專利名稱：低電感晶片型電阻器的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種電阻器，特別涉及一種低電感晶片型電阻器。
背景技術：
現(xiàn)有的晶片型電阻器，如圖1所示，包括一塊以氧化鋁陶土材料、氮化鋁材料或是藍寶石玻璃制成的絕緣基板1，基板上規(guī)劃出預定數目相互垂直排列或水平排列的多數矩形區(qū)塊11、12，每一區(qū)塊11、12均具有相同的長與寬，基板1經過清洗干凈后，以噴濺或真空蒸散方式于基板1上形成電阻層，然后，利用微影技術在電阻層上形成成對電極21、22，再經過形成金屬層、于金屬層上形成光感抗蝕層、置光罩、侵蝕金屬層等步驟，形成在每個成對電極之間的電阻部份23。
基于電阻值(R)＝電阻系數(ρ)×[長度(L)/寬度(W)]的公式，一般多以在電阻部份23上設置修正溝槽使電流路徑延長而提高電阻值，實施的方式有，如圖2所示，是在電阻部份23表面上以雷射切割出與軸方向上相互垂直的兩個水平修整溝槽24、25，藉由二條水平修整溝槽24、25同方向間隔設置，使電流的流通路徑因受到修整溝槽24、25的影響而延長(即長度L增加)，由此達到提高電阻值的目的?；颍鐖D3所示，則是利用將兩個水平修整溝槽24’、25’，分別從電阻部份的左側及右側向內延伸切割，透過水平修整溝槽24’、25’相對反向設置，使電子流動的路徑呈現(xiàn)波浪狀，達到因為流動路徑的延長而提高電阻值?；?，如圖4所示，亦有在電阻部份23表面，形成呈L弧形的修整溝槽26，透過一方面縮短電阻部份的寬度，一方面又藉由局部水平修整溝槽，來增加電流流動的路徑長度?；?，如圖5所示，是在電阻部份23表面，形成呈正L形的修整溝槽27?；?，如圖6所示，直接在在電阻部份23表面，形成單一條與電阻部份軸方向相互垂直的水平修整溝槽28。
但上述由于電阻部份23表面設置修整溝槽的方式，雖然能達到調整電阻值的目的，但是，其有一共同的問題，即修整溝槽的端點A均形成在電阻部份23的表面，如此，因為端點A的關系，使得電流流經該端點A時，會使電子流產生亂流或集聚的作用，使得該處的阻抗值相對增加，而形成熱點(hot spot)，并產生許多無法控制的高阻抗問題，甚至通過電流功率略高，導致晶片電阻器燒毀，增加使用于此被動元件的不穩(wěn)定因素，同時影響到電子產品的品質。
實用新型內容本實用新型的主要目的為提供一種低電感晶片型電阻器，具有至少一對的第一電極和第二電極，以及一設于第一電極和第二電極之間的電阻部份，其中，于電阻部份表面所設的電阻值修整溝槽，包括至少一條與電阻部份軸方向相互平行的直線型溝槽，且該直線型溝槽的兩端系分別連接至第一電極和第二電極。
依本實用新型的此種低電感晶片型電阻器，由在電阻器的電阻部份設置與電阻部份軸方向相互平行的直線型溝槽，在具備可對電阻部份的電阻值適當調整下，可同時避免熱點的產生，為本實用新型的次一目的。
依本實用新型的此種低電感晶片型電阻器，除了在電阻器的電阻部份設置與電阻部份軸方向相互平行的直線型槽外，于直線型槽接近第一電極或第二電極的位置復可設置與電阻部份軸方向相互垂直的水平線型溝槽，藉由直線型溝槽與水平線型溝槽相互連接的位置(折點)因為極為靠近第一電極或第二電極，使電流從第一電極流到第二電極的初始位置即通過折點，達到縮短寬度及延長電流流動路徑的雙重優(yōu)點下，同時避免熱點的產生，為本實用新型的再一目的。
本實用新型是采用以下技術手段實現(xiàn)的一種低電感晶片型電阻器，具有至少一對的第一電極和第二電極，以及一設于第一電極和第二電極之間的電阻本體部份，其電阻本體部份表面，設有電阻值修整溝槽，該電阻值修整溝槽，系使得電阻本體部份的兩側緣部份成為電流不流通的區(qū)域。
前述的該電阻值修整溝槽，包括至少一條與電阻本體部份軸方向相互平行的直線型溝槽，且該直線型溝槽的兩端分別延伸至第一電極和第二電極。
前述的直線型溝槽，于靠近進入電流的電極處，復可連接一條從電阻本體部份外側緣向內延伸的橫向溝槽。
前述的直線型溝槽與電阻本體邊緣之間的電阻本體部份，得予以括除。
本實用新型與現(xiàn)有技術相比具有明顯的優(yōu)勢和有益效果本實用新型在電阻本體部份設置連接第一電極及第二電極的直線型溝槽，能兼顧電阻值的調整，以及減少電阻本體部份表面熱點的發(fā)生。確能有效克服現(xiàn)有熱點的問題，得在不影響電子流通路徑下，達到電阻調整的目的。


圖1為現(xiàn)有晶片型電阻器的制造表示圖；圖2為現(xiàn)有晶片型電阻器設置修整槽的第一種實施示意圖；圖3為現(xiàn)有晶片型電阻器設置修整槽的第二種實施示意圖；圖4為現(xiàn)有晶片型電阻器設置修整槽的第三種實施示意圖；
圖5為現(xiàn)有晶片型電阻器設置修整槽的第四種實施示意圖；圖6為現(xiàn)有晶片型電阻器設置修整槽的第五種實施示意圖；圖7為本實用新型的實施示意圖；圖8為圖7的刮除部份表示意圖；圖9為本實用新型的第二實施示意圖。
具體實施方式
為了更好的對本實用新型加以了解，現(xiàn)結合附圖對本實用新型的具體實施例進一步加以說明。
本實用新型的此種低電感晶片型電阻器，如圖7所示，具有至少一對的第一電極3和第二電極4，以及一設于第一電極和第二電極之間的電阻本體部份5，其電阻本體部份5表面，設有電阻值修整溝槽，該電阻值修整溝槽，系在電阻本體部份5的兩側，接近兩側緣的位置，分別形成一條與電阻本體部份5軸方向相互平行的直線型溝槽6，且該直線型槽溝6的兩端系分別延伸至第一電極3和第二電極4，使電阻本體部份5表面區(qū)隔成長條矩形電流流通區(qū)域5B及長條矩形電流不流通區(qū)域5A。
請參照圖8，上述于電阻本體部份5表面，形成兩條接近外側緣的直線型溝槽6后，由于將整個使電阻本體部份5表面區(qū)隔成長條矩形電流流通區(qū)域5B及長條矩形電流不流通區(qū)域5A，而長條矩形電流不流通區(qū)域(括除部份)得予刮除，使電流僅能在寬度大為縮小的長條矩形流通區(qū)域5B內流動，電流從第一電極流3到第二電極4時，因為沒有受到端點的干擾，故不虞有熱點的產生，達到在調升電阻值的同時，整體的穩(wěn)定性不受影響。
如圖9所示，系本實用新型的另一實施例，從圖式中明顯可見，在電阻本體部份表面，除了在靠近兩側緣的位置設置一條連接第一電極71和第二電極72的直線型修整溝槽6外，在靠近進入電流的電極(第一電極71)端處，與第一電極很小的距離內，仍可設置第二條修整溝槽，該第二修整溝槽，系一與電阻本體部份軸方向相互垂直的水平線型溝槽8，水平線型溝槽8從電阻部份3的一側邊進入至與直線型溝槽6相互連接，形成折點8A相當接近進入電極的L形修整溝槽，如此，因為折點8A相當接近進入電極，使電流經第一電極71流出時可以很快地通過該折點8A，避免因熱點所產生的問題。
由上述兩種實施方式，可以清楚得知，本實用新型在電阻本體部份5設置連接第一電極及第二電極的直線型溝槽6，確能有效克服現(xiàn)有熱點的問題，得在不影響電子流通路徑下，達到電阻調整的目的。
本實用新型上述的低電感晶片型電阻器，藉由使用了與電阻本體部份軸方向上相互平行且連接至第一電極和第二電極的直線型槽，確能兼顧電阻值的調整，以及減少電阻本體部份表面熱點的發(fā)生。
最后應說明的是以上實施例僅用以說明本實用新型而并非限制本實用新型所描述的技術方案；因此，盡管本說明書參照上述的各個實施例對本實用新型已進行了詳細的說明，但是，本領域的普通技術人員應當理解，仍然可以對本實用新型進行修改或等同替換；而一切不脫離實用新型的精神和范圍的技術方案及其改進，其均應涵蓋在本實用新型的權利要求范圍當中。
權利要求1.一種低電感晶片型電阻器，具有至少一對的第一電極和第二電極，以及一設于第一電極和第二電極之間的電阻本體部份，其特征在于在所述電阻本體部份表面，設有電阻值修整溝槽。
2.根據權利要求1所述的低電感晶片型電阻器，其特征在于該電阻值修整溝槽，包括至少一條與電阻本體部份軸方向相互平行的直線型溝槽，且該直線型溝槽的兩端系分別延伸至第一電極和第二電極。
3.根據權利要求2所述的低電感晶片型電阻器，其特征在于所述的直線型溝槽，于靠近進入電流的電極處，復可連接一條從電阻本體部份外側緣向內延伸的橫向溝槽。
4.根據權利要求3所述的低電感晶片型電阻器，其特征在于所述的直線型溝槽與電阻本體邊緣之間的電阻本體部份予以括除。
專利摘要本實用新型公開了一種低電感晶片型電阻器，該電阻器至少具有一對的第一電極和第二電極，以及一個設于第一電極和第二電極之間的電阻本體部分，其電阻本體部分表面，設有電阻值修整溝槽，其中，該電阻值修整溝槽，包括至少一條與電阻本體部分軸方向相互平行的直線型溝槽，且該直線型溝槽的兩端分別延伸至第一電極和第二電極，使電阻本體部分的兩側緣部分成為電流不流通的區(qū)域。
文檔編號H01C7/00GK2821810SQ200520114180
公開日2006年9月27日 申請日期2005年7月20日 優(yōu)先權日2005年7月20日
發(fā)明者鄭原輝 申請人:均鈺科技股份有限公司