專(zhuān)利名稱(chēng)：光學(xué)元件用組件及使用該組件的光學(xué)半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光學(xué)元件用組件和使用了該組件的半導(dǎo)體器件，特別是涉及一種安裝了對(duì)使用于信息電子設(shè)備或者信息通信設(shè)備等中的高頻信號(hào)進(jìn)行接收和發(fā)送的光學(xué)元件的光學(xué)元件用組件、和使用了該組件的光學(xué)半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，光通信的寬帶化日漸推進(jìn)，隨著使用了光纖的公共通信網(wǎng)的普及，逐步要求廉價(jià)地傳送大量的信息。因此，信息電子設(shè)備所操作的信息量也日漸龐大，因此，需要一種可高速地處理大容量的信息、同時(shí)可靠性較高的廉價(jià)的信息電子設(shè)備。
即使在作為信息電子設(shè)備的主要部件的半導(dǎo)體激光器件中，也需要一種高輸出、可進(jìn)行高效率的激光振蕩且廉價(jià)的半導(dǎo)體激光器件。
作為高速的大容量的存儲(chǔ)裝置之一，DVD-R/RW器件的需求最近正在大量增加。在DVD-R/RW裝置中，使用高輸出的半導(dǎo)體激光器，為了進(jìn)行信息的高速處理，正在開(kāi)發(fā)一種輸出高、效率高的使用了AlGaInP/GaAs類(lèi)材料的半導(dǎo)體激光器。要求包含上述半導(dǎo)體激光器的光學(xué)半導(dǎo)體器件在高輸出工作時(shí)性能穩(wěn)定、同時(shí)要求進(jìn)行廉價(jià)且效率高的光學(xué)半導(dǎo)體器件的開(kāi)發(fā)。
在使用于光學(xué)半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體激光器中，為了將成本保持在低價(jià)位，而使用了同軸形狀的低價(jià)的罐式(CAN)組件。并且，即使這種罐式組件，也要求較容易安裝、工作時(shí)散熱性和光學(xué)特性的穩(wěn)定性、高頻傳輸損失少的組件結(jié)構(gòu)。
罐式組件的本體被稱(chēng)為底座，該底座由稱(chēng)為線環(huán)(eyelet)的金屬制的圓盤(pán)、用于傳輸通過(guò)密封玻璃密封在設(shè)置于該線環(huán)上的多個(gè)穿透孔的電信號(hào)的棒狀的多條引線電極、和安裝在線環(huán)的圓盤(pán)面上且粘接光學(xué)元件的稱(chēng)為臺(tái)(block)的支架構(gòu)成。
相對(duì)于使用了上述罐式組件的半導(dǎo)體激光器件，提出了進(jìn)一步降低制造成本、形狀自由度高的樹(shù)脂鑄模型的半導(dǎo)體激光器件。
作為樹(shù)脂密封的組件的第1公知例子，公開(kāi)了一種具有內(nèi)接在以激光二極管(以下稱(chēng)為L(zhǎng)D)芯片的發(fā)光點(diǎn)為中心的假想圓的圓弧片的、樹(shù)脂鑄模型的半導(dǎo)體激光器件。該半導(dǎo)體激光器件公開(kāi)了能夠嵌合并安裝固定在設(shè)備的階梯容納孔內(nèi)，能夠與罐型的半導(dǎo)體激光器件同樣地進(jìn)行安裝(例如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)1 、 及圖2)。
此外，作為樹(shù)脂鑄模型的半導(dǎo)體激光器件的第2公知例子，公開(kāi)了一種從圓筒形狀的樹(shù)脂基臺(tái)的平坦面中央部安裝激光元件的引線框垂直地突出、通過(guò)上下對(duì)稱(chēng)形狀的樹(shù)脂材料加固該引線框側(cè)面的半導(dǎo)體激光器件。在該半導(dǎo)體激光器件的結(jié)構(gòu)中，公開(kāi)了設(shè)計(jì)自由度提高、降低成本且熱變形減少、激光器驅(qū)動(dòng)時(shí)的發(fā)光點(diǎn)移動(dòng)小的內(nèi)容(例如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)2 、 、 及圖1)。
此外，作為樹(shù)脂鑄模型的半導(dǎo)體激光器件的第3公知例子，公開(kāi)了這樣一種半導(dǎo)體激光器件分別制造如下部件并組合各部件進(jìn)行制造，該部件為金屬制的線環(huán)部，由平面形狀為半圓形狀的線環(huán)基體部和與該線環(huán)基體部一體地以豎立形狀形成的元件搭載部構(gòu)成；以及引線管腳部，具有2條引線管腳和1條接地管腳且通過(guò)樹(shù)脂成型而成型了嵌合在線環(huán)部的嵌合突起和與線環(huán)基體部的內(nèi)端面對(duì)接的平板部及支撐該引線管腳之間的引線支撐部。該結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體激光器件公開(kāi)了在線環(huán)部的散熱性變好、可搭載大功率的LD、同時(shí)能夠進(jìn)行高精度的光軸對(duì)準(zhǔn)、樹(shù)脂成形引線管腳部并通過(guò)引線支撐部來(lái)支撐引線管腳和接地管腳，由此能夠防止部件搬運(yùn)時(shí)的引線管腳或者接地管腳發(fā)生彎曲(例如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)3 、 、 及圖1)。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1特開(kāi)平7-335980號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2特許第3607220號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)3特開(kāi)2004-311707號(hào)公報(bào)但是，在第1公知例子的結(jié)構(gòu)中，是一種以引線框?yàn)榛镜慕Y(jié)構(gòu)，雖然從晶粒座(die pad)部分延伸出的外伸部的圓弧片具有與現(xiàn)有的罐式組件的互換性，但依然存在難以穩(wěn)定地制造外伸部形狀的情況。
在第2公知例子的情況下，使用容易形成的樹(shù)脂鑄模形成了相當(dāng)于現(xiàn)有的罐式組件的線環(huán)的樹(shù)脂基臺(tái)。但是，相比于金屬的線環(huán)，鑄模樹(shù)脂熱傳導(dǎo)率顯著減少，近年來(lái)正在普及的高輸出型的LD中，存在著由于散熱性惡劣、基于高溫下的變形的光點(diǎn)移動(dòng)等而導(dǎo)致光學(xué)特性下降的情況。
在第3公知例子的情況下，設(shè)置了由鑄模樹(shù)脂支撐引線管腳和接地管腳的引線支撐部，所以引線管腳和接地管腳僅從其前端部突出來(lái)，在引線支撐部對(duì)引線管腳和接地管腳的全長(zhǎng)的大部分進(jìn)行樹(shù)脂密封，為此，存在著由于增大了LD芯片和樹(shù)脂基板表面的接地層的距離，而使電感增大、高頻傳播損失變大，進(jìn)而影響到激光器輸出特性，難以實(shí)現(xiàn)良好的高頻特性的情況。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述問(wèn)題而進(jìn)行的，本發(fā)明的第1目的在于，構(gòu)成一種減少光學(xué)元件工作時(shí)的光學(xué)特性的下降、具有良好的高頻特性且廉價(jià)的光學(xué)元件用組件；第2目的在于，提供一種使光學(xué)元件工作時(shí)的光學(xué)特性的下降減少、具有良好的高頻特性且廉價(jià)的光學(xué)半導(dǎo)體器件。
本發(fā)明的光學(xué)元件用組件，包括金屬基臺(tái)，其包括由具有主表面的金屬板構(gòu)成的具有規(guī)定外形的基板、以及由與該基板連接的金屬板一體構(gòu)成且相對(duì)于上述基板的主表面按規(guī)定角度彎曲的晶粒座(die pad)部分；第1引線電極，其以規(guī)定的角度與該金屬基臺(tái)的基板的主表面交叉，兩端從基板的兩個(gè)主表面突出并與金屬基臺(tái)隔離配設(shè)；樹(shù)脂密封部，其具有緊密粘接在基板的主表面上且沿著該基板的板狀基部，沿晶粒座部分的相反方向延伸的第1引線電極從該基部相對(duì)于基板突出來(lái)，同時(shí)殘留露出部以埋設(shè)第1引線電極的周?chē)?，固定金屬基臺(tái)和第1引線電極，其中，該露出部顯露出相對(duì)于基板按與晶粒座部分相同方向突出的第1引線電極表面的一部分。
根據(jù)本發(fā)明的光學(xué)元件用組件，由于能夠使具有晶粒座部分的金屬基臺(tái)的散熱性良好、減少光學(xué)元件工作時(shí)的光學(xué)特性的下降、還有樹(shù)脂密封部的基部為板狀，從其表面第1引線電極突出來(lái)，所以能夠使安裝光學(xué)元件用組件的安裝基板緊密粘接在樹(shù)脂密封部的基部表面，故從安裝在晶粒座部分的光學(xué)元件到安裝基板的距離變短，能夠得到的良好的高頻特性，并且可通過(guò)使用樹(shù)脂鑄模來(lái)形成廉價(jià)的結(jié)構(gòu)。


圖1是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的LD器件的平面圖。
圖2是圖1所示的LD器件的II-II剖面中的箭頭方向的剖面圖。
圖3是從圖1的箭頭方向III觀看的LD器件的正面圖。
圖4是從圖1的箭頭方向IV觀看的LD器件的仰視圖。
圖5是表示本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的LD器件的金屬基臺(tái)和引線電極的位置關(guān)系的斜視圖。
圖6是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的LD器件的斜視圖。
圖7是表示本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的LD器件的金屬基臺(tái)變形例和引線電極的位置關(guān)系的斜視圖。
圖8是表示本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的LD器件的金屬基臺(tái)變形例和引線電極的位置關(guān)系的斜視圖。
圖9是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的LD器件的斜視圖。
圖10是表示將本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的LD器件安裝到安裝基板的部分剖面示意圖。
圖11是表示本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的LD器件的金屬基臺(tái)的變形例和引線電極的位置關(guān)系的斜視圖。
圖12是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的LD器件的斜視圖。
具體實(shí)施例方式
在以下的說(shuō)明中，作為光學(xué)元件用組件的一個(gè)例子以半導(dǎo)體激光器用的LD組件及LD器件為例進(jìn)行說(shuō)明，作為其它例子，也可以使用于受光元件或者其它的發(fā)光元件等。
此外，作為實(shí)施方式以在光學(xué)元件用組件中安裝了LD芯片的LD器件為例進(jìn)行說(shuō)明。
實(shí)施方式1圖1是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的LD器件的平面圖。圖2是圖1所示的LD器件的II-II剖面中的箭頭方向的剖面圖。圖3是從圖1的箭頭方向III觀看的LD器件的正面圖。圖4是從圖1的箭頭方向IV觀看的LD器件的仰視圖。圖5是表示本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的LD器件的金屬基臺(tái)和引線電極的位置關(guān)系的斜視圖。圖6是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的LD器件的斜視圖。在圖中，相同的符號(hào)代表相同或相當(dāng)?shù)牟考?br> 如圖1所示，LD器件10由LD組件12、通過(guò)輔助支持(submount)14安裝在該LD組件12中的LD芯片16、連接該LD芯片16的電極(未記載)和LD組件12的引線管腳18、20的導(dǎo)線例如Au導(dǎo)線22等構(gòu)成。
LD組件12由作為金屬基臺(tái)的金屬框24、作為樹(shù)脂密封部的樹(shù)脂鑄模部25、作為第1引線電極的信號(hào)引線管腳18以及作為第2引線電極的地線管腳20構(gòu)成。
金屬框24使用0.4mm Cu板，外表例如進(jìn)行鍍Ag。除鍍Ag外，也可以是Ni/Au或者Ni/Pd/Au等外表鍍層。
如圖2及圖3所示，該金屬框24具有外周為規(guī)定形狀，例如圓形的基板26、和從該基板26的第1主表面26a彎曲規(guī)定的角度例如90度而豎立的矩形形狀的晶粒座部分28。
豎立晶粒座28時(shí)，在該實(shí)施方式中，雖然是通過(guò)一次90度彎曲而豎立，但也可以通過(guò)進(jìn)行多次彎曲加工，最終以規(guī)定的角度例如90度而豎立。
再有，如圖1、圖2所示，在該實(shí)施方式1中的金屬框24中，接地管腳20由針狀部件形成，該針狀部件將與基板26和晶粒座部分28的彎曲線正交的晶粒座部分28的中心線進(jìn)一步沿基板26的第1主表面26a折彎的延長(zhǎng)線作為中心線。特別地，在本實(shí)施方式1中，針狀部件作為和基板26及晶粒座部分28相同的板材的一部分，形成在從基板26外周切入的切口部26b處(參照?qǐng)D3)，并且通過(guò)彎曲加工彎曲形成該針狀部件使其與晶粒座部分28的上述中心線平行。
象這樣，由與基板26相同的引線框材料形成接地管腳20，從而，通過(guò)由相同板材的壓制加工，實(shí)施一體化的裝模及彎曲加工而形成金屬框24的基板26、晶粒座部分28以及接地管腳20(參照?qǐng)D5)，所以能夠降低成本。
并且，如后所述，埋入接地管腳20的樹(shù)脂層的厚度最多為1.2mm左右。在不能增厚埋入接地管腳20的樹(shù)脂層的厚度的情況下，必須在切口部26b通過(guò)焊接或粘接來(lái)固定基板26和接地管腳20。與此不同，通過(guò)彎曲加工從與基板26相同的板材形成接地管腳20，不僅可以低價(jià)地形成金屬框24，而且還能夠確保接地管腳20所需的拉伸強(qiáng)度。
毫無(wú)疑問(wèn)，也可以采用其它部件來(lái)形成接地管腳20，通過(guò)焊接等接合到基板26的切口部26b以使其與基板26的切口部26b電導(dǎo)通。
如圖2及圖5所示，在作為連結(jié)金屬框24的晶粒座部分28和基板26的連結(jié)部的彎曲部30上設(shè)置了引線電極插入槽32。沿與基板26交叉的晶粒座部分28的兩個(gè)側(cè)面處配置2個(gè)引線電極插入槽32，其由作為第1開(kāi)口部的晶粒座槽32a和設(shè)置在與該晶粒座槽32a連接的基板26上的作為第2開(kāi)口部的基板孔32b而構(gòu)成。
如圖1、圖2及圖5所示，在引線電極插入槽32中插入信號(hào)線管腳18的一端。在該實(shí)施方式中，信號(hào)線管腳18的晶粒座部分28側(cè)的一部分被插入到引線電極插入槽32中，以從金屬框24的基板26的第1主表面26a稍微突出的狀態(tài)進(jìn)行配置。
信號(hào)線管腳18的、從基板26的第1主表面26a稍微突出來(lái)的部分成為Au導(dǎo)線22的焊盤(pán)18a。此外，位于晶粒座28的相反側(cè)的引線管腳18被延長(zhǎng)，成為插入到作為安裝基板的薄膜基板的電極中的基板插入部18b。此外，接地管腳20的與引線管腳18的基板插入部18b相鄰的部分也成為基板插入部20b。
在該實(shí)施方式中，引線電極插入槽32設(shè)置在晶粒座部分28的兩個(gè)側(cè)面處，一個(gè)直線狀的信號(hào)線管腳18單獨(dú)地被插入，但也可以是將多個(gè)引線管腳插入到一個(gè)引線電極插入槽32中的結(jié)構(gòu)。
此外，也可以代替一個(gè)直線狀的信號(hào)線管腳18，制作成具有彎曲成部分階梯形狀的部分的形狀，即曲柄(crank)形狀，在引線管腳上形成突起，由此也能夠增大引線管腳的拉伸強(qiáng)度。
而且，也可以采用如下結(jié)構(gòu)在引線電極插入槽32中不形成晶粒座槽32a，僅設(shè)置基板孔32b，將信號(hào)線管腳18插入到該基板孔32b中，并將從基板孔32b突出來(lái)的部分作為焊盤(pán)18a。
并且，也可以采用如下結(jié)構(gòu)在晶粒座部分28的兩個(gè)側(cè)面沒(méi)有形成作為開(kāi)口部的晶粒座32a、基板孔32b，潛伏在基板26之下與晶粒座部分28的側(cè)面平行，使信號(hào)線管腳18的一部分從基板26突出來(lái)，并使突出來(lái)的部分成為焊盤(pán)18a。
再有，也可以采用如圖2所示的將芯片承載面28a的里側(cè)設(shè)為芯片承載面、沿該芯片承載面使信號(hào)線管腳18突出來(lái)，并使突出來(lái)的部分成為焊盤(pán)18a的結(jié)構(gòu)。
再有，在該實(shí)施方式中，說(shuō)明了具有2條信號(hào)線管腳18和1條接地管腳20，隔離配置信號(hào)線管腳18以使其不與金屬框24電連接，采用與金屬框24相同部件一體地構(gòu)成接地管腳20，或用不同部件構(gòu)成，利用焊接等使接地管腳20和金屬框24接合并電導(dǎo)通的結(jié)構(gòu)，但接地管腳20也可以和信號(hào)線管腳18同樣地與金屬框24隔離配置。
此外，在本實(shí)施方式中，說(shuō)明了具有包含2條信號(hào)線管腳18和1條接地管腳20的3條引線管腳的結(jié)構(gòu)，但也可以采用如下結(jié)構(gòu)，即不設(shè)置采用與金屬框24相同部件構(gòu)成的接地管腳20或采用與金屬框24不同的部件構(gòu)成的通過(guò)焊接等接合的接地管腳20，使信號(hào)線管腳18為2條、以一條為信號(hào)線管腳、以另一條為接地管腳。如圖3及圖4所示，在基板26的外周面，對(duì)應(yīng)于晶粒座部分28的兩個(gè)側(cè)面，形成使用于裝配工序中部件的支撐(支持)的側(cè)切口34。側(cè)切口34的中心位置與信號(hào)線管腳18的厚度的中心位置對(duì)應(yīng)，或信號(hào)線管腳18的厚度的中心位置與安裝在晶粒座部分28的LD芯片16的發(fā)光點(diǎn)位置對(duì)應(yīng)，兩者處于同一平面。并且，LD芯片16的發(fā)光點(diǎn)位置成為形成基板26的外周的圓弧的中心。通過(guò)將基板26的外周面設(shè)為如上所述設(shè)定的圓弧，就能夠確保與現(xiàn)有的金屬底座的互換性。
如圖1、圖2及圖6所示，樹(shù)脂鑄模部25具有作為基部的樹(shù)脂基臺(tái)40和作為側(cè)壁部的保護(hù)壁42，通過(guò)它們機(jī)械地穩(wěn)定地固定金屬框24和接地管腳20及信號(hào)線管腳18。并且，由于將信號(hào)線管腳18插入到金屬框24的引線電極插入槽32進(jìn)行樹(shù)脂成型，所以能夠通過(guò)引線電極插入槽32借助于鑄模樹(shù)脂進(jìn)一步牢固地固定金屬框24和信號(hào)線管腳18。
如圖1所示，樹(shù)脂基臺(tái)40一側(cè)的表面與金屬框24的基板26的第2主表面26c即第1主表面26a內(nèi)側(cè)的主表面緊密粘接，同時(shí)另一側(cè)表面40a為平坦的板狀，呈現(xiàn)出規(guī)定的外形形狀，例如包含圓弧的形狀，樹(shù)脂基臺(tái)40為圓盤(pán)狀。對(duì)基板26和樹(shù)脂基臺(tái)40進(jìn)行組合后的厚度W1大致為1.2mm左右。
信號(hào)線管腳18的基板插入部18b及接地管腳20的基板插入部20b從該樹(shù)脂基臺(tái)40的表面40a突出來(lái)。
在本實(shí)施方式中，樹(shù)脂基臺(tái)40的外形為包含以與金屬框24的基板26的外形相同的半徑所構(gòu)成的圓弧的形狀。由此，就能夠確保與作為現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的組件的金屬底座的互換性。
而且，雖然本實(shí)施方式中，基板26的外周圓的半徑和樹(shù)脂基臺(tái)40的外周圓的半徑相同，但即使是基板26的外周圓的半徑比樹(shù)脂基臺(tái)40的外周圓的半徑大也無(wú)妨。
此外，即使假設(shè)樹(shù)脂基臺(tái)40的外周圓的半徑比基板26的外周圓的半徑大，但如果是樹(shù)脂基臺(tái)40的熱變形不會(huì)對(duì)LD發(fā)光點(diǎn)的光點(diǎn)移動(dòng)造成影響的程度，則樹(shù)脂基臺(tái)40的外周圓的半徑也可以比基板26的外周圓的半徑大。
再有，該實(shí)施方式中，雖然說(shuō)明了金屬框24的基板26及樹(shù)脂基臺(tái)40的外周形狀為包含圓弧的形狀，但也可以是其它形狀。該情況下，樹(shù)脂基臺(tái)的外周即使從金屬框的基板的外周伸出，只要是樹(shù)脂基臺(tái)的熱變形不會(huì)對(duì)LD發(fā)光點(diǎn)的光點(diǎn)移動(dòng)造成影響的程度亦可。
此外，即使切口部等被限定的部位僅形成在與成為互換的對(duì)稱(chēng)的罐式組件的底座相同的部位亦可。
此外，本實(shí)施方式中，樹(shù)脂基臺(tái)40雖然是與基板26的第2主表面26c緊密粘接的結(jié)構(gòu)，但也可以將樹(shù)脂基臺(tái)40配置成與基板26的第1主表面26a緊密粘接。
如圖4所示，對(duì)應(yīng)于設(shè)置在金屬框24的基板26外周面的側(cè)切口34，以直線狀對(duì)樹(shù)脂基臺(tái)40外周的圓弧形狀進(jìn)行部分切除的方式去除樹(shù)脂部分，同時(shí)對(duì)應(yīng)于樹(shù)脂鑄模時(shí)的沖模，以不影響裝配工序中的部件支撐(支持)的方式來(lái)形成。
如圖1、圖3所示，在基板26的外周設(shè)置了切口部26b，該切口部26b將與基板26和晶粒座部分28的彎曲線正交的晶粒座部分28的中心線進(jìn)一步沿基板26的第1主表面26a折彎的延長(zhǎng)線作為中心線。在以填埋該切口部的方式被鑄模的樹(shù)脂部分的外周部，即本實(shí)施方式中的圓周部分設(shè)置了角度識(shí)別用的切口44。
如圖1、圖6所示，在晶粒座部分28的兩個(gè)側(cè)面并行地設(shè)置樹(shù)脂鑄模部25的保護(hù)壁42以便包含里外而埋入晶粒座部分28的兩個(gè)側(cè)面。夾在兩側(cè)的保護(hù)壁42的晶粒座部分28的中央部，其鑄模樹(shù)脂被去除，以便內(nèi)外都顯露出金屬面。
在該晶粒座部分28的中央部設(shè)置了芯片承載面28a(也參照?qǐng)D2、圖3)，在芯片承載面28a上，通過(guò)輔助支持14搭載有LD芯片16。輔助支持14的尺寸約為0.6mm×1.47mm×0.24mm左右，例如由氮化鋁(AlN)形成。例如，使用AuSn焊料(熔點(diǎn)280℃)將輔助支持14接合到晶粒座部分28以及將LD芯片16焊接到輔助支持14上。也可以使用除SnAgCu或者SnPb等其他的焊料或者銀膏等導(dǎo)電性粘接劑。
該芯片承載面28a側(cè)的保護(hù)壁42的高度由連接LD芯片16的電極(圖中未記載)和接地管腳20以及信號(hào)線管腳18的Au導(dǎo)線22的高度決定，并設(shè)定為高度超過(guò)該鍵合后的Au導(dǎo)線22的高度。因此，在保護(hù)壁42的芯片承載面28a側(cè)的表面設(shè)置凹部46，以便能夠?qū)男盘?hào)線管腳18的第1主表面26a稍微突出來(lái)的部分作為Au導(dǎo)線22的焊盤(pán)18a進(jìn)行使用，并顯露出信號(hào)線管腳18的一部分即焊盤(pán)18a。
再有，在本實(shí)施方式中，Au導(dǎo)線用于LD芯片16的電極和接地管腳20及信號(hào)線管腳18的連接，但除此之外，也可以使用Al導(dǎo)線或者漆包線等。
此外，雖然在本實(shí)施方式中，作為樹(shù)脂鑄模部25的一部分設(shè)置了保護(hù)壁42，但即使不在樹(shù)脂鑄模部25設(shè)置保護(hù)壁、通過(guò)使晶粒座部分28的兩個(gè)側(cè)面在芯片承載面28a側(cè)豎立以作為保護(hù)壁也是可以的。
此外，在本實(shí)施方式中，形成保護(hù)壁42使其從內(nèi)外埋入晶粒座部分28的兩個(gè)側(cè)面，但通過(guò)使晶粒座部分28的內(nèi)表面，即不是芯片承載面28a的面完全顯露出來(lái)，從而也能夠提高散熱性。
將信號(hào)線管腳18插入到金屬框24的引線電極插入槽32中，進(jìn)行定位后，由模具夾持，對(duì)鑄模樹(shù)脂例如液晶聚合物進(jìn)行注塑，由此來(lái)進(jìn)行樹(shù)脂鑄模部25的成型。通過(guò)該注塑，一體地形成樹(shù)脂基臺(tái)40和保護(hù)壁42，此外，金屬框24和信號(hào)線管腳18通過(guò)緊密粘接的樹(shù)脂固定在基板26的第2主表面26c、從基板26的外周切入的切口部26b、引線電極插入槽32、晶粒座部分28的側(cè)面以及信號(hào)線管腳18的外周，并使它們彼此機(jī)械地被穩(wěn)定固定。
此外，在本實(shí)施方式中，雖然使用了液晶聚合物，但此外即使使用PPS等注射模用熱可塑性樹(shù)脂、傳遞模樹(shù)脂、封接用低熔點(diǎn)玻璃等也是可以的。
圖7是表示根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的LD器件的金屬基臺(tái)的變化例與引線電極的位置關(guān)系的斜視圖。
圖7所示的金屬框50的引線電極插入槽32設(shè)置有沿晶粒座部分28的兩側(cè)配設(shè)的兩個(gè)晶粒座槽32a、以及與該晶粒座槽32a連接的作為設(shè)置在基板26的第2開(kāi)口部的縫隙32c。在前面所說(shuō)明的金屬框24中，與晶粒座槽32a連接的基板26上設(shè)置了作為貫通孔的基板孔32b，與此不同，在金屬框50中，設(shè)置了從基板26的外周面直接到達(dá)晶粒座槽32a的、呈與晶粒座槽32a相同寬度的切口形狀的縫隙32c。通過(guò)使金屬框50成為這種形狀，就能夠用一片板材對(duì)插入到引線電極插入槽32中的信號(hào)線管腳18和金屬框50進(jìn)行裝模，因此，就能夠進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)成本的降低。
圖8是表示根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的LD器件的金屬基臺(tái)的變形例與引線電極的位置關(guān)系的斜視圖。
圖8所示的金屬框70未設(shè)置引線電極插入槽。從晶粒座部分28到基板26側(cè)連續(xù)地設(shè)置了具有相當(dāng)于樹(shù)脂基臺(tái)40的厚度的寬度的晶粒座延長(zhǎng)部72使其與晶粒座部分28共用相同的平面。在該晶粒座延長(zhǎng)部72的兩側(cè)設(shè)置了翼端(翼)72a。該翼端72a在晶粒座延長(zhǎng)部72的兩側(cè)彎向芯片承載面28a側(cè)，在芯片承載面28a側(cè)豎立?；?6分別面對(duì)晶粒座延長(zhǎng)部72的翼端72a在芯片承載面28a側(cè)豎立?；?6的中央部從外周面到晶粒座延長(zhǎng)部72的表面，成為被較大地切入的切口部26d。
在該切口部26d的晶粒座延長(zhǎng)部72的中央部連續(xù)地用相同的板材一體地形成了接地管腳20使其與晶粒座部分28以及晶粒座延長(zhǎng)部72共用相同的平面。相對(duì)于基板26，接地管腳20在與晶粒座部分28相反的方向上呈一條直線狀延長(zhǎng)。
在構(gòu)成晶粒座延長(zhǎng)部72的板材的剖面即接地管腳20的兩側(cè)部，即使以填埋晶粒座延長(zhǎng)部72的內(nèi)外的方式鑄模了樹(shù)脂基臺(tái)40，也作為顯露在外部的部位而殘留下來(lái)。該寬度(W2)為接地管腳20的寬度的約150％以上，由于能夠提高散熱性，故能夠增大接地管腳的拉伸強(qiáng)度。
此外，沿接地管腳20的兩側(cè)配設(shè)信號(hào)線管腳18，使其鄰接接地管腳20而延長(zhǎng)。將兩條信號(hào)線管腳18的一端配設(shè)成與晶粒座延長(zhǎng)部72及晶粒座部分28的一部分的上方重疊。再有，與晶粒座延長(zhǎng)部72及晶粒座部分28隔離配設(shè)信號(hào)線管腳18。此外，通過(guò)使信號(hào)線管腳18不為一個(gè)直線狀，成為具有彎曲成部分階梯形狀的部分的形狀，即曲柄形狀，從而能夠使引線電極的拉伸強(qiáng)度增大。
圖9是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的LD器件的斜視圖。
在圖9中，LD器件76中的LD組件77使用了圖8所示的金屬框70及信號(hào)線管腳18。樹(shù)脂鑄模部25具有樹(shù)脂基臺(tái)40和保護(hù)壁42，通過(guò)這些使其與金屬框70和信號(hào)線管腳18機(jī)械地穩(wěn)定地固定，這種情況與LD組件12的情況相同。
樹(shù)脂基臺(tái)40配置在基板26的第1主表面26a側(cè)，緊密粘接到第1主表面26a，以埋入晶粒座延長(zhǎng)部72的內(nèi)外面及2條信號(hào)線管腳18的方式形成樹(shù)脂基臺(tái)40。但是，如前所述，突出來(lái)的接地管腳20根部的兩側(cè)未埋入鑄模樹(shù)脂中而顯露出來(lái)。
晶粒座延長(zhǎng)部72的最大寬度W3(參照?qǐng)D8)與翼端72a的寬度W4(參照?qǐng)D8)和基板26的厚度W5(參照?qǐng)D8)之和基本上相等，此外，還與樹(shù)脂基臺(tái)40的最大寬度W6(參照?qǐng)D9)基本上相等。由于采用這樣的結(jié)構(gòu)，故能夠從圓盤(pán)狀的樹(shù)脂基臺(tái)40的兩個(gè)主表面使翼端72a的側(cè)面和基板26顯露出來(lái)，由此就能夠防止樹(shù)脂基臺(tái)40發(fā)生變形。
此外，由于翼端72a覆蓋了樹(shù)脂基臺(tái)40的外周面，故能夠防止樹(shù)脂基臺(tái)40的外周面發(fā)生變形。并且，通過(guò)使金屬部分在樹(shù)脂基臺(tái)40外周面的外側(cè)顯露出來(lái)，由此能夠提高成為定位基準(zhǔn)的面精度。
基板26的第2主表面26c和鄰接該基板26的第2主表面26c的樹(shù)脂基臺(tái)40的表面40b共用大致相同的平面，信號(hào)線管腳18及接地管腳20從樹(shù)脂基臺(tái)40的平坦表面40b突出來(lái)，形成信號(hào)線管腳18的基板插入部18b及接地管腳20的基板插入部20b。
信號(hào)線管腳18的一端從樹(shù)脂基臺(tái)40的另一側(cè)表面即晶粒座部分28側(cè)的表面40c突出來(lái)，該突出來(lái)的部分成為焊盤(pán)18a。
在晶粒座部分28的中央部設(shè)置芯片承載面28a，在芯片承載面28a上通過(guò)輔助支持14搭載LD芯片16，連接LD芯片16的電極和接地管腳20的芯片承載面28a和焊盤(pán)18a通過(guò)Au導(dǎo)線22連接，這與LD器件10相同。
圖11是表示根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的LD器件的金屬基臺(tái)變化例和引線電極的位置關(guān)系的斜視圖。
圖11所示的金屬框90在晶粒座部分28兩側(cè)的幾乎全長(zhǎng)上設(shè)置了作為突起部的翼端(翼)92。該翼端92彎向芯片承載面28a一側(cè)，例如從芯片承載面28a起以90度的角度在芯片承載面28a側(cè)豎立。
接地管腳20與晶粒座部分28共用相同的平面并由相同的板材一體地形成，并延長(zhǎng)到晶粒座部分28的幾乎中央線上。
晶粒座部分28的兩側(cè)部被部分地切開(kāi)，使得翼端92連接到晶粒座部分28的連接長(zhǎng)度比從晶粒座部分28寬度方向的中央部的晶粒座部分28的前端到接地管腳20的安裝部的長(zhǎng)度更短。但是，由于翼端92的全長(zhǎng)與從晶粒座部分28的前端到接地管腳20的安裝部的長(zhǎng)度大致相同，所以翼端92的一部分在接地管腳20的延長(zhǎng)方向上懸垂著。
該懸垂著的兩翼端92的前端分別一體地連接到基板26，在晶粒座部分28外側(cè)的方向上豎立。翼端92的外側(cè)面92a和基板26的第1主表面26a的角度例如為90度。
圖8所示的金屬框70中，翼端72a在晶粒座延長(zhǎng)部72的兩側(cè)彎向芯片承載面28a的一側(cè)，在芯片承載面28a的一側(cè)豎立，基板26以分別面對(duì)各晶粒座延長(zhǎng)部72的翼端72a并在芯片承載面28a一側(cè)豎立而形成。因此，翼端72a和基板26通過(guò)晶粒座延長(zhǎng)部72相連接。
相對(duì)于此，在圖11所示的金屬框90中，基板26在翼端92的前端，與翼端92一體地連接，基板26通過(guò)翼端92與晶粒座部分28一體地連接。
此外，接地管腳20相對(duì)于基板26沿著與晶粒座部分28相反的方向呈一條直線地延長(zhǎng)。并且，沿接地管腳20的兩側(cè)配設(shè)信號(hào)線管腳18，與接地管腳20相鄰并延長(zhǎng)。
將兩條信號(hào)線管腳18的一端配設(shè)成與晶粒座部分28的一部分的上方重疊，并沿著翼端92的內(nèi)側(cè)面92b進(jìn)行配置。即，兩條信號(hào)線管腳18從基板26的兩個(gè)主表面突出來(lái)。
再有，與晶粒座部分28隔離地配設(shè)信號(hào)線管腳18。此外，信號(hào)線管腳18在圖11中雖是一條直線狀，但并不必須是一條直線狀，與圖8中所示的信號(hào)線管腳18相同，通過(guò)形成具有彎曲成部分階梯形狀的部分的形狀，即曲柄形狀，從而能夠增大引線管腳的拉伸強(qiáng)度。
在這種結(jié)構(gòu)的金屬框90中，從一片金屬板中切出晶粒座部分28、兩翼部92及基板26，通過(guò)彎曲兩翼端92及基板26就能夠形成金屬框90。因此，可以比通過(guò)鑄造或鍛造形成金屬框更廉價(jià)地形成金屬框。
而且，如果對(duì)晶粒座部分28的兩側(cè)部進(jìn)行部分切開(kāi)，包含該切口部分沿接地管腳20進(jìn)行信號(hào)線管腳18的裝模，就能夠更有效地利用原料板材。
此外，由于具有在晶粒座部分28的兩側(cè)豎立的翼端92，所以能夠提高晶粒座部分28的彎曲剛性，抑制加熱時(shí)的晶粒座部分28的熱變形。
圖12是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的LD器件的斜視圖。
在圖12中，LD器件96中的LD組件98使用了圖11所示的金屬框90及信號(hào)線管腳18。
樹(shù)脂鑄模部25具樹(shù)脂基臺(tái)40和保護(hù)壁42，以覆蓋翼端92的方式形成樹(shù)脂基臺(tái)40和保護(hù)壁42。晶粒座部分28的內(nèi)表面即芯片承載面28a的內(nèi)側(cè)也被樹(shù)脂覆蓋，并包含在樹(shù)脂鑄模部25中。通過(guò)它們機(jī)械地穩(wěn)定地固定金屬框90和信號(hào)線管腳18，這種情況與LD組件12的情況相同。
在本實(shí)施方式的LD器件96中，雖然晶粒座部分28的內(nèi)表面即芯片承載面28a的內(nèi)側(cè)也被樹(shù)脂覆蓋，但由于在晶粒座部分28的兩側(cè)形成了翼端92，所以可提高晶粒座部分28的彎曲剛性，由于并不需要在晶粒座部分28的內(nèi)表面設(shè)置樹(shù)脂構(gòu)成的突起部，所以也可以使晶粒座部分28的內(nèi)表面顯露出來(lái)。通過(guò)使晶粒座部分28的內(nèi)表面顯露出來(lái)，由此能夠提高散熱性。
此外，在本實(shí)施方式中的的LD器件96中，雖然翼端92被樹(shù)脂覆蓋，但通過(guò)使其一部分顯露出來(lái)，從而也能夠有效地使LD芯片16產(chǎn)生的熱散發(fā)出來(lái)。
此外，在本實(shí)施方式的LD器件96中，晶粒座部分28是長(zhǎng)方形區(qū)域，通過(guò)采用向基板26的兩側(cè)擴(kuò)展的臺(tái)形形狀，能夠?qū)崿F(xiàn)散熱性的提高。
樹(shù)脂基臺(tái)40配置在基板26的第1主表面26a側(cè)，緊密粘接到第1主表面26a，并以埋入翼端92的一部分以及2條信號(hào)線管腳18的方式形成。但是，如前所述，突出來(lái)的接地管腳20根部的兩側(cè)部未埋入鑄模樹(shù)脂中而顯露出來(lái)。
基板26的第2主表面26c和鄰接該基板26的第2主表面26c的樹(shù)脂基臺(tái)40的表面40b共用大致相同的平面，信號(hào)線管腳18及接地管腳20從樹(shù)脂基臺(tái)40的平坦的表面40b突出來(lái)，形成信號(hào)線管腳18的基板插入部18b及接地管腳20的基板插入部20b。
信號(hào)線管腳18的一端從樹(shù)脂基臺(tái)40的另一側(cè)表面即晶粒座部分28側(cè)的表面40c突出來(lái)，該突出來(lái)的部分成為焊盤(pán)18a。
在晶粒座部分28的中央部設(shè)置芯片承載面28a，在芯片承載面28a上通過(guò)輔助支持14搭載LD芯片16，連接LD芯片16的電極和接地管腳20的芯片承載面28a和焊盤(pán)18a通過(guò)Au導(dǎo)線22連接，這與LD器件10相同。
基板26的第2主表面26c在外部顯露出來(lái)，本實(shí)施方式的LD器件96中，由于基板26在翼端92的前端，與翼端92一體地連接，基板26通過(guò)翼端92與晶粒座部分28一體地連接，所以經(jīng)過(guò)該路徑LD芯片16所產(chǎn)生的熱量從晶粒座部分28傳導(dǎo)到基板26，可有效地從基板26散熱。
圖10是表示將本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的LD器件安裝到安裝基板的剖面示意圖。
在圖10中，將LD器件10的信號(hào)線管腳18和接地管腳20安裝在安裝基板例如柔性基板54上。柔性基板54的基板本體56例如是由聚酰亞胺制成的薄膜，在表面設(shè)置有布線層(未圖示)。柔性基板54的部分在剖面圖中示出。
在基板本體56中設(shè)置與該布線層連接的通孔58，在該通孔58中插入信號(hào)線管腳18和接地管腳20，通過(guò)焊料60使信號(hào)線管腳18或接地管腳20與通孔58接合。
通過(guò)焊接使信號(hào)線管腳18或者接地管腳20和通孔58接合后，切斷從柔性基板54的內(nèi)表面突出的引線管腳并將其去除。
在像這樣安裝的LD器件10中，由于構(gòu)成LD組件12的樹(shù)脂基臺(tái)40是圓盤(pán)狀，所以具有平坦的表面40a。
信號(hào)線管腳18及接地管腳20直接從該平坦的表面40a突出來(lái)。為此，柔性基板54能夠與樹(shù)脂基臺(tái)40的表面40a緊密粘接。
因此，由于能夠縮短從LD器件10的LD芯片16到柔性基板54的布線層的距離，所以容易使電感變小，并使該部分的阻抗最佳化。因此，在使用了該LD組件12的LD器件10中，能夠提高高頻特性。
再有，在圖10中，作為一個(gè)例子對(duì)LD器件10進(jìn)行了說(shuō)明，但是即使是LD器件76及LD器件96也能起到相同的效果。
在具有上述結(jié)構(gòu)的LD組件12中，能夠使樹(shù)脂基臺(tái)40的表面40a和柔性基板54緊密粘接地配設(shè)，能夠縮短從LD芯片16到柔性基板54的布線層的距離。為此，容易使電感變小并使該部分的阻抗最佳化，在LD器件10中能夠使高頻特性得到提高。
此外，金屬框24或50，使用一片金屬板通過(guò)壓制加工就能形成基板26和從該基板彎曲成90度而豎立的晶粒座部分28。因此，相比于鑄造或者鍛造，就能夠廉價(jià)地制造金屬框。
由于金屬框24或50能夠確保冷卻面積的增大，故能夠?qū)D器件10的溫度上升抑制得較低，其中，該冷卻面積用于有效地散發(fā)來(lái)自焊接在晶粒座部分28的LD芯片16所產(chǎn)生的熱。
此外，樹(shù)脂鑄模部25隔著樹(shù)脂基臺(tái)40和保護(hù)壁42對(duì)金屬框24和接地管腳20以及信號(hào)線管腳18進(jìn)行機(jī)械地穩(wěn)定地固定，同時(shí)在金屬框24的引線電極插入槽32中插入信號(hào)線管腳18進(jìn)行樹(shù)脂成型，所以能夠牢固地固定金屬框24和信號(hào)線管腳18，進(jìn)而能夠形成高溫下拉伸強(qiáng)度較高的電極引線。
此外，由于利用樹(shù)脂鑄模成型該LD組件12，所以能夠形成為更廉價(jià)、且設(shè)計(jì)自由度高的形狀。
此外，通過(guò)使金屬框24的基板26的外形和樹(shù)脂基臺(tái)40的外形成為包含圓弧的形狀，從而能夠保持與作為現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的組件的金屬底座的互換性。
此外，在LD組件12中，由金屬框24的基板26和樹(shù)脂基臺(tái)40構(gòu)成相當(dāng)于現(xiàn)有的線環(huán)的部分。為此，僅由樹(shù)脂鑄模構(gòu)成相當(dāng)于線環(huán)的部分的情況下，存在著如下情況在裝配工序中，當(dāng)支撐線環(huán)(支持)并進(jìn)行處理時(shí)，在高溫下容易變形且安裝到產(chǎn)品上時(shí)難以進(jìn)行精度高的定位，但在LD組件12中，由于具備金屬制的基板26，所以能夠進(jìn)行精度高的定位。
此外，僅由樹(shù)脂鑄模構(gòu)成相當(dāng)于線環(huán)的部分的情況下，存在著如下情形當(dāng)使用隔著樹(shù)脂基臺(tái)進(jìn)行加熱并進(jìn)行晶粒座部分的軟釬焊的焊接裝置的情況下，由于樹(shù)脂基臺(tái)的熱傳導(dǎo)率低而導(dǎo)致傳熱不足，進(jìn)而阻礙晶粒座部分的溫度上升，使得要進(jìn)行良好的焊接需要耗費(fèi)很多時(shí)間。但是在LD組件12中，由于具備金屬制的基板26，能夠有效地進(jìn)行晶粒座部分的加熱，故能夠縮短軟釬焊時(shí)所花費(fèi)的時(shí)間。
此外，同樣地，僅由樹(shù)脂鑄模構(gòu)成相當(dāng)于線環(huán)的部分的情況下，存在著在如下情況當(dāng)隔著樹(shù)脂基臺(tái)進(jìn)行使超聲波傳播的引線鍵合時(shí)，樹(shù)脂基臺(tái)中超聲波的衰減劇烈，難于進(jìn)行良好的引線鍵合。但是在LD組件12中，由于具備金屬制的基板26，故能夠有效地使超聲波傳播，進(jìn)行引線鍵合，并能夠高效地實(shí)施引線鍵合工序。
此外，僅由樹(shù)脂鑄模構(gòu)成相當(dāng)于線環(huán)的部分的情況下，存在著在樹(shù)脂基臺(tái)成型時(shí)按模具的沖壓方向不能自由地形成切口部的情況，但在LD組件12中，由于具備金屬制的基板26，并能夠在該基板26設(shè)置切口34，所以能夠提高相對(duì)于模具沖壓方向的自由度。
這樣，與僅由樹(shù)脂鑄模構(gòu)成相當(dāng)于線環(huán)的部分的情況相比，由于在LD組件12中由金屬框24的基板26和樹(shù)脂基臺(tái)40構(gòu)成相當(dāng)于現(xiàn)有的線環(huán)的部分，故能夠?qū)崿F(xiàn)LD組件12的制造成本的降低。
在此，雖然對(duì)LD組件12進(jìn)行了說(shuō)明，但即使是LD組件77及LD組件98也能夠起到同樣的效果。
如上所述，在本實(shí)施方式的光學(xué)元件用組件中，由于包括金屬基臺(tái)，其包括由具有主表面的金屬板構(gòu)成的具有規(guī)定外形的基板、以及由與該基板連接的金屬板一體構(gòu)成的、相對(duì)于基板的主表面以規(guī)定角度彎曲的晶粒座部分；第1引線電極，其以規(guī)定的角度與該金屬基臺(tái)的基板的主表面交叉，兩端從基板的兩個(gè)主表面突出并與金屬基臺(tái)隔離配置；樹(shù)脂密封部，其具有緊密粘接在基板主表面上的沿著該基板的板狀基部，從該基部相對(duì)于基板沿著晶粒座部分的相反方向延伸的第1引線電極突出來(lái)，同時(shí)殘留露出部來(lái)埋設(shè)第1引線電極的周?chē)?，并固定金屬基臺(tái)和第1引線電極，其中該露出部露出相對(duì)于基板沿著與晶粒座部分相同方向突出的第1引線電極表面的一部分，所以，具有晶粒座部分的金屬基臺(tái)的散熱性良好、光學(xué)元件工作時(shí)的光學(xué)特性的下降減少、樹(shù)脂密封部的基部為板狀且從其表面使第1引線電極突出來(lái)，因而，能夠使安裝光學(xué)元件用組件的安裝基板緊密粘接在樹(shù)脂密封部的基部表面，故從安裝在晶粒座部分的光學(xué)元件到安裝基板的距離變短，能夠得到良好的高頻特性，并且能夠通過(guò)使用樹(shù)脂鑄模來(lái)構(gòu)成廉價(jià)的結(jié)構(gòu)。
并且，由于還在連結(jié)金屬基臺(tái)的晶粒座部分和基板的連結(jié)部，設(shè)置由沿晶粒座部分的側(cè)面延長(zhǎng)的第1開(kāi)口部和連續(xù)到該第1開(kāi)口部并連接基板的兩個(gè)主表面的第2開(kāi)口部所構(gòu)成的引線電極插入槽，同時(shí)將第1引線電極的一端配設(shè)在引線電極插入槽中，所以能通過(guò)注入到引線電極插入槽內(nèi)的樹(shù)脂密封部進(jìn)一步牢固地固定第1引線電極和金屬基臺(tái)。為此，提高了高溫時(shí)的第1引線電極的樹(shù)脂密封部的拉伸強(qiáng)度。
此外，由于在金屬基臺(tái)的晶粒座部分具有沿其兩側(cè)部延伸的突起部，同時(shí)還通過(guò)該突起部一體地接合晶粒座部分和金屬基臺(tái)的基板，所以能夠使晶粒座部分的彎曲剛性變高并抑制因加熱引起的晶粒座部分的變形，同時(shí)確保從晶粒座部分向基板的高效的熱傳導(dǎo)路徑。
此外，由于金屬基臺(tái)的基板或樹(shù)脂密封部的基部之一的外周的形狀包含圓弧，所以能夠確保其與現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的金屬底座的互換性。
此外，由于樹(shù)脂密封部的基部的外周具有沿金屬基臺(tái)的基板的外周形狀的形狀，且樹(shù)脂密封部的基部的外周與金屬基臺(tái)的基板的外周平行、或位于基板外周更內(nèi)側(cè)的位置，所以能夠相對(duì)于外部光學(xué)系統(tǒng)，減小基于工作時(shí)的溫度上升的熱變形所引起的光學(xué)元件的位置變動(dòng)。
此外，由于進(jìn)一步具有與樹(shù)脂密封部的基部一體構(gòu)成的側(cè)壁部，同時(shí)該側(cè)壁部顯露出金屬基臺(tái)的晶粒座部分中央表面且殘留，并沿晶粒座部分側(cè)面以規(guī)定厚度延伸，在該表面的一部分中，使從金屬基臺(tái)的基板的主表面突出來(lái)的第1引線電極的表面顯露出來(lái)，所以能夠更牢固地固定樹(shù)脂密封部和金屬基臺(tái)，并包含第1引線電極而更可靠地實(shí)現(xiàn)機(jī)械固定。
此外，由于在具有以規(guī)定的角度與金屬基臺(tái)的基板的主表面交叉、相對(duì)于基板在金屬基臺(tái)的晶粒座部分的反方向上延伸、并從基板的主表面突出的部分，同時(shí)還包括與金屬基臺(tái)電連接的第2引線電極，所以能夠?qū)⒔饘倩_(tái)和第2引線電極設(shè)定成同一電位。
此外，由于采用與金屬基臺(tái)的基板連續(xù)的金屬板一體地構(gòu)成第2引線電極，所以能夠更牢固地固定金屬基臺(tái)和第2引線電極，同時(shí)還能夠成為更廉價(jià)的結(jié)構(gòu)。
此外，在本實(shí)施方式的光學(xué)半導(dǎo)體器件中，由于包括上述任意一種光學(xué)元件用組件和半導(dǎo)體激光元件，所以能夠構(gòu)成具備上述光學(xué)元件用組件的特性、且高頻傳播損失減少、高頻特性好的廉價(jià)的光學(xué)半導(dǎo)體器件，其中，該半導(dǎo)體激光元件通過(guò)臺(tái)座配置在該光學(xué)元件用組件的晶粒座部分表面上，并具有與第1引線電極、或與第1引線電極或第2引線電極電連接的規(guī)定電極。
如上所述，本發(fā)明的光學(xué)元件用組件及光學(xué)半導(dǎo)體器件適用于在信息電子設(shè)備或者信息通信設(shè)備中使用的光學(xué)元件用組件及使用了該光學(xué)元件用組件的光學(xué)半導(dǎo)體器件。
權(quán)利要求
1.一種光學(xué)元件用組件，包括金屬基臺(tái)，其包括由具有主表面的金屬板構(gòu)成且具有規(guī)定外形的基板、以及由與該基板連續(xù)的金屬板一體構(gòu)成的、相對(duì)于所述基板的主表面按規(guī)定角度彎曲的晶粒座部分；第1引線電極，其以規(guī)定角度與該金屬基臺(tái)的基板的主表面交叉，兩端從所述基板的兩個(gè)主表面突出并與所述金屬基臺(tái)隔離配設(shè)；以及樹(shù)脂密封部，其具有緊密粘接在所述基板的主表面上的、沿著該基板的板狀基部，使從該基部相對(duì)于所述基板沿著晶粒座部分的相反方向延伸的第1引線電極突出來(lái)，同時(shí)殘留露出部以埋設(shè)所述第1引線電極的周?chē)潭ㄋ鼋饘倩_(tái)和第1引線電極，其中，露出部顯露出相對(duì)于所述基板按與所述晶粒座部分相同方向突出的所述第1引線電極表面的一部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件用組件，其特征在于，在連結(jié)金屬基臺(tái)的晶粒座部分和基板的連結(jié)部上還設(shè)置引線電極插入槽，將第1引線電極的一端配設(shè)在所述引線電極插入槽中，其中，該引線電極插入槽由沿所述晶粒座部分的側(cè)部延長(zhǎng)的第1開(kāi)口部、以及連續(xù)到該第1開(kāi)口部并連接所述基板的兩個(gè)主表面的第2開(kāi)口部構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件用組件，其特征在于，金屬基臺(tái)的晶粒座部分具有沿其兩側(cè)部延伸的突起部，并通過(guò)該突起部一體地接合所述晶粒座部分和金屬基臺(tái)的所述基板。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件用組件，其特征在于，金屬基臺(tái)的基板或樹(shù)脂密封部的基部中一者的外周的形狀包含圓弧。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件用組件，其特征在于，樹(shù)脂密封部的基部的外周具有沿金屬基臺(tái)的基板的外周形狀的形狀，并且樹(shù)脂密封部基部的外周位于與金屬基臺(tái)的基板外周平行的位置、或位于所述基板外周更靠?jī)?nèi)側(cè)的位置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件用組件，其特征在于，還具有與樹(shù)脂密封部的基部一體構(gòu)成的側(cè)壁部，同時(shí)，該側(cè)壁部露出金屬基臺(tái)的晶粒座部分中央表面而殘留，并沿晶粒座部分的側(cè)部以規(guī)定厚度延伸，在其表面的一部分中，從金屬基臺(tái)的基板的主表面突出的第1引線電極的表面被露出。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件用組件，其特征在于，具有第2引線電極，該第2引線電極具有以規(guī)定的角度與金屬基臺(tái)的基板的主表面交叉、相對(duì)于所述基板沿著金屬基臺(tái)的晶粒座部分的反方向延伸、并從基板的主表面突出的部分，同時(shí)電連接到所述金屬基臺(tái)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光學(xué)元件用組件，其特征在于，第2引線電極由與金屬基臺(tái)的基板連續(xù)的金屬板一體地構(gòu)成。
9.一種光學(xué)半導(dǎo)體器件，包括光學(xué)元件用組件，該光學(xué)元件用組件包括金屬基臺(tái)，其包括由具有主表面的金屬板構(gòu)成且具有規(guī)定外形的基板、以及由與該基板連續(xù)的金屬板一體構(gòu)成且相對(duì)于所述基板的主表面按規(guī)定角度彎曲的晶粒座部分；第1引線電極，其以規(guī)定的角度與該金屬基臺(tái)的所述基板的主表面交叉，兩端從所述基板的兩個(gè)主表面突出并與所述金屬基臺(tái)隔離配設(shè)；以及樹(shù)脂密封部，其具有緊密粘接在所述基板的主表面上的、沿著該基板的板狀基部，使從該基部相對(duì)于所述基板沿著晶粒座部分的相反方向延伸的第1引線電極突出來(lái)，同時(shí)殘留露出部以埋設(shè)所述第1引線電極的周?chē)?，固定所述金屬基臺(tái)和第1引線電極，其中，露出部顯露出相對(duì)于所述基板按與所述晶粒座部分相同方向突出的所述第1引線電極表面的一部分；和半導(dǎo)體激光元件，其通過(guò)臺(tái)座被配置在該光學(xué)元件用組件的晶粒座部分表面上，并且具有與第1引線電極電連接的規(guī)定電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光學(xué)半導(dǎo)體器件，其特征在于，光學(xué)元件用組件的金屬基臺(tái)的晶粒座部分具有沿其兩側(cè)部延伸的突起部，并通過(guò)該突起部一體地接合所述晶粒座部分和金屬基臺(tái)的所述基板。
全文摘要
構(gòu)成一種減少光學(xué)元件工作時(shí)的光學(xué)特性的下降、具有良好的高頻特性且廉價(jià)的光學(xué)元件用組件。本發(fā)明的光學(xué)元件用組件包括金屬框(24)，其具有由金屬板構(gòu)成的基板(26)、及由基板(26)彎曲90度而豎立的矩形形狀的晶粒座部分(28)；信號(hào)線管腳(18)，其與基板(26)的主表面正交，相對(duì)于基板(26)沿晶粒座部分(28)的反方向延伸，并與金屬框(24)隔離配置；樹(shù)脂鑄模部(25)，其具有與基板(26)的主表面緊密粘接的沿著該基板(26)的板狀的樹(shù)脂基臺(tái)(40)，從該樹(shù)脂基臺(tái)(40)的表面突出來(lái)，同時(shí)埋設(shè)信號(hào)線管腳(18)的周?chē)?，并固定金屬基?24)、信號(hào)線管腳(18)。
文檔編號(hào)H01L23/02GK101068064SQ20071012828
公開(kāi)日2007年11月7日 申請(qǐng)日期2007年3月27日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月28日
發(fā)明者藤野純司, 田中秀幸, 森健三 申請(qǐng)人:三菱電機(jī)株式會(huì)社