專利名稱：縱向結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種縱向結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管(LED)及其制造方法。
背景技術(shù)：
最近，已知用于以基于氮化物的復(fù)合半導(dǎo)體的發(fā)光二極管(LEDs)活性層(active layers)的材料InxGa1-xN能夠根據(jù)銦(In)的結(jié)構(gòu)在全部可見(jiàn)光范圍內(nèi)發(fā)光，因?yàn)槠淠芰繋чg隔寬廣。
LED的應(yīng)用領(lǐng)域是非常廣的，以至于它們被用于電子公告牌、顯示元件、背光元件、電燈泡等。在這種情況下，其應(yīng)用領(lǐng)域逐漸被擴(kuò)展以使得其必須發(fā)展高級(jí)LED。
圖1說(shuō)明了根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的LED示意性截面圖。其中在藍(lán)寶石基底100上依次疊加有N-GaN層101、活性層102、P-GaN層103。從P-GaN層103到N-GaN層101的部分進(jìn)行臺(tái)面蝕刻(Mesa-etching)。該P(yáng)-GaN層103的上表面依次形成有透明電極104和P型金屬層105，并在臺(tái)面蝕刻N(yùn)-GaN層101上形成N型金屬層106。
這種結(jié)構(gòu)的LED利用粘膠108粘接到模型杯(molding cup)，與一外部導(dǎo)線連接的第一引線框(lead frame)109a和N型金屬層106線連接(wire-bonded)，與外部其它導(dǎo)線連接的第二引線框109b和P型金屬層105線連接，以用于安裝。
現(xiàn)在，將說(shuō)明這種結(jié)構(gòu)的LED的操作。如果向N型金屬層和P型金屬層施加一電壓，電子和空穴從N-GaN層101和P-GaN層103流動(dòng)到活性層102以產(chǎn)生電子和空穴的重新復(fù)合(re-copuling)并發(fā)光。
從活性層102發(fā)出的光從其上下發(fā)出，而從活性層102上面發(fā)出的光經(jīng)由P-GaN層103放射到外部，部分光向下發(fā)出的光逃逸到LED芯片的外部，部分逃逸到藍(lán)寶石基底上的光被吸收或被從用于安裝LED芯片的焊接處反射，并再次發(fā)射到活性層上面。部分光再次被活性層吸收或經(jīng)由活性層逃逸到外部。
然而，由于已知上述提及的LED是一種橫向LED，是在具有低熱傳導(dǎo)率的藍(lán)寶石基底上制得的，其難以釋放出在裝置工作中產(chǎn)生的熱量，從而導(dǎo)致裝置性能降低的問(wèn)題。
另一個(gè)問(wèn)題是，如圖1所示需要移除活性層用于形成電極，其減少了光發(fā)射范圍，使得其難以實(shí)現(xiàn)高亮度和高級(jí)的LED，導(dǎo)致了在同一晶片上芯片數(shù)量的減少和制造過(guò)程的困難，并在安裝過(guò)程中兩次粘接。
另一個(gè)問(wèn)題是，如果使用藍(lán)寶石作為基底，在用于切割(分離)一單元芯片的研磨(lapping)、拋光、劃線和切除過(guò)程中，在晶片上完成LED芯片的加工后，由于藍(lán)寶石材料的硬度和GaN的晶體裂開(kāi)面(cleavage planes)的不均勻，裝置的產(chǎn)量降低。
圖2a至2h為說(shuō)明縱向LED制造過(guò)程的示意性截面圖，其中以這種方式進(jìn)行制造，利用金屬氧化物化學(xué)氣相沉積法(MOCVD)在藍(lán)寶石基底121上疊加LED結(jié)構(gòu)，在P-GaN125的上表面上形成電極和反射薄膜。晶片120粘接到分別制造的支撐基底130上，并移除藍(lán)寶石基底121。
首先，參見(jiàn)圖2a，在藍(lán)寶石基底121和未摻雜GaN層122上進(jìn)行MOCVD處理，依次疊加GaN層122、N-GaN層123、InxGa1-xN層124和P-GaN層125。
接著，在P-GaN層125的上表面上繼續(xù)形成有透明電極126、反射薄膜127、焊接響應(yīng)檢查層128和從Ti/Au、Ni/Au and Pt/Au中任一個(gè)選擇出的金屬層129。
然后，參見(jiàn)圖2b，分別在基底130的上表面和下表面上形成第一和第二歐姆觸點(diǎn)金屬層131和132，使電流能夠在其中流動(dòng)。
接著，在第一和第二歐姆觸點(diǎn)金屬層131和132上形成有LED芯片粘接物(bonding solder)133(參見(jiàn)圖2c)。
然后，將該LED芯片粘接物133粘接到金屬層129，并且在藍(lán)寶石基底121上形成的結(jié)構(gòu)被粘接到基底130(參見(jiàn)圖2d)。
接著，在藍(lán)寶石基底121上照射激光以將該藍(lán)寶石基底121從未摻雜GaN層122中切割出去(參見(jiàn)圖2e)。該未摻雜GaN層122保留用作損傷的層(damaged layer)，直到利用激光移除(LLO)步驟至一預(yù)定厚度。
然后，利用干蝕刻處理進(jìn)行整體蝕刻直到N-GaN層123被曝光，而且與每個(gè)LED相應(yīng)的N-GaN層123上表面形成有N型電極極板141(參見(jiàn)圖2g)。
最后，從第二歐姆觸點(diǎn)金屬層132到N-GaN層123進(jìn)行切割和分裂的切割步驟以切割成單獨(dú)的裝置。
因此，根據(jù)本發(fā)明的LED優(yōu)點(diǎn)在于，其制成在縱向結(jié)構(gòu)中的上下表面上分別設(shè)置有電極，并且相對(duì)于傳統(tǒng)的冗長(zhǎng)的蝕刻過(guò)程，其制造過(guò)程簡(jiǎn)單。
然而，傳統(tǒng)的技術(shù)存在以下問(wèn)題。換句話說(shuō)，當(dāng)藍(lán)寶石基底被分離時(shí)，需要高溫處理，因?yàn)橛糜谥涡纬捎蠰ED結(jié)構(gòu)的晶片的基底利用焊錫粘接，這樣，熱膨脹系數(shù)和晶格常數(shù)在不同材料之間產(chǎn)生張力，導(dǎo)致LED的缺陷。因此，非常需要發(fā)展一種不需要高溫條件的支撐基底形成方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明被披露以解決前述問(wèn)題，并且本發(fā)明的一個(gè)目的是要提供一種縱向結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管(LED)及其制造方法，通過(guò)利用電鍍方法而不需要高溫處理，在LED結(jié)構(gòu)的上表面上形成一金屬支撐層，大致消除了一個(gè)或多個(gè)由于現(xiàn)有技術(shù)的局限性和缺點(diǎn)存在的前述問(wèn)題，從而能夠減少裝置上缺陷的發(fā)生。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是，在光發(fā)射結(jié)構(gòu)的上表面上形成一金屬支撐層，該金屬支撐層包括軟金屬和硬金屬，以避免晶片的彎曲，以增加機(jī)械強(qiáng)度和提高可靠性。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，縱向結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管(LED)包括光發(fā)射結(jié)構(gòu)；以及金屬支撐層，其形成在光發(fā)射結(jié)構(gòu)的上表面上，且包括軟金屬和楊氏模量(Young’s modulus)比軟金屬高的硬金屬。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，縱向LED的制造方法包括在基底上形成一光發(fā)射結(jié)構(gòu)；利用電鍍工藝在光發(fā)射結(jié)構(gòu)的上表面上形成金屬支撐層；移除該基底；以及在光發(fā)射結(jié)構(gòu)的下表面上形成電極。


本發(fā)明將通過(guò)接下來(lái)給出的詳細(xì)說(shuō)明得到更全面的理解，該說(shuō)明僅僅是用于描述，并且這些附圖不用于限制本發(fā)明，其中圖1為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)光二極管的示意性截面圖；圖2a至2h為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的縱向LED的制造的截面的過(guò)程圖；圖3a至3d為根據(jù)本發(fā)明的包括金屬支撐層的縱向LED的制造過(guò)程的示意性截面圖；圖4為根據(jù)本發(fā)明的形成在光發(fā)射結(jié)構(gòu)的上表面上的用于電鍍的籽晶層(seed layer)的示意性截面圖；圖5為根據(jù)本發(fā)明的光發(fā)射結(jié)構(gòu)的示意性截面圖；圖6a和6b為根據(jù)本發(fā)明的縱向LED的金屬支撐層的實(shí)施例的截面圖；圖7為根據(jù)本發(fā)明的縱向LED的金屬支撐層的另一實(shí)施例的截面圖；以及圖8為根據(jù)本發(fā)明的縱向LED的金屬支撐層的電鍍沉積的極化曲線(polarization curve)。
具體實(shí)施例方式
接下來(lái)，將參照

本發(fā)明的實(shí)施例。
圖3a至3d為根據(jù)本發(fā)明的包括金屬支撐層的縱向LED的制造過(guò)程的示意性截面圖，如圖3a所示，在基底10上形成有光發(fā)射結(jié)構(gòu)20。
這里，除非特別限定，根據(jù)本發(fā)明的基底10和光發(fā)射結(jié)構(gòu)20可采用所有在本領(lǐng)域已知的發(fā)光二極管(LED)的基底和光發(fā)射結(jié)構(gòu)。
此外，如圖5所示，光發(fā)射結(jié)構(gòu)20優(yōu)選地依次疊加有具有第一極性的第一半導(dǎo)體層21、活性層22和具有與第一極性相反極性的第二半導(dǎo)體層23。此時(shí)，如果第一極性是N型，那么第二極性就是P型。
更優(yōu)選的是，包括未摻雜的U-GaN層的用于改善外延層(epitaxiallayer)性能并在基底移除步驟中最小化外延層損耗的緩沖層形成在N-GaN層的下表面上。
接著，利用電鍍方法形成金屬支撐層30，其中光發(fā)射結(jié)構(gòu)20的上側(cè)被浸入到電鍍液100中(圖3b和3c)。這里，光發(fā)射結(jié)構(gòu)20上形成有籽晶層50，如圖4所示。
換句話說(shuō)，該金屬支撐層通過(guò)根據(jù)本發(fā)明的低溫處理的電鍍形成在光發(fā)射結(jié)構(gòu)上，使得熱膨脹系數(shù)和晶格常數(shù)能夠防止在不同材料之間產(chǎn)生張力，并且該金屬支撐層能夠在前端形成良好的附著力(adhesion)而與LED的光發(fā)射結(jié)構(gòu)無(wú)關(guān)。
該電鍍液100可以是一種經(jīng)常用于普通電鍍方法的電鍍液。此外，該金屬支撐層30可同時(shí)具有P型電極的功能。結(jié)果，優(yōu)選地具有優(yōu)良的導(dǎo)電性的金屬用于金屬支撐層。此外，金屬支撐層30應(yīng)當(dāng)能夠充分釋放在裝置工作過(guò)程中產(chǎn)生的熱量。
因此，具有優(yōu)良的導(dǎo)電性的金屬應(yīng)當(dāng)用于金屬支撐層，優(yōu)選地具有150～400W/km范圍的熱傳導(dǎo)率的金屬用于金屬支撐層。滿足所述條件的金屬可包括Au、Cu、Ag和Al。
然而，由于具有優(yōu)良的熱傳導(dǎo)率的金屬是一種軟金屬，當(dāng)該金屬支撐層由軟金屬形成時(shí)，發(fā)現(xiàn)存在下列缺陷。
換句話說(shuō)，如果電鍍條件沒(méi)有進(jìn)行適當(dāng)?shù)目刂?，在金屬?nèi)容易產(chǎn)生應(yīng)力，而且整個(gè)晶片容易隨著基底的移除而產(chǎn)生彎曲，并且該彎曲的晶片對(duì)于后面的制造過(guò)程是不適當(dāng)?shù)摹?br> 還有更壞的，在使用軟金屬時(shí)，該裝置不容易被移除，因此僅僅使用純的軟金屬來(lái)形成金屬支撐層不是最好的。
因此，優(yōu)選地，金屬支撐層30應(yīng)該具有能夠?yàn)檎麄€(gè)裝置提供足夠支撐作用的機(jī)械強(qiáng)度并同時(shí)滿足熱傳導(dǎo)性。
本發(fā)明提供了一種金屬支撐層30，其包括具有優(yōu)良的熱傳導(dǎo)率的軟金屬和具有機(jī)械強(qiáng)度的硬金屬，作為滿足前述條件的金屬支撐層的優(yōu)選實(shí)施例。
此時(shí)，該金屬支撐層30優(yōu)選地由軟金屬和硬金屬的合金形成。
因此，本發(fā)明以這樣的方式來(lái)配置，包括軟金屬和硬金屬的金屬支撐層形成在光發(fā)射結(jié)構(gòu)上，從而能夠防止晶片的彎曲問(wèn)題并提高機(jī)械強(qiáng)度，使得在使用軟金屬作為金屬支撐層的情況下在后其加工期間產(chǎn)生的問(wèn)題能夠消除以提高產(chǎn)品的可靠性。
換句話說(shuō)，如果該金屬支撐層由軟金屬制成，由于軟金屬的柔軟，每個(gè)光發(fā)射裝置不容易在裝置的制造步驟后的分離步驟中被分離，然而，根據(jù)本發(fā)明的金屬支撐層同時(shí)包括軟金屬和硬金屬，由于良好的機(jī)械強(qiáng)度，使得其能夠平穩(wěn)地進(jìn)行光發(fā)射裝置的分離步驟。
這里，優(yōu)選地，軟金屬是具有高的熱傳導(dǎo)率的Au、Cu、Ag或Al中的至少一種或多種。
此外，能夠與軟金屬合金的硬金屬優(yōu)選地具有如下特性第一，其應(yīng)當(dāng)具有與軟金屬相似的晶格結(jié)構(gòu)，以在合金或表面形成中最小化內(nèi)部張力的產(chǎn)生；第二，其應(yīng)當(dāng)具有比軟金屬高的楊氏模量，通過(guò)彌補(bǔ)軟金屬的柔軟以增加機(jī)械強(qiáng)度或減少脆度；第三，其應(yīng)當(dāng)具有比軟金屬高的熔點(diǎn)，以經(jīng)受住在形成金屬支撐薄膜后包括在裝置制造中的熱處理時(shí)的熱處理。
換句話說(shuō)，利用具有相同晶格常數(shù)的金屬的電鍍處理的實(shí)現(xiàn)僅僅能夠減少合金中的應(yīng)力。例如，具有面心立方(Face Centered Cubic(FCC))晶體的晶格結(jié)構(gòu)的Cu被電鍍有Al、Ag、Ni、Co、Pt或Pd，每個(gè)都具有相同的FCC晶體結(jié)構(gòu)以形成合金。因此，優(yōu)選地，軟金屬和硬金屬具有相同的晶格常數(shù)。
此外，具有高的熱傳導(dǎo)率的金屬是優(yōu)選的，因?yàn)闊醾鲗?dǎo)能夠通過(guò)改變合金結(jié)構(gòu)被擴(kuò)充至一大的范圍，以致于其重要性與前述條件相比相當(dāng)?shù)汀?br> 接近上述條件的金屬可包括Ni、Co、Pt或Pd，且它們中的至少一個(gè)或多個(gè)可被選擇用于金屬支撐層。
隨后將詳細(xì)說(shuō)明金屬支撐層30的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)。
如上所述，在形成金屬支撐層30后，移除基底10，如圖3c所示。
此時(shí)，如果光發(fā)射結(jié)構(gòu)20依次疊加有具有第一極性的第一半導(dǎo)體層21、活性層22和具有與第一極性相反的極性的第二半導(dǎo)體層23，如圖5所示，第一半導(dǎo)體層21被干蝕刻成全部曝露。最后，在光發(fā)射結(jié)構(gòu)20下面形成電極40(圖3d)。此時(shí)，由于在第一半導(dǎo)體層21下面形成有電極，如果第一半導(dǎo)體層21是N型半導(dǎo)體層，則電極將是N型電極。這樣，完成縱向結(jié)構(gòu)的LED的制造。
縱向結(jié)構(gòu)的LED表示了一種結(jié)構(gòu)，其中在光發(fā)射結(jié)構(gòu)20上下形成有電極，如圖3d所示，在光發(fā)射結(jié)構(gòu)20上設(shè)置有電極40，在其下形成有金屬支撐層30。
可采用現(xiàn)有技術(shù)中的方法來(lái)移除基底10。換句話說(shuō)，可使用激光移除方法通過(guò)使用具有對(duì)藍(lán)寶石透明的波長(zhǎng)的受激準(zhǔn)分子激光器來(lái)從GaN外延層移除藍(lán)寶石基底，或使用干性和濕性蝕刻方法。
圖6a和6b為說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的縱向LED的金屬支撐層的一個(gè)實(shí)施例的截面圖。
首先，圖6a為說(shuō)明由合金金屬形成的金屬支撐層30結(jié)構(gòu)的截面圖，其中具有優(yōu)良的熱傳導(dǎo)率的軟金屬和具有良好的機(jī)械強(qiáng)度的硬金屬被合金到軟金屬中。
如圖6a所示，金屬支撐層30通過(guò)將具有薄的軟金屬薄膜和良好的機(jī)械強(qiáng)度的硬金屬的合金層32混合到軟金屬31中而形成，以便加強(qiáng)軟金屬的機(jī)械強(qiáng)度。
換句話說(shuō)，金屬支持層中的硬金屬具有比軟金屬高的楊氏模量，并以與軟金屬合金的合金層狀態(tài)存在于軟金屬中。混合有軟金屬和具有良好的機(jī)械強(qiáng)度的硬金屬的合金層32的形成方法通過(guò)電鍍、調(diào)整電流和電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)。
例如，如果在混合有軟金屬和硬金屬的電鍍液上進(jìn)行電壓掃描，則示出了各個(gè)不同電流峰值。此時(shí)，如果為每個(gè)電流峰值施加恒定電流和恒定電壓，則能夠?qū)崿F(xiàn)所期望的合金電鍍。此外，每個(gè)層的厚度主要的依賴于電鍍時(shí)間，并能夠容易從微米單位調(diào)節(jié)到納米單位。合金層32中的軟金屬和硬金屬的比例可被任意調(diào)整。優(yōu)選地，合金層32多層疊加，以確保更有效的機(jī)械強(qiáng)度，如圖所示。
在金屬支撐層30中合金層32占據(jù)的體積并不大，因?yàn)樵搶佑杀〉谋∧ば纬桑鋵?duì)金屬支撐層30的整體熱傳導(dǎo)率貢獻(xiàn)非常小。結(jié)果，軟金屬的熱傳導(dǎo)性不被損壞從而確保所期望的機(jī)械強(qiáng)度。
如圖6b所示，合金層32具有多層薄膜疊加結(jié)構(gòu)，其中軟金屬富含區(qū)域33和硬金屬富含區(qū)域34相互交替。這表明，軟金屬和硬金屬不是完全分開(kāi)的而是根據(jù)相對(duì)成分的高和低分開(kāi)的。
此時(shí)，為了安排交替混合有軟金屬和硬金屬的該多層薄膜疊加結(jié)構(gòu)，電鍍以這樣的方式進(jìn)行，向電鍍液施加脈沖電流，該脈沖電流被這樣編程以周期性地顯示出軟金屬和硬金屬的電流峰值。這種結(jié)構(gòu)組成了一種緩沖結(jié)構(gòu)，其集中到兩種金屬或一種金屬之間的表面區(qū)域，合金被這樣逐漸改變，使得其能夠防止在兩種具有微小晶格常數(shù)差別的金屬之間的內(nèi)部張力的出現(xiàn)。
圖7為根據(jù)本發(fā)明的縱向LED的金屬支撐層的另一實(shí)施例的截面圖，其中金屬支撐層30以這樣的方式構(gòu)成，具有比軟金屬的楊氏模量高的硬金屬和軟金屬的合金顆粒35混合在軟金屬31中。
換句話說(shuō)，如果在電鍍軟金屬時(shí)進(jìn)行短時(shí)間的合金電鍍，則可以在電鍍層中包含合金顆粒。
上述具有金屬支撐層30的結(jié)構(gòu)在來(lái)自電鍍液的電鍍過(guò)程中容易通過(guò)調(diào)節(jié)電壓和電流電鍍沉積，并能夠通過(guò)調(diào)節(jié)供電延緩時(shí)間和電鍍液的攪動(dòng)速度(agitating speed)來(lái)更加有效地電鍍沉積。
換句話說(shuō)，由于每種金屬的極化特性不同，電鍍沉積金屬的種類和數(shù)量可通過(guò)調(diào)節(jié)電流和電壓來(lái)調(diào)節(jié)。
作為另一個(gè)方法，金屬支撐層的結(jié)構(gòu)可通過(guò)復(fù)合電鍍(compositeplating)方法來(lái)形成。換句話說(shuō)，如果合金顆粒散布在軟金屬的電鍍液中，并且軟金屬被電鍍，那么合金顆粒就被混合到軟金屬中的共析結(jié)構(gòu)(eutectoid structure)中。優(yōu)選地，以這樣的方式進(jìn)行電鍍，表面活性劑被混合并攪動(dòng)以獲得更有效的復(fù)合電鍍。
圖8為根據(jù)本發(fā)明的縱向LED的金屬支撐層電鍍沉積的極化曲線，其中該極化曲線與Cu和Ni的電鍍沉積有關(guān)。
根據(jù)該極化曲線，Cu被電鍍沉積到A區(qū)域，而Ni被電鍍沉積到B區(qū)域，同時(shí)Cu和Ni被電鍍沉積在邊界上。
此外，Cu含量在Ni電鍍沉積時(shí)隨著電鍍液的攪動(dòng)而增加，以便減少電鍍液的攪動(dòng)速度或者不要攪動(dòng)，能夠調(diào)節(jié)合金層中的金屬成分比，以及優(yōu)選地，在電鍍沉積的金屬將被改變時(shí)，具有電源延緩時(shí)間。
從前述可以明顯地看出，根據(jù)本發(fā)明的在縱向結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管(LED)及這樣描述的制造方法具有的優(yōu)點(diǎn)在于，在光發(fā)射結(jié)構(gòu)的上表面上通過(guò)電鍍方法形成金屬支撐層，其不需要高溫處理來(lái)消除裝置上出現(xiàn)的缺陷。
另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于，包括軟金屬和硬金屬的金屬支撐層形成在光發(fā)射結(jié)構(gòu)上，以防止晶片彎曲的發(fā)生，以增加機(jī)械強(qiáng)度并提高可靠度。
雖然利用具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了完整和清楚的公開(kāi)，但其對(duì)附加的權(quán)利要求不構(gòu)成限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白權(quán)利要求包含了全部改進(jìn)和替換，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)這些都落在這里所提出的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種縱向結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管(LED)，包括光發(fā)射結(jié)構(gòu)；以及在該光發(fā)射結(jié)構(gòu)的上表面上形成的包括有軟金屬和具有比軟金屬的楊氏模量高的硬金屬的金屬支撐層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED，其中該金屬支撐層包括有軟金屬和硬金屬的合金。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED，其中該金屬支撐層的硬金屬以與該軟金屬合金的合金層狀態(tài)存在于軟金屬中。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的LED，其中該合金層是多層疊加的層。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的LED，其中該合金層包括多層疊加的層，其中軟金屬富含區(qū)域和硬金屬富含區(qū)域互相交替。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED，其中該金屬支撐層在軟金屬中包括具有比軟金屬的楊氏模量高的硬金屬和軟金屬的合金顆粒。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)中的LED，其中該軟金屬的熱傳導(dǎo)率在150～400W/km的范圍內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)中的LED，其中該軟金屬和該硬金屬具有相同的晶格常數(shù)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)中的LED，其中該軟金屬為Au、Ag、Cu和Al中的至少一種或多種。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)中的LED，其中該硬金屬為Ni、Co、Pt和Pd中的至少一種或多種。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)中的LED，其中該光發(fā)射結(jié)構(gòu)依次疊加有具有第一極性的第一半導(dǎo)體層、活性層和具有與該第一極性相反極性的第二半導(dǎo)體層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的LED，其中該光發(fā)射結(jié)構(gòu)具有N型第一極性。
13.一種縱向LED的制造方法，包括在基底上形成光發(fā)射結(jié)構(gòu)；在該光發(fā)射結(jié)構(gòu)的上表面上采用電鍍處理形成金屬支撐層；移除該基底；以及在該光發(fā)射結(jié)構(gòu)的下表面上形成電極。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中該金屬支撐層包括軟金屬；和具有比該軟金屬的楊氏模量高的硬金屬。
15.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的方法，其中該光發(fā)射結(jié)構(gòu)依次疊加有具有第一極性的第一半導(dǎo)體層、活性層和具有與該第一極性相反極性的第二半導(dǎo)體層。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中該金屬支撐層的硬金屬以與該軟金屬合金的合金層狀態(tài)存在于該軟金屬中。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中該合金層包括多層疊加層，其中軟金屬富含區(qū)域和硬金屬富含區(qū)域相互交替。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中該金屬支撐層包括軟金屬；以及在該軟金屬中的該軟金屬與該硬金屬的合金顆粒。
19.根據(jù)權(quán)利要求14或18所述的方法，其中該軟金屬和該硬金屬具有相同的晶格常數(shù)。
20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中該軟金屬為Au、Ag、Cu和Al中的至少一種或多種，而該硬金屬為Ni、Co、Pt和Pd中的至少一種或多種。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種縱向結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管(LED)及其制造方法，其中在光發(fā)射結(jié)構(gòu)的上表面上采用電鍍方法形成有金屬支撐層，其中不需要高溫處理而避免了裝置中缺陷的產(chǎn)生，而包括軟金屬和硬金屬的該金屬支撐層形成在該光發(fā)射結(jié)構(gòu)上以防止晶片發(fā)生彎曲、以增加機(jī)械強(qiáng)度并提高可靠度。
文檔編號(hào)H01L33/12GK1893135SQ20061010073
公開(kāi)日2007年1月10日 申請(qǐng)日期2006年7月4日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月4日
發(fā)明者金善正, 李賢宰, 金根浩 申請(qǐng)人:Lg電子株式會(huì)社, Lg伊諾特有限公司