專利名稱：高壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管和制造高壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及高壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管和制造高壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法。
背景技術(shù)：
從美國(guó)專利US 5,698,869已知一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造，其中對(duì)于帶有絕緣柵極的晶體管，諸如MOSFET，減少漏電流并提高擊穿電壓。在SOI器件源極區(qū)或漏極區(qū)的內(nèi)部區(qū)域中形成一個(gè)帶有能帶寬度比硅減少的半導(dǎo)體區(qū)域，諸如SixGe1-x，SixSn1-x或者PbS。為了極為有效地抑制SOI器件內(nèi)的無電勢(shì)體效應(yīng)，必須在足夠接近源極區(qū)和溝道區(qū)之間的pn結(jié)處形成SiGe-區(qū)。為了減少鍺原子對(duì)結(jié)晶干擾的影響，建議該直至溝道區(qū)構(gòu)造能帶寬度減少的區(qū)域。
在日本專利JP 06013561A(英文摘要)中，在MOSFET的源極區(qū)和漏極區(qū)中注入鍺，使源極區(qū)和漏極區(qū)中的能帶寬度減少，以便降低寄生雙極性晶體管的電流放大倍數(shù)。美國(guó)專利US 6,765,247B2作了類似的表示。在日本專利JP 07335887A中，為此在普通的LDD過程中通過兩個(gè)步驟的鍺注入達(dá)到鍺的水平濃度分布。
美國(guó)專利US 6,828,632B2涉及一種SOI-結(jié)構(gòu)。這時(shí)，通過一個(gè)氧化物層形成盆形區(qū)域。該盆形區(qū)域是分多層外延生成而獲得的，其中這些層呈現(xiàn)為硅-鍺-層。該硅-鍺-層在源極區(qū)/漏極區(qū)中呈現(xiàn)若干個(gè)復(fù)合中心。
從美國(guó)專利US 6,787,883B1已知，在溝道區(qū)中形成Si1-xGex-層，它對(duì)襯底形成Si1-xGex-Si異質(zhì)結(jié)。為了減少熱載流子，在美國(guó)專利US5,134,447中在pn結(jié)附近在MOS-晶體管的體中形成異質(zhì)結(jié)。
從美國(guó)專利US 6,531,748B2已知一種帶有MOS-結(jié)構(gòu)的功率器件。這時(shí)，為了降低寄生雙極性晶體管的電流放大倍數(shù)，源極區(qū)由能帶寬度小于溝道區(qū)的材料的形成。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的任務(wù)是進(jìn)一步開發(fā)一種具有漂移半導(dǎo)體區(qū)域的高壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
按照本發(fā)明，這個(gè)任務(wù)通過具有權(quán)利要求8的特征的方法和具有權(quán)利要求1特征的高壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管解決。本發(fā)明優(yōu)選的改進(jìn)方案是從屬權(quán)項(xiàng)的主題。
照此設(shè)置高壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管。高壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特征是漂移半導(dǎo)體區(qū)域。通過這個(gè)漂移半導(dǎo)體區(qū)域，亦稱漂移區(qū)，可以在施加漏極-源極電壓時(shí)形成一個(gè)電場(chǎng)。為了形成反向電壓高的高壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管，沿著漂移半導(dǎo)體區(qū)域的電場(chǎng)不得超過一個(gè)最大值。
此外該高壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管有漏極接點(diǎn)、源極接點(diǎn)、體接點(diǎn)和柵極接點(diǎn)。柵極氧化物和一個(gè)與柵極氧化物交界的與柵極接點(diǎn)連接的柵極電極，使成高壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管的控制為可能。
第一導(dǎo)電類型的漏極半導(dǎo)體區(qū)與漏極接點(diǎn)連接。第一導(dǎo)電類型的源極半導(dǎo)體區(qū)與源極接點(diǎn)連接。與第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型的體接點(diǎn)半導(dǎo)體區(qū)與體接點(diǎn)連接。第二導(dǎo)電類型的體半導(dǎo)體區(qū)，部分地以形成溝道用的柵極氧化物為界，對(duì)此與該體接點(diǎn)半導(dǎo)體區(qū)交界。
第一導(dǎo)電類型的漂移半導(dǎo)體區(qū)域與漏極半導(dǎo)體區(qū)和體半導(dǎo)體區(qū)交界。在高壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管的情況下，漂移半導(dǎo)體區(qū)域的有效長(zhǎng)度是溝道區(qū)長(zhǎng)度的兩倍或幾倍。
在漂移半導(dǎo)體區(qū)域內(nèi)在一個(gè)空間上與體半導(dǎo)體區(qū)隔開的區(qū)域內(nèi)形成勢(shì)壘。這時(shí)，當(dāng)施加漏極-源極電壓的情況下pn結(jié)和該勢(shì)壘之間的相互作用可以忽略時(shí)，在漂移半導(dǎo)體區(qū)域內(nèi)這個(gè)區(qū)域和體半導(dǎo)體區(qū)之間大的距離足夠大。
在本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選的配置中，為了形成該勢(shì)壘，漂移半導(dǎo)體區(qū)域的這個(gè)區(qū)域?qū)α硪粋€(gè)區(qū)域的能隙縮小。該能隙，又稱能帶寬度，例如，對(duì)于硅等于1.12eV。例如若為了形成該勢(shì)壘在這個(gè)區(qū)域加入鍺，則該能隙可以縮小至0.67eV(Ge)至硅-鍺-混晶(SiGe)的1.1eV之間的一個(gè)值。對(duì)于N-DMOS-場(chǎng)效應(yīng)晶體管，該勢(shì)壘最好在價(jià)帶上突然變化。
這時(shí)，價(jià)帶上的突然改變形成得使在體半導(dǎo)體區(qū)的方向上流動(dòng)的空穴絕大部分停止。與此相反，對(duì)于P-DMOS-場(chǎng)效應(yīng)晶體管，該勢(shì)壘在導(dǎo)帶上呈現(xiàn)突變。這時(shí)，導(dǎo)帶上的突變形成得使在體半導(dǎo)體區(qū)方向上流動(dòng)的電子絕大部分停止。原理上按照本發(fā)明還可以使用其他半導(dǎo)體，諸如砷化鎵(GaAs)或者碳化硅(SiC)。
按照本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選的改進(jìn)方案，該漂移半導(dǎo)體區(qū)域呈現(xiàn)為單晶硅。在這個(gè)帶有勢(shì)壘的區(qū)域中，鍺原子被帶進(jìn)漂移半導(dǎo)體區(qū)域的單晶硅。這時(shí)，這個(gè)區(qū)域中鍺原子的濃度朝漏極半導(dǎo)體區(qū)的方向降低。該下降的鍺濃度導(dǎo)致，在N-DMOS-場(chǎng)效應(yīng)晶體管的情況下勢(shì)壘不阻止電子，使得高壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管的導(dǎo)通電阻仍舊小。
在本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選的改進(jìn)方案中，高壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管有一個(gè)場(chǎng)氧化物，它比柵極氧化物厚得多。該帶有勢(shì)壘的區(qū)域在漂移半導(dǎo)體區(qū)域內(nèi)最好以該場(chǎng)氧化物為界。
按照本發(fā)明另一個(gè)有利的改進(jìn)方案，該高壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管有一個(gè)掩埋的絕緣層。這個(gè)絕緣層例如由二氧化硅形成。為了掩埋這種絕緣層，可以例如用一個(gè)由二氧化硅形成的覆蓋層使第一晶片和第二晶片彼此粘結(jié)。該帶有勢(shì)壘的區(qū)域最好以該掩埋絕緣層為界。除了絕緣層以外，它使高壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管對(duì)襯底絕緣，該場(chǎng)效應(yīng)晶體管用一個(gè)以絕緣材料填充的槽在側(cè)向與該芯片上相鄰的元件絕緣。
除了形成該勢(shì)壘以外，在本發(fā)明的配置中在源極半導(dǎo)體區(qū)和/或漏極半導(dǎo)體區(qū)內(nèi)形成另一個(gè)勢(shì)壘。這另一個(gè)勢(shì)壘可以產(chǎn)生另一個(gè)物理作用，增大該擊穿電壓或者降低導(dǎo)通電阻。
此外按照本發(fā)明的任務(wù)還用一種制造高壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法解決。這時(shí)，漂移半導(dǎo)體區(qū)域和體半導(dǎo)體區(qū)由第一半導(dǎo)體材料形成。在該漂移半導(dǎo)體區(qū)域中形成勢(shì)壘用的第二半導(dǎo)體材料是這樣地帶進(jìn)的，使得第二半導(dǎo)體材料在該第一半導(dǎo)體材料中的濃度在漏極半導(dǎo)體區(qū)的方向上降低。
為了實(shí)現(xiàn)降低第二半導(dǎo)體材料，例如鍺的濃度，本發(fā)明的一個(gè)配置中規(guī)定使用注入掩模。用這種最好開槽的注入掩模進(jìn)行注入，使相對(duì)于要處理的晶片表面在漂移半導(dǎo)體區(qū)域中側(cè)向形成第二半導(dǎo)體材料濃度的逐漸降低成為可能。
按照本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方案，規(guī)定濃度梯度的垂直形成。為了對(duì)于要處理的晶片表面形成第二半導(dǎo)體材料濃度逐漸減小的垂直濃度梯度，當(dāng)外延沉積時(shí)改變第二半導(dǎo)體材料的注入。
在本發(fā)明的一個(gè)改進(jìn)方案中規(guī)定，最好在緊接在該勢(shì)壘之后形成一個(gè)與該勢(shì)壘交界的場(chǎng)氧化物。這時(shí)，這個(gè)場(chǎng)氧化物可以通過第一半導(dǎo)體材料，例如，硅的氧化，或者通過氧化物沉積產(chǎn)生。


下面參照附圖1至3在一個(gè)實(shí)施例中對(duì)本發(fā)明作了較詳細(xì)的說明。附圖中圖1是穿過高壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管的示意剖面圖；圖2是帶有在圖1中形成的勢(shì)壘的示意能帶模型；圖3是硅半導(dǎo)體材料中鍺的濃度側(cè)向梯度的示意圖；而圖4是為了在硅半導(dǎo)體材料中產(chǎn)生鍺濃度的側(cè)向梯度用的掩模的示意圖。
具體實(shí)施例方式
圖1示意地表示穿過高壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管的剖面圖。該高壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管有接點(diǎn)漏極D、柵極G、源極S和體B，它們各自有一個(gè)金屬結(jié)構(gòu)，以便通過線跡進(jìn)行連接。這時(shí)，源極接點(diǎn)S和體接點(diǎn)B可以通過金屬線跡短接。金屬結(jié)構(gòu)20例如通過圖1中沒有示出的高壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管的帶有半導(dǎo)體區(qū)域11、12、25和31的硅化物層連接。這時(shí)，柵極接點(diǎn)G的金屬結(jié)構(gòu)20以柵極電極25為界，該柵極電極由高攙雜多晶硅形成。
在圖1中作為范例表示一個(gè)N-DMOS-場(chǎng)效應(yīng)晶體管。漏極接點(diǎn)D的金屬結(jié)構(gòu)20，例如通過硅化物與漏極半導(dǎo)體區(qū)11連接。這時(shí)，漏極半導(dǎo)體區(qū)11是n-攙雜的。該源極半導(dǎo)體區(qū)12同樣是n-攙雜的，它與源極接點(diǎn)S的金屬結(jié)構(gòu)20連接。
體接點(diǎn)B的金屬結(jié)構(gòu)與高攙雜的體接點(diǎn)半導(dǎo)體區(qū)31連接。這時(shí)，該體接點(diǎn)半導(dǎo)體區(qū)31是p-攙雜的。此外該體半導(dǎo)體區(qū)30是p-攙雜的，它以該體接點(diǎn)半導(dǎo)體區(qū)31為界。此外體半導(dǎo)體區(qū)30一直伸到在柵極電極25下面形成的薄的柵極氧化物89下面。在圖1中體半導(dǎo)體區(qū)30亦稱P阱。體半導(dǎo)體區(qū)30為此形成一個(gè)pn結(jié)，用作源極半導(dǎo)體區(qū)12。
另一個(gè)pn結(jié)是在體半導(dǎo)體區(qū)30和漂移半導(dǎo)體區(qū)域10之間形成。漂移半導(dǎo)體區(qū)域10亦稱漂移區(qū)，并在圖1中亦稱N阱。若在柵極接點(diǎn)G和源極接點(diǎn)S之間接一個(gè)低于高壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管閾值電壓的柵極電壓，則通過體半導(dǎo)體區(qū)30和漂移半導(dǎo)體區(qū)域10之間的pn結(jié)在阻塞方向上反向電壓下降。
當(dāng)在漏極接點(diǎn)D和與體接點(diǎn)B連接的源極接點(diǎn)S之間施加的電壓燒掉寄生雙極性晶體管時(shí)，N-DMOS晶體管在物理上損壞。在圖1中該寄生雙極性晶體管是通過該漂移半導(dǎo)體區(qū)域10作為寄生集電極區(qū)，通過體半導(dǎo)體區(qū)30作為寄生基極區(qū)和通過源極半導(dǎo)體區(qū)12作為寄生發(fā)射極區(qū)形成的。
由于這時(shí)施加的高的漏極-源極電壓，可能使漏極電流急劇上升，使之不再能夠受柵極電壓控制。該不受控制的電流流動(dòng)導(dǎo)致該元件的熱損壞。這時(shí)，該寄生雙極性晶體管受空穴電流控制。例如，晶體缺陷產(chǎn)生的載流子被空間電荷區(qū)中的電場(chǎng)加速，它沿著漏極半導(dǎo)體區(qū)11和pn結(jié)(體半導(dǎo)體區(qū)30/漂移半導(dǎo)體區(qū)域10)之間的漂移半導(dǎo)體區(qū)域10形成。
碰撞電離也會(huì)產(chǎn)生電子-空穴-對(duì)。這時(shí)，電子向漏極半導(dǎo)體區(qū)11移動(dòng)，空穴與此相反通過該體半導(dǎo)體區(qū)30并進(jìn)一步通過體接點(diǎn)半導(dǎo)體區(qū)31流走。當(dāng)空穴電流在體接點(diǎn)半導(dǎo)體區(qū)31方向引起的源極半導(dǎo)體區(qū)12的電壓降足以在源極半導(dǎo)體區(qū)-至體半導(dǎo)體區(qū)PN結(jié)切換流動(dòng)方向時(shí)，寄生雙極性晶體管將被燒掉。
因此，在漏極接點(diǎn)D和短接源極和體接點(diǎn)B之間出現(xiàn)的電壓必須總是保持低于關(guān)鍵值，使得所產(chǎn)生的載流子引起的電壓降不足以在流動(dòng)方向上極化源極半導(dǎo)體區(qū)12和體半導(dǎo)體區(qū)30之間的pn結(jié)。
在漂移半導(dǎo)體區(qū)域10內(nèi)形成一個(gè)帶有勢(shì)壘pb的區(qū)域50。從漂移半導(dǎo)體區(qū)域10到體半導(dǎo)體區(qū)30的空穴電流將被該勢(shì)壘pb抑制。在區(qū)域50內(nèi)帶進(jìn)硅內(nèi)的鍺原子造成的能隙局部縮小。與此相反，在范圍50之外導(dǎo)帶和價(jià)帶之間硅的能隙不縮小。
在漏極半導(dǎo)體區(qū)11之外，體半導(dǎo)體區(qū)30之外和源極半導(dǎo)體區(qū)12之外，形成區(qū)域50和從而形成該勢(shì)壘pb。為此帶有所帶進(jìn)的鍺原子的該區(qū)域50與體半導(dǎo)體區(qū)30隔開。此外該區(qū)域50與柵極氧化物89隔開。該距離最好在約200nm的范圍內(nèi)，這時(shí)，圖1中的實(shí)施例并不是按正確的比例表示的。
圖1表示比柵極氧化物89厚的場(chǎng)氧化物88，其中區(qū)域50和該勢(shì)壘pb以場(chǎng)氧化物88為界。漂移半導(dǎo)體區(qū)域10和體半導(dǎo)體區(qū)30限制掩埋氧化物層80(SOI)。區(qū)域50最好同樣以掩埋氧化物層80為界，該勢(shì)壘pb最好也以掩埋氧化物層80為界。
不用圖1中所表示的N-DMOS，用P-DMOS也是類似的。在這種情況下圖1中所表示的導(dǎo)電類型n和p可以彼此交換的。
在圖2中示意地表示一個(gè)簡(jiǎn)化的能帶模型，帶有導(dǎo)帶EL、價(jià)帶EV和費(fèi)米能級(jí)EF，在漏極接點(diǎn)D上沒有施加電壓。在圖2中左側(cè)表示該p-攙雜的體半導(dǎo)體區(qū)P阱30。垂直畫出的線條把pn結(jié)放在體半導(dǎo)體區(qū)P阱30和交界的漂移半導(dǎo)體區(qū)域N阱10之間。在PN結(jié)區(qū)域?qū)L和價(jià)帶EV的距離相對(duì)于費(fèi)米能級(jí)EF發(fā)生改變。在這個(gè)PN結(jié)區(qū)域處于范圍50之外，因而在硅晶體Si內(nèi)形成。
此外，在圖2中畫出勢(shì)壘pb。在圖2中勢(shì)壘pb的右邊，也在漏極半導(dǎo)體區(qū)11的方向上，在范圍50內(nèi)帶進(jìn)硅Si中的鍺Ge，使硅-鍺-混晶SiGe形成。這個(gè)硅-鍺-混晶有比硅晶體Si的能隙，如圖2所示。以該硅晶體Si為界的硅-鍺-混晶SiGe的這個(gè)較小的能隙導(dǎo)致該勢(shì)壘pb。硅晶體Si中領(lǐng)域較大能隙至硅-鍺-混晶SiGe中較小能隙的領(lǐng)域的過渡是突然。
這時(shí)，出現(xiàn)的勢(shì)壘pb只在價(jià)帶EV起作用對(duì)抗空穴(+)向體半導(dǎo)體區(qū)30和體接點(diǎn)半導(dǎo)體區(qū)31的流走。這時(shí)，導(dǎo)帶EL的跳躍不對(duì)電子流(-)起負(fù)的作用。在漏極半導(dǎo)體區(qū)11的方向上從能隙較小的區(qū)域到能隙較大的區(qū)域的過渡防止電子勢(shì)壘。在區(qū)域50內(nèi)的一個(gè)最小距離內(nèi)，這是通過在漏極半導(dǎo)體區(qū)11方向上連續(xù)下降的鍺Ge攙雜曲線達(dá)到的。
在圖3中表示降低的接近線性的攙雜曲線的一個(gè)范例。為了獲得這種接近線性的攙雜曲線，鍺原子Ge通過開槽的掩模90，如圖4所示，注入該漂移半導(dǎo)體區(qū)域10。在一個(gè)較晚的高溫步驟仍舊可以改變鍺Ge的分布，特別是線性化。
附圖標(biāo)記表10，N阱 漂移半導(dǎo)體區(qū)域11 漏極半導(dǎo)體區(qū)12 源極半導(dǎo)體區(qū)20 金屬化，金屬帶，線跡25 多晶硅柵極電極30，P阱 體半導(dǎo)體區(qū)31 體接點(diǎn)半導(dǎo)體區(qū)50 漂移半導(dǎo)體區(qū)域中帶有Ge的區(qū)域80 掩埋氧化物層(SOI)85 鈍化，氧化物層88 場(chǎng)氧化物89 柵極氧化物
90掩模100 襯底pb勢(shì)壘Si硅Ge鍺SiGe 硅-鍺-混晶B 體接點(diǎn)(襯底)G 柵極接點(diǎn)(柵極)D 漏極接點(diǎn)(漏極)S 源極接點(diǎn)(源極)(-) 電子(+) 空穴EL導(dǎo)帶EV價(jià)帶EF費(fèi)米能級(jí)
權(quán)利要求
1.高壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管，-帶有漏極接點(diǎn)(D)、源極接點(diǎn)(S)、體接點(diǎn)(B)和柵極接點(diǎn)(G)，-帶有柵極氧化物(89)和以柵極氧化物(89)為界的與柵極接點(diǎn)(G)連接的柵極電極(25)，-帶有第一導(dǎo)電類型的漏極半導(dǎo)體區(qū)(11)，其與漏極接點(diǎn)(D)連接，-帶有第一導(dǎo)電類型的源極半導(dǎo)體區(qū)(12)，其與源極接點(diǎn)(S)連接，-帶有第二導(dǎo)電類型的體接點(diǎn)半導(dǎo)體區(qū)(31)，其與體接點(diǎn)(B)連接，-帶有第二導(dǎo)電類型的體半導(dǎo)體區(qū)(30)，其部分地以柵極氧化物(89)為界，以形成溝道并以體接點(diǎn)半導(dǎo)體區(qū)(31)為界，-帶有第一導(dǎo)電類型漂移半導(dǎo)體區(qū)域(10)，其以漏極半導(dǎo)體區(qū)(11)和體半導(dǎo)體區(qū)(30)為界，其中在與體半導(dǎo)體區(qū)(30)隔開的區(qū)域(50)中的漂移半導(dǎo)體區(qū)域(10)內(nèi)形成勢(shì)壘(pb)。
2.按照權(quán)利要求1的高壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，其中為了形成勢(shì)壘(pb)，在這個(gè)帶有勢(shì)壘(pb)的區(qū)域(50)中與漂移半導(dǎo)體區(qū)域(10)的另一些區(qū)域相比能隙縮小。
3.按照權(quán)利要求2的高壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，其中漂移半導(dǎo)體區(qū)域(10)具有單晶硅(Si)，和其中在這個(gè)區(qū)域(50)中把鍺原子(Ge)帶進(jìn)漂移半導(dǎo)體區(qū)域(10)的單晶硅(Si)，其中這個(gè)區(qū)域(50)中鍺原子(Ge)的濃度在漏極半導(dǎo)體區(qū)(11)方向上降低。
4.按照上列權(quán)項(xiàng)中之一項(xiàng)的高壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，-帶有場(chǎng)氧化物(88)，-其中這個(gè)帶有勢(shì)壘(pb)的區(qū)域(50)以場(chǎng)氧化物(88)為界。
5.按照上列權(quán)項(xiàng)中之一項(xiàng)的高壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，其中漂移半導(dǎo)體區(qū)域(10)關(guān)于芯片前側(cè)只接近表面的地方，特別是在漂移半導(dǎo)體區(qū)域(10)的上半部形成勢(shì)壘(pb)。
6.按照上列權(quán)項(xiàng)中之一項(xiàng)的高壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，-帶有掩埋絕緣層()，特別是由二氧化硅生成的，-其中這個(gè)帶有勢(shì)壘(pb)的區(qū)域(50)優(yōu)選以該掩埋絕緣層(80)為界。
7.按照上列權(quán)項(xiàng)中之一項(xiàng)的高壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，其中在源極半導(dǎo)體區(qū)(12)和/或漏極半導(dǎo)體區(qū)(11)還形成一個(gè)勢(shì)壘。
8.制造高壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法，其中-漂移半導(dǎo)體區(qū)域(10)和體半導(dǎo)體區(qū)(30)由第一半導(dǎo)體材料(Si)形成，-在漂移半導(dǎo)體區(qū)域(10)內(nèi)，為了形成勢(shì)壘(pb)，這樣地帶進(jìn)第二半導(dǎo)體材料(Ge)，使得第二半導(dǎo)體材料(Ge)在第一半導(dǎo)體材料(Si)中的濃度在漏極半導(dǎo)體區(qū)(11)的方向上降低。
9.按照權(quán)利要求8的方法，其特征在于，其中為了側(cè)向形成第二半導(dǎo)體材料(Ge)下降的濃度，使用注入掩模(90)。
10.按照權(quán)利要求8的方法，其特征在于，其中當(dāng)外延沉積時(shí)改變第二半導(dǎo)體材料(Ge)的注入，以便垂直形成其下降的濃度。
11.按照權(quán)利要求8至10中之一項(xiàng)的方法，其特征在于，其中該勢(shì)壘(pb)之后形成一個(gè)以勢(shì)壘(pb)交界的場(chǎng)氧化物(88)。
全文摘要
高壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其帶有漏極接點(diǎn)(D)、源極接點(diǎn)(S)、體接點(diǎn)(B)和柵極接點(diǎn)(G)，帶有柵極氧化物(89)和一個(gè)以柵極氧化物(89)交界的柵極電極(25)，它與柵極接點(diǎn)(G)連接，帶有第一導(dǎo)電類型的漏極半導(dǎo)體區(qū)(11)，它與漏極接點(diǎn)(D)連接，帶有第一導(dǎo)電類型的源極半導(dǎo)體區(qū)(12)，它與源極接點(diǎn)(S)連接，帶有第二導(dǎo)電類型的體接點(diǎn)半導(dǎo)體區(qū)(31)，它與體接點(diǎn)(B)連接，帶有第二導(dǎo)電類型的體半導(dǎo)體區(qū)(30)，它部分地以柵極氧化物(89)為界以形成溝道，和以體接點(diǎn)半導(dǎo)體區(qū)(31)為界，帶有第一導(dǎo)電類型漂移半導(dǎo)體區(qū)域(10)，它以漏極半導(dǎo)體區(qū)(11)和體半導(dǎo)體區(qū)(30)為界，其中一個(gè)與體半導(dǎo)體區(qū)(30)隔開區(qū)域(50)中的漂移半導(dǎo)體區(qū)域(10)內(nèi)形成勢(shì)壘(pb)。
文檔編號(hào)H01L27/02GK1929150SQ20061012915
公開日2007年3月14日 申請(qǐng)日期2006年8月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月9日
發(fā)明者沃爾克·杜德克, 邁克爾·格拉夫, 斯蒂芬·施沃恩特斯 申請(qǐng)人:愛特梅爾(德國(guó))有限公司