專利名稱：變?nèi)荻O管及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及變?nèi)荻O管及其制造方法。
技術(shù)背景二極管包括真空電子管二極管和半導(dǎo)體二極管。半導(dǎo)體二極管包括點(diǎn)接 觸型二極管、結(jié)二極管、隧道二極管、光電二極管和變?nèi)荻O管。變?nèi)荻O管是可變電抗器二極管，并且其電容根據(jù)所施加的電壓而改 變。(以下，將使用術(shù)語"變?nèi)荻O管"來表示變?nèi)荻O管或可變電容)。根據(jù)相關(guān)技術(shù)，已使用CMOS工藝制造N+/P阱結(jié)變?nèi)荻O管。然而， 如果在相關(guān)的N+/P阱結(jié)變?nèi)荻O管中需要大容量電容(Cjo)，則對應(yīng)的 N+區(qū)的大小必定增加。因此，元件的大小也必定變大。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明實(shí)施例提供一種變?nèi)荻O管及其制造方法，能夠在即使變?nèi)荻O 管具有較小尺寸的情況下獲得較大電容。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，提供一種變?nèi)荻O管，包括分別在襯底上垂直形 成的多個(gè)第一導(dǎo)電型阱；在所述第一導(dǎo)電型阱中形成的多個(gè)第二導(dǎo)電型離子 注入?yún)^(qū)；與第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)電連接的至少一個(gè)第二導(dǎo)電型插塞(plug);在第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)中最上方的第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)的兩側(cè)形成的 隔離區(qū)；和第一導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)，其在所述第一導(dǎo)電型阱的最上方的第一 導(dǎo)電型阱中，并且通過隔離區(qū)與所述最上方的第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)電斷 開。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，提供一種變?nèi)荻O管的制造方法，該方法包括以下 步驟通過向襯底中注入第一導(dǎo)電型離子來形成第一阱；通過向所述第一阱 中注入第二導(dǎo)電型離子來形成第一離子注入?yún)^(qū)；在其中具有所述第一離子注 入?yún)^(qū)的襯底上形成外延層；在所述第一離子注入?yún)^(qū)兩側(cè)的所述外延層中形成
隔離區(qū)；通過向其中具有除預(yù)定的插塞區(qū)之外的隔離區(qū)的所述外延層中注入 第一導(dǎo)電型離子來形成第二阱；通過向?qū)?yīng)于所述插塞區(qū)的所述外延層中注 入第二導(dǎo)電型離子來形成第一插塞，其中所述第一插塞電連接至所述第一離 子注入?yún)^(qū)；通過向所述第一離子注入?yún)^(qū)上的所述第二阱中注入第二導(dǎo)電型離 子來形成第二離子注入?yún)^(qū)，以使所述第二離子注入?yún)^(qū)電連接至所述第一插 塞；和在第二阱的一部分中形成第一導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)，并且所述第一導(dǎo)電 型離子注入?yún)^(qū)通過所述隔離區(qū)與所述第二離子注入?yún)^(qū)電斷開。 根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，提供一種變?nèi)荻O管的制造方法，該方法包括以下 步驟通過向襯底中注入第一導(dǎo)電型離子來形成第一阱；通過向所述第一阱 中注入第二導(dǎo)電型離子來形成第一離子注入?yún)^(qū)；在其中具有所述第一離子注 入?yún)^(qū)的襯底上形成第一外延層；通過向所述第一外延層的一部分中注入第二 導(dǎo)電型離子來形成第一插塞，其中所述第一插塞電連接至所述第一離子注入 區(qū)；通過對所述第一外延層的第一注入工藝來形成第二阱；通過向所述第一 離子注入?yún)^(qū)上的所述第二阱中注入第二導(dǎo)電型離子來形成第二離子注入?yún)^(qū)； 在其中具有所述第二離子注入?yún)^(qū)的第一外延層上形成第二外延層；在所述第 二離子注入?yún)^(qū)的兩側(cè)上的所述第二外延層中形成隔離區(qū)；通過向其中具有隔 離區(qū)的所述第二外延層中注入第一導(dǎo)電型離子來形成第三阱(以及任選地， 阻斷所述第二外延層的部分)；通過向所述第二外延層中注入第二導(dǎo)電型離 子來形成第二插塞，其中所述第二插塞電連接至所述第二離子注入?yún)^(qū)；通過 向所述第三阱中注入第二導(dǎo)電型離子來形成第三離子注入?yún)^(qū)，以使所述第三 離子注入?yún)^(qū)電連接至所述第二插塞；和在通過所述隔離區(qū)與所述第三離子注 入?yún)^(qū)電斷開的第三阱的一部分中形成第一導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)。


圖1是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的變?nèi)荻O管的截面圖；和 圖2至圖13是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的變?nèi)荻O管制造方法的 截面圖。
具體實(shí)施方式
以下，將參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的變?nèi)荻O管及其制造方法。 在示例性實(shí)施例的描述中，可以理解的是，在提到一層(或膜)在另一
層或襯底"上"時(shí)，這一層可以直接在另一層或襯底上，或者也可以存在中 間層。此外，可以理解的是，在提到一層在另一層"下"時(shí)，這一層可以直 接在另一層下，或者也可以存在一個(gè)或多個(gè)中間層。此外，還可以理解的是， 在提到一層在兩層"之間"時(shí)，這一層可以是在這兩層之間的唯一層，或者 也可以存在一個(gè)或多個(gè)中間層。圖1是示出根據(jù)實(shí)施例的變?nèi)荻O管的截面圖。根據(jù)示例性實(shí)施例的變?nèi)荻O管包括在襯底110上垂直形成的多個(gè)第一導(dǎo)電型阱120、 160和200、在第一導(dǎo)電型阱120、 160和200中形成的第 二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)130、 170和220、與第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)電連接的第 二導(dǎo)電型插塞150和210、在最上方的第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)220的兩側(cè)形 成的隔離區(qū)190 (或稱隔離層)，以及在最上方的導(dǎo)電型阱200中形成的并 且通過隔離區(qū)190與最上方的第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)220電斷開的第一導(dǎo)電 型離子注入?yún)^(qū)230。在另一實(shí)施例中，第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)130和170與 第一插塞150可延伸，或者可位于隔離區(qū)190下。在這種情況下，盡管通過注入P型離子(例如B)形成第一導(dǎo)電型阱120、 160和200，以及使用N型離子(例如P、 As和/或Sb)注入第二導(dǎo)電型離 子注入?yún)^(qū)130、 170和220，但是本發(fā)明實(shí)施例不限于此。例如，各阱和離子 注入?yún)^(qū)可包含互補(bǔ)型離子。此外，第一導(dǎo)電型阱120、 160和200可具有相同電勢，可使用高濃度N 型離子注入到第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)130、 170和220，以及可使用高濃度P 型離子注入到離子注入?yún)^(qū)230。根據(jù)示例性實(shí)施例，具有相對大容量電容的新N+/P阱結(jié)變?nèi)荻O管裝 置的大小可以與相關(guān)的N+/P阱結(jié)變?nèi)荻O管的大小相同。 以下，將描述根據(jù)各實(shí)施例的變?nèi)荻O管的制造方法。 圖2至圖13是示出變?nèi)荻O管的示例性制造方法的截面圖。 即使根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的變?nèi)荻O管具有與相關(guān)變?nèi)荻O管相同的大 小，但是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的變?nèi)荻O管的制造方法通過以下方式可以獲得 較高電容，包括在襯底IIO上提供多個(gè)垂直的第一導(dǎo)電型阱120、 160和 200，在第一導(dǎo)電型阱中形成第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)130、 170和220，和形 成與相鄰的第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)電連接的至少一個(gè)第二導(dǎo)電型插塞。
盡管提供了3個(gè)第一導(dǎo)電型阱120、 160和200、 3個(gè)第二導(dǎo)電型離子注 入?yún)^(qū)130、 170和220和2個(gè)插塞150和210，但是本發(fā)明實(shí)施例不限于此。 換句話說，第一導(dǎo)電型阱的個(gè)數(shù)可以是2、 3、 4或更多等。自然地，第二導(dǎo) 電型離子注入?yún)^(qū)的個(gè)數(shù)和插塞的個(gè)數(shù)可以根據(jù)第一導(dǎo)電型阱的個(gè)數(shù)改變(例 如，第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)的個(gè)數(shù)可等于第一導(dǎo)電型阱的個(gè)數(shù)，并且插塞的 個(gè)數(shù)可以比第一導(dǎo)電型阱的個(gè)數(shù)少l)。同時(shí)，盡管通過注入P型離子形成第一導(dǎo)電型阱120、 160和200，以及 使用N型離子注入第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)130、 170和220，但是本發(fā)明實(shí) 施例不限于此。例如，可實(shí)現(xiàn)互補(bǔ)型結(jié)構(gòu)(例如，可通過注入N型離子形成 第一導(dǎo)電型阱120、 160和200，以及可使用P型離子注入第二導(dǎo)電型離子注 入?yún)^(qū)130、 170和220)。此外，第一導(dǎo)電型阱120、 160和200可具有相同電勢，可使用高密度N 型離子注入到第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)130、 170和220，以及可使用高濃度P 型離子注入到離子注入?yún)^(qū)230。如圖2所示，通過將第一導(dǎo)電型離子注入到襯底110中形成第一阱120。 可通過將P型離子注入到覆蓋層(blanket)(例如暴露的(unmasked))離 子注入工藝來形成第一阱120。隨后，如圖3所示，通過將第一光致抗蝕劑圖案310用作掩模向第一阱 120注入第二導(dǎo)電型離子，從而形成第一離子注入?yún)^(qū)130?？捎酶邼舛萅型 離子注入第一離子注入?yún)^(qū)130。第一阱120的深度大于第一離子注入?yún)^(qū)130 的深度，但是第一離子注入?yún)^(qū)130的劑量或濃度通常大于第一阱120約1至 2個(gè)數(shù)量級。之后，如圖4所示，去除第一光致抗蝕劑圖案310，并且在其中具有第 一離子注入?yún)^(qū)130的襯底110上形成(通常通過外延生長和/或沉積)第一外 延層140。第一外延層140可包括外延硅或硅鍺。然后，如圖5所示，通過將第二光致抗蝕劑圖案320用作掩模向第一外 延層140的一部分注入第二導(dǎo)電型離子，從而形成與第一離子注入?yún)^(qū)130電 連接的第一插塞150?？捎酶邼舛萅型離子注入第一插塞150。因此，第一 插塞150的深度至少為第一外延層140的厚度，并且第一插塞150的劑量或 濃度通常約等于或大于第一離子注入?yún)^(qū)130的劑量或濃度。 之后，如圖6所示，向其中具有第一插塞150的第一外延層140中注入 第一導(dǎo)電型離子，從而形成第二阱160。此外，可通過將P型離子注入到覆 蓋層(例如暴露的)離子注入工藝來形成第二阱160。在可選實(shí)施例中，可 在第一插塞150之前形成第二阱160。通常，第一插塞150的深度大于第二 阱160的深度，并且第一插塞150的劑量或濃度大于第二阱160的劑量或濃 度約1至2個(gè)數(shù)量級。然后，如圖7所示，通過將第三光致抗蝕劑圖案330用作掩模向第一離 子注入?yún)^(qū)130上的第二阱160注入第二導(dǎo)電型離子，從而形成第二離子注入 區(qū)170。第二阱160的深度大于第二離子注入?yún)^(qū)170的深度，但是第二離子 注入?yún)^(qū)170的劑量或濃度通常大于第二阱160約1至2個(gè)數(shù)量級。此外，可 以在第二阱160和/或第一插塞150之前形成第二離子注入?yún)^(qū)170。然而，注 入?yún)^(qū)優(yōu)選地按它們深度的順序形成(即，首先注入最深的區(qū))，用以盡量減 少注入離子被壓入(driven)(或"反沖")到例如比它們注入能量所能提 供的更深的外延層140的結(jié)果。之后，如圖8所示，去除第三光致抗蝕劑圖案330，在其中形成有第二 離子注入?yún)^(qū)170的第一外延層140上形成第二外延層180。通常，以與第一 外延層140相同的方式形成第二外延層180。然后，如圖9所示，在第二外延層180中，通常在第二離子注入?yún)^(qū)170 的兩側(cè)形成隔離區(qū)190。然而，為了進(jìn)一步減少變?nèi)荻O管區(qū)，可在第二離 子注入?yún)^(qū)170的最外垂直邊界上形成隔離區(qū)190?？赏ㄟ^淺溝槽隔離(STI) 工藝或硅的局部氧化(LOCOS)工藝形成隔離區(qū)190。然后，如圖10所示，可向其中具有隔離區(qū)190的第二外延層180中注 入第一導(dǎo)電型離子，以形成第三阱200。在一實(shí)施例中，向除了由用作掩模 的第四光致抗蝕劑圖案340阻斷的第二外延層180的一部分之外的整個(gè)第二 外延層180中注入第一導(dǎo)電型離子?；蛘?，第三阱200的形成可包括覆蓋層 (例如暴露的)注入。第三阱200的深度可約等于或大于隔離區(qū)l卯的深度。之后，如圖11所示，去除第四光致抗蝕劑圖案340，并通過將第五光致 抗蝕劑圖案350用作掩模向第二外延層180的先前被掩模的部分注入第二導(dǎo) 電型離子，從而形成與第二離子注入?yún)^(qū)170電連接的第二插塞210。第二插 塞210的深度和劑量/濃度大于第三阱200的深度和劑量/濃度。劑量和/或濃
度的差通常在約1至3個(gè)數(shù)量級。隨后，如圖12所示，去除第五光致抗蝕劑圖案350，并通過將第六光致 抗蝕劑圖案360用作掩模向第三阱200和第二插塞210的上部注入第二導(dǎo)電 型離子，從而形成與第二插塞210電連接的第三離子注入?yún)^(qū)220。第三阱200的深度大于第三離子注入?yún)^(qū)220的深度，但是第三離子注入 區(qū)220的劑量或濃度通常大于第三阱200的劑量或濃度約1至2個(gè)數(shù)量級。 此外，可以以任意順序形成第三離子注入?yún)^(qū)220、第三阱200和第二插塞210。 然而，注入?yún)^(qū)優(yōu)選地按它們深度的順序形成(即，首先注入最深的區(qū))，用 以盡量減少例如反沖注入離子的結(jié)果。隨后，如圖13所示，去除第六光致抗蝕劑圖案360，并且在隔離區(qū)190 相對側(cè)的第三阱200中形成第一導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)230，從而將第一導(dǎo)電型 離子注入?yún)^(qū)230與第三離子注入?yún)^(qū)220電斷開?？捎酶邼舛萈型離子注入到 離子注入?yún)^(qū)230。此外，根據(jù)另一實(shí)施例，在形成第二外延層180之后，還進(jìn)一步執(zhí)行以 下步驟形成至少一個(gè)第一導(dǎo)電型阱(未示出)、形成在第一導(dǎo)電型阱中的 第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)(未示出)和形成與第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)電連接的 插塞(未示出)。當(dāng)本發(fā)明用于具有至少一個(gè)這種外延層和至少一組這些處理步驟(例如 CMOS圖形傳感器)的裝置或芯片中，或模擬或混合信號集成電路時(shí)，本發(fā) 明可表現(xiàn)出明顯的優(yōu)點(diǎn)。當(dāng)本發(fā)明用于垂直CMOS圖形傳感器、通常具有兩 個(gè)外延層的以及基本上具有與圖1至圖13中描述的示例性實(shí)施例相同注入 步驟的裝置時(shí)，本發(fā)明可表現(xiàn)出明顯的優(yōu)點(diǎn)。與現(xiàn)有技術(shù)不同，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的變?nèi)荻O管及其制造方法可實(shí)現(xiàn) 新的N+/P阱結(jié)變?nèi)荻O管，通過以下步驟使其具有高電容和與現(xiàn)有N+/P阱 結(jié)變?nèi)荻O管相同(或可能更小)的尺寸，包括在襯底上提供多個(gè)垂直第 一導(dǎo)電型阱、在第一導(dǎo)電型阱中的多個(gè)垂直第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)130、 170 和220和與相鄰第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)電連接的至少一個(gè)第二導(dǎo)電型插塞。此外，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，將變?nèi)荻O管用于例如CMOS圖形傳感器的 各種半導(dǎo)體器件，從而可實(shí)現(xiàn)具有高電容的半導(dǎo)體器件。在說明書中所提及的"一實(shí)施例"、"實(shí)施例"、"示例性實(shí)施例"等
指的是根據(jù)本實(shí)施例所描述的特定特點(diǎn)、結(jié)構(gòu)或特征包括在本發(fā)明的至少一 個(gè)實(shí)施例中。在說明書中任一位置出現(xiàn)的這種表述不一定都指的是同一實(shí)施 例。此外，當(dāng)根據(jù)任一實(shí)施例描述特定特點(diǎn)、結(jié)構(gòu)或特征時(shí)，可以看出其在 所屬領(lǐng)域普通技術(shù)人員用以根據(jù)其它實(shí)施例實(shí)現(xiàn)這些特點(diǎn)、結(jié)構(gòu)或特征的范 圍內(nèi)。盡管參照本發(fā)明的多個(gè)示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明實(shí)施例，但是可以理 解的是可由所屬領(lǐng)域普通技術(shù)人員設(shè)計(jì)的多種其它修改和實(shí)施例將落于本 發(fā)明所公開的原理的精神和范圍內(nèi)。更具體地，在本發(fā)明公開、附圖和所附 權(quán)利要求的范圍內(nèi)，可以對組成部分和/或主要組成結(jié)構(gòu)的配置進(jìn)行改變和修 改。除了組成部分和/或配置的改變和修改之外，可替代物的使用對于所屬領(lǐng) 域普通技術(shù)人員來說也是清楚的。
權(quán)利要求
1.一種變?nèi)荻O管，包括在襯底上的多個(gè)垂直的第一導(dǎo)電型阱；在所述第一導(dǎo)電型阱中的多個(gè)第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)；與相鄰的第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)電連接的至少一個(gè)第二導(dǎo)電型插塞；在最上方的第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)兩側(cè)的隔離區(qū)；和第一導(dǎo)電型高密度離子注入?yún)^(qū)，其在最上方的第一導(dǎo)電型阱中，并且通過至少一個(gè)所述隔離區(qū)與所述最上方的第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)電斷開。
2. 如權(quán)利要求1所述的變?nèi)荻O管，其中所述第一導(dǎo)電型阱包括P型 離子。
3. 如權(quán)利要求1所述的變?nèi)荻O管，其中所述第一導(dǎo)電型阱具有相同 電勢。
4. 如權(quán)利要求1所述的變?nèi)荻O管，其中所述第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū) 包括高濃度N型離子。
5. —種變?nèi)荻O管的制造方法，該方法包括以下步驟 通過向襯底注入第一導(dǎo)電型離子來形成第一阱； 通過向所述第一阱注入第二導(dǎo)電型離子來形成第一離子注入?yún)^(qū)； 在具有所述第一離子注入?yún)^(qū)的襯底上形成外延層；在所述第一離子注入?yún)^(qū)相對兩側(cè)上的所述外延層中形成至少一個(gè)隔離區(qū)；通過向所述外延層注入第一導(dǎo)電型離子來形成第二阱；通過向所述外延層注入第二導(dǎo)電型離子來形成第一插塞，其中所述第一 插塞電連接至所述第一離子注入?yún)^(qū)；通過向所述第一離子注入?yún)^(qū)上的所述第二阱注入第二導(dǎo)電型離子來形 成第二離子注入?yún)^(qū)，以使所述第二離子注入?yún)^(qū)電連接至所述第一插塞；和在所述第二阱的一部分中形成第一導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)，并且所述第一導(dǎo) 電型離子注入?yún)^(qū)通過所述隔離區(qū)與所述第二離子注入?yún)^(qū)電斷開。
6. 如權(quán)利要求5所述的方法，其中所述第一導(dǎo)電型離子是P型離子。
7. 如權(quán)利要求5所述的方法，其中所述第一阱具有相同電勢。
8. 如權(quán)利要求5所述的方法，其中所述第二導(dǎo)電型離子是高濃度N型 離子。
9. 如權(quán)利要求5所述的方法，其中形成所述第二阱的步驟還包括在 所述外延層中的預(yù)定插塞區(qū)域上形成掩模，并且通過使用所述掩模向所述外 延層注入所述第一導(dǎo)電型離子，以阻斷向所述預(yù)定插塞區(qū)域中的注入。
10. —種變?nèi)荻O管的制造方法，該方法包括以下步驟 通過向襯底注入第一導(dǎo)電型離子來形成第一阱； 通過向所述第一阱注入第二導(dǎo)電型離子來形成第一離子注入?yún)^(qū)； 在包括所述第一離子注入?yún)^(qū)的襯底上形成第一外延層； 通過向所述第一外延層的一部分注入第二導(dǎo)電型離子來形成第一插塞，其中所述第一插塞電連接至所述第一離子注入?yún)^(qū)； 通過向所述第一外延層注入離子來形成第二阱； 通過向所述第二阱注入第二導(dǎo)電型離子來形成第二離子注入?yún)^(qū)； 在其中具有所述第二離子注入?yún)^(qū)的所述第一外延層上形成第二外延層； 在所述第二外延層中形成多個(gè)隔離區(qū)；通過向所述第二外延層注入第一導(dǎo)電型離子來形成第三阱；通過向所述第二外延層的一部分注入第二導(dǎo)電型離子來形成第二插塞， 其中所述第二插塞電連接至所述第二離子注入?yún)^(qū)；通過向所述第二離子注入?yún)^(qū)上的所述第三阱注入第二導(dǎo)電型離子來形 成第三離子注入?yún)^(qū)，以使所述第三離子注入?yún)^(qū)電連接至所述第二插塞；和在所述第三阱的一部分上形成第一導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)，并且所述第一導(dǎo) 電型離子注入?yún)^(qū)通過至少一個(gè)所述隔離區(qū)與所述第三離子注入?yún)^(qū)電斷開。
11. 如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述第一導(dǎo)電型離子是P型離子。
12. 如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述第一阱具有相同電勢。
13. 如權(quán)利要求IO所述的方法，其中所述第二導(dǎo)電型離子是N型離子。
14. 如權(quán)利要求13所述的方法，其中以高濃度注入所述第二導(dǎo)電型離子。
15. 如權(quán)利要求10所述的方法，還包括以下步驟 形成至少一個(gè)第一導(dǎo)電型阱；在所述第一導(dǎo)電型阱中形成第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)；和在形成所述第二外延層之后，形成與所述第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)電連接 的插塞。
16. 如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述第一導(dǎo)電型離子是P型離子。
17. 如權(quán)利要求15所述的方法，其中提供多個(gè)第一導(dǎo)電型阱，并且所 述第一導(dǎo)電型阱具有相同電勢。
18. 如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述第二導(dǎo)電型離子是N型離子。
19. 如權(quán)利要求18所述的方法，其中以高濃度注入所述第二導(dǎo)電型離子。
20. 如權(quán)利要求10所述的方法，其中形成所述第三阱的步驟還包括 在所述第二外延層中的預(yù)定插塞區(qū)域上形成掩模，并且通過使用所述掩模向 所述第二外延層注入所述第一導(dǎo)電型離子，以阻斷向所述預(yù)定插塞區(qū)域中的 注入。
全文摘要
本發(fā)明提供變?nèi)荻O管及其制造方法。即公開了變?nèi)荻O管和/或可變電容。所述變?nèi)荻O管和/或可變電容包括在襯底上垂直形成的多個(gè)第一導(dǎo)電型阱；在所述第一導(dǎo)電型阱中形成的多個(gè)第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)；與第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)電連接的至少一個(gè)第二導(dǎo)電型插塞；在最上方的第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)的兩側(cè)形成的隔離區(qū)；和第一導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)，其在最上方的第一導(dǎo)電型阱中，并且通過隔離區(qū)與所述最上方的第二導(dǎo)電型離子注入?yún)^(qū)電斷開。
文檔編號H01L29/93GK101211988SQ20071030531
公開日2008年7月2日 申請日期2007年12月26日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月27日
發(fā)明者秀 林 申請人:東部高科股份有限公司