可以形成在襯底的邊緣，即，在柵極線110和數(shù)據(jù)線120的末端?？轨o電線130可以彼此電連接。
因此，柵極線110和數(shù)據(jù)線120可以一體地相互連接，并且當(dāng)從柵極線110或數(shù)據(jù)線120產(chǎn)生靜電時(shí)，它可以通過抗靜電線130電性放電。
隨平板顯示器變得更大，它們的襯底面積也增加了。因此，該更大的襯底面積可以產(chǎn)生具有相對(duì)大的電荷的靜電。當(dāng)產(chǎn)生如上所述的大電荷時(shí)，即使具有抗靜電線，靜電可以被引入TFT的溝道。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了具有抗靜電結(jié)構(gòu)的平板顯示器及其制造方法，該平板顯示器可以具有更有效的抗靜電功能。
本發(fā)明的其他特征將結(jié)合下面的描述闡述，并且部分從描述中會(huì)很明顯，或者可以通過實(shí)施本發(fā)明獲知。
本發(fā)明公開了一種平板顯示器，該顯示器包括多個(gè)柵極線和數(shù)據(jù)線，形成于襯底上；抗靜電線，最初耦合柵極線；和抗靜電電路，耦合數(shù)據(jù)線。在柵極線和鄰近柵極線之間的抗靜電線隨后通過一開口切開。
本發(fā)明還公開了制造平板顯示器的方法，該方法包括在第一絕緣層上形成柵極電極和抗靜電線；形成第二絕緣層，第二絕緣層具有暴露部分抗靜電線的開口；和形成導(dǎo)電層。當(dāng)構(gòu)圖導(dǎo)電層以形成源極和漏極電極時(shí)，通過開口暴露的抗靜電線部分被除去。
可以理解前述的一般描述和以下的詳細(xì)描述都是示范性的和說明性的，并且旨在提供如權(quán)利要求的本發(fā)明的進(jìn)一步的解釋。


附圖被包括來進(jìn)一步理解本發(fā)明，并且附圖被引入并稱為本說明書的一部分，

了本發(fā)明的實(shí)施例并和描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。
圖1是顯示傳統(tǒng)有機(jī)電致發(fā)光顯示器的TFT襯底的平面示意圖。
圖2是顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有抗靜電結(jié)構(gòu)的平板顯示器的TFT襯底的平面示意圖。
圖3是圖2中的各個(gè)柵極線之間的抗靜電線的放大圖。
圖4A、圖4B、圖4C、圖4D和圖4E是顯示根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的提供有抗靜電結(jié)構(gòu)的平板顯示器的制造工藝的截面圖。
具體實(shí)施例方式
在下文中，將參考附圖描述本發(fā)明的示范性實(shí)施例。
圖2是顯示根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的提供有抗靜電結(jié)構(gòu)的平板顯示器的TFT襯底的平面示意圖。
參考圖2，多個(gè)柵極線210和多個(gè)數(shù)據(jù)線220可以形成于發(fā)射區(qū)中并延伸到它的外圍。柵極線210可以在第一方向彼此平行形成，而數(shù)據(jù)線220可以在第二方向彼此平行形成，第二方向基本垂直于第一方向。
另外，數(shù)據(jù)線220可以耦合于發(fā)射區(qū)外圍的抗靜電電路240。抗靜電電路240可以防止制造平板顯示器的工藝期間產(chǎn)生靜電。
雖然未示出，開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT可以形成于像素區(qū)中，該像素區(qū)由柵極線210和數(shù)據(jù)線220界定。
抗靜電線230可以在發(fā)射區(qū)的外圍將柵極線210的末端彼此耦合，即，在發(fā)射區(qū)和焊墊部分之間的區(qū)域，從而防止抗靜電電路形成前的工藝期間產(chǎn)生靜電。
在一柵極線210和鄰近的柵極線210之間的抗靜電線230可以通過至少一點(diǎn)切開。
圖3是圖2中的各個(gè)柵極線之間的抗靜電線的放大圖。
參考圖3，抗靜電線320可以形成于一柵極線310和鄰近的柵極線310之間?？轨o電線320可以形成至少兩個(gè)平行線，并且通過開口330的方式通過至少一點(diǎn)切開抗靜電線320。用于切開抗靜電線的開口330可以比抗靜電線320寬。
當(dāng)形成抗靜電電路時(shí)，抗靜電線320可以被切開，因此將柵極線310彼此電隔離。
如上所述，即使切開抗靜電線320，抗靜電電路240也可以防止制造平板顯示器工藝期間產(chǎn)生靜電。
圖4A、圖4B、圖4C、圖4D和圖4E是顯示根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的具有抗靜電結(jié)構(gòu)的平板顯示器的制造工藝的截面圖。
參考圖4A，緩沖層410(擴(kuò)散勢(shì)壘)可以防止諸如來自絕緣襯底400的金屬離子的雜質(zhì)擴(kuò)散和滲透有源層(多晶硅)，可以通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)、低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)、濺射等方法在絕緣襯底400上沉積該緩沖層。
形成緩沖層410后，可以通過PECVD、LPCVD、濺射等方法在緩沖層410上沉積非晶硅。然后可以在真空爐中執(zhí)行脫氫工藝。但是，當(dāng)通過LPCVD或?yàn)R射沉積非晶硅時(shí)，可以不進(jìn)行脫氫工藝。
可以通過向非晶硅輻射高能量結(jié)晶非晶硅從而形成多晶硅(poly-Si)層?？梢酝ㄟ^準(zhǔn)分子激光器退火(ELA)、金屬誘導(dǎo)結(jié)晶(MIC)、金屬誘導(dǎo)橫向結(jié)晶(MILC)、連續(xù)橫向固化(SLS)或固相結(jié)晶(SPC)進(jìn)行結(jié)晶工藝。
形成poly-Si層后，可以構(gòu)圖該層以形成有源層420。
接著，可以在有源層420上沉積柵極絕緣層430，可以在柵絕緣層430上沉積導(dǎo)電金屬層并且構(gòu)圖該金屬層以形成柵極電極441。柵極電極441可以由至少一層導(dǎo)電層制成。例如，柵極電極441可以由MoW/AlNd雙導(dǎo)電層形成。
可以當(dāng)形成柵極電極441時(shí)形成抗靜電線445，并且抗靜電線445可以由和柵極電極441相同的材料制成?？轨o電線445可以防止平板顯示器制造的工藝期間產(chǎn)生靜電。
接著，利用柵極電極441作為掩?？梢栽谟性磳?20上摻雜有預(yù)定導(dǎo)電率的雜質(zhì)以形成源極和漏極區(qū)421和425。源極和漏極區(qū)421和425之間的有源層區(qū)作為TFT的溝道區(qū)域423。
參考圖4B，形成柵極電極441和抗靜電線445之后，可以在絕緣襯底400的整個(gè)表面上形成層間絕緣層450并且構(gòu)圖層間絕緣層450來形成接觸孔451和455，接觸孔451和455暴露部分的源極和漏極區(qū)421和425。
當(dāng)形成接觸孔451和455時(shí)也可以形成暴露抗靜電線445的開口457。另外，當(dāng)柵極電極441和抗靜電線445由至少兩層導(dǎo)電層制成時(shí)，可以蝕刻抗靜電線445的上部的至少一層導(dǎo)電層。例如，當(dāng)柵極電極441和抗靜電線445由MoW/AlNd的雙層導(dǎo)電層制成時(shí)，可以通過當(dāng)形成開口457時(shí)過度蝕刻除去MoW導(dǎo)電層。
開口457可以和抗靜電線445一樣寬，或比抗靜電線445寬。
開口457允許形成源極和漏極電極461和465期間除去抗靜電線445，從而電隔離各個(gè)柵極線。
參考圖4C，形成開口457與接觸孔451和455之后，可以在絕緣襯底400的整個(gè)表面上沉積導(dǎo)電材料以形成導(dǎo)電材料層460。
參考圖4D，然后可以蝕刻導(dǎo)電材料層460以形成源極和漏極電極461和465。
另外，當(dāng)形成源極和漏極電極461和465時(shí)，可以被完全蝕刻和除去抗靜電線445。
參考圖4E，然后可以在絕緣襯底400的整個(gè)表面上形成鈍化層470，且蝕刻鈍化層470以形成通孔475，該通孔475暴露部分源極電極461或漏極電極465。圖4E顯示暴露部分漏極電極465的通孔475。
接著，可以在鈍化層470上形成下電極480并通過通孔47下電極480耦合于漏極電極465。
雖然未示出，在下文中，可以執(zhí)行制造傳統(tǒng)的平板顯示器的工藝來形成平板顯示器。
如上所述，本發(fā)明提供了抗靜電電路和抗靜電線，其具有一種結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)允許制造平板顯示器的工藝期間柵極線通過切開被電隔離，而不需要除去抗靜電線的單獨(dú)步驟，因此執(zhí)行更有效的抗靜電功能。
本發(fā)明提供了一種具有抗靜電結(jié)構(gòu)的平板顯示器及其制造方法，通過包含具有自切開結(jié)構(gòu)的抗靜電線和抗靜電電路，執(zhí)行更有效的抗靜電功能，特別在大平板顯示器中。
在不脫離本發(fā)明精神和范圍的情況下，對(duì)本發(fā)明所作的各種變形和修改對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的。因此，本發(fā)明旨在覆蓋本發(fā)明變形和修改，如果這些變形和修改落在所附的權(quán)利要求和它們的等價(jià)物范圍內(nèi)。
本申請(qǐng)要求2004年3月9日提交的韓國專利申請(qǐng)NO.10-2004-0015940的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，其全部內(nèi)容引入作為參考。
權(quán)利要求
1.一種平板顯示器，包括；多個(gè)柵極線和多個(gè)數(shù)據(jù)線，形成于襯底上；抗靜電線，最初耦合所述柵極線；和抗靜電電路，耦合所述數(shù)據(jù)線，其中隨后通過開口切開在所述柵極線和鄰近柵極線之間的所述抗靜電線。
2.如權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中所述抗靜電線形成于發(fā)射區(qū)和焊墊部分之間的襯底區(qū)域。
3.如權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中所述抗靜電線包括至少兩條彼此平行的線。
4.如權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中所述開口比所述抗靜電線寬。
5.如權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中至少兩個(gè)開口切開所述柵極線和鄰近柵極線之間的抗靜電線。
6.一種制造平板顯示器的方法，包括在第一絕緣層上形成柵極電極和抗靜電線；形成第二絕緣層，所述第二絕緣層具有暴露部分抗靜電線的開口；形成導(dǎo)電層；和構(gòu)圖導(dǎo)電層以形成源極電極和漏極電極，同時(shí)除去通過所述開口暴露的部分抗靜電線。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述柵極電極和抗靜電線由雙導(dǎo)電層制成。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述雙導(dǎo)電層包括MoW層和AlNd層。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中在AlNd層上形成MoW層；和其中除去MoW層同時(shí)形成所述開口。
10.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述開口比所述抗靜電線寬。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中當(dāng)構(gòu)圖導(dǎo)電層時(shí)，除去所有通過所述開口暴露的抗靜電線。
12.如權(quán)利要求6所述的方法，還包括在所述第二絕緣層上形成導(dǎo)電層。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，還包括在襯底的發(fā)射區(qū)中形成有源層，所述襯底具有所述發(fā)射區(qū)和焊墊部分；在所述有源層中形成源極和漏極區(qū)；和在所述第二絕緣層中分別形成第一接觸孔和第二接觸孔，暴露部分所述源極區(qū)和漏極區(qū)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種具有抗靜電結(jié)構(gòu)的平板顯示器，該平板顯示器包括形成于絕緣襯底上的多個(gè)柵極線和數(shù)據(jù)線，所述襯底具有發(fā)射區(qū)和焊墊部分；最初耦合柵極線的抗靜電線和耦合數(shù)據(jù)線的抗靜電電路。在柵極線和鄰近柵極線之間的抗靜電線隨后被開口切開用于切開抗靜電線以電隔離各個(gè)柵極線。
文檔編號(hào)H01L21/00GK1737883SQ20051007176
公開日2006年2月22日 申請(qǐng)日期2005年3月9日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月9日
發(fā)明者金昌樹, 徐昌秀 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社