專利名稱：基板處理系統(tǒng)及基板處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對(duì)例如半導(dǎo)體晶體或LCD基板(液晶顯示屏用玻璃基板)等基板進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷處理、和曝光后的顯影處理等的基板處理系統(tǒng)及基板處理方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體器件和LCD基板的制造工序中，利用顯影處理、即稱為光刻法的技術(shù)，形成電路圖形，所述顯影處理指在作為被處理體的基板上形成規(guī)定的膜后，涂敷作為處理液的光致抗蝕劑(以下稱為抗蝕劑)而形成抗蝕劑膜，與電路圖形對(duì)應(yīng)地對(duì)抗蝕劑膜進(jìn)行曝光。在該光刻法技術(shù)中，基板經(jīng)過(guò)下述一連串處理，而在抗蝕劑層形成規(guī)定的電路圖形，所述一連串處理的主要工序?yàn)榍逑刺幚怼撍姹骸街?疏水化)處理→抗蝕劑涂敷→預(yù)烘焙→曝光→顯影前烘焙→顯影→后烘焙。
這樣的處理，一般在進(jìn)行抗蝕劑的涂敷和顯影的涂敷顯影裝置上，使用連接有曝光裝置的抗蝕劑圖形形成裝置進(jìn)行。作為這樣的裝置，提出的是例如專利文獻(xiàn)1所示的裝置，在該裝置中，例如如圖10所示，收納有多片晶片W的承載體10被運(yùn)入承載區(qū)1A的承載臺(tái)11，承載體10內(nèi)的晶片W由交接臂12交接至處理區(qū)1B。然后運(yùn)送至處理區(qū)1B內(nèi)的涂敷組件13A，涂敷抗蝕劑液，接下來(lái)經(jīng)由接口區(qū)1C運(yùn)送至曝光裝置1D。
曝光處理后的晶片再次返回至處理區(qū)1B，并在顯影組件13B中進(jìn)行顯影處理，然后返回至原來(lái)的承載體10內(nèi)。圖中擱板組件14(14a～14c)具有用于在涂敷組件13A和顯影組件13B的處理前后對(duì)晶片W進(jìn)行規(guī)定的加熱處理和冷卻處理的加熱組件、冷卻組件、和交接臺(tái)等。在此，晶片W由設(shè)在處理區(qū)1B上的2個(gè)運(yùn)送機(jī)構(gòu)15A、15B，在涂敷組件13A、顯影組件13B和擱板組件14a～14c的各部分等在處理區(qū)1B內(nèi)放置有晶片W的模塊間運(yùn)送。
另外，晶片W在實(shí)施前述處理時(shí)，按照預(yù)先規(guī)定各晶片W分別在哪個(gè)時(shí)刻運(yùn)送至哪個(gè)處理組件中的運(yùn)送計(jì)劃進(jìn)行運(yùn)送。該運(yùn)送計(jì)劃例如生成為通過(guò)2個(gè)運(yùn)送機(jī)構(gòu)15A、15B將晶片W依次運(yùn)送至進(jìn)行曝光處理前的處理的組件后，將其交接至接口區(qū)1C，然后從接口區(qū)1C接受曝光處理后的晶片W，依次運(yùn)送至進(jìn)行曝光處理后的處理的組件中。這樣，通過(guò)使運(yùn)送機(jī)構(gòu)15A、15B在處理區(qū)1B內(nèi)行進(jìn)1周，而執(zhí)行1次運(yùn)送循環(huán)，每次運(yùn)送循環(huán)都將從承載體10取出的新晶片W運(yùn)送至處理區(qū)1B內(nèi)。
專利文獻(xiàn)1特開2004-193597號(hào)公報(bào)在前述運(yùn)送計(jì)劃中，預(yù)先決定運(yùn)送被實(shí)施處理的多個(gè)晶片W的組件的順序。但是，在搭載多個(gè)可在同一組件內(nèi)或多個(gè)組件中進(jìn)行相同處理的同一結(jié)構(gòu)的模塊的情況下，通常實(shí)際上對(duì)于從哪個(gè)模塊運(yùn)送至哪個(gè)模塊，并沒(méi)有固定分配。例如，對(duì)于從涂敷組件13A向擱板組件14a～14c的晶片W的運(yùn)送，在分別搭載有多個(gè)進(jìn)行涂敷處理和熱處理的模塊的情況下，通常并不進(jìn)行這些涂敷處理和熱處理的模塊間的運(yùn)送的具體分配。原因在于，為了提高處理量，而采用柔性分配，即結(jié)束了涂敷模塊中的處理的晶片W從多個(gè)熱處理模塊中的空模塊依次運(yùn)入。
但是，根據(jù)這樣的柔性分配方法，例如熱處理后在晶片上發(fā)現(xiàn)因涂敷處理而不良的部位(膜厚異常等)的情況下，很難確定該晶片式從哪個(gè)涂敷模塊運(yùn)送來(lái)的。即，存在下述技術(shù)問(wèn)題很難確定具有問(wèn)題的運(yùn)送源的模塊。另外，若進(jìn)行這樣的柔性晶片運(yùn)送，則有時(shí)運(yùn)送臂的移動(dòng)距離會(huì)變長(zhǎng)，在晶片的處理片數(shù)較大的情況下，也存在運(yùn)送作業(yè)效率變低，相反地導(dǎo)致生長(zhǎng)量下降的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于前述問(wèn)題而作成的，目的在于提供基板處理系統(tǒng)和基板處理方法，所述基板處理系統(tǒng)具備多個(gè)模塊，所述模塊在多個(gè)工序范圍內(nèi)，對(duì)多個(gè)基板進(jìn)行單張式處理，并且在連續(xù)的處理工序中分別進(jìn)行處理，可容易確定在基板上產(chǎn)生不良部位時(shí)成為原因的有問(wèn)題的處理裝置，并且在基板的處理張數(shù)較多的情況下，可抑制處理量的降低。
為解決前述問(wèn)題，本發(fā)明的基板處理系統(tǒng)具備多個(gè)模塊，所述模塊在多個(gè)工序范圍內(nèi)，對(duì)多個(gè)基板進(jìn)行單張式處理，并且在連續(xù)的處理工序中分別進(jìn)行處理，其特征在于，具有基板運(yùn)送機(jī)構(gòu)，將前述基板從運(yùn)送源的模塊運(yùn)送至運(yùn)送目的地的模塊；控制機(jī)構(gòu)，基于規(guī)定運(yùn)送源和運(yùn)送目的地的模塊分配方法的至少兩個(gè)運(yùn)送模式的某一種，控制前述基板運(yùn)送機(jī)構(gòu)，前述控制機(jī)構(gòu)在前述基板的處理工序中，接受前述運(yùn)送模式的切換指令后，從執(zhí)行中的運(yùn)送模式切換成其他運(yùn)送模式，基于切換后的運(yùn)送模式，使前述基板運(yùn)送機(jī)構(gòu)運(yùn)送基板。
另外，優(yōu)選地，前述運(yùn)送模式的至少一種是在規(guī)定條件下預(yù)先固定分配與一個(gè)或多個(gè)運(yùn)送源的模塊對(duì)應(yīng)的一個(gè)或多個(gè)運(yùn)送目的地的模塊的模式，優(yōu)選地，分配前述運(yùn)送目的地的模塊時(shí)的前述規(guī)定條件之一是前述運(yùn)送目的地的模塊為從運(yùn)送源的模塊的運(yùn)送距離更短的模塊。
另外，優(yōu)選地，其他運(yùn)送模式的之一是從空的運(yùn)送目的地的模塊中以優(yōu)先運(yùn)送為目的進(jìn)行分配的模式。
為解決前述問(wèn)題，本發(fā)明的基板處理方法在基板處理系統(tǒng)中執(zhí)行，所述基板處理系統(tǒng)具備多個(gè)模塊，所述模塊在多個(gè)工序范圍內(nèi)，對(duì)多個(gè)基板進(jìn)行單張式處理，并且在連續(xù)的處理工序中分別進(jìn)行處理，其特征在于，執(zhí)行下述兩個(gè)步驟基于規(guī)定運(yùn)送源和運(yùn)送目的地的模塊分配方法的至少兩個(gè)運(yùn)送模式的某一種，運(yùn)送前述基板；在前述基板的處理工序中，接受前述運(yùn)送模式的切換指令后，從執(zhí)行中的運(yùn)送模式切換成其他運(yùn)送模式，基于切換后的運(yùn)送模式，運(yùn)送基板。
另外，優(yōu)選地，前述運(yùn)送模式的至少一種是對(duì)各基板在規(guī)定條件下預(yù)先固定分配與一個(gè)或多個(gè)運(yùn)送源的模塊對(duì)應(yīng)的一個(gè)或多個(gè)運(yùn)送目的地的模塊的模式，優(yōu)選地分配前述運(yùn)送目的地的模塊時(shí)的前述規(guī)定條件之一是前述運(yùn)送目的地的模塊為從運(yùn)送源的模塊的運(yùn)送距離更短的模塊。
另外，優(yōu)選地，其他運(yùn)送模式的之一是從空的運(yùn)送目的地的模塊中以優(yōu)先運(yùn)送為目的進(jìn)行分配的模式。
由此，例如在執(zhí)行分配使得優(yōu)先從空的運(yùn)送目的地的模塊運(yùn)送的柔性模式作為基本運(yùn)送模式時(shí)，在運(yùn)送源的某一模塊產(chǎn)生問(wèn)題的情況下，可通過(guò)切換成預(yù)先固定分配運(yùn)送源和運(yùn)送目的地的運(yùn)送模式，容易指定具有問(wèn)題的運(yùn)送源的模塊。另外，在這種情況下，可通過(guò)使該具有問(wèn)題的模塊停止工作，返回柔性模式，而繼續(xù)對(duì)多個(gè)基板的處理。
另外，在執(zhí)行柔性模式作為基本運(yùn)送模式時(shí)，在處理的基板張數(shù)較多的情況下，可通過(guò)切換成預(yù)先固定分配運(yùn)送源和運(yùn)送目的地的運(yùn)送模式，而將各基板的運(yùn)送路徑固定成較短路徑，可抑制處理量降低。
根據(jù)本發(fā)明，可得到如下的基板處理系統(tǒng)和基板處理方法，所述基板處理系統(tǒng)具備多個(gè)模塊，所述模塊在多個(gè)工序范圍內(nèi)，對(duì)多個(gè)基板進(jìn)行單張式處理，并且在連續(xù)的處理工序中分別進(jìn)行處理，可容易確定在基板上產(chǎn)生不良部位時(shí)成為原因的有問(wèn)題的處理裝置，并且在基板的處理張數(shù)較多的情況下，可抑制處理量的降低。


圖1是使用本發(fā)明的基板處理系統(tǒng)及基板處理方法的抗蝕劑圖形形成裝置的俯視圖。
圖2是使用本發(fā)明的基板處理系統(tǒng)及基板處理方法的抗蝕劑圖形形成裝置的概略立體圖。
圖3是使用本發(fā)明的基板處理系統(tǒng)及基板處理方法的抗蝕劑圖形形成裝置的概略立體圖。
圖4是表示圖1至圖3的抗蝕劑圖形形成裝置所具有的COT層的隔板組件的構(gòu)成和涂敷組件之間的配置關(guān)系的圖。
圖5是示意性表示隔板模塊構(gòu)成的圖。
圖6是表示控制部的存儲(chǔ)機(jī)構(gòu)的構(gòu)成例的框圖。
圖7是表示運(yùn)送模塊的選擇動(dòng)作的流程圖。
圖8是柔性模式中的運(yùn)送源和運(yùn)送目的地的模塊分配的例子。
圖9是固定分配模式中的運(yùn)送源和運(yùn)送目的地的模塊分配的例子。
圖10是表示以往的抗蝕劑圖形形成裝置的整體構(gòu)成的俯視圖。
具體實(shí)施例方式
下面，基于附圖，說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。圖1至圖3是表示使用本發(fā)明的基板處理系統(tǒng)及基板處理方法的抗蝕劑圖形形成裝置的整體構(gòu)成的圖，圖1是COT層處理部的俯視圖，圖2是概略立體圖，圖3是概略側(cè)視圖。
該抗蝕劑圖形形成裝置100如圖2所示，具備用于運(yùn)入運(yùn)出密閉收納有多片作為基板的晶片W的承載體20的承載區(qū)S1；縱向排列多個(gè)例如5個(gè)單位區(qū)B1～B5構(gòu)成的處理區(qū)S2；接口區(qū)S3和曝光裝置S4。
在上述承載區(qū)S1上，設(shè)置有可以載置多個(gè)上述承載體20的載置臺(tái)21；從該載置臺(tái)21看設(shè)在前方壁面上的開閉部22；和用于經(jīng)由開閉部22將晶片W從承載體20取出的作為運(yùn)送機(jī)構(gòu)的傳送臂C。該傳送臂C構(gòu)成為，進(jìn)退自如、升降自如、繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)自如、在承載體20的排列方向移動(dòng)自如，以便在后述的處理區(qū)S2的交接臺(tái)TRS1、TRS2、TRS-F等之間進(jìn)行晶片W的交接。
在承載區(qū)S1的里側(cè)連接有被筐體24包圍周圍的處理區(qū)S2。處理區(qū)S2在該例中如圖2、圖3所示，下層側(cè)的2層為用于進(jìn)行顯影處理的第1和第2單元區(qū)((DEV層)B1、B2。作為涂敷膜形成用的單位區(qū)，分配有用于進(jìn)行在抗蝕劑膜的上層側(cè)形成的反射防止膜的形成處理的第3單位區(qū)(TCT層)B3；用于進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷處理的第4單位區(qū)(COT層)B4；和用于進(jìn)行形成在抗蝕劑膜的下層側(cè)的反射防止膜的形成處理的第5單位區(qū)(BCT層)B5。
進(jìn)而，關(guān)于處理區(qū)S2的第1～第5單位區(qū)B1～B5的構(gòu)成進(jìn)行說(shuō)明。這些各單位區(qū)B1～B5具備用于對(duì)晶片W涂敷藥液的液體處理組件；用于進(jìn)行在上述液體處理組件中進(jìn)行的處理的前處理和后處理的各種加熱·冷卻類的處理組件；和作為用于在上述液體處理組件和加熱·冷卻類的處理組件之間進(jìn)行晶片W的交接的專用運(yùn)送機(jī)構(gòu)的主臂部A1～A5。
這些單位區(qū)B1～B5，在該例中大致以同樣的布局構(gòu)成，所以以圖1所示的COT層B4為例進(jìn)行說(shuō)明。在該COT層B4的大致中央，沿圖中Y軸方向，形成用于連接承載區(qū)S1和接口區(qū)S3的晶片W的運(yùn)送區(qū)域R1。
在從該運(yùn)送區(qū)域R1的承載區(qū)S1側(cè)觀察的兩側(cè)，在從近前側(cè)(承載區(qū)S1側(cè))朝向內(nèi)側(cè)的右側(cè)，設(shè)置有具備用于進(jìn)行抗蝕劑的涂敷處理的多個(gè)(例如3個(gè))涂敷模塊的涂敷組件31作為上述液體處理組件。在涂敷組件31的里側(cè)，設(shè)置有作成退避用的第1基板收容部的收容組件4D。該收容組件4D設(shè)置有用于收容與該單位區(qū)B4中的晶片W的收容片數(shù)對(duì)應(yīng)片數(shù)晶片的多個(gè)載置臺(tái)。
另外，在從COT層的近前側(cè)朝向內(nèi)側(cè)的左側(cè)，依次設(shè)置有將加熱·冷卻類組件多層化的5個(gè)擱板組件U1～U5，多層例如2層層疊用于進(jìn)行在涂敷組件31中進(jìn)行的處理的前處理和后處理的各種組件。這樣，上述運(yùn)送區(qū)域R1被劃分，通過(guò)例如向該劃分的運(yùn)送區(qū)域R1噴出清潔空氣進(jìn)行排氣，來(lái)抑制該區(qū)域內(nèi)的微粒的浮游。
用于進(jìn)行上述前處理和后處理的各種組件中，例如如圖4的立體圖所示，包括用于在抗蝕劑的涂敷前將晶片W調(diào)整成規(guī)定的溫度的冷卻組件(COL4)、用于在抗蝕劑涂敷后進(jìn)行晶片W的加熱處理的被稱為預(yù)烘焙組件等的加熱組件(CHP4)、用于選擇性地只對(duì)晶片W周緣部進(jìn)行曝光的周緣曝光組件(WEE)等。
這些冷卻組件(COL4)和加熱組件(CHP4)等各處理模塊分別收納在處理容器51內(nèi)，擱板組件U1～U5構(gòu)成為上述處理容器51分別層疊為2層，在各處理容器51的朝向運(yùn)送區(qū)域R1的表面上形成晶片運(yùn)入運(yùn)出口52。
另外，COT層以外的擱板組件的模塊構(gòu)成例如如圖5所示。圖5是從運(yùn)送區(qū)域R1一側(cè)觀察擱板組件U1～U5的圖。如圖所示，TCT層B3的構(gòu)成與COT層B4的構(gòu)成一樣，BCT層B5也大致與COT層的構(gòu)成一樣。另外，在DEV層B1、B2中，具備對(duì)曝光后的晶片W進(jìn)行加熱處理的稱為曝光后烘焙組件等的加熱組件(PEB1、PEB2)；用于在該加熱組件(PEB1、PEB2)中的處理后將晶片W調(diào)節(jié)至規(guī)定溫度的冷卻組件(COL1、COL2)；和為了蒸發(fā)顯影處理后的晶片W的水分而進(jìn)行加熱處理的稱為后烘焙組件等的加熱組件(POST1、POST2)等。
在此，作為加熱組件(CHP3～5、POST1、2和PEB1、2)，例如如圖1所示，具備加熱板53、和兼用作運(yùn)送臂的冷卻板54。即，可在一個(gè)組件中進(jìn)行加熱處理和冷卻處理，例如，在COT層B4中，冷卻板54構(gòu)成為，在進(jìn)行在主臂部A4和加熱板53之間的晶片W的交接。另外，作為冷卻組件(COL1～5)，使用例如具有水冷方式的冷卻板的構(gòu)成的裝置。
此外，圖5所示的構(gòu)成為表示這些處理組件的布局的一個(gè)例子的構(gòu)成，該布局比較方便，處理組件不限于加熱組件(CHP、PEB、POST)、冷卻組件(COL)、和周緣曝光裝置(WEE)。也可以設(shè)置為提高抗蝕劑液和晶片W的密貼性而在HMDS氣氛中對(duì)涂敷膜形成用的單位區(qū)B3～B5的任意一個(gè)進(jìn)行氣體處理的疏水化處理組件(ADH)。在實(shí)際的裝置中，考慮各處理組件的處理時(shí)間等來(lái)確定組件的設(shè)置數(shù)量。
另外，在COT層中，在上述運(yùn)送區(qū)域R1上，如上述那樣設(shè)置主臂部A4。該主臂部A4構(gòu)成為在該COT層B4內(nèi)的全部模塊(放置晶片W的位置)，例如在擱板組件U1～U5的各處理組件、涂敷組件31、收容組件4D、后述的擱板組件U6和擱板組件U7各部分之間進(jìn)行晶片的交接，因此構(gòu)成為進(jìn)退自如、升降自如、繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)自如、沿Y軸方向移動(dòng)自如。
具體地說(shuō)，如圖4所示，主臂部A4具備用于支承晶片W的內(nèi)面?zhèn)戎芫墔^(qū)域的2個(gè)臂部101、102，這些臂部101、102相互獨(dú)立地構(gòu)成為沿基臺(tái)103進(jìn)退自如。
再者，該基臺(tái)103構(gòu)成為借助旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)104繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)自如，并且借助移動(dòng)機(jī)構(gòu)105沿Y軸軌道107在Y軸方向移動(dòng)自如，并且沿升降軌道108升降自如，所述Y軸軌道107安裝在支承擱板組件U1～U5的臺(tái)部106朝向運(yùn)送區(qū)域的表面上。這樣，臂部101、102構(gòu)成為進(jìn)退自如，沿Y軸方向移動(dòng)自如，升降自如，繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)自如，并可以在擱板組件U1～U7的各交接臺(tái)TRS1～TRS10、液體處理組件、收容組件4之間進(jìn)行晶片W的交接。
再者，運(yùn)送區(qū)域R1與承載區(qū)S1鄰接的區(qū)域，成為第1晶片交接區(qū)域R2。在該區(qū)域R2中，如圖1和圖3所示，在傳送臂C和主臂部A1可以訪問(wèn)的位置設(shè)置擱板組件U6，并且，如圖1所示，具備用于對(duì)該擱板組件U6進(jìn)行晶片W的交接的第1交接臂D1。
上述擱板組件U6如圖3所示，在該例中各單位區(qū)B1～B5，分別具備1個(gè)以上例如2個(gè)第1交接臺(tái)TRS1～TRS5，以便在各單位區(qū)B1～B5的主臂部A1～A5之間進(jìn)行晶片W的交接。再者上述第1交接臂D1構(gòu)成為進(jìn)退自如和升降自如，以便可以向各第1交接臺(tái)TRS1～TRS5進(jìn)行晶片W的交接。
再者，上述第1及第2單位區(qū)B1、B2的第1交接臺(tái)TRS1～TRS2在該例中構(gòu)成為在其與傳送臂C之間以進(jìn)行晶片W的交接。進(jìn)而，在該例中，第2單位區(qū)B2具備例如2個(gè)第1交接臺(tái)TRS-F，該交接臺(tái)TRS-F可以設(shè)置在第1單位區(qū)B1上，也可以不另外設(shè)置該交接臺(tái)TRS-F，在將晶片W從傳送臂C運(yùn)入處理區(qū)S2中時(shí)，使用第1交接臺(tái)TRS1和TRS2進(jìn)行。
進(jìn)而，在運(yùn)送區(qū)域R1與接口區(qū)S3鄰接的區(qū)域，成為第2晶片交接區(qū)域R3，在該區(qū)域R3上，如圖1和圖3所示，在主臂部A4可以訪問(wèn)的位置設(shè)置擱板組件U7，并且，如圖1所示，具有用于對(duì)該擱板組件U7進(jìn)行晶片W的交接的第2交接臂D2。
在該例中，如圖3所示，各單位區(qū)B1～B5具備1個(gè)以上、例如2個(gè)第2交接臺(tái)TRS6～TRS10，以便使上述擱板組件U7在各單位區(qū)B1～B5的主臂部A1～A5之間進(jìn)行晶片W的交接。第2交接臂D2構(gòu)成為進(jìn)退自如和升降自如，以便可以向各第2交接臺(tái)TRS6～TRS10進(jìn)行晶片W的交接。
這樣，在本實(shí)施方式中構(gòu)成為，在層疊了5層的各單位區(qū)B1～B5之間，由上述第1交接臂D1和第2交接臂D2，分別經(jīng)由第1交接臺(tái)TRS1～TRS5、TRS-F、第2交接臺(tái)TRS6～TRS10，可以自由進(jìn)行晶片W的交接。
另外，如圖1及圖2所示，在處理區(qū)S2中的擱板組件U7的內(nèi)側(cè)，經(jīng)由接口區(qū)S3連接有曝光裝置S4。在接口區(qū)S3中，具備用于向處理區(qū)S2的擱板組件U7和曝光裝置S4進(jìn)行晶片W的交接的接口臂B。該接口臂B，成為夾在處理區(qū)S2和曝光裝置S4之間的晶片W的運(yùn)送機(jī)構(gòu)，在該例中，如圖3所示，構(gòu)成為進(jìn)退自如、升降自如、繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)自如，以便向第1～第4單位區(qū)B1～B4的第2交接臺(tái)TRS6～TRS9進(jìn)行晶片W的交接。另外，該接口臂B也可構(gòu)成為，對(duì)所有單位區(qū)B1～B5的第2交接臺(tái)TRS6～TRS10進(jìn)行晶片W的交接。
接下來(lái)，以在抗蝕劑膜上下分別形成反射防止膜的情況為例說(shuō)明該抗蝕劑圖形形成裝置100中的單張式處理的晶片W的路徑。
首先，從外部向承載區(qū)S1運(yùn)入承載體20，利用傳送臂C把晶片W從該承載體20內(nèi)取出。晶片W從傳送臂C交接至擱板組件U6的第1交接臺(tái)TRS-F，接著，為了把晶片W交接至BCT層B5，由第1交接臂D1經(jīng)由擱板組件U6的第1交接臺(tái)TRS5交接至BCT層B5的主臂部A5。然后在BCT層B5中，由主臂部A5，以冷卻組件(COL5)→第1反射防止膜形成組件(未圖示)→加熱組件(CHP5)→擱板組件U7的第2交接臺(tái)TRS10的順序進(jìn)行運(yùn)送，而形成有第1反射防止膜。
接下來(lái)，為了把晶片W交接至COT層B4，由第2交接臂D2將第2交接臺(tái)TRS10的晶片W運(yùn)送至擱板組件U7的第2交接臺(tái)TRS9，接下來(lái)，交接至該COT層B4的主臂部A4。另外，在COT層B4中，由主臂部A4，以冷卻組件COL4→涂敷組件31→加熱組件CHP4→擱板組件U6的第1交接臺(tái)TRS4的順序運(yùn)送晶片W，在第1反射防止膜的上層形成抗蝕劑膜。
然后，為了把晶片W交接至TCT層B3，由第1交接臂D1將第1交接臺(tái)TRS4的晶片W運(yùn)送至第1交接臺(tái)TRS3，然后交接至該TCT層B3的主臂部A3。另外，在TCT層B3中，由主臂部A3，以冷卻組件(COL3)→第2反射防止膜形成組件(未圖示)→加熱組件(CHP3)→周緣曝光裝置(WEE)→擱板組件U7的第2交接臺(tái)TRS8的順序運(yùn)送晶片W，并在抗蝕劑膜的上層形成第2反射防止膜。接下來(lái)由接口臂B把第2交接臺(tái)TRS8的晶片W運(yùn)送至曝光裝置S4，并在這里進(jìn)行規(guī)定的曝光處理。
為了把晶片W交接至DEV層B1(DEV層B2)，曝光處理后的晶片W，由接口臂B運(yùn)送至擱板組件U7的第2交接臺(tái)TRS6(或TRS7)，該交接臺(tái)TRS6(或TRS7)上的晶片W被接受至DEV層B1(DEV層B2)的主臂部A1(主臂部A2)，在該DEV層B1(DEV層B2)中，首先以加熱組件(PEB1(PEB2))→冷卻組件(COL1(COL2))→顯影組件(未圖示)→加熱組件(POST1(POST2))的順序運(yùn)送，進(jìn)行規(guī)定的顯影處理。為了把晶片W交接至傳送臂C，這樣進(jìn)行了顯影處理的晶片W，被運(yùn)送至擱板組件U6的第1交接臺(tái)TRS1(TRS2)，并借助傳送臂C返回至載置在承載區(qū)S1上的原來(lái)的承載體20。
接下來(lái)，對(duì)該抗蝕劑圖形形成裝置100的運(yùn)送控制進(jìn)行說(shuō)明。如圖1所示，該抗蝕劑圖形形成裝置100所具有的運(yùn)送臂(基板運(yùn)送機(jī)構(gòu))、即例如第1交接臂D1、第2交接臂D2、主臂部A4、傳送臂C、交接臂B等的動(dòng)作被由計(jì)算機(jī)構(gòu)成的控制部6(控制機(jī)構(gòu))控制。
控制部6中，如圖6的框圖所示，在其存儲(chǔ)機(jī)構(gòu)6A中，存儲(chǔ)有例如運(yùn)送計(jì)劃主程序61、和固定分配信息62。再次，所謂運(yùn)送計(jì)劃主程序61對(duì)抗蝕劑圖形形成裝置100具有的運(yùn)送臂進(jìn)行控制，是用于實(shí)施晶片運(yùn)送的程序，以哪種處理順序進(jìn)行運(yùn)送，取決于從外部輸入的運(yùn)送方法。
進(jìn)而，該搬運(yùn)計(jì)劃主程序61采用柔性模式作為運(yùn)送源和運(yùn)送目的地的模塊分配方法的基本模式。所謂柔性模式是在連續(xù)的處理工序中具有多個(gè)進(jìn)行各工序處理的模塊時(shí)，將在運(yùn)送源的模塊中的處理結(jié)束后的晶片W優(yōu)先運(yùn)送至運(yùn)送目的地空的模塊中的運(yùn)送模式。即，根據(jù)該模式，由于縮短運(yùn)送的待機(jī)時(shí)間，所以在晶片的處理片數(shù)不是很大的情況下，可以實(shí)現(xiàn)處理量的提高。
另外，固定分配信息62是由從外部輸入的上述運(yùn)送方法信息、和各模塊的配置信息形成的信息，是在規(guī)定的條件下預(yù)先固定分配與運(yùn)送源的模塊對(duì)應(yīng)的運(yùn)送目的地的模塊的信息。
具體地說(shuō)，在從涂敷模塊向加熱模塊運(yùn)送中，若涂敷模塊為3個(gè)，加熱模塊為6個(gè)，則上述固定分配信息62中預(yù)先相對(duì)于各涂敷模塊固定分配例如2個(gè)加熱模塊。作為分配條件，優(yōu)選地以運(yùn)送距離更短的對(duì)策進(jìn)行分配。其結(jié)果，晶片W從各涂敷模塊運(yùn)送至分配的2個(gè)加熱模塊中的任何一個(gè)。
另外，在本例中，對(duì)1個(gè)涂敷模塊分配2個(gè)加熱模塊，而與運(yùn)送源和遠(yuǎn)送目的地的各模塊數(shù)對(duì)應(yīng)地決定各對(duì)應(yīng)的模塊數(shù)的比率。
另外，該固定分配信息62在運(yùn)送計(jì)劃為固定分配模式時(shí)使用。即，所謂固定分配模式是在規(guī)定的條件下預(yù)先固定分配與一個(gè)或多個(gè)運(yùn)送源模塊對(duì)應(yīng)的一個(gè)或多個(gè)運(yùn)送目的地模塊的模式。
在執(zhí)行該固定分配模式時(shí)，通過(guò)從外部向控制部6輸入模式切換指令，而使固定分配信息62和運(yùn)送計(jì)劃主程序鏈接，切換成柔性模式并執(zhí)行。
再次，進(jìn)而對(duì)具體的運(yùn)送源和運(yùn)送目的地的模塊分配的例子進(jìn)行說(shuō)明。在本實(shí)施方式中，在COT層B4中，涂敷組件31具有例如3個(gè)涂敷模塊，擱板組件U1～U5具有6個(gè)加熱組件(加熱模塊)CHP4。在涂敷組件31的某個(gè)模塊中實(shí)施了涂敷處理的晶片W通過(guò)主臂部A4運(yùn)送至某個(gè)加熱組件CHP4的模塊中。以該情況的運(yùn)送源和運(yùn)送目的地的模塊分配為例，基于圖7至圖9進(jìn)行說(shuō)明。圖7是表示運(yùn)送模式的選擇動(dòng)作的流程圖，圖8是柔性模式中的運(yùn)送源和運(yùn)送目的地的模塊分配的例子，圖9是固定分配模式中的運(yùn)送源和運(yùn)送目的地的模塊分配的例子。
另外，在此，如圖8、圖9所示，涂敷組件31搭載3個(gè)涂敷處理模塊SP1～SP3，加熱組件CHP4搭載6個(gè)加熱處理模塊CHP4A～CHP4F。另外，處理的晶片片數(shù)為21片，圖8、圖9中，為了方便，以運(yùn)送至涂敷組件31上的順序?qū)琖進(jìn)行編號(hào)。
首先，控制部6讀入決定關(guān)于各晶片W的處理工序的順序等的運(yùn)送方法信息(圖7的步驟S1)，進(jìn)而讀入模塊配置信息(圖7的步驟S2)。所謂模塊配置信息，是表示各模塊設(shè)置在哪個(gè)位置的信息，在本例中，是涂敷組件31的涂敷模塊SP1～SP3的各配置信息、和加熱組件CHP4A～CHPAF的各配置信息。
控制部6基于在步驟S1、S2中讀入的信息，生成固定分配信息62(圖7的步驟S3)。所謂該固定分配信息62是預(yù)先固定分配運(yùn)送源的涂敷模塊SP1～SP3和運(yùn)送目的地的加熱組件(加熱模式)CHP4A～CHPAF的對(duì)應(yīng)情況的信息。
接著，控制部6基于在步驟S1中讀入的運(yùn)送方法，執(zhí)行運(yùn)送計(jì)劃主程序61，通過(guò)作為基本模式的柔性模式，使晶片的運(yùn)送開始(圖7的步驟S4)。在執(zhí)行該柔性模式時(shí)，例如如圖8所示，在涂敷組件31的模塊SP1～SP3中，按實(shí)施了涂敷處理的順序，進(jìn)行晶片W向熱處理組件CHP4的運(yùn)送，而此時(shí)，優(yōu)先運(yùn)送至CHP4A～CHPAF中不工作的模塊中運(yùn)送用的移動(dòng)路徑更短的模塊中。
若在運(yùn)送計(jì)劃主程序61的執(zhí)行中，輸入運(yùn)送計(jì)劃的模式切換指令(圖7的步驟S5)，則程序?qū)⑦\(yùn)送計(jì)劃從柔性模式切換成固定分配模式，繼續(xù)執(zhí)行基板運(yùn)送(圖7的步驟S6)。在基于上述固定分配信息62執(zhí)行該固定分配模式時(shí)，例如如圖9所示，一定將SP1中處理了的晶片W運(yùn)送至CHP4A，將在SP2中處理了的晶片運(yùn)送至CHP4C和CHP4D，將在SP3中處理了的晶片運(yùn)送至CHP4E和CHP4F。
另一方面，若在步驟S5中，沒(méi)有輸入模式切換指令，所有的晶片運(yùn)送結(jié)束(圖7的步驟S7)，則使運(yùn)送作業(yè)結(jié)束。
另外，上述步驟S 5中的運(yùn)送計(jì)劃的模式切換指令，例如在檢測(cè)出由于涂敷處理而引起的晶片上的不良部位(膜厚異常等)時(shí)，將該情況作為脈沖輸入。這由于容易確定出成為其問(wèn)題的原因的涂敷模塊。即，在柔性模式中，很難確定加熱處理后的晶片W是從SP1～SP3中的哪個(gè)涂敷模塊運(yùn)送來(lái)的，而通過(guò)由于切換成固定分配模式，固定晶體W的運(yùn)送路徑，所以可容易確定成為不良品產(chǎn)生原因的涂敷模塊。
另外，在步驟S7中所有的晶片運(yùn)送沒(méi)有結(jié)束期間，再次輸入模式切換指令，也能返回柔性模式。即，若通過(guò)固定分配模式確定具有問(wèn)題的涂敷模塊，則通過(guò)只使該模塊停止工作，使用其余涂敷模塊，便能以柔性模式繼續(xù)處理。
另外，在柔性模式中，在處理的基板的數(shù)目較大的情況下，可能存在由基板導(dǎo)致運(yùn)送路徑變長(zhǎng)、相反處理量下降的問(wèn)題，而通過(guò)切換成固定分配模式，可將各基板的運(yùn)送路徑固定成較短的路徑，可抑制處理量降低。
如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式，通過(guò)采用可在下述模式之間切換的結(jié)構(gòu)，即在優(yōu)先向空模塊中運(yùn)送路徑較短的模塊運(yùn)送的柔性模式、和預(yù)先固定地分配與運(yùn)送源地模塊對(duì)應(yīng)的運(yùn)送目的地的模塊的固定分配模式之間切換的結(jié)構(gòu)，在模塊產(chǎn)生問(wèn)題時(shí)，通過(guò)固定分配模式，可容易確定該模塊，進(jìn)而，可切換成柔性模式繼續(xù)處理。
另外，在柔性模式中處理的晶片的數(shù)目較大時(shí)，通過(guò)切換成固定分配模式，而將運(yùn)送路徑固定為較小的路徑，可抑制處理量降低。
另外，在上述實(shí)施方式中，對(duì)將基本模式設(shè)為柔性模式的情況進(jìn)行了說(shuō)明，但是也可將基板模式設(shè)成固定分配模式。
另外，在上述實(shí)施方式中，以涂敷模塊31和加熱組件CHP4之間的運(yùn)送計(jì)劃為例進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明的基板處理方法并不限于該例，也可用于其他處理模塊鍵的運(yùn)送計(jì)劃。
另外，在上述實(shí)施方式中，作為被處理基板以半導(dǎo)體晶片為例，但本發(fā)明的基板并不限于半導(dǎo)體晶片，可以是LCD基板、CD基板、玻璃基板、光掩膜、印刷基板等。
本發(fā)明可用于處理半導(dǎo)體晶片等基板的抗蝕劑圖形形成裝置等，可優(yōu)選地用于半導(dǎo)體制造業(yè)、電子顯示屏制造業(yè)等。
權(quán)利要求
1.一種基板處理系統(tǒng)，具備多個(gè)模塊，所述模塊在多個(gè)工序范圍內(nèi)，對(duì)多個(gè)基板進(jìn)行單張式處理，并且在連續(xù)的處理工序中分別進(jìn)行處理，其特征在于，具有基板運(yùn)送機(jī)構(gòu)，將前述基板從運(yùn)送源的模塊運(yùn)送至運(yùn)送目的地的模塊；控制機(jī)構(gòu)，基于規(guī)定運(yùn)送源和運(yùn)送目的地的模塊分配方法的至少兩個(gè)運(yùn)送模式的某一種，控制前述基板運(yùn)送機(jī)構(gòu)，前述控制機(jī)構(gòu)在前述基板的處理工序中，接受前述運(yùn)送模式的切換指令后，從執(zhí)行中的運(yùn)送模式切換成其他運(yùn)送模式，基于切換后的運(yùn)送模式，使前述基板運(yùn)送機(jī)構(gòu)運(yùn)送基板。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理機(jī)構(gòu)，其特征在于，前述運(yùn)送模式的至少一種是在規(guī)定條件下預(yù)先固定分配與一個(gè)或多個(gè)運(yùn)送源的模塊對(duì)應(yīng)的一個(gè)或多個(gè)運(yùn)送目的地的模塊的模式。
3.如權(quán)利要求2所述的基板處理機(jī)構(gòu)，其特征在于，分配前述運(yùn)送目的地的模塊時(shí)的前述規(guī)定條件之一是前述運(yùn)送目的地的模塊為從運(yùn)送源的模塊的運(yùn)送距離更短的模塊。
4.如權(quán)利要求2所述的基板處理機(jī)構(gòu)，其特征在于，前述運(yùn)送模式的至少一種是從空的運(yùn)送目的地的模塊中以優(yōu)先運(yùn)送為目的進(jìn)行分配的模式。
5.一種基板處理方法，在基板處理系統(tǒng)中執(zhí)行，所述基板處理系統(tǒng)具備多個(gè)模塊，所述模塊在多個(gè)工序范圍內(nèi)，對(duì)多個(gè)基板進(jìn)行單張式處理，并且在連續(xù)的處理工序中分別進(jìn)行處理，其特征在于，執(zhí)行下述兩個(gè)步驟基于規(guī)定運(yùn)送源和運(yùn)送目的地的模塊分配方法的至少兩個(gè)運(yùn)送模式的某一種，運(yùn)送前述基板；在前述基板的處理工序中，接受前述運(yùn)送模式的切換指令后，從執(zhí)行中的運(yùn)送模式切換成其他運(yùn)送模式，基于切換后的運(yùn)送模式，運(yùn)送基板。
6.如權(quán)利要求5所述的基板處理方法，其特征在于，前述運(yùn)送模式的至少一種是對(duì)各基板在規(guī)定條件下預(yù)先固定分配與一個(gè)或多個(gè)運(yùn)送源的模塊對(duì)應(yīng)的一個(gè)或多個(gè)運(yùn)送目的地的模塊的模式。
7.如權(quán)利要求6所述的基板處理方法，其特征在于，分配前述運(yùn)送目的地的模塊時(shí)的前述規(guī)定條件之一是前述運(yùn)送目的地的模塊為從運(yùn)送源的模塊的運(yùn)送距離更短的模塊。
8.如權(quán)利要求6所述的基板處理方法，其特征在于，前述運(yùn)送模式的至少一種是從空的運(yùn)送目的地的模塊中以優(yōu)先運(yùn)送為目的進(jìn)行分配的模式。
全文摘要
本發(fā)明的基板處理系統(tǒng)具備多個(gè)模塊，所述模塊在多個(gè)工序范圍內(nèi)，對(duì)多個(gè)基板進(jìn)行單張式處理，并且在連續(xù)的處理工序中分別進(jìn)行處理，可容易確定在基板上產(chǎn)生不良部位時(shí)成為原因的有問(wèn)題，在基板的處理張數(shù)較多的情況下，可抑制處理量的降低。本發(fā)明的基板處理系統(tǒng)具備多個(gè)上述模塊，并具有基板運(yùn)送機(jī)構(gòu)(A4)，將基板(W)從運(yùn)送源的模塊運(yùn)送至運(yùn)送目的地的模塊；控制機(jī)構(gòu)(6)，基于規(guī)定運(yùn)送源和運(yùn)送目的地的模塊分配方法的至少兩個(gè)運(yùn)送模式的某一種，控制基板運(yùn)送機(jī)構(gòu)(A4)，控制機(jī)構(gòu)(6)在基板的處理工序中，接受運(yùn)送模式的切換指令后，從執(zhí)行中的運(yùn)送模式切換成其他運(yùn)送模式，基于切換后的運(yùn)送模式，使基板運(yùn)送機(jī)構(gòu)(A4)運(yùn)送基板。
文檔編號(hào)H01L21/00GK1877451SQ20061009162
公開日2006年12月13日 申請(qǐng)日期2006年6月7日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月7日
發(fā)明者林田安, 林伸一, 原圭孝 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社