專利名稱：自行對準(zhǔn)接觸窗及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體工藝:，且特別是涉及一種自行對準(zhǔn)接觸窗及其制 造方法。
背景技術(shù)：
快閃存儲元件由于具有可多次進行數(shù)據(jù)的存入、讀取、抹除等動作，且 存入的數(shù)據(jù)在斷電后也不會消失的優(yōu)點，所以已成為個人電腦和電子設(shè)備所 廣泛采用的一種非揮發(fā)性存儲元件。典型的快閃存儲元件是以摻雜的多晶硅制作浮置柵極(Floating Gate)與 控制柵極(ControlGate)。而且，控制柵極直接設(shè)置在浮置柵極上，浮置柵極 與控制柵極之間以柵間介電層相隔，而浮置柵極與基底間以穿隧介電層相隔 (亦即所謂堆疊柵極快閃存儲器)。另一方面，目前業(yè)界較常使用的快閃存儲陣列包括NOR型陣列結(jié)構(gòu)與 NAND型陣列結(jié)構(gòu)。由于NAM)型陣列的非揮發(fā)性存儲結(jié)構(gòu)是使各存儲單 元串接在一起，其集成度與面積利用率較NOR型陣列的非揮發(fā)性存儲器好， 因此已經(jīng)廣泛地應(yīng)用于多種電子產(chǎn)品中。請參照圖1，所示為NAND型存儲元件的位線接觸窗結(jié)構(gòu)剖面圖。現(xiàn)有 位線接觸窗的形成方法例如是在隔離結(jié)構(gòu)102與層間介電層104形成之后， 以自行對準(zhǔn)接觸窗工藝(Self-aligned Contact Process)形成位線接觸窗106，而 填充位線接觸窗開口的材料為多晶硅。然而，當(dāng)元件尺寸縮小時，有可能因 為工藝變異的緣故造成位線接觸窗106偏移，位線接觸窗106會因此與基底 100接觸，如圈起處108,而造成結(jié)漏電流(Junction Leakage)的現(xiàn)象。此外， 以多晶硅作為填充位線接觸窗開口的材料，會使得位線接觸窗的阻值升高， 影響元件的操作效能。發(fā)明內(nèi)容鑒此，本發(fā)明的目的就是在提供一種自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，此方法可以防止結(jié)漏電流的問題并且降〗氐4妻觸窗阻值。本發(fā)明的再一目的是提供一種自行對準(zhǔn)接觸窗，其結(jié)構(gòu)可以防止結(jié)漏電 流并且具有較低的接觸窗阻值。本發(fā)明提供一種自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法。此方法包括下列步驟。首先，提供基底，基底上已形成有多個NAND型存儲單元行，NAND型存儲 單元行包括漏極區(qū)。然后，在基底上形成層間介電層，以覆蓋NAND型存 儲單元行。繼之，圖案層間介電層，以形成多個開口，其分別暴露出漏極區(qū)。 然后，進行選擇性硅成長工藝，以在開口所暴露的漏極區(qū)上形成材料層。再 者，在材料層上形成金屬層以填滿開口。依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，上述的選 擇性硅成長工藝?yán)缡鞘褂霉柰闅怏w作為反應(yīng)氣體。依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，上述的硅 烷氣體包括硅甲烷、硅乙烷或硅丙烷。依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，上述的選 擇性硅成長工藝包括外延工藝。依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，上述的選 擇性硅成長工藝包括選擇性硅沉積工藝。擇性硅沉積工藝包括化學(xué)氣相沉積法。依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，上述的材 料層的材料例如是摻雜或未摻雜的單晶硅、摻雜或未摻雜的多晶硅。依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，上述的層 間介電層的材料例如是磷硅玻璃或硼磷硅玻璃。依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，上述的層 間介電層的形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，上述的金 屬層的材料例如是鴒。依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，上述的金 屬層的形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。屬層形成之后，還包括移除開口之外的金屬層。 、本發(fā)明提供一種自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法。此方法包括下列步驟。首 先，提供基底，基底中已形成有平行排列的多個元件隔離結(jié)構(gòu)。接著，在元 件隔離結(jié)構(gòu)之間的基底中形成摻雜區(qū)，并于基底上形成層間介電層。此層間 介電層中具有多個開口，這些開口分別暴露出摻雜區(qū)。然后，進行選擇性硅成長工藝，以在開口所暴露的摻雜區(qū)上形成材料層。之后，在材料層上形成 金屬層以填滿開口。擇性硅成長工藝?yán)缡鞘褂霉柰闅怏w作為反應(yīng)氣體。依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，上述的硅 烷氣體包括硅曱烷、硅乙烷或硅丙烷。依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，上述的選 擇性硅成長工藝包括外延工藝。依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，上述的選 擇性硅成長工藝包括選擇性硅沉積工藝。依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，上述的選 擇性硅沉積工藝包括化學(xué)氣相沉積法。料層的材料例如是摻雜或未摻雜的單晶硅、摻雜或未摻雜的多晶硅。依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，上述的層間介電層的材料例如是磷硅玻璃或硼磷硅玻璃。本發(fā)明的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法采用選擇性硅成長工藝，先在自行對準(zhǔn)接觸窗開口底部形成材料層，然后，再形成金屬層以填滿開口。如此一來，即便產(chǎn)生自行對準(zhǔn)接觸窗對準(zhǔn)失誤的現(xiàn)象，金屬層也不會與基底直接接 觸，進而避免了結(jié)漏電流現(xiàn)象的發(fā)生。再者，以鴒取代現(xiàn)有的多晶硅，作為 接觸窗的主要材料，可以使得接觸窗的阻值降低，以提高元件的效能。本發(fā)明提供一種自行對準(zhǔn)接觸窗，此自行對準(zhǔn)接觸窗包括基底、層間介電層、選擇性硅成長材料層與金屬層。多個NAND型存儲單元行配置于基 底上，NAND型存儲單元行包括源極區(qū)與漏極區(qū)。層間介電層配置于基底上 并具有多個開口，開口暴露出部分漏極區(qū)。選擇性硅成長材料層配置于開口 中，且位于漏極區(qū)上。金屬層配置于選擇性硅成長材料層上并填滿開口。 依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的自行對準(zhǔn)接觸窗，上述的NAND型存儲單元行還包括多個存儲單元、二個選擇單元與多個摻雜區(qū)。存儲單元設(shè)置 于源極區(qū)與漏極區(qū)之間的基底上，各存儲單元具有電荷儲存層。摻雜區(qū)設(shè)置 于存儲單元之間的基底中，而使存儲單元串聯(lián)連接在一起。二個選擇單元分 別設(shè)置于串聯(lián)連接的存儲單元與源極區(qū)、漏極區(qū)之間。依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的自行對準(zhǔn)接觸窗，上述的存儲單元由基 底起例如是穿隧介電層、電荷儲存層、柵間介電層與控制柵極。依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的自行對準(zhǔn)接觸窗，上述的柵間介電層的 材料例如是氧化硅/氮化硅/氧化硅。依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的自行對準(zhǔn)接觸窗，上述的電荷儲存層的 材料例如是摻雜多晶硅。依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的自行對準(zhǔn)接觸窗，上述的穿隧介電層的 材料例如是氧化硅。依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的自行對準(zhǔn)接觸窗，上述的層間介電層的 材料例如是磷硅玻璃或硼磷硅玻璃。依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例所述的自行對準(zhǔn)接觸窗，上述的金屬層的材料 例如是鴒。本發(fā)明的自行對準(zhǔn)接觸窗，是在自行對準(zhǔn)接觸窗開口底部有一層硅材料 層。如此一來，即便產(chǎn)生自行對準(zhǔn)接觸窗對準(zhǔn)失誤的現(xiàn)象，金屬層也不會與 硅基底直接接觸，進而避免了結(jié)漏電流現(xiàn)象的發(fā)生。再者，以鎢為接觸窗的 主要材料，可以使得接觸窗的阻值降低，并提高元件的效能。為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并結(jié)合附圖，作詳細(xì)iJt明如下。


圖1為自行對準(zhǔn)接觸窗工藝變異所造成的結(jié)漏電流現(xiàn)象的剖面圖。 圖2A至圖2C為依照本發(fā)明優(yōu)選實施例所繪示NAND型存儲器的自行 對準(zhǔn)接觸窗的制造流程上視圖。圖3A至圖3C為分別繪示圖2A至圖2C中的沿切線A-A，所繪示的制造流程剖面圖。圖4A至圖4C為分別繪示圖2A至圖2C中的沿切線B-B，所繪示的制造 流程剖面圖。簡單符號說明200:基底202:隔離結(jié)構(gòu)204:有源區(qū)206:存儲單元行208:存儲單元210:漏才及區(qū)212:源極區(qū)214a、 214b:選擇單元216'摻雜區(qū)218穿隧介電層220電荷儲存層222柵間介電層224控制柵極226、 232:層間介電層228溝道230源極線234開口236材料層238:金屬層具體實施方式
對準(zhǔn)接觸窗的制造流程上視圖。圖3A至圖3C為分別繪示圖2A至圖2C中 的沿切線A-A'所繪示的制造流程剖面圖。圖4A至圖4C為分別繪示圖2A 至圖2C中的沿切線B-B，所繪示的制造流程剖面圖。請同時參照圖2A、圖3A與圖4A。首先，提供基底200，此基底例如 是硅基底。然后，在基底200中形成多個隔離結(jié)構(gòu)202，以在相鄰的隔離結(jié) 構(gòu)202之間定義出有源區(qū)204。隔離結(jié)構(gòu)202例如是溝道隔離結(jié)構(gòu)。溝道隔 離結(jié)構(gòu)的形成方法例如是先于基底200上形成圖案的掩模層。再來，以圖案 的掩模層為掩模，移除部分基底以形成多個溝道。接著，在基底200上形成絕緣材料層，絕緣材料層填滿溝道。之后，移除溝道之外的部分絕緣材料層以形成隔離結(jié)構(gòu)202。隔離結(jié)構(gòu)202在X方向(行方向)上平行排列。然后，在基底200上形成多個存儲單元行206。各存儲單元行206例如 是由多個存4*單元208、漏4及區(qū)210與源4及區(qū)212、兩個選擇單元214a、 214b 所構(gòu)成。其中，存儲單元208串聯(lián)連接于漏極區(qū)210與源極區(qū)212之間。兩 個選擇單元214a、 214b分別形成于存儲單元行206中最外側(cè)的兩個存儲單 元與漏極區(qū)210、源極區(qū)212之間。并且，各存儲單元208之間以及存儲單 元208與兩個選擇單元214a、 214b之間例如是以摻雜區(qū)216連接在一起。 而存儲單元208從基底200起至少包括穿隧介電層218、電荷儲存層220、 柵間介電層222以及控制柵極224。請同時參照圖2B、 3B與4B,在基底200上形成層間介電層226。層間 介電層226的材料例如是磷硅玻璃或硼磷硅玻璃或其他適合的介電材料，其 形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。然后，圖案層間介電層226，以形成溝道 228。圖案層間介電層226的方法例如是光刻蝕刻工藝。其中，溝道228則 暴露出部分源極區(qū)212。然后在溝道228中形成金屬層，作為源極線230。接著，請同時參照圖2C、圖3C與圖4C。在基底200上形成層間介電 層232。層間介電層232的材料例如是磷硅玻璃或硼磷硅玻璃或其他適合的 介電材料，其形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。然后，圖案層間介電層232、 層間介電層226，以形成多個開口 234。開口 234分別暴露出漏極區(qū)210。在 開口 234中形成一層材料層236。材料層236的材料例如是摻雜或未摻雜的 單晶硅、摻雜或未摻雜的多晶硅。材料層236的形成方法包括選擇性硅成長 工藝。材料層236的形成方法例如是選擇性外延法。選擇性硅成長工藝包括 使用硅烷氣體作為反應(yīng)氣體，而硅烷氣體例如是硅曱烷、硅乙烷或硅丙烷。 在另一實施例中，還可以利用選擇性硅沉積工藝來形成材料層236。選擇性 硅沉積工藝?yán)缡腔瘜W(xué)氣相沉積法。在形成接觸窗之前，先在開口底部形成 一層硅材料層，這樣的設(shè)計可以避免若發(fā)生自行對準(zhǔn)接觸窗對準(zhǔn)失誤時，由 于接觸窗金屬層與基底直接接觸所造成的結(jié)漏電流的現(xiàn)象。然后，請繼續(xù)參照圖2C、圖3C與圖4C，分別在開口 234中形成金屬 層238。金屬層238的形成方法例如是先在基底200上形成金屬材料層，此 金屬材料層填滿開口 234。之后，進行化學(xué)機械研磨工藝，以層間介電層232 為研磨終止層，移除開口 234之外的金屬材料層。而金屬層238的材料例如是鴒。以鴒取代現(xiàn)有常用的多晶硅，作為填滿接觸窗開口的金屬層，可以使得接觸窗的阻值降低，并且提高元件的效能。而后續(xù)完成半導(dǎo)體元件的工藝 為本領(lǐng)域的技術(shù)人員所周知，在此不再贅述。接下來，i兌明本發(fā)明的NAND型存儲器的自行對準(zhǔn)接觸窗結(jié)構(gòu)。 請再次參照圖2C、圖3C與圖4C，本發(fā)明的NAND型存儲器的自行對 準(zhǔn)接觸窗主要是由基底200、層間介電層226與232、材料層236以及金屬 層238所組成。其中，基底200上已設(shè)置有多個NAND型存儲單元行206， NAND型存儲單元行206包含漏極區(qū)210、源極區(qū)212、存儲單元208、選 擇單元214a與214b以及摻雜區(qū)216。存儲單元208設(shè)置于源極區(qū)212與漏 極區(qū)210之間的基底200上，存儲單元208的組成自基底200起依次為穿隧 介電層218、電荷儲存層220、柵間介電層222與控制柵極224。柵間介電層 222的材料例如是氧化硅/氮化硅/氧化硅。電荷儲存層220的材料例如是摻 雜多晶硅。穿隧介電層218的材料例如是氧化硅。多個摻雜區(qū)216設(shè)置于存 儲單元208之間的基底200中，而使存儲單元208串聯(lián)連接在一起。而選擇 單元214a與214b則分別設(shè)置于串聯(lián)連接的存儲單元208與源極區(qū)212、漏 極區(qū)210之間。請繼續(xù)參照圖2C、圖3C與圖4C,層間介電層226與232配置于基底 200上并且具有多個開口 234,開口 234暴露出部分漏極區(qū)210。層間介電層 226與232的材料可以是磷硅玻璃或硼磷硅玻璃或其他適合的介電材料。材 料層236配置于開口 234中，且位于漏極區(qū)210上。材料層236的材料例如 是摻雜多晶硅。金屬層238配置于材料層236上并填滿開口 234。金屬層234 的材料例如是鴒。在開口 234底部形成一層材料層236的用意在于，若是制造工藝當(dāng)中發(fā) 生自行對準(zhǔn)接觸窗對準(zhǔn)失誤，而使得接觸窗偏移，金屬層234可以因為材料 層236的屏蔽而避免與基底200直接接觸，進而防止了結(jié)漏電流現(xiàn)象的發(fā)生。 另一方面，以鴒做為金屬層238的材料，可以改善現(xiàn)有因采用多晶硅所造成 的接觸窗阻值過高的問題。綜上所述，本發(fā)明的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，是進行選擇性硅成長 工藝，以在自行對準(zhǔn)接觸窗開口底部形成材料層。如此一來，即便產(chǎn)生自行 對準(zhǔn)接觸窗對準(zhǔn)失誤的現(xiàn)象，金屬層也不會與硅基底直接接觸，進而避免了 結(jié)漏電流現(xiàn)象的發(fā)生。再者，以鵠為接觸窗的主要材料，可以使得接觸窗的阻值降低，以提高元件的效能。雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實施例揭示如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，任 何本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動 與修改，因此本發(fā)明的保護范圍以所附權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，包括提供基底；在該基底上形成多個NAND型存儲單元行，該些NAND型存儲單元行各包括漏極區(qū)；在該基底上形成層間介電層，以覆蓋該些NAND型存儲單元行；圖案該層間介電層，以形成多個開口，該些開口分別暴露出該些漏極區(qū)；進行選擇性硅成長工藝，以在該些開口所暴露的該些漏極區(qū)上形成材料層；以及在該材料層上形成金屬層以填滿該些開口。
2. 如權(quán)利要求1所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法， 長工藝包括使用硅烷氣體作為反應(yīng)氣體。
3. 如權(quán)利要求2所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法， 硅曱烷、硅乙烷或硅丙烷。
4. 如權(quán)利要求1所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法， 長工藝包括外延工藝。
5. 如權(quán)利要求1所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法， 長工藝包括選擇性硅沉積工藝。
6. 如權(quán)利要求5所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法， 積工藝包括化學(xué)氣相沉積法。
7. 如權(quán)利要求1所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法， 料包括摻雜或未摻雜的單晶硅、摻雜或未摻雜的多晶硅
8. 如權(quán)利要求1所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法， 的材料包括磷硅玻璃或硼磷硅玻璃。
9. 如權(quán)利要求1所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法， 的形成方法包括化學(xué)氣相沉積法。
10. 如權(quán)利要求1所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中該金屬層的材 料包括鎢。
11. 如權(quán)利要求1所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中該金屬層的形 成方法包括化學(xué)氣相沉積法。 其中該選擇性硅成 其中硅烷氣體包括 其中該選擇性硅成 其中該選擇性硅成 其中該選擇性硅沉 其中該材料層的材 其中該層間介電層 其中該層間介電層
12. 如權(quán)利要求1所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中該金屬層形成 之后，還包括移除該些開口之外的該金屬層。
13. —種自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，包括提供基底，該基底中已形成有多個元件隔離結(jié)構(gòu)，該些元件隔離結(jié)構(gòu)平 行排列；在該些元件隔離結(jié)構(gòu)之間的基底中形成摻雜區(qū)；在該基底上形成層間介電層，該層間介電層中具有多個開口，該些開口 分別暴露出該些摻雜區(qū)；進行選擇性硅成長工藝，以在該些開口所暴露的該些摻雜區(qū)上形成材料 層；以及在該材料層上形成金屬層以填滿該些開口 。
14. 如權(quán)利要求13所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中該選擇性硅 成長工藝包括使用硅烷氣體作為反應(yīng)氣體。
15. 如權(quán)利要求14所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中硅烷氣體包 括硅曱烷、硅乙烷或硅丙烷。
16. 如權(quán)利要求13所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中該選擇性硅 成長工藝包括外延工藝。
17. 如權(quán)利要求13所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中該選擇性硅 成長工藝包括選擇性硅沉積工藝。
18. 如權(quán)利要求17所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中該選擇性硅 沉積工藝包括化學(xué)氣相沉積法。
19. 如權(quán)利要求13所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中該材料層的 材料包括摻雜或未摻雜的單晶硅、摻雜或未摻雜的多晶硅。
20. 如權(quán)利要求13所述的自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法，其中該層間介電 層的材料包括磷硅玻璃或硼磷硅玻璃。
21. —種自行對準(zhǔn)接觸窗，包括基底，該基底上設(shè)置有多個NAND型存儲單元行，該些NAND型存儲 單元行各包括源極區(qū)與漏極區(qū)；層間介電層，配置于該基底上并具有多個開口，該些開口暴露出部分該 些漏極區(qū)；選擇性硅成長材料層，配置于該些開口中，且位于該些漏極區(qū)上；以及金屬層，配置于該選擇性硅成長材料層上并填滿該些開口 。
22. 如權(quán)利要求21所述的自行對準(zhǔn)接觸窗，其中各該NAND型存儲單元 行還包括多個存儲單元，設(shè)置于該源極區(qū)與該漏極區(qū)之間的該基底上，各該些存 儲單元具有電荷儲存層；多個摻雜區(qū)，設(shè)置于該些存儲單元之間的該基底中，而使該些存儲單元 串聯(lián)連接在一起；以及二個選擇單元，分別設(shè)置于串聯(lián)連接的該些存儲單元與該源極區(qū)、該漏 才及區(qū)之間。
23. 如權(quán)利要求22所述的自行對準(zhǔn)接觸窗，其中各該些存儲單元由該基 底起至少包括穿隧介電層、電荷儲存層、柵間介電層與控制柵極。
24. 如權(quán)利要求23所述的自行對準(zhǔn)接觸窗，其中該柵間介電層的材料包 括氧化硅/氮化硅/氧化硅。
25. 如權(quán)利要求23所述的自行對準(zhǔn)接觸窗，其中該電荷儲存層的材料為 摻雜多晶硅。
26. 如權(quán)利要求23所述的自行對準(zhǔn)接觸窗，其中該穿隧介電層的材料包 括氧化硅。
27. 如權(quán)利要求21所述的自行對準(zhǔn)接觸窗，其中該層間介電層的材料包 括磷硅玻璃或硼磷硅玻璃。
28. 如權(quán)利要求21所述的自行對準(zhǔn)接觸窗，其中該金屬層的材料包括鎢。
全文摘要
一種自行對準(zhǔn)接觸窗的制造方法。此方法包括提供已形成有多個NAND型存儲單元行的基底，NAND型存儲單元行包括漏極區(qū)。接著，在基底上形成層間介電層，以覆蓋NAND型存儲單元行。再來，圖案層間介電層，以形成多個開口，開口暴露出漏極區(qū)。繼之，進行選擇性硅成長工藝，以在開口所暴露的漏極區(qū)上形成材料層。之后，在材料層上形成金屬層以填滿開口。
文檔編號H01L23/52GK101236927SQ20071000474
公開日2008年8月6日 申請日期2007年1月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月30日
發(fā)明者畢嘉慧, 魏鴻基 申請人:力晶半導(dǎo)體股份有限公司