專利名稱：有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝方法和結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種封裝方法和結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置(Organic Light Emitting Device; OLED)的封裝方法和結(jié)構(gòu)。
技術(shù)背景目前有機(jī)發(fā)光顯示裝置常見的技術(shù)是應(yīng)用膜上芯片封裝(Chip on Film; COF)組件與顯示的玻璃襯底相互連接，此技術(shù)是將驅(qū)動(dòng)IC直接接合在薄膜 上，COF是一種將驅(qū)動(dòng)IC的倒裝芯片接合(Flip Chip Bonding)在柔性印刷電 路(Flexible Printed Circuit; FPC)板基材上的技術(shù)，也就是可將驅(qū)動(dòng)IC和其 電子零件直接固定在薄膜上，可省去傳統(tǒng)的印刷電路板，而達(dá)到更輕薄短小 的目的。而有機(jī)發(fā)光顯示裝置的另一種常見的技術(shù)是將玻璃上芯片(Chip on Glass; COG)技術(shù)應(yīng)用在具有顯示電路的玻璃襯底上，將驅(qū)動(dòng)IC直接設(shè)置在 玻璃襯底上，此技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是提高整體封裝密度并減輕重量，從而使得顯示 面板更為輕薄，且可減少使用材料降低生產(chǎn)成本。然而有機(jī)發(fā)光顯示裝置卻常因?qū)Ь€區(qū)的導(dǎo)線產(chǎn)生侵蝕，而導(dǎo)致電路燒毀 或短路，因此導(dǎo)致有機(jī)發(fā)光顯示裝置的發(fā)光區(qū)顯示不正常，發(fā)生例如不正常 亮線或不正常暗線的情形。圖l(a)是常規(guī)有機(jī)發(fā)光顯示裝置封裝結(jié)構(gòu)的俯視示意圖，所述有機(jī)發(fā)光 顯示裝置IO包含形成于襯底100上的發(fā)光區(qū)110和導(dǎo)線區(qū)120。所述發(fā)光區(qū) 110內(nèi)包含多個(gè)陽極線和多個(gè)陰極線(未圖示)，疊置在所述襯底100上，并 由上蓋體150和襯底100將發(fā)光區(qū)110內(nèi)的線路密封在一空間內(nèi)。所述導(dǎo)線 區(qū)120包含多個(gè)連接所述陽極線的陽極導(dǎo)線120a以及多個(gè)連接所述陰極線 的陰極導(dǎo)線120b，分別疊置在所述發(fā)光區(qū)110外的襯底100上。圖l(b)是圖l(a)中的有機(jī)發(fā)光顯示裝置封裝結(jié)構(gòu)沿A—A剖面線的剖面 圖。無論是COF或COG方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，常規(guī)有機(jī)發(fā)光顯示裝置IO的封裝方法是首先將第一封膠層140覆蓋在所述發(fā)光區(qū)IIO外圍所述導(dǎo)線區(qū)120的襯底100上；接著再將上蓋體150覆蓋在所述第一封膠層140和所 述發(fā)光區(qū)110上。最后將第二封膠層160覆蓋在所述導(dǎo)線區(qū)120的襯底100上。但實(shí)際應(yīng)用上在所述第二封膠層160與所述上蓋體150的接縫處仍會(huì)有 部分的水氣與氧氣會(huì)滲透進(jìn)所述封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)，使得所述陽極導(dǎo)線120a或所 述陰極導(dǎo)線120b導(dǎo)線受到侵蝕，而導(dǎo)致有機(jī)發(fā)光顯示裝置電路發(fā)生燒毀或 短路的情形。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的主要目的是提供一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝方法和結(jié)構(gòu)，其 能降低或避免導(dǎo)線因?yàn)榄h(huán)境中水氣和氧氣導(dǎo)致劣化，減少導(dǎo)線燒毀或短路， 提高顯示質(zhì)量，延長使用壽命，并降低不合格產(chǎn)品的損失成本。所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包含形成在襯底上的發(fā)光區(qū)和導(dǎo)線區(qū)，所述導(dǎo)線 區(qū)包含多個(gè)陽極導(dǎo)線和多個(gè)陰極導(dǎo)線。本發(fā)明的封裝方法包含以下步驟首先，將絕緣材料層覆蓋在所述導(dǎo)線 區(qū)的部分區(qū)域，以包覆所述陽極導(dǎo)線或所述陰極導(dǎo)線；再將第一封膠層覆蓋 在所述絕緣材料層上；接著將上蓋體覆蓋在所述第一封膠層和所述發(fā)光區(qū) 上；最后將第二封膠層覆蓋在所述絕緣材料層上和所述導(dǎo)線區(qū)未被覆蓋的區(qū) 域上，以保護(hù)在所述第一封膠層外導(dǎo)線區(qū)的所述陽極導(dǎo)線或所述陰極導(dǎo)線不 受外界水氣或氧氣的侵蝕。在所述封裝方法中，所述絕緣材料層的覆蓋方式是蒸鍍、濺鍍、浸鍍、 噴霧、噴印、網(wǎng)印、滾筒、旋轉(zhuǎn)涂布或手動(dòng)涂抹。在所述封裝方法中，所述絕緣材料層是抗氧化絕緣材料，所述抗氧化絕 緣材料是二氧化硅、二氧化鈦、氮化硅、環(huán)氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、陶瓷 材料、塑鋼材料、特氟龍、聚亞酰胺、或鄰甲酚樹脂。在所述封裝方法中，所述絕緣材料層的材料是以物理粘附或化學(xué)共價(jià)鍵 鍵合或光化學(xué)反應(yīng)硬化方式成膜覆蓋在所述陽極導(dǎo)線或陰極導(dǎo)線上。在所述封裝方法中，所述絕緣材料層的材料的吸水率優(yōu)選小于0.15%。在所述封裝方法中，所述絕緣材料層的材料的常溫絕緣阻抗大于1013Q 。在所述封裝方法中，所述絕緣材料層的材料的熱變形溫度大于200°C 。在所述封裝方法中，所述絕緣材料層的材料的厚度介于0.1 pm至1 mm。 在所述封裝方法中，所述第一封膠層的材料優(yōu)選是紫外光固化樹脂。 在所述封裝方法中，所述第二封膠層的材料選自硅酮膠或紫外光固化樹脂。在所述封裝方法中，所述絕緣材料層包覆所述陽極導(dǎo)線。 在所述封裝方法中，所述絕緣材料層包覆陽極導(dǎo)線和陰極導(dǎo)線。 在所述封裝方法中，包覆所述陽極導(dǎo)線和陰極導(dǎo)線的所述絕緣材料層是由單一區(qū)塊組成的。在所述封裝方法中，包覆所述陽極導(dǎo)線和所述陰極導(dǎo)線的所述絕緣材料層是由多個(gè)區(qū)塊組成的。在所述封裝方法中，所述陽極導(dǎo)線和陰極導(dǎo)線共同匯集在所述襯底的同一邊。在所述封裝方法中，所述陽極導(dǎo)線和陰極導(dǎo)線分別匯集在所述襯底的相 鄰邊。在所述封裝方法中，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的相對應(yīng)驅(qū)動(dòng)IC采用膜上 芯片封裝或玻璃上芯片封裝的方式與所述襯底接合。在所述封裝方法中，所述陽極導(dǎo)線的材料是導(dǎo)電玻璃氧化銦錫。 在所述封裝方法中，所述陰極導(dǎo)線的材料是導(dǎo)電玻璃氧化銦錫上涂布有金屬層。本發(fā)明還提供一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)，包含襯底；發(fā) 光區(qū)；導(dǎo)線區(qū)，包含多個(gè)陽極導(dǎo)線和多個(gè)陰極導(dǎo)線，疊置在所述發(fā)光區(qū)外的 襯底上；絕緣材料層，覆蓋在所述導(dǎo)線區(qū)的部分區(qū)域，以至少包覆所述陽極 導(dǎo)線或所述陰極導(dǎo)線；第一封膠層，覆蓋在所述絕緣材料層上；上蓋體，覆 蓋在所述第一封膠層和所述發(fā)光區(qū)上；和第二封膠層，覆蓋在所述絕緣材料 層上和所述導(dǎo)線區(qū)未被覆蓋的區(qū)域上。在所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)中，所述第一封膠層進(jìn)- 步覆蓋在 所述發(fā)光區(qū)和所述絕緣材料層之間的導(dǎo)線區(qū)上。在所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)中，所述第二封膠層粘著接合所述 上蓋體的邊緣區(qū)域。在所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)中，所述絕緣材料層的覆蓋方式是 蒸鍍、濺鍍、浸鍍、噴霧、噴印、網(wǎng)印、滾筒、旋轉(zhuǎn)涂布或手動(dòng)涂抹。在所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)中，所述絕緣材料層是抗氧化絕緣 材料，所述抗氧化絕緣材料是二氧化硅、二氧化鈦、氮化硅、環(huán)氧樹脂、不 飽和聚酯樹脂、陶瓷材料、塑鋼材料、特氟龍、聚亞酰胺、或鄰甲酚樹脂。在所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)中，所述絕緣材料層的材料以物理 黏附或化學(xué)共價(jià)鍵鍵合或光化學(xué)反應(yīng)硬化方式成膜覆蓋在所述陽極導(dǎo)線或 陰極導(dǎo)線上。在所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)中，所述絕緣材料層的材料的吸水率小于0.15%。在所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)中，所述絕緣材料層的材料的常溫 絕緣阻抗大于1013 Q 。在所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)中，所述絕緣材料層的材料的熱變 形溫度大于200°C。在所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)中，所述絕緣材料層的材料的厚度 介于0.1 ,至1 mm。在所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)中，所述第一封膠層的材料是紫外 光固化樹脂。在所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)中，所述第二封膠層的材料可選自 硅酮膠或紫外光固化樹脂。在所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)中，所述絕緣材料層包覆所述陽極 導(dǎo)線。在所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)中，所述絕緣材料層包覆所述陽極 導(dǎo)線和陰極導(dǎo)線。在所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)中，包覆所述陽極導(dǎo)線和所述陰極 導(dǎo)線的所述絕緣材料層由單一區(qū)塊組成。在所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)中，包覆所述陽極導(dǎo)線和所述陰極 導(dǎo)線的所述絕緣材料層由多個(gè)區(qū)塊組成。在所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)中，所述陽極導(dǎo)線和所述陰極導(dǎo)線 共同匯集在所述襯底的同一邊。 在所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)中，所述陽極導(dǎo)線和所述陰極導(dǎo)線 分別匯集在所述襯底的相鄰邊。在所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)中，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的相對 應(yīng)驅(qū)動(dòng)IC釆用膜上芯片封裝或玻璃上芯片封裝的方式與所述襯底接合。在所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)中，所述陽極導(dǎo)線的材料是導(dǎo)電玻 璃氧化銦錫。在所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)中，所述陰極導(dǎo)線的材料是導(dǎo)電玻 璃氧化銦錫上涂布有金屬層。通過本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置封裝方法產(chǎn)生的封裝結(jié)構(gòu)，能夠完全阻 絕外在的水氣與氧氣對顯示裝置鄰接發(fā)光區(qū)的部分導(dǎo)線產(chǎn)生侵蝕。如果所述 第二封膠層與所述上蓋體的接縫處有部分的水氣與氧氣滲透進(jìn)入所述封裝 結(jié)構(gòu)內(nèi)，那么由于有所述絕緣材料層包覆所述陽極導(dǎo)線或所述陰極導(dǎo)線，使 得導(dǎo)線可免于受到侵蝕，進(jìn)而使有機(jī)發(fā)光顯示裝置電路不會(huì)發(fā)生燒毀或短路 的情形。


圖l(a)是常規(guī)有機(jī)發(fā)光顯示裝置封裝結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；圖l(b)是圖l(a)中的有機(jī)發(fā)光顯示裝置封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖2(a)是本發(fā)明第一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置封裝結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；圖2(b)是圖2(a)中的有機(jī)發(fā)光顯示裝置封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖； 圖3(a) 3(d)是本發(fā)明的不同實(shí)施例中的絕緣材料層覆蓋在所述導(dǎo)線區(qū) 的俯視圖；圖4(a)是本發(fā)明第二實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的襯底俯視示意圖； 圖4(b)所示是絕緣材料層覆蓋在圖4(a)中所述導(dǎo)線區(qū)的俯視圖；禾口 圖5所示是圖3(b)-3(d)中所述絕緣材料層包覆所述陽極導(dǎo)線和陰極導(dǎo)線 的剖面圖。
具體實(shí)施方式
圖2(a)是本發(fā)明第一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置封裝結(jié)構(gòu)的俯視示意
圖，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置封裝結(jié)構(gòu)20包含形成在襯底200上的發(fā)光區(qū)210和導(dǎo)線區(qū)220。所述發(fā)光區(qū)210內(nèi)包含多個(gè)疊置在所述襯底200上的陽極線 和多個(gè)陰極線(未圖示)，并由上蓋體250和襯底200將發(fā)光區(qū)210內(nèi)線路 密封在一空間內(nèi)。所述導(dǎo)線區(qū)220包含多個(gè)連接所述陽極線的陽極導(dǎo)線22()a 和多個(gè)連接所述陰極線的陰極導(dǎo)線220b，分別疊置在所述發(fā)光區(qū)210外的襯 底200上。所述陽極導(dǎo)線220a和陰極導(dǎo)線220b共同匯集在所述襯底200的 同一邊。圖2(b)是圖2(a)有機(jī)發(fā)光顯示裝置封裝結(jié)構(gòu)沿B—B剖面線的剖面圖。 所述封裝結(jié)構(gòu)是以封裝方法來實(shí)現(xiàn)的，所述方法的步驟如下首先，將絕緣材料層230覆蓋在所述導(dǎo)線區(qū)220的部分區(qū)域，以包覆所 述陽極導(dǎo)線220a或所述陰極導(dǎo)線220b。覆蓋方式是對所述陽極導(dǎo)線220a或 陰極導(dǎo)線220b實(shí)施蒸鍍、濺鍍、浸鍍、噴霧、噴印、網(wǎng)印、滾筒、旋轉(zhuǎn)涂 布或手動(dòng)涂抹等方式包覆絕緣材料以隔絕陽極導(dǎo)線或陰極導(dǎo)線與大氣的接 觸。使用的絕緣材料以滿足下列數(shù)值為優(yōu)選實(shí)施條件(1)吸水率<0.15%; (2) 常溫絕緣阻抗>1013 Q; (3)熱變形溫度》0(TC; (4)厚度介于0.1 pm lmm。 所述絕緣材料層230的材料可選自二氧化硅(SiO2)、 二氧化鈦(Ti02)、氮化硅 (Si3N4)、環(huán)氧樹脂(Epoxy)、不飽和聚酯樹脂、陶瓷材料、塑鋼材料、特氟龍 (Teflon)、聚亞酰胺(Poly-Imide)、和鄰甲酚樹脂(Novolac)等抗氧化絕緣材料。 所述絕緣材料以物理粘附或化學(xué)共價(jià)鍵鍵合或光化學(xué)反應(yīng)硬化方式成膜覆 蓋在所述陽極導(dǎo)線220a或陰極導(dǎo)線220b上。接著再將第一封膠層240覆蓋在所述絕緣材料層230上，和所述發(fā)光區(qū) 210與所述絕緣材料層230之間的導(dǎo)線區(qū)220上。所述第一封膠層240的材 料在本實(shí)施例為紫外光固化樹脂(UV膠)。再將上蓋體250覆蓋在所述第一封膠層240和發(fā)光區(qū)210之上。因?yàn)樗?述第一封膠層240能緊密粘著接合所述上蓋體250與襯底200，從而使得所 述發(fā)光區(qū)210位于密封的空間內(nèi)。最后將第二封膠層260覆蓋在所述絕緣材 料層230上和導(dǎo)線區(qū)220的未被覆蓋區(qū)域上。所述第二封膠層260能粘著接 合所述上蓋體250的邊緣區(qū)域，以保護(hù)在第一封膠層240外導(dǎo)線區(qū)220的所 述陽極導(dǎo)線220a或所述陰極導(dǎo)線220b不受外界水氣或氧氣的侵蝕。所述第 二封膠層260的材料可選自硅酮膠(Silicone)或紫外光固化樹脂(UV膠)。
通過本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置封裝方法產(chǎn)生的封裝結(jié)構(gòu)，能夠完全阻 絕外在的水氣與氧氣對顯示裝置的外部導(dǎo)線產(chǎn)生的侵蝕。如果所述第二封膠層260與所述上蓋體250的接縫處有部分的水氣與氧氣滲透進(jìn)入所述封裝結(jié) 構(gòu)內(nèi)，那么由于有所述絕緣材料層230包覆所述陽極導(dǎo)線220a或所述陰極 導(dǎo)線220b，使得導(dǎo)線可免于受到侵蝕，進(jìn)而使有機(jī)發(fā)光顯示裝置電路不會(huì)發(fā) 生燒毀或短路的情形。圖3(a) 3(d)是本發(fā)明的不同實(shí)施例中的絕緣材料層覆蓋在所述導(dǎo)線區(qū) 的俯視圖。如圖3(a)所示，所述襯底200上覆蓋絕緣材料層231在導(dǎo)線區(qū)220的部 分區(qū)域，所述單一區(qū)塊的絕緣材料層231包覆所述陽極導(dǎo)線220a。如圖3(b)所示，所述襯底200上覆蓋絕緣材料層232在導(dǎo)線區(qū)220的部 分區(qū)域，并向左右延伸包覆所述陽極導(dǎo)線220a和陰極導(dǎo)線220b，即以單--區(qū)塊的絕緣材料層232包覆所述陽極導(dǎo)線220a和陰極導(dǎo)線220b。如圖3(c)所示，所述襯底200上覆蓋絕緣材料層233在導(dǎo)線區(qū)220的部 分區(qū)域。所述絕緣材料層233包含三個(gè)不相連接的區(qū)塊233a、 233b和233c， 絕緣材料層區(qū)塊233b包覆所述陽極導(dǎo)線220a，絕緣材料層區(qū)塊233a和233c 分別包覆兩側(cè)的所述陰極導(dǎo)線220b。如圖3(d)所示，所述襯底200上覆蓋單一區(qū)塊的絕緣材料層234在導(dǎo)線 區(qū)220的部分區(qū)域，除向左右延伸包覆所述陽極導(dǎo)線220a和陰極導(dǎo)線220b 外，進(jìn)一步向所述襯底200的兩側(cè)向上延伸包覆陰極導(dǎo)線220b。圖4(a)是本發(fā)明第二實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的襯底400的俯視示意 圖，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包含形成在襯底400上的發(fā)光區(qū)410和導(dǎo)線區(qū) 420。發(fā)光區(qū)410內(nèi)包含多個(gè)疊置在所述襯底400上的陽極線和多個(gè)陰極線 (未圖示)。所述導(dǎo)線區(qū)420包含多個(gè)連接所述陽極線的陽極導(dǎo)線420a和多 個(gè)連接所述陰極線的陰極導(dǎo)線420b，疊置在所述發(fā)光區(qū)410外的襯底400上。 與圖3(a)不同的是所述陽極導(dǎo)線420a和陰極導(dǎo)線420b分別匯集在所述襯底 400的相鄰邊。圖4(b)所示是將絕緣材料層430覆蓋在圖4(a)中所述導(dǎo)線區(qū)420的部分 區(qū)域的俯視圖，圖4(b)所示的絕緣材料層430分別包覆陽極導(dǎo)線420a和陰極 導(dǎo)線420b。 圖5所示是圖3(b)-3(d)中所述絕緣材料層230包覆陽極導(dǎo)線220a和陰極 導(dǎo)線220b的剖面圖。所述陽極導(dǎo)線220a的材料是導(dǎo)電玻璃氧化銦錫(indium tin oxide; ITO)，所述陰極導(dǎo)線220b的材料是導(dǎo)電玻璃氧化銦錫220bl上涂 布有金屬層220b2以增加導(dǎo)電電流。不論有機(jī)發(fā)光顯示裝置的相對應(yīng)驅(qū)動(dòng)IC采用膜上芯片(COF)還是玻璃上 芯片(COG)的方式與所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的襯底接合，都適用本發(fā)明實(shí)施 例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝方法和結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容和技術(shù)特點(diǎn)已揭示如上，然而所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員仍 可能基于本發(fā)明的教示和揭示而作出各種不脫離本發(fā)明精神的替換和修改。 因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)不限于實(shí)施例所揭示的內(nèi)容，而應(yīng)包括各種不脫 離本發(fā)明的替換和修改，并為所附的權(quán)利要求書所涵蓋。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝方法，其特征在于所述方法包含步驟提供具有發(fā)光區(qū)和導(dǎo)線區(qū)的襯底，其中所述導(dǎo)線區(qū)包含多個(gè)陽極導(dǎo)線和多個(gè)陰極導(dǎo)線；將絕緣材料層覆蓋在所述導(dǎo)線區(qū)的部分區(qū)域上，且至少包覆所述陽極導(dǎo)線或所述陰極導(dǎo)線；將第一封膠層覆蓋在所述絕緣材料層上；將上蓋體覆蓋在所述第一封膠層和所述發(fā)光區(qū)上；和將第二封膠層覆蓋在所述導(dǎo)線區(qū)的絕緣材料層上和所述導(dǎo)線區(qū)未被覆蓋的區(qū)域上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝方法，其特征在于所 述絕緣材料層的覆蓋方式是蒸鍍、濺鍍、浸鍍、噴霧、噴印、網(wǎng)印、滾筒、 旋轉(zhuǎn)涂布或手動(dòng)涂抹。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝方法，其特征在于所 述絕緣材料層是抗氧化絕緣材料，所述抗氧化絕緣材料是二氧化硅、二氧化 鈦、氮化硅、環(huán)氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、陶瓷材料、塑鋼材料、特氟龍、 聚亞酰胺、或鄰甲酚樹脂。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝方法，其特征在于所 述絕緣材料層的材料以物理粘附或化學(xué)共價(jià)鍵鍵合或光化學(xué)反應(yīng)硬化方式 成膜覆蓋在所述陽極導(dǎo)線或陰極導(dǎo)線上。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝方法，其特征在于所 述絕緣材料層的材料的吸水率小于0.15%。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝方法，其特征在于所 述絕緣材料層的材料的常溫絕緣阻抗大于1013 Q。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝方法，其特征在于所 述絕緣材料層的材料的熱變形溫度大于200°C 。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝方法，其特征在于所 述絕緣材料層的材料的厚度介于0.1 pm至1 mm。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝方法，其特征在于所 述第一封膠層的材料是紫外光固化樹脂。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝方法，其特征在于所 述第二封膠層的材料選自硅酮膠或紫外光固化樹脂。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝方法，其特征在于所 述絕緣材料層包覆所述陽極導(dǎo)線。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝方法，其特征在于所述絕緣材料層包覆所述陽極導(dǎo)線和所述陰極導(dǎo)線。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝方法，其特征在于 包覆所述陽極導(dǎo)線和所述陰極導(dǎo)線的所述絕緣材料層由單一區(qū)塊組成。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝方法，其特征在于 包覆所述陽極導(dǎo)線和所述陰極導(dǎo)線的所述絕緣材料層由多個(gè)區(qū)塊組成。
15. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝方法，其特征在于所 述陽極導(dǎo)線和所述陰極導(dǎo)線共同匯集在所述襯底的同一邊。
16. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝方法，其特征在于所 述陽極導(dǎo)線和所述陰極導(dǎo)線分別匯集在所述襯底的相鄰邊。
17. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝方法，其特征在于所 述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的相對應(yīng)驅(qū)動(dòng)IC采用膜上芯片封裝或玻璃上芯片封裝 的方式與所述襯底接合。
18. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝方法，其特征在于所 述陽極導(dǎo)線的材料是導(dǎo)電玻璃氧化銦錫。
19. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝方法，其特征在于所 述陰極導(dǎo)線的材料是導(dǎo)電玻璃氧化銦錫上涂布有金屬層。
20. —種有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于包含 襯底；發(fā)光區(qū)；導(dǎo)線區(qū)，包含多個(gè)陽極導(dǎo)線和多個(gè)陰極導(dǎo)線，疊置在所述發(fā)光區(qū)外的襯 底上；絕緣材料層，覆蓋在所述導(dǎo)線區(qū)的部分區(qū)域，以至少包覆所述陽極導(dǎo)線 或所述陰極導(dǎo)線；第一封膠層，覆蓋在所述絕緣材料層上；上蓋體，覆蓋在所述第一封膠層和所述發(fā)光區(qū)上；和第二封膠層，覆蓋在所述絕緣材料層上和所述導(dǎo)線區(qū)未被覆蓋的區(qū)域
21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述第一封膠層進(jìn)一步覆蓋在所述發(fā)光區(qū)和所述絕緣材料層之間的導(dǎo)線區(qū) 上。
22. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述第二封膠層粘著接合所述上蓋體的邊緣區(qū)域。
23. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述絕緣材料層的覆蓋方式是蒸鍍、濺鍍、浸鍍、噴霧、噴印、網(wǎng)印、滾筒、 旋轉(zhuǎn)涂布或手動(dòng)涂抹。
24. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述絕緣材料層是抗氧化絕緣材料，所述抗氧化絕緣材料是二氧化硅、二氧 化鈦、氮化硅、環(huán)氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、陶瓷材料、塑鋼材料、特氟龍、 聚亞酰胺、或鄰甲酚樹脂。
25. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述絕緣材料層的材料以物理黏附或化學(xué)共價(jià)鍵鍵合或光化學(xué)反應(yīng)硬化方 式成膜覆蓋在所述陽極導(dǎo)線或陰極導(dǎo)線上。
26. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述絕緣材料層的材料的吸水率小于0.15%。
27. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述絕緣材料層的材料的常溫絕緣阻抗大于10'3 Q。
28. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述絕緣材料層的材料的熱變形溫度大于20(TC。
29. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述絕緣材料層的材料的厚度介于0.1 pm至1 mm。
30. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述第一封膠層的材料是紫外光固化樹脂。
31. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述第二封膠層的材料可選自硅酮膠或紫外光固化樹脂。
32. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述絕緣材料層包覆所述陽極導(dǎo)線。
33. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述絕緣材料層包覆所述陽極導(dǎo)線和所述陰極導(dǎo)線。
34. 根據(jù)權(quán)利要求33所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于 包覆所述陽極導(dǎo)線和所述陰極導(dǎo)線的所述絕緣材料層由單一區(qū)塊組成。
35. 根據(jù)權(quán)利要求33所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于 包覆所述陽極導(dǎo)線和所述陰極導(dǎo)線的所述絕緣材料層由多個(gè)區(qū)塊組成。
36. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在F 所述陽極導(dǎo)線和所述陰極導(dǎo)線共同匯集在所述襯底的同一邊。
37. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在f 所述陽極導(dǎo)線和所述陰極導(dǎo)線分別匯集在所述襯底的相鄰邊。
38. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在f 所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的相對應(yīng)驅(qū)動(dòng)IC采用膜上芯片封裝或玻璃上芯片封 裝的方式與所述襯底接合。
39. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述陽極導(dǎo)線的材料是導(dǎo)電玻璃氧化銦錫。
40. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述陰極導(dǎo)線的材料是導(dǎo)電玻璃氧化銦錫上涂布有金屬層。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝方法，所述封裝方法包含以下步驟首先，將絕緣材料層覆蓋在襯底上導(dǎo)線區(qū)的部分區(qū)域，以包覆所述導(dǎo)線區(qū)的陽極導(dǎo)線或陰極導(dǎo)線，其中所述襯底包含所述導(dǎo)線區(qū)和發(fā)光區(qū)；再將第一封膠層覆蓋在所述絕緣材料層上；接著將上蓋體覆蓋在所述第一封膠層和所述發(fā)光區(qū)上；最后將第二封膠層覆蓋在所述導(dǎo)線區(qū)的絕緣材料層上和所述襯底上。本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的封裝結(jié)構(gòu)，由于有所述絕緣材料層包覆所述陽極導(dǎo)線或所述陰極導(dǎo)線，能夠完全阻絕外在的水氣和氧氣滲入，以保護(hù)在所述第一封膠層外導(dǎo)線區(qū)的所述陽極導(dǎo)線或所述陰極導(dǎo)線不受氧化侵蝕。
文檔編號(hào)H01L21/02GK101154600SQ20061015272
公開日2008年4月2日 申請日期2006年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月25日
發(fā)明者廖孟杰, 鄒忠哲 申請人:錸寶科技股份有限公司