專利名稱:有機電致發(fā)光顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光顯示器,更具體地涉及這樣一種有機 電致發(fā)光顯示器及其制造方法,在該有機電致發(fā)光顯示器中,使用玻璃
粉(frit glass)來接合第一基板和第二基板。
背景技術(shù):
有機電致發(fā)光顯示器使用當在半導(dǎo)體中生成電子和空穴對時,或者 在被激勵到高能態(tài)的載流子返回到穩(wěn)態(tài)(即,基態(tài))時產(chǎn)生的光來顯示 圖像。與液晶顯示器(LCD)不同的是,由于有機電致發(fā)光顯示器是自發(fā) 光顯示器,因此其不需要背光。因此,有機電致發(fā)光顯示器重量輕且薄, 并且具有低能耗、高對比率和寬視角。另外,有機電致發(fā)光顯示器可以 以低DC電壓驅(qū)動并具有快速響應(yīng)時間。由于有機電致發(fā)光顯示器的所有 部件均由固體材料制成,因此其可以牢固地抵抗外部沖擊。此外,有機 電致發(fā)光顯示器可以在寬溫度范圍內(nèi)使用并且可以以低成本制造。
在這樣的有機電致發(fā)光顯示器中,進行封裝處理以將其上形成有陣 列元件和有機電致發(fā)光二極管的基板接合到獨立的封裝基板。由此,可 以保護有機電致發(fā)光二極管免受外部濕氣和氧的侵蝕。有機電致發(fā)光顯 示器因為易于遭受濕氣和氧的侵蝕而在其中出現(xiàn)暗斑。暗斑的出現(xiàn)會減 少有機電致發(fā)光顯示器的使用壽命,并使其在高溫高濕環(huán)境下的可靠性 變差。
發(fā)明內(nèi)容
在一個實施方式中,提供一種用于制造有機電致發(fā)光顯示器的方法, 該方法包括提供其上具有薄膜晶體管的第一基板;提供其上具有有機 電致發(fā)光二極管的第二基板;在所述薄膜晶體管和所述有機電致發(fā)光二
極管的周圍布置第一密封劑材料,并且在所述第一密封劑材料的外周周 圍布置第二密封劑材料;使所述第一基板和第二基板對準,使得所述薄 膜晶體管和所述有機電致發(fā)光二極管緊靠,并且通過相繼密封所述第一 密封劑材料和所述第二密封劑材料而將所述第一基板和第二基板接合在 一起。
根據(jù)另一實施方式,提供一種用于制造有機電致發(fā)光顯示器的方法,
該方法包括在第一基板上形成薄膜晶體管,其中該薄膜晶體管具有漏
區(qū)和與該漏區(qū)連接的公共電極;在第二基板上形成有機電致發(fā)光二極管,
其中該有機電致發(fā)光二極管包括覆蓋有二極管電極的間隔件;在所述薄 膜晶體管和所述有機電致發(fā)光二極管的周圍形成第一密封劑材料,并且
在所述第一密封劑材料的外周周圍形成第二密封劑材料;使所述第一基 板和第二基板對準,使得所述薄膜晶體管的公共電極和所述有機電致發(fā) 光二極管的二極管電極形成電接觸;通過相繼密封所述第一密封劑材料 和所述第二密封劑材料而將所述第一基板和第二基板接合在一起。
在又一實施方式中,提供一種有機電致發(fā)光顯示器,該有機電致發(fā) 光顯示器包括在第一基板上的薄膜晶體管,其中該薄膜晶體管具有漏 區(qū)和與該漏區(qū)連接的公共電極;位于第二基板上的有機電致發(fā)光二極管, 其中該有機電致發(fā)光二極管包括覆泰有二極管電極的間隔件;位于所述 第一基板和第二基板的周邊的第一密封劑材料和第二密封劑材料,其中 所述第一密封劑材料圍繞所述薄膜晶體管和所述有機電致發(fā)光二極管, 并且所述第二密封劑材料圍繞所述第一密封劑材料的外周,其中所述第 一基板和第二基板被布置成,使所述薄膜晶體管的公共電極與所述有機 電致發(fā)光二極管的二極管電極接觸。
應(yīng)理解的是,前面對本發(fā)明的一般描述和后面的詳細描述都是示例 性和說明性的,并旨在提供對所要求的本發(fā)明的進一步說明。
圖1是根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機電致發(fā)光顯示器的剖面圖;以及 圖2A至圖2E是示出了根據(jù)本發(fā)明實施方式用于制造有機電致發(fā)光
顯示器的方法的剖面圖。
具體實施例方式
下面將詳細地參考本發(fā)明的優(yōu)選實施方式,在附圖中示出了其實施 例。在可能的情況下,在所有附圖中相同的附圖標記是指相同或相似的 部件。
圖1是根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機電致發(fā)光顯示器的剖面圖。 參照圖1,有機電致發(fā)光顯示器包括第一基板100和第二基板200以
及有機電致發(fā)光二極管E。第一基板100和第二基板200彼此間隔開預(yù)定 距離,并且有機電致發(fā)光二極管E形成在第一基板100與第二基板200 之間。在第一基板100或第二基板200的周邊處形成有第一密封劑300 和第二密封劑400,以密封有機電致發(fā)光二極管E。另外,第一密封劑300 和第二密封劑400將第一基板100接合于第二基板200。
第一密封劑300由紫外光(UV)固化樹脂形成,第二密封劑400由 具有優(yōu)良的耐濕性和粘結(jié)性的玻璃粉形成。因此,可以保護有機電致發(fā) 光二極管免受外部濕氣和氧的侵蝕,從而增加有機電致發(fā)光顯示器的使 用壽命和可靠性。
第二密封劑400形成在第一密封劑300的外側(cè)。具體地說,第二密 封劑400密封第一密封劑300和有機電致發(fā)光二極管E,并將第一基板 100接合于第二基板200。第二密封劑400包括有機粘合劑和玻璃粉。在 第二密封劑400的固化過程中產(chǎn)生的釋氣使有機電致發(fā)光二極管的有機 發(fā)光層受損。這可能會減少有機電致發(fā)光二極管的使用壽命并產(chǎn)生暗斑。
第一密封劑300用作防止在第二密封劑400的固化過程中產(chǎn)生的釋 氣流入有機電致發(fā)光二極管中的阻擋層。
在第一基板100上形成有薄膜晶體管(TFT)Tr,并且在第二基板200 上形成有有機電致發(fā)光二極管E。
具體地說,在第一基板100的上方多個選通線與多個數(shù)據(jù)線交叉。 TFT Tr形成在由選通線與數(shù)據(jù)線交叉限定的子像素中。TFT Tr包括柵極 101、半導(dǎo)體層102以及源極103a/漏極103b。柵絕緣層110疊置在第一
基板100上并使柵極101與半導(dǎo)體層102分離幵。可以通過增加TFT的 溝道長度(例如對應(yīng)于源極103a和漏極103b的區(qū)域)來改善TFT Tr的 特性。即,源極103a形成為圍繞漏極103b的周邊。
在形成有TFT Tr的第一基板100的上方形成有鈍化層120。在鈍化 層120上形成有連接電極104以與TFT Tr的漏極103b接觸。TFT Tr通 過連接電極104與有機電致發(fā)光二極管E電連接。即,TFT Tr與有機電 致發(fā)光二極管E的第二電極230電連接。
在第一基板IOO上形成有公共電壓焊盤P,以從外部電路接收公共電 壓并將所接收的公共電壓供應(yīng)給有機電致發(fā)光二極管E。公共電壓焊盤P 包括供電電極111和電源接觸電極112。供電電極111與形成在第一基板 100中的公共電壓線電連接,電源接觸電極112與形成在第二基板200上 的有機電致發(fā)光二極管的第一電極210電連接。
在供電電極111與電源接觸電極112之間形成有偽圖案113。偽圖案 113具有與TFT Tr相同的高度差。
包括第一電極210、有機發(fā)光層220和第二電極230的有機電致發(fā)光 二極管E形成在第二基板200的下方。
使用諸如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)等的透明導(dǎo)電材料,在 第二基板200上形成第一電極210。
還可以在第二基板200與第一電極210之間形成輔助電極205。輔助 電極205減少了第一電極210的阻抗。這里,輔助電極205由低阻抗金 屬形成并且基本上是不透明的。因此,輔助電極205優(yōu)選地形成在對應(yīng) 于非發(fā)光區(qū)域的區(qū)域處。
有機發(fā)光層220還可以在有機發(fā)光層220的下方或上方包括下面各 項中的至少一個,即空穴注入層(HIL),空穴輸運層(HTL),空穴阻 擋層(HBL),電子輸運層(ETL)和電子注入層(EIL)。因此,因為在第 一電極210、有機發(fā)光層220和第二電極230的邊界處可以適當?shù)卣{(diào)整能 級,所以電子和空穴可以更容易地注入有機發(fā)光層220中。因而,可以 顯著地提高有機電致發(fā)光顯示器的發(fā)光效率。
在形成于子像素的周邊處的緩沖層215上布置有隔離件225。在各子像素中通過隔離件225自動構(gòu)圖出第二電極230。另外,第二電極230形 成為圍繞保持第一基板100與第二基板200之間的單元間隙不變的第一 間隔件235a的周邊。由于第一間隔件235a,第二電極230的一部分朝向 第一基板100突出。第二電極230的突出部與連接電極104接觸。
該有機電致發(fā)光顯示器還包括具有與第一間隔件235a相同高度的第 二間隔件235b。第二間隔件235b將公共電壓焊盤P與第一電極210電連 接。具體地說,第二間隔件235b形成在與形成有電源接觸電極112的區(qū) 域相對應(yīng)的區(qū)域中。這里,與第二電極230分開的第二電極偽圖案240 形成為圍繞第二間隔件235b。圍繞第二間隔件235b的第二電極偽圖案 240與電源接觸電極112接觸。與第二電極230分幵的第二電極偽圖案 240與第一電極210電連接。第一電極210和電源接觸電極112通過第二 間隔件235b而電連接,從而可以向第一電極210施加公共電壓。另外, 第二間隔件235b形成為與具有與TFT Tr相同的高度差的偽圖案113相 對應(yīng)。
因為通過雙密封圖案使第一基板100和第二基板200彼此接合,所 以可以完全保護有機電致發(fā)光二極管免受在第二密封劑400的固化過程 中產(chǎn)生的釋氣、以及外部濕氣和氧的侵蝕。因此,可以顯著地提高有機 電致發(fā)光顯示器的使用壽命和可靠性。
盡管上面描述了雙板型有機電致發(fā)光顯示器,但本發(fā)明并不限于此。 例如,與TFT Tr電連接的有機電致發(fā)光二極管E可以形成在第一基板100 上。
圖2A至圖2E是示出了用于制造根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機電致發(fā) 光顯示器的方法的剖面圖。
參照圖2A,制備第一基板100,并且在第一基板100上形成TFT Tr。 具體地說,在第一基板100上形成導(dǎo)電層并對其進行構(gòu)圖以形成選 通線(未示出)和柵極IOI。這里,選通線沿一個方向形成,并且從選通 線分支出柵極IOI。同時,可以形成供電電極lll,以使其從外部信號接 收公共電壓并將所接收的公共電壓施加給有機電致發(fā)光二極管,稍后將 對這一點進行描述。另外,第一偽圖案113a形成為與供電電極111間隔 開預(yù)定距離。
在形成有柵極101的第一基板100的上方形成柵絕緣層110。柵絕緣
層110可以由使用化學(xué)氣相淀積(CVD)工藝淀積的氧化硅層、氮化硅層
或它們的疊層形成。
在柵絕緣層110的對應(yīng)于柵極101的部分上形成有半導(dǎo)體層102。同 時,還可以在柵絕緣層110上形成對應(yīng)于第一偽圖案113a的第二偽圖案 113b。
在半導(dǎo)體層102和柵絕緣層110上形成第一導(dǎo)電層(未示出),并對 其進行構(gòu)圖以形成與選通線(未示出)交叉的數(shù)據(jù)線(未示出)。同時, 在半導(dǎo)體層102的中央部分上形成漏極103b,并且形成環(huán)形形狀的源極 103a以圍繞漏極103b的周邊。因此,可以通過增加TFT Tr的溝道區(qū)域 (例如對應(yīng)于源極103a和漏極103b的區(qū)域)來改善TFT Tr的特性。還 可以在第二偽圖案113b上形成第三偽圖案113c。
以這種方式,形成包括柵極101、半導(dǎo)體層102和源極103a/漏極103b 的TFT Tr、以及具有與TFT Tr相同的高度差的偽圖案113。
在TFT Tr和柵絕緣層110的上方形成有鈍化層120。鈍化層120可 以由有機層或無機層形成。例如,所述有機層可以是苯并環(huán)丁烯(BCB)、 聚酰亞胺(PI)或酚醛樹脂(novolac resin),而所述無機層可以是氧 化硅層、氮化硅層或它們的疊層。
在鈍化層120中形成有接觸孔,以分別使TFT Tr的漏極103b的一 部分和供電電極111的一部分露出。
在形成有接觸孔的鈍化層120上形成導(dǎo)電層,并對其進行構(gòu)圖以形 成與漏極103b電連接的連接電極104。同時,可以形成電源接觸電極112。 電源接觸電極112布置在第一至第三偽圖案113a、 113b和113c上,以 使其具有類似于連接電極104的高度差。
參照圖2B,制備形成有有機電致發(fā)光二極管E的第二基板200。
具體地說,制備第二基板200,并且在第二基板200上形成第一電極 210作為公共電極。第一電極210由具有高功函的透明導(dǎo)電材料形成。例 如,第一電極210可以由ITO或IZO形成。
在第一電極210上形成緩沖層215以限定像素區(qū)。該緩沖層由絕緣 層形成。在緩沖層215上形成隔離件225。隔離件225可以形成為倒錐形 隔壁的形狀。隔離件225可以由有機絕緣材料形成。另外,還可以在子 像素中形成島狀緩沖層215,并且在緩沖層215上形成第一間隔件235a。 同時,形成具有與第一間隔件235a相同高度的第二隔離件。
在第一間隔件235a和第一電極210上依次形成有機發(fā)光層220和第 二電極230。通過隔離件225在各子像素中自動分離出第二電極230。另 外,因為第二電極230在圍繞第一間隔件235a的周邊的同時延伸,所以 第二電極230的一部分通過第一間隔件235a而向上突出。
同時,在第二基板200的周邊形成有第二電極偽圖案240并且其與 第一電極210接觸。因為第二電極偽圖案240形成為圍繞第二間隔件235b 的周邊,所以第二電極偽圖案240的一部分向上突出。這里,第二電極 偽圖案240與第二電極230相分離。
在形成有機發(fā)光層220之前,還可以形成空穴注入層和/或空穴輸運 層。另外,在形成有機發(fā)光層220之后,還可以形成空穴阻擋層、電子 輸運層和電子注入層中的至少一個。
參照圖2C,在形成有TFT Tr的第一基板100的周邊或者在形成有有 機電致發(fā)光二極管E的第二基板200的周邊形成第一密封劑300和第二 密封劑400。這里,第二密封劑400形成在第一密封劑300的外側(cè)。第一 密封劑300由UV固化樹脂形成,而第二密封劑400由玻璃粉形成。
參照圖2D,使第一基板100和第二基板200對準,使得TFTTr和公 共電壓焊盤P與有機電致發(fā)光二極管E電接觸。即,連接電極104與疊 置在第一間隔件235a上的第二電極230接觸。另外,對應(yīng)于偽圖案113 的電源接觸電極112與疊置在第二間隔件235b上的第二電極偽圖案240 電接觸。
第一密封劑300通過在其上照射UV光而固化。這里,在第二基板200 的后部上布置第一掩模500,使得UV線僅可以照射在第一密封劑300上。
參照圖2E,通過在第二密封劑400上照射由激光裝置產(chǎn)生的激光束 而使第二密封劑400固化。盡管可能從第二密封劑400產(chǎn)生釋氣,但是
第一密封劑300可以防止產(chǎn)生的釋氣朝向有機電致發(fā)光二極管運動。另
外,在第二基板200的后部上布置第二掩模600,使得激光束僅可以照射 在第二密封劑400上。
另外,可以使用束加熱器使第二密封劑400固化。束加熱器可以具 有從大約O. 1 ym至大約200 um的波長范圍。因為束加熱器可以以線 形或矩形方式向第二密封劑400上照射光,所以可以減少第二密封劑400 的固化時間。因此,減少了有機電致發(fā)光二極管E暴露于高溫加熱的吋 間,可以降低有機電致發(fā)光二極管E的劣化,從而可以防止第一基板100 或第二基板200的變形。
在使用激光裝置或束加熱器使第二密封劑400固化時,通過僅向形 成有第二密封劑400的區(qū)域供應(yīng)能量而使第二密封劑400固化。因此, 可以減少對有機電致發(fā)光二極管E的影響。
以這種方式,可以防止有機電致發(fā)光二極管E劣化并保護其免受氧 或濕氣的侵蝕,從而增加有機電致發(fā)光顯示器的使用壽命和可靠性。
另外,通過在不同的基板上形成TFT TY和有機電致發(fā)光二極管E并 使這兩個基板彼此接合,可以預(yù)期減少缺陷率并提高產(chǎn)品合格率。因此, 通過使用具有良好的抗氧化和耐濕性的玻璃粉的封裝處理,可以提供具 有延長的使用壽命和改善的可靠性的有機電致發(fā)光顯示器。
此外,可以防止有機電致發(fā)光二極管由于在使用玻璃粉的封裝處理 期間產(chǎn)生的釋氣而受損。
另外,可以通過僅向形成有密封劑的區(qū)域照射能量而防止對有機電 致發(fā)光二極管產(chǎn)生影響,例如有機電致發(fā)光二極管的劣化。
對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說應(yīng)理解的是,可對本發(fā)明作各種修改和 變型。因此,本發(fā)明旨在覆蓋本發(fā)明的這些修改和變型,只要它們落在 所附權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種用于制造有機電致發(fā)光顯示器的方法,該方法包括提供其上具有薄膜晶體管的第一基板;提供其上具有有機電致發(fā)光二極管的第二基板;在所述薄膜晶體管和所述有機電致發(fā)光二極管的周圍布置第一密封劑材料,并且在所述第一密封劑材料的外周周圍布置第二密封劑材料;使所述第一基板和第二基板對準,使得所述薄膜晶體管和所述有機電致發(fā)光二極管緊靠;以及通過相繼密封所述第一密封劑材料和所述第二密封劑材料而將所述第一基板和第二基板接合在一起。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法,其中,相繼密封所述第一密封劑材 料的所述步驟包括通過暴露于紫外光而使所述第一密封劑材料固化。
3、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法,其中,使所述第一密封劑材料固化 的所述步驟包括在所述第二基板的與所述有機電致發(fā)光二極管相反的 一側(cè)上形成掩模圖案,并照射所述第一密封劑材料而不是所述第二基板。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,相繼密封所述第二密封劑材 料的所述步驟包括用激光照射所述第二密封劑材料。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其中,照射所述第二密封劑材料的 所述步驟包括在所述第二基板的與所述有機電致發(fā)光二極管相反的一 側(cè)上形成掩模圖案,并照射所述第一密封劑材料而不是所述第二基板。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,相繼密封所述第二密封劑材 料的所述步驟包括用束加熱器照射所述第二密封劑材料。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中,用束加熱器照射所述第二密封劑材料的所述步驟包括以大約0. 1 y m至大約200 y m的波長進行 照射。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,在所述薄膜晶體管和所述有機電致發(fā)光二極管的周圍布置第一密封劑材料的所述步驟包括在所述 第一基板或所述第二基板的周邊上形成紫外光固化樹脂。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,在所述第一密封劑材料的外周周圍布置第二密封劑材料的所述步驟包括在所述第一基板或所述第 二基板的周邊上形成包括有機粘合劑的玻璃粉。
10、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,相繼密封所述第一密封劑 材料和所述第二密封劑材料的所述步驟包括密封所述第一密封劑材料, 使得所述第一密封劑材料基本上防止了由在密封所述第二密封劑材料期 間所產(chǎn)生的釋氣與所述有機電致發(fā)光二極管接觸而導(dǎo)致的污染。
11、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述第一密封劑材料和所 述第二密封劑材料均由從紫外光固化樹脂、熱固化樹脂的組中選擇的材 料形成。
12、 一種用于制造有機電致發(fā)光顯示器的方法,該方法包括 在第一基板上形成薄膜晶體管,該薄膜晶體管具有漏區(qū)和與該漏區(qū)連接的公共電極;在第二基板上形成有機電致發(fā)光二極管,該有機電致發(fā)光二極管包 括覆蓋有二極管電極的間隔件;在所述薄膜晶體管和所述有機電致發(fā)光二極管的周圍形成第一密封劑材料,并且在所述第一密封劑材料的外周周圍形成第二密封劑材料; 使所述第一基板和第二基板對準,使得所述薄膜晶體管的公共電極和所述有機電致發(fā)光二極管的二極管電極形成電接觸;以及通過相繼密封所述第一密封劑材料和所述第二密封劑材料而將所述第一基板和第二基板接合在一起。
13、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,該方法還包括 在所述第一基板上形成偽圖案,并且形成疊置在該偽圖案上的電源接觸電極;以及形成所述第二基板的第二間隔件,并且在該第二間隔件上形成偽電極,其中,使所述第一基板和第二基板對準的所述步驟還包括使所述 電源接觸電極與所述偽電極接觸。.
14、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,該方法還包括在所述第一基板 上形成柵絕緣層并在該柵絕緣層上疊置鈍化層,其中,所述第一密封劑 材料和所述第二密封劑材料與所述鈍化層接觸。
15、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,其中,相繼密封所述第一密封劑材料的所述步驟包括在所述第二基板的與所述有機電致發(fā)光二極管相 反的一側(cè)上形成掩模圖案,并用紫外光照射所述第一密封劑材料而不是 所述第二基板。
16、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,其中,相繼密封所述第二密封劑材料的所述步驟包括在所述第二基板的與所述有機電致發(fā)光二極管相 反的一側(cè)上形成掩模圖案,并用激光或者束加熱器照射所述第二密封劑 材料而不是所述第二基板。
17、 一種有機電致發(fā)光顯示器,該有機電致發(fā)光顯示器包括 在第一基板上的薄膜晶體管,該薄膜晶體管具有漏區(qū)和與該漏區(qū)連接的公共電極;在第二基板上的有機電致發(fā)光二極管,該有機電致發(fā)光二極管包括 覆蓋有二極管電極的間隔件;以及在所述第一基板和第二基板的周邊處的第一密封劑材料和第二密封 劑材料,其中所述第一密封劑材料圍繞所述薄膜晶體管和所述有機電致 發(fā)光二極管,并且所述第二密封劑材料圍繞所述第一密封劑材料的外周;其中,所述第一基板和第二基板被布置成使所述薄膜晶體管的公 共電極與所述有機電致發(fā)光二極管的二極管電極接觸。
18、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的有機電致發(fā)光顯示器,該有機電致發(fā)光 顯示器還包括在所述第一基板上的偽圖案,和疊置在該偽圖案上的電源接觸電極;以及所述第二基板的第二間隔件,和在該第二間隔件上的偽電極, 其中,所述電源接觸電極與所述偽電極接觸。
19、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的有機電致發(fā)光顯示器,其中,所述第一 密封劑材料和所述第二密封劑材料均由從紫外光固化樹脂、熱固化樹脂 的組中選擇的材料形成。
20、根據(jù)權(quán)利要求17所述的有機電致發(fā)光顯示器,其中,所述第二 密封劑材料包括包含有機粘合劑的玻璃粉。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光顯示器及其制造方法。該有機電致發(fā)光顯示器包括在第一基板上的薄膜晶體管,其中該薄膜晶體管具有漏區(qū)和與該漏區(qū)連接的公共電極。有機電致發(fā)光二極管位于第二基板上,其中該有機電致發(fā)光二極管包括覆蓋有二極管電極的間隔件。第一密封劑材料和第二密封劑材料位于所述第一基板和第二基板的周邊,其中所述第一密封劑材料圍繞所述薄膜晶體管和所述有機電致發(fā)光二極管,并且所述第二密封劑材料圍繞所述第一密封劑材料的外周。所述第一基板和第二基板接合在一起,使得所述薄膜晶體管的公共電極與所述有機電致發(fā)光二極管的二極管電極接觸。通過相繼密封所述第一密封劑材料和第二密封劑材料而進行接合處理。
文檔編號H01L25/18GK101097873SQ200710126899
公開日2008年1月2日 申請日期2007年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月30日
發(fā)明者俞忠根, 李康柱, 金廷炫 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社