專利名稱：電子束描繪裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于制造母盤(original master)的射束描繪裝置，特別是涉及用于呈同心圓狀描繪圓的電子束描繪裝置。
背景技術(shù)：
磁盤或硬盤(HDHard Disk)用于個人計算機(PC)的存儲裝置、移動設(shè)備、車載設(shè)備等。近年來，其用途也進一步顯著擴大，并且面記錄密度也急速提高。
為了制造該高記錄密度硬盤，廣泛研究了電子束母盤制作(mastering)技術(shù)。在電子束描繪曝光裝置中，從電子槍射出且由電子透鏡會聚的電子束點被照射到涂布了抗蝕劑的基板上。該電子束點的照射位置由消隱控制系統(tǒng)和射束偏轉(zhuǎn)控制系統(tǒng)控制，描繪期望的射束圖形。例如，作為電子束曝光裝置，開發(fā)了用于精度良好地制作光盤等記錄介質(zhì)的母盤的裝置(例如，參照日本特開2002-367178號公報)。
因此，為了進行高記錄密度的電子束描繪，有必要高精度地進行電子束點的照射位置控制。在近年來的硬盤中，采用了同心圓狀的圖形，而不是光盤等中采用的螺旋圖形。在呈同心圓狀進行電子束描繪的情況下，有必要描繪在圓(磁道)的始端和終端精度良好地連接的圓，期望實現(xiàn)能高精度地呈同心圓狀進行描繪的裝置。
在以往的x-θ系描繪裝置等中呈同心圓狀進行電子束描繪的情況下，由于與基板旋轉(zhuǎn)同步的傾斜波而使電子束朝徑向方向偏轉(zhuǎn)。因此，發(fā)生以下不利情況圓的接合部分的形狀紊亂，而且在岸(land)部形成有曝光的部分等。并且，在旋轉(zhuǎn)階段存在旋轉(zhuǎn)不均勻的情況下，也發(fā)生線不連接的情況。并且，雖然在使用消隱時沒有岸的曝光部分，但發(fā)生線不連接的不利情況。因此，期望實現(xiàn)能高精度地描繪圓的射束描繪裝置。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明要解決的課題中，提供一種電子束描繪裝置作為一例，該裝置在呈同心圓狀進行電子束描繪的情況下，可描繪在圓的始端和終端高精度地連接的圓。
本發(fā)明的電子束描繪裝置在使基板旋轉(zhuǎn)的同時照射電子束，以在基板上呈同心圓狀描繪多個圓，其特征在于，該裝置具有射束偏轉(zhuǎn)部，其使電子束偏轉(zhuǎn)來使電子束的照射位置變化；同步信號生成部，其生成與基板旋轉(zhuǎn)同步的同步信號；控制器，其在從一個圓的描繪轉(zhuǎn)移到另一圓的描繪時，根據(jù)上述同步信號控制射束偏轉(zhuǎn)部，使電子束朝基板的旋轉(zhuǎn)半徑方向以及基板的旋轉(zhuǎn)切線方向即與基板旋轉(zhuǎn)相反的方向偏轉(zhuǎn)；以及射束遮斷部，其在使電子束朝旋轉(zhuǎn)半徑方向偏轉(zhuǎn)的期間遮斷電子束朝基板照射。
并且，本發(fā)明的電子束描繪方法在使基板旋轉(zhuǎn)的同時照射電子束，以在基板上呈同心圓狀描繪多個圓，其特征在于，該方法具有遮斷步驟，其在一個圓的描繪期間遮斷電子束朝基板照射；以及描繪開始步驟，其在遮斷中使電子束朝基板的至少旋轉(zhuǎn)半徑方向偏轉(zhuǎn)，開始另一圓的描繪。


圖1是示意性地示出作為本發(fā)明的實施例1的電子束描繪裝置的結(jié)構(gòu)的方框圖。
圖2是示出盤的螺旋圖形(虛線)和同心圓圖形(實線)的平面圖。
圖3是對在基板上描繪多個同心圓圖形的情況進行說明的示意性平面圖。
圖4是說明在實施例1中的進行同心圓15A和15B的描繪的情況的示意性平面圖。
圖5是與圖4對應(yīng)的圖，是示出消隱控制信號以及X方向和Y方向的偏轉(zhuǎn)控制信號的圖。
圖6是示出圖4和圖5所示的描繪過程的流程圖。
圖7是示意性地示出通過消隱遮斷電子束EB(射束OFF)的情況的圖。
圖8是用于對在實施例2中從圓15A向圓15B轉(zhuǎn)移描繪時的偏轉(zhuǎn)控制進行說明的示意性平面圖。
圖9是與圖8對應(yīng)的圖，是示出消隱控制信號以及X方向和Y方向的偏轉(zhuǎn)控制信號的圖。
圖10是用于對在實施例3中從圓15A向圓15B轉(zhuǎn)移描繪時的偏轉(zhuǎn)控制進行說明的示意性平面圖。
圖11是與圖10對應(yīng)的圖，是示出消隱控制信號以及X方向和Y方向的偏轉(zhuǎn)控制信號的圖。
圖12是用于對在實施例4中從圓15A向圓15B轉(zhuǎn)移描繪時的偏轉(zhuǎn)控制進行說明的示意性平面圖。
圖13是與圖12對應(yīng)的圖，是示出消隱控制信號以及X方向和Y方向的偏轉(zhuǎn)控制信號的圖。
具體實施例方式
以下，參照附圖對本發(fā)明的實施例進行詳細說明。另外，在以下所示的實施例中，對等價的構(gòu)成要素附上相同的參照符號。
實施例1圖1是示意性地示出作為本發(fā)明的實施例1的電子束描繪裝置10的結(jié)構(gòu)的方框圖。電子束描繪裝置10是使用電子束制作磁盤制造用的母盤的母盤制作裝置。
電子束描繪裝置10設(shè)置有真空室11；對配置在真空室11內(nèi)的基板進行載置并使其旋轉(zhuǎn)、平移的驅(qū)動裝置；安裝在真空室11中的電子束柱20；以及進行基板的驅(qū)動控制和電子束控制等的各種電路和控制系統(tǒng)。
更詳細地說，盤的母盤用基板15被載置在轉(zhuǎn)臺16上。轉(zhuǎn)臺16由作為旋轉(zhuǎn)驅(qū)動基板15的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動裝置的主軸電動機17相對于盤基板主面的垂直軸旋轉(zhuǎn)驅(qū)動。主軸電動機17設(shè)置在進給臺(以下簡稱為臺)18上。臺18與作為輸送(平移驅(qū)動)裝置的進給電動機19結(jié)合，可使主軸電動機17和轉(zhuǎn)臺16朝與基板15的主面平行的面內(nèi)的規(guī)定方向移動。
轉(zhuǎn)臺16由電介質(zhì)例如陶瓷構(gòu)成，并具有靜電卡緊機構(gòu)(未作圖示)。該靜電卡緊機構(gòu)構(gòu)成為具有轉(zhuǎn)臺16(陶瓷)以及設(shè)置在轉(zhuǎn)臺16內(nèi)用于產(chǎn)生靜電極化的由導(dǎo)體構(gòu)成的電極。該電極與高電壓電源(未作圖示)連接，通過從高電壓電源向該電極施加電壓，來吸附保持基板15。
在臺18上配置有作為后述的激光測長系統(tǒng)35的一部分的反射鏡35A、干涉計等的光學(xué)要素。
真空室11通過空氣阻尼器等的防振臺(未作圖示)來設(shè)置，使來自外部的振動傳遞得到抑制。并且，真空室11與真空泵(未作圖示)連接，從而通過對室內(nèi)進行排氣，把真空室11的內(nèi)部設(shè)定為規(guī)定壓力的真空氣氛。
在電子束柱20內(nèi)，按以下順序配置有射出電子束的電子槍(發(fā)射器)21，會聚透鏡22，消隱電極23，光圈24，射束偏轉(zhuǎn)線圈25，對準(zhǔn)線圈26，偏轉(zhuǎn)電極27，聚焦透鏡28，以及物鏡29。
電子槍21使用被施加了從加速高壓電源(未作圖示)供給的高電壓的陰極(未作圖示)射出加速到幾10KeV的電子束(EB)。會聚透鏡22會聚所射出的電子束。消隱電極23根據(jù)來自消隱控制部31的調(diào)制信號進行電子束的接通/斷開切換(ON/OFF)。即，通過對消隱電極23間施加電壓來使通過的電子束大幅偏轉(zhuǎn)，可阻止電子束通過光圈24，使電子束處于斷開狀態(tài)。
對準(zhǔn)線圈26根據(jù)來自射束位置校正器32的校正信號進行電子束的位置校正。偏轉(zhuǎn)電極27可根據(jù)來自偏轉(zhuǎn)控制部33的控制信號對電子束進行高速偏轉(zhuǎn)控制。通過該偏轉(zhuǎn)控制，進行電子束點相對于基板15的位置控制。聚焦透鏡28根據(jù)來自聚焦控制部34的控制信號進行電子束的聚焦控制。
并且，在真空室11內(nèi)設(shè)置有用于檢測基板15的主面高度的光源36A和光檢測器36B。而且，在電子束描繪裝置10內(nèi)設(shè)置有高度檢測部36。光檢測器36B包含例如位置傳感器、CCD(電荷耦合裝置)等，并接受從光源36A射出且由基板15的表面反射的光束，把該受光信號提供給高度檢測部36。高度檢測部36根據(jù)受光信號檢測基板15的主面高度，生成檢測信號。表示基板15的主面高度的檢測信號被提供給聚焦控制部34，聚焦控制部34根據(jù)該檢測信號進行電子束的聚焦控制。
激光測長系統(tǒng)35使用來自激光測長系統(tǒng)35內(nèi)的光源的測距用激光測量到臺18的距離，把該測距數(shù)據(jù)即臺18的位置數(shù)據(jù)發(fā)送到位置控制部37。位置控制部37根據(jù)位置數(shù)據(jù)生成用于校正射束位置的位置校正信號，并發(fā)送給射束位置校正器32。如上所述，射束位置校正器32根據(jù)該校正信號進行電子束的位置校正。并且，位置控制部37生成進行進給電動機19的控制的位置控制信號來提供給進給電動機19。
主軸電動機17的旋轉(zhuǎn)由旋轉(zhuǎn)控制部38控制。并且，旋轉(zhuǎn)控制部38把主軸電動機17的旋轉(zhuǎn)同步信號發(fā)送給描繪控制器39。該旋轉(zhuǎn)同步信號包含表示基板15的基準(zhǔn)旋轉(zhuǎn)位置的信號、以及與基準(zhǔn)旋轉(zhuǎn)位置每次成規(guī)定旋轉(zhuǎn)角的脈沖信號。旋轉(zhuǎn)控制部38根據(jù)該旋轉(zhuǎn)同步信號取得基板15的旋轉(zhuǎn)角、旋轉(zhuǎn)速度、旋轉(zhuǎn)頻率等。描繪控制器39把消隱控制信號和偏轉(zhuǎn)控制信號分別發(fā)送給消隱控制部31和偏轉(zhuǎn)控制部33，進行描繪控制。該描繪控制如后所述，與上述主軸電動機17的旋轉(zhuǎn)信號同步進行。另外，針對消隱控制部31、射束位置校正器32、偏轉(zhuǎn)控制部33、聚焦控制部34、位置控制部37以及旋轉(zhuǎn)控制部38示出了主要信號線，然而這些各構(gòu)成部與描繪控制器39雙向連接。并且，電子束描繪裝置10的各構(gòu)成部構(gòu)成為與進行裝置整體控制的未作圖示的系統(tǒng)控制器適當(dāng)連接，并收發(fā)必要信號。
然后，以下詳細說明使用電子束描繪裝置10對硬盤母盤的同心圓狀圖形進行描繪(電子束曝光)的情況。
目前廣泛使用的硬盤的磁道如圖2所示，不是在CD、DVD等的光盤中采用的螺旋圖形(虛線所示)，而是同心圓圖形(實線所示)。以使用該裝置(x-θ系描繪裝置)依次描繪同心圓圖形(圖2的15A、15B、15C··等)的情況為例進行說明。
圖3是示意性地示出在成為硬盤母盤的基板15上描繪多個同心圓圖形的情況的平面圖。在涂布了抗蝕劑的基板15上，如圖所示呈同心圓狀進行電子束描繪(電子束曝光)，描繪在同心圓的始端和終端精度良好地連接的圓(磁道)。即，首先從圓15A的始端15X開始描繪電子束，把圓描繪成在描繪結(jié)束點(圓15A的終端)處連接作為描繪開始點的15X。另外，在圖中，為了便于說明，圓15A的始端和終端(連接點)15X的位置用黑圓(●)表示。然后，以圓15A的描繪連接點15X的半徑(徑向)方向外側(cè)的點15Y為描繪連接點，同樣描繪與圓15A同心的圓15B。而且，以描繪連接點15Y的半徑(徑向)方向外側(cè)的點15Z為描繪連接點，同樣描繪與圓15A、15B同心的同心圓15C。描繪連接點15X、15Y、15Z分別在同心圓15A、15B、15C中的同一半徑方向的直線上。另外，在徑向方向內(nèi)側(cè)描繪同心圓的情況也一樣。
圖4是用于說明進行同心圓15A和15B的描繪，以使圓在上述描繪連接點處精度良好地連接的情況的示意性平面圖，將描繪連接點(開始點、結(jié)束點)附近進行放大示出。圖5是與圖4對應(yīng)的圖，是示出消隱控制信號以及X方向和Y方向的偏轉(zhuǎn)控制信號的圖。并且，圖6是示出該描繪過程的流程圖。另外，以按照恒定線速度(CLV)V旋轉(zhuǎn)控制基板15的情況為例進行說明。
徑向方向即圖中X方向的偏轉(zhuǎn)控制信號(以下稱為X偏轉(zhuǎn)信號)是具有與主軸電動機17的旋轉(zhuǎn)頻率相同的周期的傾斜波，根據(jù)具有該傾斜波形的X偏轉(zhuǎn)信號開始描繪圓(磁道)15A(步驟S11)，把圓15A描繪到在描繪開始點15X的附近且未到達描繪開始點15X的位置A(圖3和圖4)。在位置A處，根據(jù)具有傾斜波形的Y偏轉(zhuǎn)信號，朝與基板15的旋轉(zhuǎn)方向(-Y方向)相反的方向即切線方向(即，+Y方向)開始電子束的偏轉(zhuǎn)(步驟S12)。在電子束到達位置B(即，圓15A的描繪開始點15X)的時刻，根據(jù)消隱信號遮斷電子束(步驟S13)。如圖7所示，通過對消隱電極23施加消隱電壓，使電子束EB從光圈24的光闌孔大幅偏轉(zhuǎn)，使電子束EB處于不通過光圈24的狀態(tài)(射束；OFF)，可遮斷電子束。在該狀態(tài)下使電子束進一步偏轉(zhuǎn)到圓15A上的位置C(朝與基板15的旋轉(zhuǎn)方向相反的方向偏轉(zhuǎn))(步驟S14)。另外，位置C采用朝+Y方向距離位置B為DY/2的位置。
在電子束到達圓15A上的位置C的時刻，使電子束朝與之前相反的方向(基板15的旋轉(zhuǎn)方向即切線方向，即圖中-Y方向)偏轉(zhuǎn)，并使電子束朝徑向方向(即圖中+X方向)偏轉(zhuǎn)，把電子束高速切換和輸送到圓15B上的位置D(步驟S15)。然后，根據(jù)傾斜波形的Y偏轉(zhuǎn)信號，使電子束從位置D朝與旋轉(zhuǎn)方向相反的方向即切線方向(圖中+Y方向)偏轉(zhuǎn)(步驟S16)。
在電子束到達圓15B上的位置E(即，位置15Y)的時刻，解除消隱電極23的消隱(射束ON)(步驟S17)，使電子束EB通過光圈24。另外，位置D采用朝-Y方向距離位置E為DY/2的位置。從而從位置E再次開始描繪(曝光)。因此，在從圓15A的位置B到位置C的期間、在進行從圓15A的位置C到圓15B的位置D的X偏轉(zhuǎn)和Y偏轉(zhuǎn)的期間、以及從圖15B的位置D到位置E的期間，電子束處于消隱(射束OFF)狀態(tài)，不進行描繪(曝光)。并且，在本實施例中，位置B和位置E是各圓的描繪開始點，也是描繪連接點。并且，位置B和位置E在成為描繪基準(zhǔn)的同一半徑方向的直線(以下也稱為基準(zhǔn)半徑直線)上，分別是同心圓15A和15B的基準(zhǔn)位置。該基準(zhǔn)半徑直線例如可決定成使各圓的描繪連接位置在該基準(zhǔn)半徑直線上，或者如后所述，在進行重寫的情況下，處于重寫的中央位置?；鶞?zhǔn)半徑直線不限于此，可適當(dāng)決定。
在圓15B上從位置E到位置F根據(jù)傾斜波形的Y偏轉(zhuǎn)信號使電子束朝+Y方向偏轉(zhuǎn)來進行描繪(步驟S18)。即，在位置F結(jié)束基于傾斜波形的Y偏轉(zhuǎn)信號的偏轉(zhuǎn)，繼續(xù)進行圓15B的描繪。
通過重復(fù)進行以上動作，可進行同心圓圖形的描繪。這里，要描繪的線在圓的始點和終點一致的條件由V＝DY/Tb(1-Tb/Ty)表示，其中，設(shè)基板的移動速度為V，位置C與位置D之間的Y偏轉(zhuǎn)信號的偏轉(zhuǎn)量為DY，位置A與位置F之間的期間為Ty，以及消隱時間為Tb。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，在從1個圓的描繪轉(zhuǎn)移到另一圓的描繪時，使電子束不僅朝旋轉(zhuǎn)半徑(徑向)方向偏轉(zhuǎn)，而且朝與基板旋轉(zhuǎn)(移動)相反的方向的旋轉(zhuǎn)切線方向偏轉(zhuǎn)。并且，即使在圓的描繪連接部中，也朝旋轉(zhuǎn)切線方向偏轉(zhuǎn)。因此，可描繪在始端和終端精度良好地連接的圓(磁道)。并且，即使在旋轉(zhuǎn)階段有旋轉(zhuǎn)不均勻的情況下，也能高精度地使圓接合。
實施例2以下參照附圖對本發(fā)明的實施例2進行說明。
圖8是用于對在從圓15A向圓15B轉(zhuǎn)移描繪時的偏轉(zhuǎn)控制進行說明的示意性平面圖，將描繪連接點(開始點、結(jié)束點)附近進行放大示出。圖9是與圖8對應(yīng)的圖，是示出消隱控制信號以及X方向和Y方向的偏轉(zhuǎn)控制信號的圖。
在圓15A的基準(zhǔn)位置RA的附近位置A處，根據(jù)具有傾斜波形的Y偏轉(zhuǎn)信號，朝與基板15的旋轉(zhuǎn)(移動)方向相反的方向即切線方向(圖中+Y方向)開始電子束的偏轉(zhuǎn)，這一點與上述實施例1相同。在本實施例中，開始朝+Y方向偏轉(zhuǎn)后，從位置B(例如，基準(zhǔn)位置RA)增加偏轉(zhuǎn)速度，在通過了基準(zhǔn)位置RA的位置C處，根據(jù)消隱信號消隱電子束來遮斷電子束(射束OFF)。
然后，在進行偏轉(zhuǎn)的同時移動到位置D后，使電子束朝與之前相反的方向(圖中-Y方向)偏轉(zhuǎn)，并使電子束朝下一圓(磁道)15B的方向(圖中+X方向)偏轉(zhuǎn)，把電子束高速輸送到圓15B上的位置E。然后，根據(jù)傾斜波形的Y偏轉(zhuǎn)信號使電子束朝切線方向(圖中+Y方向)偏轉(zhuǎn)直到到達位置F。另外，位置F被設(shè)定為圓15B中的到達基準(zhǔn)半徑直線上的基準(zhǔn)位置RB以前的位置。在位置F處解除消隱，從而使電子束EB照射到基板15上(射束ON)。在圓15B上的位置G(例如，基準(zhǔn)半徑直線上的位置RB)處減小偏轉(zhuǎn)速度，在位置H處結(jié)束基于傾斜波形的Y偏轉(zhuǎn)信號的偏轉(zhuǎn)。
通過重復(fù)進行以上動作，可進行同心圓圖形的描繪。在實施例1中，描繪開始點和描繪結(jié)束點在基準(zhǔn)位置，進行不產(chǎn)生重寫的消隱控制，然而在上述過程中重復(fù)進行了同心圓的描繪的情況下，產(chǎn)生重寫區(qū)域。即，以圓15B為例進行說明，在繼圓15B之后與上述一樣描繪了圓15C的情況下，從圓15B的位置F到圓15B的描繪結(jié)束位置C’(與位置C對應(yīng)的圓15B上的位置)的區(qū)間為重寫部分(WO)。即，進行偏轉(zhuǎn)和消隱控制，以便以圓15A和圓15B上的基準(zhǔn)位置(RA、RB)為中心產(chǎn)生重寫部分(WO)。
因此，可描繪在始端和終端高精度地連接的圓。并且，即使在旋轉(zhuǎn)階段有旋轉(zhuǎn)不均勻的情況下，也能高精度地使圓接合。
實施例3以下參照附圖對本發(fā)明的實施例3進行說明。
圖10是用于對從圓15A向圓15B轉(zhuǎn)移描繪時的偏轉(zhuǎn)控制進行說明的示意性平面圖，將描繪連接點附近進行放大示出。圖11是與圖10對應(yīng)的圖，是示出消隱控制信號以及X方向和Y方向的偏轉(zhuǎn)控制信號的圖。
從圓15A上的位置A開始基于Y偏轉(zhuǎn)信號的偏轉(zhuǎn)，從圓15A上的位置B施加規(guī)定增加率的消隱電壓。即，通過呈傾斜狀施加消隱電壓，可調(diào)整照射到基板上的射束強度。在超過了基準(zhǔn)位置的位置C處急劇增加消隱電壓，完全消隱電子束來遮斷電子束(射束OFF)。即，從位置B到位置C射束強度逐漸減少，在位置C處完全為零。然后，在移動到位置D后，使電子束朝-Y方向偏轉(zhuǎn)，并使電子束朝+X方向偏轉(zhuǎn)，把電子束高速輸送到圓15B上的位置E。
在圓15B上的未到達基準(zhǔn)位置RB的位置F處使消隱電壓急劇下降到規(guī)定電壓，從而照射比完全接通狀態(tài)低的射束強度的電子束。之后，使消隱電壓以規(guī)定的減小率下降，在超過了基準(zhǔn)位置的位置G(與圓15A上的位置C對應(yīng))處使射束完全處于接通狀態(tài)。之后，在位置H處結(jié)束基于傾斜波形的Y偏轉(zhuǎn)信號的偏轉(zhuǎn)。
通過重復(fù)進行以上動作，可進行多個同心圓的描繪。因此，可描繪在始端和終端高精度地連接的圓。并且，即使在旋轉(zhuǎn)階段有旋轉(zhuǎn)不均勻的情況下，也能高精度地使圓接合。另外，在上述過程中重復(fù)進行了同心圓的描述的情況下，產(chǎn)生重寫區(qū)域。即，進行偏轉(zhuǎn)和消隱控制，以便以圓15A和圓15B上的基準(zhǔn)位置RA、RB為中心產(chǎn)生重寫部分(WO)。
另外，可以在使電子束朝徑向方向偏轉(zhuǎn)的期間之前或者該期間之后的至少任意一方中，使射束的照射強度以規(guī)定的變化率變化。
實施例4以下參照附圖對本發(fā)明的實施例4進行說明。
圖12是用于對從圓15A向圓15B轉(zhuǎn)移描繪時的偏轉(zhuǎn)控制進行說明的示意性平面圖，將描繪連接點附近進行放大示出。圖13是與圖12對應(yīng)的圖，是示出消隱控制信號以及X方向和Y方向的偏轉(zhuǎn)控制信號的圖。
本實施例的描繪方法與上述實施例1的描繪方法的不同點是，Y方向的偏轉(zhuǎn)控制信號使正弦波狀信號與傾斜狀信號重疊。另外，其他方面與實施例1的描繪方法相同。
更詳細地說，在從位置A到位置C的期間，根據(jù)正弦波狀的Y偏轉(zhuǎn)信號朝切線方向(圖中±Y方向)進行電子束的偏轉(zhuǎn)。從位置C使電子束朝切線方向(圖中-Y方向)偏轉(zhuǎn)，并使電子束朝徑向方向(圖中+X方向)偏轉(zhuǎn)，把電子束高速輸送到位置D。然后，在從位置D到位置F的期間，根據(jù)正弦波狀的Y偏轉(zhuǎn)信號朝切線方向(圖中±Y方向)進行電子束的偏轉(zhuǎn)。另外，在從作為描繪連接點的位置B到位置E的期間，消隱電子束來遮斷電子束(射束OFF)，這一點與實施例1的情況一樣，然而可以把電子束的遮斷期間設(shè)定成進行重寫。
如以上詳細說明那樣，根據(jù)本發(fā)明，當(dāng)從1個圓的描繪轉(zhuǎn)移到另一圓的描繪時，使電子束不僅朝旋轉(zhuǎn)半徑(徑向)方向偏轉(zhuǎn)，而且朝基板旋轉(zhuǎn)(移動)的旋轉(zhuǎn)切線方向偏轉(zhuǎn)。并且，即使在圓的描繪連接部中，也朝與基板旋轉(zhuǎn)相反的方向的旋轉(zhuǎn)切線方向偏轉(zhuǎn)。因此，可描繪在始端和終端精度良好地連接的圓(磁道)。并且，即使在旋轉(zhuǎn)階段有旋轉(zhuǎn)不均勻的情況下，也能高精度地使圓接合。
另外，在上述實施例中，對使用電子束進行同心圓的描繪(曝光)的情況作了說明，然而不限于電子束，也能應(yīng)用于使用光束等的射束進行描繪的情況。
權(quán)利要求
1.一種電子束描繪裝置，該裝置在使基板旋轉(zhuǎn)的同時照射電子束，以在上述基板上呈同心圓狀描繪多個圓，其特征在于，該裝置具有射束偏轉(zhuǎn)部，其使上述電子束偏轉(zhuǎn)來使上述電子束的照射位置變化；同步信號生成部，其生成與上述基板的旋轉(zhuǎn)同步的同步信號；控制器，其在從一個圓的描繪轉(zhuǎn)移到另一圓的描繪時，根據(jù)上述同步信號控制上述射束偏轉(zhuǎn)部，使上述電子束朝上述基板的旋轉(zhuǎn)半徑方向以及與上述基板的旋轉(zhuǎn)相反方向的上述基板的旋轉(zhuǎn)切線方向偏轉(zhuǎn)；以及射束遮斷部，其在使上述電子束朝上述旋轉(zhuǎn)半徑方向偏轉(zhuǎn)的期間遮斷上述電子束朝上述基板的照射。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子束描繪裝置，其特征在于，上述控制器在從上述一個圓的描繪轉(zhuǎn)移到上述另一圓的描繪之前，使上述電子束朝與上述基板的移動相同方向的上述基板的旋轉(zhuǎn)切線方向偏轉(zhuǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子束描繪裝置，其特征在于，上述控制器使上述電子束朝上述旋轉(zhuǎn)切線方向偏轉(zhuǎn)，以便重寫上述圓的包含描繪連接位置的圓周部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子束描繪裝置，其特征在于，上述射束遮斷部在使上述電子束朝上述旋轉(zhuǎn)半徑方向偏轉(zhuǎn)的期間之前或者該期間之后的任意一方中，使上述電子束朝上述基板的照射強度以規(guī)定的變化率變化。
5.一種電子束描繪方法，該方法在使基板旋轉(zhuǎn)的同時照射電子束，以在上述基板上呈同心圓狀描繪多個圓，其特征在于，該方法具有遮斷步驟，其在一個圓的描繪期間遮斷上述電子束朝上述基板的照射；以及描繪開始步驟，其在上述遮斷中使上述電子束朝上述基板的至少旋轉(zhuǎn)半徑方向偏轉(zhuǎn)，開始另一圓的描繪。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子束描繪方法，其特征在于，上述描繪開始步驟還使電子束朝旋轉(zhuǎn)切線方向偏轉(zhuǎn)。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種電子束描繪裝置，該裝置具有射束偏轉(zhuǎn)部，其使電子束偏轉(zhuǎn)來使電子束的照射位置變化；同步信號生成部，其生成與基板旋轉(zhuǎn)同步的同步信號；控制器，其在從一個圓的描繪轉(zhuǎn)移到另一圓的描繪時，根據(jù)上述同步信號控制射束偏轉(zhuǎn)部，使電子束朝基板的旋轉(zhuǎn)半徑方向以及基板的旋轉(zhuǎn)切線方向即與基板旋轉(zhuǎn)相反的方向偏轉(zhuǎn)；以及射束遮斷部，其在使電子束朝旋轉(zhuǎn)半徑方向偏轉(zhuǎn)的期間遮斷電子束朝基板的照射。
文檔編號H01L21/027GK1934503SQ20058000918
公開日2007年3月21日 申請日期2005年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月23日
發(fā)明者小島良明 申請人:先鋒株式會社