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      一種半導體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法

      文檔序號:6863250閱讀:303來源:國知局

      專利名稱::一種半導體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      :本實用新型涉及一種半導體封裝結(jié)構(gòu),特別是一種具有高散熱效率的發(fā)光二極管(LightEmittingDiode,LED)封裝結(jié)構(gòu)。
      背景技術(shù)
      :以發(fā)光二極管(LightEmittingDiode,LED)為應(yīng)用光源的消費性電子產(chǎn)品已擴充至背光模塊、車燈、投影機等。在發(fā)光效率、產(chǎn)品壽命及應(yīng)用模式需求增加的情況下,高亮度與高效率的功率型LED成為LED的發(fā)展趨勢。就提高發(fā)光效率而言,一般LED制造廠商即著手提高光電轉(zhuǎn)換效率或加大LED功率,由于LED芯片輸入功率不斷提高,而高功率(HighPower)LED所衍生的熱量累積問題將導致芯片發(fā)光效率與壽命的嚴重劣化。影響LED封裝體單位面積輸出光通量的因素包含量子效率、芯片尺寸(發(fā)光面積)、輸入功率與封裝體的散熱能力等。為了維持芯片具有穩(wěn)定的發(fā)光效率,由發(fā)光區(qū)所發(fā)散出的熱量必須快速地排出封裝體。若封裝體無法消散(Dissipation)這些熱量,除了封裝體內(nèi)各種組成材料會因為彼此間膨脹系數(shù)的不同而有導線斷裂或封裝膠材黃化等可靠度的疑慮,晶粒的發(fā)光效率更會隨著溫度的上升而有明顯地下降,并造成其壽命明顯地縮短與波長、順向電壓(Vf)飄移等現(xiàn)象。為了解決高功率LED散熱的問題,美國第6274924號專利案提出了表面黏著LED封裝結(jié)構(gòu)(SurfacemountableLEDpackage),924案提出了將芯片直接黏著在散熱墊上,使熱量由下方導出至外加的散熱塊上,924案通過配置在芯片下方的散熱塊進行散熱,而封裝的結(jié)構(gòu)體是用組裝方式再與散熱塊接合,然而這樣的做法將會改變原有的封裝作業(yè)流程,而其將散熱塊設(shè)置在芯片的下方,在實際應(yīng)用于產(chǎn)品(如車燈)上,其與車燈電路板的組裝位置,仍需考量實際的配置空間,又或者實際應(yīng)用的產(chǎn)品可以提供配置空間,然而實際應(yīng)用產(chǎn)品的下方通常空間較為狹隘,其無法提供較充分的熱交換介質(zhì)(空氣),使其散熱效率仍受到限制,因而924案提出在芯片下方結(jié)合散熱塊的設(shè)計,在實際應(yīng)用于產(chǎn)品上時,仍有許多的問題存在。
      實用新型內(nèi)容本實用新型所要解決的技術(shù)問題在于提供一種高散熱效率的高功率光電半導體封裝結(jié)構(gòu),以解決高功率LED的散熱問題,從而提高發(fā)光效率及產(chǎn)品壽命。目前雖已有提出利用散熱塊結(jié)合于芯片下方進行熱交換的設(shè)計,然而上述所公開的專利案在具體實現(xiàn)仍需大幅改變封裝制程,應(yīng)用產(chǎn)品組裝空間,以及散熱效率不佳等問題,因此,本實用新型提出了一種高散熱效率的高功率光電半導體封裝結(jié)構(gòu)。為了實現(xiàn)上述目的,本實用新型提供了一種半導體封裝結(jié)構(gòu),其包括有一基板;一熱傳導體,所述熱傳導體設(shè)置于所述基板上;至少一半導體芯片,所述半導體芯片設(shè)置于所述熱傳導體上;多個導電片,所述導電片設(shè)置于所述基板底部,多條導電引線與所述半導體芯片電性連接;一封裝體,包覆于所述半導體芯片;及一散熱塊,所述散熱塊結(jié)合于所述熱傳導體上,使得半導體芯片導電后所產(chǎn)生的熱能通過熱傳導體傳遞至散熱塊上進行熱交換。所述的半導體封裝結(jié)構(gòu),其中,所述的半導體芯片為發(fā)光二極管。所述的半導體封裝結(jié)構(gòu),其中,所述的半導體芯片為激光二極管。所述的半導體封裝結(jié)構(gòu),其中,所述散熱塊對應(yīng)所述半導體芯片位置處設(shè)有一光反射部。所述的半導體封裝結(jié)構(gòu),其中,所述光反射部表面設(shè)有鏡面層。所述的半導體封裝結(jié)構(gòu),其中,更包括有多個穿過所述基板的導熱柱,所述導熱柱下方有至少一個第二散熱塊。根據(jù)本實用新型所提供的半導體封裝結(jié)構(gòu),其中半導體芯片直接設(shè)置在基板上的熱傳導體上,而使散熱塊結(jié)合于熱傳導體上進行熱傳遞及熱交換,因散熱塊設(shè)置在基板的上方,在與實際應(yīng)用產(chǎn)品組裝時,其配置空間較不受到限制,而且位于基板上方的散熱塊能夠有效地進行熱交換,而提高散熱效率,而成為半導體封裝結(jié)構(gòu)的最佳設(shè)計。以下結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型進行詳細描述,但不作為對本實用新型的限定。圖1為本實用新型第一實施例的結(jié)構(gòu)組成分解示意圖;圖2為本實用新型第一實施例的結(jié)構(gòu)組成組合示意圖;圖3為本實用新型第一實施例的結(jié)構(gòu)組成剖面示意圖;圖4A、4B為本實用新型第二實施例的結(jié)構(gòu)組成示意圖;及圖5為本實用新型第三實施例的結(jié)構(gòu)組成示意圖。其中,附圖標記如下11-基板12-熱傳導體13-半導體芯片141、142-導電引線15-封裝體161、162-導電片17-散熱塊171-散熱鰭片172-光反射部1721-鏡面層18-導熱柱19-第二散熱塊具體實施方式根據(jù)本實用新型所提供的半導體封裝結(jié)構(gòu),其中所應(yīng)用的半導體芯片為如發(fā)光二極管(LightEmittingDiode,LED)、激光二極管(LaserDiode,LD)等的光電半導體,而在以下本實用新型的詳細說明中,將以應(yīng)用于發(fā)光二極管做為本實用新型的最佳實施例。請參閱圖1、圖2及圖3所示,根據(jù)本實用新型所提供的半導體封裝結(jié)構(gòu),其包括有一基板11、一熱傳導體12、至少一半導體芯片13、至少二導電引線141、142、一封裝體15、至少二導電片161、162及一散熱塊17,其中熱傳導體12設(shè)置于基板11上,熱傳導體12采用如銅等具有高熱傳導系數(shù)的材質(zhì),半導體芯片13直接設(shè)置于熱傳導體12中央位置處,導電引線141、142分別一端電性連接至半導體芯片13的兩側(cè),另一端則電性連接至設(shè)置在基板11下方的兩導電片161、162;續(xù)而將封裝體15包覆住半導體芯片13,散熱塊17則通過共晶工藝(Eutectic)、焊接(Soldering)或是高熱傳導粘結(jié)劑(HighConductivityAdhesion)等結(jié)合手段固定于熱傳導體12上,且散熱塊17可以根據(jù)散熱效率的需求,在散熱塊17上可以設(shè)計出不同形狀、不同數(shù)量的散熱鰭片171。因此當半導體芯片13通過導電片161、162與導電引線141、142導電后,其工作所產(chǎn)生的熱能通過熱傳導體12傳遞至散熱塊17上進行熱交換,通過散熱塊17位于基板11上方的設(shè)計,配置空間較不受限制,且能夠有效地對半導體芯片13所產(chǎn)生的熱能進行散熱,如應(yīng)用于發(fā)光二極管等的光電半導體,其可有效提升發(fā)光效率,并防止封裝體15因高溫而黃化,延長使用壽命。如圖4A、4B所示,圖中所示為本實用新型的第二實施例,其中散熱塊17對應(yīng)半導體芯片13處開設(shè)出一圓錐面而形成一光反射部172,光反射部172表面可以通過涂布或黏著等技術(shù)而形成一鏡面層1721,因而可以根據(jù)不同的發(fā)光需求,設(shè)計出光反射部172的曲率,以使得半導體芯片13所產(chǎn)生的光線可以通過光反射部172來使光線集中或使光線散射。如圖5所示,圖中所示為本實用新型第三實施例,其中在基板11上設(shè)置有多個導熱柱18,導熱柱18穿過基板11而與熱傳導體12接觸,因而也可在基板11的下方設(shè)置第二散熱塊19,以根據(jù)散熱需求而增加散熱面積,提高散熱效率。當然,本實用新型還可有其他多種實施例,在不背離本實用新型精神及其實質(zhì)的情況下,熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當可根據(jù)本實用新型作出各種相應(yīng)的改變和變形,但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本實用新型所附的權(quán)利要求的保護范圍。權(quán)利要求1.一種半導體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,包括有一基板;一熱傳導體,所述熱傳導體設(shè)置于所述基板上;至少一半導體芯片,所述半導體芯片設(shè)置于所述熱傳導體上;多個導電片,所述導電片設(shè)置于所述基板底部,多條導電引線與所述半導體芯片電性連接;一封裝體,包覆于所述半導體芯片;及一散熱塊,所述散熱塊結(jié)合于所述熱傳導體上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述半導體芯片為發(fā)光二極管。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述半導體芯片為激光二極管。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述散熱塊對應(yīng)所述半導體芯片位置處設(shè)有一光反射部。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述光反射部表面設(shè)有鏡面層。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,更包括有多個穿過所述基板的導熱柱,所述導熱柱下方有至少一個第二散熱塊。專利摘要本實用新型涉及一種半導體封裝結(jié)構(gòu),其主要包括有一基板、一半導體芯片、一熱傳導體、一封裝體及一散熱塊,其中熱傳導體設(shè)置于基板上,半導體芯片直接設(shè)置于熱傳導體上,而散熱塊則結(jié)合于熱傳導體上,使得半導體芯片導電后所產(chǎn)生的熱能通過熱傳導體傳遞至散熱塊上進行熱交換。文檔編號H01L33/00GK2831425SQ20052011217公開日2006年10月25日申請日期2005年7月1日優(yōu)先權(quán)日2005年7月1日發(fā)明者黃道恒,洪世豪,應(yīng)宗康申請人:光寶科技股份有限公司
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