專(zhuān)利名稱(chēng)：形成半導(dǎo)體器件微圖案的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及形成半導(dǎo)體器件微圖案的方法，更具體涉及形成如應(yīng)用于 形成DRAM位線接觸孔的微圖案的方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體器件集成度的增加，最小線寬逐漸縮小。為了實(shí)現(xiàn)由于器 件集成度更高而導(dǎo)致的期望微線寬，釆用了幾種工藝方法。然而，使用間隔物形成的微圖案僅僅可應(yīng)用于線和間隔圖案。具體地， 所述微圖案可用于單元柵極區(qū)圖案具有非常簡(jiǎn)單圖案的情況下，例如 NAND快閃存儲(chǔ)器件或具有優(yōu)異規(guī)則性的二維陣列。如果使用雙曝光和蝕 刻技術(shù)(DEET)方法，可形成DRAM的位線接觸孔圖案，但是臨界尺寸 (CD)由于覆蓋問(wèn)題而變得不規(guī)則。另外，由于必須兩次實(shí)施掩模形成過(guò) 程，所以增加了制造成本。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明涉及通過(guò)形成具有第一接觸孔的第一輔助圖案來(lái)形成具有目標(biāo) CD的微圖案，其中所述第一接觸孔在形成四邊形的四個(gè)相鄰絕緣圖案的 中心處和具有與絕緣圖案相同的形狀，并且本發(fā)明也可應(yīng)用于DRAM位 線接觸孔形成過(guò)程。根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方案的半導(dǎo)體器件微圖案的形成方法，在半導(dǎo)體 襯底上形成蝕刻目標(biāo)層、第一硬掩模層和菱形絕緣圖案。在包括絕緣圖案 的第一硬掩模層上形成第一輔助圖案，其中在形成四邊形的四個(gè)相鄰絕緣 圖案的中心處形成具有與絕緣圖案相同形狀的接觸孔。通過(guò)蝕刻第一輔助 圖案形成第二輔助圖案使得暴露出絕緣圖案的頂表面。除去暴露的絕緣圖案。通過(guò)利用以第二輔助圖案作為蝕刻掩模的蝕刻過(guò)程來(lái)蝕刻第 一硬掩模 層來(lái)形成第一硬掩模圖案。利用第一硬掩模圖案蝕刻蝕刻目標(biāo)層。
所述蝕刻目標(biāo)層可以具有導(dǎo)電層和絕緣層的堆疊結(jié)構(gòu)。第一硬掩模層
可以具有非晶碳層和SiON層的堆疊結(jié)構(gòu)。絕緣圖案可由氧化物制成。
第一輔助圖案由碳層或多晶硅層形成。第一輔助圖案具有不同于絕緣 圖案的蝕刻選擇性。第一輔助圖案可以形成至一定的厚度，使得在絕緣圖 案的端部的側(cè)壁上形成的第一輔助圖案與在相鄰絕緣圖案的端部的側(cè)壁 上形成的第一輔助圖案相接觸。在接觸孔的周邊區(qū)域中形成的第一輔助圖 案可以相對(duì)于在絕緣圖案上形成的第一輔助圖案具有臺(tái)階。在接觸孔的周 邊區(qū)域中形成的第一輔助圖案的高度可低于在絕緣圖案上形成的第一輔 助圖案。可以在第一輔助圖案上進(jìn)一步形成第二硬^^模層，使得在形成第 一輔助圖案之后填隙接觸孑L之間的間隔。第二硬掩模層可以由導(dǎo)電材料或 絕緣材料制成。第二硬掩模層可以由包含硅(Si)的有機(jī)底部抗反射涂層 (OBARC )材料或旋涂玻璃(SOG)材料制成。當(dāng)使用SOG材料時(shí)在沉 積過(guò)程之后進(jìn)一步實(shí)施烘焙過(guò)程。第二硬掩模層可以具有不同于第一輔助 圖案的蝕刻選擇性。在第二硬掩模層形成之后，可進(jìn)一步除去第二硬掩模 層直至暴露出第 一輔助圖案的頂表面。
利用回蝕刻過(guò)程蝕刻第一輔助圖案。在形成在絕緣圖案上的第一輔助 圖案的蝕刻過(guò)程中，也可以部分除去在接觸孔的周邊區(qū)域中形成的第一輔 助圖案的頂表面。在絕緣圖案的除去過(guò)程中，還除去殘留的第二硬掩模層。 在接觸孔的周邊區(qū)域中形成的第二輔助圖案可以相對(duì)于在絕緣圖案的周 邊區(qū)域中形成的第二輔助圖案具有臺(tái)階。在接觸孔的周邊區(qū)域中形成的第 二輔助圖案的高度低于在絕緣圖案上形成的第二輔助圖案。
根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方案的半導(dǎo)體器件微圖案的形成方法，在半導(dǎo)體 襯底上形成蝕刻目標(biāo)層、第一硬掩模層和菱形絕緣圖案。在包括絕緣圖案 的第一硬掩模層上形成第一輔助圖案，其中在形成四邊形的四個(gè)相鄰絕緣 圖案的中心處形成具有與絕緣圖案相同形狀的接觸孔。在第一輔助圖案之 間形成第二硬掩模層。通過(guò)蝕刻第一輔助圖案形成第二輔助圖案，使得絕 緣圖案的頂表面暴露。除去暴露的絕緣圖案和第二硬掩模。通過(guò)利用以第 二輔助圖案作為蝕刻掩模的蝕刻過(guò)程來(lái)蝕刻第 一硬掩模層以形成第 一硬 掩模圖案。利用第一硬4^模圖案蝕刻蝕刻目標(biāo)層。所述蝕刻目標(biāo)層可以具有導(dǎo)電層和絕緣層的堆疊結(jié)構(gòu)。第一硬掩模層層可以具有非晶碳層和SiON層的堆疊結(jié)構(gòu)。絕緣圖案可由氧化物制成。第一輔助圖案可以由碳層或多晶硅層形成。第一輔助圖案可具有不同 于絕緣圖案的蝕刻選擇性。第一輔助圖案可以形成至一定的厚度，使得在 絕緣圖案的端部的側(cè)壁上形成的第一輔助圖案與在相鄰絕緣圖案的端部 的側(cè)壁上形成的第一輔助圖案相接觸。在接觸孔的周邊區(qū)域中形成的第一 輔助圖案相對(duì)于在絕緣圖案上形成的第一輔助圖案具有臺(tái)階。在接觸孔的 周邊區(qū)域中形成的第一輔助圖案的高度低于在絕緣圖案上形成的第一輔 助圖案。第二硬掩模層可以由導(dǎo)電材料或絕緣材料制成。第二硬掩模層可以由 包含珪(Si)的OBARC材料或SOG材料制成。當(dāng)使用SOG材料時(shí)，在 沉積過(guò)程之后可以進(jìn)一步實(shí)施烘焙過(guò)程。第二硬掩模層可具有不同于第一 輔助圖案的蝕刻選擇性?？梢岳没匚g刻過(guò)程蝕刻第一輔助圖案。在形成在絕緣圖案上的第一 輔助圖案的蝕刻過(guò)程中，也可以部分除去在接觸孔的周邊區(qū)域中形成的第 一輔助圖案的頂表面。在接觸孔的周邊區(qū)域形成的第二輔助圖案相對(duì)于在 絕緣圖案的周邊區(qū)域中形成的第二輔助圖案具有臺(tái)階。在接觸孔的周邊區(qū)域中形成的第二輔助圖案的高度低于在絕緣圖案周邊區(qū)域中形成的第二 輔助圖案。


圖1A至1H為圖示說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的 一個(gè)實(shí)施方案的形成半導(dǎo)體器件 微圖案的方法的平面圖。圖2A至2H為沿著圖1A至1H的線A-A的器件的截面圖。圖3A至3H為沿著圖1A至1H的線B-B的器件的截面圖。
具體實(shí)施方式
將參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施方案。圖1A至1H為圖示說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的形成半導(dǎo)體器件微圖 案的方法的平面圖。圖2A至2H為沿著圖1A至1H的線A-A的器件的截 面圖。圖3A至3H為沿著圖1A至1H的線B-B的器件的截面圖。為了簡(jiǎn)單起見(jiàn)，僅僅說(shuō)明在單元區(qū)域中的工藝步驟。參照?qǐng)D1A、 2A和3A，在半導(dǎo)體襯底100上順序形成蝕刻目標(biāo)層102、 第一硬掩模層104和絕緣層106。蝕刻目標(biāo)層102可以具有包括導(dǎo)電層和 絕緣層的堆疊結(jié)構(gòu)，以形成位線接觸孔。第一硬掩模層104可以具有包括 非晶碳層104a和氧氮化硅(SiON)層104b的堆疊結(jié)構(gòu)。絕緣層106可由 氧化物形成。因?yàn)檠趸锸峭该鞯?，因此利用氧化物作為絕緣層106，這 使得可以在后續(xù)光刻膠圖案形成過(guò)程中進(jìn)行晶片對(duì)準(zhǔn)，并且因此不需要實(shí) 施另外的過(guò)程用于對(duì)準(zhǔn)晶片。在絕緣層106上形成光刻膠圖案108。在現(xiàn)有技術(shù)中，在后續(xù)過(guò)程中 形成光刻膠圖案108，使得將要形成位線接觸孔的區(qū)域被打開(kāi)。然而，在 本發(fā)明中，利用后續(xù)過(guò)程僅^ME將要形成位線接觸孔的區(qū)域中形成光刻膠 圖案108。另外，與現(xiàn)有的四邊形形狀不同，每一個(gè)光刻膠圖案108具有 菱形形狀(或鉆石形狀)。參照?qǐng)D1B、 2B和3B，通過(guò)利用光刻膠圖案108作為蝕刻掩模蝕刻絕 緣層106來(lái)形成絕緣圖案106a。然后除去光刻膠圖案108。每一個(gè)絕緣圖 案106a具有菱形形狀，其和光刻膠圖案108的形糾目同。參照?qǐng)D1C、 2C和3C，在第一硬掩模層104和絕緣圖案106a的頂表 面上形成第一輔助圖案110。第一輔助圖案110可以由碳層或多晶硅層形 成。使用碳層或多晶硅層作為第一輔助圖案110，這是因?yàn)檫@些層具有與 絕緣圖案106a不同的蝕刻選擇性。這意味著可除去絕緣圖案106a同時(shí)防 止第一輔助圖案110在后續(xù)蝕刻過(guò)程中受損。為此，第一輔助圖案110可 以由與絕緣圖案106a具有不同蝕刻選擇性的材料制成。如果在具有菱形形狀的絕緣圖案106a的端部的側(cè)壁上形成的第一輔 助圖案110形成至一定厚度，使得其與在相鄰絕緣圖案106a的端部的側(cè)壁 上形成的第一輔助圖案110相接觸(用"a"表示)。在形成四邊形的四個(gè) 相鄰絕緣圖案106a的中心處形成具有第 一接觸孔112的第 一輔助圖案110 ， 所述第一接觸孔112具有與絕緣圖案106a相同的形狀，如圖1C所示。第 一接觸孔112是在后續(xù)過(guò)程中形成位線接觸孔的區(qū)域。在第一接觸孔112 的形成過(guò)程中，在第一接觸孔112的周邊區(qū)域中形成的第一輔助圖案110 的高度比在絕緣圖案106a上形成的第一輔助圖案110低臺(tái)階b。參照?qǐng)D1D、 2D和3D,在第一接觸孔112的周邊區(qū)域中形成的第一輔助圖案110、形成在絕緣圖案106a上的第一輔助圖案110和氧氮化珪 (SiON)層104b上形成第二硬掩模層114，從而填隙第一接觸孔112。第 二硬掩模層114可以由導(dǎo)電材料或絕緣材料制成，例如具有良好填隙特性 的旋涂玻璃(SOG)材料或包含硅(Si)的有機(jī)底部抗反射涂層(OBARC ) 材料。SOG材料含有雜質(zhì)和水分并因此必須在沉積過(guò)程之后經(jīng)歷烘焙過(guò)程 以除去它們。第二硬掩模層114可以具有不同于第一輔助圖案110的蝕刻 選擇性。形成第二硬掩模層U4,使得它可以防止在第一輔助圖案110的后續(xù)蝕 刻過(guò)程中，對(duì)由于第一接觸孔112而暴露的氧氮化珪(SiON)層104b的 損傷。然而，為了減少工藝步驟，可省略第二硬掩模層114。在省略第二 硬掩模層114的形成過(guò)程的情況下，在第一輔助圖案110的后續(xù)蝕刻過(guò)程 中由于第一接觸孔112而暴露的氧氮化珪(SiON)層104b可部分受損， 但是將不影響后續(xù)過(guò)程。另夕卜，在除去絕緣圖案106a的后續(xù)過(guò)程中，為了 防止所暴露的氧氮化硅(SiON)層104b過(guò)度受損，氧氮化硅(SiON)層 104b可具有不同于絕緣圖案106a的氧化物的蝕刻選擇性。參照?qǐng)D1E、 2E和3E，利用蝕刻過(guò)程蝕刻第二硬掩模層114，直至暴 露出第一輔助圖案110的頂表面。利用蝕刻過(guò)程暴露第一輔助圖案110, 直至暴露出絕緣圖案106a的頂表面，由此形成第二輔助圖案110a。利用 回蝕刻工藝實(shí)施蝕刻過(guò)程。在第二輔助圖案110a的形成過(guò)程中，部分除去 在第一接觸孔112的周邊區(qū)域中形成的第二輔助圖案110a的頂表面，這樣 第二輔助圖案110a相對(duì)于殘留的第二硬4^模層114具有臺(tái)階c。參照?qǐng)D1F、 2F和3F，通過(guò)除去在第二輔助圖案110a的形成過(guò)程中暴 露的絕緣圖案106a和殘留的第二硬掩模層114，在第二輔助圖案110a之 間形成第二接觸孔116。第二接觸孔116是在后續(xù)過(guò)程中形成位線接觸孔 的區(qū)域。在絕緣圖案106a和殘留第二硬掩模層114的除去過(guò)程中，絕緣圖 案106a和殘留第二硬掩模層114具有與第二輔助圖案110a不同的蝕刻選 擇性，從而可除去第二輔助圖案110a而不受損傷。參照?qǐng)D1G、 2G和3G，通過(guò)利用以第二輔助圖案110a作為蝕刻掩模 蝕刻第一硬掩模層104形成具有期望的線和間隔的第一硬掩模圖案104c。 可采用干蝕刻過(guò)程除去第一硬掩模層104。然后除去第二輔助圖案110a,參照?qǐng)D1H、 2H和3H，通過(guò)利用具有期望的線和間隔的第一硬掩模圖案104c作為蝕刻掩模蝕刻蝕刻目標(biāo)層102來(lái)形成目標(biāo)圖案102a。蝕刻目 標(biāo)層102由沉積以形成位線接觸孔的材料所形成。因此，可通過(guò)利用蝕刻 過(guò)程形成目標(biāo)圖案102a來(lái)形成位線接觸孔。然后除去第一硬掩模圖案 104c。
如上所述，在形成四邊形的四個(gè)相鄰絕緣圖案的中心處形成具有與絕 緣圖案相同形狀的第一接觸孔的第一輔助圖案。因此，可形成具有目標(biāo)CD 的微圖案，并且本發(fā)明也可應(yīng)用于DRAM位線接觸孔形成過(guò)程。
另外，可形成具有比現(xiàn)有曝光設(shè)備的分辨率更高分辨率的微圖案，并 且該微圖案可應(yīng)用于DRAM位線接觸孔形成過(guò)程。因此，可克服膝光i殳 備的分辨率限制。
另外，可利用現(xiàn)有啄光設(shè)備形成微圖案而不必開(kāi)發(fā)具有提高的分辨能 力的新曝光設(shè)備。
另外，通過(guò)省略第二硬^^模層的形成過(guò)程可減少工藝步驟。
附帶地，由于減少了工藝步驟，可降低制造成本。
本發(fā)明不限于公開(kāi)的實(shí)施方案，而是可以采用各種形式實(shí)施。提供實(shí) 施方案以完成本發(fā)明的公開(kāi)并允許本領(lǐng)域技術(shù)人員理解本發(fā)明的范圍。本 發(fā)明由權(quán)利要求的范疇所限定。
權(quán)利要求
1.一種形成半導(dǎo)體器件微圖案的方法，所述方法包括在半導(dǎo)體襯底上形成蝕刻目標(biāo)層、第一硬掩模層和具有菱形形狀的絕緣圖案；在包括所述絕緣圖案的所述第一硬掩模層上形成第一輔助圖案，其中在形成四邊形的四個(gè)相鄰絕緣圖案的中間形成具有與所述絕緣圖案基本相同形狀的接觸孔；通過(guò)蝕刻所述第一輔助圖案形成第二輔助圖案，使得暴露出所述絕緣圖案的頂表面；除去所述暴露的絕緣圖案；通過(guò)利用所述第二輔助圖案作為蝕刻掩模的蝕刻過(guò)程蝕刻所述第一硬掩模層來(lái)形成第一硬掩模圖案；利用所述第一硬掩模圖案蝕刻所述蝕刻目標(biāo)層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述蝕刻目標(biāo)層具有包括導(dǎo)電層和 絕緣層的堆疊結(jié)構(gòu)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一硬掩模層具有包括非晶碳 層和SiON層的堆疊結(jié)構(gòu)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述絕緣圖案由氧化物制成。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一輔助圖案由碳層或多晶硅 層形成。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一輔助圖案具有不同于所述 絕緣圖案的蝕刻選擇性。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一輔助圖案形成一定厚度, 使得在所述絕緣圖案的端部的側(cè)壁上形成的第一輔助圖案與在相鄰絕緣 圖案的端部的側(cè)壁上形成的第一輔助圖案相接觸。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述接觸孔的周邊區(qū)域中形成的 第 一輔助圖案相對(duì)于在所述絕緣圖案上形成的第 一輔助圖案具有臺(tái)階。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述接觸孔的周邊區(qū)域中形成的第 一輔助圖案的高度低于在所述絕緣圖案上形成的第 一輔助圖案。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在所述第一輔助圖案上形成第二硬掩模層，使得在形成所述第一輔助圖案之后填隙所述接觸孔之間的間 隔。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述第二硬掩模層由導(dǎo)電材料或絕緣材料制成。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述第二硬掩模層由包含硅(Si) 的有機(jī)底部抗反射涂層(OBARC)材料或旋涂玻璃(SOG)材料制成。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括當(dāng)使用所述SOG材料時(shí)在沉 積過(guò)程之后實(shí)施烘焙過(guò)程。
14. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述第二硬掩模層具有不同于所 述第一輔助圖案的蝕刻選擇性。
15. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括在所述第二硬掩模層形成之后， 除去所述第二硬掩模層直至暴露出所述第一輔助圖案的頂表面。
16. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中利用回蝕刻過(guò)程蝕刻所述第一輔助 圖案。
17. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在形成于所述絕緣圖案上的所述第 一輔助圖案的蝕刻過(guò)程中，部分除去在所述接觸孔的周邊區(qū)域中形成的第 一輔助圖案的頂表面。
18. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中在所述絕緣圖案的除去過(guò)程時(shí)， 除去殘留的所述第二硬掩模層。
19. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述接觸孔的周邊區(qū)域中形成的 第二輔助圖案相對(duì)于在所述絕緣圖案的周邊區(qū)域中形成的第二輔助圖案 具有臺(tái)階。
20. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述接觸孔的周邊區(qū)域中形成的 第二輔助圖案的高度低于在所述絕緣圖案的周邊區(qū)域中形成的第二輔助 圖案。
21. —種形成半導(dǎo)體器件微圖案的方法，所述方法包括 在半導(dǎo)體村底上形成蝕刻目標(biāo)層、第一硬掩模層和具有鉆石形狀的l案；在包括所述絕緣圖案的所述第一硬掩模層上形成第一輔助圖案，其 中在限定四邊形的四個(gè)相鄰絕緣圖案的中間形成具有與所述絕緣圖案相 同形狀的接觸孔；在所述第 一輔助圖案之間形成第二硬掩模層；通過(guò)蝕刻所述第一輔助圖案形成第二輔助圖案，使得暴露出所述絕 緣圖案的頂表面；除去所述暴露的絕緣圖案和所述第二硬掩模；通過(guò)利用所述第二輔助圖案作為蝕刻掩模的蝕刻過(guò)程蝕刻所述第一 硬^^模層來(lái)形成第一^t掩模圖案；利用所述第一硬掩模圖案蝕刻所述蝕刻目標(biāo)層。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述蝕刻目標(biāo)層具有包括導(dǎo)電層 和絕緣層的堆疊結(jié)構(gòu)。
23. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法， 碳層和SiON層的堆疊結(jié)構(gòu)。
24. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，
25. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法， 珪層形成。
26. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法 述絕緣圖案的蝕刻選擇性。
27. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述第一輔助圖案形成一定厚度， 使得在所述絕緣圖案的端部的側(cè)壁上形成的第一輔助圖案與在相鄰絕緣 圖案的端部的側(cè)壁上形成的第一輔助圖案相接觸。
28. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中在所述接觸孔的周邊區(qū)域中形成 的第 一輔助圖案相對(duì)于在所述絕緣圖案上形成的第 一輔助圖案具有臺(tái)階。
29. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中在所述接觸孔的周邊區(qū)域形成的 第 一輔助圖案的高度低于在所述絕緣圖案上形成的第 一輔助圖案。
30. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述第二硬掩模層由導(dǎo)電材料或其中所述第 一硬掩模層具有包括非晶其中所述絕緣圖案由氧化物制成。 其中所述第 一輔助圖案由碳層或多晶其中所述第 一輔助圖案具有不同于所絕緣材料制成。
31. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述第二硬掩模層由包含硅(Si) 的OBARC材料或SOG材料制成。
32. 根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，還包括當(dāng)使用SOG材料時(shí)在沉積過(guò) 程之后實(shí)施烘焙過(guò)程。
33. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述第二硬掩模層具有不同于所 述第一輔助圖案的蝕刻選擇性。
34. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中利用回蝕刻過(guò)程蝕刻所述第一輔 助圖案。
35. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中在形成于所述絕緣圖案上的所述 第一輔助圖案的蝕刻過(guò)程中，部分除去在所述接觸孔的周邊區(qū)域中形成的 第一輔助圖案的頂表面。
36. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中在所述接觸孔的周邊區(qū)域形成的 第二輔助圖案相對(duì)于在所述絕緣圖案的周邊區(qū)域中形成的第二輔助圖案 具有臺(tái)階。
37. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中在所述接觸孔的周邊區(qū)域形成的 第二輔助圖案的高度低于在所述絕緣圖案的周邊區(qū)域中形成的第二輔助 圖案。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件微圖案形成的方法。在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的方法中，在半導(dǎo)體襯底上形成蝕刻目標(biāo)層、第一硬掩模層和菱形絕緣圖案。在包括絕緣圖案的第一硬掩模層上形成第一輔助圖案，其中在形成四邊形的四個(gè)相鄰絕緣圖案的中心處形成具有與所述絕緣圖案相同形狀的接觸孔。通過(guò)蝕刻第一輔助圖案形成第二輔助圖案從而暴露出絕緣圖案的頂表面。除去所述暴露的絕緣圖案。通過(guò)利用第二輔助圖案作為蝕刻掩模的蝕刻過(guò)程來(lái)蝕刻所述第一硬掩模層以形成第一硬掩模圖案。利用所述第一硬掩模圖案蝕刻所述蝕刻目標(biāo)層。
文檔編號(hào)H01L21/02GK101303972SQ20081000275
公開(kāi)日2008年11月12日 申請(qǐng)日期2008年1月16日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月11日
發(fā)明者鄭宇榮 申請(qǐng)人:海力士半導(dǎo)體有限公司