專利名稱：具有提高孔徑比的陣列基板及其制造方法、以及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種陣列基板、該陣列基板的制造方法、以及具有該陣列基板的顯示裝置。更具體地，本發(fā)明涉及一種能夠在不減小電容的情況下提高孔徑比的陣列基板、該陣列基板的制造方法、以及具有該陣列基板的顯示裝置。
背景技術(shù)：
液晶顯示(LCD)裝置通過使用電場(chǎng)控制透光率來顯示圖像。
LCD裝置包括LCD面板，具有布置成矩陣的液晶單元；驅(qū)動(dòng)部，用于驅(qū)動(dòng)LCD面板；以及背光組件，用于向LCD面板提供光。
LCD面板包括陣列基板，具有多個(gè)薄膜晶體管(TFT)；基板，面向陣列基板；以及液晶層，夾置在陣列基板和基板之間。
LCD面板設(shè)置有像素電極和共電極，以向每個(gè)液晶元件(liquidcrystal cell)施加電場(chǎng)。像素電極形成在陣列基板上，而共電極形成在基板上。像素電極中的每一個(gè)均連接到TFT的漏電極。像素電極與共電極一起驅(qū)動(dòng)液晶元件，以響應(yīng)于通過TFT施加的數(shù)據(jù)信號(hào)來施加電場(chǎng)。
以下，將參考圖1描述傳統(tǒng)LCD裝置。
參考圖1，陣列基板包括開關(guān)裝置101、存儲(chǔ)電容器102、和像素電極103。
開關(guān)裝置101包括柵電極104，電連接到柵極線之一；柵極絕緣層105；源電極，電連接到數(shù)據(jù)線之一；以及漏電極，電連接到像素電極103。
當(dāng)將控制信號(hào)施加到柵電極104時(shí)，將像素電壓施加到像素電極103。在陣列基板的像素電極103和面向陣列基板的基板的共電極之間產(chǎn)生電場(chǎng)。
響應(yīng)于施加到在像素電極103和共電極之間夾置的液晶層的電場(chǎng)的改變，改變液晶層的液晶分子的排列，以改變透光率，從而顯示圖像。
存儲(chǔ)電容器102可以用作輔助電容器，以將液晶層的電容維持一幀。
當(dāng)在接收數(shù)據(jù)電壓之后液晶層的電容受外部電壓影響時(shí)，存儲(chǔ)電容器102防止液晶層的電容改變并補(bǔ)償輔助電容，以將數(shù)據(jù)電壓維持一幀。因此，當(dāng)存儲(chǔ)電容器102的電容增加時(shí)，LCD面板的顯示質(zhì)量得到了提高。
存儲(chǔ)電容器102的電容與存儲(chǔ)電容器的面積成線性比例，并與存儲(chǔ)電容器的介電層的厚度成反比。換句話說，當(dāng)柵極絕緣層105的厚度減小并且用于限定存儲(chǔ)電容器102的兩個(gè)電極之間的重疊面積增加時(shí)，存儲(chǔ)電容器102的電容增加。
然而，當(dāng)存儲(chǔ)電容器102的兩個(gè)電極之間的重疊面積增加時(shí)，LCD面板的孔徑比減小。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供了一種能夠提高孔徑比的陣列基板、上述陣列基板的制造方法、以及具有上述陣列基板的顯示裝置。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的陣列基板包括透明基板、薄膜晶體管(TFT)、鈍化層、像素電極、和存儲(chǔ)電容器。TFT包括柵電極，形成在透明基板上；柵極絕緣層，形成在具有柵電極的透明基板上；半導(dǎo)體層，形成在柵極絕緣層上；以及數(shù)據(jù)電極，形成在半導(dǎo)體層上。鈍化層形成在具有數(shù)據(jù)電極的透明基板上，以及像素電極形成在具有鈍化層的透明基板上并通過穿過鈍化層的接觸孔連接到數(shù)據(jù)電極。
存儲(chǔ)電容器包括第一存儲(chǔ)電容器電極，與薄膜晶體管的柵電極分開；以及第二存儲(chǔ)電容器電極，形成在柵極絕緣層上，位于第一存儲(chǔ)電容器電極的上方，并由與像素電極相同的材料形成。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的陣列基板的制造方法，通過圖樣化在透明基板上形成的金屬層來形成柵電極、第一存儲(chǔ)電容器電極、和電連接到柵電極的柵極線。柵極絕緣層形成在透明基板上，該透明基板具有形成在其上的柵電極、第一存儲(chǔ)電容器電極、和柵極線。半導(dǎo)體層形成在對(duì)應(yīng)于柵電極的薄膜晶體管區(qū)域中的柵極絕緣層上。通過圖樣化在其上形成有半導(dǎo)體層的透明基板上的金屬層來形成數(shù)據(jù)電極和電連接到數(shù)據(jù)電極的數(shù)據(jù)線。鈍化層形成在具有形成在其上的數(shù)據(jù)電極和數(shù)據(jù)線的透明基板上，并被圖樣化以形成接觸孔以及露出對(duì)應(yīng)于第一存儲(chǔ)電容器電極的柵極絕緣層。然后，透明導(dǎo)電層形成在圖樣化的鈍化層上，并被圖樣化以形成通過接觸孔電連接到數(shù)據(jù)電極的像素電極以及形成在柵極絕緣層上并位于第一存儲(chǔ)電容器電極上的第二存儲(chǔ)電容器電極。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的陣列基板的制造方法，通過圖樣化在透明基板上形成的金屬層來形成柵電極、第一存儲(chǔ)電容器電極、和電連接到柵電極的柵極線。柵極絕緣層形成在透明基板上，該透明基板具有形成在其上的柵電極、第一存儲(chǔ)電容器電極和柵極線。半導(dǎo)體層形成在對(duì)應(yīng)于柵電極的薄膜晶體管區(qū)域中的柵極絕緣層上。通過圖樣化在其上形成有半導(dǎo)體層的透明基板上的金屬層來形成數(shù)據(jù)電極和電連接到數(shù)據(jù)電極的數(shù)據(jù)線。鈍化層和絕緣層形成在具有形成在其上的數(shù)據(jù)電極和數(shù)據(jù)線的透明基板上。光刻膠層涂覆在具有形成在其上的絕緣層的透明基板上。去除對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)電極和第一存儲(chǔ)電容器電極的光刻膠層。通過使用部分曝光掩模(partialexposure mask)的光刻工藝來去除對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)電極的絕緣層以露出鈍化層，以及去除對(duì)應(yīng)于第一存儲(chǔ)電容器電極的絕緣層以保留一部分絕緣層。通過使用光刻膠圖樣來去除對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)電極和第一存儲(chǔ)電容器電極的鈍化層。然后，在絕緣層上形成透明導(dǎo)電層，以形成電連接到數(shù)據(jù)電極的像素電極和形成在柵極絕緣層上并位于第一存儲(chǔ)電容器電極上方的第二存儲(chǔ)電容器電極。
根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的陣列基板的制造方法，通過圖樣化在透明基板上形成的金屬層來形成柵電極、第一存儲(chǔ)電容器電極、和電連接到柵電極的柵極焊盤電極。柵極絕緣層形成在透明基板上，該透明基板具有形成在其上的柵電極、第一存儲(chǔ)電容器電極、和柵極焊盤電極。半導(dǎo)體層形成在對(duì)應(yīng)于柵電極的薄膜晶體管區(qū)域中的柵極絕緣層上。通過圖樣化在其上形成有半導(dǎo)體層的透明基板上的金屬層來形成數(shù)據(jù)電極和電連接到數(shù)據(jù)電極的數(shù)據(jù)焊盤電極。鈍化層形成在具有形成在其上的數(shù)據(jù)電極和數(shù)據(jù)焊盤電極的透明基板上，并被圖樣化以形成接觸孔以及露出對(duì)應(yīng)于第一存儲(chǔ)電容器電極和柵極焊盤電極的柵極絕緣層。去除柵極焊盤區(qū)域中的柵極絕緣層的一部分，以露出柵極焊盤電極的上部和側(cè)部。然后，在絕緣層上形成透明導(dǎo)電層，以形成電連接到數(shù)據(jù)電極的像素電極、形成在柵極絕緣層上并位于第一存儲(chǔ)電容器電極上方的第二存儲(chǔ)電容器電極、以及電連接到柵極焊盤電極的焊盤電極。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示裝置，該顯示裝置包括液晶電容器和存儲(chǔ)電容器。液晶電容器電連接到薄膜晶體管，該薄膜晶體管具有柵電極；數(shù)據(jù)電極，包括源電極和與源電極分開的漏電極；以及柵極絕緣層，設(shè)置在柵電極和數(shù)據(jù)電極之間。
存儲(chǔ)電容器并聯(lián)電連接到液晶電容器，以將施加到液晶電容器的像素電壓維持一幀。存儲(chǔ)電容器包括第一存儲(chǔ)電容器電極、第二存儲(chǔ)電容器電極、以及設(shè)置在第一和第二存儲(chǔ)電容器電極之間的柵極絕緣層。第二存儲(chǔ)電容器電極由與液晶電容器相同的材料形成。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，在不增加存儲(chǔ)電容器尺寸的情況下，存儲(chǔ)電容器具有增加的電容。
此外，通過使用部分曝光工藝來去除對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)電容器區(qū)域的部分鈍化層，在不減小存儲(chǔ)電容器302的電容的情況下，提高孔徑比。


通過下面結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，可以更詳細(xì)地了解本發(fā)明的示例性實(shí)施例，其中圖1是示出傳統(tǒng)LCD面板的截面圖；圖2是LCD裝置中的像素的等效電路圖；圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的陣列基板的布局圖；
圖4A到圖4G是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的陣列基板的制造方法的截面圖；以及圖5是示出了反射-透射型LCD面板的截面圖。
具體實(shí)施例方式
下文中，將參照附圖更加全面地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以許多不同的形式實(shí)現(xiàn)，而不能認(rèn)為局限于文中提出的實(shí)施例。
以下，將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。
圖2是LCD裝置中的像素的等效電路圖。
參考圖2，LCD裝置包括多條柵極線203和多條數(shù)據(jù)線204。數(shù)據(jù)線204中的每一條沿第一方向延伸并彼此分開。柵極線203中的每一條沿與第一方向基本垂直的第二方向延伸并彼此分開。柵極絕緣層設(shè)置在柵極線203和數(shù)據(jù)線204之間。
兩條相鄰的數(shù)據(jù)線204和兩條相鄰的柵極線203限定了像素。像素包括薄膜晶體管(TFT)205、存儲(chǔ)電容器201、和液晶電容器202。TFT 205包括柵電極、漏電極、源電極、和半導(dǎo)體層。
TFT 205的柵電極電連接到柵極線203。TFT 205的源電極電連接到數(shù)據(jù)線204。TFT 205的漏電極電連接到存儲(chǔ)電容器201和液晶電容器202。
當(dāng)將柵極電壓施加到TFT 205的柵電極時(shí)，TFT 205導(dǎo)通。在TFT 205導(dǎo)通之后，將數(shù)據(jù)線204的像素電壓通過TFT 205施加到存儲(chǔ)電容器201和液晶電容器202。
當(dāng)將像素電壓施加到液晶電容器202時(shí)，介于液晶電容器202的共電極和像素電極之間的液晶分子的排列發(fā)生變化，以改變透光率。因此，通過光學(xué)特性的變化來顯示圖像。
在將像素電壓施加到液晶電容器202之后，當(dāng)像素電壓受外部電壓影響時(shí)，存儲(chǔ)電容器201防止像素電壓發(fā)生變化。
液晶電容器202的像素電極包括導(dǎo)電且透光的材料，例如，氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。
同樣，液晶電容器202的像素電極還包括反射電極。反射電極可以具有鋁(Al)、銀(Ag)、鉬(Mo)、鎢(W)、釹(Nd)、銅(Cu)及其合金。像素電極可以具有多層結(jié)構(gòu)。
圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的陣列基板的布局圖。
參考圖3，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的陣列基板包括基板300、薄膜晶體管(TFT)301、存儲(chǔ)電容器302、像素電極305、柵極線303、和數(shù)據(jù)線304。
TFT 301包括柵電極301a，形成在基板300上；柵極絕緣層(未示出)，形成在具有柵電極301a的基板300上；半導(dǎo)體層(未示出)，形成在TFT區(qū)域中的柵極絕緣層上；以及數(shù)據(jù)電極301b，形成在半導(dǎo)體層上。
存儲(chǔ)電容器302包括第一存儲(chǔ)電容器電極(未示出)，形成在基板上并與柵電極301a分開；以及第二存儲(chǔ)電容器電極(未示出)，形成在柵極絕緣層上并包括與像素電極305相同的材料。
柵極線303電連接到柵電極301a，以及數(shù)據(jù)線304電連接到數(shù)據(jù)電極301b。
鈍化層形成在具有數(shù)據(jù)線304的基板300上，并通過光刻工藝被圖樣化以形成接觸孔并露出對(duì)應(yīng)于第一存儲(chǔ)電容器電極的柵極絕緣層。
像素電極305形成在具有圖樣化的鈍化層的基板300上。然后，像素電極305通過接觸孔電連接到數(shù)據(jù)電極301b，以及像素電極305的一部分位于第一存儲(chǔ)電容器電極的上方并形成在柵極絕緣層上，以作為第二存儲(chǔ)電容器電極。
因此，通過使用部分曝光掩模去除對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)電容器區(qū)域的鈍化層的一部分，在不減小存儲(chǔ)電容器302電容的情況下提高孔徑比。
以下，將參考圖4A到圖4F，解釋陣列基板的制造方法。
圖4A到圖4G是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的陣列基板的制造方法的截面圖。
參考圖4A，在基板400上形成導(dǎo)電層(未示出)之后，在導(dǎo)電層上形成光刻膠層(未示出)。圖樣化光刻膠層，以形成光刻掩模(未示出)。然后，通過光刻掩模圖樣化導(dǎo)電層，以形成柵電極401、第一存儲(chǔ)電容器電極402、和柵極焊盤電極403。導(dǎo)電層可以具有單層或多層結(jié)構(gòu)，并包括鋁(Al)、鉬(Mo)、鎢(W)、釹(Nd)、銅(Cu)及其合金。
參考圖4B，在形成柵極線401之后，在具有柵電極401、第一存儲(chǔ)電容器電極402、和柵極焊盤電極403的基板400上涂覆絕緣材料，以形成柵極絕緣層411。柵極絕緣層411包括氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)，以及柵極絕緣層411的厚度可以在大約1000埃到大約5000埃的范圍內(nèi)。
半導(dǎo)體材料層(未示出)形成在柵極絕緣層411上，以及歐姆接觸材料層(未示出)形成在半導(dǎo)體材料層上。然后，通過光刻工藝來圖樣化半導(dǎo)體材料層和歐姆接觸材料層，以在TFT區(qū)域中形成半導(dǎo)體層412和歐姆接觸層413。半導(dǎo)體層412包括非晶硅或多晶硅，并且半導(dǎo)體層412的厚度可以在大約1000埃到大約3000埃的范圍內(nèi)。
參考圖4C，在具有半導(dǎo)體層412和歐姆接觸層413的基板上形成導(dǎo)電層(未示出)之后，在導(dǎo)電層上形成光刻膠層(未示出)。圖樣化光刻膠層，以形成光刻掩模(未示出)。然后，通過光刻掩模圖樣化導(dǎo)電層，以形成數(shù)據(jù)電極421和數(shù)據(jù)焊盤電極(未示出)。
參考圖4D，絕緣材料涂覆在具有數(shù)據(jù)電極421和數(shù)據(jù)焊盤電極的基板上，以形成鈍化層431。
參考圖4E，在鈍化層431上形成絕緣層441之后，將光刻膠層442涂覆在具有形成在其上的絕緣層的基板上。去除對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)電極421、第一存儲(chǔ)電容器電極402和柵極焊盤電極403的光刻膠層。然后，通過完全曝光(full exposure)去除對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)電極421和柵極焊盤電極403的絕緣層441，以及通過部分曝光工藝來去除對(duì)應(yīng)于第一存儲(chǔ)電容器電極402的絕緣層441，以保留部分絕緣層。從而，形成對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)電極421的過孔443，并露出對(duì)應(yīng)于柵極焊盤電極403的鈍化層431。
絕緣層441可以具有感光特性并包括有機(jī)層。同樣，部分曝光掩模包括完全曝光區(qū)、遮光區(qū)、和部分曝光區(qū)，并且部分曝光區(qū)的圖樣可以具有縫隙圖樣或半色調(diào)圖樣(half tone pattern)。
參考圖4F，圖樣化鈍化層431，以形成接觸孔451并露出對(duì)應(yīng)于第一存儲(chǔ)電容器電極402的柵極絕緣層411。并且去除對(duì)應(yīng)于柵極焊盤電極403的鈍化層431和柵極絕緣層411，以露出柵極焊盤電極403。
參考圖4G，透明導(dǎo)電層(未示出)沉積在圖樣化的絕緣層441上，并被圖樣化以形成通過接觸孔451電連接到數(shù)據(jù)電極421的像素電極461。并且將位于第一存儲(chǔ)電容器電極402上方并形成在柵極絕緣層上的部分像素電極461作為第二存儲(chǔ)電容器電極461。同樣，圖樣化部分透明導(dǎo)電層，以形成電連接到柵極焊盤電極403的焊盤電極。焊盤電極可以覆蓋柵極焊盤電極403的上部和側(cè)部，以提高電特性。
像素電極461包括導(dǎo)電且透光的材料，例如，氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。
同樣，像素電極461還包括反射電極。反射電極可以具有鋁(Al)、銀(Ag)、鉬(Mo)、鎢(W)、釹(Nd)、銅(Cu)及其合金。像素電極可以具有多層結(jié)構(gòu)。
圖5是示出了反射-透射型LCD面板的截面圖。
參考圖5，反射金屬沉積在透明電極上并被圖樣化，以形成反射電極462。反射電極462限定了反射環(huán)境光的反射區(qū)。
因此，反射-透射型LCD裝置可以同時(shí)作為反射和透射型LCD。并且反射-透射型LCD裝置既可以使用來自背光組件的光，也可以使用環(huán)境光源。
通過具有上述結(jié)構(gòu)的像素的組合來顯示圖像。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，僅有柵極絕緣層設(shè)置在第一存儲(chǔ)電容器電極和第二存儲(chǔ)電容器電極之間。因此，在不增加存儲(chǔ)電容器的尺寸且不減小孔徑比的情況下，增加存儲(chǔ)電容器的電容。
盡管在此參考附圖描述了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，但是應(yīng)該理解，本發(fā)明不限于這些明確描述的實(shí)施例，并且本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以在不背離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，對(duì)其進(jìn)行各種改變和修改。所有的改變和修改都應(yīng)包括在所附權(quán)利要求限定的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括基板；薄膜晶體管，包括形成在所述基板上的柵電極、形成在所述柵極絕緣層上的柵極絕緣層、形成在所述柵極絕緣層上的半導(dǎo)體層、以及形成在所述半導(dǎo)體層上的數(shù)據(jù)電極；鈍化層，形成在所述薄膜晶體管上；像素電極，形成在所述鈍化層上，并通過形成在所述鈍化層的接觸孔電連接到所述數(shù)據(jù)電極；以及存儲(chǔ)電容器電極，包括與所述薄膜晶體管的所述柵電極分開的第一存儲(chǔ)電容器電極、以及形成在所述柵極絕緣層上并包括與所述像素電極相同的材料的第二存儲(chǔ)電容器電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，還包括柵極焊盤電極，與所述薄膜晶體管的所述柵電極和所述第一存儲(chǔ)電容器電極分開，并且露出上部和側(cè)部。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其中，所述像素電極的一部分覆蓋所述柵極焊盤電極的所述上部和側(cè)部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，還包括有機(jī)絕緣層，形成在所述鈍化層上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中，所述鈍化層包括氮化硅。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中，所述像素電極包括氧化銦錫(ITO)和氧化銦鋅(IZO)中的一種。
7.一種陣列基板的制造方法，包括通過圖樣化在基板上形成的金屬層，形成柵電極、第一存儲(chǔ)電容器電極、和電連接到所述柵電極的柵極線；在具有所述柵電極、所述第一存儲(chǔ)電容器電極、和所述柵極線的所述基板上形成柵極絕緣層；在對(duì)應(yīng)于所述柵電極的薄膜晶體管區(qū)域中的所述柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層；通過圖樣化在具有所述半導(dǎo)體層的所述基板上形成的金屬層來形成數(shù)據(jù)電極和數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線電連接到所述數(shù)據(jù)電極；在具有所述數(shù)據(jù)電極和所述數(shù)據(jù)線的所述基板上形成鈍化層；圖樣化所述鈍化層，以形成接觸孔并露出對(duì)應(yīng)于所述第一存儲(chǔ)電容器電極的所述柵極絕緣層；在圖樣化的所述鈍化層上沉積透明導(dǎo)電層；以及圖樣化所述透明導(dǎo)電層，以形成電連接到所述數(shù)據(jù)電極的像素電極和位于所述第一存儲(chǔ)電容器電極上方并形成在所述柵極絕緣層上的第二存儲(chǔ)電容器電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，通過使用部分曝光掩模來圖樣化對(duì)應(yīng)于所述第一存儲(chǔ)電容器電極的所述鈍化層，以露出所述柵極絕緣層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述部分曝光掩模包括完全曝光區(qū)、遮光區(qū)、以及部分曝光區(qū)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述部分曝光掩模的所述部分曝光區(qū)包括縫隙圖樣或半色調(diào)圖樣中的一種。
11.一種陣列基板的制造方法，包括通過圖樣化在基板上形成的金屬層來形成柵電極、第一存儲(chǔ)電容器電極、和電連接到所述柵電極的柵極線；在具有所述柵電極、所述第一存儲(chǔ)電容器電極、以及所述柵極線的所述基板上形成柵極絕緣層；在對(duì)應(yīng)于所述柵電極的薄膜晶體管區(qū)域中的所述柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層；通過圖樣化在具有所述半導(dǎo)體層的所述基板上形成的金屬層來形成數(shù)據(jù)電極和數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線電連接到所述數(shù)據(jù)電極；在具有所述數(shù)據(jù)電極和所述數(shù)據(jù)線的所述基板上形成鈍化層和絕緣層；圖樣化所述鈍化層和所述絕緣層，包括在具有所述絕緣層的所述基板上涂覆光刻膠層；去除對(duì)應(yīng)于所述數(shù)據(jù)電極和所述第一存儲(chǔ)電容器電極的所述光刻膠層；通過使用部分曝光掩模的光刻工藝來去除對(duì)應(yīng)于所述數(shù)據(jù)電極的所述絕緣層，以露出對(duì)應(yīng)于所述第一存儲(chǔ)電容器電極的所述鈍化層和所述絕緣層，從而保留所述絕緣層的一部分；以及通過使用光刻膠圖樣來去除對(duì)應(yīng)于所述數(shù)據(jù)電極和所述第一存儲(chǔ)電容器電極的所述鈍化層；在所述絕緣層上沉積透明導(dǎo)電層；以及圖樣化所述透明導(dǎo)電層，以形成電連接到所述數(shù)據(jù)電極的像素電極和位于所述第一存儲(chǔ)電容器電極上方并形成在所述柵極絕緣層上的第二存儲(chǔ)電容器電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述部分曝光掩模包括完全曝光區(qū)、遮光區(qū)、以及部分曝光區(qū)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述部分曝光掩模的所述部分曝光區(qū)包括縫隙圖樣或半色調(diào)圖樣中的一種。
14.一種制造陣列基板的方法，包括通過圖樣化在基板上形成的金屬層來形成柵電極、第一存儲(chǔ)電容器電極、和柵極焊盤電極，所述柵極焊盤電極電連接到所述柵電極；在具有所述柵電極、所述第一存儲(chǔ)電容器電極、和所述柵極焊盤電極的所述基板上形成柵極絕緣層；在對(duì)應(yīng)于所述柵電極的薄膜晶體管區(qū)域中的所述柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層；通過圖樣化在具有所述半導(dǎo)體層的所述基板上形成的金屬層來形成數(shù)據(jù)電極和數(shù)據(jù)焊盤，所述數(shù)據(jù)焊盤電連接到所述數(shù)據(jù)電極；在具有所述數(shù)據(jù)電極和所述數(shù)據(jù)焊盤的所述基板上形成鈍化層；圖樣化所述鈍化層，以形成接觸孔并露出對(duì)應(yīng)于所述第一存儲(chǔ)電容器電極和所述柵極焊盤電極的所述柵極絕緣層；去除柵極焊盤區(qū)域中的所述絕緣層的一部分，以露出所述柵極焊盤電極的上部和側(cè)部；在圖樣化的所述鈍化層上沉積透明導(dǎo)電層；以及圖樣化所述透明導(dǎo)電層，以形成電連接到所述數(shù)據(jù)電極的像素電極、位于所述第一存儲(chǔ)電容器電極上方并形成在所述柵極絕緣層上的第二存儲(chǔ)電容器電極、以及電連接到所述柵極焊盤電極的焊盤電極。
15.一種顯示裝置，包括液晶電容器，電連接到薄膜晶體管，所述薄膜晶體管具有柵電極、包括源電極和與所述源電極分開的漏電極的數(shù)據(jù)電極、以及介于所述柵電極和所述數(shù)據(jù)電極之間的柵極絕緣層；以及存儲(chǔ)電容器，并聯(lián)電連接到所述液晶電容器，以將施加到所述液晶電容器的像素電壓維持一幀，所述存儲(chǔ)電容器包括第一存儲(chǔ)電容器電極、第二存儲(chǔ)電容器電極、和介于所述第一存儲(chǔ)電容器電極和所述第二存儲(chǔ)電容器電極之間的所述柵極絕緣層，其中，所述第二存儲(chǔ)電容器電極包括與液晶電容器電極相同的材料。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種陣列基板，包括基板、薄膜晶體管、鈍化層、像素電極、和存儲(chǔ)電容器。薄膜晶體管包括柵電極，形成在基板上；柵極絕緣層，形成在具有柵電極的基板上；半導(dǎo)體層，形成在柵極絕緣層上；以及數(shù)據(jù)電極，形成在半導(dǎo)體層上。鈍化層形成在具有數(shù)據(jù)電極的基板上，并且像素電極通過穿過鈍化層形成的接觸孔電連接到數(shù)據(jù)電極。存儲(chǔ)電容器包括第一存儲(chǔ)電容器電極，與薄膜晶體管的柵電極分開；以及第二存儲(chǔ)電容器電極，形成在柵極絕緣層上并包括與像素電極相同的材料。
文檔編號(hào)H01L21/768GK1905199SQ200610103948
公開日2007年1月31日 申請(qǐng)日期2006年7月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月29日
發(fā)明者樸真奭 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社