專利名稱：白光發(fā)光元件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種半導體光電元件，且特別是有關(guān)于一種可發(fā)出白光的
白光發(fā)光元件及其制造方法(WHITE LIGHT EMITTING DEVICE AND PRODUCING METHOD THEREOF)。
背景技術(shù)：
相較于傳統(tǒng)的日光燈與白熱燈泡，發(fā)光二極管的使用壽命較長，具有反 應速度快、體積小、省電、低污染(不含水銀)等優(yōu)點，已逐漸取代傳統(tǒng)日光 燈與白熾燈泡。
白光是一多種色系的混合光，其主要包括紅、藍以及綠三種色光成分。 目前的白光發(fā)光二極管，多是采用藍色chip加上黃色熒光粉的結(jié)構(gòu)。其雖有 不錯的發(fā)光效率，但色度范圍較窄，無法滿足高色度的范圍。
圖1為現(xiàn)有的白光發(fā)光二極管10的剖面結(jié)構(gòu)圖。請參照圖1，現(xiàn)有的白 光發(fā)光二極管10的結(jié)構(gòu)包括電路基板101、芯片基板106、電極103a、 103b、 電洞源層107、藍光主動層109以及電子源層111。在透明保護層105內(nèi)含 熒光粉材料(例如是黃色熒光粉或是紅色與綠色的熒光粉)，用來保護電極 103a、 103b、電洞源層107、藍光主動層109以及電子源層111。
此現(xiàn)有的白光發(fā)光二極管10的發(fā)光原理是以此一個發(fā)光源所發(fā)出的藍 色光，通過熒光粉材料吸收而激發(fā)出黃色色光或是紅色與綠色色光。再與藍 光主動層109所發(fā)出的藍色色光混合后以發(fā)出白光。然而，現(xiàn)有的白光發(fā)光 二極管10色度范圍較窄，當運用在色度需求較寬的設備，例如是顯示器面 板上，將無法提供足夠的色度范圍。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種白光發(fā)光元件及其制造方法。此白光發(fā)光元 件采用單晶結(jié)構(gòu)設計，可以降低結(jié)構(gòu)復雜度，節(jié)省成本，并可增加色域范圍， 使色彩有改多的飽和度。
本發(fā)明還提供一種白光發(fā)光元件，包括基板、短波長發(fā)光源、保護層、 第一結(jié)構(gòu)以及第二結(jié)構(gòu)。短波長發(fā)光源配置在該基板上，用以產(chǎn)生第一光源。 保護層覆蓋在該短波長發(fā)光源上，且該第一光源可穿透該保護層。第一結(jié)構(gòu) 配置在該保護層上，用以產(chǎn)生第二光源，且該第一結(jié)構(gòu)包含第一量子井層與 透光層，該第一量子井層配置在該保護層上，該透光層配置在該第一量子井 上。第二結(jié)構(gòu)配置在該第一結(jié)構(gòu)上，用以產(chǎn)生第三光源。其中，通過該第一 光源、該第二光源及該第三光源的混光進而產(chǎn)生白光源。
本發(fā)明提供一種白光發(fā)光元件的制造方法，包含以下步驟提供一基板； 形成短波長發(fā)光源于該基板上，以產(chǎn)生第一光源；形成一保護層覆蓋該短波 長發(fā)光源上；形成第一結(jié)構(gòu)于該保護層上，以產(chǎn)生第二光源；形成第二結(jié)構(gòu) 于該第一結(jié)構(gòu)上以產(chǎn)生第三光源以及混合該第一光源、該第二光源及該第三 光源以產(chǎn)生白光源。
本發(fā)明所提供的白光發(fā)光元件為一單晶結(jié)構(gòu)，相較于現(xiàn)有的白光發(fā)光二 極管具有較簡單的電極設計，且耗電量低可達到省電的效果。另外，因為本 發(fā)明提出的白光發(fā)光元件制造成本較低更適合量產(chǎn)制造。而且，此白光發(fā)光 元件所發(fā)出的白光是混合紅、藍、綠光所形成的白色色光，其白色色光具有 較佳的色度。


圖1為現(xiàn)有的白光發(fā)光二極管的剖面結(jié)構(gòu)圖。
圖2為依照本發(fā)明第一實施例的一種白光發(fā)光元件的剖面結(jié)構(gòu)圖。 圖3為依照本發(fā)明第二實施例的一種白光發(fā)光元件的剖面結(jié)構(gòu)圖。
圖4為依照本發(fā)明第三實施例的一種白光發(fā)光元件的剖面結(jié)構(gòu)圖。 圖5為依照本發(fā)明第四實施例的一種白光發(fā)光元件的剖面結(jié)構(gòu)圖。 圖6為依照本發(fā)明一實施例的白光發(fā)光元件的制造方法流程圖。
主要元件符號說明
10:現(xiàn)有的白光發(fā)光二極管
101:基板
103a、 103b:電極
105:透明保護層
106、 206、 306、 406、 506:芯片基板
107:電洞源層 109:藍光主動層 111:電子源層
20、 30、 40、 50:白光發(fā)光元件 201、 301、 401、 501:電路基板 203a、 303a、 403a、 503a:第一電極 203b、 303b、 403b、 503b:第二電極
205、223、305、405、505:保護層
206、306、406、506:芯片基板
207、307、407、507:短波長發(fā)光源
209、309、409、509:第一結(jié)構(gòu)
211、311、411、511:電洞源層
213、313、413、513:主動層
215、315、415、515:電子源層
217、317、417、517:第一量子井層
219、319、419、519:透光層
221、421:第二結(jié)構(gòu)
222、 322、 422、 522:第一光源 224、 324、 424、 524:第二光源 226、 326、 426、 526:第三光源 428、 528:第四光源 228、 328、 430、 530:白光光源
S601、 S603、 S605、 S607、 S609:本發(fā)明一實施例的白光發(fā)光元件的制 造方法流程各步驟
具體實施例方式
而為了讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特 舉較佳實施例，并且配合附圖作詳細說明如下。
以下的敘述將伴隨著實施例的圖示，來詳細對本發(fā)明所提出的實施例進 行說明。在各圖示中所使用相同或相似的參考標號，是用來敘述相同或相似 的部份。須要注意的是，圖示都已經(jīng)精簡過而不是精確的比例。另外，以下 揭露的技術(shù)，僅以適當和清晰為目的，而例如上、下、左、右、在上方、在 下方、在以上、在以下、較低、在背面、在前等方向性的用詞，都僅用來表 示所伴隨的圖示。本發(fā)明相關(guān)領(lǐng)域具有通常知識者當知，這些方向性的用詞 不應用來限定本發(fā)明的精神。
圖2為依照本發(fā)明第一實施例的一種白光發(fā)光元件20的剖面結(jié)構(gòu)圖。 請參照圖2，本實施例所提供的白光發(fā)光元件20，包括電路基板201、基板 206、第一電極203a、第二電極203b、短波長發(fā)光源207、保護層205、第 一結(jié)構(gòu)209以及第二結(jié)構(gòu)221。
短波長發(fā)光源207配置在基板206上，并通過第一電極203a、第二電極 203b以及導線203c電性連結(jié)至電路基板201。其中，短波長發(fā)光源207可 因通電而產(chǎn)生第一光源222，該第一光源222例如是藍光源。保護層205覆 蓋在短波長發(fā)光源207上，在本實施例中，保護層205例如是與電路基板201
形成密閉空間，短波長發(fā)光源207配置在此密閉空間中，以使短波長發(fā)光源 207不受外界(例如水氣或空氣中的一些懸浮微粒)影響，該第一光源222可 穿透該保護層。第一結(jié)構(gòu)209配置在保護層205上，因為光電轉(zhuǎn)換，第一結(jié) 構(gòu)209吸收部份第一光源222的能量，用以產(chǎn)生第二光源224。第二結(jié)構(gòu)221 配置在該第一結(jié)構(gòu)209上，用以產(chǎn)生第三光源226。因此，通過第一光源222、 第二光源224及第三光源226的混光進而產(chǎn)生白光源228。
在此實施例中，短波長發(fā)光源207可包括電洞源層211、主動層213以 及電子源層215。電子源層215配置在基板206上且通過第一電極203a以及 導線203c與電路基板201做電性連結(jié)。主動層213配置在電子源層215上。 短波長發(fā)光源207所產(chǎn)生第一光源便是由主動層213所產(chǎn)生的。電洞源層211 配置在主動層213上且通過第二電極203b以及導線203c與電路基板201做 電性連結(jié)。
另外，在本實施例中的第一結(jié)構(gòu)209包含第一量子井層217與透光層 219，第一量子井層217配置在保護層205上，透光層219配置在第一量子 井217上。第一量子井層217吸收部份第一光源222而激發(fā)出第二光源224。 第二結(jié)構(gòu)221例如是一第二量子井結(jié)構(gòu)，用以吸收部份第一光源222、部分 第二光源224或同時吸收部份第一光源222與部分第二光源224而激發(fā)出第 三光源226。通過第一光源222、第二光源224及第三光源226的混光進而 產(chǎn)生白光源228。在本實施例中，第二光源224例如是綠光源、第三光源226 例如是紅光源。
在本實施例中，還包含保護層223配置于第二結(jié)構(gòu)221上，用以保護第 二結(jié)構(gòu)221不受外界(例如水氣或空氣中的一些懸浮微粒)影響，該第一光源 222、第二光源224以及第三光源226可穿透該保護層。
本實施例中第一結(jié)構(gòu)209的發(fā)光是以PL(photo luminary)的方式發(fā)光。當 短波長發(fā)光源207產(chǎn)生的第一光源222經(jīng)由第一結(jié)構(gòu)209吸收后，第一結(jié)構(gòu) 209中的第一量子井層217的電子吸收足夠的能量而從價電帶激發(fā)至導電
帶，這些受激發(fā)的電子因為處在不穩(wěn)定態(tài)，會由導電帶再回到價電帶，再由 傳導帶回到價電帶的過程中，電子會釋放出之前吸收的能量，而此能量會以
光的形式放出。如此便是所謂的PL的發(fā)光方式，而此種發(fā)光方式可以應用 在以下的各實施例中，所以在之后的實施例便不再多作贅述。
承上述，白光發(fā)光元件20的結(jié)構(gòu)中各部件的材質(zhì)分別說明如下白光
發(fā)光元件20的基板206的材質(zhì)可以是砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)、磷化銦 (InP)、硅(Si)、碳化硅(SiC)或是藍寶石材料任何其中之一。
而保護層205的材質(zhì)可以是透明的高分子材料，例如環(huán)氧化物(Eepoxy)、 硅膠(Silicone)、聚碳酸酯(Polycarbonate, PC)、聚甲基丙烯甲酯 (Polymethylmethacrylate, PMMA)。
第一電極203a與第二電極203b的材質(zhì)可以是導電物質(zhì)或?qū)щ姷慕饘傺?化物，其中導電的金屬氧化物選自氧化銦錫、氧化鋁鋅、氧化銦鋅及鎘錫氧 化物至少其中之一，其是利用濺鍍(sputtering)或是離子電鍍(ion plating)等方 式形成。
短波長發(fā)光源207的電洞源層211材質(zhì)與電子源層215材質(zhì)可以是p型 材料與n型材料。而短波長發(fā)光源207中的主動層213的材質(zhì)可以是含氮化 鎵的III-V族元素氮化合物所構(gòu)成。
此外，第一結(jié)構(gòu)209的第一量子井層217材質(zhì)可以是與如上述主動層213 同樣的材料或磷化鋁銦鎵(AlInGaP)、氮化銦鎵(InGaN)等同質(zhì)材料但具有不 同的成份比例。而透光層219的材質(zhì)可以是環(huán)氧化物(Epoxy)、硅膠(Silicone)、 聚碳酸酯(Polycarbonate, PC),聚甲基丙烯甲酯(Polymethylmethacrylate, PMMA)、塑料、高分子、玻璃及硅至少其中之一。
當?shù)诙Y(jié)構(gòu)211例如是一第二量子井結(jié)構(gòu)時，其材質(zhì)可以是與如上述主 動層213同樣的材料或磷化鋁銦鎵(AlInGaP)、磷化銦鎵(InGaP)、砷化鋁鎵 (AlGaAs)等同質(zhì)材料但具有不同的成份比例。而透光層223的材質(zhì)可以是環(huán) 氧化物(Epoxy)、硅膠(Silicone)、聚碳酸酯(Polycarbonate, PC)，聚甲基丙烯甲
酯(Polymethylmethaciylate， PMMA)、塑料、高分子、玻璃及硅至少其中之一。
圖3為依照本發(fā)明第二實施例的一種白光發(fā)光元件30的剖面結(jié)構(gòu)圖。 本實施例所提供的白光發(fā)光元件30，包括電路基板301、基板306、第一電 極303a、第二電極303b、短波長發(fā)光源307、保護層305、第一結(jié)構(gòu)309以 及第二結(jié)構(gòu)321。其中，短波長發(fā)光源307同樣也可以具有如第一實施例所 述的電洞源層311、主動層313和電子源層315。另外，第一結(jié)構(gòu)309與第 一實施例類似，也可以包括第一量子井層317和透光層319。而相關(guān)敘述在 此領(lǐng)域具有通常知識者，可以自行參照第一實施例的敘述，在此不再贅述。
其與前述的實施例的差別僅在于第二結(jié)構(gòu)321例如是熒光層結(jié)構(gòu)時，該 熒光層結(jié)構(gòu)會吸收部份第一光源322、部分第二光源324、或同時吸收部份 第一光源322與部分第二光源324而產(chǎn)生第三光源326。而通過第一光源322、 第二光源324及第三光源326的混光進而產(chǎn)生白光源328。在本實施例中， 第二光源324例如是綠光源、而第三光源326例如是紅光源。
圖4為依照本發(fā)明第三實施例的一種白光發(fā)光元件40的剖面結(jié)構(gòu)圖。 請參照圖4，本實施例所提供的白光發(fā)光元件40，包括電路基板401、基板 406、第一電極403a、第二電極403b、短波長發(fā)光源407、保護層405、第 一結(jié)構(gòu)409以及第二結(jié)構(gòu)410。其中，第一結(jié)構(gòu)409與前述第一實施例和第 二實施例類似，可以具有第一量子井層417和透光層419。另外，短波長發(fā) 光源407也可以與前述類似，包括電洞源層411、主動層413和電子源層415。 在本實施例中，短波長發(fā)光源407可因通電而產(chǎn)生第一光源422，在本實施 例中，第一光源422較佳為一不可見光源。
本實施例與前述的實施例的差別僅在于第二結(jié)構(gòu)410可以例如是包含第
二量子井結(jié)構(gòu)421以及一熒光層結(jié)構(gòu)423，以產(chǎn)生第三光源426及第四光源
428。在本實施例中，第二量子井結(jié)構(gòu)421會吸收部份第一光源422，或同時 吸收部份第二光源424而產(chǎn)生部份第三光源426。另外，熒光層結(jié)構(gòu)423會
吸收部份第一光源422、部分第二光源424、部分第三光源426，或是例如是 僅吸收部份第一光源422與部分第二光源424、或是例如是僅吸收部份第一 光源422，而產(chǎn)生一第四光源428。使得白光發(fā)光元件40可以通過第二光源 424、第三光源426及第四光源428的混光進而產(chǎn)生白光源430。在本實施例 中，第一光源422例如是紫外光、第二光源424例如是藍光源、第三光源426 例如是綠光源、第四光源428例如是紅光源。
圖5為依照本發(fā)明第四實施例的白光發(fā)光元件50的剖面結(jié)構(gòu)圖。請參 照圖5，本實施例所提供的白光發(fā)光元件50，包括電路基板501、基板506、 第一電極503a、第二電極503b、短波長發(fā)光源507、保護層505、第一結(jié)構(gòu) 509以及第二結(jié)構(gòu)521。類似地，第一結(jié)構(gòu)509也可以包括第一量子井層517 和透光層519。
白光發(fā)光元件50與前述的第三實施例的差別僅在于，第二結(jié)構(gòu)521可 以例如是熒光層結(jié)構(gòu)，用以同時產(chǎn)生第三光源526以及第四光源528。第二 結(jié)構(gòu)521會吸收部份第一光源522、部分第二光源524、或同時吸收部份第 一光源522與部分第二光源524，而產(chǎn)生一第三光源526以及第四光源528。 使得白光發(fā)光元件50可以通過第一光源522、第二光源524、第三光源526 及第四光源528的混光進而產(chǎn)生白光源530。在本實施例中，第一光源522 例如是紫外光、第二光源524例如是藍光源、第三光源526與第四光源528 例如是綠光源以及紅光源。
而在此實施例中，短波長發(fā)光源507可包括電洞源層511、主動層5B 以及電子源層515。電子源層515以電極503a以及導線503c與電路基板501 做電性連結(jié)。在電子源層515上配置的主動層513較佳為紫外光主動層513。 短波長發(fā)光源507所發(fā)出的第一光源便是由此紫外光主動層513所產(chǎn)生的。 而在紫外光主動層513上則配置有電洞源層511。并且，電洞源層511以電 極503a以及導線503c與電路基板501做電性連結(jié)。
圖6為依照本發(fā)明一實施例的白光發(fā)光元件的制造方法流程圖。首先，
在步驟S601中，提供電路基板。接著，在步驟S603中形成短波長發(fā)光源于 該電路基板上，以產(chǎn)生第一光源。然后，在步驟S605中形成保護層覆蓋該 短波長發(fā)光源上。之后，在步驟S607中，形成第一結(jié)構(gòu)于該保護層上，以 產(chǎn)生第二光源。在步驟S609中形成第二結(jié)構(gòu)于該第一結(jié)構(gòu)上，以產(chǎn)生第三 光源，最后，混合該第一光源、該第二光源及該第三光源以產(chǎn)生白光源。
其中，在S603形成短波長發(fā)光源的步驟還包含依序形成電子源層、主 動層與電洞源層于基板上，以及形成第一電極以及第二電極，并用導線電性 連接短波長發(fā)光源與電路基板。在S607形成第一結(jié)構(gòu)的步驟還包含形成第 一量子井層與透光層于保護層上。在S609形成第二結(jié)構(gòu)的步驟還包含形成 第二量子井層(第一實施例)或形成熒光層(第二實施例、第四實施例)于該第 一結(jié)構(gòu)上或同時形成第二量子井層與熒光層結(jié)構(gòu)(第三實施例)。
綜上所述，由于本發(fā)明所提供的白光發(fā)光元件與其制造方法因采用單晶 結(jié)構(gòu)，可產(chǎn)生多色域的LED,所以結(jié)構(gòu)簡單，而且耗電量低。也因為此發(fā)光 元件結(jié)構(gòu)簡單，不需如雙晶一般復雜的設計，所以制造成本較低，較符合商 業(yè)上的考慮。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何 熟習此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作些許的更動與潤飾， 因此本發(fā)明的保護范圍當以權(quán)利要求所界定者為準。
權(quán)利要求
1.一種白光發(fā)光元件，其特征在于，所述白光發(fā)光元件包括一電路基板；一短波長發(fā)光源，其配置在所述電路基板上，用以產(chǎn)生一第一光源；一保護層，其覆蓋在所述短波長發(fā)光源上，且所述第一光源可穿透所述保護層；一第一結(jié)構(gòu)，其配置在所述保護層上，用以產(chǎn)生一第二光源，且所述第一結(jié)構(gòu)包含一第一量子井層與一透光層，所述第一量子井層配置在所述保護層上，所述透光層配置在所述第一量子井上；以及一第二結(jié)構(gòu)，其配置在所述第一結(jié)構(gòu)上，用以產(chǎn)生一第三光源，其中，通過所述第一光源、所述第二光源及所述第三光源的混光進而產(chǎn)生一白光源。
2. 如權(quán)利要求1所述的白色發(fā)光元件，其特征在于，所述第二結(jié)構(gòu)包含 一第二量子井結(jié)構(gòu)。
3. 如權(quán)利要求2所述的白色發(fā)光元件，其特征在于，所述第一光源為一 藍光源，第二光源為一綠光源，第三光源為一紅光源。
4 如權(quán)利要求1所述的白色發(fā)光元件，其特征在于，所述第二結(jié)構(gòu)包含 一熒光層結(jié)構(gòu)。
5. 如權(quán)利要求4所述的白色發(fā)光元件，其特征在于，所述第一光源為一 藍光源，第二光源為一紅光源，第三光源為一綠光源。
6. 如權(quán)利要求1所述的白色發(fā)光元件，其特征在于，所述第二結(jié)構(gòu)包含 一第二量子井結(jié)構(gòu)以及一熒光層結(jié)構(gòu)，用以產(chǎn)生一第四光源。
7. 如權(quán)利要求6所述的白色發(fā)光元件，其特征在于，所述第一光源為一 紫外光，所述第二光源為一藍光源，所述第三光源為一綠光源，所述第四光 源為一紅光源，其中，通過所述第一光源、所述第二光源、所述第三光源及所述第四光源的混光進而產(chǎn)生一 白光源。
8. 如權(quán)利要求1所述的白色發(fā)光元件，其特征在于，所述第二結(jié)構(gòu)包含 一熒光層結(jié)構(gòu)，用以產(chǎn)生一第四光源。
9. 如權(quán)利要求8所述的白色發(fā)光元件，其特征在于，所述第一光源為一 紫外光，所述第二光源為一藍光源，所述第三光源與所述第四光源為一綠光 源以及一紅光源，其中，通過所述第一光源、所述第二光源、所述第三光源 及所述第四光源的混光進而產(chǎn)生一白光源。
10. —種白色發(fā)光元件的制造方法，該方法包含 提供一電路基板；形成一短波長發(fā)光源于所述電路基板上，以產(chǎn)生一第一光源； 形成一保護層覆蓋所述短波長發(fā)光源上； 形成一第一結(jié)構(gòu)于所述保護層上，以產(chǎn)生一第二光源； 形成一第二結(jié)構(gòu)于所述第一結(jié)構(gòu)上，以產(chǎn)生一第三光源；以及 混合所述第一光源、所述第二光源及所述第三光源以產(chǎn)生一白光源。
11. 如權(quán)利要求10所述的白色發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，形成 所述第一結(jié)構(gòu)的步驟還包含形成一第一量子井層與一透光層于所述保護層 上。
12. 如權(quán)利要求ll所述的白色發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，形成 所述第二結(jié)構(gòu)的步驟還包含形成一第二量子井層于所述第一結(jié)構(gòu)上。
13. 如權(quán)利要求12所述的白色發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，所述 第一光源為一藍光源，第二光源為一綠光源，第三光源為一紅光源。
14. 如權(quán)利要求13所述的白色發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，所述 方法還包括形成一熒光層于所述第二量子井層上，以產(chǎn)生一第四光源，以及 混合所述第一光源、所述第二光源、所述第三光源及所述第四光源以產(chǎn)生一 白光源。
15. 如權(quán)利要求14所述的白色發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，所述熒光層還包含用以產(chǎn)生一第四光源，以及混合所述第一光源、所述第二光源、 所述第三光源及所述第四光源以產(chǎn)生一白光源，其中，所述第一光源為一紫 外光，所述第二光源為一藍光源，所述第三光源與所述第四光源為一綠光源 以及一紅光源。
16. 如權(quán)利要求ll所述的白色發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，形成所述第二結(jié)構(gòu)的步驟還包含形成一熒光層于所述第一結(jié)構(gòu)上。
17. 如權(quán)利要求16所述的白色發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，所述 第一光源為一藍光源，第二光源為一紅光源，第三光源為一綠光源。
18. 如權(quán)利要求17所述的白色發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，所述 第一光源為一紫外光，所述第二光源為一藍光源，所述第三光源為一綠光源， 所述第四光源為一紅光源。
全文摘要
本發(fā)明提供一種白光發(fā)光元件及其制造方法，該白光發(fā)光元件包括基板、短波光發(fā)光源、保護層、第一結(jié)構(gòu)以及第二結(jié)構(gòu)。短波光發(fā)光源配置在基板上，用來產(chǎn)生第一光源。保護層覆蓋在短波長發(fā)光源上，且第一光源可穿透保護層。第一結(jié)構(gòu)配置在保護層上，用以產(chǎn)生第二光源，其中第一結(jié)構(gòu)包含第一量子井層與透光層。第二結(jié)構(gòu)配置在該第一結(jié)構(gòu)上用以產(chǎn)生第三光源。其中通過第一光源、第二光源及第三光源的混光產(chǎn)生白光源。本發(fā)明相較于現(xiàn)有的白光發(fā)光二極管具有較簡單的電極設計，且耗電量低可達到省電的效果。本發(fā)明的白光發(fā)光元件制造成本較低更適合量產(chǎn)制造。該白光發(fā)光元件所發(fā)出的白光是混合紅、藍、綠光所形成的白色色光，其白色色光具有較佳的色度。
文檔編號H01L33/00GK101183700SQ20071016054
公開日2008年5月21日 申請日期2007年12月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月25日
發(fā)明者劉宇桓, 林睫修, 王志麟, 田運宜 申請人:友達光電股份有限公司