專利名稱：存儲器模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及存儲器模塊。本發(fā)明特別涉及在作為個人計算機、服務(wù)器、工作站等的主存儲器利用的存儲器模塊領(lǐng)域中，搭載了控制半導(dǎo)體插件、例如AMB(Advanced Memory Buffer，高級內(nèi)存緩沖器)插件等的高速、大容量對應(yīng)的存儲器模塊。此種存儲器模塊特別適用于例如FB-DIMM(Fully Buffered Dual-In-Line Memory)。
背景技術(shù)：
作為現(xiàn)有的存儲器模塊，有特開平11-354701號公報中所示的存儲器模塊。在該公報中公開的存儲器模塊，為了對從DRAM等的存儲器IC產(chǎn)生的熱量進行散熱，在將存儲器IC排列在兩側(cè)進行安裝的模塊基板上，安裝了可裝卸的由具有可撓性的材料構(gòu)成的蓋罩狀散熱器，該蓋罩狀散熱器，在向基板上安裝的方向的剖面成コ字型形狀，該コ字型形狀的內(nèi)表面經(jīng)由高導(dǎo)熱性橡膠等高導(dǎo)熱性部件和存儲器IC接觸，在コ字型形狀的外側(cè)表面設(shè)有多個凹凸。
最近，作為要求高速、大容量的服務(wù)器類的存儲器模塊提出了FB-DIMM，該FB-DIMM中排列多個半導(dǎo)體存儲器插件(DRAM插件)并安裝在模塊基板上，并且將控制半導(dǎo)體插件(AMB插件)配置在半導(dǎo)體存儲器插件的排列的中央部、且安裝在模塊基板上。
在所述的FB-DIMM中，將發(fā)熱量大于半導(dǎo)體存儲器插件的控制半導(dǎo)體插件安裝在多個半導(dǎo)體存儲器插件的排列的中央部，所以安裝在控制半導(dǎo)體插件附近的半導(dǎo)體存儲器插件的溫度上升令人擔(dān)心。對此，可以考慮和使用了單個散熱器的現(xiàn)有例一樣使用單個散熱器，并將該單個散熱器橫跨控制半導(dǎo)體插件和半導(dǎo)體存儲器插件二者進行安裝。但是，這種情況下，雖然模塊整體的溫度得到正?；前雽?dǎo)體存儲器插件受控制半導(dǎo)體插件的高溫的影響，得不到降溫的效果，這一點令人擔(dān)心。特別是使用耐熱容許溫度高于半導(dǎo)體存儲器插件的耐熱容許溫度的控制半導(dǎo)體插件時，半導(dǎo)體存儲器插件的可靠性有可能會出現(xiàn)問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種存儲器模塊，能夠?qū)雽?dǎo)體存儲器插件和控制半導(dǎo)體插件分別維持在適當(dāng)?shù)臏囟?，確保各自的可靠性。
為了實現(xiàn)上述的目的，本發(fā)明的存儲器模塊，排列多個半導(dǎo)體存儲器插件并安裝在模塊基板上，并且將控制半導(dǎo)體插件配置在上述半導(dǎo)體存儲器插件的排列的中央部、且安裝在上述模塊基板上，其特征在于，相對于上述半導(dǎo)體存儲器插件的排列方向非熱連接地設(shè)置有與上述控制半導(dǎo)體插件熱連接的控制半導(dǎo)體用散熱器、和與上述多個半導(dǎo)體存儲器插件熱連接的半導(dǎo)體存儲器用散熱器。
根據(jù)本發(fā)明的一種方式，優(yōu)選的是，作為上述半導(dǎo)體存儲器插件，使用多層重疊的多層層疊半導(dǎo)體存儲器插件。
優(yōu)選的是，上述控制半導(dǎo)體用散熱器和上述半導(dǎo)體存儲器用散熱器由不同部件構(gòu)成，在上述半導(dǎo)體存儲器插件的排列方向、在上述控制半導(dǎo)體用散熱器和上述半導(dǎo)體存儲器用散熱器之間，形成有縫隙，設(shè)有非熱連接的部分。
優(yōu)選的是，與處于上述模塊基板的同一面?zhèn)鹊纳鲜隹刂瓢雽?dǎo)體插件及上述半導(dǎo)體存儲器插件連接的上述控制半導(dǎo)體用散熱器和上述半導(dǎo)體存儲器用散熱器，被安裝成各自的投影面互相錯開。
優(yōu)選的是，在上述半導(dǎo)體存儲器用散熱器的中央部設(shè)有切口凹部，并在該切口凹部的投影面內(nèi)配置上述控制半導(dǎo)體用散熱器。
優(yōu)選的是，上述控制半導(dǎo)體用散熱器和上述半導(dǎo)體存儲器用散熱器由相同部件構(gòu)成，在上述半導(dǎo)體存儲器插件的排列方向、在上述控制半導(dǎo)體用散熱器和上述半導(dǎo)體存儲器用散熱器之間，設(shè)有非熱連接的部分。
優(yōu)選的是，上述非熱連接的部分，通過在相對于上述半導(dǎo)體存儲器插件的排列方向交叉的方向上延伸的狹縫形成。
優(yōu)選的是，上述控制半導(dǎo)體插件的耐熱容許溫度高于上述半導(dǎo)體存儲器插件的耐熱容許溫度，在上述控制半導(dǎo)體用散熱器上設(shè)有散熱片。
優(yōu)選的是，相對于上述控制半導(dǎo)體用散熱器上設(shè)置的散熱片的通風(fēng)，可從前后左右任何方向進行。
優(yōu)選的是，在上述控制半導(dǎo)體用散熱器和上述半導(dǎo)體存儲器用散熱器上分別設(shè)有沿著風(fēng)向的散熱片。


圖1是表示本發(fā)明的第一實施例的存儲器模塊的俯視圖。
圖2是圖1的存儲器模塊的中央部分的放大圖。
圖3是圖1的存儲器模塊的底面圖。
圖4是圖1的A-A’剖視圖。
圖5是圖1的B-B’剖視圖。
圖6是圖1的C-C’剖視圖。
圖7是圖1的D-D’剖視圖。
圖8是解析表示圖1的存儲器模塊的芯片溫度的圖。
圖9是比較例的存儲器模塊的剖視圖。
圖10是表示圖1的存儲器模塊的制造方法的工序圖。
圖11是本發(fā)明的第二實施例的存儲器模塊的控制半導(dǎo)體插件部分的俯視圖。
圖12是本發(fā)明的第三實施例的存儲器模塊的控制半導(dǎo)體插件部分的俯視圖。
圖13是表示本發(fā)明的第四實施例的存儲器模塊的俯視圖。
圖14是圖13的存儲器模塊的底面圖。
圖15是圖13的A-A’剖視圖。
圖16是圖13的B-B’剖視圖。
圖17是圖13的C-C’剖視圖。
圖18是圖13的D-D’剖視圖。
圖19是表示本發(fā)明的第五實施例的存儲器模塊的主要部分剖視圖。
具體實施例方式
下面，用

本發(fā)明的多個實施例。各實施例的附圖中的相同的標號表示相同的物體或相當(dāng)?shù)奈矬w。另外，本發(fā)明并不限于實施例中公開的方式，可容許基于公知技術(shù)等的變更。
(實施例1)用圖1至圖9說明本發(fā)明的第一實施例的存儲器模塊。
首先，參照圖1至圖7，說明本實施例的存儲器模塊1的整體。
存儲器模塊1具有模塊基板10、控制半導(dǎo)體插件20、控制半導(dǎo)體用散熱器90A、半導(dǎo)體存儲器插件50、半導(dǎo)體存儲器用散熱器90B。該存儲器模塊1的構(gòu)成為排列多個半導(dǎo)體存儲器插件50、并安裝在模塊基板10上，并且將控制半導(dǎo)體插件20配置在半導(dǎo)體存儲器插件50的排列面的中央部，且安裝在模塊基板10上。
具體而言，該存儲器模塊1，是作為面向高性能服務(wù)器的主存儲器使用的FB-DIMM，為了兼?zhèn)溆蒁RAM插件構(gòu)成的半導(dǎo)體存儲器插件50的高速動作和大容量性(多插槽性)，而使用了AMB控制半導(dǎo)體插件20作為控制用半導(dǎo)體。在該存儲器模塊1中，在a面上，多個(在圖示例中為8個)半導(dǎo)體存儲器插件50a被排列成1列進行安裝，在該排列的中央部空出2個半導(dǎo)體存儲器插件大小的空間，在該空間安裝1個控制半導(dǎo)體插件20，同時在b面上，多個(在圖示例中為10個)半導(dǎo)體存儲器插件50b被安裝成1列。半導(dǎo)體存儲器插件50是半導(dǎo)體存儲器插件50a、50b的總稱。
控制半導(dǎo)體芯片21為數(shù)mm見方左右，搭載在24.5mm×19.5mm的插件基板23上，插件外形尺寸大于控制半導(dǎo)體芯片21。另外，控制半導(dǎo)體芯片21的發(fā)熱量為2.4W～3.4W，遠遠大于每個平均為數(shù)十mW至數(shù)百mW的半導(dǎo)體存儲器芯片51～54。另外，在存儲器模塊1進行風(fēng)速1.5～3.0m/s的通風(fēng)時，各插件20、50的上限容許溫度依次設(shè)定為105℃或以下、85℃或以下，具有存儲器插件50的耐熱溫度低的特點。
在控制半導(dǎo)體插件20上，設(shè)有控制半導(dǎo)體用散熱器90A。該控制半導(dǎo)體用散熱器90A安裝熱傳遞材料30和散熱部件40而構(gòu)成，該熱傳遞材料30被安裝在控制半導(dǎo)體插件20上，該散熱部件40被安裝在該熱傳遞材料30上。散熱部件40具有基體41和板式散熱片42。基體41，其底面與熱傳遞材料30的上表面接合配置，以使其和熱傳遞材料30熱連接。板式散熱片42被形成為從基體41的上表面立起多個，并沿著風(fēng)向延伸。
在半導(dǎo)體存儲器插件50上，設(shè)有半導(dǎo)體存儲器用散熱器90B。該半導(dǎo)體存儲器用散熱器90B，安裝熱傳遞材料60和散熱部件70而構(gòu)成，該熱傳遞材料60被安裝在半導(dǎo)體存儲器插件50上，該散熱部件70被安裝在該熱傳遞材料60上。熱傳遞材料60和散熱部件70，橫跨多個半導(dǎo)體存儲器插件50進行安裝。
散熱部件40和散熱部件70由不同部件構(gòu)成，相互保持著非接觸、非粘接。因而，散熱部件40和散熱部件70為非熱連接。散熱部件40、70的材料，優(yōu)選的是導(dǎo)熱率高的金屬，例如鋁或銅的合金等。通過設(shè)置所述散熱部件40、70，各插件20、50中的芯片21、51～55的高溫部，分別通過散熱部件40、70適當(dāng)?shù)剡M行散熱，而降低到各自的耐熱容許溫度或以下。熱傳遞材料30、60，優(yōu)選的是使用具有粘著性的高導(dǎo)熱的硅酮樹脂基材的片、膠、膏等。其用來減小插件20、50和散熱部件40、70之間的熱阻，降低溫度上升。
如圖2所示，散熱部件70被構(gòu)成為具有切口部73包圍散熱部件40。在40、70兩者間，設(shè)有縫隙L0，相互成非接觸。即，散熱部件40被配置在切口部73的投影面內(nèi)。另外，散熱部件40和散熱部件70并不是經(jīng)由中間材料而粘接。另外，該縫隙L0被設(shè)置成處于和控制半導(dǎo)體插件20鄰接的下風(fēng)側(cè)的半導(dǎo)體存儲器插件50和控制半導(dǎo)體插件20的間隙L1中，或者處于該半導(dǎo)體存儲器插件50和控制半導(dǎo)體插件芯片21的間隙L2中。從而，以控制半導(dǎo)體插件20為中心的高溫場在散熱部件40和散熱部件70之間被分斷，所以能夠降低半導(dǎo)體存儲器插件50的溫度上升。
如圖3所示，在控制半導(dǎo)體插件非搭載面b面上，安裝了10個半導(dǎo)體存儲器插件50b，并在其上經(jīng)由熱傳遞材料60安裝有散熱部件70。
如圖4所示，散熱部件40的板式散熱片42的上端高于散熱部件70的上表面而突出，散熱部件40的板式散熱片42的安裝高度h1，高于散熱部件70的安裝高度h2。
如圖5所示，散熱部件40的基體41的上表面低于散熱部件70的上表面而下沉，散熱部件40的基體41的安裝高度h3，低于散熱部件70的安裝高度h2。
如圖6所示，在模塊基板10的兩面(a面和b面)分別安裝著半導(dǎo)體存儲器插件50。散熱部件70形成為コ字型，被安裝為經(jīng)由熱傳遞材料60夾著a、b兩面的半導(dǎo)體存儲器插件50。用a面的半導(dǎo)體存儲器插件50說明插件內(nèi)部結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體存儲器插件50，為內(nèi)置了4張半導(dǎo)體存儲器芯片51～54和接口芯片55的多層層疊插件。接口芯片55，和插件基板56倒裝片連接而取得電導(dǎo)通，分別單獨組裝半導(dǎo)體存儲器芯片51～54，通過未圖示的外部端子和插件基板56電連接。模塊基板10和插件基板56，通過凸起狀的外部端子57進行電連接。在圖6中，列舉了多層層疊插件，這是因為芯片層疊后，發(fā)熱量和芯片數(shù)量大致成比例地增加，在熱量方面變得苛刻。但是，隨著動作頻率的增加，半導(dǎo)體存儲器的發(fā)熱量處于增加的趨勢，所以在1個芯片的插件中，本發(fā)明也行之有效。
圖7表示在模塊基板10的a面安裝了控制半導(dǎo)體插件20、b面安裝了半導(dǎo)體存儲器插件50b的部位的剖面?？刂瓢雽?dǎo)體插件20中，控制半導(dǎo)體芯片21和插件基板23倒裝片連接，從芯片側(cè)面用底部填充(underfill)樹脂22密封下表面。插件基板23和模塊基板10通過凸起狀的外部端子24電連接。散熱部件40經(jīng)由熱傳遞材料30安裝在芯片上部。另外，為了保持散熱部件40的安裝穩(wěn)定性，在散熱部件40的下部設(shè)有多個突起44，并經(jīng)由熱傳遞材料31安裝在插件基板23上。安裝在模塊基板10的b面的半導(dǎo)體存儲器插件50b上的散熱部件70，在上段側(cè)包圍的中途被分斷，剖面形成L字型。
下面，參照圖7至圖9對本實施例的存儲器模塊1的冷卻效果進行說明。
圖8表示對安裝在a面的控制半導(dǎo)體插件20和半導(dǎo)體存儲器插件50a中的各半導(dǎo)體存儲器芯片的最大溫度進行了解析的例。作為結(jié)構(gòu)參數(shù)，對以下兩種情況進行了比較如圖7所示，控制半導(dǎo)體用散熱器90A和半導(dǎo)體存儲器用散熱器90B完全為分體的情況(分體的情況)；和如圖9所示，直至半導(dǎo)體控制芯片的上方經(jīng)由熱傳遞材料30與散熱部件70熱連接，并且將散熱部件40經(jīng)由熱傳遞材料32和該延長了的散熱部件70熱連接的情況(一體的情況)?？绽錀l件設(shè)為沿模塊長度方向的1.5m/s～3.0m/s。橫軸中0是控制半導(dǎo)體芯片，1～4、7～10表示從上風(fēng)開始的半導(dǎo)體存儲器芯片的順序。縱軸表示和解析的芯片最大溫度中的最小值(分體、風(fēng)速3m/s、從上風(fēng)開始第一個半導(dǎo)體存儲器)的溫度差。從圖8中明顯可知，控制半導(dǎo)體插件20的芯片最大溫度在是一體時略有下降，但是半導(dǎo)體存儲器插件50的芯片最大溫度在是分體時下降很多。半導(dǎo)體存儲器芯片內(nèi)的最大溫度，是從上風(fēng)開始的第7個位置，可以看出，通過構(gòu)成為分體，在風(fēng)速為1.5m/s時可將溫度降低1.5℃、在風(fēng)速為3m/s時可將溫度降低大約2℃。
下面，參照圖10對本實施例的存儲器模塊1的制造方法進行說明。圖10表示本實施例的存儲器模塊1的插件安裝完成后、安裝散熱部件40和散熱部件70的工序。在圖10中，對安裝有控制半導(dǎo)體插件20的模塊中心部進行放大表示。
如圖10(A)所示，在預(yù)先形成了切口12和孔13的模塊基板10上，安裝控制半導(dǎo)體插件20和半導(dǎo)體存儲器插件50。接著，如圖10(B)所示，在控制半導(dǎo)體插件20上經(jīng)由熱傳遞材料30安裝散熱部件40。接著，如圖10(C)所示，在散熱部件40的兩側(cè)的板式散熱片部42安裝線狀的配件80、81。接著，如圖10(D)所示，配件80掛在模塊基板10的切口12上并在模塊基板10的b面固定，配件81穿過模塊基板10的孔13并在模塊基板10的b面固定，從而構(gòu)成控制半導(dǎo)體用散熱器90A。接著，如圖10(E)所示，將散熱部件70經(jīng)由熱傳遞材料60安裝在模塊基板10上，從而構(gòu)成半導(dǎo)體存儲器用散熱器90B。根據(jù)所述的制造方法，能夠簡單地組裝存儲器模塊1的控制半導(dǎo)體用散熱器90A和半導(dǎo)體存儲器用散熱器90B。
(實施例2)下面，用圖11說明本發(fā)明的第二實施例。該第二實施例在下述方面和第一實施例不同，其他方面和第一實施例基本相同。
在第二實施例中，在第一實施例所涉及的存儲器模塊1的散熱部件40上，使板式散熱片42的長邊沿著模塊基板寬度方向排列。使散熱部件40的散熱片長邊沿著模塊基板10的寬度方向形成后，散熱部件40因模塊基板10的寬度方向的空氣流而被冷卻時就能夠得到充分的散熱效果。
(實施例3)下面，用圖12說明本發(fā)明的第三實施例。該第三實施例在下述方面和第一實施例不同，其他方面和第一實施例基本相同。
在第三實施例中，在第一實施例所涉及的存儲器模塊1的散熱部件40上，代替板式散熱片42而采用了銷式散熱片43。銷式散熱片43，無論風(fēng)向沿著模塊基板的寬度方向或長度方向的哪一邊吹，都能夠得到充分的散熱效果。
(實施例4)下面，用圖13至圖18說明本發(fā)明的第四實施例。該第四實施例在下述方面和第一實施例不同，其他方面和第一實施例基本相同。
在第四實施例中，將半導(dǎo)體存儲器散熱部件70分割成以下3個散熱部件在控制半導(dǎo)體插件20的a面?zhèn)鹊纳巷L(fēng)側(cè)散熱部件70a1、控制半導(dǎo)體插件20的下風(fēng)側(cè)散熱部件70a2、和b面的散熱部件70b。并且，不僅是散熱部件40，在a面的散熱部件70a1、70a2上也形成了沿著模塊基板10的長度方向的板式散熱片72a1、72a2。由于只在散熱部件70的一部分形成板式散熱片，如第一實施例那樣彎曲加工成コ字型很困難，所以在制造上優(yōu)選的是分割成有散熱片的散熱部件70a1、70a2和沒有散熱片的散熱部件70b進行安裝。作為將散熱部件70a1、70a2、70b接合在模塊基板10上的方法，可考慮以下的方法在模塊基板10和散熱部件70a1、70a2、70b上設(shè)置未圖示的孔，夾著模塊基板10鉚接a面和b面的散熱部件70a1、70a2和70b。由于散熱部件40的板式散熱片42和散熱部件70a1、70a2的板式散熱片72a1、72a2接近，所以從降低通風(fēng)阻抗的觀點，優(yōu)選的是對齊散熱片的凹凸，以相同的散熱片寬度和間距進行配置，在本實施例中，就是如此構(gòu)成的。
如圖15所示，構(gòu)成為散熱部件40的板式散熱片42的安裝高度h4和散熱部件70a1、70a2的板式散熱片72a1、72a2的安裝高度h4相同。從而，不會增加整體的外形尺寸，能夠提高散熱部件70a1、70a2的散熱效果。另外，b面?zhèn)鹊纳岵考?0b沒有設(shè)置散熱片，實現(xiàn)了整體外形尺寸的縮小。
如圖16所示，散熱部件40的基體41的上表面低于散熱部件70的基體71a1、71a2的上表面而下沉，散熱部件40的基體41的安裝高度h3低于散熱部件70的基體71a1、71a2的安裝高度h2。這一點和第一實施例相同。
圖17是在模塊基板10的兩面安裝了半導(dǎo)體存儲器插件50的部位的剖面，如該圖17所示，在安裝在模塊基板10的a面的半導(dǎo)體存儲器插件50a的散熱部件70a上形成散熱片72a1，安裝在b面的半導(dǎo)體存儲器插件50b的散熱部件70b以平板形成，72a1、70b二者是分體的。
圖18是在模塊基板10的a面安裝了控制半導(dǎo)體插件20、在b面安裝了半導(dǎo)體存儲器插件50b的部位的剖面，如該圖18所示，在安裝在a面的控制半導(dǎo)體插件20的散熱部件40上形成了板式散熱片42，而安裝在b面的半導(dǎo)體存儲器插件50b的散熱部件70b上沒有形成板式散熱片42，散熱部件70b為平板。另外，在第四實施例中，將散熱部件40的散熱片形狀設(shè)為沿著模塊基板10的長度方向的板式散熱片42，但是也可以如第二和第三實施例所述，按照風(fēng)向改變板式散熱片的排列，或者采用銷式散熱片。
(實施例5)下面，用圖19說明本發(fā)明的第五實施例。該第五實施例在下述方面和第四實施例不同，其他方面和第四實施例基本相同。
在第五實施例中，控制半導(dǎo)體用散熱器90A的散熱部件40和半導(dǎo)體存儲器用散熱器90B的散熱部件70用相同的部件構(gòu)成，在半導(dǎo)體存儲器插件50a的排列方向，控制半導(dǎo)體用散熱器90A和半導(dǎo)體存儲器用散熱器90B之間設(shè)有非熱連接的部分。該非熱連接的部分，由在相對于半導(dǎo)體存儲器插件50a的排列方向而交叉的方向延伸的狹縫74形成。
根據(jù)該第五實施例，能夠簡單地制作控制半導(dǎo)體用散熱器90A，并且能夠簡單地在控制半導(dǎo)體插件20上進行安裝。
權(quán)利要求
1.一種存儲器模塊，排列多個半導(dǎo)體存儲器插件并安裝在模塊基板上，并且將控制半導(dǎo)體插件配置在上述半導(dǎo)體存儲器插件的排列的中央部、且安裝在上述模塊基板上，其特征在于，相對于上述半導(dǎo)體存儲器插件的排列方向非熱連接地設(shè)置有與上述控制半導(dǎo)體插件熱連接的控制半導(dǎo)體用散熱器、和與上述多個半導(dǎo)體存儲器插件熱連接的半導(dǎo)體存儲器用散熱器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器模塊，其特征在于，作為上述半導(dǎo)體存儲器插件，使用多層重疊的多層層疊半導(dǎo)體存儲器插件。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器模塊，其特征在于，上述控制半導(dǎo)體用散熱器和上述半導(dǎo)體存儲器用散熱器由不同部件構(gòu)成，在上述半導(dǎo)體存儲器插件的排列方向、在上述控制半導(dǎo)體用散熱器和上述半導(dǎo)體存儲器用散熱器之間，形成有縫隙，設(shè)有非熱連接的部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲器模塊，其特征在于，與處于上述模塊基板的同一面?zhèn)鹊纳鲜隹刂瓢雽?dǎo)體插件及上述半導(dǎo)體存儲器插件連接的上述控制半導(dǎo)體用散熱器和上述半導(dǎo)體存儲器用散熱器，被安裝成各自的投影面互相錯開。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲器模塊，其特征在于，在上述半導(dǎo)體存儲器用散熱器的中央部設(shè)有切口凹部，并在該切口凹部的投影面內(nèi)配置上述控制半導(dǎo)體用散熱器。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器模塊，其特征在于，上述控制半導(dǎo)體用散熱器和上述半導(dǎo)體存儲器用散熱器由相同部件構(gòu)成，在上述半導(dǎo)體存儲器插件的排列方向、在上述控制半導(dǎo)體用散熱器和上述半導(dǎo)體存儲器用散熱器之間，設(shè)有非熱連接的部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲器模塊，其特征在于，上述非熱連接的部分，通過在相對于上述半導(dǎo)體存儲器插件的排列方向交叉的方向上延伸的狹縫形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器模塊，其特征在于，上述控制半導(dǎo)體插件的耐熱容許溫度高于上述半導(dǎo)體存儲器插件的耐熱容許溫度，在上述控制半導(dǎo)體用散熱器上設(shè)有散熱片。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲器模塊，其特征在于，相對于上述控制半導(dǎo)體用散熱器上設(shè)置的散熱片的通風(fēng)，可從前后左右任何方向進行。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器模塊，其特征在于，在上述控制半導(dǎo)體用散熱器和上述半導(dǎo)體存儲器用散熱器上分別設(shè)有沿著風(fēng)向的散熱片。
全文摘要
在存儲器模塊中，排列多個半導(dǎo)體存儲器插件并安裝在模塊基板上，并且將控制半導(dǎo)體插件配置在半導(dǎo)體存儲器插件的排列的中央部、且安裝在模塊基板上。相對于半導(dǎo)體存儲器插件的排列方向非熱連接地設(shè)置有與控制半導(dǎo)體插件熱連接的控制半導(dǎo)體用散熱器、和與多個半導(dǎo)體存儲器插件熱連接的半導(dǎo)體存儲器用散熱器。
文檔編號H01L23/367GK1848428SQ20061007408
公開日2006年10月18日 申請日期2006年4月4日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月4日
發(fā)明者柴本正訓(xùn), 久野奈柄 申請人:爾必達存儲器株式會社