一種縫合工藝對(duì)準(zhǔn)精度的檢測(cè)方法及結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種縫合工藝對(duì)準(zhǔn)精度的檢測(cè)方法及結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)中，當(dāng)設(shè)計(jì)所需的芯片尺寸大于光刻版最大尺寸時(shí)會(huì)使用縫合工藝，目前的檢測(cè)方法是通過(guò)測(cè)量偏差尺寸來(lái)在線檢測(cè)，這種方式能及時(shí)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題，但是無(wú)法結(jié)論縫合偏差是否影響電性；或者是通過(guò)后段金屬線的電阻測(cè)試結(jié)構(gòu)來(lái)判定縫合工藝的好壞，但這無(wú)法直接判斷偏差的嚴(yán)重性大小，不方便相同縫合工藝進(jìn)行調(diào)整，僅限于檢測(cè)而已。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷，本發(fā)明提供了一種縫合工藝對(duì)準(zhǔn)精度的檢測(cè)方法及結(jié)構(gòu)，不僅判定是否失效，也能計(jì)算出縫合工藝的偏差大小。
[0004]本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0005]—種縫合工藝對(duì)準(zhǔn)精度的檢測(cè)方法，將平行板電容的機(jī)理應(yīng)用于縫合工藝中，所述方法包括:
[0006]測(cè)量所述平行板電容器的電容值；
[0007]通過(guò)計(jì)算公式計(jì)算出所述平行板電容器中電容極板間的距離；
[0008]將所述電容極板間的距離與預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)距離進(jìn)行對(duì)比，得到所述縫合工藝的偏移量。
[0009]優(yōu)選的，所述電容極板為平行金屬線。
[0010]優(yōu)選的，所述計(jì)算公式為平行板電容器的電容值C = KXS/d ;
[0011]其中，K為介電常數(shù)，S為所述電容極板的相對(duì)面積，d為所述電容極板間的距離。
[0012]優(yōu)選的，所述平行金屬板為金屬銅線或鋁線。
[0013]一種縫合工藝對(duì)準(zhǔn)精度的檢測(cè)結(jié)構(gòu)，所述檢測(cè)結(jié)構(gòu)包括:
[0014]晶片；
[0015]電容極板，設(shè)置于所述晶片中；以及
[0016]所述電容極板為平行金屬板。
[0017]優(yōu)選的，所述平行金屬板上沉積有介質(zhì)層。
[0018]優(yōu)選的，所述介質(zhì)層上設(shè)置有鋁墊，并且所述鋁墊深入至所述介質(zhì)層中。
[0019]優(yōu)選的，所述介質(zhì)層上沉積有保護(hù)層。
[0020]優(yōu)選的，所述鋁墊上覆蓋有保護(hù)層。
[0021]優(yōu)選的，平行金屬板上設(shè)有穿孔，用于在縫合工藝時(shí)進(jìn)行縫合。
[0022]優(yōu)選的，所述平行金屬板為金屬銅線或鋁線。
[0023]本發(fā)明的有益效果是:
[0024]本發(fā)明在芯片制造中使用縫合技術(shù)時(shí)，通過(guò)測(cè)量縫合線兩邊由金屬線組成的平行板電容的電性結(jié)果，可以不僅判定是否失效，也能技術(shù)出縫合的偏差大小。
【附圖說(shuō)明】
[0025]圖1為本發(fā)明一種縫合工藝對(duì)準(zhǔn)精度的檢測(cè)方法實(shí)施例一的示意圖；
[0026]圖2a_2b為本發(fā)明一種縫合工藝對(duì)準(zhǔn)精度的檢測(cè)方法中縫合前后的示意圖；
[0027]圖3為本發(fā)明一種縫合工藝對(duì)準(zhǔn)精度的檢測(cè)結(jié)構(gòu)實(shí)施例二的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，下述技術(shù)方案，技術(shù)特征之間可以相互組合。
[0029]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步的說(shuō)明:
[0030]實(shí)施例一
[0031]本實(shí)施例提出了一種針對(duì)縫合技術(shù)的電性檢測(cè)結(jié)構(gòu)，通過(guò)測(cè)試此結(jié)構(gòu)獲得的電容/漏電/擊穿電壓來(lái)判定縫合時(shí)具體偏離的數(shù)值，從而判斷風(fēng)險(xiǎn)和做出改善動(dòng)作。圖1為本發(fā)明一種縫合工藝對(duì)準(zhǔn)精度的檢測(cè)方法實(shí)施例一的示意圖，如圖1所示，測(cè)量平行板電容器的電容值；通過(guò)計(jì)算公式計(jì)算出平行板電容器中電容極板間的距離；將電容極板間的距離與預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)距離進(jìn)行對(duì)比，得到縫合工藝的偏移量。
[0032]本發(fā)明一個(gè)較佳的實(shí)施例中，電容極板可以為平行金屬線。設(shè)計(jì)平行金屬線為電容極板，測(cè)量縫合線兩邊平行金屬線之間的電容、漏電、擊穿電壓，以此來(lái)評(píng)估和計(jì)算出在縫合工藝中所造成的尺寸偏移量。
[0033]本發(fā)明一個(gè)較佳的實(shí)施例中，計(jì)算公式為平行板電容器的電容值C = KXS/d，其中，K為介電常數(shù)，S為電容極板的相對(duì)面積，d為電容極板間的距離。
[0034]圖2a_2b為本發(fā)明一種縫合工藝對(duì)準(zhǔn)精度的檢測(cè)方法中縫合前后的示意圖，如圖2所示，因?yàn)槠叫邪咫娙蓦S極板之間的距離減小而電容增大，同時(shí)漏電增加以及擊穿電壓降低。本實(shí)施例根據(jù)這一理論設(shè)計(jì)以后段金屬線為電容極板，當(dāng)縫合后，處于不同極板(shot)上平行金屬線之間的距離就會(huì)靠近，事先計(jì)算出設(shè)計(jì)距離平行金屬線之間的電容、漏電、擊穿電壓，以此作為標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)比測(cè)試所獲的電容、漏電、擊穿電壓來(lái)判定縫合時(shí)具體偏離的數(shù)值，從而判斷風(fēng)險(xiǎn)和做出改善動(dòng)作。如圖2a所示，在需要縫合的兩個(gè)晶片(die)的縫合邊緣做如圖2a的金屬線(metal);如圖2b所示，縫合工藝之后，兩邊的平行板(metal line)組成如圖2b的平行板電容，之后根據(jù)平行板電容的公式可以得知，電容隨著平行板之間的間距增加而減少，反之，可以根據(jù)測(cè)量所得電容的大小計(jì)算出平行板的間距，從而得知縫合的偏差。
[0035]實(shí)施例二
[0036]圖3為本發(fā)明一種縫合工藝對(duì)準(zhǔn)精度的檢測(cè)結(jié)構(gòu)實(shí)施例二的示意圖，如圖3所示，本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)包括:晶片，晶片包括如下結(jié)構(gòu)，平行金屬線2設(shè)置于晶片中，在平行金屬片的上方沉積介質(zhì)層4，平行金屬線2上設(shè)有穿孔，用于在縫合工藝中進(jìn)行縫合，晶片可以是兩個(gè)，在晶片縫合的時(shí)候存在一條縫合線3，縫合后平行金屬線2之間的距離為d，介質(zhì)層4的上方設(shè)置有鋁墊1，鋁墊1(AL PAD)可以是多個(gè)，平行金屬線2可以是金屬銅線。
[0037]此外，介質(zhì)層4的上方可以沉積保護(hù)層5 (Cover)，同時(shí)鋁墊1的上方也可以沉積保護(hù)層5，保護(hù)層5可以覆蓋鋁墊1的一部分，鋁墊1同時(shí)深入至介質(zhì)層4中，停止于所述金屬銅線的上方。
[0038]本實(shí)施例中的結(jié)構(gòu)的主要保護(hù)的方法是利用平行板電容，即平行金屬線2或金屬銅線的電學(xué)性質(zhì)，設(shè)計(jì)平行板作為平行板電容的極板，通過(guò)測(cè)量電容與標(biāo)準(zhǔn)值的偏差來(lái)定量和定性縫合過(guò)程造成的偏差，得到縫合工藝的偏移量。
[0039]綜上所述，本發(fā)明在芯片制造中使用縫合技術(shù)時(shí)，通過(guò)測(cè)量縫合線兩邊由金屬線組成的平行板電容的電性結(jié)果，可以不僅判定是否失效，也能技術(shù)出縫合的偏差大小。
[0040]通過(guò)說(shuō)明和附圖，給出了【具體實(shí)施方式】的特定結(jié)構(gòu)的典型實(shí)施例，基于本發(fā)明精神，還可作其他的轉(zhuǎn)換。盡管上述發(fā)明提出了現(xiàn)有的較佳實(shí)施例，然而，這些內(nèi)容并不作為局限。
[0041]對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，閱讀上述說(shuō)明后，各種變化和修正無(wú)疑將顯而易見(jiàn)。因此，所附的權(quán)利要求書(shū)應(yīng)看作是涵蓋本發(fā)明的真實(shí)意圖和范圍的全部變化和修正。在權(quán)利要求書(shū)范圍內(nèi)任何和所有等價(jià)的范圍與內(nèi)容，都應(yīng)認(rèn)為仍屬本發(fā)明的意圖和范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種縫合工藝對(duì)準(zhǔn)精度的檢測(cè)方法，其特征在于，將平行板電容的機(jī)理應(yīng)用于縫合工藝中，所述方法包括: 測(cè)量所述平行板電容器的電容值； 通過(guò)計(jì)算公式計(jì)算出所述平行板電容器中電容極板間的距離； 將所述電容極板間的距離與預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)距離進(jìn)行對(duì)比，得到所述縫合工藝的偏移量。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的縫合工藝對(duì)準(zhǔn)精度的檢測(cè)方法，其特征在于，所述電容極板為平行金屬線。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的縫合工藝對(duì)準(zhǔn)精度的檢測(cè)方法，其特征在于，所述計(jì)算公式為平行板電容器的電容值c = KXS/d ; 其中，K為介電常數(shù)，S為所述電容極板的相對(duì)面積，d為所述電容極板間的距離。4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任意一個(gè)所述的縫合工藝對(duì)準(zhǔn)精度的檢測(cè)方法，其特征在于，所述平行金屬板為金屬銅線或鋁線。5.一種縫合工藝對(duì)準(zhǔn)精度的檢測(cè)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述檢測(cè)結(jié)構(gòu)包括: 曰曰斤； 電容極板，設(shè)置于所述晶片中；以及 所述電容極板為平行金屬板。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的縫合工藝對(duì)準(zhǔn)精度的檢測(cè)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述平行金屬板上沉積有介質(zhì)層。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的縫合工藝對(duì)準(zhǔn)精度的檢測(cè)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述介質(zhì)層上沉積有保護(hù)層。8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的縫合工藝對(duì)準(zhǔn)精度的檢測(cè)結(jié)構(gòu)，其特征在于，平行金屬板上設(shè)有穿孔，用于在縫合工藝時(shí)進(jìn)行縫合。9.根據(jù)權(quán)利要求5-8任意一個(gè)所述的縫合工藝對(duì)準(zhǔn)精度的檢測(cè)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述平行金屬板為金屬銅線或鋁線。
【專利摘要】本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種縫合工藝對(duì)準(zhǔn)精度的檢測(cè)方法及結(jié)構(gòu)。將平行板電容的機(jī)理應(yīng)用于縫合工藝中，測(cè)量平行板電容器的電容值；通過(guò)計(jì)算公式計(jì)算出平行板電容器中電容極板間的距離；將電容極板間的距離與預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)距離進(jìn)行對(duì)比，得到縫合工藝的偏移量。
【IPC分類】G01B7/02
【公開(kāi)號(hào)】CN105241367
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510703866
【發(fā)明人】張武志
【申請(qǐng)人】上海華力微電子有限公司
【公開(kāi)日】2016年1月13日
【申請(qǐng)日】2015年10月26日