專利名稱：硅基光感測元件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及光學通信，更明確地說，涉及感測元件及其制造方法。
背景技術(shù)：
數(shù)字調(diào)變通常用來傳送大量數(shù)據(jù)，如音頻、視頻、聲音、圖像、以及其它媒體。使用數(shù)字調(diào)變需要可靠且快速的數(shù)據(jù)攜載構(gòu)件。經(jīng)證實，目前可在因特網(wǎng)上傳送大量信息，是一種成本低且非常普及的數(shù)據(jù)傳送媒體。剛開始時，因特網(wǎng)是以電話通信為主，接著便以有線連接及電交換為主。多媒體所用到的龐大數(shù)字數(shù)據(jù)已使得必須使用更高容量及更高速的傳送媒體。經(jīng)證實，光纖纜線是一種可用于因特網(wǎng)的理想主干線，因為其具有很大的頻寬且可攜載的數(shù)據(jù)量遠大于一般電線/纜線。再者，光纖的成本低、富有彈性、且不易受到電磁干擾EMI的影響。
有許多光電應用均和于高數(shù)據(jù)速率處來傳送光學信號及將光學信號轉(zhuǎn)換成電信號有關(guān)，如光學電信應用以及芯片互連應用。一般來說，光源(也就是，發(fā)射器)會將電信號(數(shù)字或模擬)轉(zhuǎn)換成經(jīng)調(diào)變的光束，接著該光束會通過光纖抵達光探測器(也就是，接收器)，該光探測器會從所收到的光束中取出電信號。在今日快速發(fā)展的光電產(chǎn)業(yè)中，垂直空腔表面發(fā)射激光(VCSEL)是合宜的光源，其通?？砂l(fā)出850nm(納米)、1310nm、1550nm、或是其它波長的光?？捎脕韴?zhí)行這些傳送與轉(zhuǎn)換的系統(tǒng)通常需要可匹配該光學信號之速度與頻寬的光感測元件。典型的光感測元件有III-V族PIN(p型/本質(zhì)半導體材料/n型)半導體感測元件。光感測元件能夠感測到該VCSEL所發(fā)出的光。
可發(fā)出波長850nm的光的光源通常用在短距離應用中，例如都會區(qū)域中的短范圍連結(jié)。對波長約為850nm的紅外線光源來說，從該處所發(fā)出的光可向下抵達硅基材中16.7μm(微米)的深度。于基材表面上形成電極的公知光感測元件可能無法有效吸收生光載體，尤其是產(chǎn)生于該基材較深區(qū)域中的載體。因此，當出現(xiàn)光脈沖時，未被吸收的生光載體便會處于漂移狀態(tài)，其缺點是會造成較低的光電流與較小的頻寬。再者，漂移狀態(tài)中的生光載體可能會讓該光感測元件不正確地感測該邏輯電平，也就是，光學信號的0或1。為避免不正確感測，可能無法接受高密度光信號脈沖，如此便可能損及整個系統(tǒng)的速度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及一種半導體光感測元件及其制造方法，其可消除因現(xiàn)有技術(shù)的限制與缺點所造成的種種問題。
根據(jù)本發(fā)明一具體實施例，提供一種制造光感測元件的方法，其包括制備硅基材；于該硅基材上形成圖案化的平臺；于該圖案化的平臺上形成圖案化的導電層。
另，根據(jù)本發(fā)明另一具體實施例，提供一種制造光感測元件的方法，其包括制備硅基材；蝕刻該硅基材用以形成硅平臺；于該硅平臺上形成圖案化的介電層；利用該圖案化的介電層作為屏蔽以各向異性的方式來蝕刻該硅平臺，用以形成含有多個突出部及多條溝槽的圖案化的硅平臺；于配向相依蝕刻(ODE)工藝中來蝕刻該圖案化的硅平臺，用以形成這些具有斜側(cè)護壁的溝槽；移除該圖案化的介電層；以及于該圖案化的硅平臺上形成圖案化的導電層。
再根據(jù)本發(fā)明另一具體實施例，提供一種制造光感測元件的方法，其包括制備硅基材；于該硅基材上形成圖案化的介電層；利用該圖案化的介電層作為屏蔽以各向異性的方式來蝕刻該硅基材，用以形成圖案化的硅基材；移除該圖案化的介電層；以及于該圖案化的硅基材上形成圖案化的導電層。
又根據(jù)本發(fā)明，提供一種半導體光感測元件，其包括硅基材，其含有基底、形成于該硅基材上的第一電極、形成于該硅基材上的第二電極；從該硅基材之基底處隆起的平臺，設置在該第一電極與該第二電極之間；形成于該平臺上的第一導電區(qū)，電連接至該第一電極；以及形成于該平臺上的第二導電區(qū)，電連接至該第二電極且與該第一導電區(qū)隔開。
再根據(jù)本發(fā)明另一具體實施例，提供一種半導體光感測元件，其包括硅基材、界定在該硅基材之上的主動區(qū)、形成于該硅基材上的第一電極、形成于該硅基材上的第二電極，通過該主動區(qū)與該第一電極隔開；形成于該主動區(qū)之中的第一導電區(qū)，電連接至該第一電極；以及形成于該主動區(qū)之中的第二導電區(qū)，電連接至該第二電極，其中該第一導電區(qū)與該第二導電區(qū)各包含形成于該硅基材中的一條或多條溝槽，這些溝槽具有斜側(cè)護壁。


配合附圖詳讀上文的發(fā)明概要及下文中本發(fā)明較佳具體實施例詳細說明后，將可更明白本發(fā)明。為達本發(fā)明之說明目的，各附圖中將描繪目前較佳之具體實施例。然，應了解的是，本發(fā)明并不限于所繪之刻板設置方式及設備裝置。附圖中圖1A至1F為根據(jù)本發(fā)明其中一具體實施例用以制造光感測元件的方法的概略示意圖；圖2A與2B為根據(jù)本發(fā)明另一具體實施例用以制造光感測元件的方法的概略示意圖；圖3A與3B為根據(jù)本發(fā)明又一具體實施例用以制造光感測元件的方法的概略示意圖；
圖4A至4D為根據(jù)本發(fā)明再一具體實施例用以制造光感測元件的方法的概略示意圖；圖5A至5D為根據(jù)本發(fā)明再一具體實施例用以制造光感測元件的方法的概略示意圖；以及圖6為根據(jù)本發(fā)明其中一具體實施例之光感測元件的俯視透視圖。
主要元件標記說明10硅基材11基底12平臺12-1 圖案化平臺12-2 突出部12-3 溝槽14圖案化介電層16圖案化導電層16-1 第一導電層16-2 第二導電層18突出部12-2的外露區(qū)22-1 圖案化平臺22-3 溝槽22-4 側(cè)護壁26圖案化導電層26-1 第一導電層26-2 第二導電層32-1 圖案化平臺
34非晶硅層36氧化物膜42-1 圖案化平臺42-2 突出部42-3 溝槽44圖案化介電層45光阻層46圖案化導電層48外側(cè)護壁48-1 側(cè)護壁49頂表面50硅基材50-1 圖案化硅基材50-3 溝槽54圖案化介電層56圖案化導電層60光感測元件61第一電極62第二電極63主動區(qū)66-1 第一導電層66-2 第二導電層66-3 吸光窗口68側(cè)護壁
具體實施例方式
圖1A至1F為根據(jù)本發(fā)明其中一具體實施例用以制造光感測元件之方法的概略示意圖。參考圖1A，圖中提供硅基材10。對8寸晶片來說，硅基材10的厚度范圍約從700μm(微米)至750μm，不過，特殊的應用可能會有不同的厚度。參考圖1B，利用公知的圖案化與蝕刻工藝可蝕刻硅基材10，用以形成平臺12，從硅基材10的基底11處隆起。平臺12的厚度范圍介于約0.1μm至20μm之間，不過，其厚度會隨著特殊應用而不同。接著，參照圖1C，于公知的圖案化與蝕刻工藝后面進行化學氣相沉積(CVD)工藝，可于平臺12之上形成圖案化介電層14。該圖案化介電層14的材料選自下面其中之一氧化硅(如SiO2)、氮化硅(如Si3N4)、TEOS(四乙基正硅酸酯)、BPSG(硼磷硅酸鹽玻璃)、PSG(磷硅酸鹽玻璃)、或是對于硅具有預期的蝕刻選擇性的其它材料。圖案化介電層14的厚度范圍介于約0.1μm至2μm之間，不過，其厚度會隨著特殊應用而不同。
參照圖1D，利用圖案化介電層14作為屏蔽，以各向異性蝕刻工藝來蝕刻平臺12，便會產(chǎn)生如圖1E所示的圖案化平臺12-1。參照圖1E，于移除圖案化介電層14之后，圖案化平臺12-1包含多個突出部12-2及利用突出部12-2交錯隔開的多條溝槽12-3。溝槽12-3的深度范圍介于約1μm至17μm之間。由于各向異性蝕刻的關(guān)系，突出部12-2或溝槽12-3的側(cè)護壁(圖中未編號)實質(zhì)上垂直于硅基材10。于施行各向異性蝕刻中，可以使用采用RF能量與氣相化學藥劑的公知干式蝕刻工藝；或是采用液體化學藥劑(如酸、堿、以及溶劑)的濕式蝕刻工藝；或是其它已知的蝕刻工藝。
接著，參照圖1F，于圖案化與蝕刻或其它合宜工藝之后，利用公知CVD或濺鍍或特定其它合宜工藝可于圖案化平臺12-1上形成圖案化導電層16，露出每個突出部12-2之頂表面(圖中未編號)中的區(qū)域18。圖案化導電層16包含多個第一導電層16-1與多個第二導電層16-2，第二導電層16-2會與第一導電層16-1交錯但是彼此隔開。每個第一導電層16-1均會一起被電連接至第一焊墊，用以作為第一電極，舉例來說，制造中之光感測元件的陽極。每個第二導電層16-2均會一起被電連接至第二焊墊，用以作為第二電極，舉例來說，該光感測元件的陰極。外露區(qū)18充當該光感測元件的光接收窗口。圖案化導電層16的合宜材料包含下面其中之一鉻(Cr)、鋁(Al)、鉑(Pt)、氧化銦錫(ITO)、或是其它合宜材料。圖案化導電層16的厚度范圍介于約50nm(納米)至500nm之間，不過，可隨著特殊應用而不同。
圖2A與2B為根據(jù)本發(fā)明另一具體實施例用以制造光感測元件的方法的概略示意圖。圖2A與2B所示的方法實質(zhì)上包含和圖1A至1D中所示相同的步驟。在施行圖1D中所示之蝕刻平臺12的步驟之后，可利用圖案化介電層14作為屏蔽來實施另一各向異性蝕刻工藝，稱為配向相依蝕刻(ODE)，用以于圖案化平臺22-1中形成具有斜側(cè)護壁22-4的多條溝槽22-3。斜側(cè)護壁22-4相對于硅基材10之法線方向的角度θ范圍介于約10°至80°，不過亦可能是其它角度。于其中一項觀點中，角度θ約為54°。ODE的蝕刻劑包含，但不限于氫氧化鉀(KOH)水溶液、氫氧化鉀水溶液與異丙醇的混合物、氫氧化鉀水溶液與鋁的混合物、氫氧化銫水溶液、聯(lián)氨水溶液、氫氧化銣水溶液、以及四甲基氫氧化銨(TMAH)水溶液。于硅的菱形晶格中，通常(111)面的堆積密度會比(100)面更高，因此(111)配向表面的蝕刻速率預期會低于(100)配向的蝕刻速率。于其中一具體實施例中，會利用水性KOH作為蝕刻劑，其沿著(100)面的蝕刻速率約比(111)面快了一百(100)倍。
參照圖2B，于圖案化平臺22-1之上會形成圖案化導電層26，其進一步包含第一導電層26-1與第二導電層26-2。圖1D或1E中所示的垂直側(cè)護壁可能會出現(xiàn)不連續(xù)導電層，相比之下，斜側(cè)護壁22-4有助于降低這些溝槽中出現(xiàn)不連續(xù)導電層的風險。
于根據(jù)本發(fā)明的另一具體實施例中，用于制造光感測元件的方法包含圖1A至1C中所示的步驟。接著，圖1D中所示的步驟可免除，并且于圖1C中所示的形成圖案化介電層14步驟之后施行ODE工藝。
圖3A與3B為根據(jù)本發(fā)明又一具體實施例用以制造光感測元件的方法的概略示意圖。參照圖3A，于形成導電層之前，會先于圖案化平臺32-1之上形成非晶硅層34。非晶硅層34可提高蕭特基屏障高度，以便降低暗電流。非晶硅層34的合宜材料包含但不限于非晶硅、非晶SixGey、以及非晶SixCy。非晶硅層34的厚度范圍約在0.1nm至500nm，但于某些應用中可能不同。
或者，參照圖3B，于形成導電層以前，可通過在介于約600℃至800℃之間的溫度處施行退火工藝于圖案化平臺32-1之上形成氧化物膜36，例如SiO2。氧化物膜36的厚度范圍約在0.05nm至400nm，但于某些應用中可能不同。于另一具體實施例中，在形成氧化物膜36之后，會于氧化物膜36之上形成非晶硅膜34。
圖4A至4D為根據(jù)本發(fā)明再一具體實施例用以制造光感測元件的方法的概略示意圖。參照圖4A，利用圖案化介電層44作為屏蔽形成圖案化平臺42-1。圖案化平臺42-1包含多個突出部42-2與多條溝槽42-3。溝槽42-3可能包含本范例中的垂直側(cè)護壁或是前面所述之斜側(cè)護壁。參照圖4B，于移除圖案化介電層44之后，會于圖案化平臺42-1之上形成光刻膠層45，其會露出至少一個外側(cè)護壁48以及連接至該至少一個外側(cè)護壁48之多個周圍突出部42-2中其中一個中頂表面49的一部分。參照圖4C，利用光刻膠層45作為屏蔽于蝕刻工藝中蝕刻圖案化平臺42-1，從而造成斜側(cè)護壁48-1。參照圖4D，于圖案化平臺42-1之上會形成圖案化導電層46。圖案化平臺42-1的斜側(cè)護壁48-1有助于降低圖案化平臺42-1之中的周圍側(cè)護壁中出現(xiàn)不連續(xù)導電層的風險。
于根據(jù)本發(fā)明的另一具體實施例中，所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員將會了解，于形成圖案化導電層46之前，可先于圖案化平臺42-1之上形成氧化物膜。于另一具體實施例中，于形成圖案化導電層46之前，可先于圖案化平臺42-1之上形成非晶硅層。于又一具體實施例中，于形成圖案化導電層46之前，可先于圖案化平臺42-1之上形成氧化物膜然后再形成非晶硅層。
圖5A至5D為根據(jù)本發(fā)明再一具體實施例用以制造光感測元件的方法的概略示意圖。圖5A至5D中所示的方法和圖1A至1F中所示者雷同，不過并不會形成任何平臺。參照圖5A，圖中提供硅基材50。接著，參照圖5B，于硅基材50之上形成圖案化介電層54。參照圖5C，利用圖案化介電層54作為屏蔽，以各向異性蝕刻工藝來蝕刻硅基材50，從而于其中形成具有溝槽50-3的圖案化硅基材50-1。溝槽50-3可能包含本范例中的垂直側(cè)護壁或是前面所述之斜側(cè)護壁。于根據(jù)本發(fā)明其中一具體實施例中，該各向異性蝕刻工藝包含公知的干式蝕刻或濕式蝕刻，用以形成具有垂直側(cè)護壁的溝槽50-3。于另一具體實施例中，于該各向異性蝕刻工藝的后面會執(zhí)行另一各向異性蝕刻工藝，用以形成具有斜側(cè)護壁的溝槽50-3。于又一具體實施例中，在形成圖案化介電層54之后，可施行ODE工藝用以形成具有斜側(cè)護壁的溝槽50-3。
參照圖5D，于圖案化硅基材50-1之上會形成圖案化導電層56。于其中一具體實施例中，在形成圖案化導電層56之前，可先于公知圖案化與蝕刻工藝中進一步蝕刻圖案化硅基材50-1，用以形成斜側(cè)護壁。于又一具體實施例中，于形成圖案化導電層56之前，可先于圖案化硅基材50-1之上形成氧化物膜。于另一具體實施例中，于形成圖案化導電層56之前，可先于圖案化硅基材50-1之上形成非晶硅層。于又一具體實施例中，于形成圖案化導電層56之前，可先于圖案化硅基材50-1之上形成氧化物膜然后再形成非晶硅層。
圖6是根據(jù)本發(fā)明一具體實施例之光感測元件60之俯視透視圖。參照圖6，光感測元件60包含第一電極61、第二電極62、以及主動區(qū)63。第一電極61與第二電極62分別充當光感測元件60的陽極或陰極，反之亦可。在設置于第一電極61與第二電極62之間的硅平臺(圖中未編號)之上會形成主動區(qū)63。形成于主動區(qū)63之中的圖案化導電層(圖中未編號)包含第一導電層66-1與第二導電層66-2，呈現(xiàn)交叉圖案。明確地說，第一導電層66-1與第二導電層66-2雖然彼此交叉，但是會通過吸光窗口66-3而彼此隔開。于其中一具體實施例中，從硅基材隆起的硅平臺包含斜側(cè)護壁68。于另一具體實施例中，主動區(qū)63形成于硅基材之中，和圖5A至5D中所示的具體實施例相同。
在說明本發(fā)明之代表性具體實施例時，本說明書可將本發(fā)明之方法及/或工藝表示為一特定之步驟次序。不過，由于該方法或工藝的范圍并不是于本文所提出之特定的步驟次序，故該方法或工藝不應受限于所述之特定步驟次序。所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應當會了解其它步驟次序也是可行的。所以，不應將本說明書所提出的特定步驟次序視為對權(quán)利要求范圍的限制。此外，亦不應將本發(fā)明之方法及/或工藝的權(quán)利要求范圍僅限制在以書面所載之步驟次序之實施，所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員易于了解，這些次序亦可加以改變，并且仍涵蓋于本發(fā)明之精神與范疇之內(nèi)。
所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應即了解可對上述各項具體實施例進行變化，而不致悖離其廣義之發(fā)明性概念。因此，應了解本發(fā)明并不限于本文揭示之特定具體實施例，而為涵蓋歸屬如權(quán)利要求所定義之本發(fā)明精神及范圍內(nèi)的修飾。
權(quán)利要求
1.一種制造光感測元件之方法，其特征是包括制備硅基材；形成圖案化平臺于該硅基材上；以及形成圖案化導電層于該圖案化平臺上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征是形成該圖案化平臺之步驟進一步包括形成平臺，隆起于該硅基材之基底；形成圖案化介電層于該平臺上；以及利用該圖案化介電層作為屏蔽各向異性蝕刻該平臺，用以形成該圖案化平臺。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征是形成該圖案化平臺之步驟還進一步包括各向異性蝕刻該平臺，用以在該平臺上形成具有實質(zhì)垂直側(cè)護壁的多條溝槽。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征是還進一步包括利用ODE工藝各向異性蝕刻該平臺，用以在該平臺上形成具有斜側(cè)護壁的多條溝槽。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征是進一步包括利用ODE工藝蝕刻該圖案化平臺，用以在該圖案化平臺上形成具有斜側(cè)護壁的多條溝槽。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征是進一步包括蝕刻該圖案化平臺，用以在該圖案化平臺上形成至少一個斜側(cè)護壁。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征是進一步包括在形成該圖案化導電層之前先于該圖案化平臺上形成氧化物膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征是進一步包括在形成該圖案化導電層之前先于該圖案化平臺上形成非晶硅層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征是進一步包括形成氧化物膜于該圖案化平臺上；以及于形成該圖案化導電層之前先在該氧化物膜之上形成非晶硅層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征是進一步包括形成該圖案化平臺，使其含有多個突出部與多條溝槽；以及在形成該圖案化導電層中露出上述每一個突出部頂表面中的區(qū)域。
11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征是進一步包括利用水性氫氧化鉀于ODE工藝中蝕刻該平臺。
12.一種制造光感測元件之方法，其特征是包括制備硅基材；蝕刻該硅基材，用以形成硅平臺；于該硅平臺上形成圖案化介電層；利用該圖案化介電層作為屏蔽來各向異性蝕刻該硅平臺，用以形成至少一個圖案化硅平臺，使其含有多個突出部與多條溝槽；于ODE工藝中蝕刻該圖案化硅平臺，用以形成上述具有斜側(cè)護壁的溝槽；移除該圖案化介電層；以及于該圖案化硅平臺上形成圖案化導電層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征是進一步包括蝕刻該圖案化硅平臺，用以形成該圖案化硅平臺的至少一個斜側(cè)護壁。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征是進一步包括在形成該圖案化導電層之前先于該圖案化硅平臺上形成氧化物膜。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征是進一步包括在形成該圖案化導電層之前先于該圖案化硅平臺上形成非晶硅層。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征是進一步包括于該圖案化硅平臺上形成氧化物膜；以及于形成該圖案化導電層之前先在該氧化物膜之上形成非晶硅層。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征是進一步包括在形成該圖案化導電層中露出上述每一個突出部頂表面中的區(qū)域。
18.一種制造光感測元件之方法，其特征是包括制備硅基材；于該硅基材上形成圖案化介電層；利用該圖案化介電層作為屏蔽來各向異性蝕刻該硅基材，用以形成圖案化硅基材；移除該圖案化介電層；以及于該圖案化硅基材上形成圖案化導電層。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征是進一步包括各向異性蝕刻該硅基材，用以形成具有實質(zhì)垂直側(cè)護壁的多條溝槽。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征是進一步包括于ODE工藝中各向異性蝕刻該硅基材，用以形成具有斜側(cè)護壁的多條溝槽。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征是進一步包括于ODE工藝中蝕刻該圖案化硅基材，用以形成具有斜側(cè)護壁的多條溝槽。
22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征是進一步包括蝕刻該圖案化硅基材，用以形成至少一個斜側(cè)護壁。
23.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征是進一步包括在形成該圖案化導電層之前先于該圖案化硅基材上形成氧化物膜。
24.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征是進一步包括在形成該圖案化導電層之前先于該圖案化硅基材上形成非晶硅層。
25.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征是進一步包括于該圖案化硅基材上形成氧化物膜；以及于形成該圖案化導電層之前先在該氧化物膜之上形成非晶硅層。
26.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征是進一步包括形成該圖案化硅基材，使其含有多個突出部與多條溝槽；以及在形成該圖案化導電層中露出上述每一個突出部頂表面中的區(qū)域。
27.一種半導體光感測元件，其特征是包括硅基材，其含有基底；第一電極，形成于該硅基材之上；第二電極，形成于該硅基材之上；平臺，從該硅基材的基底中隆起，設置在該第一電極與該第二電極之間；第一導電區(qū)，形成于該平臺之上，電連接至該第一電極；以及第二導電區(qū)，形成于該平臺之上，電連接至該第二電極，且與該第一導電區(qū)隔開。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的元件，其特征是該平臺包含至少一個斜側(cè)護壁。
29.根據(jù)權(quán)利要求27所述的元件，其特征是該第一導電區(qū)與該第二導電區(qū)包含具有斜側(cè)護壁的多條溝槽。
30.根據(jù)權(quán)利要求27所述的元件，其特征是進一步包括吸光區(qū)，形成于該第一導電區(qū)與該第二導電區(qū)之間。
31.根據(jù)權(quán)利要求27所述的元件，其特征是進一步包括氧化物膜，形成于該平臺之上。
32.根據(jù)權(quán)利要求27所述的元件，其特征是進一步包括非晶硅層，形成于該平臺之上。
33.根據(jù)權(quán)利要求27所述的元件，其特征是該第一導電區(qū)與該第二導電區(qū)被設置成交叉圖案。
34.一種半導體光感測元件，其特征是包括硅基材；主動區(qū)，界定在該硅基材之上；第一電極，形成于該硅基材之上；第二電極，形成于該硅基材之上，通過該主動區(qū)與該第一電極隔開；第一導電區(qū)，形成于該主動區(qū)之中，電連接至該第一電極；以及第二導電區(qū)，形成于該主動區(qū)之中，電連接至該第二電極，其中該第一導電區(qū)與該第二導電區(qū)會在具有斜側(cè)護壁的硅基材之中形成一條或多條溝槽。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的元件，其特征是進一步包括吸光區(qū)，形成在該主動區(qū)之中。
36.根據(jù)權(quán)利要求34所述的元件，其特征是進一步包括氧化物膜，形成于該硅基材之上。
37.根據(jù)權(quán)利要求34所述的元件，其特征是進一步包括非晶硅層，形成于該硅基材之上。
38.根據(jù)權(quán)利要求36所述的元件，其特征是進一步包括非晶硅層，形成于該氧化物膜之上。
39.根據(jù)權(quán)利要求34所述的元件，其特征是該第一導電區(qū)與該第二導電區(qū)被設置成交叉圖案。
全文摘要
一種制造光感測元件的方法，其包含制備硅基材；于該硅基材之上形成圖案化平臺；以及于該圖案化平臺上形成圖案化導電層。
文檔編號H01L31/08GK1976065SQ200610103609
公開日2007年6月6日 申請日期2006年7月24日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月29日
發(fā)明者林哲歆, 李隆盛, 王慶鈞 申請人:財團法人工業(yè)技術(shù)研究院