專利名稱：動態(tài)隨機存取存儲器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種存儲器及其制造方法，特別是涉及一種動態(tài)隨機存取存儲器及其制造方法。
背景技術(shù)：
電容器是動態(tài)隨機存取存儲器(dynamic random access memory，DRAM)中用來儲存數(shù)據(jù)的部分，每一個存儲單元(memory cell)的數(shù)據(jù)值即是由其電容器所帶的電荷來判讀。由于現(xiàn)代存儲單元的尺寸很小，為了增加電容器電容值以減少數(shù)據(jù)誤判的機會，并減少存儲單元數(shù)據(jù)的“刷新”(refresh)頻率而增加運作的效率，常見的方法是增加電容器下電極的表面積，通過表面積的增加來提供足夠的儲存電容。
圖1繪示為現(xiàn)有一種動態(tài)隨機存取存儲器中電容器與接觸窗插塞的剖面示意圖。請參照圖1，電容器126包括電極120、124以及電容介電層122。電容器126配置于介電層118與保護層116中，其中電極120與配置于介電層112中的接觸窗插塞114電連接。隨著最近動態(tài)隨機存取存儲器積集度的增加，動態(tài)隨機存取存儲器存儲單元電容器所具有的存儲單元尺寸與面積也相對地減小。因此，與電容器電連接的接觸窗插塞的表面積也因而縮小，以至于接觸面的電阻值提高以及電容器與接觸窗插塞之間電連接不佳。
因此，出現(xiàn)了另一種動態(tài)隨機存取存儲器結(jié)構(gòu)，其電容器與接觸窗插塞之間的接觸面積較上述動態(tài)隨機存取存儲器結(jié)構(gòu)為大。圖2繪示為現(xiàn)有另一種動態(tài)隨機存取存儲器中電容器與接觸窗插塞的剖面示意圖。請參照圖2，電容器226包括電極220、224以及電容介電層222。電容器226配置于介電層218與保護層216中，其中電極220與配置于介電層212中的接觸窗插塞214電連接。然而，此種結(jié)構(gòu)仍無法有效解決接觸面的電阻值過高以及電容器與接觸窗插塞之間電連接不佳的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是在提供一種新的接觸窗插塞結(jié)構(gòu)，其與現(xiàn)有技術(shù)中的接觸窗插塞結(jié)構(gòu)比較起來，與電容器的接觸面積較大，因此接觸面的電阻值較低以及電容器與接觸窗插塞之間電連接較佳。
本發(fā)明的再一目的是提供一種接觸窗插塞的制造方法，能夠制造出與電容器之間有較大接觸面積的接觸窗插塞。
本發(fā)明提出一種動態(tài)隨機存取存儲器，具有一基底、一第一介電層、一接觸窗插塞以及一電容器。第一介電層配置于基底上，且第一介電層具有一接觸窗開口。接觸窗插塞至少一部分位于接觸窗開口中，接觸窗插塞具有一第一部分與一第二部分，其中第二部分位于第一部分之上，且第二部分的寬度大于第一部分的寬度。電容器配置于第一介電層與接觸窗插塞上，與接觸窗插塞電連接。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的動態(tài)隨機存取存儲器，上述的接觸窗開口具有一第一開口以及位于第一開口下方的第二開口，且第一部分位于第一開口中，而第二部分位于第二開口中。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的動態(tài)隨機存取存儲器，上述的第二部分為正碗狀。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的動態(tài)隨機存取存儲器，上述的第一部分位于接觸窗開口中，而第二部分位于第一介電層上。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的動態(tài)隨機存取存儲器，上述的第二部分包括一導體間隙壁。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的動態(tài)隨機存取存儲器，上述的第二部分為反碗狀。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的動態(tài)隨機存取存儲器，上述的導體間隙壁的材料包括多晶硅。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的動態(tài)隨機存取存儲器，上述的接觸窗插塞的材料例如為多晶硅。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的動態(tài)隨機存取存儲器，上述的電容器例如為平面型電容器或堆棧型電容器。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的動態(tài)隨機存取存儲器，上述的堆棧型電容器的形式例如為盒(box)型、翅(fin)型或柱(cylinder)型。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的動態(tài)隨機存取存儲器，還可以于第一介電層與接觸窗插塞上配置有一第二介電層，且電容器配置于第二介電層中。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的動態(tài)隨機存取存儲器，上述的第二介電層的材料例如為硼磷四乙氧基硅烷(borophospho-tetra-ethyl-ortho-silicate，BPTEOS)。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的動態(tài)隨機存取存儲器，還可以于第一介電層與第二介電層之間配置有一保護層。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的動態(tài)隨機存取存儲器，上述的保護層的材料例如為氮化硅。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的動態(tài)隨機存取存儲器，上述的第一介電層例如為氧化硅。
本發(fā)明還提出一種動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法，首先，提供一基底。然后，于基底上形成第一介電層。再來，進行濕式蝕刻工藝，以于第一介電層中形成第一開口。接下來，于該第一開口中形成第二開口。然后，于第一開口與第二開口中形成接觸窗插塞。之后，于第一介電層與接觸窗插塞上形成電容器，與接觸窗插塞電連接。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法，上述的第一開口的形成方法例如先于第一介電層上形成圖案化的光致抗蝕劑層，再利用圖案化的光致抗蝕劑層為掩模，進行濕式蝕刻工藝。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法，上述的第一開口為正碗狀。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法，上述的第二開口的形成方法例如為利用圖案化的光致抗蝕劑層為掩模來進行干式蝕刻工藝。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法，上述的接觸窗插塞的形成方法例如是先于第一介電層上與第一開口、第二開口中沉積導電材料。然后，再去除第一介電層上的導電材料。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法，上述的去除第一介電層上的導電材料的方法例如為化學機械研磨工藝或回蝕刻工藝。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法，上述的導電材料的材料例如為多晶硅。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法，上述的電容器例如為平面型電容器或堆棧型電容器。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法，上述的堆棧型電容器的形式例如為盒型、翅型或柱型。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法，更可以于第一介電層與接觸窗插塞上形成第二介電層，且電容器形成于第二介電層中。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法，更可以于第一介電層與第二介電層之間形成保護層。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法，還可以于基底上形成一晶體管。
本發(fā)明再提出一種動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法，首先，提供一基底。然后，于基底上形成第一介電層。再來，于第一介電層中形成接觸窗開口。之后，于接觸窗開口中形成插塞。接下來，去除一部分的第一介電層以暴露出一部分的插塞。然后，于插塞的側(cè)壁上形成導體間隙壁。之后，于第一介電層、插塞與導體間隙壁上形成電容器，與插塞以及導體間隙壁電連接。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法，上述的插塞的形成方法例如是先于第一介電層上與接觸窗開口中沉積導電材料。然后，再去除第一介電層上的導電材料。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法，上述的去除第一介電層上的導電材料的方法例如為化學機械研磨工藝或回蝕刻工藝。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法，上述的導電材料的材料例如為多晶硅。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法，上述的導體間隙壁的形成方法例如是先于第一介電層與插塞上沉積導體材料層。然后，再進行蝕刻工藝，以去除部分的導體材料層并保留插塞側(cè)壁上的導體材料層。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法，上述的電容器例如為平面型電容器或堆棧型電容器。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法，上述的堆棧型電容器的形式例如為盒型、翅型或柱型。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法，還可以于第一介電層與插塞上形成第二介電層，且電容器形成于第二介電層中。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法，更可以于第一介電層與第二介電層之間形成保護層。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法，更可以于基底上形成一晶體管。
本發(fā)明因采用二種新的接觸窗插塞結(jié)構(gòu)，一種是與電容器之間具有更大接觸面積的接觸窗插塞，而另一種是在原本的接觸窗插塞的側(cè)壁上，形成導體間隙壁。因此，上述二種接觸窗插塞，在與電容器電連接時，較現(xiàn)有的動態(tài)隨機存取存儲器結(jié)構(gòu)大幅增加了接觸窗插塞與電容器的接觸面積，因此降低了接觸面的電阻值，而且可以使電容器與接觸窗插塞之間擁有較佳電連接。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合附圖作詳細說明如下。


圖1繪示為現(xiàn)有一種動態(tài)隨機存取存儲器中電容器與接觸窗插塞的剖面示意圖。
圖2繪示為現(xiàn)有另一種動態(tài)隨機存取存儲器中電容器與接觸窗插塞的剖面示意圖。
圖3繪示為依照本發(fā)明一優(yōu)選實施例的動態(tài)隨機存取存儲器的剖面示意圖。
圖4A至圖4E繪示為依照本發(fā)明一優(yōu)選實施例的動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法的流程剖面圖。
圖5繪示為依照本發(fā)明另一優(yōu)選實施例的動態(tài)隨機存取存儲器的剖面示意圖。
圖6A至圖6E繪示依照本發(fā)明另一優(yōu)選實施例的動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法的流程剖面圖。
簡單符號說明300、500動態(tài)隨機存取存儲器
302、400、502、600基底304、402、504、602柵極306、404、506、604柵介電層308、406、508、606源極/漏極區(qū)310、408、510、608晶體管112、118、212、218、312、318、410、424、512、518、610、624介電層114、214、314、420、514、616接觸窗插塞116、216、316、422、516、622保護層120、124、220、224、320、324、430、434、520、524、630、634電極122、222、322、432、522、632電容介電層126、226、326、436、526、636電容器315、317、412、414、428、626、628開口313、416、612接觸窗開口314a第一部分314b第二部分514a、616a插塞411圖案化的光致抗蝕劑層620導體間隙壁具體實施方式
以下以動態(tài)隨機存取存儲器中的柱型電容器動態(tài)隨機存取存儲器為實施例，對本發(fā)明做詳細的敘述，但并非用以限定本發(fā)明。此外，上述的柱型電容器亦可替換為其它形式的電容器。
圖3繪示為依照本發(fā)明一優(yōu)選實施例的動態(tài)隨機存取存儲器的剖面示意圖。請參照圖3，動態(tài)隨機存取存儲器300，包括基底302、晶體管310、介電層312與318、接觸窗插塞314、保護層316以及電容器326。其中，晶體管310包括柵極304、柵介電層306與源極/漏極區(qū)308，而電容器326包括電極320、324以及電容介電層322。此外，晶體管310配置于基底302上，介電層312配置于基底302與晶體管310上，接觸窗開口313具有開口315以及位于開口315下方的開口317，且開口315的寬度大于開口317的寬度。接觸窗插塞314包括第一部分314a與第二部分314b。第一部分314a位于開口317中，而第二部分314b位于開口315中呈正碗狀，且第二部分314b的寬度大于第一部分314a的寬度。其中，第一部分314a與源極/漏極區(qū)308電連接。保護層316配置于接觸窗插塞314上且暴露出一部分的介電層312與接觸窗插塞314，介電層318配置于保護層316上，而電容器326配置于介電層318與保護層316中且覆蓋一部分的介電層312與接觸窗插塞314，并與接觸窗插塞314電連接。
另外，在另一實施例中，上述電容器326結(jié)構(gòu)下的接觸窗插塞314可非直接接于源極/漏極區(qū)308上，而與其它元件結(jié)構(gòu)或者與他層元件結(jié)構(gòu)之間的一般插塞，例如自行對準接觸窗(SAC)結(jié)構(gòu)相接并電連接，本發(fā)明不限于此。
有關(guān)于動態(tài)隨機存取存儲器300中各膜層與元件的材料，將搭配其制造流程詳述于后。
圖4A至圖4E繪示為依照本發(fā)明一優(yōu)選實施例的動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法的流程剖面圖。請參照圖4A，首先，提供一基底400，基底400上已形成晶體管408，晶體管408包括柵極402、柵介電層404與源極/漏極區(qū)406。其中，基底400例如為半導體基底或玻璃基底。之后，再于基底400與晶體管408上形成介電層410。其中，介電層410例如為氧化硅。
然后，請參照圖4B，于介電層410中形成正碗狀的開口412。開口412的形成方法例如是先于介電層410上形成圖案化的光致抗蝕劑層411，再進行濕式性蝕刻。在一實施例中，介電層410的材料假設為氧化硅，則利用氫氟酸來進行濕式性蝕刻工藝。之后，請參照圖4C，利用上述圖案化的光致抗蝕劑層411為掩模，進行干式性蝕刻，以形成開口414，然后再去除圖案化的光致抗蝕劑層411。開口412與414即為接觸窗開口416，其暴露出位于下一層結(jié)構(gòu)，如源極/漏極區(qū)406。
接下來，請參照圖4D，先于介電層410上與接觸窗開口416中沉積導電材料層(未繪示)。接著，再去除介電層410上的導電材料層，如此便形成接觸窗插塞420，而此接觸窗插塞420即與下層的結(jié)構(gòu)，例如本實施例中的源極/漏極區(qū)406電連接。其中，去除介電層410上的導電材料的方法例如是使用化學機械研磨工藝或回蝕刻工藝。在本實施例中，導電材料層的材料例如為多晶硅。之后，再于介電層410與接觸窗插塞420上形成一層保護層422。其中，保護層422的材料例如為氮化硅，目的是用來作為之后進行蝕刻工藝時的蝕刻終止層。
再來，請參照圖4E，于保護層422上形成介電層424。其中，介電層424的材料例如為硼磷四乙氧基硅烷。然后，進行蝕刻工藝，將介電層424向下蝕刻至蝕刻終止層，即保護層422。接著，再去除暴露出的保護層422，形成開口428以暴露出一部分的接觸窗插塞420與介電層410。之后，于開口428中形成電容器436，此電容器436與接觸窗插塞420電連接。其中，電容器436例如為堆棧型電容器。在本實施例中，電容器436為柱型電容器，包括電極430、434以及電容介電層432。此外，電容器436可利用一般熟知的現(xiàn)有技術(shù)來制造，在此不另行敘述。
值得注意的是，上述的堆棧式電容器436以柱狀電容器來舉例說明，但并不表示適用于本發(fā)明的電容器只有上述的形式，除了可以是上述實施例所述的柱狀電容器之外，還可以是盒型、翅型等。此外，還可以在電極430的表面形成一層半球面晶粒(hemispherical grains，HSG)層(未繪示)，如此，可以增加電極430的表面積，以更佳地提高電容器的電容量。
圖5繪示為依照本發(fā)明一優(yōu)選實施例的動態(tài)隨機存取存儲器的剖面示意圖。請參照圖5，動態(tài)隨機存取存儲器500，包括基底502、晶體管510、介電層512與518、接觸窗插塞514、保護層516以及電容器526。其中，晶體管510包括柵極504、柵介電層506與源極/漏極區(qū)508，而電容器526包括電極520、524以及電容介電層522。另外，接觸窗插塞514包括導體間隙壁515與插塞514a。此外，晶體管510配置于基底502上，介電層512配置于基底502與晶體管510上，插塞514a配置于中并突出介電層512的表面，導體間隙壁515配置于介電層512上且位于插塞514a的側(cè)壁上，保護層516配置于介電層512、接觸窗插塞514上，且暴露出一部分的介電層512、接觸窗插塞514，介電層518配置于保護層516上，而電容器526配置于介電層518與保護層516中，與接觸窗插塞514電連接。另外，上述的接觸窗插塞514的插塞514a部分則與源極/漏極區(qū)508電連接。
同樣地，在另一實施例中，上述電容器526結(jié)構(gòu)下的接觸窗插塞514可非直接接于源極/漏極區(qū)508上，而與其它元件結(jié)構(gòu)或者與他層元件結(jié)構(gòu)之間的一般插塞，例如自行對準接觸窗結(jié)構(gòu)相接并電連接，本發(fā)明不限于此。
有關(guān)于動態(tài)隨機存取存儲器500中各膜層與元件的材料，將搭配其制造流程詳述于后。
圖6A至圖6E繪示依照本發(fā)明另一優(yōu)選實施例的動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法的流程剖面圖。請參照圖6A，首先，提供一基底600，基底600上已形成晶體管608，晶體管608包括柵極602、柵介電層604與源極/漏極區(qū)606。其中，基底600例如為半導體基底或玻璃基底。
接著，于基底600與晶體管608上形成介電層610。其中，介電層610例如為氧化硅。然后，于介電層610中形成接觸窗開口612以暴露出源極/漏極區(qū)606。在本實施例中，接觸窗開口612的形成方法例如是先于介電層610上形成圖案化的光致抗蝕劑層(未繪示)后，進行干式蝕刻工藝，再將圖案化的光致抗蝕劑層移除。
再來，請參照圖6B，于介電層610上與接觸窗開口612中沉積導電材料。接著，再去除介電層610上的導電材料，如此便形成插塞616a，此插塞616a與源極/漏極區(qū)606電連接。其中，去除介電層610上的導電材料的方法例如是使用化學機械研磨工藝或回蝕刻工藝。在本實施例中，導電材料的材料例如為多晶硅。接著，去除一部分的介電層610以暴露出一部分的插塞616a。其中，去除一部分的介電層610的方法例如為回蝕刻工藝。
然后，請同時參照圖6C，于插塞616a的側(cè)壁上形成導體間隙壁620。其中，導體間隙壁620的形成方法例如是先于介電層610與接觸窗插塞616上沉積導體材料層(未繪示)。然后，進行回蝕刻工藝，以去除部分的導體材料層并保留接觸窗插塞的側(cè)壁上的導體材料層。值得一提的是，在本實施例中，插塞616a與導體間隙壁620統(tǒng)稱為接觸窗插塞616。
之后，請參照圖6D，于介電層610、接觸窗插塞616上形成一層保護層622。其中，保護層622的材料例如為氮化硅，目的是用來作為之后進行蝕刻工藝時的蝕刻終止層。再來，于保護層622上形成介電層624。其中，介電層624的材料例如為硼磷四乙氧基硅烷。然后，進行蝕刻工藝，將介電層624向下蝕刻至蝕刻終止層，即保護層622，以形成開口626。
接著，請參照圖6E，去除暴露出的保護層622，形成開口628，以暴露出一部分的接觸窗插塞616與介電層610。之后于開口628中形成電容器636，此電容器636與接觸窗插塞616電連接。其中，電容器636例如為堆棧型電容器。在本實施例中，電容器636為柱型電容器，包括電極630、634以及電容介電層632。此外，電容器636亦可利用一般熟知的現(xiàn)有技術(shù)來制造，在此不另行敘述。
值得一提的是，適用于本發(fā)明的電容器除了堆棧式電容器外，也可以是平面型電容器。當動態(tài)隨機存取存儲器所使用的電容器為平面型電容器時，便不需要形成上述的保護層422、622以及介電層424、624，而直接于介電層410、610與接觸窗插塞420、616上形成平面型電容器。
綜上所述，本發(fā)明提出新的接觸窗插塞結(jié)構(gòu)及其制造方法。一是在形成接觸窗開口時，將現(xiàn)有技術(shù)中的蝕刻工藝分為二次進行，先形成一較大的開口，再于較大的開口中形成一較小的開口，再填入導電材料，以形成與電容器之間具有更大接觸面積的接觸窗插塞，而另一接觸窗插塞結(jié)構(gòu)是在現(xiàn)有的接觸窗插塞的側(cè)壁，加上導體間隙壁，使其在與電容器電連接時，通過導體間隙壁而增加與電容器之間的接觸面積。此二種接觸窗插塞皆可降低接觸面的電阻值，并且能夠使電容器與接觸窗插塞之間擁有較佳電連接。
雖然本發(fā)明以優(yōu)選實施例揭露如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍應當以后附的權(quán)利要求所界定者為準。
權(quán)利要求
1.一種動態(tài)隨機存取存儲器，包括一基底；一晶體管，配置于該基底上；一第一介電層，配置于該基底與該晶體管上，其中該第一介電層具有一接觸窗開口；一接觸窗插塞，該接觸窗插塞的至少一部分位于該接觸窗開口中，其中該接觸窗插塞具有一第一部分與一第二部分，其中該第二部分位于該第一部分之上，且該第二部分的寬度大于該第一部分的寬度；以及一電容器，配置于該第一介電層與該接觸窗插塞上，與該接觸窗插塞電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的動態(tài)隨機存取存儲器，其中該接觸窗開口具有一第一開口以及位于該第一開口下方的一第二開口，且該第一部分位于該第一開口中，而該第二部分位于該第二開口中。
3.如權(quán)利要求2所述的動態(tài)隨機存取存儲器，其中該第二部分為正碗狀。
4.如權(quán)利要求1所述的動態(tài)隨機存取存儲器，其中該第一部分位于該接觸窗開口中，而該第二部分位于該第一介電層上。
5.如權(quán)利要求4所述的動態(tài)隨機存取存儲器，其中該第二部分包括一導體間隙壁位于一插塞兩側(cè)。
6.如權(quán)利要求4所述的動態(tài)隨機存取存儲器，其中該第二部分為反碗狀。
7.如權(quán)利要求5所述的動態(tài)隨機存取存儲器，其中該導體間隙壁的材料包括多晶硅。
8.如權(quán)利要求1所述的動態(tài)隨機存取存儲器，其中該接觸窗插塞的材料包括多晶硅。
9.如權(quán)利要求1所述的動態(tài)隨機存取存儲器，其中該電容器包括平面型電容器或堆棧型電容器。
10.如權(quán)利要求9所述的動態(tài)隨機存取存儲器，其中該堆棧型電容器的形式包括盒型、翅型或柱型。
11.如權(quán)利要求10所述的動態(tài)隨機存取存儲器，還包括一第二介電層，配置于該第一介電層與該接觸窗插塞上，且該電容器配置于該第二介電層中。
12.如權(quán)利要求11所述的動態(tài)隨機存取存儲器，其中該第二介電層的材料包括硼磷四乙氧基硅烷。
13.如權(quán)利要求11所述的動態(tài)隨機存取存儲器，還包括一保護層，配置于該第一介電層與該第二介電層之間。
14.如權(quán)利要求13所述的動態(tài)隨機存取存儲器，其中該保護層的材料包括氮化硅。
15.如權(quán)利要求1所述的動態(tài)隨機存取存儲器，其中該第一介電層包括氧化硅。
16.一種動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法，包括提供一基底；于該基底上形成一第一介電層；進行一濕式蝕刻工藝，以于該第一介電層中形成一第一開口；于該第一開口中形成一第二開口；于該第一開口與該第二開口中形成一接觸窗插塞；以及于該第一介電層與該接觸窗插塞上形成一電容器，與該接觸窗插塞電連接。
17.如權(quán)利要求16所述的動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法，其中該第一開口的形成方法包括于該第一介電層上形成一圖案化的光致抗蝕劑層；利用該圖案化的光致抗蝕劑層為掩模，進行該濕式蝕刻工藝。
18.如權(quán)利要求17所述的動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法，其中該第一開口為正碗狀。
19.如權(quán)利要求17所述的動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法，其中該第二開口的形成方法包括利用該圖案化的光致抗蝕劑層為掩模來進行干式蝕刻工藝。
20.如權(quán)利要求16所述的動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法，該接觸窗插塞的形成方法包括于該第一介電層上與該第一開口、第二開口中沉積一導電材料；以及去除該第一介電層上的該導電材料。
21.如權(quán)利要求20所述的動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法，其中去除該第一介電層上的該導電材料的方法包括化學機械研磨工藝或回蝕刻工藝。
22.如權(quán)利要求20所述的動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法，其中該導電材料的材料包括多晶硅。
23.如權(quán)利要求16所述的動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法，其中該電容器包括平面型電容器或堆棧型電容器。
24.如權(quán)利要求23所述的動態(tài)隨機存取存儲器，其中該堆棧型電容器的形式包括盒型、翅型或柱型。
25.如權(quán)利要求24所述的動態(tài)隨機存取存儲器，還包括于該第一介電層與該接觸窗插塞上形成一第二介電層，且該電容器形成于該第二介電層中。
26.如權(quán)利要求25所述的動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法，還包括于該第一介電層與該第二介電層之間形成一保護層。
27.如權(quán)利要求16所述的動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法，還包括于該基底上形成一晶體管。
28.一種動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法，包括提供一基底；于該基底上形成一第一介電層；于該第一介電層中形成一接觸窗開口；于該接觸窗開口中形成一插塞；去除一部分的該第一介電層以暴露出一部分的該插塞；于該插塞的側(cè)壁上形成一導體間隙壁；以及于該第一介電層、該插塞與該導體間隙壁上形成一電容器，與該插塞與該導體間隙壁電連接。
29.如權(quán)利要求28所述的動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法，該插塞的形成方法包括于該第一介電層上與該接觸窗開口中沉積一導電材料；以及去除該第一介電層上的該導電材料。
30.如權(quán)利要求29所述的動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法，其中去除該第一介電層上的該導電材料的方法包括化學機械研磨工藝或回蝕刻工藝。
31.如權(quán)利要求28所述的動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法，其中該插塞與該導體間隙壁的材料包括多晶硅。
32.如權(quán)利要求28所述的動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法，其中該導體間隙壁的形成方法，包括于該第一介電層與該插塞上沉積一導體材料層；以及進行蝕刻工藝，以去除部分的該導體材料層并保留該插塞的側(cè)壁上的該導體材料層。
33.如權(quán)利要求28所述的動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法，其中該電容器包括平面型電容器或堆棧型電容器。
34.如權(quán)利要求33所述的動態(tài)隨機存取存儲器，其中該堆棧型電容器的形式包括盒型、翅型或柱型。
35.如權(quán)利要求34所述的動態(tài)隨機存取存儲器，還包括于該第一介電層與該插塞上形成一第二介電層，且該電容器形成于該第二介電層中。
36.如權(quán)利要求35所述的動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法，還包括于該第一介電層與該第二介電層之間形成一保護層。
37.如權(quán)利要求28所述的動態(tài)隨機存取存儲器的制造方法，還包括于該基底上形成一晶體管。
全文摘要
一種動態(tài)隨機存取存儲器，具有一基底、一介電層、一接觸窗插塞以及一電容器。介電層配置于基底上，且介電層具有一接觸窗開口。接觸窗插塞具有一第一部分與一第二部分，其中第一部分位于該接觸窗開口中，而第二部分位于第一部分之上，可位于接觸窗開口中或者突出于接觸窗開口，且第二部分的寬度大于第一部分的寬度。電容器配置于介電層與接觸窗插塞上，與接觸窗插塞電連接。
文檔編號H01L21/8242GK1917211SQ200510092038
公開日2007年2月21日 申請日期2005年8月16日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月16日
發(fā)明者黃承漢, 游弼惠, 徐子安 申請人:力晶半導體股份有限公司