專利名稱:堆棧式對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與光刻工藝對(duì)準(zhǔn)方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種集成電路元件與光刻工藝,特別是涉及一種堆棧式對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與光刻工藝對(duì)準(zhǔn)方法。
背景技術(shù):
光刻(photolithography),是制造半導(dǎo)體元件成敗與否的關(guān)鍵步驟,故其在半導(dǎo)體工藝中,占著舉足輕重的地位。以一般制作元件的工藝為例,通常一個(gè)產(chǎn)品依其復(fù)雜性的不同,所需要的光刻工藝約在10至18次左右。為使光掩模的圖案能正確的轉(zhuǎn)移到芯片上,在半導(dǎo)體工藝中,每一次執(zhí)行光刻工藝的光致抗蝕劑曝光步驟之前,必須先做好各層之間的對(duì)準(zhǔn)工作,以避免不當(dāng)?shù)膱D案轉(zhuǎn)移,而導(dǎo)致整個(gè)芯片報(bào)廢。
在半導(dǎo)體工藝中,芯片對(duì)準(zhǔn)的方法是在欲形成半導(dǎo)體元件的芯片上形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(alignment mark),以在進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)時(shí)形成入射光的散射場(scatteringsite)或繞射邊緣(diffraction edge)。然后,提供光源以照射于整個(gè)芯片時(shí),投射在對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記上的光所產(chǎn)生的繞射圖形可以反射至對(duì)準(zhǔn)感應(yīng)器(alignmentsensor),或是第一階繞射干涉儀對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)(first order diffraction interferometeralignment system),而達(dá)到對(duì)準(zhǔn)的目的。
但是,在半導(dǎo)體工藝中,層與層之間的對(duì)準(zhǔn)仍有一些問題存在。舉例來說,對(duì)位于基底上的一層介電層中的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)時(shí),因?yàn)樵趯?duì)準(zhǔn)標(biāo)記下方也具有介電層,所以穿過對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的光線有部分會(huì)繼續(xù)穿透下層的介電層,而無法將光線反射到對(duì)準(zhǔn)感應(yīng)器。如此一來,上述進(jìn)行的對(duì)準(zhǔn)操作會(huì)具有較差的對(duì)準(zhǔn)度,意即在對(duì)準(zhǔn)時(shí)容易造成較大的誤差(misalignment),而影響層與層間迭對(duì)的精確度。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明的目的就是在提供一種堆棧式對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記,能夠增加由光產(chǎn)生的建設(shè)性干涉,提供較強(qiáng)的光信號(hào)強(qiáng)度,而提高對(duì)準(zhǔn)的準(zhǔn)確度。
本發(fā)明的另一目的是提供一種光刻工藝對(duì)準(zhǔn)方法,能夠提供較強(qiáng)的光信號(hào)強(qiáng)度,以提高對(duì)準(zhǔn)的準(zhǔn)確度。
本發(fā)明提出一種堆棧式對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記,其包括第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記是配置于第一膜層中,其是由多個(gè)第一導(dǎo)線所構(gòu)成,而第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記是配置于第二膜層中,且第二膜層位于第一膜層下。其中,第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記形成于相對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi),且第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記至少包括對(duì)應(yīng)于相鄰二第一導(dǎo)線間隙的區(qū)域。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例所述,上述的第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記包括由多個(gè)第二導(dǎo)線所構(gòu)成。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述,上述的第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記還包括由一窗形導(dǎo)體結(jié)構(gòu)所構(gòu)成。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述,上述的第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記還包括由一矩形導(dǎo)體結(jié)構(gòu)所構(gòu)成。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述,上述的第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的材料例如是鋁、鎢、銅及其合金。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述,上述的第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的材料例如是鋁、鎢、銅及其合金。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述,上述的第一膜層的材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其它介電材料。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述,上述的第二膜層的材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其它介電材料。
本發(fā)明還提出一種光刻工藝對(duì)準(zhǔn)方法,適用于一內(nèi)連線工藝中對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形成。光刻工藝對(duì)準(zhǔn)方法先提供一基底,其具有一元件區(qū)以及一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)。然后,于基底上形成第一膜層,并移除部分第一膜層,以于對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)的第一膜層中形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記圖案。接著,于對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記圖案中填入第一導(dǎo)體材料層,以形成第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。之后,于第一膜層上形成第二膜層,并移除部分第二膜層,以于元件區(qū)的第二膜層中形成多個(gè)第一開口,并且于對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)的第二膜層中形成多個(gè)第二開口。繼之,于第一開口與第二開口中填入第二導(dǎo)體材料層,以分別于元件區(qū)形成多個(gè)第一導(dǎo)線,以及于對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)形成多個(gè)第二導(dǎo)線,以作為第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。其中,第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記形成于相對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi),且第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記至少包括對(duì)應(yīng)于相鄰二第二導(dǎo)線間隙的區(qū)域。然后,于第二膜層上依序形成第三膜層與硬掩模層。隨后,移除部分元件區(qū)的掩模層與第三膜層,于第一導(dǎo)線上的硬掩模層與第三膜層中形成多個(gè)介層窗開口。接著,于介層窗開口中填入第三導(dǎo)體材料層。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述,上述的第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記包括由多個(gè)第三導(dǎo)線所構(gòu)成。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述,上述的第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記還包括由一窗形導(dǎo)體結(jié)構(gòu)所構(gòu)成。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述,上述的第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記還包括由一矩形導(dǎo)體結(jié)構(gòu)所構(gòu)成。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述,上述的硬掩模層的材料例如是一耐熱金屬氮化物。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述,上述的耐熱金屬氮化物例如是氮化鈦(TiN)、氮化鉭(TaN)或氮化鎢(WN)。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述,上述的第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的材料例如是鋁、鎢、銅及其合金。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述,上述的第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的材料例如是鋁、鎢、銅及其合金。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述,上述的第一膜層的材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其它介電材料。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述,上述的第二膜層的材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其它介電材料。
依照本發(fā)明的實(shí)施例所述,上述的第三膜層的材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其它介電材料。
本發(fā)明的堆棧式對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記形成于二膜層的對(duì)應(yīng)的區(qū)域中,因此可有效節(jié)省芯片的使用面積。另一方面,由于堆棧式對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可避免于對(duì)準(zhǔn)時(shí)產(chǎn)生漏光的問題,且可具有較強(qiáng)的光信號(hào)強(qiáng)度,因此可提高對(duì)準(zhǔn)的準(zhǔn)確度。特別是,因?yàn)橛惭谀訒?huì)吸收光以及阻擋光線,因此在進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)時(shí),硬掩模層會(huì)將對(duì)準(zhǔn)所產(chǎn)生的光信號(hào)反射掉,而影響到對(duì)準(zhǔn)的準(zhǔn)確度。但是,本發(fā)明的堆棧式對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記有助于對(duì)準(zhǔn)時(shí)具有較強(qiáng)的光信號(hào)強(qiáng)度,所以能夠有效改善上述的問題。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂,以下配合附圖以及優(yōu)選實(shí)施例,以更詳細(xì)地說明本發(fā)明。
圖1A至圖1C為依照本發(fā)明實(shí)施例所繪示的堆棧式對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2A至圖2E所繪示為將本發(fā)明的堆棧式對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記應(yīng)用于內(nèi)連線工藝的流程剖面圖。
簡單符號(hào)說明100、110、206、210、222膜層102、112區(qū)域104、114、208、220對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記106、116、216、218導(dǎo)線118窗形導(dǎo)體結(jié)構(gòu)120矩形導(dǎo)體結(jié)構(gòu)122寬度124間距200基底202元件區(qū)204對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)212、214開口224硬掩模層226介層窗開口228介層窗具體實(shí)施方式
圖1A至圖1C為依照本發(fā)明實(shí)施例所繪示的堆棧式對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的結(jié)構(gòu)示意圖。
堆棧式對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記是形成于半導(dǎo)體基底上方的二膜層中,其是分別在上下兩膜層的對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi)形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記圖案,并在對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記圖案內(nèi)填入導(dǎo)體材料,以形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。其中,上方膜層中的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記是由多個(gè)導(dǎo)線所構(gòu)成,而下方膜層中的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記至少包括對(duì)應(yīng)于相鄰二個(gè)上方膜層中的導(dǎo)線間隙的區(qū)域。
在圖1A至圖1C中所繪示的示意圖并未標(biāo)示出半導(dǎo)體基底的結(jié)構(gòu),僅繪示出二膜層中的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
請(qǐng)參照?qǐng)D1A,堆棧式對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記包括對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記104與對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記114。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記104配置于膜層100中,其中對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記104是由多個(gè)導(dǎo)線106所構(gòu)成。上述膜層100的材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其它介電材料。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記104的材料例如是鋁、鎢、銅及其合金,或是其它具有可反光的材料。另外,對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記114配置于膜層110中,而膜層110位于膜層100下。上述膜層110的材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其它介電材料。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記114的材料例如是鋁、鎢、銅及其合金,或是其它具有可反光的材料。而且,對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記104與對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記114形成于相對(duì)應(yīng)的區(qū)域102、112內(nèi)。其中,對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記114例如是由多個(gè)導(dǎo)線116所構(gòu)成,且導(dǎo)線116與導(dǎo)線106的位置剛好互相交錯(cuò)。
在上述實(shí)施例中,以導(dǎo)線116與導(dǎo)線106的尺寸相同,且導(dǎo)線116的寬度122等于相鄰二導(dǎo)線106的間距120為例做說明,但是本發(fā)明不限于此。若導(dǎo)線116與導(dǎo)線106的尺寸相同,則導(dǎo)線116的寬度122可大于相鄰二導(dǎo)線106的間距124。另外,導(dǎo)線116與導(dǎo)線106的尺寸也可不同,只要膜層110中的導(dǎo)線116能夠至少包括相鄰二導(dǎo)線106間隙的區(qū)域即可。
請(qǐng)參照?qǐng)D1B,堆棧式對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記包括對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記104與對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記114。其中,對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記104是由多個(gè)導(dǎo)線106所構(gòu)成,而對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記114可例如是由窗形導(dǎo)體結(jié)構(gòu)118所構(gòu)成。在此實(shí)施例中,是以對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記104與對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記114的標(biāo)記圖案呈互補(bǔ)為例做說明,然本發(fā)明不限于此。只要窗形導(dǎo)體結(jié)構(gòu)118能夠至少包括相鄰二導(dǎo)線106間隙的區(qū)域即可。
請(qǐng)參照?qǐng)D1C,堆棧式對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記包括對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記104與對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記114。其中,對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記104是由多個(gè)導(dǎo)線106所構(gòu)成,而對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記114可例如是由矩形導(dǎo)體結(jié)構(gòu)120所構(gòu)成。在此實(shí)施例中,是以矩形導(dǎo)體結(jié)構(gòu)120的尺寸等于左右兩側(cè)的導(dǎo)線106之間的區(qū)域?yàn)槔稣f明,然本發(fā)明不限于此。只要矩形導(dǎo)體結(jié)構(gòu)120能夠至少包括相鄰二導(dǎo)線106間隙的區(qū)域即可。
由于,堆棧式對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的結(jié)構(gòu)可使光照射到對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記時(shí),不會(huì)有漏光的問題。因此,于進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)時(shí),可得到較強(qiáng)的光信號(hào)強(qiáng)度,以提高對(duì)準(zhǔn)的準(zhǔn)確度。亦即是,當(dāng)進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)操作時(shí),若光穿過對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記104繼續(xù)往下層前進(jìn),則會(huì)碰到底下的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記114,而可將光反射。如此一來,可增加由光產(chǎn)生的建設(shè)性干涉,提供較強(qiáng)的光信號(hào)強(qiáng)度,所以可使對(duì)準(zhǔn)操作具有較高的準(zhǔn)確性。
另一方面,由于膜層100、110中的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記104、114形成于對(duì)應(yīng)的區(qū)域102、112中,因此對(duì)整個(gè)工藝而言,本發(fā)明的堆棧式對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可有效節(jié)省芯片的使用面積。
圖2A至圖2E所繪示為將本發(fā)明的堆棧式對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記應(yīng)用于內(nèi)連線工藝的流程剖面圖。
首先,請(qǐng)參照?qǐng)D2A,提供一基底200,基底200具有元件區(qū)202以及對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)204。之后,于基底200上形成一層膜層206,膜層206的材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其它介電材料,而其形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。
接著,請(qǐng)參照?qǐng)D2B,移除部分膜層206,以于對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)204的膜層206中形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記圖案。然后,于對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記圖案中填入導(dǎo)體材料層,以形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記208。其中,移除部分膜層206的方法例如是進(jìn)行一蝕刻工藝。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記208的材料例如是鋁、鎢、銅及其合金,或是其它具有可反光的材料。
上述的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記208可例如是多個(gè)導(dǎo)線(如圖1A所示)、窗形導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(如圖1B所示),或矩形導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(如圖1C所示)。于此實(shí)施例中以如圖1B所示的窗形導(dǎo)體結(jié)構(gòu)做說明。
隨后,請(qǐng)參照?qǐng)D2C,于膜層206上形成膜層210,其中膜層210的材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其它介電材料,而其形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。接著,移除部分膜層210,以于元件區(qū)202的膜層210中形成多個(gè)開口212,并且于對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)204的膜層210中形成多個(gè)開口214。其中,移除部分膜層210的方法例如是進(jìn)行一蝕刻工藝。繼之,于開口212與開口214中填入導(dǎo)體材料層,以分別于元件區(qū)202形成多個(gè)導(dǎo)線216,以及于對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)204形成多個(gè)導(dǎo)線218,而導(dǎo)線218做為膜層210中的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記220。
特別是,膜層206、210中的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記208、220形成于對(duì)應(yīng)的區(qū)域中,以形成一堆棧式對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記,因此可節(jié)省芯片的使用面積。而且,由于堆棧式對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的結(jié)構(gòu),可以避免漏光的問題,因此有助于在進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)時(shí),可有較強(qiáng)的光信號(hào)強(qiáng)度,以提高對(duì)準(zhǔn)的準(zhǔn)確度。
繼之,請(qǐng)參照?qǐng)D2D,于膜層210上依序形成膜層222與硬掩模層224。其中,膜層222的材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其它介電材料,而其形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。硬掩模層224的材料例如是耐熱金屬氮化物,而耐熱金屬氮化物例如是氮化鈦(TiN)、氮化鉭(TaN)或氮化鎢(WN),而其形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。
之后,請(qǐng)參照?qǐng)D2E,移除部分元件區(qū)202的硬掩模層224與膜層222,于導(dǎo)線216上的元件區(qū)202的掩模層224與膜層222中形成多個(gè)介層窗開口226。其中,移除部分元件區(qū)202的硬掩模層224與膜層222的方法例如是進(jìn)行一蝕刻工藝。然后,于介層窗開口226中填入導(dǎo)體材料層,以形成多個(gè)介層窗228。
值得特別注意的是,由于硬掩模層224會(huì)吸收光以及阻擋光線,因此在介層窗開口226形成前進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)時(shí),硬掩模層224會(huì)把對(duì)準(zhǔn)所產(chǎn)生的光信號(hào)反射掉,而影響到對(duì)準(zhǔn)的準(zhǔn)確度。但是,因?yàn)橄路侥又械亩褩J綄?duì)準(zhǔn)標(biāo)記的結(jié)構(gòu)(對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記208、220),可避免產(chǎn)生漏光的問題,而可具有較強(qiáng)的光信號(hào)強(qiáng)度,所以能夠有效改善上述的問題,以提高對(duì)準(zhǔn)的準(zhǔn)確度。
綜上所述,本發(fā)明至少具有下列幾項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)1.本發(fā)明的堆棧式對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可有效節(jié)省芯片上的使用面積。
2.本發(fā)明的堆棧式對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記有助于進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)時(shí),不會(huì)有漏光的問題產(chǎn)生,而可得到較強(qiáng)的光信號(hào)強(qiáng)度,以提高對(duì)準(zhǔn)的準(zhǔn)確度。
3.本發(fā)明可以有效改善因硬掩模層會(huì)吸收光以及阻擋光線,而影響到對(duì)準(zhǔn)的準(zhǔn)確度的問題。
雖然本發(fā)明以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上,然而其并非用以限定本發(fā)明,本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),可作些許的更動(dòng)與潤飾,因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以后附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種堆棧式對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記,包括一第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記,配置于一第一膜層中,該第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記是由多個(gè)第一導(dǎo)線所構(gòu)成;以及一第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記,配置于該第一膜層下方的一第二膜層中,其中該第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與該第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記形成于相對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi),且該第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記至少包括對(duì)應(yīng)于相鄰二第一導(dǎo)線間隙的區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的堆棧式對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記,其中該第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記包括由多個(gè)第二導(dǎo)線所構(gòu)成。
3.如權(quán)利要求1所述的堆棧式對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記,其中該第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記還包括由一窗形導(dǎo)體結(jié)構(gòu)所構(gòu)成。
4.如權(quán)利要求1所述的堆棧式對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記,其中該第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記還包括由一矩形導(dǎo)體結(jié)構(gòu)所構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求1所述的堆棧式對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記,其中該第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的材料包括鋁、鎢、銅及其合金。
6.如權(quán)利要求1所述的堆棧式對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記,其中該第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的材料包括鋁、鎢、銅及其合金。
7.如權(quán)利要求1所述的堆棧式對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記,其中該第一膜層的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其它介電材料。
8.如權(quán)利要求1所述的堆棧式對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記,其中該第二膜層的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其它介電材料。
9.一種光刻工藝對(duì)準(zhǔn)方法,適用于一內(nèi)連線工藝中對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形成,該光刻工藝對(duì)準(zhǔn)方法包括提供一基底,該基底具有一元件區(qū)以及一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記區(qū);于該基底上形成一第一膜層;移除部分該第一膜層,以于該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)的該第一膜層中形成一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記圖案;于該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記圖案中填入一第一導(dǎo)體材料層,以形成一第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記;于該第一膜層上形成一第二膜層;移除部分該第二膜層,以于該元件區(qū)的該第二膜層中形成多個(gè)第一開口,并且于該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)的該第二膜層中形成多個(gè)第二開口;于該些第一開口與該些第二開口中填入一第二導(dǎo)體材料層,以分別于該元件區(qū)形成多個(gè)第一導(dǎo)線,以及于該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)形成多個(gè)第二導(dǎo)線,當(dāng)做為一第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記,其中該第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與該第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記形成于相對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi),且該第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記至少包括對(duì)應(yīng)于相鄰二第二導(dǎo)線間隙的區(qū)域;于該第二膜層上依序形成一第三膜層與一硬掩模層;移除部分該元件區(qū)的該掩模層與該第三膜層,于該些第一導(dǎo)線上的該硬掩模層與該第三膜層中形成多個(gè)介層窗開口;以及于該些介層窗開口中填入一第三導(dǎo)體材料層。
10.如權(quán)利要求9所述的光刻工藝對(duì)準(zhǔn)方法,其中該第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記包括由多個(gè)第三導(dǎo)線所構(gòu)成。
11.如權(quán)利要求9所述的光刻工藝對(duì)準(zhǔn)方法,其中該第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記還包括由一窗形導(dǎo)體結(jié)構(gòu)所構(gòu)成。
12.如權(quán)利要求9所述的光刻工藝對(duì)準(zhǔn)方法,其中該第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記還包括由一矩形導(dǎo)體結(jié)構(gòu)所構(gòu)成。
13.如權(quán)利要求9所述的光刻工藝對(duì)準(zhǔn)方法,其中該硬掩模層的材料包括一耐熱金屬氮化物。
14.如權(quán)利要求13所述的光刻工藝對(duì)準(zhǔn)方法,其中該耐熱金屬氮化物包括氮化鈦、氮化鉭或氮化鎢。
15.如權(quán)利要求9所述的光刻工藝對(duì)準(zhǔn)方法,其中該第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的材料包括鋁、鎢、銅及其合金。
16.如權(quán)利要求9所述的光刻工藝對(duì)準(zhǔn)方法,其中該第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的材料包括鋁、鎢、銅及其合金。
17.如權(quán)利要求9所述的光刻工藝對(duì)準(zhǔn)方法,其中該第一膜層的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其它介電材料。
18.如權(quán)利要求9所述的光刻工藝對(duì)準(zhǔn)方法,其中該第二膜層的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其它介電材料。
19.如權(quán)利要求9所述的光刻工藝對(duì)準(zhǔn)方法,其中該第三膜層的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其它介電材料。
全文摘要
一種堆棧式對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記,其包括第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記是配置于第一膜層中,其是由多個(gè)導(dǎo)線所構(gòu)成,而第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記是配置于第二膜層中,且第二膜層位于第一膜層下。其中,第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記形成于相對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi),且第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記至少包括對(duì)應(yīng)于相鄰二導(dǎo)線間隙的區(qū)域。
文檔編號(hào)H01L21/02GK1932653SQ200510103920
公開日2007年3月21日 申請(qǐng)日期2005年9月15日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月15日
發(fā)明者賈偉圣, 陳志榮, 陳重安, 黃志忠 申請(qǐng)人:聯(lián)華電子股份有限公司