專利名稱：一種用于制造射頻識(shí)別電子標(biāo)簽的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于射頻識(shí)別領(lǐng)域，具體涉及一種用于制造射頻識(shí)別電子標(biāo)簽的方法背景技術(shù)典型的射頻識(shí)別電子標(biāo)簽包括一個(gè)單圈閉合或多圈閉合環(huán)路形成的天線，以及連接到天線兩端的至少一個(gè)集成電路芯片。其與讀寫器之間的通信為非接觸性，通過(guò)射頻信號(hào)來(lái)實(shí)現(xiàn)。射頻信號(hào)頻段包括例如1低頻頻率在30kHz-300kHz，典型的工作頻率有125kHz，133kHz。2高頻頻率在3MHz-30MHz，典型的工作頻率為13.56MHz。3超高頻頻率大于400MHz，典型工作頻率為915MHz、2.45GHz、5.8GHz，等射頻識(shí)別電子標(biāo)簽的傳統(tǒng)制造方法如圖1所示，通常為將有絕緣層的導(dǎo)線或者導(dǎo)電金屬箔在非導(dǎo)電基板(4)上盤成螺旋狀形成天線(1)，天線一端連接倒扣著的集成電路芯片(2)，另一端從覆蓋在天線上的非導(dǎo)電材料(3)上通過(guò)(或穿孔從基板底部通過(guò))，連回集成電路芯片。圖2為傳統(tǒng)制造方法的剖面圖。圖3為集成電路芯片示意圖，其中天線兩端分別與集成電路芯片焊盤1與焊盤2連接(兩個(gè)焊盤可以在芯片對(duì)角線上也可以在同一邊上或者是不在芯片同一點(diǎn)的兩個(gè)位置上)。未焊接芯片的標(biāo)簽天線兩端在電性能上是導(dǎo)通的。
上述制造方法的缺點(diǎn)在于如果采用單圈天線，可將射頻識(shí)別電子標(biāo)簽的天線與芯片制作在同一個(gè)平面上，但由于單圈天線的射頻識(shí)別電子標(biāo)簽接受射頻能量的效率很低，電子標(biāo)簽工作距離會(huì)變近。而為了制造多圈天線，在制造工序中天線連接回芯片需通過(guò)非導(dǎo)電材料搭橋或在基板材上穿孔，從而增加了工藝的復(fù)雜度，增加射頻電子標(biāo)簽的制造時(shí)間，提高了射頻電子標(biāo)簽的制造成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種改進(jìn)的用于制造射頻識(shí)別電子標(biāo)簽的方法。通過(guò)本方法，可以在同一平面制造具有多圈天線的射頻識(shí)別電子標(biāo)簽，從而簡(jiǎn)化射頻識(shí)別電子標(biāo)簽的制造流程，降低射頻識(shí)別電子標(biāo)簽的制造成本。
本發(fā)明對(duì)原先射頻識(shí)別電子標(biāo)簽制作方法的改進(jìn)涉及兩個(gè)方面，一方面，對(duì)用于制作射頻識(shí)別電子標(biāo)簽中的集成電路芯片焊盤分布方法及連接方式進(jìn)行改進(jìn)，在芯片內(nèi)增加N條(N為整數(shù)，N＞0)帶有兩個(gè)焊盤(5)的導(dǎo)電通道(6)(兩個(gè)焊盤可以在芯片對(duì)角線上也可以在同一邊上或者是不在芯片同一點(diǎn)的兩個(gè)位置上，導(dǎo)電通道中的材質(zhì)可以為金屬或其它可導(dǎo)電的材料)，如圖4所示(圖4中N＝2)；另一方面，對(duì)制作在基板上的射頻識(shí)別電子標(biāo)簽天線制作進(jìn)行改進(jìn)，改進(jìn)后的天線不再是連續(xù)導(dǎo)通的，而是分成互不連接的N+1段，如圖5所示(圖5中N＝2)。在制作過(guò)程中，將集成電路芯片倒扣封裝(或其它可行的封裝形式)在制作有天線的基板上，芯片原先兩個(gè)焊盤加上內(nèi)有導(dǎo)電通道連接的焊盤對(duì)總共2×(N+1)個(gè)焊盤與基板上N+1段天線的2×(N+1)個(gè)接口匹配封裝在一起，這樣就通過(guò)芯片內(nèi)部的導(dǎo)電通道將基板上的N+1段互不連接的天線段連接成一個(gè)閉合的天線回路。
通過(guò)上述方法，就可以在一個(gè)平面內(nèi)實(shí)現(xiàn)多圈天線的射頻識(shí)別電子標(biāo)簽制作，從而減少制造工序，降低制造成本。


圖1射頻識(shí)別電子標(biāo)簽的傳統(tǒng)制造方法圖2射頻識(shí)別電子標(biāo)簽的傳統(tǒng)制造方法剖面3射頻識(shí)別電子標(biāo)簽的傳統(tǒng)制造方法中集成電路芯片焊盤分布4改進(jìn)后射頻識(shí)別電子標(biāo)簽制造方法中集成電路芯片焊盤分布圖5改進(jìn)后射頻識(shí)別電子標(biāo)簽制造方法中的天線圖6改進(jìn)后射頻識(shí)別電子標(biāo)簽制造方法中集成電路芯片倒扣封裝在天線上圖7改進(jìn)的具有兩圈天線的射頻電子標(biāo)簽具體實(shí)施例下面通過(guò)實(shí)施例進(jìn)一步描述本發(fā)明。
實(shí)施例圖7所示為改進(jìn)的具有兩圈天線的射頻識(shí)別電子標(biāo)簽示意圖，在此實(shí)施例中，制作在非導(dǎo)電基板(10)上的天線(9)為兩段互不導(dǎo)通金屬線，并有4個(gè)焊接口，集成電路芯片(9)中有導(dǎo)電通道連接的焊盤呈對(duì)角排部，加上原有的兩個(gè)焊盤，也一共有4個(gè)焊盤，將集成電路芯片倒扣封裝在基板上并使其焊盤與天線的焊接口相對(duì)應(yīng)，便可將兩段互不導(dǎo)通的天線連接成一個(gè)導(dǎo)通的兩圈閉合天線。這樣就可以制作出帶有兩圈天線的射頻識(shí)別電子標(biāo)簽。
權(quán)利要求
1.一種用于制造射頻識(shí)別電子標(biāo)簽的方法，所述方法特征在于一方面，在制作射頻識(shí)別電子標(biāo)簽中的集成電路芯片內(nèi)增加N條帶有兩個(gè)焊盤(5)的導(dǎo)電通道(6)，另一方面，對(duì)制作在基板上的射頻識(shí)別電子標(biāo)簽天線分成互不連接的N+1段，在封裝時(shí)，將N+1段天線通過(guò)芯片內(nèi)部的N條金屬通道連接成一個(gè)閉合的天線回路形成多圈天線，從而在一個(gè)基板平面內(nèi)制造具有多圈天線結(jié)構(gòu)的射頻識(shí)別電子標(biāo)簽。
2.如權(quán)利要求1所述的集成電路芯片，其特征是芯片內(nèi)部有N條帶有兩個(gè)焊盤的導(dǎo)電通道。
3.如權(quán)利要求2所述的的導(dǎo)電通道兩端的焊盤，其特征是兩端的焊盤可以在芯片對(duì)角線上也可以在同一邊上或者是不在芯片內(nèi)同一點(diǎn)的兩個(gè)位置上。兩個(gè)焊盤可以在導(dǎo)電通道的兩端或是通道上不在同一點(diǎn)的兩個(gè)位置上。
4.如權(quán)利要求2所述的的導(dǎo)電通道，其特征是導(dǎo)電通道形狀可以為直線，也可以為折線或曲線。
5.如權(quán)利要求2所述的的導(dǎo)電通道，其特征是導(dǎo)電通道中的導(dǎo)體可以為金屬或其它可導(dǎo)電的材質(zhì)。
6.如權(quán)利要求1所述N，其特征為大于0的整數(shù)。
7.如權(quán)利要求1所述天線，其特征為片、板或箔，或?yàn)槁菪隣畹膶?dǎo)電體。
8.如權(quán)利要求1所述的封裝，其特征為可將芯片中的2×(N+1)焊盤與天線中2×(N+1)焊接口連接在一起的各種封裝形式。
9.如權(quán)利要求1所述多圈天線，其特征是天線回路由天線導(dǎo)體及芯片內(nèi)部導(dǎo)電通道混合連接而成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于制造射頻識(shí)別電子標(biāo)簽的方法，通過(guò)本方法，可以在基板的同一平面制造具有多圈天線的射頻識(shí)別電子標(biāo)簽，從而簡(jiǎn)化射頻識(shí)別電子標(biāo)簽的制造流程，降低射頻識(shí)別電子標(biāo)簽的制造成本。
文檔編號(hào)H01L23/48GK1940976SQ20061003022
公開日2007年4月4日 申請(qǐng)日期2006年8月21日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月21日
發(fā)明者李強(qiáng) 申請(qǐng)人:上海坤銳電子科技有限公司