專利名稱：：一種p-GaN低阻歐姆接觸的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種p型氮化鎵(p-GaN)，尤其是涉及一種用p-AlGaN/p-InGaN超晶格作為頂層的p-GaN低阻歐姆接觸的制備方法。
背景技術(shù)：
：近年來(lái)，寬阱帶半導(dǎo)體材料GaN基由于其在短波長(zhǎng)發(fā)光器件、光探測(cè)器件以及抗輻射、高頻和大功率器件方面有廣泛的應(yīng)用前景而備受關(guān)注,發(fā)展十分迅速。而這些器件都涉及到P型歐姆接觸，但良好的P型歐姆接觸一直是制約其進(jìn)一步發(fā)展的主要因素之一。GaN基材料的低阻P型歐姆接觸主要受到以下兩個(gè)方面的制約缺乏合適的接觸金屬材料，p-GaN材料的功函數(shù)很大(7.5eV)，而功函數(shù)最大的金屬Pt也只有5.65eV;很難獲得高濃度P型摻雜GaN基材料(p型GaN濃度〉10"cm—3);除此之外，金屬化工藝(包括表面處理，金屬沉積和合金化處理)的條件也會(huì)影響p-GaN的接觸電阻。目前國(guó)內(nèi)外工業(yè)化生長(zhǎng)p型GaN基材料大都采用MOCVD中摻Mg，再置于N2氣氛中在70080(TC下退火的方法，獲得l(^cm—3量級(jí)較低的空穴濃度，而且此方法由Nakamura等人提出來(lái)的(NakamuraS,IwataN,SenohM,etal.Holecompensationmachanismofp-typeGaNfilms[J].Jpn.J.Appl.Phys.，1992,31:1258)。國(guó)際國(guó)內(nèi)都在嘗試新的方法，如分子束外延(MBE)法、ECRMBE法、離子注入法、高壓生長(zhǎng)法、閉管擴(kuò)散法和共摻法等。但這些方法因工藝或設(shè)備復(fù)雜、引入缺陷。目前從網(wǎng)上查找到國(guó)內(nèi)主要的廠家p-GaN的比接觸電阻都僅在10^Qcr^數(shù)量級(jí)。這是因?yàn)槿狈瘮?shù)足夠高的金屬和p-GaN空穴濃度太低,只有p型GaN重?fù)诫s時(shí)才可形成歐姆接觸。國(guó)內(nèi)外很多研究小組不斷地探索用新方法1999年Jin-KuoHo(HoJK，JongCS，HuangCNetal.Low-resistanceohmiccontactstop-typeGaNachievedbytheoxidationofNi/Aufilms[J].Appl.Phys.Lett.,1999;86(8):4491~4497)等人用Ni/Au作接觸金屬，在氧氣氛下50(TC退火，得到4><10—6&1112的接觸比電阻，但Au基接觸的熱穩(wěn)定性通常較差；同年Suzuki(SuzukiM,KawakamiT,AraiTetal.Low-resistanceTa/TiOhmiccontactsforp-typeGaN[J].Appl.Phys.Lett.,1999;74(2):275277)等采用Ta/Ti方案，經(jīng)熱退火后得到低阻3xl(T5Qcm2，然而這種接觸在空氣中會(huì)變質(zhì)；2000年Jang等(JangJS,ParkSJ,SeongTYetal,LowresistanceandthermallystablePt/RuOhmiccontactstop陽(yáng)typeGaN[J].PhysicaStatusSolidi(A)AppliedResearch,2000;180(1):103107)采用Pt/Ru與p-GaN接觸，經(jīng)熱退火得到低阻2.2><10—600112，這些是目前幾個(gè)較好的結(jié)果。2003年北京大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體研究中心的Z.Z.Chen(Z.Z.Chen,Z.X.Qin,Y.Z.Tong,，X.D.Hu,J丄Yu,Z丄Yang,X.M.Ding.Z.H丄i,["MaterialsScienceandEngineeringBIOO(2003)199-2003)等人做了相似的工作但沒有得到上述水平。2003年臺(tái)灣清華大學(xué)的S.H.Liu(Liu,S.H.Hwang,J.M.;Hwang,Z.H.;Hung,W.H.;Hwang,H丄.Source:AppliedSurfaceScience,v212-213,nSPEC"May15,2003，p卯7-911)等人用Ni/Cu作為接觸金屬，N2保護(hù)下退火，得到接觸比電阻的最佳值為L(zhǎng)31xl(T^cm2。還有研究小組采用其它方法獲得了低阻的p-GaN歐姆接觸，1988年Sand等(SandsT，MarshallED,WangLC.Solid-phaseregrowthofcompoundsemiconductorsbyreaction-drivendecompositionofintermediatephase[J].J.Mater.Res.1988;3(5):914921)提出摻入p型的雜質(zhì)到半導(dǎo)體的表面層可能產(chǎn)生低阻的接觸，Kumakura等(KumakuraK,MakimotoT，andKobayashiN.Kobayashi.Low-resistancenonalloyedohmiccontacttop-typeGaNusingstrainedInGaNcontactlayer[J].Appl.Phys.Lett.2001;79(16):25882590)在Pd/Au和p-GaN之間插入一層2nm的應(yīng)變InGaN接觸層，未經(jīng)任何處理就得到了相當(dāng)?shù)偷慕佑|電阻率l.lxlO—6Qcm2。采用p-AlGaN/p-GaN或者p-InGaN/p-GaN超晶格應(yīng)變層作為p-GaN的接觸層是一種獲得低阻的方法，但已有研究表明AlGaN與GaN晶格不匹配，在材料生長(zhǎng)過程中存在張應(yīng)變，使得生長(zhǎng)出來(lái)器件質(zhì)量不高，影響表面接觸電阻的降低；同樣InGaN與GaN晶格也不匹配，在材料生長(zhǎng)過程中存在壓應(yīng)變，導(dǎo)致晶體質(zhì)量降低，接觸電阻也相應(yīng)的降低。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于針對(duì)現(xiàn)有的p-GaN歐姆接觸電阻大的問題，提供一種p-GaN低阻歐姆接觸的制備方法。本發(fā)明的技術(shù)方案是利用p-InGaN/p-AlGaN超晶格存在應(yīng)變補(bǔ)償效應(yīng)(AlGaN的張應(yīng)變和InGaN的壓應(yīng)變)，以提高材料表面質(zhì)量；利用p-InGaN/p-AlGaN超晶格中Mg的低激活能，以提高P型材料的空穴濃度；利用p-InGaN/p-AlGaN超晶格中極化效應(yīng)，導(dǎo)致Mg的摻雜效率提高，并且在p-GaN表面形成二維電子氣，以提高p-GaN表面空穴濃度。所有樣品在ThomasSwanMOCVD設(shè)備上生長(zhǎng)，用N2和H2混合氣作為載氣，整個(gè)生長(zhǎng)壓力控制在50300Torr之間，從三個(gè)方面降低p-GaN的接觸電阻。本發(fā)明的具體步驟為1)將(0001)取向的藍(lán)寶石襯底裝入反應(yīng)室，在H2氣氛下，10001100'C高溫下對(duì)襯底熱處理515min，降溫到5001000'C對(duì)襯底氮化處理60150s;2)降至530570。C生長(zhǎng)厚度為1530nm的GaN緩沖層，隨后升溫到10301050。C恒溫515min，使GaN緩沖層重新結(jié)晶；3)在10001100。C外延生長(zhǎng)1.52pmGaN層；4)將溫度降到800950'C生長(zhǎng)摻鎂GaN層，摻鎂GaN層的厚度為500900nm，生長(zhǎng)時(shí)間為1530min;5)再降溫生長(zhǎng)5個(gè)周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格層，5個(gè)周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格層的厚度為2035nm，5個(gè)周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格層的p-InGaN層、p-AlGaN層的厚度分別為25nm、27nm;6)在5個(gè)周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格層上再生長(zhǎng)p-InGaN蓋層，p-InGaN蓋層的厚度為23nm。本發(fā)明的Ga、In、Al、Mg、N、Si源分別為高純的三甲基鎵(TMGa)、三甲基銦(TMIn)、三甲基鋁(TMA1)、二茂鎂(Cp2Mg)、NH3和硅烷(SiH4)。生長(zhǎng)GaN緩沖層的壓力為200650Torr，載氣流量為1030L/min，TMGa流量為20120pmol/min，NH3流量為80120mol/min。生長(zhǎng)GaN層及摻鎂GaN層的壓力為100200Torr，載氣流量為520L/min，TMGa流量為80400pmol/min，NH3流量為120500mol/min，Cp2Mg為140腦ol/min。生長(zhǎng)5個(gè)周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格層的壓力為300400Torr，載氣流量為520L/min，NH3流量為120500mol/min，TMGa流量為58(amol/min，TMIn流量為100200[imol/min，CpzMg為100nmol/min;p-AlGaN的TMGa流量為58pmol/min，TMA1流量為510pmol/min，Cp2Mg為260(imol/min。與現(xiàn)有的p-GaN歐姆接觸相比，本發(fā)明的突出優(yōu)點(diǎn)通過對(duì)p-GaN頂層的設(shè)計(jì)，采用p-InGaN/p-AlGaN超晶格層作p-GaN的頂層。利用p-InGaN/p-AlGaN超晶格存在應(yīng)變補(bǔ)償效應(yīng)(AlGaN的張應(yīng)變和InGaN的壓應(yīng)變)，提高材料表面質(zhì)量；利用p-InGaN/p-AlGaN超晶格中Mg的低激活能，提高P型材料的空穴濃度；利用AlGaN/InGaN超晶格激化效應(yīng)，通過在表面形成二維電子氣，提高表面空穴濃度。從本質(zhì)上降低接觸電阻并改善了p-GaN薄膜的質(zhì)量。l)提高p-GaN材料空穴濃度。p-InGaN/p-AlGaN超晶格的極化效應(yīng)導(dǎo)致能帶彎曲使得Mg的慘雜效率提高。p-AlGaN與p-InGaN的導(dǎo)帶差(AEc)比p-InGaN與p-GaN的導(dǎo)帶差(AEc)更大,能更好地限制二維電子氣，由此可以獲得更高的空穴濃度。3種結(jié)構(gòu)分別是p-GaN直接做接觸層(樣品A);用p-InGaN/p-GaN超晶格層作p-GaN的接觸層(樣品B);用p-InGaN/p-AlGaN超晶格層作p-GaN接觸層(樣品C)。3種結(jié)構(gòu)與金屬接觸的能帶圖見圖6，從圖6可以看到樣品B比樣品A具有更低的肖特基勢(shì)壘高度(SBH)和更高的表面空穴濃度，樣品C比樣品B具有更大的表面空穴濃度，因此樣品C可以獲得最小的接觸電阻。由霍耳測(cè)試所得到的3種結(jié)構(gòu)的面電荷密度與比接觸電阻的比較見表1。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>由以下的比接觸電阻公式也可證明表1所示的結(jié)果。e(D盧p(、:)式中，02s/he-5/2(m*hh)l/2，A=￡e-5/2(m*hh)l/2，e為介電常數(shù)，h為普朗克常數(shù)，n^為有效空穴質(zhì)量，e為電子電荷量，eO)B是肖特基勢(shì)壘高度(SBH)，NS2D是面電荷密度.eOB(p-GaN)是2.3eV.eOB(Inai4Gaa86N;^2.16eV。通過上式可以知道面電荷密度越大，比接觸電阻越小。2)提高p-GaN基材料的器件性能，降低p-GaN基器件接觸電阻。圖1為本發(fā)明以p-GaN為頂層的樣品(A)的結(jié)構(gòu)圖。圖2為本發(fā)明以p-InGaN/p-GaN為頂層的樣品(B)的結(jié)構(gòu)圖。圖3為本發(fā)明以p-InGaN/p-AlGaN為頂層的樣品(C)的結(jié)構(gòu)圖。圖4為光刻使用CTLM模型圖(光刻版圖)。圖5為測(cè)試p-GaN接觸電阻的示意圖。圖6為p-GaN,p-InGaN/p-GaN,p-InGaN/p-AlGaN三種結(jié)構(gòu)作頂層時(shí)候與金屬接觸的能帶圖。圖7為測(cè)試電阻R!的I-V特性，在圖7中，橫坐標(biāo)為電壓voltage(v)，縱坐標(biāo)為電流current(mA)。具體實(shí)施方式(一)采用ThomasSwanLP—MOCVD設(shè)備進(jìn)行外延片生長(zhǎng)，以下對(duì)樣品C給出3種生長(zhǎng)方案。1)第一種生長(zhǎng)方案(a)將(0001)取向免清洗的藍(lán)寶石襯底裝入反應(yīng)室，在H2氣氛下加熱至108(TC烘烤10min，反應(yīng)室壓力為500Torr;(b)在550'C下生長(zhǎng)厚度為25nm的GaN緩沖層，生長(zhǎng)壓力為500Torr，TMGa流量為40)amol/min，NH3流量為llO^mol/min;(c)在1060'C下生長(zhǎng)2pm的GaN層，生長(zhǎng)壓力為200Torr，TMGa流量為50nmol/min，NH3流量為llOpmol/min;(d)在GaN層上生長(zhǎng)摻鎂GaN層，生長(zhǎng)溫度800°C，生長(zhǎng)厚度為500nm,生長(zhǎng)壓力為200Torr，TMGa流量為50pmol/min，NH3流量為llO^imol/min;Cp2Mg為140nmol/min;(e)在摻鎂GaN層上降溫生長(zhǎng)5個(gè)周期p-InGaN/p-AlGaN超晶格層，其中p-InGaN層生長(zhǎng)溫度為770°C,生長(zhǎng)厚度為2nm,生長(zhǎng)壓力為300Torr，生長(zhǎng)時(shí)間為10s，NH3流量為200nmol/min,Cp2Mg為160nmol/min，TMIn流量為12.5nmol/min,TMGa流量為3.7pmol/min，而p-AlGaN層生長(zhǎng)溫度為760.4°C，生長(zhǎng)壓力為300Torr,生長(zhǎng)時(shí)間為30s，NH3流量為120mol/min，Cp2Mg為260nmol/min,TMA1流量為3pmol/min，TMGa流量為33|xmol/min;(f)在5個(gè)周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格層上再生長(zhǎng)p-InGaN蓋層，p-InGaN蓋層的厚度為2nm，生長(zhǎng)溫度為730。C，生長(zhǎng)壓力為300Torr，生長(zhǎng)時(shí)間為10s，NH3流量為200|amol/min,Cp2Mg為160nmol/min，TMIn流量為12.5jmiol/min,TMGa流量為3.7|jmol/min。2)第二種生長(zhǎng)方案(a)將(0001)取向免清洗的藍(lán)寶石襯底裝入反應(yīng)室，在H2氣氛下加熱至108CTC烘烤10min，反應(yīng)室壓力為500Torr;(b)在530。C下生長(zhǎng)厚度為30nm的GaN緩沖層，生長(zhǎng)壓力為500Torr，TMGa流量為40pmol/min，NH3流量為110jxmol/min;(c)在1040。C下生長(zhǎng)2pm的GaN層，生長(zhǎng)壓力為200Torr,TMGa流量為5(Vmol/min，NH3、流量為110|amol/min;(d)在GaN層上生長(zhǎng)摻鎂GaN層，生長(zhǎng)溫度為90(TC，生長(zhǎng)厚度為500nm，生長(zhǎng)壓力為200Torr，TMGa流量為50|^mol/min，NH3流量為110nmol/min;Cp2Mg為140nmol/min;(e)在摻鎂GaN層上降溫生長(zhǎng)5個(gè)周期p-InGaN/p-AlGaN超晶格層，其中p-InGaN層生長(zhǎng)溫度為730°C，生長(zhǎng)厚度為5nm，生長(zhǎng)壓力為300Torr，生長(zhǎng)時(shí)間為25s，NH3流量為200nmol/min,Cp2Mg為160nmol/min，TMIn流量為12.5pmoI/min，TMGa流量為3.7pmol/min,而p-AlGaN層生長(zhǎng)溫度為760.4°C，生長(zhǎng)壓力為300Torr，生長(zhǎng)時(shí)間為30s，NH3流量為120mol/min，Cp2Mg為260nmol/min,TMA1流量為3(xmol/min，TMGa流量為33nmol/min;(f)在5個(gè)周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格層上再生長(zhǎng)p-InGaN蓋層，p-InGaN蓋層的厚度為2nm，生長(zhǎng)溫度為730°C，生長(zhǎng)壓力為300Torr，生長(zhǎng)時(shí)間為10s，NH3流量為20(Himol/min,Cp2Mg為160nmol/min，TMIn流量為12.5nmol/min，TMGa流量為3.7pmol/min。3)第三種生長(zhǎng)方案(a)將(0001)取向免清洗的藍(lán)寶石襯底裝入反應(yīng)室，在H2氣氛下加熱至108(TC烘烤10min，反應(yīng)室壓力為500Torr;(b)在53(TC下生長(zhǎng)厚度為30nm的GaN緩沖層，生長(zhǎng)壓力為500Torr，TMGa流量為40jjmol/min，NH3流量為110pmol/min;(c)在1000。C下生長(zhǎng)2pm的GaN層，生長(zhǎng)壓力為200Torr,TMGa流量為50pmol/min，NH3流量為110pmol/min;(d)在GaN層上生長(zhǎng)摻鎂GaN層，生長(zhǎng)溫度為850。C，生長(zhǎng)厚度為500nm，生長(zhǎng)壓力為200Torr，TMGa流量為50pmol/min，NH3流量為U0|miol/min;Cp2Mg為140nmol/min;(e)在摻鎂GaN層上降溫生長(zhǎng)5個(gè)周期p-InGaN/p-AlGaN超晶格層，其中p-InGaN層生長(zhǎng)溫度為730°C,生長(zhǎng)厚度為3nm，生長(zhǎng)壓力為300Torr,生長(zhǎng)時(shí)間為15s，NH3流量為200|imol/min，Cp2Mg為160nmol/min，TMIn流量為12.5(imol/min，TMGa流量為3.7|miol/min,而p-AlGaN層生長(zhǎng)溫度為760.4°C,生長(zhǎng)厚度為5nm,生長(zhǎng)壓力為300Torr，生長(zhǎng)時(shí)間為50s,NH3流量為120mol/min，Cp2Mg為260nmol/min,TMAl流量為3pmol/min,TMGa流量為33(xmol/min;(f)在5個(gè)周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格層上再生長(zhǎng)p-InGaN蓋層，p-InGaN蓋層的厚度為2nm，生長(zhǎng)溫度為730°C,，生長(zhǎng)壓力為300Torr，生長(zhǎng)時(shí)間為10s，NH3流量為200pmol/min,Cp2Mg為160nmol/min，TMIn流量為12.5pmol/min,TMGa流量為3.7^nol/min。也可采用上述方法生長(zhǎng)如圖1和圖2的樣品。對(duì)所有生長(zhǎng)的樣品在N2氛圍下，80(TC退火10min，激活鎂獲得P型材料。(二)制備p-GaN歐姆接觸工藝(l)預(yù)處理①常規(guī)清洗依次用甲苯、丙酮、乙醇超聲清洗10min;②用冷熱去離子水各沖洗5min;③把樣品A，B,C放在40%KOH中35min，然后用冷熱去離子水沖洗；④在烘箱烘2h，為光刻作準(zhǔn)備。(2).光刻①勻膠采用國(guó)產(chǎn)BP212正性膠；②前烘20min;(D曝光120s;顯影顯影液12.5ml，顯影時(shí)間20~22s。采用圓型傳輸線模型(CTLM)，光刻版圖見圖4(CTLM是由中心接觸圓和兩個(gè)同心圓構(gòu)成，中心接觸圓的半徑為ro，內(nèi)接觸圓環(huán)的內(nèi)外半徑分別為n'、n，外接觸圓環(huán)的內(nèi)外半徑分別為r2，、r2。其尺寸r0=80pm，ij，=100|im，n二200pm，r2，=250pm，r2=320nm，艮卩n，=1.25r0，ri=2.5r0，r2，=3.125r0,r2=4r0)。(3).電子束蒸發(fā)Ni/Au(5nm/5nm);(4).剝離；(5).合金。工藝完成之后所有樣品與金屬接觸的圖見圖1~3。在圖1~3中具體結(jié)構(gòu)如下1、藍(lán)寶石襯底，2、GaN層，3、p-GaN層，4、Ni/Au(5nm/5nm)層，5、p-InGaN/p-GaN層，6、p-InGaN/p-AlGaN層。(三).圖5是測(cè)試電阻示意圖，CTLM中的測(cè)試電阻分別為Rl(中心接觸圓和內(nèi)環(huán)的電阻值)，R2(內(nèi)環(huán)和外環(huán)的電阻值)和R3(中心接觸圓和外環(huán)的電阻值)。用半導(dǎo)體測(cè)試儀器獲得電阻Ri的I-V特性能見圖7。目前己經(jīng)做到樣品A的比接觸電阻為pc=2.87e-2，樣品B的比接觸電阻為pc=7.04e-4，樣品C的比接觸電阻為pc=7.27e-5。結(jié)果表明采用p-InGaN/p-AlGaN超晶格作頂層(相應(yīng)于樣品C)可以獲得更低的比接觸電阻。如經(jīng)過進(jìn)一步優(yōu)化，預(yù)計(jì)樣品C的比接觸電阻值可以達(dá)到l(T6Qcm2。權(quán)利要求1.一種p-GaN低阻歐姆接觸的制備方法，其特征在于其步驟為1)將(0001)取向的藍(lán)寶石襯底裝入反應(yīng)室，在H2氣氛下，1000～1100℃高溫下對(duì)襯底熱處理5～15min，降溫到500～1000℃對(duì)襯底氮化處理60～150s；2)降至530～570℃生長(zhǎng)厚度為15～30nm的GaN緩沖層，隨后升溫到1030～1050℃恒溫5～15min，使GaN緩沖層重新結(jié)晶；3)在1000～1100℃外延生長(zhǎng)1.5～2μmGaN層；4)將溫度降到800～950℃生長(zhǎng)摻鎂GaN層，摻鎂GaN層的厚度為500～900nm，生長(zhǎng)時(shí)間為15～30min；5)再降溫生長(zhǎng)5個(gè)周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格層，5個(gè)周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格層的厚度為20～35nm，5個(gè)周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格層的p-InGaN層、p-AlGaN層的厚度分別為2～5nm、2～7nm；6)在5個(gè)周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格層上再生長(zhǎng)p-InGaN蓋層，p-InGaN蓋層的厚度為2～3nm。2.如權(quán)利要求l所述的一種p-GaN低阻歐姆接觸的制備方法，其特征在于Ga、In、Al、Mg、N、Si源分別為三甲基鎵、三甲基銦、三甲基鋁、二茂鎂、NH3和硅烷。3.如權(quán)利要求1所述的一種p-GaN低阻歐姆接觸的制備方法，其特征在于生長(zhǎng)GaN緩沖層的壓力為200650Torr，載氣流量為1030L/min，TMGa流量為20120pmol/min，NH3流量為80120mol/min。4.如權(quán)利要求1所述的一種p-GaN低阻歐姆接觸的制備方法，其特征在于生長(zhǎng)GaN層及摻鎂GaN層的壓力為100200Torr,載氣流量為520L/min，TMGa流量為80400nmol/min，,3流量為120500mol/min，Cp2Mg為140nmol/min。5.如權(quán)利要求1所述的一種p-GaN低阻歐姆接觸的制備方法，其特征在于生長(zhǎng)5個(gè)周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格層的壓力為300400Torr，載氣流量為520L/min，NH3流量為120500mol/min，TMGa流量為58^imol/min,TMIn流量為100200pmol/min，CpzMg為100nmol/min;p-AlGaN的TMGa流量為58nmol/min，TMA1流量為510pmol/min，Cp2Mg為260(imol/min。全文摘要一種p-GaN低阻歐姆接觸的制備方法，涉及一種p型氮化鎵(p-GaN)。提供一種p-GaN低阻歐姆接觸的制備方法。將(0001)取向的藍(lán)寶石襯底裝入反應(yīng)室，在H₂氣氛下對(duì)襯底熱處理，降溫對(duì)襯底氮化處理；降溫生長(zhǎng)GaN緩沖層，升溫使GaN緩沖層重新結(jié)晶；外延生長(zhǎng)GaN層；降溫生長(zhǎng)摻鎂GaN層；再降溫生長(zhǎng)5個(gè)周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格層；在5個(gè)周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格層上再生長(zhǎng)p-InGaN蓋層。結(jié)果表明采用p-InGaN/p-AlGaN超晶格作頂層可以獲得更低的比接觸電阻。文檔編號(hào)H01L21/02GK101183642SQ20071000995公開日2008年5月21日申請(qǐng)日期2007年12月10日優(yōu)先權(quán)日2007年12月10日發(fā)明者劉寶林,尹以安,張保平申請(qǐng)人:廈門大學(xué)