專(zhuān)利名稱(chēng)：有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，更具體地，涉及這樣一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，即，當(dāng)在一個(gè)或多個(gè)方向上彎曲柔性基片(flexible substrate)時(shí)，能夠最小化在柔性基片上形成的薄膜晶體管(TFT)的電特性的變化。
背景技術(shù)：
最近，已經(jīng)研發(fā)了一種使用在絕緣基片上形成的半導(dǎo)體層來(lái)形成薄膜晶體管(TFT)的技術(shù)。TFT用于諸如集成電路和光電設(shè)備之類(lèi)的電子設(shè)備，更具體地，TFT被用作有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的開(kāi)關(guān)器件和驅(qū)動(dòng)器件。用于形成上述TFT的諸如玻璃和石英之類(lèi)的絕緣基片易碎并且較重，因此它們不易制造得較大，因此不易批量生產(chǎn)。
為了解決上述問(wèn)題，最近，在薄基片、例如薄膜狀金屬基片或膜狀塑料基片上形成TFT。由于薄膜狀金屬基片和膜狀塑料基片可被制成柔性的并且薄又輕，因此它可用于圓柱形顯示設(shè)備以及傳統(tǒng)顯示設(shè)備(或者視窗)。
然而，由于膜狀塑料基片易受熱的影響并且對(duì)溫度變化敏感，因此，當(dāng)在膜狀塑料基片上形成TFT時(shí)，必須低溫制造TFT。因此，當(dāng)在膜狀塑料基片上形成TFT時(shí)，與在玻璃基片上形成TFT的情況相比，TFT的性能可能更容易損壞。
因此，為了解決上述問(wèn)題，建議形成包括在薄膜狀金屬基片上形成的TFT的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。薄膜狀金屬基片不是完全是可彎曲的，然而，薄膜狀金屬基片不易受濕度和氧氣的影響，且可以承受高溫處理。因此，當(dāng)使用薄膜狀金屬基片時(shí)，能夠制造高溝道活動(dòng)性的TFT。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)板上系統(tǒng)(SOP，system on panel)，其中驅(qū)動(dòng)電路與像素同時(shí)集成。而且，由于金屬基片是柔性的，因此能夠?qū)崿F(xiàn)高分辨率和高性能的卷曲型顯示設(shè)備。
圖1示意性圖解了在柔性基片上形成的TFT。參考圖1，TFT 10包括在柔性基片1上形成的具有溝道區(qū)11的半導(dǎo)體層、源極12和漏極13。在圖1中，TFT 10的溝道區(qū)11被形成為平行于彎曲基片1的方向。
然而，當(dāng)如上所述在柔性基片上形成TFT時(shí)，TFT的陣列(或者結(jié)構(gòu))在彎曲基片的方向上拉緊。通常，當(dāng)將應(yīng)變力施加到形成TFT的半導(dǎo)體層時(shí)，電荷移動(dòng)性和有效電荷堆會(huì)受到應(yīng)變力的影響，從而TFT的電特性發(fā)生變化。更具體地，當(dāng)基片彎曲的方向平行于形成TFT的溝道的方向(也就是，電流流動(dòng)的方向)時(shí)，導(dǎo)致應(yīng)變力的漏電流的變化增加，從而TFT的電特性發(fā)生變化。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一方面是提供一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其中在柔性基片上形成的薄膜晶體管(TFT)的溝道區(qū)與彎曲基片的方向成預(yù)定角度，從而可以最小化TFT的電特性的變化。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其包括柔性基片和多個(gè)在該基片上形成的薄膜晶體管(TFT)。該多個(gè)在基片上形成的TFT包括用于驅(qū)動(dòng)像素的像素晶體管和用于驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)器電路的驅(qū)動(dòng)電路晶體管，并且像素晶體管的溝道區(qū)的縱向與彎曲基片的方向成第一預(yù)定角度。
在一個(gè)實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)器電路晶體管的溝道區(qū)的縱向被形成為與像素晶體管的溝道區(qū)的縱向成第二預(yù)定角度。
在一個(gè)實(shí)施例中，像素晶體管包括開(kāi)關(guān)晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管。在一個(gè)實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)晶體管的溝道區(qū)的縱向不同于驅(qū)動(dòng)晶體管的溝道區(qū)的縱向。在一個(gè)實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)晶體管的溝道區(qū)的縱向被形成為與彎曲基片的方向基本相同的方向。
在一個(gè)實(shí)施例中，像素晶體管的溝道區(qū)的縱向與彎曲基片的方向所成的第一預(yù)定角度在大約45°到大約90°的范圍內(nèi)。
在一個(gè)實(shí)施例中，基片包括金屬材料或塑料材料中的至少一個(gè)，并且基片的特性是通過(guò)在基片上施加外力來(lái)變化的。在一個(gè)實(shí)施例中，金屬材料包括不銹鋼(sus)材料或鈦(Ti)材料中的至少一個(gè)。
在一個(gè)實(shí)施例中，至少一個(gè)在基片上形成的薄膜晶體管包括用低溫多晶硅形成的半導(dǎo)體層。
在一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體層包括鍺(Ge)和/或Ge混合物。
在一個(gè)實(shí)施例中，顯示設(shè)備還包括與至少一個(gè)薄膜晶體管電連接的有機(jī)發(fā)光二極管。
在一個(gè)實(shí)施例中，顯示設(shè)備還包括與至少一個(gè)薄膜晶體管電連接的液晶顯示器件。


附圖與說(shuō)明書(shū)一起圖解說(shuō)明了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，并且與描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。
圖1示意性圖解說(shuō)明了在柔性基片上形成的薄膜晶體管(TFT)；圖2是圖解說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的電路圖；圖3是圖解說(shuō)明圖2所示的像素的第一實(shí)施例的電路圖；圖4是圖解說(shuō)明圖2所示的像素的第二實(shí)施例的電路圖；圖5是圖解說(shuō)明圖2的移位寄存器的結(jié)構(gòu)的方框圖；圖6A和6B示意性圖解說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的在柔性基片上形成的TFT；圖7是圖解說(shuō)明在圖1以及圖6A和6B中所示的TFT的電流流動(dòng)的圖；和圖8到10是示意性圖解說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的平板顯示設(shè)備(FPD)的平面圖。
具體實(shí)施例方式
下文中，將參考附圖來(lái)描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例。
圖2是圖解說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的電路圖。參考圖2，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括圖像顯示單元23，其包括在由掃描線(xiàn)S1到Sn以及數(shù)據(jù)線(xiàn)D1到Dm之間交叉限定的區(qū)域處形成的像素24(24’)；掃描驅(qū)動(dòng)器21，用于驅(qū)動(dòng)掃描線(xiàn)S1到Sn；數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器22，用于驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)線(xiàn)D1到Dm；以及定時(shí)控制器25，用于控制掃描驅(qū)動(dòng)器21和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器22。
定時(shí)控制器25使用從外部提供的同步信號(hào)來(lái)生成數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)DCS和掃描驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)SCS。定時(shí)控制器25生成的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)DCS被提供到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器22，并且定時(shí)控制器25生成的掃描驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)SCS被提供到掃描驅(qū)動(dòng)器21。定時(shí)控制器25將從外部提供的數(shù)據(jù)Data提供到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器22。
掃描驅(qū)動(dòng)器21從定時(shí)控制器25接收掃描驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)SCS。掃描驅(qū)動(dòng)器21將掃描信號(hào)提供給第一到第n掃描線(xiàn)S1到Sn。掃描驅(qū)動(dòng)器21也將發(fā)射控制信號(hào)提供給第一到第n發(fā)射控制線(xiàn)E1到En。
數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器22從定時(shí)控制器25接收數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)DCS。不管何時(shí)提供掃描信號(hào)，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器22將數(shù)據(jù)信號(hào)提供給數(shù)據(jù)線(xiàn)D1到Dm。在驅(qū)動(dòng)器21和22中形成用于驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)器21和22的薄膜晶體管(TFT)(也稱(chēng)作驅(qū)動(dòng)器電路TFT)。
圖像顯示單元23接收第一電源ELVDD的第一功率和第二電源ELVSS的第二功率。將提供給圖像顯示單元23的第一和第二電源ELVDD和ELVSS的第一和第二功率提供給像素24(24’)。
圖3圖解說(shuō)明了圖2所示的像素24的第一實(shí)施例。在圖3中，為了方便，示出了連接到第n掃描線(xiàn)Sn和第m數(shù)據(jù)線(xiàn)Dm的像素24。
參考圖3，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的像素24包括有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)和像素電路26，該像素電路26連接到OLED、數(shù)據(jù)線(xiàn)Dm、發(fā)射控制線(xiàn)En和掃描線(xiàn)Sn，以從OLED發(fā)光。OLED的陽(yáng)極連接到像素電路26，OLED的陰極連接到第二電源ELVSS。OLED生成與從像素電路26提供的電流對(duì)應(yīng)的光。
像素電路26包括連接于第一電源ELVDD和OLED之間的第二像素TFT M2；與第二像素TFT M2、數(shù)據(jù)線(xiàn)Dm和掃描線(xiàn)Sn連接的第一像素TFTM1；和連接于第二像素TFT M2的柵極與第一電源ELVDD之間的存儲(chǔ)電容器C。另外，像素電路26可以包括與發(fā)射控制線(xiàn)連接的發(fā)射控制器件(例如，開(kāi)關(guān)晶體管M3)。
第一像素TFT M1的柵極連接到掃描線(xiàn)Sn，第一像素TFT M1的第一電極連接到數(shù)據(jù)線(xiàn)Dm。第一像素TFT M1的第二電極連接到存儲(chǔ)電容器C的一側(cè)和第二像素TFT M2的柵極。當(dāng)從掃描線(xiàn)Sn提供掃描信號(hào)以便將從數(shù)據(jù)線(xiàn)Dm提供的數(shù)據(jù)信號(hào)提供給存儲(chǔ)電容器C時(shí)，第一像素TFT M1導(dǎo)通。這時(shí)，在存儲(chǔ)電容器C中充電與數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)應(yīng)的電壓。另外，第一像素TFT M1或第二像素TFT M2的第一電極被設(shè)置為源極或漏極之一，并且第一像素TFTM1或第二像素TFT M2的第二電極被設(shè)置為不同于第一電極的電極。例如，當(dāng)?shù)谝浑姌O被設(shè)置為源極時(shí)，第二電極被設(shè)置為漏極。第二像素TFT M2的柵極連接到存儲(chǔ)電容器C的一側(cè)，第二像素TFT M2的第一電極連接到第一電源ELVDD。第二像素TFT M2的第二電極連接到OLED。
圖4是圖解說(shuō)明圖2所示的像素24’的第二實(shí)施例的電路圖。參考圖4，根據(jù)第二實(shí)施例的像素24’包括OLED和像素電路26’，該像素電路26’連接到OLED、數(shù)據(jù)線(xiàn)Dm、發(fā)射控制線(xiàn)En(與發(fā)射控制器件M3’連接)和掃描線(xiàn)Sn，從而以與根據(jù)第一實(shí)施例的像素24和像素電路26基本相同的方式從OLED發(fā)光。因此，將要省略組成像素電路26’的組件的詳細(xì)描述。
然而，在根據(jù)第二實(shí)施例的像素24’中，使用NMOS像素TFT M1’和M2’。圖5是圖解說(shuō)明移位寄存器的結(jié)構(gòu)的方框圖。
如圖5所示，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的移位寄存器包括連接到起始脈沖SP輸入線(xiàn)的n級(jí)ST1到STn。而且，n級(jí)ST1到STn中的每一個(gè)連接到從提供時(shí)鐘信號(hào)CLK1到CLK4的四條時(shí)鐘信號(hào)提供線(xiàn)中選擇的三條時(shí)鐘信號(hào)提供線(xiàn)C。
在圖5所示的移位寄存器中，n級(jí)的輸出線(xiàn)分別連接到像素陣列中包含的n條行線(xiàn)ROW1到ROWn(例如，掃描線(xiàn)S1、S2、S3、S4、...Sn)。每個(gè)級(jí)僅輸入從其相位依次延遲的四個(gè)時(shí)鐘信號(hào)CLK1到CLK4當(dāng)中選擇的三個(gè)時(shí)鐘信號(hào)。例如，當(dāng)?shù)谝?、第三和第四時(shí)鐘信號(hào)CLK1、CLK3和CLK4被輸入到第一級(jí)ST1時(shí)，其相位被依次延遲一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)的三個(gè)時(shí)鐘信號(hào)CLK2、CLK4和CLK1被輸入到第二級(jí)ST2，并且以基本相同的方式將其相位被依次延遲一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)的三個(gè)時(shí)鐘信號(hào)輸入到第三到第n級(jí)中的每一個(gè)。
當(dāng)起始脈沖SP被提供給第一級(jí)ST1時(shí)，每個(gè)級(jí)將起始脈沖SP移位一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)，以便將移位的起始脈沖SP提供給其輸出線(xiàn)，并且第一到第(n-1)級(jí)ST1到ST(n-1)的輸出信號(hào)g1到g(n-1)被提供給下一級(jí)作為起始脈沖，從而n條行線(xiàn)ROW1到ROWn(例如，掃描線(xiàn)S1到Sn)被依次驅(qū)動(dòng)。
下文中，將參考圖解說(shuō)明在柔性基片上形成的TFT的圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明。
圖6A和6B示意性圖解說(shuō)明了在柔性基片60上形成的TFT 61(63)。參考圖6A，在柔性基片60上形成TFT 61，從而形成TFT 61的溝道區(qū)62與彎曲基片60的方向成預(yù)定角度(大約45°)。
在圖6B中，在柔性基片60上形成包括半導(dǎo)體層的TFT 63，其包括溝道區(qū)64、源極65和漏極66。TFT 63的溝道區(qū)64被形成為與彎曲基片60的方向垂直。更具體地，通過(guò)溝道區(qū)64的電流的方向垂直于彎曲基片60的方向。
圖7示出了圖解說(shuō)明在圖1以及圖6A和6B中所示的TFT的電流流動(dòng)的圖。參考圖7，水平軸表示基片的應(yīng)變力(strain)，而垂直軸表示電流變化的量。
曲線(xiàn)(a)說(shuō)明了彎曲基片1的方向與溝道區(qū)11平行的情況。更具體地，曲線(xiàn)(a)說(shuō)明了彎曲基片1的方向與形成溝道的方向(也就是，溝道區(qū)11的縱向)平行的情況。在這種情況下，電流變化量與施加到基片1的力成比例地增加。
曲線(xiàn)(b)說(shuō)明了彎曲基片60的方向與溝道區(qū)62的縱向成預(yù)定角度(大約45°)。在這種情況下，電流量與施加到基片60的力成比例地增加。然而，變化量小于在彎曲基片1的方向平行于溝道區(qū)11的縱向的情況下的變化量。
最后，曲線(xiàn)(c)說(shuō)明了彎曲基片60的方向垂直于形成溝道區(qū)64的方向的情況。在這種情況下，施加到基片60的力以及流經(jīng)溝道區(qū)64的電流的變化量幾乎不變，并且與電流流動(dòng)量基本相同。
作為本發(fā)明特定實(shí)施例的結(jié)果，參考圖6A和6B，彎曲基片(例如，60)的方向與TFT(例如，61或63)的溝道方向(例如，62或64)成預(yù)定角度而不是0度。在一個(gè)實(shí)施例中，彎曲基片的方向垂直于溝道區(qū)(例如，64)的縱向，從而導(dǎo)致電流幾乎不變。
圖8到10是示意性圖解說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的平板顯示設(shè)備(例如，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備)的平面圖。
首先，參考圖8，顯示設(shè)備包括柔性基片80，其上形成了驅(qū)動(dòng)電路區(qū)81和圖像區(qū)82。TFT 83形成于驅(qū)動(dòng)電路區(qū)81上，TFT 84形成于圖像區(qū)82上。另外，一個(gè)或多個(gè)電連接到TFT 84的OLED(未示出)形成于圖像區(qū)82上。在另一個(gè)實(shí)施例中，電連接到TFT 84的液晶顯示器件(LCD)(未示出)可形成于圖像區(qū)82上，而不是OLED上。驅(qū)動(dòng)電路區(qū)81可形成于圖像區(qū)82上(或與圖像區(qū)82形成)。
具體地，基片80是由不銹鋼(sus)和/或鈦(Ti)形成的柔性金屬薄膜。TFT 83形成于圖像區(qū)82上，TFT 84形成于在基片80上形成的驅(qū)動(dòng)電路區(qū)81上。TFT 83和84中的每一個(gè)包括在基片80上形成的半導(dǎo)體層(未示出)、在半導(dǎo)體層形成的柵極(未示出)、以及源極和漏極83b和84b以及83c和84c。半導(dǎo)體層由低溫多晶硅層形成，具體地，由鍺(Ge)和/或Ge混合物形成。在半導(dǎo)體層中形成電連接到源極和漏極83b和84b以及83c和84c的源極和漏極區(qū)(未示出)、以及在柵極以下形成的溝道區(qū)83a和84a。TFT 83和84的溝道區(qū)83a和84a長(zhǎng)度為L(zhǎng)，寬度為W。
根據(jù)本實(shí)施例，TFT 83是驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)區(qū)的驅(qū)動(dòng)器電路的驅(qū)動(dòng)器電路TFT。溝道區(qū)83a的縱向L平行于彎曲基片80的方向。另一方面，TFT 84是驅(qū)動(dòng)圖像區(qū)的像素的像素TFT。溝道區(qū)84a的縱向L與彎曲基片80的方向成預(yù)定角度，也就是，溝道區(qū)84a的縱向L幾乎垂直于彎曲基片80的方向。像素TFT的溝道區(qū)的縱向與彎曲基片的方向所成的角度可以是在從45°到90°的范圍內(nèi)。像素內(nèi)包含的像素TFT可以由兩個(gè)或更多個(gè)TFT形成。在一個(gè)實(shí)施例中，像素TFT包括開(kāi)關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT。為了方便，根據(jù)本實(shí)施例，一個(gè)像素TFT形成于驅(qū)動(dòng)區(qū)81和圖像區(qū)82上。然而，在區(qū)域81和82上可以形成多個(gè)TFT(例如，像素TFT)。
下文中，為了避免冗余，將省略與圖8中所示的組件基本相同的一些組件的詳細(xì)描述。
參考圖9，驅(qū)動(dòng)電路區(qū)91a和91b以及圖像區(qū)92形成于柔性基片90上，驅(qū)動(dòng)電路區(qū)91a和91b形成于圖像區(qū)92上下。TFT 93形成于驅(qū)動(dòng)電路區(qū)91a上，并且TFT 94和95形成于圖像區(qū)92上。在驅(qū)動(dòng)電路區(qū)91a和圖像區(qū)92上形成的TFT 93、94和95包括半導(dǎo)體層(未示出)、柵極(未示出)、源極93b、94b和95b以及漏極93c、94c和95c。在TFT 93、94和95中包含的溝道區(qū)93a、94a和95a被形成為與彎曲基片90的方向成預(yù)定角度。這里，由于彎曲基片90的方向接近于垂直溝道區(qū)93a、94a和95a的縱向的方向移動(dòng)，因此減少了電流變化。
根據(jù)本實(shí)施例，兩個(gè)TFT 94和95形成于圖像區(qū)92上。兩個(gè)TFT 94和95之一可以是開(kāi)關(guān)TFT 94，而另一個(gè)可以是驅(qū)動(dòng)TFT 95。開(kāi)關(guān)TFT 94的溝道區(qū)94a的縱向垂直于彎曲基片90的方向。驅(qū)動(dòng)TFT 95的溝道區(qū)95a平行于彎曲基片90的方向。也就是，開(kāi)關(guān)TFT 94的溝道區(qū)94a的縱向不同于驅(qū)動(dòng)TFT 95的溝道區(qū)95a的縱向。
驅(qū)動(dòng)電路區(qū)110a和110b以及圖像區(qū)120形成于在圖10的實(shí)施例中示出的柔性基片100上。根據(jù)本實(shí)施例，驅(qū)動(dòng)電路區(qū)110a形成于圖像區(qū)120的左側(cè)(或邊)上，并且驅(qū)動(dòng)電路區(qū)110b形成于圖像區(qū)120之上。TFT 130、140、150和160形成于驅(qū)動(dòng)電路區(qū)110a和110b以及圖像區(qū)120上，從而TFT 130、140、150和160的溝道區(qū)130a、140a、150a和160a與彎曲基片100的方向成相應(yīng)預(yù)定角度。根據(jù)本實(shí)施例，在驅(qū)動(dòng)電路區(qū)110b上形成的TFT 140的溝道區(qū)140a的縱向平行于彎曲基片100的方向。在驅(qū)動(dòng)電路區(qū)110a上形成TFT130的溝道區(qū)130a被形成為與基片100彎曲的方向垂直。TFT 130、140、150和160包括半導(dǎo)體層(未示出)、柵極(未示出)、源極130b、140b、150b和160b以及漏極130c、140c、150c和160c。根據(jù)本實(shí)施例，在圖像(或者像素電路)區(qū)120上形成的TFT 150的溝道區(qū)150a被形成為與彎曲基片100的方向垂直。TFT 160的溝道區(qū)160a被形成為與彎曲基片100的方向平行。具體地，驅(qū)動(dòng)TFT 160被形成為與彎曲基片100的方向平行，并且開(kāi)關(guān)TFT 150被形成為垂直于彎曲基片100的方向。
結(jié)果，根據(jù)上述實(shí)施例，特定TFT的溝道區(qū)的縱向(L)垂直于彎曲基片的方向，從而應(yīng)變力可被施加到柔性基片，而不會(huì)明顯改變電流流量。因此，盡管基片被彎曲，但是不會(huì)顯著影響電流流動(dòng)。當(dāng)應(yīng)變力被施加到基片時(shí)，由于特定其他TFT的溝道區(qū)的寬度(W)增加，也可以改善這些特定其他TFT中的電流活動(dòng)性。
根據(jù)上述實(shí)施例，在沿圖像區(qū)周?chē)囊粋€(gè)區(qū)域處形成驅(qū)動(dòng)電路區(qū)。然而，在沿圖像區(qū)周?chē)母鱾€(gè)其他適當(dāng)區(qū)域處可以形成驅(qū)動(dòng)電路區(qū)。而且，根據(jù)上述實(shí)施例，在單個(gè)基片上形成圖像區(qū)和驅(qū)動(dòng)電路區(qū)。然而，驅(qū)動(dòng)電路圖可被單獨(dú)形成并電連接到圖像區(qū)。
根據(jù)上述實(shí)施例，描述了組成顯示設(shè)備的OLED或LCD。然而，OLED或LCD可被單獨(dú)形成為電連接到顯示設(shè)備中形成的TFT。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，當(dāng)在柔性基片上形成TFT時(shí)，彎曲基片的方向與TFT的溝道區(qū)成預(yù)定角度，從而能夠顯著地減小流經(jīng)溝道區(qū)的電流量的變化。因此，能夠最小化TFT的電特性的惡化或變化，從而改善顯示設(shè)備的性能和分辨率。
盡管已經(jīng)結(jié)合特定示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不限于所公開(kāi)的實(shí)施例，相反，本發(fā)明旨在覆蓋包含在所附權(quán)利要求及其等效物的精神和范圍之內(nèi)的各種修改。
權(quán)利要求
1.一種顯示設(shè)備，包括柔性基片；和多個(gè)在基片上形成的薄膜晶體管，其中，多個(gè)在基片上形成的薄膜晶體管包括用于驅(qū)動(dòng)像素的像素晶體管和用于驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)器電路的驅(qū)動(dòng)電路晶體管，和其中，像素晶體管的溝道區(qū)的縱向與彎曲基片的方向成第一預(yù)定角度而不是0度。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，驅(qū)動(dòng)器電路晶體管的溝道區(qū)的縱向被形成為與像素晶體管的溝道區(qū)的縱向成第二預(yù)定角度而不是0度。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，像素晶體管包括開(kāi)關(guān)晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示設(shè)備，其中，開(kāi)關(guān)晶體管的溝道區(qū)的縱向不同于驅(qū)動(dòng)晶體管的溝道區(qū)的縱向。
5.如權(quán)利要求3所述的顯示設(shè)備，其中，驅(qū)動(dòng)晶體管的溝道區(qū)的縱向被形成為與彎曲基片的方向基本相同的方向。
6.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，像素晶體管的溝道區(qū)的縱向與彎曲基片的方向所成的第一預(yù)定角度在從大約45°到大約90°的范圍內(nèi)。
7.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，所述基片包括金屬材料或塑料材料中的至少一個(gè)，并且其中基片的特性是通過(guò)在基片上施加外力來(lái)改變的。
8.如權(quán)利要求7所述的顯示設(shè)備，其中，所述金屬材料包括不銹鋼(sus)材料或鈦(Ti)材料中的至少一個(gè)。
9.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，至少一個(gè)在基片上形成的薄膜晶體管包括用低溫多晶硅形成的半導(dǎo)體層。
10.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，半導(dǎo)體層包括鍺(Ge)和/或Ge混合物。
11.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，還包括與至少一個(gè)薄膜晶體管電連接的有機(jī)發(fā)光二極管。
12.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，還包括與至少一個(gè)薄膜晶體管電連接的液晶顯示器件。
13.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中顯示設(shè)備是有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。
14.一種顯示設(shè)備，包括柔性基片；像素薄膜晶體管，用于驅(qū)動(dòng)像素并且形成于基片上；和驅(qū)動(dòng)器電路薄膜晶體管，用于驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)器電路并且被形成在基片上，其中，像素薄膜晶體管的溝道區(qū)的縱向與彎曲基片的方向成預(yù)定角度而不是0度。
15.如權(quán)利要求14所述的顯示設(shè)備，其中，預(yù)定角度在大約45°到大約90°的范圍內(nèi)。
16.如權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，還包括與像素薄膜晶體管電連接的液晶顯示器件或有機(jī)發(fā)光二極管中的至少一個(gè)。
17.一種顯示設(shè)備，包括柔性基片；多個(gè)在基片上形成的薄膜晶體管；和其中，多個(gè)在基片上形成的薄膜晶體管中的至少一個(gè)包括具有縱向的溝道區(qū)，和其中，溝道區(qū)的縱向與彎曲基片的方向成在大約45°到大約90°的范圍內(nèi)的預(yù)定角度。
18.如權(quán)利要求17所述的顯示設(shè)備，還包括與至少一個(gè)薄膜晶體管電連接的液晶顯示器件或有機(jī)發(fā)光二極管中的至少一個(gè)。
全文摘要
一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其包括柔性基片和多個(gè)在該基片上形成的薄膜晶體管(TFT)。該多個(gè)在基片上形成的TFT包括用于驅(qū)動(dòng)像素的像素晶體管和用于驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)器電路的驅(qū)動(dòng)器電路晶體管，并且像素晶體管的溝道區(qū)的縱向與彎曲基片的方向成第一預(yù)定角度。因此，能夠最小化在柔性基片上形成的TFT的電特性的變化，從而減少在TFT溝道中流動(dòng)的電流量的變化。
文檔編號(hào)H01L27/32GK1901206SQ20061010617
公開(kāi)日2007年1月24日 申請(qǐng)日期2006年7月20日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月20日
發(fā)明者鄭在景, 具在本, 申鉉秀, 牟然坤, 鄭棕翰, 李憲貞, 金成珍 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社