專利名稱：離子注入機(jī)非均勻磁場(chǎng)邊緣特性校正器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種磁場(chǎng)邊緣特性校正設(shè)備，尤其涉及一種離子注入機(jī)非均勻磁場(chǎng)邊緣特性校正器。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體特征線寬的不斷縮小，在半導(dǎo)體工藝過(guò)程中的離子注入工藝中，對(duì)注入?yún)㈦s時(shí)的各項(xiàng)注入?yún)?shù)的要求也越來(lái)越高，其中一項(xiàng)對(duì)靜電掃描產(chǎn)生的掃描束的束平行度提出了很高要求，在采用非均勻磁場(chǎng)對(duì)束的角度進(jìn)行校正時(shí)，由于邊緣磁場(chǎng)的影響，會(huì)降低束角度校正的效果。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明新型是為了盡量減少邊緣磁場(chǎng)的影響，采用了一種非均勻磁場(chǎng)邊緣校正技術(shù)，保證了束角度校正器的校正效果。本發(fā)明主要是在非均勻磁場(chǎng)的邊緣磁場(chǎng)外層，有意的產(chǎn)生另一非均勻磁場(chǎng)，其非均勻分布的規(guī)律和原非均勻磁場(chǎng)相反，磁場(chǎng)方向相反，而其邊緣磁場(chǎng)特性相近，因此兩者疊加后的邊緣磁場(chǎng)較原非均勻磁場(chǎng)就有很大的改善，更加接近理想設(shè)計(jì)的邊緣分布。
本實(shí)用新型通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)離子注入機(jī)非均勻磁場(chǎng)邊緣特性校正器包括非均勻磁場(chǎng)入口上校正磁極，非均勻磁場(chǎng)入口下校正磁極，非均勻磁場(chǎng)出口下校正磁極，非均勻磁場(chǎng)出口上校正磁極，非均勻磁場(chǎng)上磁極，非均勻磁場(chǎng)下磁極，非均勻磁場(chǎng)上勵(lì)磁線圈，非均勻磁場(chǎng)磁軛，非均勻磁場(chǎng)下勵(lì)磁線圈。
其中非均勻磁場(chǎng)磁軛上螺釘連接有非均勻磁場(chǎng)上磁極和非均勻磁場(chǎng)下磁極，兩磁極的之間在豎直方向的距離由里往外逐漸增大，產(chǎn)生所需的角度校正非均勻磁場(chǎng)；非均勻磁場(chǎng)上磁極上側(cè)螺釘連接非均勻磁場(chǎng)上勵(lì)磁線圈，非均勻磁場(chǎng)下磁極下側(cè)螺釘連接非均勻磁場(chǎng)下勵(lì)磁線圈；非均勻磁場(chǎng)入口上校正磁極螺釘連接在非均勻磁場(chǎng)入口上側(cè)，非均勻磁場(chǎng)入口下校正磁極螺釘連接在非均勻磁場(chǎng)入口下側(cè)，兩磁極的之間在豎直方向的距離由外往里逐漸增大，在入口產(chǎn)生入口邊緣磁場(chǎng)的校正磁場(chǎng)；非均勻磁場(chǎng)出口上校正磁極螺釘連接在非均勻磁場(chǎng)出口上側(cè)，非均勻磁場(chǎng)出口下校正磁極螺釘連接在非均勻磁場(chǎng)出口下側(cè)，兩磁極的之間在豎直方向的距離由外往里逐漸增大，在出口產(chǎn)生出口邊緣磁場(chǎng)的校正磁場(chǎng)。
本實(shí)用新型具有如下顯著特點(diǎn)1.校正所需非均勻磁場(chǎng)由外加的磁軛回路產(chǎn)生；2.校正所需非均勻磁場(chǎng)無(wú)需外加勵(lì)磁組件，直接取自原非均勻磁場(chǎng)。


圖1為本實(shí)用新型的原理結(jié)構(gòu)圖。
其中1-非均勻磁場(chǎng)入口上校正磁極
2-非均勻磁場(chǎng)入口下校正磁極3-非均勻磁場(chǎng)出口下校正磁極4-非均勻磁場(chǎng)出口上校正磁極5-非均勻磁場(chǎng)的上磁極6-非均勻磁場(chǎng)的下磁極7-非均勻磁場(chǎng)的上勵(lì)磁線圈8-原非均勻磁場(chǎng)的磁軛9-非均勻磁場(chǎng)的下勵(lì)磁線圈。
10-非均勻磁場(chǎng)入口11-非均勻磁場(chǎng)出口具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步介紹，但不作為對(duì)本實(shí)用新型的限定。
如圖1所示，離子注入機(jī)非均勻磁場(chǎng)邊緣特性校正器包括非均勻磁場(chǎng)入口上校正磁極1，非均勻磁場(chǎng)入口下校正磁極2，非均勻磁場(chǎng)出口下校正磁極3，非均勻磁場(chǎng)出口上校正磁極4，非均勻磁場(chǎng)上磁極5，非均勻磁場(chǎng)下磁極6，非均勻磁場(chǎng)上勵(lì)磁線圈7，非均勻磁場(chǎng)磁軛8，非均勻磁場(chǎng)下勵(lì)磁線圈9。
其中非均勻磁場(chǎng)磁軛8上螺釘連接有非均勻磁場(chǎng)上磁極5和非均勻磁場(chǎng)下磁極6，兩磁極的之間在豎直方向的距離由里往外逐漸增大，產(chǎn)生所需的角度校正非均勻磁場(chǎng)；非均勻磁場(chǎng)上磁極5上側(cè)螺釘連接非均勻磁場(chǎng)上勵(lì)磁線圈7，非均勻磁場(chǎng)下磁極6下側(cè)螺釘連接非均勻磁場(chǎng)下勵(lì)磁線圈9；非均勻磁場(chǎng)入口上校正磁極1螺釘連接在非均勻磁場(chǎng)入口10上側(cè)，非均勻磁場(chǎng)入口下校正磁極2螺釘連接在非均勻磁場(chǎng)入口10下側(cè)，兩磁極的之間在豎直方向的距離由外往里逐漸增大，在入口產(chǎn)生入口邊緣磁場(chǎng)的校正磁場(chǎng)；非均勻磁場(chǎng)出口上校正磁極3螺釘連接在非均勻磁場(chǎng)出口11上側(cè)，非均勻磁場(chǎng)出口下校正磁極4螺釘連接在非均勻磁場(chǎng)出口11下側(cè)，兩磁極的之間在豎直方向的距離由外往里逐漸增大，在出口產(chǎn)生出口邊緣磁場(chǎng)的校正磁場(chǎng)。
本發(fā)明新型的特定實(shí)施例已對(duì)本實(shí)用新型的內(nèi)容做了詳盡說(shuō)明。對(duì)本領(lǐng)域一般技術(shù)人員而言，在不背離本實(shí)用新型精神的前提下對(duì)它所做的任何顯而易見(jiàn)的改動(dòng)，都構(gòu)成對(duì)本發(fā)明新型專利的侵犯，將承擔(dān)相應(yīng)的法律責(zé)任。
權(quán)利要求1.一種離子注入機(jī)非均勻磁場(chǎng)邊緣特性校正器，包括非均勻磁場(chǎng)上磁極，非均勻磁場(chǎng)下磁極，非均勻磁場(chǎng)上勵(lì)磁線圈，非均勻磁場(chǎng)磁軛，非均勻磁場(chǎng)下勵(lì)磁線圈，其特征在于還包括非均勻磁場(chǎng)入口上校正磁極，非均勻磁場(chǎng)入口下校正磁極，非均勻磁場(chǎng)出口下校正磁極，非均勻磁場(chǎng)出口上校正磁極，其中非均勻磁場(chǎng)磁軛上螺釘連接有非均勻磁場(chǎng)上磁極和非均勻磁場(chǎng)下磁極，兩磁極的之間在豎直方向的距離由里往外逐漸增大；非均勻磁場(chǎng)上磁極上側(cè)螺釘連接非均勻磁場(chǎng)上勵(lì)磁線圈，非均勻磁場(chǎng)下磁極下側(cè)螺釘連接非均勻磁場(chǎng)下勵(lì)磁線圈；非均勻磁場(chǎng)入口上校正磁極螺釘連接在非均勻磁場(chǎng)入口上側(cè)，非均勻磁場(chǎng)入口下校正磁極螺釘連接在非均勻磁場(chǎng)入口下側(cè)，兩磁極的之間在豎直方向的距離由外往里逐漸增大；非均勻磁場(chǎng)出口上校正磁極螺釘連接在非均勻磁場(chǎng)出口上側(cè)，非均勻磁場(chǎng)出口下校正磁極螺釘連接在非均勻磁場(chǎng)出口下側(cè)，兩磁極的之間在豎直方向的距離由外往里逐漸增大。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種離子注入機(jī)非均勻磁場(chǎng)邊緣特性校正器，包括非均勻磁場(chǎng)入口上校正磁極，非均勻磁場(chǎng)入口下校正磁極，非均勻磁場(chǎng)出口下校正磁極，非均勻磁場(chǎng)出口上校正磁極，非均勻磁場(chǎng)上磁極，非均勻磁場(chǎng)下磁極，非均勻磁場(chǎng)上勵(lì)磁線圈，非均勻磁場(chǎng)磁軛，非均勻磁場(chǎng)下勵(lì)磁線圈。非均勻磁場(chǎng)的邊緣磁場(chǎng)外層，產(chǎn)生另一非均勻磁場(chǎng)，其非均勻分布的規(guī)律和原非均勻磁場(chǎng)相反，磁場(chǎng)方向相反，而其邊緣磁場(chǎng)特性相近，因此兩者疊加后的邊緣磁場(chǎng)較原非均勻磁場(chǎng)就有很大的改善，更加接近理想設(shè)計(jì)的邊緣分布。
文檔編號(hào)H01L21/265GK2906907SQ20052014250
公開(kāi)日2007年5月30日 申請(qǐng)日期2005年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月5日
發(fā)明者唐景庭, 伍三忠, 郭健輝, 彭立波, 王迪平, 孫勇, 許波濤, 易文杰, 姚志丹, 孫雪平, 謝均宇 申請(qǐng)人:北京中科信電子裝備有限公司