專利名稱：高密度槽溝金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管(mosfet)的源極接觸和金屬?gòu)?fù)蓋方案的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般是有關(guān)于功率半導(dǎo)體器件的單元結(jié)構(gòu)和制造步驟。本發(fā)明特別是有關(guān)于生產(chǎn)一種具有改良源極金屬接觸的槽溝半導(dǎo)體功率器件，其中新的和改良的單元結(jié)構(gòu)和改良的生產(chǎn)步驟。
背景技術(shù)：
當(dāng)單元中之間距縮小時(shí)，傳統(tǒng)工藝在一個(gè)半導(dǎo)體器件的制程中遭遇了一技術(shù)難點(diǎn)；就是在形成對(duì)N+源極和P-基體的鋁金屬接觸點(diǎn)的金屬覆蓋不良，和不牢靠的導(dǎo)電接觸。當(dāng)一個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管單元的密度增加到每平方英寸2億個(gè)單元(200M/in2)時(shí)，單元間距減小到1.8微米甚至更小尺寸時(shí)，這種技術(shù)困難特別顯著。對(duì)于單元密度高于每平方英寸2億個(gè)單元的情形，N+源區(qū)和P-基體區(qū)兩者間的金屬接觸的空間已小于1.0微米，這將引起不良的金屬階梯覆蓋和至N+區(qū)和P-基體區(qū)之間的高的連接電阻。這些不良接觸會(huì)使器件的性能變壞，產(chǎn)品的可靠性也將降低。
圖1示出的是，一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)傳統(tǒng)式的MOSFET單元10，它生成于一個(gè)在底部表面上有一個(gè)第一類導(dǎo)電特性的漏極區(qū)域的半導(dǎo)體襯底，即N+襯底15上。槽溝MOSFET單元形成于一個(gè)第一類導(dǎo)電的外延層，例如一個(gè)有較襯底低的摻雜濃度的N-外延層，20的頂部。一個(gè)第二類導(dǎo)電類型的基體區(qū)域25，例如一個(gè)P型基體區(qū)域25，形成于外延層20內(nèi)，且此基體區(qū)域25包含一個(gè)第一類導(dǎo)電的源極區(qū)域，例如N+源極區(qū)域，30。每一個(gè)MOSFET單元進(jìn)一步包含一個(gè)安排于一個(gè)以柵極氧化物層40與周圍外延層20絕緣起來(lái)的溝槽內(nèi)的N+摻雜的多晶硅柵極35。此MOSFET單元從頂部用一個(gè)非摻雜硅玻璃(NSG)層和一個(gè)硼磷硅玻璃(BPSG)層45-1和45-2絕緣起來(lái)，此絕緣層上有源極接觸開口，允許一個(gè)包含Ti或者Ti/TiN的源極金屬接觸層50接通柵極區(qū)域30。一個(gè)單金屬接觸層60覆蓋于頂部，以水平地連接N+和P-井。圖1示出的是先前技藝的MOSFET單元，由于單元間距的縮小，它遇到兩個(gè)基本問(wèn)題。問(wèn)題之一是到N+源區(qū)和P-基體兩者的接觸面積都縮小了，引起高的接觸電阻。另一個(gè)問(wèn)題是由于接觸高度與開口尺寸的大的縱橫比，造成的不良金屬階梯覆蓋。
在專利6,628,826中，Zeng等人披露了一種如圖2所示的金屬氧化物半導(dǎo)體功率器件，它包含V形凹槽接觸以使單層金屬以豎直地電接觸源極。此種連接的極限尺寸(Critical Dimension)能夠顯著減小而不增加接觸電阻，然而，以濕化學(xué)刻蝕法形成的V形凹槽接觸是不容易控制的。此外，由于小的接觸(點(diǎn))接觸臨界尺寸受限于鋁金屬階梯覆蓋。
因此，半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)中，特別是對(duì)于槽溝功率MOSFET設(shè)計(jì)和制造中，仍需要提供一種新的晶體管結(jié)構(gòu)和生產(chǎn)工藝以解決這些困難和設(shè)計(jì)的局限性。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的一個(gè)目標(biāo)是提供新的和改良的方法以形成一個(gè)可靠的源極接觸金屬層，以使上面討論的技術(shù)上的困難得以解決。
明確地說(shuō)，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一個(gè)新的和改良的單元結(jié)構(gòu)和制造方法，用氧化物刻蝕，接著用硅刻蝕開一個(gè)源極-基體接觸溝槽以形成一個(gè)源極金屬接觸。隨后用一個(gè)金屬塞填充源極-基體接觸溝槽，以確保建立可靠的源極連接。
本發(fā)明的另一方面是用形成至頂部厚金屬有較大接觸面積的一個(gè)薄的低電阻層來(lái)降低源極和基體間的電阻。此薄的低電阻層形成一個(gè)從源極-基體接觸溝槽頂部開口到源極-基體金屬接觸塞的良好的接觸。
本發(fā)明的另一個(gè)方面是用邦釘線或銅片將前端的厚金屬層與引線框架連接起來(lái)。這些銅片連線減少了電阻并且改善了散熱性能。
本發(fā)明的另一個(gè)方面是用不均勻刻蝕方法形成一個(gè)頂部開口較寬的溝槽來(lái)進(jìn)一步降低源極和基體的電阻。隨后，在有較寬開口面積的MOSFET單元的頂部形成一個(gè)薄的低電阻層以連接安置在源極-基體接觸溝槽內(nèi)的金屬連接塞。此薄的低電阻層與頂部厚金屬有較大的接觸面積。此薄的低電阻層進(jìn)一步改善了從原極-基體接觸溝槽的頂部開口到有大接觸面積的源極-基體金屬接觸塞的接觸。
簡(jiǎn)短地說(shuō)，在一個(gè)推薦的方案中，本發(fā)明披露了一個(gè)開溝槽的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)單元，此單元包括一個(gè)被源極區(qū)域環(huán)繞著的溝槽柵極，而該源極區(qū)域又包含于一個(gè)安排在襯底底表面上面的漏極區(qū)域之上的基體區(qū)內(nèi)。此MOSFET單元進(jìn)一步包括一個(gè)側(cè)壁實(shí)際垂直于頂部表面在源極區(qū)域和基體區(qū)域內(nèi)開出的填滿接觸金屬塞的源極-基體接觸溝槽。在一個(gè)推薦的方案中，此接觸金屬塞進(jìn)一步由一個(gè)環(huán)繞著一個(gè)鎢核心的Ti/TiN阻擋層所組成，作為源極-基體接觸金屬。在另一個(gè)推薦的方案中，此MOSFET單元進(jìn)一步包括一個(gè)覆蓋在MOSFET單元頂部表面上的絕緣層，其中，源極-基體接觸溝槽就是穿過(guò)此絕緣層開出的。此MOSFET單元進(jìn)一步包括一個(gè)安排在絕緣層頂部表面覆蓋著絕緣層并連接接觸金屬塞的電阻減小的導(dǎo)電層，此電阻減小導(dǎo)電層有較接觸金屬塞頂部表面大的面積，以減少源體電阻。在另一個(gè)推薦的方案中，此填充于源極-基體接觸溝槽內(nèi)的接觸金屬塞由一個(gè)實(shí)際圓柱形的塞子組成。在另一個(gè)推薦的方案中，此MOSFET單元進(jìn)一步包括一個(gè)安排于的電阻減小層頂部上的厚的前端金屬層，以給導(dǎo)線邦釘封裝或無(wú)線邦釘封裝提供一個(gè)接觸層。在另一個(gè)預(yù)備的推薦方案中，此源體接觸溝槽具有階狀的側(cè)壁，而且所述填充于所述源體接觸溝槽內(nèi)的上述金屬塞由一個(gè)具有頂部較寬接觸面積的杯子形塞子所組成。
本發(fā)明更進(jìn)一步披露了一種制造溝槽金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)單元的方法。此方法包括，一個(gè)形成所述具有一個(gè)被源極區(qū)域環(huán)繞著的溝槽柵極的MOSFET單元的步驟，此源極區(qū)域包含在安置于襯底底表面上的一個(gè)漏極區(qū)域上面的體區(qū)域之內(nèi)。此方法更進(jìn)一步包括一個(gè)用一絕緣層覆蓋MOSFET單元，并應(yīng)用一個(gè)接觸光罩，在源極區(qū)域和基體區(qū)域內(nèi)開一個(gè)側(cè)壁實(shí)際垂直于絕緣層上表面的源極-基體接觸溝槽的步驟。此方法更進(jìn)一步包括一個(gè)用接觸金屬塞填充源極-基體接觸溝槽的步驟。在一個(gè)推薦的方案中，以絕緣層覆蓋MSOFET單元的步驟進(jìn)一步包含一個(gè)在MOSFET單元頂部沉積兩種不同的氧化物層，并應(yīng)用非均勻氧化物刻蝕法生成一個(gè)有頂部較寬開口、有階狀側(cè)壁的源體接觸溝槽的步驟。
毫無(wú)疑問(wèn)，對(duì)于那些熟悉本領(lǐng)域的一般技能的人而言，在閱讀過(guò)以下各種各樣插圖的推薦方案的詳細(xì)描述后，將會(huì)非常明了本發(fā)明的這些和其他的目標(biāo)和優(yōu)勢(shì)。


圖1是傳統(tǒng)MOSFET器件的側(cè)面剖視圖。
圖2是一個(gè)獲準(zhǔn)專利所披露的具有V型凹槽接觸的溝槽MOSFET器件的側(cè)面剖視圖。
圖3是本發(fā)明中的具有改善源極塞接觸的MOSFET器件的側(cè)面剖視圖。
圖4是本發(fā)明中另一種具有填充在一個(gè)有階狀的側(cè)壁的接觸溝槽內(nèi)的改善源極塞接觸的MOSFET器件的側(cè)面剖視圖。
圖5A至圖5J是一系列連續(xù)的側(cè)剖面圖，用以說(shuō)明制作圖3所示的半導(dǎo)體溝槽的加工步驟。
圖5F’是一個(gè)側(cè)剖面圖，用以闡明用不均勻刻蝕法生成一個(gè)具有階狀側(cè)壁的，在其中沉積香檳酒杯型源極-基體接觸的源極-基體接觸溝槽。
圖6A和6B是根據(jù)本發(fā)明中兩種不同的方案的兩種邦釘接線的俯視圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的第一個(gè)推薦方案請(qǐng)參見圖3，一個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)器件100支撐于有外延層110的襯底105上。此MOSFET器件100包括一個(gè)在壁上有柵極絕緣層115的槽內(nèi)的溝槽柵極120。一個(gè)用第二類導(dǎo)電型的摻雜劑，例如P型摻雜劑，摻雜的基體區(qū)域125伸延于溝槽柵極之間。此P基體區(qū)125包含一個(gè)第一類導(dǎo)電型雜質(zhì)，例如N+型雜質(zhì)，摻雜的源極區(qū)域130。源極區(qū)域130生成于圍繞溝槽柵極125的外延層的頂部表面附近。半導(dǎo)體襯底的頂部表面伸延到溝槽柵極的頂部，P基體區(qū)域125和源極區(qū)域130分別以非摻雜硅玻璃(NSG)保護(hù)層135和硼磷硅玻璃(BPSG)保護(hù)層140覆蓋。
為改善源極對(duì)源極區(qū)域130的接觸，許多溝槽源極接觸用被Ti/TiN阻擋層150環(huán)繞著的鎢塞145填充。這些接觸溝槽是穿過(guò)非摻雜硅玻璃(NSG)保護(hù)層135和硼磷硅玻璃(BPSG)保護(hù)層140開的，以連接源區(qū)130和P基體區(qū)125。隨后在頂部表面上生成一個(gè)導(dǎo)電層155，以接觸該溝槽源極接觸145和150。接著在源極接觸層155頂上生成一個(gè)頂部接觸層160。此頂部接觸層160是用Al，Al-Cooper，AlCuSi或Ni/Ag，Al/NiAu，AlCu/NiAu或AlCuSi/NiAu生成，作為邦釘打線層。導(dǎo)電層155夾在頂部邦釘打線層160和溝槽源極塞頂部之間，形成接觸，用提供較大的電接觸面積降低了電阻。
圖4示出的是與圖3中所示器件結(jié)構(gòu)相似的另一種MOSFET器件100*。此MOSFET器件也有一個(gè)被Ti/TiN傳導(dǎo)阻擋層圍繞著的鎢組成的源極接觸塞，唯一的不同之處是放置源極接觸塞145*的溝槽的形狀不同，此溝槽有階狀的邊壁，從而塞子145*的形狀像一只香檳酒杯。此階狀側(cè)壁的源體接觸溝槽有其它的優(yōu)點(diǎn)。由于有一個(gè)頂部較寬的開口，提供了一個(gè)較寬的接觸面積，使得源體接觸塞與頂部厚金屬層間的電阻進(jìn)一步降低。
圖5A至圖5J是一系列橫剖面圖用以闡明圖3中所示MOSFET器件的制作步驟。在圖5A中，用光刻膠206在支撐于襯底205上的外延層206內(nèi)開了很多溝槽208。圖5B是用氧化法生成覆蓋溝槽壁的氧化物層215的情形。溝槽用一種犧牲性氧化物氧化，以除去在開溝槽過(guò)程中等離子損傷的硅層。隨后沉積一個(gè)多晶硅層220，以填充溝槽并覆蓋頂部表面，之后用N+雜質(zhì)摻雜。圖5C所示的是多晶硅層220被刻蝕掉，接著以P型雜質(zhì)注入P型基體。隨后，升高溫度以使P型基體225擴(kuò)散到外延層210中。在圖5D中采用一個(gè)源極光罩228，接著用N型雜質(zhì)作源極注入。隨后，升高溫度以擴(kuò)散源極區(qū)域230。在圖5E中，在頂部表面上沉積了一個(gè)非摻雜硅玻璃(NSG)層235和一個(gè)硼磷硅玻璃層240。在圖5F中用一個(gè)接觸光罩來(lái)完成接觸刻蝕開出接觸開口244，此接觸開口是用一種氧化刻蝕法穿過(guò)BPSG和NSG層開出的，接著用硅刻蝕法更深入源區(qū)230和基體區(qū)225開出一些接觸開口242。這樣，此MOSFET器件包含一個(gè)源極-基體接觸溝槽244，此溝槽有一個(gè)首先用氧化刻蝕穿過(guò)氧化物層，例如BPSG和NSG層，而形成的氧化物溝槽。源極-基體接觸溝槽244進(jìn)一步包括一個(gè)用氧刻蝕法接著用硅刻蝕法生成的硅溝槽。此氧刻蝕和硅刻蝕法可以是一個(gè)干氧化物刻蝕和硅刻蝕，源極-基體接觸溝槽的臨界尺寸是較好地控制的。在圖5G中，在頂層上沉積了一個(gè)Ti/TiN層245，接著在充滿接觸開口內(nèi)的頂部表面生成一個(gè)鎢層250，作為源極和基體的接觸塞。在圖5H中，以鎢刻蝕法刻蝕掉鎢層250。在圖5I中，以Ti/TiN刻蝕法刻蝕掉Ti/TiN層245。在圖5J中在頂部表面上沉積了低阻金屬層255。此低電阻金屬層可以由Ti或Ti/TiN組成，以保證建立良好的電接觸。
圖5F’中更深入地談到在完成圖5F中所示步驟后的一個(gè)附加的非均勻刻蝕方法。在圖5F’中采用(10∶1)稀釋氫氟酸來(lái)進(jìn)行NSG和PBSG的非均勻刻蝕。由于NSG層235和BPSG層240的不同的刻蝕速率形成了有階狀側(cè)壁的溝槽244’。假如是100∶1稀釋的氫氟酸，NSG的刻蝕速率為50埃/分，BPSG的刻蝕速率為300埃/分。為了制作如圖4中所示的有香檳酒杯形的接觸塞的，有階狀(側(cè)壁)的源極-基體接觸溝槽的MOSFET器件，按照以上描述的示于圖5G至圖5J的步驟就可以完成制作。
進(jìn)一步在低電阻金屬層255，例如圖3中的頂部接觸層160的上面沉積一個(gè)如圖6A和圖6B中所示的頂部接觸層260，就完成了器件的制作。此頂部金屬層可以是Al，AlCu或AlCuSi供金線或鋁線270邦釘之用，如圖6A中所示；當(dāng)以Ni/Ag，Al/NiAu或AlCu/NiAu或AlCiSi/NIAu作為頂部金屬接觸層260’時(shí)，供無(wú)線焊接邦釘之用，此時(shí)用連接到一個(gè)源電極S的銅盤275，如圖6B中所示，以降低通電阻和改善熱學(xué)特性。
雖然，本發(fā)明一直用目前推薦方案來(lái)描述，但是不應(yīng)該認(rèn)為這些披露是被局限的。那些對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)嫻熟的工作者在讀過(guò)以上披露后無(wú)疑會(huì)做出多種多樣的修改和替換。因而可以期望，那些附加的權(quán)力要求應(yīng)該解釋為涵蓋所有那些屬于本發(fā)明領(lǐng)域或符合本發(fā)明精神實(shí)質(zhì)的替換與修改。
權(quán)利要求
1.槽溝金屬制的氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)單元包含一個(gè)被源極區(qū)域環(huán)繞著的溝槽柵極，而該源極區(qū)域又包含于一個(gè)安排在襯底底表面上面的漏極區(qū)域之上的基體區(qū)內(nèi)。其中，所述的MOSFET單元進(jìn)一步包含一個(gè)向源區(qū)和體區(qū)內(nèi)部挖的，側(cè)壁實(shí)際垂直于頂部表面的，用接觸金屬塞填充的源體接觸溝槽。
2.權(quán)利要求1中的MOSFET單元該接觸金屬塞進(jìn)一步由一個(gè)圍繞著一個(gè)鎢核心的Ti/TiN阻擋層所組成，作為源體接觸金屬。
3.權(quán)利要求1中的MOSFET單元進(jìn)一步包含一個(gè)覆蓋于所述MOSFET單元頂部表面上的絕緣層，其中前述源體絕緣溝槽就是穿過(guò)上述絕緣層開的，以及，一個(gè)安置于頂部表面上的薄的電阻減小導(dǎo)電層覆蓋著所述絕緣層并連接所述接觸金屬塞，以此所述電阻減小導(dǎo)電層有比上述接觸金屬塞頂部表面大的面積以降低源極-基體電阻。
4.權(quán)利要求1的MOSFET單元中填充于所述源體接觸溝槽內(nèi)的所述接觸金屬塞包含一個(gè)實(shí)際是圓柱形的塞子。
5.權(quán)利要求3的MOSFET單元進(jìn)一步包含一個(gè)安排在所述電阻減小層頂部上的厚的前端金屬層，為引線或無(wú)引線邦釘封裝提供一個(gè)接觸層。
6.權(quán)利要求1的MOSFET單元進(jìn)一步包含該源體接觸溝槽進(jìn)一步包含一個(gè)穿過(guò)一覆蓋于所指MOSFET器件頂部表面上的氧化物層用氧刻蝕法生成的氧化物溝槽。
7.權(quán)利要求1的MOSFET單元進(jìn)一步包含該源體接觸溝槽進(jìn)一步包含一個(gè)為把所述源體接觸溝槽深入到硅襯底內(nèi)，通過(guò)氧刻蝕之后的硅刻蝕而生成的硅溝槽。
8.權(quán)利要求1的MOSFET單元進(jìn)一步包含該源體接觸溝槽進(jìn)一步包含一個(gè)用干氧化物和硅刻蝕法開的溝槽，該方法使所述源體接觸溝槽的臨界尺寸得以較好地控制。
9.權(quán)利要求1的MOSFET單元進(jìn)一步包含該源體接觸溝槽進(jìn)一步包含一個(gè)以干氧化物和硅刻蝕法開出的，隨后用一個(gè)濕氧化物層以形成不規(guī)則形狀的溝槽側(cè)壁。
10.權(quán)利要求1的MOSFET單元中該接觸金屬塞還接觸到所述源體接觸溝槽的側(cè)壁上的所指源極區(qū)域，而且，接觸金屬塞通過(guò)所述源體接觸溝槽底部表面接觸到所述的基體區(qū)。
11.權(quán)利要求3的MOSFET單元中所述薄的電阻減小導(dǎo)電層包含一個(gè)鈦(Ti)層。
12.權(quán)利要求3的MOSFET單元中所述薄的電阻減小導(dǎo)電層包含一個(gè)氮化鈦(TiN)層。
13.權(quán)利要求5的MOSFET單元中所述前端厚金屬層由一個(gè)鋁層所組成。
14.權(quán)利要求5的MOSFET單元中所述前端厚金屬層包含一個(gè)AlCu層。
15.權(quán)利要求5的MOSFET單元中所述前端厚金屬層由包含一個(gè)AlCuSi層。
16.權(quán)利要求5的MOSFET單元中所述前端厚金屬層包含一個(gè)Al/NiAu層。
17.權(quán)利要求5的MOSFET單元中所述前端厚金屬層包含一個(gè)AlCu/NiAu層。
18.權(quán)利要求5的MOSFET單元中所述前端厚金屬層包含一個(gè)AlCuSi/NiAu層。
19.權(quán)利要求5的MOSFET單元中所述前端厚金屬層包含一個(gè)NiAg層。
20.權(quán)利要求5的MOSFET單元中所述前端厚金屬層包含一個(gè)NiAu層。
21.權(quán)利要求1的MOSFET單元中所述MOSFET單元進(jìn)一步包含一個(gè)N型溝道MOSFET單元。
22.權(quán)利要求1的MOSFET單元中所述MOSFET單元進(jìn)一步包含一個(gè)P型溝道MOSFET單元。
23.權(quán)利要求1的MOSFET單元中所述源體接觸溝槽有階狀的側(cè)壁，以及，填充于所述源-基體接觸溝槽內(nèi)的接觸金屬塞包含一個(gè)有較寬頂部接觸面積的實(shí)際是酒杯形的塞子。
24.權(quán)利要求5的MOSFET單元進(jìn)一步包含一些將所述厚的前端金屬層連接到引線框的鋁線。
25.權(quán)利要求5的MOSFET單元進(jìn)一步包含一些將所述厚的前端金屬層連接到引線框的金線。
26.權(quán)利要求5的MOSFET單元進(jìn)一步包含一個(gè)用于連接所述厚的前端金屬層到引線框的Cooper盤。
27.一種制造槽溝金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)單元的方法包含一個(gè)形成一個(gè)有被源極區(qū)環(huán)繞著的溝槽柵極的MOSFET單元的步驟，該源極區(qū)域包含在一個(gè)安置在襯底底表面上的漏極區(qū)域上面的體區(qū)域內(nèi)。此方法進(jìn)一步包含用一個(gè)絕緣層覆蓋所述MOSFET單元，以及，用一個(gè)接觸光罩在所述源極和基體區(qū)域內(nèi)開出側(cè)壁實(shí)際垂直于所述絕緣層上表面的源體接觸溝槽。
28.權(quán)利要求27的方法進(jìn)一步包含用接觸金屬塞填充所述源體接觸溝槽。
29.權(quán)利要求27的方法中所述用一個(gè)絕緣層覆蓋所述MOSFET單元的步驟進(jìn)一步包含一個(gè)在所述MOSFET單元頂部沉積兩種不同氧化物層，并應(yīng)用一個(gè)非均勻氧化物刻蝕形成一個(gè)頂部開口較寬，具有階狀側(cè)壁的源體機(jī)觸溝槽的步驟。
全文摘要
一個(gè)槽溝金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)單元包含一個(gè)被源極區(qū)域環(huán)繞著的溝槽柵極，此源極區(qū)域包含在一個(gè)安排于襯底底部表面上的漏極區(qū)域上面的基體區(qū)域內(nèi)。該MOSFET單元進(jìn)一步包含一個(gè)在源區(qū)和基體區(qū)內(nèi)開的，側(cè)壁實(shí)際垂直于頂部表面的，并用接觸金屬塞填充的源體接觸溝槽。
文檔編號(hào)H01L21/336GK1929149SQ200610083798
公開日2007年3月14日 申請(qǐng)日期2006年6月6日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月6日
發(fā)明者謝福淵 申請(qǐng)人:謝福淵