專利名稱：等離子體增強(qiáng)型光伏電池的制作方法
等離子體增強(qiáng)型光伏電池
背景技術(shù)：
本發(fā)明涉及光伏電池。特別是，本發(fā)明涉及等離子體增強(qiáng)型光伏電池。
光伏技術(shù)盡力提供高效率但便宜的組件。常規(guī)的硅單元達(dá)到30 %的效率且持續(xù)25年以上，但是很昂貴，而有機(jī)光伏的問(wèn)題在于效 率低于10%且對(duì)氧敏感，這導(dǎo)致壽命低于5年。半導(dǎo)體中的缺陷捕獲 了降低效率的載流子，但制造高質(zhì)量的材料又很昂貴。
發(fā)明概述
本發(fā)明的各個(gè)方面由所附的權(quán)利要求書來(lái)限定。 根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種包括金屬表面的光伏器件，該金 屬表面限定了用于限制表面等離子體的多個(gè)空位，其中金屬表面覆蓋 有半導(dǎo)體以便在每個(gè)空位中的金屬表面和半導(dǎo)體之間的界面處形成
Schottky區(qū)域。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種制造光伏器件的方法，該方法 包括形成金屬表面以便限定用于限制表面等離子體的多個(gè)空位；并 用半導(dǎo)體覆蓋金屬表面以便在每個(gè)空位中的金屬表面和半導(dǎo)體之間 的界面處形成Schottky區(qū)域。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，將表面等離子體限制在空位內(nèi)在Schottky 區(qū)域中產(chǎn)生了高的光子密度，其增強(qiáng)了半導(dǎo)體中電子-空穴的產(chǎn)生以 及電子空穴的分離。因此，可以提供具有高效率的光伏器件。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，空位可以為大于50nm的大小。例如，空 位的最大尺寸(例如，大致球形空位的直徑或錐形空位的方形孔徑) 可以大于50nm。這種大小的空位比較小的空位(例如，l至5nm大 小)更容易再生產(chǎn)，使得制造工藝更可靠。這對(duì)于集成了大量空位的 器件來(lái)說(shuō)是顯著的優(yōu)點(diǎn)?？瘴豢梢允清F形凹坑。錐形凹坑的方形孔徑可以在400 - 2000nm 的范圍內(nèi)。更特別地，錐形凹坑的方形孔徑可以在400-700nm的范 圍內(nèi)。在可選實(shí)施例中，空位可以是大致球形的形狀。還可以看出， 空位可以包括部分被圍繞的其他類似于空位的形狀。
在半導(dǎo)體上可以提供歐姆頂部接觸?？蛇x地，在半導(dǎo)體上可以提 供Schottky頂部接觸。
半導(dǎo)體可以包括n型半導(dǎo)體，例如n型摻雜的CdTe、 ZnO或 PbTe。半導(dǎo)體可以包括p型半導(dǎo)體，例如GaAs或InAs。半導(dǎo)體還 可以包括這些材料的合金或異質(zhì)結(jié)構(gòu)。
可以通過(guò)襯底上的薄膜金屬層來(lái)限定金屬表面。金屬表面可以淀 積在襯底上。襯底可以提供有與空位相應(yīng)的圖形，從而使淀積的金屬 形成限定了空位的金屬表面。
可以選擇Schottky的耗盡長(zhǎng)度以與被共振調(diào)諧到半導(dǎo)體帶隙的 光的吸收長(zhǎng)度相匹配。耗盡長(zhǎng)度可以在100- 1000nm的范圍內(nèi)。耗盡 長(zhǎng)度可以在30 - 2000nm的范圍內(nèi)。
金屬表面可以彎折以形成多個(gè)相對(duì)面。至少一個(gè)面中所限定的空 位大于至少另 一個(gè)面中所限定的空位。在至少一個(gè)面中限定空位的金 屬表面可以覆蓋有不同于在至少另一個(gè)面中限定空位的金屬表面的 半導(dǎo)體。
在用半導(dǎo)體覆蓋金屬表面之前可以在金屬表面上形成多個(gè)量子點(diǎn)。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種包括上述類型的光伏器件的太 陽(yáng)能電池單元。
附圖簡(jiǎn)要描述
為了更好地理解本發(fā)明并示出如何有效地實(shí)施本發(fā)明，現(xiàn)在通過(guò) 參考附圖進(jìn)行說(shuō)明，其中
圖l示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的能帶圖2示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例錐形空位的波長(zhǎng)函數(shù)的反射圖3至5示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光伏器件的示例；圖6 (a)示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光伏器件，而圖6 (b)示 出了圖6 U)所示的實(shí)例器件的帶隙平面圖和等離子體模式重疊；
圖7 U) -7 (c)示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造方法的示例；
圖8示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例使用關(guān)于圖7 (c)所描述的方 法制造的空位示例。
詳細(xì)描述
本專利中太陽(yáng)能電池的新特征在于金屬空位結(jié)構(gòu)，其被埋置在半 導(dǎo)體中的活性吸收層和頂部接觸所覆蓋。摻雜的半導(dǎo)體和金屬之間的 界面形成高電場(chǎng)(Schottky)區(qū)域(

圖1)。但是通常，由于入射光 線和反射光線之間的干涉，金屬上方的該高電場(chǎng)區(qū)域內(nèi)將沒(méi)有光強(qiáng) 度。在我們的結(jié)構(gòu)中，納米結(jié)構(gòu)的等離子體(plasmon)結(jié)構(gòu)可以加 強(qiáng)金屬表面處的光強(qiáng)度，由此在電子和空穴最容易分離和傳輸?shù)浇佑| 中的位置處產(chǎn)生電子-空穴對(duì)。
與Gratzd電化學(xué)電池不同，這種器件不需要離子傳輸層，而使 用重?fù)诫s的生長(zhǎng)型半導(dǎo)體將電子傳輸?shù)巾敳拷佑|——由于在電池中 經(jīng)常出現(xiàn)問(wèn)題而導(dǎo)致離子傳輸層劣化，這可以提供更長(zhǎng)的壽命。由于 電子具有最好的遷移率，因此將半導(dǎo)體生長(zhǎng)為ii型，以便以最有效的 方式將電子進(jìn)一步傳輸?shù)巾敳拷佑|，并將空穴以盡可能最短的距離提 取出來(lái)。降至較小值的高電場(chǎng)上方區(qū)域的耗盡長(zhǎng)度取決于半導(dǎo)體的摻 雜水平，并且可以在100 - 1000nm的數(shù)量級(jí)。其被設(shè)計(jì)為與半導(dǎo)體內(nèi) 的共振調(diào)諧光(resonantly-tuned light)的吸收長(zhǎng)度相匹配，以便提 取出最大的能量。可以以各種方式生長(zhǎng)半導(dǎo)體。例如我們已經(jīng)利用電 化學(xué)淀積生長(zhǎng)了 ii型CdTe,其便宜且可以按比例增大——在半導(dǎo)體 工業(yè)上經(jīng)常使用大馬士革(Damascene) Cu工藝。類似地，我們已經(jīng) 電化學(xué)地生長(zhǎng)了 ZnO和PbTe半導(dǎo)體，它們具有不同的帶隙，由此可 以控制吸收何種顏色的光。在一些實(shí)施例中，耗盡長(zhǎng)度可以在30-2000nm的數(shù)量級(jí)。
金屬空位支持局部等離子體(我們之前已經(jīng)詳細(xì)描述并在[1-5] 上提出多篇論文)。本專利的創(chuàng)造性步驟在于利用局部化的等離子體在金屬表面附近的高電場(chǎng)區(qū)域中產(chǎn)生光場(chǎng)?？梢酝ㄟ^(guò)改變結(jié)構(gòu)性空位 的形狀和大小來(lái)調(diào)諧等離子體——我們已經(jīng)示出了球形空位和錐形
凹坑的結(jié)果。例如在錐形凹坑的情況下，將方形孔徑的大小從400nm
增大至700nm，調(diào)諧跨越整個(gè)可見(jiàn)光譜的模式(圖2)。在高電場(chǎng)
Schottky區(qū)域中的平均光強(qiáng)度是極為重要的。增強(qiáng)的光鐠類似于吸收
光譜并且表示通過(guò)等離子體增強(qiáng)了金屬表面附近的場(chǎng)。幾乎100%的
吸收是可能的，意味著對(duì)于太陽(yáng)能電池器件來(lái)說(shuō)，在生長(zhǎng)于空位內(nèi)的 半導(dǎo)體中可以獲得類似的吸收量級(jí)。
圖3中示出了金屬空位光伏電池的一個(gè)實(shí)例。我們從正視圖上 看，最初通過(guò)低成本的工藝對(duì)村底進(jìn)行構(gòu)圖，例如將凹坑巻到巻地壓 印到可以被固化的塑料中。然后例如通過(guò)無(wú)電化學(xué)淀積或真空濺射， 在凹坑中淀積薄的(例如，30nm)金屬膜(金屬應(yīng)當(dāng)是可以等離子體 活化的，因此Au、 Ag、 Cu是最好的例子)。將接觸制造于該層，在 電化學(xué)電池中使用該接觸以便將所選擇的摻雜的半導(dǎo)體淀積到100-1000nm厚度。最后，以為半導(dǎo)體提供歐姆接觸的方式添加頂部接觸 (例如還是通過(guò)電化學(xué)淀積)并處理它(例如通過(guò)退火步驟)。頂部 接觸可以非常薄(薄到使光通過(guò))，或者可以是透明的(例如，氧化 銦錫或類似物)或者可以將其構(gòu)圖為在凹坑中不存在該頂部接觸。在 一些實(shí)施例中，選擇的摻雜半導(dǎo)體被淀積到20 - 2000nm的厚度。
如之前所示等離子體具有相對(duì)寬的共振。這有助于對(duì)太陽(yáng)光譜提 供有效的匹配，而避免了在很多光伏電池中發(fā)現(xiàn)的問(wèn)題，即，吸收具 有遠(yuǎn)大于半導(dǎo)體帶隙的能量的光，該光的吸收僅產(chǎn)生了一部分光子能 量(帶隙以上的多余能量作為熱量被釋放出去)。通過(guò)彎折等離子體 空位的表面(例如，圖4)并使來(lái)自不同大小空位的相對(duì)面具有生長(zhǎng) 于頂部的不同半導(dǎo)體，光伏電池的各面有效地吸收或?qū)⑷魏挝幢晃?的顏色有效地反射到可以吸收它們的相對(duì)面上。這就可以利用適當(dāng)?shù)?母片壓印(master embosing )和成角度的淀積以相對(duì)低的成本制造這 種復(fù)合電池。
由于可以使用柔性塑料襯底(提供不太厚的半導(dǎo)體層)，因此以薄膜形式得到的電池可以共形地纏繞到任何物體或表面上。使用無(wú)機(jī)半導(dǎo)體的優(yōu)點(diǎn)在于其壽命大大超過(guò)任何有機(jī)半導(dǎo)體的壽命。但是有機(jī)物可能具有柔軟性和低成本生長(zhǎng)(例如，旋涂淀積)的其他優(yōu)點(diǎn)。
我們還可以設(shè)想通過(guò)在金屬空位表面附近的高電場(chǎng)區(qū)域中埋置
吸收性活性核素來(lái)增強(qiáng)性能。類似于Gr教tol電池在Ti02襯底上使用釕染料的想法，但是這些染料是昂貴的且它們的壽命不清楚。為了達(dá)到這個(gè)目的，我們可以使用半導(dǎo)體納米顆粒(稱為量子點(diǎn)，QD)，其可以用于在生長(zhǎng)頂部半導(dǎo)體層之前覆蓋金屬表面。不同尺寸的QD具有能夠容易調(diào)諧吸收光譜的不同帶隙(例如通過(guò)融合QD的混合物)。只要產(chǎn)生于量子點(diǎn)中的電子和空穴對(duì)位于器件的高電場(chǎng)區(qū)域中(圖5),那么產(chǎn)生于量子點(diǎn)中的電子和空穴對(duì)就可以快速隧穿出去(在它們能夠再結(jié)合之前)。由此容易將QD與不同的等離子體共振相匹配，從而提供電池的有效面?？雌饋?lái)QD具有長(zhǎng)壽命，且可以獨(dú)立地被優(yōu)化到電子傳輸半導(dǎo)體層的性能。必須使用足夠的QD厚度以提供強(qiáng)吸收，而通過(guò)等離子體空位的光場(chǎng)分布可以起到輔助作用。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，與Schottky區(qū)域相關(guān)的DC表面場(chǎng)在強(qiáng)度上可以小于10 111_1且在尺寸上大于100nm?？梢愿鶕?jù)半導(dǎo)體的類型和摻雜水平來(lái)選擇場(chǎng)強(qiáng)和場(chǎng)的范圍。
圖6 (a)示出了具有大致球形的空位的光伏器件。圖6(b)示意性地示出了圖6(a)中用于所示的實(shí)施例器件的帶隙平面圖和等離子體的模式重疊。在一些實(shí)施例中(例如圖6(a)所示)，空位可以大致包括被截去的球形半球以允許光自由進(jìn)入。
如在此所述，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所提供的空位的大小可以被改變以便調(diào)諧可以在此限制的等離子體的模式。因此，可以選擇該模式以便與Schottky區(qū)域內(nèi)的電子-空穴對(duì)的激發(fā)能量相對(duì)應(yīng)。在圖6 (a)所示的示例中，空位具有250nm的半徑。
如在此所述，限制等離子體增強(qiáng)了每個(gè)空位內(nèi)覆蓋金屬表面的半導(dǎo)體附近的光場(chǎng)。因此，增大了半導(dǎo)體內(nèi)的吸收強(qiáng)度。進(jìn)而，這意味著可以使用相對(duì)薄的半導(dǎo)體層。由于半導(dǎo)體層薄，因此Schottky區(qū)域
10中產(chǎn)生的空穴在接近于金屬表面的區(qū)域產(chǎn)生。這可以有效地收集并取出空穴。由于空穴傳輸是已知的光伏器件中的關(guān)鍵問(wèn)題，因此這種方式明顯有益。
圖7示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造方法的多個(gè)示例。每個(gè)示例都可以控制空位的深度、橫向尺寸、間距和金屬成分。
在圖7(a)中，在襯底12上排列多個(gè)球10,例如橡膠(latex)球，以形成與光伏器件中的期望的空位陣列相對(duì)應(yīng)的陣列。球的尺寸可以根據(jù)所要制造的空位尺寸來(lái)選擇。例如，球可以具有50 - 5000nm范圍內(nèi)的直徑。
然后在球周圍淀積金屬(例如使用電化學(xué)淀積)，并隨后去除該球(例如，溶解)以露出形成多個(gè)空位的金屬表面。然后用半導(dǎo)體覆蓋金屬表面并提供頂部接觸。所淀積的金屬量可以根據(jù)所要制造的空位的深度來(lái)選擇。
在圖7 (b)所示的實(shí)施例中，使用通過(guò)氫氧化鉀(KOH)各向異性蝕刻硅上的小孔來(lái)制造具有原子量級(jí)(atomically)光滑的陡峭側(cè)壁的空位。然后利用合適的金屬濺射覆蓋側(cè)壁。
圖7 (c)所示的示例性制造方法包括沖壓和壓印柔性膜。使用聚二甲基硅氧烷(PDMS)的試驗(yàn)證明制造出了包括適合于支持等離子體的金屬覆蓋的空位的良好村底。圖8示出了壓印了 Au涂層的半球空位的PDMS示例。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可以為太陽(yáng)光譜內(nèi)的高效工作而特地調(diào)諧光伏器件。雖然利用限制空位的等離子體可以制造在特定波長(zhǎng)非常高效的器件，對(duì)于局部等離子體共振以外的波長(zhǎng)來(lái)說(shuō)，器件的表面通常是反射性的。因此，與空位內(nèi)的等離子體共振不相對(duì)應(yīng)的入射光不會(huì)對(duì)作為光伏電池的器件的性能起作用。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，光伏器件中的金屬表面被彎折以形成多個(gè)相對(duì)面。在圖4中披露了這種示例。如在此所述，相對(duì)面中的空位可以被調(diào)諧以接收不同波長(zhǎng)的光。在一個(gè)實(shí)施例中，第一組面中的空位可以被調(diào)諧為吸收笫 一 波長(zhǎng)的光語(yǔ)并反射第二波長(zhǎng)的光譜。第二組面中的空位(其面對(duì)第一組面)可以被調(diào)諧為吸收第二波長(zhǎng)的光傳并反
射第一波長(zhǎng)的光謙。如此，每組面可以共同工作以吸收被另一組面反
射的光，由此改進(jìn)了器件的整體效率。
因此，已經(jīng)描述了光伏器件和制造光伏器件的方法。該器件包括
限定了用于限制表面等離子體的多個(gè)空位的金屬表面。金屬表面覆蓋有半導(dǎo)體以便在每個(gè)空位內(nèi)的金屬表面與半導(dǎo)體之間的界面處形成
Schottky區(qū)域。
參考文獻(xiàn)
在此引入以下文獻(xiàn)作為參考。 "Confined PIasmons in Metallic Nanocavities", S. Coyle, M.C. Netti, J.J.Baumberg, M,A Ghanem, P,R. Biricin， P,N. Bart!ett, D.M. Whittaker, Phys.Rev. Lett. 87, 176801 (2001) "Compact Strain- Sensitive Flexible Photonic Crystals for Sensors", Otto L丄Pursianinen， Jeremy J. Baumberg, Kevin Ryan, Holger Winkler, BenjaminViel and Tilmann Ruhl, Appl. Phys. Lett. 87， 101902 (2005) "Tunable Resonant Optical MicroCavities by Templated Self-Assembly", GVPrakash, L Besombles, Baumberg, M Abdelsalatn, PN Bartlett, Opt丄ett 29,1500 (2004). "Tuning localized plasmons in nanostructured substrates for surface-enhancedRaman scattering", Nicholas M.B. Perney, Jeremy J. Baumberg, Majd E.Zoorob, Martin D. B. Charlton, Sven Mahnkopf, Caterina M. Netti， OpticsExpress, 14, 847(2006) "Plasmonic bandgaps and Trapped Plasmons on Nanostructured MetalSurfaces", T.A. Keif, Y. Sugawara^ J,J. Baumberg, M. Abdelsalam and P.N.Bartlett, Phys Rev. Lett. 95 116802 (2005)
權(quán)利要求
1. 一種光伏器件，包括限定了多個(gè)空位的金屬表面，所述空位用于限制表面等離子體，其中金屬表面覆蓋有半導(dǎo)體以便在每個(gè)空位內(nèi)的金屬表面和半導(dǎo)體之間的界面處形成Schottky區(qū)域。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的光伏器件，其中空位包括錐形凹坑。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2的光伏器件，其中錐形凹坑的方形孔徑在400 一 2000nm的范圍內(nèi)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3的光伏器件，其中錐形凹坑的方形孔徑在400 - 700nm的范圍內(nèi)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1的光伏器件，其中空位的形狀基本為球形。
6. 根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的光伏器件，包括半導(dǎo)體上的歐姆 頂部接觸。
7. 根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的光伏器件，其中半導(dǎo)體是n型半導(dǎo)體。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7的光伏器件，其中半導(dǎo)體包括CdTe、 ZnO 或PbTe。
9. 根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的光伏器件，其中半導(dǎo)體是p型半導(dǎo)體。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9的光伏器件，其中半導(dǎo)體包括GaAs或InAs。
11. 根據(jù)權(quán)利要求7至10任一項(xiàng)的光伏器件，其中半導(dǎo)體包括 合金或異質(zhì)結(jié)構(gòu)。
12. 根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的光伏器件，其中金屬表面通過(guò)襯 底上的薄膜金屬層來(lái)限定。
13. 根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的光伏器件，其中Schottky區(qū)域 的耗盡長(zhǎng)度與被共振調(diào)諧到半導(dǎo)體帶隙的光的吸收長(zhǎng)度相匹配。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13的光伏器件，其中耗盡長(zhǎng)度在100 - 1000n 的范圍內(nèi)。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13的光伏器件，去中耗盡長(zhǎng)度在30- 2000nm 的范圍內(nèi)。
16. 根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的光伏器件，其中金屬表面被彎折 以形成多個(gè)相對(duì)面。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16的光伏器件，其中至少一個(gè)所述面中限定 的空位大于至少另一個(gè)面中限定的空位。
18. 根據(jù)權(quán)利要求16或17的光伏器件，其中在至少其中一個(gè)所 述面中限定了空位的金屬表面覆蓋有與在至少另 一個(gè)所述面中限定 了空位的金屬表面不同的半導(dǎo)體。
19. 根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的光伏器件，包括金屬表面上的多 個(gè)量子點(diǎn)。
20. —種太陽(yáng)能電池，包括前述權(quán)利要求任一項(xiàng)中的光伏器件。
21. —種制造光伏器件的方法，該方法包括 形成金屬表面，以限定用于限制表面等離子體的多個(gè)空位；并且 用半導(dǎo)體覆蓋金屬表面，以在每個(gè)空位內(nèi)的金屬表面和半導(dǎo)體之間的界面處形成Schottky區(qū)域。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21的方法，其中形成金屬表面以限定多個(gè)空 位包括形成多個(gè)錐形凹坑。
23.根據(jù)權(quán)利要求22的方法，其中錐形凹坑的方形孔徑在400-2000nm的范圍內(nèi)。
24. 根據(jù)權(quán)利要求23的光伏器件，其中錐形凹坑的方形孔徑在 400 - 700nm的范圍內(nèi)。
25. 根據(jù)21至24任一項(xiàng)的方法，包括在半導(dǎo)體上形成歐姆頂部接觸。
26.根據(jù)21至25任一項(xiàng)的方法，包括通過(guò)在已構(gòu)圖的襯底上淀 積金屬來(lái)形成金屬表面，其中該構(gòu)圖限定了所述空位。
27.根據(jù)權(quán)利要求21至26任一項(xiàng)的方法，包括選擇Schottky
28.根據(jù)權(quán)利要求21至27任一項(xiàng)的方法，形成彎折的金屬表面 以形成多個(gè)相對(duì)面。
29. 根據(jù)權(quán)利要求28的方法，包括形成金屬表面以使至少一個(gè) 所述面中限定的空位大于至少另 一個(gè)面中限定的空位。
30. 根據(jù)權(quán)利要求28或29的方法，包括利用與在至少另一個(gè)所 述面中限定了空位的金屬表面不同的半導(dǎo)體，來(lái)覆蓋在至少一個(gè)所述 面中限定了空位的金屬表面。
31. 根據(jù)權(quán)利要求21至30任一項(xiàng)的方法，包括在利用半導(dǎo)體覆 蓋金屬表面之前在金屬表面上形成多個(gè)量子點(diǎn)。
全文摘要
光伏器件和制造光伏器件的方法。該器件包括限定了用于限制表面等離子體的多個(gè)空位的金屬表面。金屬表面覆蓋有半導(dǎo)體以便在每個(gè)空位內(nèi)的金屬表面和半導(dǎo)體之間的界面處形成Schottky區(qū)域。
文檔編號(hào)H01L31/07GK101506997SQ200780031794
公開(kāi)日2009年8月12日 申請(qǐng)日期2007年7月23日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月27日
發(fā)明者J·J·邦勃格, M·阿布戴爾薩拉姆, P·N·巴特萊特 申請(qǐng)人:南安普敦大學(xué)