專利名稱：壓電諧振器的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種壓電諧振器的制造方法。本發(fā)明尤其涉及一種諸如振蕩器、鑒別器和濾波器之類的電子元件、使用壓電體機(jī)械共振的壓電諧振器的制造方法。
圖26是示出傳統(tǒng)的壓電諧振器的一例的透視圖。
圖26所示的壓電諧振器1包括例如矩形平板狀的壓電基片2。壓電基片2沿其厚度方向極化。電極3設(shè)置在壓電基片2的兩個主表面上。作為在這些電極3之間輸入信號的結(jié)果，沿壓電基片2的厚度方向施加電場，導(dǎo)致壓電基片2沿其長度方向振動。
圖26中所示的壓電諧振器是未加強(qiáng)型的，其中振動方向不同于電場方向和極化方向。這種未加強(qiáng)型的壓電諧振器的機(jī)電耦合系數(shù)低于電場方向、極化方向和振動方向相一致的加強(qiáng)型的壓電諧振器的機(jī)電耦合系數(shù)。因此，在這種未加強(qiáng)型的壓電諧振器中，諧振頻率和反諧振頻率之間的頻率差ΔF相對較小。當(dāng)壓電諧振器用于濾波器時，這導(dǎo)致帶寬很窄。因此，在壓電諧振器和使用它的電子元件中特性設(shè)計自由度小。
另外，在圖26所示的壓電諧振器中，使用長度模式的一次諧振。而由于示于圖26諧振器的結(jié)構(gòu)，會產(chǎn)生諸如三級或者五級等奇數(shù)多重高級模式，和大量寬度模式的寄生振動。
在由本發(fā)明的申請人提交的第8-110475號日本專利申請中，已經(jīng)提出具有縱向的多層基件結(jié)構(gòu)的壓電諧振器，這是交替地堆疊和層疊多個壓電層和多個電極的結(jié)果。多個壓電層沿基件的縱向極化，而且激勵縱向振動的基波振動。這種多層結(jié)構(gòu)的壓電諧振器是加強(qiáng)型的諧振器，其極化方向、電場方向和振動方向相同，結(jié)果，這種加強(qiáng)型諧振器寄生振動比未加強(qiáng)型的的壓電諧振器小，而諧振頻率和反諧振頻率之間的頻率差ΔF較大。
下面將詳細(xì)描述具有這樣多層結(jié)構(gòu)的壓電諧振器的例子。

圖1是示出傳統(tǒng)的具有多層結(jié)構(gòu)的壓電諧振器例子的透視圖，它是本發(fā)明將與之比較的背景技術(shù)。圖2是壓電諧振器的示意圖。圖3是壓電諧振器的主要部分的平面圖。
圖1中具有這種多層結(jié)構(gòu)的壓電諧振器10包括具有例如長方體的基件12?；?2包括多個壓電層12a，壓電層由例如壓電陶瓷形成并層疊。在多個壓電層12a沿基件12的長度方向的中間部分中，在兩個主表面上都形成多個內(nèi)部電極14，以相對于基件12的長度方向成正交。因此，在基件12長度方向上，沿和基件12的長度方向成直角的方向有間隙地設(shè)置多個內(nèi)部電極14。還有，如圖2中的箭頭所示沿基件12長度方向的中間部分的多個壓電層12a沿基件12的長度方向極化，從而在各個內(nèi)部電極14的兩個側(cè)面上相鄰的壓電層相互反向極化。但是，沿基件12的長度方向的兩個端部的壓電層12a不極化。在這個基件12中，內(nèi)部電極14在平行于基件12的長度方向的四個側(cè)面上暴露。
在基件12的一個側(cè)面上形成沿基件12的長度方向延伸的凹槽15。凹槽15形成在基件12的寬度方向的中心部位，將基件12的一個側(cè)面分為兩部分。另外，如圖2所示，第一絕緣薄膜16和第二絕緣薄膜18設(shè)置在由凹槽15分開的側(cè)面上。在基件12的側(cè)面上由凹槽15分開的一側(cè)，內(nèi)部電極14的每一個交替的暴露部分由第一絕緣薄膜16覆蓋。而在基件12的側(cè)面上由凹槽15分開的另一側(cè)面上，內(nèi)部電極14未由凹槽15的一側(cè)的第一絕緣薄膜16覆蓋的暴露部分由第二絕緣薄膜18覆蓋。
另外，在形成第一和第二絕緣薄膜16和18的部分，即，在凹槽15的兩側(cè)上，設(shè)置兩個外部電極20和22。因此，未由第一絕緣薄膜16覆蓋的內(nèi)部電極14連接到外部電極20，而未由第二絕緣薄膜18覆蓋的內(nèi)部電極14連接到外部電極22。即，相鄰的內(nèi)部電極14分別連接到外部電極20和外部電極22。
在這個壓電諧振器10中，外部電極20和22被用作輸入和輸出電極。在沿基件12的長度方向的中間部分中，由于相鄰內(nèi)部電極14之間的部分被極化，并且在相鄰的內(nèi)部電極14之間施加電場，故該部分壓電激勵。在這種情況下，由于互為相反的電壓施加給基件12的以相反方向極化的部分，故基件12沿相同的方向整體地擴(kuò)張或收縮。因此，在整個壓電諧振器10中，激勵縱向振動模式的基本振動，其中沿基件12的長度方向的中心部分是節(jié)點。因為在端部不設(shè)置電極，因此，沿基部12長度方向的兩端部均不極化也不施加電場。因此，兩個端部不被壓電激勵。
在壓電諧振器10中，基件12的極化方向、由輸入信號引起的電場方向和基件12的振動方向相同。即，這個壓電諧振器10是加強(qiáng)型的壓電諧振器。壓電諧振器20機(jī)電耦合系數(shù)比極化方向、電場方向和振動方向彼此不同的未加強(qiáng)型的壓電諧振器的機(jī)電耦合系數(shù)大。因此，和未加強(qiáng)型的壓電諧振器相比，這種壓電諧振器10可增加諧振頻率和反諧振頻率之間的頻率差ΔF的可選擇寬度。從而，在這個壓電諧振器10中，可以得到比未加強(qiáng)型的壓電諧振器具有更大帶寬的特性。另外，這個壓電諧振器10寄生諧振比未加強(qiáng)型的的壓電諧振器的小。而且，在這個壓電諧振器10中，由于外部電極20和22形成在其公共單側(cè)面上，故它可以表面安裝在例如絕緣基片上。
下面將參照圖4到13描述這種壓電諧振器10的制造方法。在這些圖中，為描述簡便，形成壓電層12a的未燒結(jié)片的層數(shù)和形成圖2和3所示的壓電諧振器10的壓電層12a的層數(shù)不一致。但是，論壓電層的數(shù)量，下面的制造過程是相同的。
當(dāng)制造這種壓電諧振器10時，如圖4所示，首先制備未燒結(jié)片30。包含例如銀、鈀、有機(jī)粘結(jié)劑等等的導(dǎo)電膏覆蓋在未燒結(jié)片30的一個表面上，形成導(dǎo)電膏層32。導(dǎo)電膏層32形成在包括未燒結(jié)片30的一端側(cè)的整個表面上。層疊多個未燒結(jié)片30。這時，未燒結(jié)片30被層疊，從而其它沒有形成導(dǎo)電膏層32的端部以相反方向設(shè)置。另外，由于將導(dǎo)電膏覆蓋在層疊體相對的側(cè)面上，然后燒結(jié)，故形成諸如圖5中所示的層疊的基件34。
在層疊基件34的內(nèi)部，作為燒結(jié)導(dǎo)電膏層32的結(jié)果，形成多個內(nèi)部電極36。這些內(nèi)部電極36交替地暴露于層疊基件34的相對的部分。然后，在多層疊基件34相對部分中，形成電極38和40，其中每一個交替的內(nèi)部電極36都連接到這兩個電極。通過給極化電極38和40施加直流電壓，在多層疊基件34上進(jìn)行極化過程。這時，在多層基件34的內(nèi)部，直流強(qiáng)電場施加在相鄰內(nèi)部電極36之間，而且施加電場方向相反。因而，層疊基件34在內(nèi)部電極36兩側(cè)以相反方向極化，如圖5中的箭頭所示的。
接著，如圖6中的虛線所示，層疊基件34由切塊機(jī)之類的裝置以這樣的方式切割，以便和多個內(nèi)部電極36和極化電極38及40成直角相交。
然后，如圖8中所示，絕緣薄膜44如此設(shè)置，以便在層疊體42的主表面上形成棋盤格圖案。在這種情況下，在沿對于棋盤格圖案的內(nèi)部電極36為垂直方向一列中，絕緣薄膜44設(shè)置對應(yīng)于層疊體42的內(nèi)部電極36為垂直方向的交替內(nèi)部電極36上。且，在相應(yīng)于層疊體42的相鄰內(nèi)部電極36的垂直的一列中，絕緣薄膜44形成在相鄰一列上未用絕緣薄膜44覆蓋的內(nèi)部電極36上。
此后，在該層疊體42中，在形成絕緣薄膜44的整個表面上，如圖9所示，通過噴濺或類似方式形成外部電極48。
然后，層疊體42中，形成凹槽15，以便在圖10點劃線所示部分，具體地是在圖11點劃線之間部分，即在設(shè)置棋盤格圖案的絕緣在薄膜44的相鄰列的邊界部分中的層疊體42的主表面上，通過切割機(jī)械，以與內(nèi)部電極36的表面成直角地相交；進(jìn)而，通過如圖12所示切割該層疊體42，在圖10虛線所示部分，具體地在圖11點劃線之間部分，即在這些凹槽15的中間部分，形成圖1及圖2所示壓電諧振器10。
但是，在上述方法中，當(dāng)層疊體42中形成凹槽15的位置偏離切割裝置邊沿厚度(相應(yīng)于凹槽15的寬度)的1/2或者更多時，例如如圖13中所示，凹槽15從絕緣薄膜44相鄰列的邊界偏離。在這種情況下，在要形成的壓電諧振器10中，如圖14所示，要絕緣的內(nèi)部電極36(14)未由絕緣薄膜44(16)完全絕緣，外部電極48(20)和48(22)之間的部分短路。由此，在上述方法里，凹槽15必需形成得以便包括絕緣薄膜44的邊沿，而且凹槽15形成的位置需要高精確度，使得難于以高成品率制造壓電諧振器10。
為了用上述傳統(tǒng)的裝置解決問題，本發(fā)明的較佳實施例提供了一種壓電諧振器的制造方法，從而可以容易地精確且以高成品率制造具有多層結(jié)構(gòu)的可表面安裝的壓電諧振器。
本發(fā)明的較佳實施例提供了一種制造諧振元件的方法，該方法包括下述步驟制備具有相互層疊的多層壓電層和多個內(nèi)部電極的層疊體；在層疊體的一個表面上內(nèi)部電極的暴露部分處形成絕緣薄膜，其中具有多個開口的絕緣薄膜構(gòu)成大致上平行的列，該平行的列大致上平行于層疊體的層疊方向；在有絕緣薄膜位于的大致整個表面上形成外部電極；在有外部電極的表面上形成多個凹槽，并大致上平行于凹槽切割該層疊體；其中第一列中的第一組開口設(shè)置在內(nèi)部電極的每一個交替的暴露部分，在相鄰于第一列的第二列中的第二組開口設(shè)置在內(nèi)部電極剩下的交替的暴露部分上，第一和第二列相互分開一預(yù)定的距離，并且凹槽位于第一和第二列之間。
在上述方法中，最好滿足關(guān)系0＜X＜(W-a)/2，其中，W是壓電諧振器的寬度，a是凹槽的寬度，而x是第一列和相鄰的第二列之間預(yù)定的尺寸。
根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例，可制造一種具有多層結(jié)構(gòu)的可表面安裝的壓電諧振器。
還有，在根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例的壓電諧振器的制造方法中，如此地形成絕緣薄膜，從而第一和第二列分開一預(yù)定的距離。因此，即使凹槽形成在層疊體中的位置稍微地偏離預(yù)定的位置，但在電極之間也不會發(fā)生短路，并且容易以高成品率制造壓電諧振器。
從下面參照附圖對本發(fā)明的較佳實施例的描述，本發(fā)明的其它特定和優(yōu)點是顯而易見的。
圖1是示出涉及本發(fā)明的背景技術(shù)的壓電諧振器一例的透視圖。
圖2是圖1所示的壓電諧振器的概圖。
圖3是圖1所示的壓電諧振器主要部分的平面圖。
圖4是示出堆疊和層疊陶瓷未燒結(jié)片等以制造壓電諧振器的狀態(tài)的透視圖。
圖5是示出由圖4中所示的陶瓷未燒結(jié)片制成的層疊體基件的示意圖。
圖6是示出切割圖4中所示的層疊體基件的示意圖。
圖7是切割諸如圖6中所示的層疊體基件的示意圖。
圖8是示出在圖7所示的層疊體基件中設(shè)置絕緣薄膜的狀態(tài)的示意圖。
圖9是示出在圖8所示的層疊體基件中設(shè)置外部電極的狀態(tài)的的示意圖。
圖10是示出通過在圖9所示的層疊體基件中形成凹槽并切割該層疊體基件而制造壓電諧振器的步驟的示意圖。
圖11是圖10所示的步驟的主要部分的示意圖。
圖12是圖11所示的步驟制造的壓電諧振器的示意圖。
圖13示出在層疊體基件形成凹槽的位置和切割層疊體基件的位置在圖11所示的步驟中偏離的情況下的步驟主要部分的示意圖。
圖14是以圖13所示的步驟制造的壓電諧振器的示意圖。
圖15是在根據(jù)本發(fā)明較佳實施例的制造壓電諧振器的方法，通過在層疊體基件中形成凹槽和切割該層疊體基件制造壓電諧振器的步驟主要部分的示意圖。
圖16是圖15所示的方法制造的壓電諧振器的示意圖。
圖17是在圖15所示的步驟中凹槽位置和切割位置偏離的情況下的步驟主要部分的示意圖。
圖18是由圖17所示的方法制造的壓電諧振器的示意圖。
圖19是在圖15所示的步驟中凹槽位置和切割位置偏離情況下的步驟主要部分的示意圖。
圖20是由圖19中所示的方法制造的壓電諧振器的示意圖。
圖21是包括圖1中所示的壓電諧振器的電子元件的一例的分解透視圖。
圖22是圖21所示的電子元件中的壓電諧振器的安裝結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
圖23是示出包括圖1所示的壓電諧振器的梯形濾波器的一例主要部分的平面圖。
圖24是圖23中所示的梯形濾波器的主要部分的分解透視圖。
圖25是圖23中所示的梯形濾波器的電路圖。
圖26是涉及本發(fā)明的背景技術(shù)的傳統(tǒng)的壓電諧振器的一例的透視圖。
下面將描述一種壓電諧振器與圖1和圖12所示的的壓電諧振器的制造方法的較佳實施例。
首先，通過和圖1和12所示的壓電諧振器10的制造方法相同的步驟制造圖7所示的層疊體42。
然后，如圖15中所示，在這個層疊體42的一個表面中以下述方式形成絕緣薄膜44，和圖8中所示的棋盤格圖案相比相對于內(nèi)部電極36的垂直方向是連續(xù)的設(shè)置重疊部分46。即，48(20)的第一列開口和與該第一列開口相鄰的48(22)的第二列開口(它們都大致平行于層疊體的層疊方向)相互分開一預(yù)定的距離。
此后，如圖15所示，在這個層疊體42中，通過噴濺或類似的方式在形成絕緣薄膜44(包括重疊部分46)的整個表面上形成外部電極48。
接著，在層疊體42中，通過切割裝置形成凹槽15，使在圖15中點劃線所示的部分中和內(nèi)部電極36的表面成直角相交，即，在絕緣薄膜44的重疊部分46的大致中心部分，及圖15中的虛線之間的部分中，即在這些凹槽15的中間部分中，通過切割層疊體42形成圖16中所示的壓電諧振器10’。
和圖1所示的壓電諧振器比較，在圖16中所示的壓電諧振器10’中，絕緣薄膜44的重疊部分46保留在凹槽15的兩側(cè)上。但是，由于內(nèi)部電極36(14)在重疊部分46中并不完全地絕緣，故內(nèi)部電極36(14)不會產(chǎn)生連接故障。結(jié)果，壓電諧振器10’大致上和圖1中所示的壓電諧振器10相同，并具有類似的功能。
在上述本發(fā)明的較佳實施例的方法中，當(dāng)壓電諧振器的寬度表示為W，凹槽的寬度表示為a，而絕緣薄膜44的重疊部分46的寬度表示為x，則最好滿足0＜x＜(W-a)/2。因此，即使層疊體42中形成凹槽15的位置偏離切割裝置邊沿厚度的1/2或者更多，它并不完全地偏離絕緣薄膜44的重疊部分46，例如如圖17中所示。在這種情況下，在要形成的壓電諧振器10”中，如圖18所示，絕緣薄膜44的重疊部分46留在凹槽15的一側(cè)上。但是，內(nèi)部電極36(14)在重疊部分46中并不完全地絕緣，內(nèi)部電極36(14)暴露在基件12的另一側(cè)上，而內(nèi)部電極36(14)不會引起連接故障。結(jié)果，壓電諧振器10”變得大致上和圖1所示的壓電諧振器10相同，而且具有類似的功能。
因此，在本發(fā)明的較佳實施例的上述方法中，即使形成凹槽15的位置稍微偏離預(yù)定的位置(沿大致平行于絕緣薄膜的重疊部分的內(nèi)部電極的方向的大致中心部分)，在電極之間不會發(fā)生短路，而且容易高成品率地制造可表面安裝的，多層結(jié)構(gòu)的壓電諧振器。
如圖19中所示，當(dāng)凹槽15在絕緣薄膜44的重疊部分46旁形成時，如果重疊部分46的尺寸x是(W-a)/2或更大，則內(nèi)部電極36(14)在重疊部分46中完全地絕緣，如圖20中所示。
即使是在這種情況下，如果絕緣薄膜44的重疊部分46的尺寸x設(shè)為0＜x＜(W-a)/2，則內(nèi)部電極36(14)不完全絕緣。
還是在本發(fā)明的較佳實施例中，如果用于形成凹槽15的邊沿的厚度形成得大于絕緣薄膜44的重疊部分46的寬度x，在凹槽15形成在預(yù)定位置的情況下，可以得到無絕緣薄膜44的重疊部分46的壓電諧振器10。在這種情況下，即使凹槽15形成在稍微偏離預(yù)定期望位置的位置上，仍可以得到無絕緣薄膜44的重疊部分46的壓電諧振器10。
通過使用上述壓電諧振器10，可制造一種電子元件，諸如振蕩器和鑒別器。圖21是示出電子元件60的例子的透視圖。電子元件60包括絕緣基片62。兩個凹口64形成在絕緣基片62每一個相對的端部。兩個圖案電極66和68設(shè)置在絕緣基片62的一個主表面上。圖案電極66之一以大致L形狀從凹槽的一端朝絕緣基片62的大致中心部分形成在相對的凹槽64之間。還有，其它的圖案電極68以L形狀從凹槽的另一端朝絕緣基片62的大致中心部分形成在其它相對的凹槽64之間。然后，在絕緣基片62的中心部分附近，形成兩個圖案電極66和68，以便間隔地彼此相對。圖案電極66和68形成得以便自絕緣基片62的端部朝另一個表面延伸。
如圖22所示，由導(dǎo)電材料制成的支撐部件24(設(shè)置在壓電諧振器10的外部電極20和22的每一個大致中心部分中)通過例如導(dǎo)電結(jié)合劑連接到絕緣基片62大致中心部分中的圖案電極66和68的端部。結(jié)果，壓電諧振器10的外部電極20和22固定在絕緣基片62上，并且也電氣連接到圖案電極66和68。
另外，金屬罩74置于絕緣基片62上。這時，將絕緣樹脂涂涂覆在絕緣基片62和圖案電極66及68上，從而金屬罩74不和圖案電極66和68電氣連接。
然后，作為安裝金屬罩74的結(jié)果，完成了電子元件60。在該電子元件60中，從絕緣基片62的端部周圍延伸到后表面的圖案電極66和68被用作與外部電路連接的輸入和輸出端。
在這個電子元件60中，由于壓電諧振器10由位于沿基片12的長度方向的大致中心部分的支承部件24支撐，壓電諧振器10的端部和絕緣基片62分開，因此允許自由和無阻礙地振動。還有，該大致的中心部分(它是壓電諧振器10的節(jié)點)由支承部件24固定，并且外部電極20和22及圖案電極66和68相互電氣連接。由于支承部件24預(yù)先形成在壓電諧振器10中，故可以精確定位在壓電諧振器10的節(jié)點處。因此，和在圖案電極66和68上形成突出形狀的支承部件，并在其上安裝壓電諧振器的情況相比，可以精確地支撐節(jié)點。因此，防止了壓電諧振器10的振動的泄漏，并且得到極好的諧振器特性。還有，消除了對使用導(dǎo)線以將壓電諧振器10的外部電極20和22連接到圖案電極66和68的需要，并且電子元件60可以低成本地制造。
另外，電子元件60和IC等等可以安裝在電路基板中，可以用作振蕩器和鑒別器。由于這種結(jié)構(gòu)的電子元件60由金屬罩74密封和保護(hù)，故這種元件可以用作可通過再流焊接等方法安裝的片狀元件。
在將電子元件60用作振蕩器的情況下，由于使用了上述壓電諧振器10，寄生振動被抵制得最小化，并且防止了由寄生振動產(chǎn)生的異常振動。還有，由于可以自由地設(shè)置壓電諧振器10的電容值，故容易得到和外部電路匹配的阻抗。尤其，當(dāng)元件用作壓控振蕩器的振蕩元件時，由于諧振器的ΔF較大，可以得到比原來更寬的可變頻率范圍。
當(dāng)這個電子元件60用作鑒別器時，諧振器的ΔF較大的特點導(dǎo)致峰值間隔較寬的特點。而且，由于諧振器的電容設(shè)計范圍較寬，故容易得到和外部電路匹配的阻抗。
另外，使用多個壓電諧振器10使得可以制造梯形濾波器。圖23是用作具有梯形電路的梯形濾波器的電子元件的一例主要部分的平面圖。圖24是其主要部分的分解透視圖。在圖23和24所示的電子元件60中，四個圖案電極90、92、94和96設(shè)置在絕緣基片62上。在這些圖案電極90到96上設(shè)置五個結(jié)合區(qū)，這五個結(jié)合區(qū)排成一列，相互間有間距。在這種情況下，絕緣基片62一端的第一結(jié)合區(qū)形成在圖案電極90上，第二結(jié)合區(qū)和第五結(jié)合區(qū)形成在圖案電極92中，第三結(jié)合區(qū)形成在圖案電極94中，第四結(jié)合區(qū)形成在圖案電極96中。
設(shè)置在各個壓電諧振器10a、10b、10c和10d的外部電極20和22上的支撐部件24安裝到這些結(jié)合區(qū)上。在這種情況下，為了構(gòu)成圖25所示的梯形電路，安裝壓電諧振器10a到10d。然后，金屬罩(圖中未示)放置在絕緣基片62上。
這個電子元件60被用作具有梯形電路的梯形濾波器，諸如圖25中所示的那樣。這時，例如兩個壓電諧振器10a和10d用作串聯(lián)諧振器，而另外兩個壓電諧振器10b和10c用作并聯(lián)諧振器。這樣的梯形濾波器如此地設(shè)計，從而并聯(lián)諧振器10b和10c的容量超過串聯(lián)諧振器10a和10d的容量。
梯形濾波器的衰減取決于串聯(lián)諧振器與并聯(lián)諧振器的電容比。在電子元件60中，通過改變壓電諧振器10a到10d的層數(shù)，可以調(diào)節(jié)容量。因此，通過調(diào)節(jié)壓電諧振器10a到10d的容量，可以實現(xiàn)比在使用利用橫壓電效應(yīng)的傳統(tǒng)的壓電諧振器的情況下具有更大衰減及更少諧振器數(shù)量的梯形濾波器。還有，由于壓電諧振器10a到10d的ΔF比傳統(tǒng)的壓電諧振器的要大，故可以實現(xiàn)與使用傳統(tǒng)壓電諧振器的梯形濾波器相比通帶的帶寬更寬的梯形濾波器。
雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的較佳實施例具體示出和描述了本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員知道，在不背離本發(fā)明的主旨的情況下可以有上述和其它形式和細(xì)節(jié)的變化。
權(quán)利要求
1．一種制造諧振元件的方法，其特征在于包含以下步驟制備具有沿層疊的方向相互層疊的多個壓電層和多個內(nèi)部電極的層疊體；在所述內(nèi)部電極暴露部分上的所述層疊體的第一表面上形成絕緣薄膜，所述絕緣薄膜具有多個排列為大致上平行于所述層疊體的層疊方向的列的開口；在形成有所述絕緣薄膜的表面上形成外部電極；在形成有所述外部電極的表面上形成多個凹槽；及大致上平行于所述凹槽地切割所述多層疊體；其中，第一所述列的第一組所述開口設(shè)置在所述內(nèi)部電極的每一個交替的暴露部分，而相鄰于所述第一列開口的所述第二列第二組開口中的開口設(shè)置在所述內(nèi)部電極剩下的交替的暴露部分；所述第一列和第二列相互分開一預(yù)定的距離，并且所述凹槽形成在所述第一和第二列之間。
2．如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于滿足關(guān)系式0＜X＜(W-a)/2，其中，W是所述壓電諧振器的寬度，a是所述凹槽的寬度，而x是所述第一列和所述第二列之間預(yù)定的尺寸。
3．如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述外部電極形成在形成有所述絕緣薄膜的表面的大致整個表面上。
4．如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成絕緣薄膜的步驟包含連續(xù)地沿相對于所述內(nèi)部電極垂直方向形成絕緣薄膜的重疊部分的步驟。
5．如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成所述多個凹槽的步驟之后，凹槽在其側(cè)面僅由所述絕緣薄膜圍繞，并且不直接接觸外部電極。
6．如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的形成多個所述凹槽的步驟之后，多個外部電極位于每一個凹槽的側(cè)面，并且如此排列，以便一個位于凹槽的第一側(cè)的外部電極并不和另一個外部電極相對。
7．如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于還包括如此地形成絕緣薄膜的重疊部分，從而內(nèi)部電極在重疊部分中并不完全地絕緣的步驟。
8．如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于還包含形成絕緣薄膜的重疊部分的步驟，并且在形成多個凹槽的步驟之后，絕緣薄膜的重疊部分保持在每一個所述凹槽的兩側(cè)上。
9．如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述諧振元件是振蕩器。
10．如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述諧振元件是鑒別器。
11．一種梯形濾波器的制造方法，其特征在于包含以下步驟制備具有沿層疊方向相互層疊的多個壓電層和多個內(nèi)部電極的層疊體；在所述內(nèi)部電極暴露部分上的所述層疊體的第一表面上絕緣薄膜，上述絕緣薄膜具有多個排列成大致上平行于所述層疊體的層疊方向的列的；在形成有所述絕緣薄膜的表面上形成外部電極；在形成有所述外部電極的表面上形成多個凹槽；及大致上平行于所述凹槽地切割所述層疊體，以形成多個壓電諧振器；其中所述第一列的第一組所述開口設(shè)置在每一個所述內(nèi)部電極的交替的暴露部分，相鄰于所述第一列開口的所述第二列的第二組所述開口設(shè)置每一個在所述內(nèi)部電極的剩下的暴露部分上；所述第一列和所述第二列分開一預(yù)定的距離，并且所述凹槽形成在所述第一和第二列之間。
12．如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于滿足關(guān)系0＜X＜(W-a)/2，其中，W是所述壓電諧振器的寬度，a是所述凹槽的寬度，而x是所述第一列和所述第二列之間預(yù)定的尺寸。
13．如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述外部電極形成在形成有所述絕緣薄膜的表面的大致整個表面上。
14．如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述形成絕緣薄膜的步驟包含連續(xù)地相對于所述內(nèi)部電極的垂直方向形成絕緣薄膜的重疊部分的步驟。
15．如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，在所述形成多個所述凹槽的步驟后，所述凹槽在其每一個側(cè)面上僅由所述絕緣薄膜圍繞，并不直接接觸所述外部電極。
16．如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，在形成所述多個凹槽的步驟之后，所述多個外部電極位于每一個所述凹槽的兩側(cè)之一上，并且如此設(shè)置，使所述位于所述凹槽之一的第一側(cè)上的外部電極不和另一個外部電極相對。
17．如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于還包含形成所述絕緣薄膜的重疊部分的步驟，從而所述內(nèi)部電極在所述重疊部分中不完全被絕緣。
18．如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于還包含形成所述絕緣薄膜的重疊部分的步驟，并且在形成所述多個凹槽的步驟之后，所述絕緣薄膜的所述重疊部分保持在所述每一個凹槽的兩側(cè)上。
19．如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于還包含將所述多個壓電諧振器安裝在所述包含多個圖案電極的基片上，從而所述壓電諧振器連接到各個圖案電極的步驟。
20．如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于壓電諧振器和圖案電極確定了梯形電路。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種諧振元件的制造方法,包括以下步驟:制備層疊體;在形成有絕緣薄膜的大致整個表面上形成外部電極;在形成所述外部電極的表面上形成多個凹槽,并平行于所述凹槽地切割層疊體;其中所述第一列中第一組所述開口設(shè)置在每一個所述內(nèi)部電極的交替的暴露部分,而相鄰于所述第一列的所述第二列的第二組剩余開口設(shè)置在所述內(nèi)部電極的每一個剩余交替的暴露部分。本方法可以高成品率制造諧振元件。
文檔編號H03H9/17GK1224248SQ9812089
公開日1999年7月28日 申請日期1998年9月29日 優(yōu)先權(quán)日1997年10月3日
發(fā)明者竹島哲夫, 山崎武志, 草開重雅, 川合豐 申請人:株式會社村田制作所