專利名稱：半導(dǎo)體元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體元件，更詳細(xì)地說，涉及具有調(diào)整用柱電極的半導(dǎo)體元件。
背景技術(shù)：
以往，在半導(dǎo)體集成電路晶片上形成的連接焊盤(pad墊)上形成外部連接用的柱電極時(shí)，光掩膜的調(diào)整，在使用晶片的取向平面的情況下，誤差較大，一般都以覆蓋連接焊盤周邊的絕緣膜開口部為基準(zhǔn)來進(jìn)行。然而，隨著柱電極數(shù)的增大，其排列節(jié)距(pitch)微小，即使以絕緣膜開口部為基準(zhǔn)的調(diào)整，精度也不能維持。為此，將在連接焊盤上直接形成調(diào)整標(biāo)記，予以改善(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。
專利文獻(xiàn)1記載的方法是在連接焊盤的周邊或周邊近旁設(shè)置由金屬薄膜脫落部分形成的調(diào)整標(biāo)記，將該調(diào)整標(biāo)記設(shè)置在晶片的對(duì)角線上，進(jìn)行晶片整體調(diào)節(jié)。
專利文獻(xiàn)1特開平11-195667號(hào)公報(bào)。
近年來，在半導(dǎo)體集成電路晶片全面上形成柱電極后，在半導(dǎo)體集成電路晶片的全面形成密封材料，用該密封材料充填全部柱電極進(jìn)行封裝，此后，通過切塊在各半導(dǎo)體集成電路元件進(jìn)行分離，開發(fā)了所謂晶片級(jí)封裝(WLP)。該晶片級(jí)封裝，在半導(dǎo)體集成電路晶片上使密封材料成膜，為了柱電極的上表面露出和密封材料的平坦化，進(jìn)行研磨后，向各柱電極上表面的焊料印刷、焊料球裝載、向封裝背面的按印等，都是在柱電極形成后調(diào)整(校準(zhǔn))的必要工序。
上述專利文獻(xiàn)1記載的方法，在調(diào)整標(biāo)記形成后，實(shí)際上，在半導(dǎo)體集成電路晶片的全面形成了基底金屬層，并覆蓋全部連接焊盤，因此在該基底金屬層上形成柱電極后，調(diào)整標(biāo)記的功能就消失了。
因而，在柱電極形成后各工序的調(diào)整，以從密封材料露出的柱電極上表面的形狀作為調(diào)整標(biāo)記來進(jìn)行，然而，這樣做時(shí)，作為調(diào)整標(biāo)記的柱電極與不作為調(diào)整標(biāo)記的柱電極的識(shí)別是困難的，誤識(shí)別率較高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種半導(dǎo)體元件，在柱電極形成后，能可靠地識(shí)別調(diào)整標(biāo)記，并高效率地進(jìn)行調(diào)整。
本發(fā)明一種半導(dǎo)體元件，其特征是具有半導(dǎo)體襯底，包括上表面，該上表面具有多個(gè)半導(dǎo)體元件形成區(qū)域及至少一個(gè)調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域，上述調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域的平面尺寸與一個(gè)上述半導(dǎo)體元件形成區(qū)域的平面尺寸相同；多個(gè)連接焊盤，形成在各個(gè)上述半導(dǎo)體元件形成區(qū)域；絕緣膜，在包括上述連接焊盤的除其各自的中央部分以外的部分之上的所有上述半導(dǎo)體元件形成區(qū)域內(nèi)、以及在上述至少一個(gè)調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域之內(nèi)，形成在上述半導(dǎo)體襯底的上述上表面上；多個(gè)柱電極，形成在各個(gè)上述半導(dǎo)體元件形成區(qū)域內(nèi)的上述絕緣膜的上側(cè)，而且各個(gè)柱電極至少電連接到對(duì)應(yīng)的一個(gè)上述連接焊盤上；及用于進(jìn)行暫時(shí)調(diào)整的暫時(shí)調(diào)整用柱電極和用于進(jìn)行正式調(diào)整的正式調(diào)整用柱電極，形成在各調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域內(nèi)的上述絕緣膜的上側(cè)，而且個(gè)數(shù)少于在各半導(dǎo)體元件形成區(qū)域內(nèi)形成的上述柱電極，上述正式調(diào)整用柱電極的平面尺寸小于上述暫時(shí)調(diào)整用柱電極；密封膜，由有機(jī)樹脂形成，且形成在各個(gè)上述半導(dǎo)體元件形成區(qū)域內(nèi)的上述柱電極之間、并在各調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域內(nèi)的上述調(diào)整用柱電極的外部；
其中，各調(diào)整用柱電極的上表面被露出到外部，而且與上述密封膜的上表面成齊平面。
本發(fā)明的另一種半導(dǎo)體元件，其特征是具有半導(dǎo)體襯底，具有多個(gè)半導(dǎo)體元件形成區(qū)域及至少一個(gè)調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域，上述調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域的平面尺寸與一個(gè)上述半導(dǎo)體元件形成區(qū)域的平面尺寸相同；多個(gè)柱電極，形成在各個(gè)上述半導(dǎo)體元件形成區(qū)域內(nèi)；及多個(gè)調(diào)整用柱電極，形成在各個(gè)上述調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域，而且個(gè)數(shù)少于在各個(gè)上述半導(dǎo)體元件形成區(qū)域形成的上述柱電極；其中，上述調(diào)整用柱電極包括具有不同平面形狀的多種調(diào)整用柱電極，包括具有平面面積且用于進(jìn)行暫時(shí)調(diào)整的暫時(shí)調(diào)整用柱電極、和具有平面面積且用于進(jìn)行正式調(diào)整的正式調(diào)整用柱電極，上述正式調(diào)整用柱電極的上述平面面積小于上述暫時(shí)調(diào)整用柱電極的上述平面面積。
本發(fā)明的再一種半導(dǎo)體元件，其特征是具有半導(dǎo)體襯底，包括上表面，該上表面具有多個(gè)半導(dǎo)體元件形成區(qū)域及至少一個(gè)調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域，上述調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域的平面尺寸與一個(gè)上述半導(dǎo)體元件形成區(qū)域的平面尺寸相同；多個(gè)連接焊盤，形成在各個(gè)上述半導(dǎo)體元件形成區(qū)域；絕緣膜，在包括上述連接焊盤的除其各自的中央部分以外的部分之上的所有上述半導(dǎo)體元件形成區(qū)域內(nèi)、以及在上述至少一個(gè)調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域之內(nèi)，形成在上述半導(dǎo)體襯底的上述上表面上；多個(gè)金屬膜，形成在上述絕緣膜上；多個(gè)柱電極，形成在各個(gè)上述半導(dǎo)體元件形成區(qū)域內(nèi)的上述絕緣膜的上述金屬膜上，而且各個(gè)柱電極至少電連接到對(duì)應(yīng)的一個(gè)上述連接焊盤上；及多個(gè)調(diào)整用柱電極，形成在各個(gè)調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域內(nèi)的上述絕緣膜的上述金屬膜上，而且個(gè)數(shù)少于在各個(gè)上述半導(dǎo)體元件形成區(qū)域形成的上述柱電極；密封膜，由有機(jī)樹脂形成，且形成在各個(gè)上述半導(dǎo)體元件形成區(qū)域內(nèi)的上述柱電極之間、并在各調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域內(nèi)的上述調(diào)整用柱電極的外部；其中，各調(diào)整用柱電極的上表面被露出到外部，而且與上述密封膜的上表面成齊平面。
本發(fā)明具有如下效果如上所述，根據(jù)本發(fā)明，由于在平面尺寸與形成柱電極的半導(dǎo)體元件形成區(qū)域相同的調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域，形成調(diào)整用柱電極，則在柱電極形成后能夠可靠識(shí)別調(diào)整標(biāo)記，可以有效地進(jìn)行調(diào)整。


圖1是作為本發(fā)明第1實(shí)施例的半導(dǎo)體元件的平面圖。
圖2是沿圖1的11-11線的擴(kuò)大剖面圖。
圖3是在制造圖1和圖2所示半導(dǎo)體元件時(shí)，同時(shí)得到的帶有調(diào)整標(biāo)記元件的平面圖。
圖4是沿圖3的IV-IV線的擴(kuò)大剖面圖。
圖5是在上述第1實(shí)施例的半導(dǎo)體元件制造時(shí)，最初準(zhǔn)備的晶片狀態(tài)的硅襯底的平面圖。
圖6是圖5所示半導(dǎo)體元件形成區(qū)域部分的擴(kuò)大剖面圖。
圖7是圖5所示調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域部分的擴(kuò)大剖面圖。
圖8是在繼續(xù)圖6的工序中，表示半導(dǎo)體元件形成區(qū)域部分的擴(kuò)大剖面圖。
圖9是第1曝光掩模(mask)的平面圖。
圖10是第2曝光掩模的平面圖。
圖11是用于說明在半導(dǎo)體元件形成區(qū)域部分的抗電鍍膜曝光狀態(tài)的平面圖。
圖12是用于說明在調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域部分的抗電鍍膜曝光狀態(tài)的平面圖。
圖13是表示在繼續(xù)圖8的工序中半導(dǎo)體元件形成區(qū)域部分的擴(kuò)大剖面圖。
圖14是表示在與圖13同一工序中調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域部分的擴(kuò)大剖面圖。
圖15是表示在繼續(xù)圖13的工序中半導(dǎo)體元件形成區(qū)域部分的擴(kuò)大剖面圖。
圖16是表示在與圖15同一工序中調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域部分的擴(kuò)大剖面圖。
圖17是表示在繼續(xù)圖15的工序中半導(dǎo)體元件形成區(qū)域部分的擴(kuò)大剖面圖。
圖18是表示在繼續(xù)圖17的工序中半導(dǎo)體元件形成區(qū)域部分的擴(kuò)大剖面圖。
圖19是表示在繼續(xù)圖18的工序中半導(dǎo)體元件形成區(qū)域部分的擴(kuò)大剖面圖。
圖20是用于說明本發(fā)明第2實(shí)施例的晶片狀態(tài)的硅襯底的平面圖。
圖21是第3曝光掩模的平面圖。
圖22是表示第2曝光掩模的變形例1的平面圖。
圖23是用于說明在利用圖22所示第2曝光掩模的變形例1時(shí)的調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域部分的抗電鍍膜曝光狀態(tài)的平面圖。
圖24是表示第2曝光掩模的變形例2的平面圖。
圖25是用于說明在利用圖24所示第2曝光掩模的變形例2時(shí)的調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域部分的抗電鍍膜曝光狀態(tài)的平面圖。
圖26是本發(fā)明第3實(shí)施例的說明圖，沿圖1的11-11線的擴(kuò)大剖面圖。
圖27是制造圖1和圖26所示半導(dǎo)體元件時(shí)，同時(shí)得到的帶有調(diào)整標(biāo)記元件的平面圖。
圖28是沿圖27的XXVIII-XXVIII線的擴(kuò)大剖面圖。
圖29是在圖26所示半導(dǎo)體元件制造時(shí)，最初準(zhǔn)備的晶片狀態(tài)的硅襯底的平面圖。
圖30是沿圖29的XXX-XXX線的剖面圖。
圖31是在形成圖26所示半導(dǎo)體元件時(shí)使用的第1曝光掩模的平面圖。
圖32是在形成圖26所示半導(dǎo)體元件時(shí)使用的第1曝光掩模的平面圖。
圖33是說明繼續(xù)圖30工序的擴(kuò)大剖面圖。
圖34是說明繼續(xù)圖33工序的擴(kuò)大剖面圖。
圖35是說明繼續(xù)圖34工序的擴(kuò)大剖面圖。
圖36是說明繼續(xù)圖35工序的擴(kuò)大剖面圖。
圖37是說明繼續(xù)圖36工序的擴(kuò)大剖面圖。
圖38是說明繼續(xù)圖37工序的擴(kuò)大剖面圖。
圖39是說明繼續(xù)圖38工序的擴(kuò)大剖面圖。
圖40是說明繼續(xù)圖39工序的擴(kuò)大剖面圖。
圖41是說明繼續(xù)圖40工序的擴(kuò)大剖面圖。
圖42是表示曝光掩模的其他例的平面圖。
圖43是表示圖42所示曝光掩模的變形例1的平面圖。
圖44是表示圖42所示曝光掩模的變形例2的平面圖。
具體實(shí)施例方式
(第1實(shí)施例)圖1表示作為本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體元件1的平面圖，圖2表示沿圖1的11-11線的剖面圖。該半導(dǎo)體元件1稱為CSP(chip sizepackage芯片尺寸封裝)，具有平面正方形狀的硅襯底2。在硅襯底2的上表面中央部設(shè)置集成電路(未圖示)，在上表面周邊部由鋁類金屬等構(gòu)成的多個(gè)連接焊盤3與集成電路連接。
在除了連接焊盤3以外的中央部的硅襯底2的上表面，設(shè)置由氧化硅和氮化硅等構(gòu)成的絕緣膜4以及由聚酰亞胺等構(gòu)成的保護(hù)膜6。連接焊盤3的中央部，通過設(shè)置在絕緣膜4的開口部5和設(shè)置在保護(hù)膜6的開口部7露出。
從通過開口部5、7露出的連接焊盤3的上表面到保護(hù)膜6的上表面的預(yù)定處，設(shè)置基底金屬層8。在基底金屬層8的上表面，設(shè)置由銅構(gòu)成的布線9。在布線9的連接焊盤部上表面，設(shè)置由銅構(gòu)成的柱電極10。
在包含布線9的保護(hù)膜6上的上表面設(shè)置由環(huán)氧類樹脂等構(gòu)成的密封膜11，其上表面與柱電極10的上表面成齊平面。因此，柱電極10的上表面露出。這時(shí)，柱電極10的平面形狀為圓形狀。在柱電極10的露出上表面設(shè)置焊料球12。
圖3表示在制造圖1和圖2所示半導(dǎo)體元件時(shí)同時(shí)得到的帶有調(diào)整標(biāo)記的元件的平面圖，圖4表示沿圖3的IV-IV線的剖面圖。該帶有調(diào)整標(biāo)記的元件，在平面正方形狀的硅襯底2的上表面設(shè)置絕緣膜4和保護(hù)膜6，在保護(hù)膜6的上表面中央部設(shè)置基底金屬層8和調(diào)整用柱電極(alignment post electrode)10a，在保護(hù)膜6的上表面設(shè)置密封膜11，其上表面與調(diào)整用柱電極10a的上表面成齊平面。調(diào)整標(biāo)記用柱電極10a，以與上述半導(dǎo)體襯底的上表面平行的面切斷的剖面形狀是一樣的柱狀，這時(shí)，調(diào)整用柱電極10a的平面形狀，與柱電極10的平面形狀是圓形狀不同，大致是十字形狀。
以下，說明上述構(gòu)成的半導(dǎo)體元件的制造方法。首先，如圖5所示，準(zhǔn)備晶片狀態(tài)的硅襯底(半導(dǎo)體襯底)2。在這里，圖5中，在由縱線和橫線圍成的正方形狀無記號(hào)的區(qū)域，分別是形成半導(dǎo)體集成電路的半導(dǎo)體元件形成區(qū)域21，X記號(hào)區(qū)域是調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22。調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22與半導(dǎo)體元件形成區(qū)域21一樣，形成半導(dǎo)體集成電路，并且，其平面尺寸也具有與半導(dǎo)體元件形成區(qū)域21相同的平面尺寸，設(shè)置硅襯底2的右上、右下、左上和左下4處。
如圖6所示，在硅襯底2的半導(dǎo)體元件形成區(qū)域21的上表面周邊部，形成由鋁類金屬等構(gòu)成的連接焊盤3，在除了其上表面的連接焊盤3的中央部以外的區(qū)域，形成由氧化硅等構(gòu)成的絕緣膜4和由聚酰亞胺等構(gòu)成的保護(hù)膜6，通過在絕緣膜4和保護(hù)膜6形成的開口部5、7，在包含露出的連接焊盤3的上表面的保護(hù)膜6的上表面，形成基底金屬層8，在基底金屬層8的上表面的預(yù)定處形成由銅構(gòu)成的布線9。并且，如圖7所示，在硅襯底2的調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22的上表面形成絕緣膜4、保護(hù)膜6以及基底金屬層8。
如圖8所示，在包含布線9的基底金屬層8的上表面全都形成由負(fù)型光致抗蝕劑膜構(gòu)成的抗電鍍膜(plating resist film)23。然后，進(jìn)行曝光，這時(shí)作為曝光掩模，采用圖9和圖10所示第1和第2曝光掩模24、25。圖9所示第1曝光掩模24是柱電極形成用的，在方形狀玻璃板26的預(yù)定區(qū)域分別對(duì)應(yīng)于3行3列共計(jì)9個(gè)半導(dǎo)體元件形成區(qū)域21的區(qū)域21a，在對(duì)應(yīng)于柱電極10形成區(qū)域的部分形成圓形狀的遮光部27，并且，在該區(qū)域的周圍全部也形成遮光部28。
圖10所示第2曝光掩模25是調(diào)整用柱電極形成用的，在方形狀玻璃板29的預(yù)定區(qū)域?qū)?yīng)于調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22的區(qū)域22a，在對(duì)應(yīng)于調(diào)整用柱電極10a形成區(qū)域的部分形成十字形狀的遮光部30，并且，在該區(qū)域的周圍全體也形成遮光部31。這時(shí)，構(gòu)成十字形狀遮光部30的十字的2條線的長(zhǎng)度，大于第1曝光掩模24的圓形狀遮光部27的直徑，2條線的寬度小于圓形狀遮光部27的直徑。
作為一例，當(dāng)?shù)?曝光掩模24的圓形狀遮光部27的直徑是250μm、其節(jié)距是500μm時(shí)，構(gòu)成十字形狀遮光部30的十字的2條線的長(zhǎng)度是500μm，2條線的寬度是125μm。構(gòu)成十字形狀遮光部30的十字的2條線的長(zhǎng)度大于第1曝光掩模24的圓形狀遮光部27的直徑的理由，將在后面說明。圖9和圖10所示第1和第2曝光掩模24、25用于分步曝光。
首先，使用圖9所示第1曝光掩模24，對(duì)圖5所示半導(dǎo)體元件形成區(qū)域21和調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22進(jìn)行分步曝光。這樣一來，圖11中如圓所示，在半導(dǎo)體元件形成區(qū)域21，對(duì)應(yīng)于抗電鍍膜23的柱電極10形成區(qū)域的部分為非曝光部23a。在調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22的抗電鍍膜23，也與在圖11所示半導(dǎo)體元件形成區(qū)域21的抗電鍍膜23一樣被曝光。在每個(gè)發(fā)射單位掃描該曝光，并遍及整個(gè)硅襯底2，順序進(jìn)行分步曝光。
然后，使用圖10所示第2曝光掩模25，僅對(duì)圖5所示調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22進(jìn)行曝光。如圖12中光亮沖壓成大致十字所示，在調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22，僅對(duì)應(yīng)于抗電鍍膜23的調(diào)整用柱電極10a形成區(qū)域的部分為非曝光部23b。也就是，在調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22的抗電鍍膜23，利用第1和第2曝光掩模24、25進(jìn)行2次曝光，僅其中心部的大致十字形狀部分為非曝光部23b。
這里，調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22利用具有直徑250μm的圓形遮光部27的第1曝光掩模24進(jìn)行曝光，用于第2次曝光的第2曝光掩模25，由于具有分別有500μm長(zhǎng)度線的十字形狀遮光部30，則對(duì)于第2次曝光時(shí)的掩模25的位置配合，得到±120μm的容許公差。也就是，遮光部30的調(diào)整標(biāo)記形狀的十字頂端位于相對(duì)非曝光部23a的位置偏差是±120μm以內(nèi)的非露光部23a的外側(cè)，則由于第2次曝光圖12所示非曝光部23b的十字部直徑不是250μm以下。這也就是使構(gòu)成十字形狀遮光部30的十字的2條線的長(zhǎng)度大于第1曝光掩模24的圓形狀遮光部27的直徑的理由。利用該第2曝光掩模25的曝光，對(duì)各調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22進(jìn)行，共進(jìn)行四次。
進(jìn)行顯象時(shí)，如圖13所示，在半導(dǎo)體元件形成區(qū)域21，在對(duì)應(yīng)于布線9的連接焊盤部即柱電極10形成區(qū)域的抗電鍍膜23上形成開口部32。并且，如圖14所示，在調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22，在對(duì)應(yīng)于調(diào)整用柱電極10a形成區(qū)域的抗電鍍膜23上形成開口部33。
將基底金屬層8作為電鍍電流通路進(jìn)行銅的電解電鍍，如圖13所示，在半導(dǎo)體元件形成區(qū)域21，在抗電鍍膜23的開口部32內(nèi)的布線9的連接焊盤部上表面形成柱電極10。并且，如圖14所示，在調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22，在抗電鍍膜23的開口部33內(nèi)的基底金屬層8的上表面形成調(diào)整用柱電極10a。然后，剝離抗電鍍膜23。
接著，以布線9和調(diào)整用柱電極10a為掩模，蝕刻除去基底金屬層8的不要部分時(shí)，如圖15所示，在半導(dǎo)體元件形成區(qū)域21，僅在布線9下殘存基底金屬層8，并且，如圖16所示，在調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22，僅在調(diào)整用柱電極10a下殘存基底金屬層8。
接著，如圖17所示，在包含柱電極10和布線9(以及調(diào)整用柱電極10a)的保護(hù)膜6的上表面全部形成由環(huán)氧類樹脂等構(gòu)成的密封膜11，其厚度稍大于柱電極10(以及調(diào)整用柱電極10a)的高度。因此，在這種狀態(tài)下，柱電極10(以及調(diào)整用柱電極10a)的上表面被密封膜11覆蓋。
適當(dāng)研磨除去密封膜11和柱電極10(以及調(diào)整用柱電極10a)的上表面?zhèn)?，如圖18所示，使柱電極10(以及調(diào)整用柱電極10a)的上表面露出，同時(shí)使該露出的柱電極10(以及調(diào)整用柱電極10a)的上表面與密封膜11的上表面成齊平面。
如圖19所示，在柱電極10的上表面形成焊料球12。然后在硅襯底2的下面，在對(duì)應(yīng)于各半導(dǎo)體元件形成區(qū)域21的區(qū)域預(yù)定處形成預(yù)定標(biāo)記(按印)。經(jīng)過切塊工序，得到多個(gè)圖1和圖2所示半導(dǎo)體元件，并且，得到4個(gè)圖3和圖4所示帶有調(diào)整標(biāo)記的元件。
然而，在柱電極10形成工序后的焊料球12形成工序、標(biāo)記(按印)形成工序以及切塊工序中，必須進(jìn)行晶片狀態(tài)的硅襯底2的位置配合。并且，在各柱電極10的上表面形成焊料球12之前，要在各柱電極10的上表面印刷焊料層，這時(shí)，位置配合是必要的。還有，在標(biāo)記(按印)形成工序后切塊工序前，進(jìn)行電接點(diǎn)檢查工序時(shí)，也必須進(jìn)行晶片狀態(tài)的硅襯底2的位置配合。這種情況下，將在調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22形成的調(diào)整用柱電極10a作為調(diào)整標(biāo)記使用。
也就是，由于在具有與形成柱電極10的半導(dǎo)體元件形成區(qū)域21相同平面尺寸的調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22形成調(diào)整用柱電極10a，則即使采用分步曝光方式，進(jìn)行晶片狀態(tài)的硅襯底2的位置配合時(shí)，將在調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22形成的調(diào)整用柱電極10a作為調(diào)整標(biāo)記，也易于識(shí)別，可以防止調(diào)整標(biāo)記誤識(shí)別的發(fā)生。
這時(shí)，調(diào)整用柱電極10a的平面形狀，不同于柱電極10平面形狀的圓形狀，大致為十字形狀，因此也不會(huì)混淆調(diào)整用柱電極10a和柱電極10，能夠可靠地防止調(diào)整標(biāo)記誤識(shí)別的發(fā)生。
(第2實(shí)施例)例如，如圖20所示本發(fā)明的第2實(shí)施例，可以將在調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22周圍的0記號(hào)區(qū)域，作為具有與半導(dǎo)體元件形成區(qū)域21相同平面尺寸而且沒有柱電極的非半導(dǎo)體元件形成區(qū)域41。這種情況下，由于在調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22與半導(dǎo)體元件形成區(qū)域21之間，存在沒有柱電極的非半導(dǎo)體元件形成區(qū)域41，則可以更可靠地防止調(diào)整標(biāo)記誤識(shí)別的發(fā)生。
以下，說明圖20所示非半導(dǎo)體元件形成區(qū)域41的形成方法。這時(shí)，除了第1、第2曝光掩模24、25之外，預(yù)先還要準(zhǔn)備圖21所示第3曝光掩模42。該第3曝光掩模42，在方形狀的玻璃板43的預(yù)定區(qū)域，對(duì)應(yīng)于非半導(dǎo)體元件形成區(qū)域41的全部區(qū)域?yàn)橥高^部44，在該透過部44的周圍全部形成遮光部45。
首先，利用第1曝光掩模24，對(duì)硅襯底2的半導(dǎo)體元件形成區(qū)域21和調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22進(jìn)行分步曝光。然后，利用第2曝光掩模25，對(duì)4處的調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22進(jìn)行曝光。這樣，如第1實(shí)施例所述，各調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22，除圖12所示非曝光部23b以外的全部區(qū)域都被曝光。
此后，利用第3曝光掩模42，使該第3曝光掩模42的透過部44的緣部與非半導(dǎo)體元件形成區(qū)域41的緣部位置配合，并進(jìn)行曝光。利用第3曝光掩模42的位置配合和曝光，順次對(duì)各非半導(dǎo)體元件形成區(qū)域41進(jìn)行移動(dòng)，在全部區(qū)域上進(jìn)行。通過該曝光，在非半導(dǎo)體元件形成區(qū)域41的抗電鍍膜全部為曝光部，即使進(jìn)行顯象，也不會(huì)在該區(qū)域的抗電鍍膜上形成開口部。因而，即使進(jìn)行電解電鍍，在該區(qū)域也不形成柱電極，構(gòu)成非半導(dǎo)體元件形成區(qū)域41。這時(shí)，在非半導(dǎo)體元件形成區(qū)域41，在保護(hù)膜的上表面全部形成基底金屬層，但在基底金屬層的上表面不形成布線，并且，如上所述，由于也未形成柱電極，則可全部除去在保護(hù)膜上表面全部形成的基底金屬層。
作為第2曝光掩模25的變形例1，如圖22所示，當(dāng)使用形成與第1曝光掩模24的圓形狀遮光部27相同直徑或較其稍大直徑的圓形狀遮光部30的時(shí)，如圖23的圓所示，在調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22，僅對(duì)應(yīng)于抗電鍍膜23的調(diào)整用柱電極形成區(qū)域的部分為非曝光部23c，形成與對(duì)應(yīng)的平面形狀即與柱電極10的平面形狀完全相同平面形狀為圓形狀的調(diào)整用柱電極10a。這種情況下，由于在調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22形成調(diào)整用柱電極10a，則作為調(diào)整標(biāo)記易于識(shí)別，可以防止調(diào)整標(biāo)記誤識(shí)別的發(fā)生。調(diào)整用柱電極的平面形狀也可以為三角形狀、方形狀、其他形狀等。
作為第2曝光掩模25的變形例2，如圖24所示，當(dāng)使用在4個(gè)正方形狀的遮光部30間形成的十字形狀透過部的時(shí)，如圖25中4個(gè)1/4圓所示，在調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22，僅對(duì)應(yīng)于抗電鍍膜23的調(diào)整用柱電極形成區(qū)域的部分為非曝光部23d，形成與其對(duì)應(yīng)的平面形狀的調(diào)整用柱電極。
作為曝光掩模，可以使用在1塊玻璃板上形成第1曝光掩模24和第2曝光掩模25的，也可以使用在1塊玻璃板上形成第1曝光掩模24和第2曝光掩模25和第3曝光掩模42的。
(第3實(shí)施例)圖26也表示沿圖1的11-11線的剖面圖。該半導(dǎo)體元件1稱為CSP(chip size package)，具有平面正方形狀的硅襯底2。在硅襯底2的上表面中央部設(shè)置預(yù)定功能的半導(dǎo)體集成電路(未圖示)，在上表面周邊部由鋁類金屬等構(gòu)成的多個(gè)連接焊盤3連接半導(dǎo)體集成電路。
在除連接焊盤3的中央部的硅襯底2的上表面，設(shè)置由氧化硅和氮化硅等構(gòu)成的絕緣膜4，連接焊盤3的中央部通過設(shè)置在絕緣膜4的開口部5露出。在絕緣膜4的上表面設(shè)置著由環(huán)氧類樹脂和聚酰亞胺類樹脂等構(gòu)成的保護(hù)膜(絕緣膜)6。這時(shí)，在對(duì)應(yīng)于絕緣膜4的開口部5的部分的保護(hù)膜6上設(shè)置著開口部7。
從通過兩開口部5、7露出的連接焊盤3的上表面到保護(hù)膜6的上表面預(yù)定處設(shè)置著由銅等構(gòu)成的基底金屬層8。在基底金屬層8的上表面設(shè)置著由銅構(gòu)成的布線9。在布線9的連接焊盤部上表面設(shè)置著由銅構(gòu)成的柱電極10。
在包含布線9的保護(hù)膜6的上表面設(shè)置著由環(huán)氧類樹脂和聚酰亞胺類樹脂等構(gòu)成的密封膜11，其上表面與柱電極10的上表面成齊平面。因此，柱電極10的上表面露出。這時(shí)，柱電極10的平面形狀為圓形狀。在柱電極10的露出的上表面設(shè)置焊料球12。
圖27表示在制造圖1和圖26所示半導(dǎo)體元件1寸同時(shí)得到的帶有調(diào)整標(biāo)記的元件的平面圖，圖28表示沿圖27的XXVIII-XXVIII線的剖面圖。該帶有調(diào)整標(biāo)記的元件51的一部分構(gòu)造與半導(dǎo)體元件1的一部分構(gòu)造相同。
也就是，在帶有調(diào)整標(biāo)記的元件51的一部分中，在具有與半導(dǎo)體元件1的硅襯底2的平面尺寸相同平面尺寸的硅襯底2的上表面中央部設(shè)置預(yù)定功能的半導(dǎo)體集成電路(未圖示)，在上表面周邊部與半導(dǎo)體集成電路連接地設(shè)有多個(gè)連接焊盤3，在除了連接焊盤3的中央部以外的硅襯底2的上表面設(shè)置絕緣膜4，連接焊盤3的中央部通過設(shè)置在絕緣膜4的開口部5露出。
在帶有調(diào)整標(biāo)記的元件51的其他部分，在包含通過開口部5露出的連接焊盤3的上表面的絕緣膜4的上表面設(shè)置保護(hù)膜6。這時(shí)，在對(duì)應(yīng)于絕緣膜4的開口部5的部分的保護(hù)膜6上不形成開口部。在保護(hù)膜6的上表面中央部和右下設(shè)置基底金屬層8。在各基底金屬層8的上表面設(shè)置暫時(shí)調(diào)整用柱電極10b和正式調(diào)整用柱電極10c。在保護(hù)膜6上表面設(shè)置密封膜11，其上表面和為調(diào)整用柱電極10b、10c的上表面成齊平面。
暫時(shí)調(diào)整用柱電極10b的平面形狀為圓形狀。正式調(diào)整用柱電極10c的平面形狀與暫時(shí)調(diào)整用柱電極10b的平面形狀為圓形狀不同，大致為L(zhǎng)字形狀。暫時(shí)調(diào)整用柱電極10b用于進(jìn)行后述的晶片狀態(tài)硅襯底的暫時(shí)定位，在較大的孔中形成，例如直徑是1mm。正式調(diào)整用柱電極10c用于進(jìn)行后述的晶片狀態(tài)硅襯底的正式定位，在較小的孔中形成，例如一邊長(zhǎng)是0.45mm，寬是0.15mm。
以下，說明上述構(gòu)成的半導(dǎo)體元件1的制造方法。首先，如圖29所示，準(zhǔn)備晶片狀態(tài)的硅襯底(半導(dǎo)體襯底)2。圖29中，由縱線和橫線圍成的正方形狀的無記號(hào)區(qū)域是半導(dǎo)體元件形成區(qū)域21，X記號(hào)區(qū)域是調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22。這時(shí)調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22具有與半導(dǎo)體元件形成區(qū)域21相同的平面尺寸，設(shè)置在硅襯底2的左上、右上、左下和右下4處。
圖30表示沿圖29的XXX-XXX線的剖面圖。在該狀態(tài)，半導(dǎo)體元件形成區(qū)域21與調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22為相同構(gòu)造。也就是，在晶片狀態(tài)硅襯底2的各區(qū)域21、22的上表面中央部形成半導(dǎo)體集成電路(未圖示)，在上表面周邊部與半導(dǎo)體集成電路連接地形成由鋁類金屬等構(gòu)成的連接焊盤3。
在除連接焊盤3的中央部以外的硅襯底2的上表面形成由氧化硅等構(gòu)成的絕緣膜4，連接焊盤3的中央部通過在絕緣膜4上形成的開口部5露出。在調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22與半導(dǎo)體元件形成區(qū)域21之間設(shè)置切塊線52。
以下，參照?qǐng)D31和圖32說明本制造方法使用的曝光掩模。圖31所示第1曝光掩模62具有第1～第4區(qū)域63～66。在第1區(qū)域63，對(duì)應(yīng)于2行2列的4個(gè)半導(dǎo)體元件半導(dǎo)體元件形成區(qū)域21，形成2行2列保護(hù)膜(絕緣膜)形成用曝光掩模63A。這時(shí)，保護(hù)膜形成用曝光掩模63A，未予圖示，但在用于使保護(hù)膜6形成圖案的光致抗蝕劑膜是正型時(shí)，在保護(hù)膜6的開口部7形成區(qū)域以外的區(qū)域形成遮光部。
在第2區(qū)域64，對(duì)應(yīng)于2行2列的4個(gè)半導(dǎo)體元件形成區(qū)域21，形成2行2列再布線形成用曝光掩模64A。這時(shí)，在再布線形成用曝光掩模64A，未予圖示，但在用于利用電解電鍍形成布線9的光致抗蝕劑膜是正型時(shí)，在布線9形成區(qū)域以外的區(qū)域形成遮光部。
在第3區(qū)域65，對(duì)應(yīng)于2行2列的4個(gè)半導(dǎo)體元件形成區(qū)域21，形成2行2列柱電極形成用曝光掩模65A。這時(shí)，在柱電極形成用曝光掩模65A，在用于利用電解電鍍形成柱電極10的光致抗蝕劑膜是負(fù)型時(shí)，在對(duì)應(yīng)于柱電極10形成區(qū)域的部分，形成圓形狀的遮光部65a。
第4區(qū)域66為空閑區(qū)域。在第1曝光掩模62設(shè)置作為空間區(qū)域的第4區(qū)域66的理由是如后述所示，由于圖32所示第2曝光掩模71作為有效區(qū)域具有第1～第4 72～75，則為了使區(qū)域數(shù)與第2曝光掩模71配合。
圖32所示第2曝光掩模71具有第1～第4區(qū)域72～75。在第1區(qū)域72，對(duì)應(yīng)于圖29左上的調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22，形成1個(gè)調(diào)整用柱電極形成用曝光掩模72A。這時(shí)，在調(diào)整用柱電極形成用曝光掩模72A，在中央部形成圓形狀的遮光部72a，在右下沿該曝光掩模右下角部形成大致為L(zhǎng)字形狀的遮光部72b。
在第2區(qū)域73，對(duì)應(yīng)于圖29右上的調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22，形成1個(gè)調(diào)整用柱電極形成用曝光掩模73A。這時(shí)，在調(diào)整用柱電極形成用曝光掩模73A，在中央部形成圓形狀的遮光部73a，在左下沿該曝光掩模左下角部形成大致為L(zhǎng)字形狀的遮光部73b。
在第3區(qū)域74，對(duì)應(yīng)于圖29左下的調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22，形成1個(gè)調(diào)整用柱電極形成用曝光掩模74A。這時(shí)，在調(diào)整用柱電極形成用曝光掩模74A，在中央部形成圓形狀的遮光部74a，在右上沿該曝光掩模右上角部形成大致為L(zhǎng)字形狀的遮光部74b。
在第4區(qū)域75，對(duì)應(yīng)于圖29右下的調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22，形成1個(gè)調(diào)整用柱電極形成用曝光掩模75A。這時(shí)，在調(diào)整用柱電極形成用曝光掩模75A，在中央部形成圓形狀的遮光部75a，在左上沿該曝光掩模左上角部形成大致為L(zhǎng)字形狀的遮光部75b。
按圖30所示進(jìn)行準(zhǔn)備，然后，如圖33所示，在包含通過開口部5露出的連接焊盤3的絕緣膜4的上表面全部，形成由環(huán)氧類樹脂等構(gòu)成的保護(hù)膜6。在保護(hù)膜6的上表面使正型保護(hù)膜32形成圖案。這時(shí)，在保護(hù)膜6的上表面形成正型保護(hù)膜81，進(jìn)行曝光。
也就是，在圖31所示第1曝光掩模62的第1區(qū)域63，利用按照2行2列形成的保護(hù)膜形成用曝光掩模63A，對(duì)圖29所示半導(dǎo)體元件形成區(qū)域21，每2行2列進(jìn)行分步曝光。這樣，對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體元件形成區(qū)域21的保護(hù)膜81的絕緣膜4的開口部5的部分被曝光。
然后，進(jìn)行顯象時(shí)，在對(duì)應(yīng)于絕緣膜4的開口部5的部分的保護(hù)膜81上形成開口部82。如圖34所示，將保護(hù)膜81作為掩模，對(duì)保護(hù)膜6進(jìn)行蝕刻時(shí)，在保護(hù)膜81的開口部82下的保護(hù)膜6形成開口部7。另一方面，在調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22，由于保護(hù)膜81未曝光，則在保護(hù)膜81未形成開口部，因此，在對(duì)應(yīng)于絕緣膜4的開口部5的部分的保護(hù)膜6也未形成開口部。然后，剝離保護(hù)膜81。
如圖35所示，在包含通過兩開口部5、7露出的連接焊盤3的保護(hù)膜6的上表面全部形成基底金屬層8。這時(shí)，基底金屬層8可以是由無電解電鍍形成的銅層，也可以是由濺射形成的銅層，還可以是在由濺射形成的鈦等薄膜層上由濺射形成的銅層。
接著在基底金屬層8的上表面使正型保護(hù)膜83形成圖案，這時(shí)，在基底金屬層8的上表面形成正型保護(hù)膜83，然后，進(jìn)行曝光。也就是，在圖31所示第1曝光掩模62的第2區(qū)域64，利用按照2行2列形成的再布線形成用曝光掩模64A，對(duì)圖29所示半導(dǎo)體元件形成區(qū)域21，每2行2列進(jìn)行分步曝光。這樣，對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體元件形成區(qū)域21的保護(hù)膜83的布線9形成區(qū)域的部分被曝光。
然后，進(jìn)行顯象時(shí)，在對(duì)應(yīng)于布線9形成區(qū)域的部分的保護(hù)膜83形成開口部84。接著，在將基底金屬層8作為電鍍電流通路進(jìn)行銅的電解電鍍時(shí)，在保護(hù)膜83的開口部84內(nèi)的基底金屬層8的上表面形成布線9。另一方面，在調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22，保護(hù)膜83不曝光，則不會(huì)在保護(hù)膜83上形成開口部，因此在基底金屬層8的上表面也不會(huì)形成再布線。然后，剝離保護(hù)膜83。
如圖36所示，在包含布線9的基底金屬層8的上表面使負(fù)型抗電鍍膜85形成圖案，這時(shí)，在包含布線9的基底金屬層8的上表面形成負(fù)型抗電鍍膜85，然后，進(jìn)行曝光。也就是，在圖31所示第1曝光掩模62的第3區(qū)域65，利用按照2行2列形成的柱電極形成用曝光掩模65A，對(duì)圖29所示半導(dǎo)體元件形成區(qū)域21，每2行2列進(jìn)行分步曝光。這樣，對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體元件形成區(qū)域21的保護(hù)膜85的柱電極10形成區(qū)域的部分以外被曝光。
利用在圖32所示第2曝光掩模71的第1區(qū)域72形成的1個(gè)調(diào)整用柱電極形成用曝光掩模72A，對(duì)圖29左上的調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22進(jìn)行曝光。這樣，對(duì)應(yīng)于圖29左上的調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22的保護(hù)膜85的兩調(diào)整用柱電極10b、10c形成區(qū)域的部分以外被曝光。
利用在圖32所示第2曝光掩模71的第2～第4區(qū)域73～75形成的調(diào)整用柱電極形成用曝光掩模73A～75A，對(duì)圖29中剩余的3個(gè)調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22進(jìn)行曝光。這樣，對(duì)應(yīng)于圖29中剩余的3個(gè)調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22的保護(hù)膜85的兩調(diào)整用柱電極10b、10c形成區(qū)域的部分以外被曝光。
然后，進(jìn)行顯象時(shí)，在半導(dǎo)體元件形成區(qū)域21，在對(duì)應(yīng)于布線9的連接焊盤部即柱電極10形成區(qū)域的保護(hù)膜85上形成開口部86。并且，在調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22，在對(duì)應(yīng)于兩調(diào)整柱電極10b、10c形成區(qū)域的保護(hù)膜85上形成開口部87、88。
接著將基底金屬層8作為電鍍電流通路進(jìn)行銅的電解電鍍時(shí)，在半導(dǎo)體元件形成區(qū)域21，在保護(hù)膜85的開口部86內(nèi)的布線9的連接焊盤部上表面形成柱電極10。并且，在調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22，在保護(hù)膜85的開口部87、88內(nèi)的基底金屬層8的上表面，形成暫時(shí)調(diào)整用柱電極10b和正式調(diào)整用柱電極10c。然后，剝離保護(hù)膜85。
如圖37所示，將布線9和兩調(diào)整用柱電極10b、10c作為掩模，蝕刻除去基底金屬層8的不要部分，在半導(dǎo)體元件形成區(qū)域21，僅在布線9下殘留基底金屬層8，在調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22，僅在兩調(diào)整用柱電極10b、10c下殘留基底金屬層8。
如圖38所示，在包含柱電極10、布線9以及兩調(diào)整用柱電極10b、10c的保護(hù)膜6的上表面全部形成由環(huán)氧類樹脂等構(gòu)成的密封膜11，其厚度稍大于柱電極10和兩調(diào)整用柱電極10b、10c的高度。因此，在這種狀態(tài)下，柱電極10和兩調(diào)整用柱電極10b、10c的上表面被密封膜11覆蓋。
接著適當(dāng)?shù)匮心コッ芊饽?1、柱電極10和兩調(diào)整用柱電極10b、10c的上表面?zhèn)龋鐖D39所示，使柱電極10和兩調(diào)整用柱電極10b、10c的上表面露出，并使包含該露出的柱電極10和兩調(diào)整用柱電極10b、10c的上表面的密封膜11的上表面平坦化。
如圖40所示，在柱電極10的上表面形成焊料球12。在硅襯底2的下面，在對(duì)應(yīng)于各半導(dǎo)體元件形成區(qū)域21的區(qū)域預(yù)定處形成預(yù)定標(biāo)記(按印)。如圖41所示，按切割線52切斷時(shí)，得到多個(gè)圖1和圖26所示的半導(dǎo)體元件1，并且，得到4個(gè)圖27和圖28所示的帶調(diào)整標(biāo)記元件51。
然而，在柱電極10形成工序后的焊料球12形成工序、標(biāo)記(按印)形成工序和切塊工序中，必須進(jìn)行晶片狀態(tài)的硅襯底2的位置配合。并且，在各柱電極10的上表面形成焊料球12之前，有時(shí)要在各柱電極10的上表面印刷焊料層，這時(shí)，位置配合也是必要的。此外，在標(biāo)記(按印)形成工序后切塊工序前，進(jìn)行電接點(diǎn)檢查工序時(shí)，也必須進(jìn)行晶片狀態(tài)的硅襯底2的位置配合。在這種情況下，將在調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22形成的兩調(diào)整用柱電極10b、10c作為調(diào)整標(biāo)記使用。
也就是，由于在具有與形成柱電極10的半導(dǎo)體元件形成區(qū)域21相同平面尺寸的調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22，形成調(diào)整用柱電極10b、10c，則在進(jìn)行晶片狀態(tài)的硅襯底2的位置配合時(shí)，將在調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域22形成的調(diào)整用柱電極10b、10c作為調(diào)整標(biāo)記，容易識(shí)別，可以防止調(diào)整標(biāo)記誤識(shí)別的發(fā)生。
這時(shí)，暫時(shí)調(diào)整用柱電極11b，其平面形狀是圓形狀，與柱電極10的平面形狀相同，但其直徑為1mm，大于柱電極10的直徑(例如0.25mm)，由于在調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域21形成，則不會(huì)與柱電極10誤識(shí)別。
可是，暫時(shí)調(diào)整用柱電極23，進(jìn)行晶片狀態(tài)的硅襯底2的暫時(shí)定位，正式調(diào)整用柱電極23進(jìn)行晶片狀態(tài)的硅襯底2的正式定位。例如，在切割裝置中，具有暫時(shí)定位用照像機(jī)和正式定位用照像機(jī)。暫時(shí)定位用照像機(jī)，視野范圍比較寬闊，透鏡倍率比較低；正式定位用照像機(jī)，視野范圍比較狹窄，透鏡倍率比較高。
暫時(shí)定位是將晶片狀態(tài)的硅襯底2上的正式調(diào)整用柱電極10c收容在正式定位用照像機(jī)的視野范圍內(nèi)。正式定位是在切割裝置的情況下，切片鋸正確切斷晶片狀態(tài)的硅襯底2的切割線52，由于是暫時(shí)定位后的定位，則可進(jìn)行高精度的定位。
這時(shí)，由于正式調(diào)整用柱電極10c的平面形狀與暫時(shí)調(diào)整用柱電極10b的平面形狀為圓形狀不同，大致為L(zhǎng)字形狀，則不會(huì)混淆兩調(diào)整用柱電極10b、10c，能夠可靠防止調(diào)整標(biāo)記誤識(shí)別的發(fā)生。
上述實(shí)施例中，使用圖31和圖32分別所示的第1和第2曝光掩摸62、71，必須有2個(gè)稱為標(biāo)度線的分步曝光用曝光掩模，因此，曝光掩模制作費(fèi)用提高，在柱電極形成工序中必須交換曝光掩模，工序時(shí)間拉長(zhǎng)。下面，參照?qǐng)D42說明用1個(gè)曝光掩模就可以完成的另一種曝光掩模。
圖42所示第1曝光掩模62與圖31所示情況的不同點(diǎn)是在第4區(qū)域66，將圖32所示4個(gè)調(diào)整用柱電極形成用曝光掩模72A～75A形成為2行2列。這時(shí)，調(diào)整用柱電極形成用曝光掩模72A配置在右下，調(diào)整用柱電極形成用曝光掩模73A配置在左下，調(diào)整用柱電極形成用曝光掩模74A配置在右上，調(diào)整用柱電極形成用曝光掩模75A配置在左上。
在第1曝光掩模62的第1～第3區(qū)域63～65形成的曝光掩模數(shù)，不限于2行2列，例如可以為2行4列。這時(shí)例如，如圖43的變形例1所示，在第4區(qū)域66，可以將8個(gè)調(diào)整用柱電極形成用曝光掩模81～88形成為2行4列。這時(shí)，由于帶有調(diào)整標(biāo)記的元件(即半導(dǎo)體元件)的平面形狀是長(zhǎng)方形狀，則調(diào)整用柱電極形成用曝光掩模81～88也為長(zhǎng)方形狀。
在調(diào)整用柱電極形成用曝光掩模81，在左上沿該曝光掩模的左上角部形成大致L字形狀的遮光部81a。在調(diào)整用柱電極形成用曝光掩模82，在右上沿該曝光掩模的右上角部形成大致L字形狀的遮光部82a。在調(diào)整用柱電極形成用曝光掩模83，在左邊中央部形成圓形狀的遮光部83a。在調(diào)整用柱電極形成用曝光掩模84，在右邊中央部形成圓形狀的遮光部84a。
在調(diào)整用柱電極形成用曝光掩模85，在左邊中央部形成圓形狀的遮光部85a。在調(diào)整用柱電極形成用曝光掩模86，在右邊中央部形成圓形狀的遮光部86a。在調(diào)整用柱電極形成用曝光掩模87，在左下沿該曝光掩模的左下角部形成大致L字形狀的遮光部87a。在調(diào)整用柱電極形成用曝光掩模88，在右下沿該曝光掩模的右下角部形成大致L字形狀的遮光部88a。
在曝光掩模6的第1～第3區(qū)域63～65形成的曝光掩模數(shù)，例如也可以為4行3列。這時(shí)，如圖44的變形例2所示，在第4區(qū)域66，可以將12個(gè)調(diào)整用柱電極形成用曝光掩模91～102形成為4行3列。這時(shí)，由于帶有調(diào)整標(biāo)記的元件(即半導(dǎo)體元件)的平面形狀是長(zhǎng)方形狀，則調(diào)整用柱電極形成用第2曝光掩模71～82也為長(zhǎng)方形狀。并且，無記號(hào)的調(diào)整用柱電極形成用曝光掩模91、94、96、97、99、102，都是空閑掩模，不形成遮光部。
在調(diào)整用柱電極形成用曝光掩模92，在左上沿該曝光掩模的左上角部形成大致L字形狀的遮光部92a。在調(diào)整用柱電極形成用曝光掩模93，在右上沿該曝光掩模的右上角部形成大致L字形狀的遮光部93a。在調(diào)整用柱電極形成用曝光掩模95，在中央部形成圓形狀的遮光部95a。在調(diào)整用柱電極形成用曝光掩模98，在中央部形成圓形狀的遮光部92a。在調(diào)整用柱電極形成用曝光掩模100，在左下沿該曝光掩模左下角部形成大致L字形狀的遮光部100a。在調(diào)整用柱電極形成用曝光掩模101，在右下沿該曝光掩模右下角部形成大致L字形狀的遮光部101a。
暫時(shí)調(diào)整用柱電極10b的平面形狀不限于圓形狀，例如可以為正方形狀。正式調(diào)整用柱電極10c的平面形狀不限于大致L字形狀，例如可以為大致十字形狀。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體元件，其特征是具有半導(dǎo)體襯底，包括上表面，該上表面具有多個(gè)半導(dǎo)體元件形成區(qū)域及至少一個(gè)調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域，上述調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域的平面尺寸與一個(gè)上述半導(dǎo)體元件形成區(qū)域的平面尺寸相同；多個(gè)連接焊盤，形成在各個(gè)上述半導(dǎo)體元件形成區(qū)域；絕緣膜，在包括上述連接焊盤的除其各自的中央部分以外的部分之上的所有上述半導(dǎo)體元件形成區(qū)域內(nèi)、以及在上述至少一個(gè)調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域之內(nèi)，形成在上述半導(dǎo)體襯底的上述上表面上；多個(gè)柱電極，形成在各個(gè)上述半導(dǎo)體元件形成區(qū)域內(nèi)的上述絕緣膜的上側(cè)，而且各個(gè)柱電極至少電連接到對(duì)應(yīng)的一個(gè)上述連接焊盤上；及用于進(jìn)行暫時(shí)調(diào)整的暫時(shí)調(diào)整用柱電極和用于進(jìn)行正式調(diào)整的正式調(diào)整用柱電極，形成在各調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域內(nèi)的上述絕緣膜的上側(cè)，而且個(gè)數(shù)少于在各半導(dǎo)體元件形成區(qū)域內(nèi)形成的上述柱電極，上述正式調(diào)整用柱電極的平面尺寸小于上述暫時(shí)調(diào)整用柱電極；密封膜，由有機(jī)樹脂形成，且形成在各個(gè)上述半導(dǎo)體元件形成區(qū)域內(nèi)的上述柱電極之間、并在各調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域內(nèi)的上述調(diào)整用柱電極的外部；其中，各調(diào)整用柱電極的上表面被露出到外部，而且與上述密封膜的上表面成齊平面。
2.如權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體元件，其中，上述正式調(diào)整用柱電極具有與上述暫時(shí)調(diào)整用柱電極的平面形狀不同的平面形狀。
3.如權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體元件，其中，上述正式調(diào)整用柱電極具有與上述柱電極的平面形狀相同的平面形狀。
4.如權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體元件，其中，上述正式調(diào)整用柱電極具有柱狀的形狀，而且上述正式調(diào)整用柱電極的沿著平行于上述半導(dǎo)體襯底的上述上表面的平面所截取的任意橫截面，具有基本相同的面積。
5.如權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體元件，其中，上述半導(dǎo)體襯底至少在三個(gè)部分包括至少一個(gè)上述調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域，上述三個(gè)部分包括位于一對(duì)對(duì)角線的角部的兩個(gè)部分。
6.一種半導(dǎo)體元件，其特征是具有半導(dǎo)體襯底，具有多個(gè)半導(dǎo)體元件形成區(qū)域及至少一個(gè)調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域，上述調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域的平面尺寸與一個(gè)上述半導(dǎo)體元件形成區(qū)域的平面尺寸相同；多個(gè)柱電極，形成在各個(gè)上述半導(dǎo)體元件形成區(qū)域內(nèi)；及多個(gè)調(diào)整用柱電極，形成在各個(gè)上述調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域，而且個(gè)數(shù)少于在各個(gè)上述半導(dǎo)體元件形成區(qū)域形成的上述柱電極；其中，上述調(diào)整用柱電極包括具有不同平面形狀的多種調(diào)整用柱電極，包括具有平面面積且用于進(jìn)行暫時(shí)調(diào)整的暫時(shí)調(diào)整用柱電極、和具有平面面積且用于進(jìn)行正式調(diào)整的正式調(diào)整用柱電極，上述正式調(diào)整用柱電極的上述平面面積小于上述暫時(shí)調(diào)整用柱電極的上述平面面積。
7.如權(quán)利要求6記載的半導(dǎo)體元件，其中，上述暫時(shí)調(diào)整用柱電極具有圓形的平面形狀。
8.如權(quán)利要求6記載的半導(dǎo)體元件，其中，上述正式調(diào)整用柱電極具有大致L形的平面形狀。
9.如權(quán)利要求6記載的半導(dǎo)體元件，其中，上述正式調(diào)整用柱電極具有大致十字形狀的平面形狀。
10.一種半導(dǎo)體元件，其特征是具有半導(dǎo)體襯底，包括上表面，該上表面具有多個(gè)半導(dǎo)體元件形成區(qū)域及至少一個(gè)調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域，上述調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域的平面尺寸與一個(gè)上述半導(dǎo)體元件形成區(qū)域的平面尺寸相同；多個(gè)連接焊盤，形成在各個(gè)上述半導(dǎo)體元件形成區(qū)域；絕緣膜，在包括上述連接焊盤的除其各自的中央部分以外的部分之上的所有上述半導(dǎo)體元件形成區(qū)域內(nèi)、以及在上述至少一個(gè)調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域之內(nèi)，形成在上述半導(dǎo)體襯底的上述上表面上；多個(gè)金屬膜，形成在上述絕緣膜上；多個(gè)柱電極，形成在各個(gè)上述半導(dǎo)體元件形成區(qū)域內(nèi)的上述絕緣膜的上述金屬膜上，而且各個(gè)柱電極至少電連接到對(duì)應(yīng)的一個(gè)上述連接焊盤上；及多個(gè)調(diào)整用柱電極，形成在各個(gè)調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域內(nèi)的上述絕緣膜的上述金屬膜上，而且個(gè)數(shù)少于在各個(gè)上述半導(dǎo)體元件形成區(qū)域形成的上述柱電極；密封膜，由有機(jī)樹脂形成，且形成在各個(gè)上述半導(dǎo)體元件形成區(qū)域內(nèi)的上述柱電極之間、并在各調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域內(nèi)的上述調(diào)整用柱電極的外部；其中，各調(diào)整用柱電極的上表面被露出到外部，而且與上述密封膜的上表面成齊平面。
11.如權(quán)利要求10記載的半導(dǎo)體元件，其中，上述調(diào)整用柱電極包括具有不同平面形狀的多種調(diào)整用柱電極，包括具有平面面積且用于進(jìn)行暫時(shí)調(diào)整的暫時(shí)調(diào)整用柱電極、和具有平面面積且用于進(jìn)行正式調(diào)整的正式調(diào)整用柱電極。
12.如權(quán)利要求10記載的半導(dǎo)體元件，其中，上述正式調(diào)整用柱電極具有大致L形的平面形狀。
13.如權(quán)利要求10記載的半導(dǎo)體元件，其中，上述正式調(diào)整用柱電極具有大致十字形狀的平面形狀。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體元件，在柱電極形成后，能可靠地識(shí)別調(diào)整標(biāo)記，并高效率地進(jìn)行調(diào)整，其具有半導(dǎo)體襯底，具有多個(gè)半導(dǎo)體元件形成區(qū)域及至少一個(gè)調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域；多個(gè)連接焊盤；絕緣膜；多個(gè)柱電極；及用于進(jìn)行暫時(shí)調(diào)整的暫時(shí)調(diào)整用柱電極和用于進(jìn)行正式調(diào)整的正式調(diào)整用柱電極，形成在各調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域內(nèi)的絕緣膜的上側(cè)，而且個(gè)數(shù)少于在各半導(dǎo)體元件形成區(qū)域內(nèi)形成的柱電極，正式調(diào)整用柱電極的平面尺寸小于暫時(shí)調(diào)整用柱電極；密封膜，由有機(jī)樹脂形成，且形成在各個(gè)半導(dǎo)體元件形成區(qū)域內(nèi)的柱電極之間、并在各調(diào)整標(biāo)記形成區(qū)域內(nèi)的調(diào)整用柱電極的外部；其中，各調(diào)整用柱電極的上表面被露出到外部，而且與密封膜的上表面成齊平面。
文檔編號(hào)H01L23/544GK1953167SQ20061016251
公開日2007年4月25日 申請(qǐng)日期2004年5月26日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月26日
發(fā)明者脅坂伸治, 伊藤智宏, 橫山茂, 桑原治 申請(qǐng)人:卡西歐計(jì)算機(jī)株式會(huì)社