專利名稱：應(yīng)用于淺溝槽隔離工藝中改善器件隔離效果的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種改善器件隔離效果的方法，尤其是應(yīng)用于淺溝槽隔離工藝中改善器件隔離效果的方法。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)代半導(dǎo)體器件制造工藝中，淺溝槽隔離(Shallow TrenchIsolation，簡稱STI)工藝起著十分巨大的作用，STI工藝是通過在硅基板上挖出一個(gè)上寬下窄的梯形溝槽，然后在其中填入氧化硅，從而起到隔離效果。對于0.18um以下工藝，STI工藝可以在節(jié)省設(shè)計(jì)空間的同時(shí)起到良好的隔離效果。
但是隨著現(xiàn)代半導(dǎo)體制造工藝的不斷發(fā)展，STI工藝也暴露出很多不足，尤其在其隔離效果上來說，往往還不能夠完全滿足設(shè)計(jì)和制造者的要求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種應(yīng)用于淺溝槽隔離工藝中改善器件隔離效果的方法，它可以進(jìn)一步改善器件隔離效果。
為了解決以上技術(shù)問題，本發(fā)明提出了一種應(yīng)用于淺溝槽隔離工藝中改善器件隔離效果的方法，它在淺溝槽隔離刻蝕之前，依次增加了以下步驟氧注入；退火，使氧與硅反應(yīng)并保證在之后STI刻蝕完成后的STI底部位置生產(chǎn)氧化硅。
本發(fā)明通過在STI刻蝕之前，依次增加了以下步驟氧注入；退火，使氧與硅反應(yīng)并保證在之后STI刻蝕完成后的STI底部位置生產(chǎn)氧化硅，以此改善STI的隔離效果。通過這次氧化注入，可以在STI底部增加出一層氧化隔離層，進(jìn)一步增加隔離效果。這樣一來，在相同STI寬度的情況下增強(qiáng)隔離效果，也可以在保證相同隔離效果的情況下盡可能減小STI寬度，節(jié)約面積。


下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
，對本發(fā)明做進(jìn)一步闡述。
圖1是本發(fā)明工藝流程示意圖；圖2是本發(fā)明氧注入工藝示意圖；圖3是本發(fā)明退火工藝形成氧化硅工藝示意圖；圖4是本發(fā)明STI刻蝕工藝示意圖；圖5是本發(fā)明最終器件構(gòu)造示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合圖1-5對本發(fā)明進(jìn)行說明。首先進(jìn)行在形成STI的位置做氧注入(見圖2)，然后進(jìn)行退火，使氧與硅反應(yīng)并保證在之后STI刻蝕完成后的STI底部位置生產(chǎn)氧化硅(見圖3)，隨后進(jìn)行STI刻蝕(見圖4)，然后經(jīng)過墊層氧化層(Linear Oxide)生長，最后形成本發(fā)明最終器件，其構(gòu)造如圖5所示。
對于具體不同的工藝制程，需要注意的是刻蝕前氧注入的位置應(yīng)該達(dá)到STI底部附近，使得之后由退火形成的氧化硅占據(jù)STI刻蝕后底部區(qū)域，以保證達(dá)到專利所希望的效果，根據(jù)不同工藝要求，結(jié)合STI深度的變化，氧注入的深度應(yīng)相應(yīng)加以調(diào)節(jié)。如需要更好的隔離效果，可以酌情增加氧注入的次數(shù)，即以不同能量多次進(jìn)行氧注入，以保證之后形成的氧化硅足以占據(jù)STI底部區(qū)域，以達(dá)到更好的隔離效果。
通過這次氧化注入，可以在STI底部增加出一層氧化隔離層，進(jìn)一步增加隔離效果。這樣一來，在相同STI寬度的情況下增強(qiáng)隔離效果，也可以在保證相同隔離效果的情況下盡可能減小STI寬度，節(jié)約面積。
權(quán)利要求
1.一種應(yīng)用于淺溝槽隔離工藝中改善器件隔離效果的方法，所述的淺溝槽隔離工藝流程至少依次包括以下步驟，淺溝槽隔離刻蝕，墊層氧化層生長，其特征在于，在淺溝槽隔離刻蝕之前，增加了以下步驟氧注入；退火，使氧與硅反應(yīng)并在淺溝槽隔離底部生產(chǎn)氧化硅。
2.如權(quán)利要求1所述的在淺溝槽隔離工藝流程中改善器件隔離效果的方法，其特征在于，所述氧注入的位置應(yīng)在淺溝槽隔離刻蝕的位置。
3.如權(quán)利要求1所述的在淺溝槽隔離工藝流程中改善器件隔離效果的方法，其特征在于，所述氧注入應(yīng)到達(dá)淺溝槽隔離的底部。
4.如權(quán)利要求1所述的在淺溝槽隔離工藝流程中改善器件隔離效果的方法，其特征在于，所述氧注入可以采用不同能量的多次注入方式。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種應(yīng)用于淺溝槽隔離工藝中改善器件隔離效果的方法，它可以進(jìn)一步改善器件隔離效果。該方法是在淺溝槽隔離刻蝕之前，依次增加了以下步驟氧注入；退火，使氧與硅反應(yīng)并保證在之后STI刻蝕完成后的STI底部位置生產(chǎn)氧化硅。
文檔編號H01L21/70GK1971872SQ20051011070
公開日2007年5月30日 申請日期2005年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月24日
發(fā)明者陳曉波 申請人:上海華虹Nec電子有限公司