專利名稱：：基底與其布局的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種基底與其布局方法，特別是涉及一種具有電鍍線的基底與其布局方法。
背景技術(shù)：
：在傳統(tǒng)集成電路封裝工藝中，其核心元件，例如棵晶(die，或稱管芯)，是固定在一基底(substrate)上，該基底包括多個非傳導(dǎo)層(non-conductinglayer)和多個傳導(dǎo)層(conductinglayer),其中，該基底的層數(shù)是依據(jù)設(shè)計者所需的封裝工藝所決定的。該非傳導(dǎo)層(如介電層)是用來當(dāng)成多個傳導(dǎo)層之間的絕緣層。然而，當(dāng)半導(dǎo)體電路的控制頻率操作越來越快且體積越來越小的情況下，該封裝內(nèi)傳輸線之間的距離也越來越小，如此就會提高了傳輸線之間的耦合寄生電容，進(jìn)而影響了該半導(dǎo)體電路的運(yùn)作速率。一般上，金屬的傳輸線是形成在一傳統(tǒng)封裝基底的表面上，例如，一球狀門陣列封裝基底上。通常來說，連接墊(pad)上暴露的表面必需布上一金屬層，例如一鎳/金(Nickel/Gold，Ni/Au)或鎳/銀(Nickel/Silver，Ni/Ag)層。因此，為了將一鎳/金金屬層涂布上該連接墊，現(xiàn)有技術(shù)會建立多條電鍍線在該基底的表面上以提供電流來將鎳/金電鍍上該連接墊。然而，電鍍線可能會造成電鍍線和在電鍍線之下的傳輸線之間形成巨大的寄生電容，因此，現(xiàn)有的做法是在電鍍線完成其功能后再用蝕刻的方法將電鍍線蝕刻以解決上述寄生電容的問題，然而，蝕刻的方法將會提高整個元件的制作成本。另一方面，若在一高速運(yùn)作的差動信號模塊中，電鍍線的密度會增加而使得寄生電容的問題更加嚴(yán)重，因此，必需要有一個更便宜且更好的的方法以解決上述的問題。
發(fā)明內(nèi)容因此本發(fā)明的主要目的在于提供一種基底和其布局方法。本發(fā)明的一實(shí)施例揭露一基底布局方法。該方法包括定義一第一電鍍線(platingline)在一非傳導(dǎo)層(conductinglayer)上，該第一電鍍線耦合至一第一連接墊(pad);以及定義一第二電鍍線在該非傳導(dǎo)層上，該第二電鍍線耦合至一第二連接墊(pad);其中當(dāng)沿著該第一連接墊和該第二連接墊的一方向遠(yuǎn)離時，定義該第一電鍍線和該第二電鍍線之間一距離會逐漸增加。本發(fā)明的一實(shí)施例揭露一基底布局方法。該方法包括定義一電鍍線在一非傳導(dǎo)層上，該電鍍線耦合至一第一連接墊；以及定義該非傳導(dǎo)層下至少一傳導(dǎo)層的一部份傳導(dǎo)層用一非傳導(dǎo)物質(zhì)取代，其中被該非傳導(dǎo)物質(zhì)取代的該部份傳導(dǎo)層直接位于該電鍍線之下。本發(fā)明的一實(shí)施例揭露一種基底，其包括一電鍍線與至少一傳導(dǎo)層。該電鍍線定義在一非傳導(dǎo)層上，以及該電鍍線耦合至一第一連接墊。該傳導(dǎo)層位于該非傳導(dǎo)層之下，以及該傳導(dǎo)層具有一部份傳導(dǎo)層用一非傳導(dǎo)物質(zhì)取代，且該部份傳導(dǎo)層直接位于該電鍍線之下。本發(fā)明的一實(shí)施例揭露一種基底，其包含一電鍍線以及至少一傳導(dǎo)層。該電鍍線定義在一非傳導(dǎo)層上，以及該電鍍線耦合至一第一連接墊。該傳導(dǎo)層位于該非傳導(dǎo)層之下，以及該傳導(dǎo)層具有一部份傳導(dǎo)層用一非傳導(dǎo)物質(zhì)取代，且被該非傳導(dǎo)物質(zhì)取代的該部份傳導(dǎo)層直接位于該電鍍線之下。本發(fā)明的一實(shí)施例揭露一基底布局方法。該方法包括提供一傳導(dǎo)層；挖空一部份的傳導(dǎo)層；利用一非傳導(dǎo)物質(zhì)取代該被挖空的部份；提供一非傳導(dǎo)層于該傳導(dǎo)層及該非傳導(dǎo)物質(zhì)之上；以及定義一電鍍線在該非傳導(dǎo)層上，且該電鍍線位于該非傳導(dǎo)物質(zhì)上方。本發(fā)明的一實(shí)施例揭露一基底布局方法。該方法包括提供一非傳導(dǎo)層；定義一第一電鍍線耦合至一第一連接墊；以及定義一第二電鍍線耦合至一第二連接墊；其中，該第一電鍍線與該第二電鍍線定義于該非傳導(dǎo)層之上，且當(dāng)沿著該第一連接墊和該第二連接墊的一方向遠(yuǎn)離時，定義該第一電鍍線和該第二電鍍線之間一距離會逐漸增加。圖1為本發(fā)明基底的一實(shí)施例的剖面圖。圖2為圖1所示的基底的立體圖。圖3為本發(fā)明基底的另一實(shí)施例的俯視圖。圖4為本發(fā)明第一種布局方法的流程圖。圖5為本發(fā)明第二種布局方法的流程圖。圖6為本發(fā)明第三種布局方法的流程圖。筒單符號說明<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>具體實(shí)施例方式請同時參考圖1和圖2，圖1所示為本發(fā)明基底100(substrate)的一實(shí)施例的剖面圖，而圖2所示為圖1所示的基底100的立體圖。在此一實(shí)施例中，基底100為一珎4冊陣列(ballgridarray)基底，然而本發(fā)明并不以此基底類型為限?；?00包括多層金屬層(傳導(dǎo)層102)以及多層介質(zhì)層(非傳導(dǎo)層104、106),而基底100還包括一棵晶(die)110固定于非傳導(dǎo)層106的一表面上、一第一金屬線108、一第二金屬線112、一第一連接墊(pad)114、一第二連接墊116、一第一電鍍線(platingline)118以及一第二電鍍線120。第一金屬線108形成于非傳導(dǎo)層106上以耦合來自于棵晶IIO的差動輸出信號中一第一信號，而第二金屬線112形成于非傳導(dǎo)層106上以耦合來自于棵晶110的差動輸出信號中一第二信號。第一電鍍線118形成于非傳導(dǎo)層106上以耦合至第一金屬線108，以及提供一電流以電鍍一傳導(dǎo)物質(zhì)來形成第一連接墊114，此外，第二電鍍線120形成于非傳導(dǎo)層106上以耦合至第二金屬線112,以及提供一電流以電鍍一傳導(dǎo)物質(zhì)來形成第二連接墊116。請注意，本發(fā)明并不以圖l和圖2中所示的線和層的數(shù)目為限，另一方面，在圖l和圖2中所示的形狀和位置僅為方便說明本發(fā)明的精神所在，亦不用來作為本發(fā)明的限制?；?00具有多個導(dǎo)通孔(via)122、124分別交錯的置于第一連接墊114和第二連接墊116之間以分別傳送信號至一第一封裝輸出端點(diǎn)126和一第二封裝輸出端點(diǎn)128，換句話說，導(dǎo)通孔122是形成于非傳導(dǎo)層104內(nèi)，以及導(dǎo)通孔124是形成于傳導(dǎo)層102內(nèi)。依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，笫一連接墊114和笫二連接墊116相距一第一距離Ll。請參考圖2可以得知，當(dāng)沿著第一連接墊114和第二連接墊116的一方向Dl遠(yuǎn)離時，第一電鍍線118和第二電鍍線120之間的距離L2會逐漸增加。此外，依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，非傳導(dǎo)層106下的傳導(dǎo)層102中一部份傳導(dǎo)層130由一非傳導(dǎo)物質(zhì)所取代，而此被該非傳導(dǎo)物質(zhì)取代的該部份傳導(dǎo)層130直接位于第一電鍍線118和第二電鍍線120之下，且此取代的動作不會影響基底100正常的信號傳輸功能。另一方面，距離L2越大，則第一電鍍線118和第二電鍍線120的輸入阻抗亦越高，因此，當(dāng)?shù)谝浑婂兙€118和第二電鍍線120的輸入阻抗越高時，則可以將第一電鍍線118和第二電鍍線120的輸入阻抗視為一開路(opencircuit),如此就會形同于先前技術(shù)中將二電鍍線蝕刻(etchingbackprocess)所得到的效杲，由此可得知，基底100的制造成本會比先前技術(shù)低。在實(shí)際的操作中，逐漸增加的距離L2最后將改善從第一封裝輸出端點(diǎn)126和第二封裝輸出端點(diǎn)128看入的插入損失(insertionloss)。依據(jù)現(xiàn)有電容值的計算方程式，寄生電容C可以如下所示C=-eA/d(1)在方程式(l)中，e為兩層傳導(dǎo)層102之間物質(zhì)的介電常數(shù)，A為寄生電容C的等效面積，以及d為兩層傳導(dǎo)層102之間的距離。因此，若將位于非傳導(dǎo)層106之下的傳導(dǎo)層102的一部份用一非傳導(dǎo)物質(zhì)取代則會相當(dāng)程度的增加距離d的大小，如此就會將不想要的寄生電容C減少一半左右，由此可知，輸出信號就可以在較低損耗的情況下通過球狀門陣列基底而傳送至下一個電子元件。請注意，在圖2中所提到的方法僅為其中的一實(shí)施例，且本發(fā)明并不以此為限，換句話說，以上所述的方法可以是互相獨(dú)立實(shí)施的，且亦不限于使用在差動模塊(differentialmodule)。例如，一實(shí)施例可以是只是利用當(dāng)沿著第一連接墊114和第二連接墊116的一方向Dl遠(yuǎn)離時，第一電鍍線118和第二電鍍線120之間的一距離L2會逐漸增加的方法來實(shí)作，而不會同時將在非傳導(dǎo)層106之下的傳導(dǎo)層102中一部份用一非傳導(dǎo)物質(zhì)取代；在另一實(shí)施例中，其可以是只將在非傳導(dǎo)層106之下的傳導(dǎo)層102的一部份用一非傳導(dǎo)物質(zhì)取代，其中該部份是剛好位于第一電鍍線118之下的一個區(qū)域。圖3所示為本發(fā)明基底300的另一實(shí)施例的俯視圖?；?00包括一棵晶310固定于一非傳導(dǎo)層306的表面上、一笫一金屬線308、一第二金屬線312、一第三金屬線314、一第四金屬線316、一第一連接墊318、一第二連接墊320、一第三連接墊322、一第四連接墊324、一第一電鍍線326、一第二電鍍線328、一第三電鍍線330以及一第四電鍍線332?；?00的操作方式和基底100相似，唯一不同是基底300具有另外一對的電鍍線和連接墊。對于本發(fā)明基底300而言，當(dāng)沿著第一連接墊318和第二連接墊320的一方向遠(yuǎn)離時，第一電鍍線326和第二電鍍線328之間的一距離L3會逐漸增加，但是為了節(jié)省基底300的總面積，當(dāng)接近第三連接墊322和第四連接墊324時，第一電鍍線326和第二電鍍線328之間的距離L4會逐漸減小。圖4所示為依據(jù)本發(fā)明第一種布局方法的流程圖。該第一種布局方法可以用來減少一基底(例如球柵陣列基底)所不想要的寄生電容。舉例來說，圖1和圖2所示的基底100包括該第一種布局方法所揭露的布局架構(gòu)。請參考以上所揭露的內(nèi)容，該第一種布局方法可以用下列步驟表示步驟400:定義一第一金屬線在一非傳導(dǎo)層上以從一棵晶耦合一第一信號；步驟402:定義一第二金屬線在該非傳導(dǎo)層上以從該棵晶耦合一第二信—弓—步驟404:定義一第一電鍍線在該非傳導(dǎo)層上以耦合至該第一金屬線以及提供一電流以電鍍一傳導(dǎo)物質(zhì)以形成第一連接墊；以及步驟406:定義一第二電鍍線在該非傳導(dǎo)層上以耦合至該第二金屬線以及提供一電流以電鍍一傳導(dǎo)物質(zhì)以形成第二連接墊，其中當(dāng)沿著該第一連接墊和該第二連接墊的一方向遠(yuǎn)離時，定義該第一電鍍線和該第二電鍍線之間的一距離會逐漸增加。請注意，前述流程圖400中各步驟的順序僅為一實(shí)施例，而非限制本發(fā)明的實(shí)際運(yùn)作方式。圖5所示為本發(fā)明第二種布局方法的流程圖。該第二種布局方法可以用來減少一基底(例如球柵陣列基底)所不想要的寄生電容。舉例來說，圖1和圖2所示的基底100包括該第二布局方法所揭露的布局架構(gòu)。請參考以上所揭露的內(nèi)容，該第二種布局方法可以用下列步驟表示第一金屬線在一非傳導(dǎo)層上以從一棵晶耦合一第一信第二金屬線在該非傳導(dǎo)層上以從該棵晶耦合一第二信第一電鍍線在該非傳導(dǎo)層上以耦合至該第一金屬線以及提供一電流以電鍍一傳導(dǎo)物質(zhì)以形成第一連接墊；步驟506:定義一第二電鍍線在該非傳導(dǎo)層上以耦合至該第二金屬線以及提供一電流以電鍍一傳導(dǎo)物質(zhì)以形成第二連接墊；步驟507:定義該非傳導(dǎo)層下至少一傳導(dǎo)層的一部4分傳導(dǎo)層挖空，其中該該被挖空的該部份傳導(dǎo)層直接位于該第一電鍍線或該第二電鍍線或該第一、第二電鍍線之下；以及步驟508:利用一非傳導(dǎo)物質(zhì)取代該被挖空的該部份。請注意，前述流程圖500中各步驟的順序僅為一實(shí)施例，而非限制本發(fā)明的實(shí)際運(yùn)作方式。圖6所示為本發(fā)明第三種布局方法的流程圖。該第三布局方法可以用來減少一基底所需的總面積。舉例來說，圖1和圖2所示的基底100包括該第三布局方法所揭露的布局架構(gòu)。請參考以上所揭露的內(nèi)容，該第三布局方法可以用下列步驟表示步驟600:定義一第一電鍍線在一非傳導(dǎo)層上以耦合至一第一金屬線以及提供一電流以電鍍一傳導(dǎo)物質(zhì)以形成一第一連接墊；步驟602:定義一第二電鍍線在該非傳導(dǎo)層上以耦合至一第二金屬線以及提供一電流以電鍍一傳導(dǎo)物質(zhì)以形成一第二連接墊；步驟604:定義一第三電鍍線在該非傳導(dǎo)層上以耦合至一第三金屬線以及提供一電流以電鍍一傳導(dǎo)物質(zhì)以形成一第三連接墊；以及步驟602:定義一第四電鍍線在該非傳導(dǎo)層上以耦合至一第四金屬線以及提供一電流以電鍍一傳導(dǎo)物質(zhì)以形成一第四連接墊，其中當(dāng)沿著該第一連接墊和該第二連接墊的一方向遠(yuǎn)離時，定義該第一電鍍線和該第二電鍍線之間的一距離會逐漸增加，但是為了節(jié)省基底100的總面積，當(dāng)接近該第三連接墊和該第四連接墊時，定義該第一電鍍線和該第二電鍍線之間的該距離會步驟500:定義一步驟502:定義一步驟504:定義一請注意，前述流程圖600中各步驟的順序僅為一實(shí)施例，而非限制本發(fā)明的實(shí)際運(yùn)作方式。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。權(quán)利要求1.一種基底布局方法，包括定義第一電鍍線在非傳導(dǎo)層上，該第一電鍍線耦合至第一連接墊；以及定義第二電鍍線在該非傳導(dǎo)層上，該第二電鍍線耦合至第二連接墊；其中當(dāng)沿著該第一連接墊和該第二連接墊的方向遠(yuǎn)離時，定義該第一電鍍線和該第二電鍍線之間距離會逐漸增加。2.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括將該非傳導(dǎo)層下至少一傳導(dǎo)層的一部份傳導(dǎo)層用非傳導(dǎo)物質(zhì)取代，其中被該非傳導(dǎo)物質(zhì)取代的該部份傳導(dǎo)層直接位于該第一電鍍線、該第二電鍍線或該第一、第二電鍍線兩者之下。3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中被該非傳導(dǎo)物質(zhì)取代的該部份傳導(dǎo)層直接位于該第一、第二電鍍線之下，以及該部份傳導(dǎo)層的面積不小于該第一電鍍線和該第二電鍍線的總面積。4.一種基底布局方法，包括定義電鍍線在非傳導(dǎo)層上，該電鍍線耦合至第一連接墊；以及定義該非傳導(dǎo)層下至少一傳導(dǎo)層的一部份傳導(dǎo)層用非傳導(dǎo)物質(zhì)取代，其中被該非傳導(dǎo)物質(zhì)取代的該部份傳導(dǎo)層直接位于該電鍍線之下。5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中被該非傳導(dǎo)物質(zhì)取代的該部份傳導(dǎo)層的面積不小于該電鍍線的總面積。6.—種基底，包括第一電鍍線，該第一電鍍線定義在非傳導(dǎo)層上，以及該第一電鍍線耦合至第一連接墊；以及第二電鍍線，該第二電鍍線定義在該非傳導(dǎo)層上，以及該第二電鍍線耦合至第二連接墊；其中當(dāng)沿著該第一連接墊和該第二連接墊的方向遠(yuǎn)離時，該第一電鍍線和該第二電鍍線之間的距離逐漸增加。7.如權(quán)利要求6所述的基底，其中該非傳導(dǎo)層下至少一傳導(dǎo)層的一部份傳導(dǎo)層由非傳導(dǎo)物質(zhì)所形成，被該非傳導(dǎo)物質(zhì)取代的該部份傳導(dǎo)層直接位于該第一電鍍線、該第二電鍍線或該第一、第二電鍍線兩者之下。8.如權(quán)利要求7所述的基底，其中被該非傳導(dǎo)物質(zhì)取代的該部份傳導(dǎo)層直接位于該第一、第二電鍍線之下，以及該部份傳導(dǎo)層的面積不小于該第一電鍍線和該第二電鍍線的總面積。9.如權(quán)利要求7所述的基底，其為球柵陣列基底。10.—種基底，包括電鍍線，該電鍍線定義在非傳導(dǎo)層上，以及該電鍍線耦合至第一連接墊；以及至少一傳導(dǎo)層，該傳導(dǎo)層位于該非傳導(dǎo)層之下，以及該傳導(dǎo)層具有部份傳導(dǎo)層用非傳導(dǎo)物質(zhì)取代，被該非傳導(dǎo)物質(zhì)取代的該部份傳導(dǎo)層直接位于該電鍍線之下。11.如權(quán)利要求IO所述的基底，其中被該非傳導(dǎo)物質(zhì)取代的該部份傳導(dǎo)層的面積不小于該電鍍線的面積。12.如權(quán)利要求IO所述的基底，其為球狀門陣列基底。13.—種基底布局方法，包括提供傳導(dǎo)層；挖空一部份的傳導(dǎo)層；利用非傳導(dǎo)物質(zhì)取代該被挖空的部份；提供非傳導(dǎo)層于該傳導(dǎo)層及該非傳導(dǎo)物質(zhì)之上；以及定義電鍍線在該非傳導(dǎo)層上，且該電鍍線位于該非傳導(dǎo)物質(zhì)上方。14.一種基底布局方法，包括提供非傳導(dǎo)層；定義第一電鍍線耦合至第一連接墊；以及定義第二電鍍線耦合至第二連接墊；其中，該第一電鍍線與該第二電鍍線定義于該非傳導(dǎo)層之上，且當(dāng)沿著該第一連接墊和該第二連接墊的方向遠(yuǎn)離時，定義該第一電鍍線和該第二電鍍線之間距離會逐漸增加。全文摘要本發(fā)明提供一基底布局方法，其包括定義一第一電鍍線在一非傳導(dǎo)層上，該第一電鍍線耦合至一第一連接墊；以及定義一第二電鍍線在該非傳導(dǎo)層上，該第二電鍍線耦合至一第二連接墊；其中當(dāng)沿著該第一連接墊和該第二連接墊的一方向遠(yuǎn)離時，定義該第一電鍍線和該第二電鍍線之間一距離會逐漸增加。在另一實(shí)施例中，本發(fā)明方法包括定義一電鍍線在一非傳導(dǎo)層上，該電鍍線耦合至一第一連接墊；以及定義該非傳導(dǎo)層下至少一傳導(dǎo)層的一部分傳導(dǎo)層用一非傳導(dǎo)物質(zhì)取代，其中被該非傳導(dǎo)物質(zhì)取代的該部分傳導(dǎo)層直接位于該電鍍線之下。文檔編號H01L23/48GK101110367SQ20061010800公開日2008年1月23日申請日期2006年7月21日優(yōu)先權(quán)日2006年7月21日發(fā)明者吳忠儒,梁維安,薛英杰申請人:矽統(tǒng)科技股份有限公司