專利名稱：一種化學(xué)機(jī)械拋光中研磨墊溝槽加工方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域的化學(xué)機(jī)械拋光工藝，尤其涉及一種化學(xué)機(jī)械拋光中研磨墊溝槽加工方法。
背景技術(shù)：
目前應(yīng)用于集成電路制造領(lǐng)域的化學(xué)機(jī)械拋光研磨墊，其溝槽的寬度和深度在整個研磨墊面內(nèi)都是采用單一的尺寸。但是由于在工藝應(yīng)用中，硅片在研磨墊上不同區(qū)域作用的時間是不一樣的，包括修正盤在研磨墊上不同區(qū)域作用的時間也是不一樣，這兩種因素造成了研磨墊的消耗在面內(nèi)的不均勻，因而造成工藝的均勻性變差。
一個新的研磨墊，它的溝槽深度在研磨墊內(nèi)是比較均勻的，如350um，由于化學(xué)機(jī)械拋光研磨墊的溝槽深度和寬度在整個研磨墊面內(nèi)都是采用單一的尺寸，而硅片在研磨墊上不同區(qū)域的作用時間不同，造成化學(xué)機(jī)械拋光工藝后研磨墊面內(nèi)的深度會變得不均勻，如圖1、圖5所示。圖5中研磨墊溝槽不同深度為已有技術(shù)中經(jīng)過硅片作用的溝槽深度示意圖。在已有技術(shù)中，一部分溝槽深度已經(jīng)接近不可使用的數(shù)值時而另一部分溝槽還可以繼續(xù)使用，而研磨墊的壽命在出現(xiàn)接近不可使用的溝槽時即為終止，這樣對研磨墊會產(chǎn)生一種浪費，而且已有技術(shù)的化學(xué)機(jī)械拋光研磨墊的溝槽加工方法使得化學(xué)機(jī)械拋光工藝硅片面內(nèi)的均勻性較低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種化學(xué)機(jī)械拋光中研磨墊溝槽加工方法，可以延長研磨墊的壽命達(dá)30％以上，還可以同時提高化學(xué)機(jī)械拋光工藝的硅片面內(nèi)均勻性。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明一種化學(xué)機(jī)械拋光中研磨墊溝槽加工方法，包括以下步驟，第一步，測量使用到壽命的研磨墊的溝槽剩余深度分布；第二步，將硅片運動軌跡所覆蓋的研磨墊區(qū)域分成等分的幾個區(qū)域，其中每個區(qū)域所包含的溝槽數(shù)量是研磨墊溝槽加工時切割刀片數(shù)量的倍數(shù)；第三步，分別計算每個區(qū)域溝槽深度的平均值；第四步，將第三步中得到的每個區(qū)域溝槽深度的平均值的最大值減去所有溝槽深度的平均值，計算溝槽加工時深度所需要的補(bǔ)正值；第五步；以原深度加第四步中得到的補(bǔ)正值作為溝槽的深度加工溝槽。
與已有技術(shù)相比，本發(fā)明一種化學(xué)機(jī)械拋光中研磨墊溝槽加工方法，在加工溝槽時將其原有深度加上計算所得的補(bǔ)正值作為溝槽的加工深度，可以使研磨墊在面內(nèi)均勻的消耗，延長研磨墊的壽命。


下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步描述圖1為已有技術(shù)中經(jīng)過化學(xué)機(jī)械拋光工藝后的研磨墊溝槽深度分布示意圖；
圖2為本發(fā)明一種化學(xué)機(jī)械拋光中研磨墊溝槽加工方法步驟示意圖；圖3為采用本發(fā)明加工方法的研磨墊溝槽深度分布示意圖；圖4為晶片運動軌跡和修正盤運動軌跡示意圖；圖5為經(jīng)過化學(xué)機(jī)械拋光工藝后的研磨墊溝槽深度分布示意圖。
具體實施例方式
如圖2所示，本發(fā)明一種化學(xué)機(jī)械拋光中研磨墊溝槽加工方法，包括以下步驟，第一步，測量使用到壽命的研磨墊的溝槽剩余深度分布；第二步，將硅片運動軌跡所覆蓋的研磨墊區(qū)域分成等分的幾個區(qū)域，其中每個區(qū)域所包含的溝槽數(shù)量必須是研磨墊溝槽加工時切割刀片數(shù)量的倍數(shù)；第三步，分別計算每個區(qū)域溝槽深度的平均值(d1，d2，...，dn)；第四步，將第三步中得到的每個區(qū)域溝槽深度的平均值d1，d2，...，dn的最大值如d減去所有溝槽深度的平均值，得到dx-d1，dx-d2，...，dx-d，計算所得到的值作為溝槽加工時深度所需要的補(bǔ)正值；第五步；以原深度加第四步中得到的補(bǔ)正值dx-d1，dx-d2，...，dx-d作為溝槽的深度加工溝槽。采用本發(fā)明加工方法使用后研磨墊溝槽深度分布如圖3所示，圖5中研磨墊溝槽相同深度為采用本發(fā)明一種化學(xué)機(jī)械拋光中研磨墊溝槽加工方法經(jīng)過硅片作用的溝槽深度示意圖。
其中第一步測量使用到壽命的研磨墊的溝槽剩余深度分布，首先將使用到壽命的研磨墊沿著半徑方向進(jìn)行切割，再測量溝槽的剩余深度分布。晶片運動軌跡和修正盤運動軌跡如圖4所示，第二步中將硅片運動軌跡所覆蓋的研磨墊區(qū)域分成等分的幾個區(qū)域，比如說6個區(qū)域，每個區(qū)域所包含的溝槽數(shù)量是研磨墊溝槽加工時切割刀片數(shù)量的倍數(shù)。
本發(fā)明一種化學(xué)機(jī)械拋光中研磨墊溝槽加工方法，加工的溝槽深度為平均深度加上補(bǔ)正值，可以使研磨墊在面內(nèi)均勻的消耗，延長研磨墊的壽命，從而降低制造成本。
權(quán)利要求
1.一種化學(xué)機(jī)械拋光中研磨墊溝槽加工方法，其特征在于，包括以下步驟，第一步，測量使用到壽命的研磨墊溝槽剩余深度分布；第二步，將硅片運動軌跡所覆蓋的研磨墊區(qū)域分成等分的幾個區(qū)域，其中每個區(qū)域所包含的溝槽數(shù)量是研磨墊溝槽加工時切割刀片數(shù)量的倍數(shù)；第三步，分別計算每個區(qū)域溝槽深度的平均值；第四步，將第三步中得到的每個區(qū)域溝槽深度的平均值的最大值減去所有溝槽深度的平均值，計算溝槽加工時深度所需要的補(bǔ)正值；第五步，以原深度加第四步中得到的補(bǔ)正值作為溝槽的深度加工溝槽。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種化學(xué)機(jī)械拋光中研磨墊溝槽加工方法，包括以下步驟，第一步，測量使用到壽命的研磨墊溝槽剩余深度分布；第二步，將硅片運動軌跡所覆蓋的研磨墊區(qū)域分成等分的幾個區(qū)域；第三步，分別計算每個區(qū)域溝槽深度的平均值；第四步，計算溝槽加工時深度所需要的補(bǔ)正值；第五步，以原深度加第四步中得到的補(bǔ)正值作為溝槽的深度加工溝槽。本發(fā)明適用于化學(xué)機(jī)械拋光中研磨墊溝槽加工。
文檔編號H01L21/02GK1958236SQ20051011000
公開日2007年5月9日 申請日期2005年11月3日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月3日
發(fā)明者李晗玲 申請人:上海華虹Nec電子有限公司