高頻元器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明能利用LC諧振電路的電感器實現(xiàn)較大的電感，并在不增加層疊體高度的情況下改善LC諧振電路的Q值。高頻元器件(11)構(gòu)成有具有第1端(SA)和第2端(SB)的橫向電感器(14A、14B)，并構(gòu)成有在與橫向電感器(14A、14B)的第1端(SA)相連接的平面導(dǎo)體和與橫向電感器(14A、14B)的第2端(SB)相連接的平面導(dǎo)體之間夾設(shè)絕緣層而構(gòu)成的電容器(15A、15B)，橫向電感器(14A、14B)呈卷繞至少多于一匝的螺旋狀。
【專利說明】高頻元器件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及在將絕緣層進(jìn)行層疊而成的層疊體的內(nèi)部構(gòu)成有LC諧振電路的高頻元器件。

【背景技術(shù)】
[0002]利用在層疊體的內(nèi)部構(gòu)成有LC諧振電路的元器件作為高頻元器件。對于這樣的高頻元器件，期待在構(gòu)成小型的層疊體的同時提高LC諧振電路的Q值。
[0003]LC諧振電路的電感器有時在層疊體的內(nèi)部由環(huán)狀的導(dǎo)體圖案構(gòu)成，在此情況下，已知通過增大環(huán)路直徑，能改善LC諧振電路的Q值。不過，若增大電感器的環(huán)路直徑，則會導(dǎo)致層疊體的大型化，因此，在通過使電感器的環(huán)路直徑的大型化來改善LC諧振電路的Q值方面存在限制。
[0004]因此,作為電感器,有時構(gòu)成橫向電感器，該橫向電感器以在與絕緣層的層疊方向正交的方向上延伸的卷繞軸為中心，在與該卷繞軸垂直的平面內(nèi)將層間連接導(dǎo)體及線狀導(dǎo)體設(shè)置成環(huán)狀(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。橫向電感器的環(huán)路的一部分由層間連接導(dǎo)體構(gòu)成，因此，與全部由線狀導(dǎo)體構(gòu)成的情況相比，能低電阻地構(gòu)成。因此，將這樣的橫向電感器用作LC諧振電路的電感器，能提高LC諧振電路中的Q值。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)1:日本專利特開2011-244504號公報


【發(fā)明內(nèi)容】

發(fā)明所要解決的技術(shù)問題
[0006]然而，橫向電感器為了獲得電感需要增大環(huán)路直徑，從而使形成在層疊體的層疊方向上的層間連接導(dǎo)體變長，因此，難以同時實現(xiàn)層疊體的高度降低和電感的增大。尤其是，在使LC諧振電路與較低的頻率區(qū)域相對應(yīng)的情況下，需要進(jìn)一步增大橫向電感器的電感，降低高頻元器件的高度變得非常困難。
[0007]因此，本發(fā)明的目的在于提供一種高頻元器件，即使使用橫向電感器來改善LC諧振電路的Q值，也能在不增厚層疊體的情況下增大電感。
解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案
[0008]本發(fā)明的高頻元器件包括:層疊體，該層疊體通過將多個絕緣層進(jìn)行層疊而構(gòu)成；平面導(dǎo)體，該平面導(dǎo)體沿著所述絕緣層的表面擴(kuò)展；線狀導(dǎo)體，該線狀導(dǎo)體沿著所述絕緣層的表面延伸；以及層間連接導(dǎo)體，該層間連接導(dǎo)體貫通所述絕緣層，其特征在于，構(gòu)成有橫向電感器，該橫向電感器具有第1端和第2端，并通過連接在所述第1端和所述第2端之間的所述線狀導(dǎo)體及所述層間連接導(dǎo)體將以與所述層疊體的層疊方向正交的方向作為卷繞軸方向，通過與所述橫向電感器的第1端相連接的第1平面導(dǎo)體、與所述橫向電感器的第2端相連接的第2平面導(dǎo)體、以及夾設(shè)在所述第1平面導(dǎo)體和所述第2平面導(dǎo)體之間的所述絕緣層構(gòu)成電容器，所述橫向電感器呈沿著所述卷繞軸方向卷繞至少多于一匝的螺旋狀。
[0009]以下，在本發(fā)明中，將橫向電感器的一匝定義為:將層間連接導(dǎo)體、線狀導(dǎo)體、層間連接導(dǎo)體、線狀導(dǎo)體按照該順序環(huán)狀連接而構(gòu)成，或者將線狀導(dǎo)體、層間連接導(dǎo)體、線狀導(dǎo)體、層間連接導(dǎo)體按照該順序環(huán)狀連接而構(gòu)成。
[0010]在該結(jié)構(gòu)中，由于構(gòu)成具有設(shè)置在層疊體內(nèi)部的螺旋狀的橫向電感器的LC諧振電路，因此，在LC諧振電路中能改善Q值，而且，與構(gòu)成僅在單一平面內(nèi)進(jìn)行卷繞的環(huán)狀的電感器的情況相比，能抑制層疊體在層疊方向上的尺寸。
[0011]優(yōu)選為由所述橫向電感器及所述電容器形成的LC諧振電路構(gòu)成有多個，多個LC諧振電路各自的橫向電感器的所述卷繞軸相互平行，在所述卷繞軸方向上觀察時，由所述線狀導(dǎo)體和所述層間連接導(dǎo)體形成的卷繞范圍至少一部分重合。由此，能通過調(diào)節(jié)各橫向電感器的卷繞范圍所重合的面積、沿著卷繞軸的配置間隔來調(diào)節(jié)LC諧振電路之間的耦合，能容易地設(shè)定濾波特性中的衰減極點(diǎn)和頻帶寬度。
[0012]也可以具備設(shè)置在所述層疊體的外表面的輸入輸出端子及接地端子，在所述卷繞軸方向上相鄰的至少一組所述橫向電感器各自的第1端與所述輸入輸出端子相連接，各自的第2端與所述接地端子側(cè)相連接，在所述層疊體的內(nèi)部，所述第2端彼此接近?；蛘撸部梢栽谒鰧盈B體的內(nèi)部使所述第1端彼此接近。
[0013]在橫向電感器中，若使在卷繞軸方向上相鄰的一組橫向電感器以接地端子側(cè)的第2端彼此接近，則能增強(qiáng)橫向電感器之間的磁場引起的耦合度。此外，若使一組橫向電感器以輸入輸出端子側(cè)的第1端彼此接近，則能減弱橫向電感器之間的磁場引起的耦合度。因此，通過確定層疊體內(nèi)部的橫向電感器兩端的方向，也能設(shè)定橫向電感器之間的f禹合度。
[0014]優(yōu)選為所述第1平面導(dǎo)體或所述第2平面導(dǎo)體設(shè)置在與作為所述橫向電感器的一部分的所述線狀導(dǎo)體相同的絕緣層表面上。通過該結(jié)構(gòu)，能降低層疊體中的絕緣層的層疊數(shù)。
[0015]優(yōu)選為所述第2平面導(dǎo)體是與所述接地端子導(dǎo)通的接地導(dǎo)體，并設(shè)置在與所述橫向電感器相對的位置上，所述第1平面導(dǎo)體設(shè)置在所述層疊體內(nèi)的所述橫向電感器與所述第2平面導(dǎo)體之間。由此，能抑制橫向電感器與接地導(dǎo)體之間產(chǎn)生的寄生電容。
[0016]優(yōu)選為所述高頻元器件還具備使所述多個LC諧振電路之間或所述輸入輸出端子與所述LC諧振電路之間進(jìn)行耦合的耦合用電感器或耦合用電容器。由此，能擴(kuò)大多級LC諧振電路之間的耦合度的調(diào)節(jié)范圍。
[0017]優(yōu)選為在所述卷繞軸方向觀察時，所述耦合用電容器或所述耦合用電感器設(shè)置在所述橫向電感器的卷繞范圍的內(nèi)側(cè)。由此，能實現(xiàn)層疊體進(jìn)一步的小型化、橫向電感器中的環(huán)路直徑的增大。
[0018]優(yōu)選為作為所述橫向電感器的一部分的所述線狀導(dǎo)體形成在多個絕緣層上的、在所述層疊體的層疊方向觀察時相重合的位置上，多個所述線狀導(dǎo)體通過所述層間連接導(dǎo)體并聯(lián)連接。由此，使橫向電感器的線狀導(dǎo)體多層化，增大線狀導(dǎo)體的實際截面積，從而使橫向電感器低電阻化。因此，能進(jìn)一步提高LC并聯(lián)諧振電路的Q值。
[0019]優(yōu)選為使位于所述第1平面導(dǎo)體及所述第2平面導(dǎo)體之間的絕緣層的相對介電常數(shù)比其它絕緣層要大。由此，能增大LC諧振電路的電容器的電容，降低電極面積，抑制LC諧振電路的電容器和橫向電感器之間產(chǎn)生的寄生電容。 發(fā)明效果
[0020]根據(jù)本發(fā)明的高頻元器件，通過將LC諧振電路的電感器作為螺旋狀的橫向電感器構(gòu)成，能實現(xiàn)較大的電感，抑制層疊體在層疊方向上的尺寸，還能改善LC諧振電路中的Q值。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1是本發(fā)明的實施方式1所涉及的高頻元器件的等效電路圖。
圖2是本發(fā)明的實施方式1所涉及的高頻元器件的立體圖、等效立體圖、及側(cè)剖視圖。圖3是本發(fā)明的實施方式2的變形例所涉及的高頻元器件的立體圖、等效立體圖、及側(cè)首1J視圖。
圖4是本發(fā)明的實施方式3所涉及的高頻元器件的等效電路圖。
圖5是本發(fā)明的實施方式3所涉及的高頻元器件的分解立體圖。
圖6是本發(fā)明的實施方式3所涉及的高頻元器件的示意立體圖及側(cè)剖視圖。
圖7是本發(fā)明的實施方式4所涉及的高頻元器件的分解立體圖。
圖8是本發(fā)明的實施方式4所涉及的高頻元器件的示意立體圖及側(cè)剖視圖。
圖9是本發(fā)明的實施方式3及4所涉及的高頻元器件的濾波特性圖。
圖10是本發(fā)明的實施方式5所涉及的高頻元器件的示意立體圖及濾波特性圖。
圖11是本發(fā)明的實施方式6所涉及的高頻元器件的側(cè)剖視圖及濾波特性圖。
圖12是本發(fā)明的實施方式7所涉及的高頻元器件的側(cè)剖視圖及濾波特性圖。
圖13是本發(fā)明的實施方式8所涉及的高頻元器件的等效電路圖及濾波特性圖。
圖14是本發(fā)明的實施方式9所涉及的高頻元器件的分解立體圖。
圖15是本發(fā)明的實施方式10所涉及的高頻元器件的分解立體圖。

【具體實施方式】
[0022]以下，對實施方式1所涉及的高頻元器件進(jìn)行說明。此處，以用作高頻濾波器的高頻元器件為例進(jìn)行說明，該高頻元器件具有在通頻帶的高頻側(cè)及低頻側(cè)具有阻止頻帶的帶通濾波特性。
[0023]圖1是實施方式1所涉及的高頻元器件11的等效電路圖。高頻元器件11構(gòu)成帶通濾波器，該帶通濾波器由輸入輸出端子P1、P2、電容器Cl、C2、C12、電感器L1、L2構(gòu)成。
[0024]電感器L1、L2具有與輸入輸出端子P1、P2相連接的第1端SA、與接地端子相連接的第2端SB。電容器Cl與電感器L1并聯(lián)連接，并與電感器L1 一起構(gòu)成諧振電路LC1。同樣，電容器C2與電感器L2并聯(lián)連接，并與電感器L2 —起構(gòu)成諧振電路LC2。
[0025]在諧振電路LC1與諧振電路LC2之間連接有電容器C12。該電容器C12是使諧振電路LC1與諧振電路LC2之間進(jìn)行電容耦合的耦合用電容器。此外，諧振電路LC1和LC2的電感器L1和L2彼此之間進(jìn)行感應(yīng)耦合。
[0026]此外，諧振電路LC1與輸入端子P1直接相連接，從而構(gòu)成輸入級的諧振電路。諧振電路LC2與輸出端子P2直接相連接，從而構(gòu)成輸出級的諧振電路。通過以上的電路部分，構(gòu)成在輸入輸出端子P1和P2之間兩級并聯(lián)諧振電路進(jìn)行耦合的帶通濾波器。
[0027]圖2(A)是實施方式1所涉及的高頻元器件11的立體圖。高頻元器件11具備長方體狀的層疊體12。
[0028]在以下的說明中，將圖2(A)中示出的層疊體12的左邊前側(cè)的面稱為正面，將層疊體12的右邊里側(cè)的面稱為背面，將層疊體12的右邊前側(cè)的面稱為右側(cè)面，將層疊體12的左邊里側(cè)的面稱為左側(cè)面。
[0029]層疊體12將與下表面及上表面垂直的方向作為層疊方向，層疊體12通過將多個絕緣層進(jìn)行層疊而構(gòu)成。另外，層疊體12的絕緣層例如由熱塑性樹脂等樹脂材料、低溫?zé)Y(jié)陶瓷等陶瓷材料構(gòu)成。
[0030]在層疊體12的外表面設(shè)有輸入輸出端子13A、13B和接地端子13C。輸入輸出端子13A相當(dāng)于圖1中的輸入端子P1，從層疊體12的上表面經(jīng)由左側(cè)面延伸到下表面。輸入輸出端子13B相當(dāng)于圖1中的輸出端子P2，從層疊體12的上表面經(jīng)由右側(cè)面延伸到下表面。接地端子13C設(shè)置在層疊體12的下表面上。
[0031]圖2(B)是實施方式1所涉及的高頻元器件11的透過立體圖。
[0032]在層疊體12的內(nèi)部形成有在與絕緣層的層疊方向正交的方向上延伸的線狀導(dǎo)體161A、162A、163A、164A、165A、161B、162B、163B、164B、165B、以及在絕緣層的面方向上擴(kuò)展的平面導(dǎo)體18A、18B、19。線狀導(dǎo)體161A?165A、161B?165B及平面導(dǎo)體18A、18B、19例如由印刷形成的導(dǎo)電糊料的燒制體、利用光刻工藝形成圖案的銅箔等構(gòu)成。
[0033]此外，在構(gòu)成層疊體12的絕緣層上形成有在層疊方向上貫通各絕緣層的層間連接導(dǎo)體 171A、172A、173A、174A、175A、176A、171B、172B、173B、174B、175B、176B。層間連接導(dǎo)體171A?176AU71B?176B例如通過在各絕緣層上設(shè)置通孔、將導(dǎo)電性糊料填充到通孔內(nèi)并將導(dǎo)電性糊料進(jìn)行燒結(jié)而形成。
[0034]然后，在層疊體12的內(nèi)部構(gòu)成有橫向電感器14A、橫向電感器14B、電容器15A、及電容器15B，其中，橫向電感器14A由線狀導(dǎo)體161A?165A及層間連接導(dǎo)體171A?176A構(gòu)成，橫向電感器14B由線狀導(dǎo)體161B?165B及層間連接導(dǎo)體171B?176B構(gòu)成，電容器15A由平面導(dǎo)體18A、19構(gòu)成，電容器15B由平面導(dǎo)體18B、19構(gòu)成。
[0035]橫向電感器14A相當(dāng)于圖1中的電感器L1，在層疊體12的內(nèi)部配置在中心的左側(cè)面?zhèn)龋瑥奈挥趯盈B體12的左側(cè)面?zhèn)鹊牡?端SA起到位于層疊體12的中心側(cè)的第2端SB，將層間連接導(dǎo)體171A、線狀導(dǎo)體161A、層間連接導(dǎo)體172A、線狀導(dǎo)體162A、層間連接導(dǎo)體173A、線狀導(dǎo)體163A、層間連接導(dǎo)體174A、線狀導(dǎo)體164A、層間連接導(dǎo)體175A、線狀導(dǎo)體165A、及層間連接導(dǎo)體176A按照該順序相連接而構(gòu)成。由此，橫向電感器14A設(shè)置成以與層疊體12的層疊方向正交的方向、此處以在對層疊體12的左側(cè)面和右側(cè)面之間進(jìn)行連接的方向上延伸的卷繞軸CA為中心，呈從第1端SA到第2端SB沿著卷繞軸CA前進(jìn)的右螺紋狀(右螺旋狀)。
[0036]此外，橫向電感器14B相當(dāng)于圖1中的電感器L2，在層疊體12的內(nèi)部配置在中心的右側(cè)面?zhèn)?，從位于層疊體12的右側(cè)面?zhèn)鹊牡?端SA起到位于層疊體12的中心側(cè)的第2端SB，將層間連接導(dǎo)體176B、線狀導(dǎo)體165B、層間連接導(dǎo)體175B、線狀導(dǎo)體164B、層間連接導(dǎo)體174B、線狀導(dǎo)體163B、層間連接導(dǎo)體173B、線狀導(dǎo)體162B、層間連接導(dǎo)體172B、線狀導(dǎo)體161B、及層間連接導(dǎo)體171B按照該順序相連接而構(gòu)成。由此，橫向電感器14B設(shè)置成以卷繞軸CA為中心，呈從第1端SA到第2端SB沿著卷繞軸CA前進(jìn)的左螺紋狀(左螺旋狀)。
[0037]這樣，橫向電感器14A、14B通過將約2+(3/4)匝的層間連接導(dǎo)體與線狀導(dǎo)體相連接而構(gòu)成。橫向電感器14A、14B的一匝是通過將兩個層間連接導(dǎo)體與兩個線狀導(dǎo)體環(huán)狀連接而構(gòu)成的。這樣，橫向電感器14A、14B通過將至少比一匝要多的層間連接導(dǎo)體和線狀導(dǎo)體相連接而螺旋狀地構(gòu)成，因此，與僅在單一平面內(nèi)進(jìn)行卷繞而環(huán)狀地構(gòu)成的情況相比，能實現(xiàn)較大的電感，并且即使實現(xiàn)較大的電感也能抑制層疊體12在層疊方向上的尺寸的增大。
[0038]圖2(C)是表不層疊體12中的橫向電感器14A、14B和電容器15A、15B的配置位置的剖視圖，表示與層疊體12的正面及背面平行的面上的層疊體12的截面。
[0039]電容器15A相當(dāng)于圖1中的電容器C1，通過使第1平面導(dǎo)體18A與第2平面導(dǎo)體19在夾著絕緣層的狀態(tài)下相對而形成。第1平面導(dǎo)體18A和橫向電感器14A的下面?zhèn)鹊木€狀導(dǎo)體162AU64A設(shè)置在同一層上，因此，能降低層疊體12中的絕緣層的層疊數(shù)。而且，第1平面導(dǎo)體18A位于橫向電感器14A的左側(cè)面?zhèn)?，并連接有橫向電感器14A的左側(cè)面?zhèn)鹊牡?端SA，且與層疊體12的左側(cè)面的輸入輸出端子13A相連接。
[0040]此外，電容器15B相當(dāng)于圖1中的電容器C2，通過使第1平面導(dǎo)體18B與第2平面導(dǎo)體19在夾著絕緣層的狀態(tài)下相對而形成。第1平面導(dǎo)體18B和橫向電感器14B的下面?zhèn)鹊木€狀導(dǎo)體162BU64B設(shè)置在同一層上，因此，能降低層疊體12中的絕緣層的層疊數(shù)。而且，第1平面導(dǎo)體18B位于橫向電感器14B的右側(cè)面?zhèn)?，并連接有橫向電感器14B的右側(cè)面?zhèn)鹊牡?端SA，且與層疊體12的右側(cè)面的輸入輸出端子13B相連接。
[0041]第2平面導(dǎo)體(接地導(dǎo)體)19經(jīng)由未圖示的層間連接導(dǎo)體與層疊體12的下表面的接地端子13C相連接。接地導(dǎo)體19設(shè)置在層疊體12的橫向電感器14A、14B的下面?zhèn)?，從上面?zhèn)扔^察層疊體12時，與橫向電感器14A、14B及電容器15A、15B的平面導(dǎo)體18A、18B重合。因此，能防止安裝高頻元器件11的外部基板側(cè)的導(dǎo)體圖案等與高頻元器件11內(nèi)部的導(dǎo)體圖案進(jìn)行耦合而對高頻元器件11的濾波特性產(chǎn)生影響。此外，將接地導(dǎo)體19作為構(gòu)成電容器15A、15B的第2平面導(dǎo)體，因此，能降低層疊體12中的絕緣層的層疊數(shù)。在該接地導(dǎo)體19上的、層疊體12中的橫向電感器14A和橫向電感器14B之間的中心附近，分別連接有橫向電感器14A的右側(cè)面?zhèn)?層疊體中心側(cè))的第2端SB和橫向電感器14B的左側(cè)面?zhèn)?層疊體中心側(cè))的第2端SB。
[0042]此外，圖1中的電容耦合用的電容器C12由橫向電感器14A的線狀導(dǎo)體及層間連接導(dǎo)體與橫向電感器14B的線狀導(dǎo)體及層間連接導(dǎo)體沿著卷繞軸CA相對而產(chǎn)生的電容構(gòu)成。
[0043]在沿著卷繞軸CA透視該層疊體12的情況下，配置成橫向電感器14A的卷繞范圍與橫向電感器14B的卷繞范圍相互重合。另外，各卷繞范圍既可全部重合，也可以一部分重八口 ο
[0044]此外，對于橫向電感器14Α和橫向電感器14Β中、各自的線狀導(dǎo)體、層間連接導(dǎo)體沿著卷繞軸CA相對的每個組，從輸入輸出端子13Α、13Β側(cè)朝接地導(dǎo)體19側(cè)的方向(圖2 (Β)中箭頭所示的信號的傳輸方向)相一致。若這樣將信號的傳輸方向相一致的兩個橫向電感器相鄰配置，則在各自的卷繞范圍內(nèi)產(chǎn)生的磁通的方向相一致，在相互的磁通得到增強(qiáng)的方向上進(jìn)行感應(yīng)耦合(正耦合)。
[0045]此外，對于橫向電感器14Α和橫向電感器14Β，使與各自的接地導(dǎo)體19側(cè)相連接的第2端SB彼此在層疊體12的中心附近接近，因此，與使橫向電感器14A和橫向電感器14B的第1端SA與第2端SB接近的情況相比，橫向電感器14A和橫向電感器14B之間的感應(yīng)耦合變強(qiáng)。
[0046]另外，橫向電感器14A和橫向電感器14B中的一方也可以卷繞成使圖2(B)中箭頭所不的信號的傳輸方向變?yōu)橄喾捶较颉Ｔ诖饲闆r下，橫向電感器14A和橫向電感器14B各自在卷繞范圍內(nèi)產(chǎn)生的磁通的方向相反，因此，在橫向電感器14A和橫向電感器14B之間，在相互的磁通減弱的方向上進(jìn)行感應(yīng)耦合(負(fù)耦合)。在此情況下，也能通過使橫向電感器14A和橫向電感器14B的接地導(dǎo)體19側(cè)的第2端SB彼此接近來提高負(fù)耦合的耦合度。
[0047]在以上的結(jié)構(gòu)的高頻元器件11中，能構(gòu)成在諧振電路LC1與諧振電路LC2之間感應(yīng)耦合的耦合度較高的帶通濾波器。此外，由于使用包含層間連接導(dǎo)體的橫向電感器14A、14B來構(gòu)成諧振電路LC1、LC2，因此，能使帶通濾波器的濾波特性(通頻帶特性)為Q值較高。此外，由于使用螺旋狀的橫向電感器14A、14B，因此，即使通過橫向電感器14A、14B實現(xiàn)較大的電感，也能抑制層疊體12在層疊方向上的尺寸。
[0048]此外，在層疊體12中，使位于電容器15A和15B的平面導(dǎo)體之間的絕緣層(在圖2(C)中進(jìn)行點(diǎn)表示的絕緣層)的相對介電常數(shù)比其它絕緣層的相對介電常數(shù)要高。即，在電容器15A、15B中，提高了兩個平面導(dǎo)體之間的相對介電常數(shù)。因此，能抑制構(gòu)成電容器15AU5B的平面導(dǎo)體的相對面積，增大電容，能抑制電容器15A、15B與橫向電感器14A、14B之間產(chǎn)生的寄生電容。
[0049]接下來，對實施方式2所涉及的高頻元器件21進(jìn)行說明。實施方式2所涉及的高頻元器件21是前面的實施方式1所涉及的高頻元器件的變形例。圖3(A)是實施方式2所涉及的高頻元器件21的立體圖。圖3(B)是實施方式2所涉及的高頻元器件21的透過立體圖。
[0050]高頻兀器件21具備長方體狀的層疊體22。在層疊體22的外表面設(shè)有輸入輸出端子23A、23B和接地端子23C。層疊體22、輸入輸出端子23A、23B、接地端子23C分別是與實施方式1所涉及的層疊體、輸入輸出端子、接地端子相同的結(jié)構(gòu)。在層疊體22的內(nèi)部構(gòu)成有:由線狀導(dǎo)體及層間連接導(dǎo)體構(gòu)成的橫向電感器24A、24B ;以及由平面導(dǎo)體構(gòu)成的電容器 25A、25B。
[0051]橫向電感器24A在層疊體22的內(nèi)部配置在中心的左側(cè)面?zhèn)?，并從位于層疊體22的中心側(cè)的第1端SA起到位于層疊體22的左側(cè)面?zhèn)鹊牡?端SB設(shè)置成左螺紋狀(左螺旋狀)。橫向電感器24B在層疊體22的內(nèi)部配置在中心的右側(cè)面?zhèn)?，并從位于層疊體22的中心側(cè)的第1端SA起到位于層疊體22的右側(cè)面?zhèn)鹊牡?端SB設(shè)置成右螺紋狀(右螺旋狀)。此處，橫向電感器24A、24B分別通過將約2+(3/4)匝的層間連接導(dǎo)體與線狀導(dǎo)體相連接而構(gòu)成。橫向電感器24A、24B的一匝是通過將兩個層間連接導(dǎo)體與兩個線狀導(dǎo)體環(huán)狀連接而構(gòu)成的。
[0052]圖3(C)是表示層疊體22中的橫向電感器24A、24B和電容器25A、25B的配置位置的剖視圖，表示與層疊體22的正面及背面平行的面上的層疊體22的截面。
[0053]電容器25A、25B分別設(shè)置在橫向電感器24A和橫向電感器24B之間。具體而言，電容器25A配置在橫向電感器24A的右側(cè)面?zhèn)?。電容?5B配置在橫向電感器24B的左側(cè)面?zhèn)?。此外，在?gòu)成電容器25A的第1平面導(dǎo)體上連接有橫向電感器24A的右側(cè)面?zhèn)?層疊體中心側(cè))的第1端SA，并通過在與電容器25A的第1平面導(dǎo)體相同的絕緣層表面上走線的引出布線25C走線到層疊體22的左側(cè)面而與輸入輸出端子23A相連接。此外，在構(gòu)成電容器25B的第I平面導(dǎo)體上連接有橫向電感器24B的左側(cè)面?zhèn)?層疊體中心側(cè))的第I端SA，并通過在與電容器25B的第I平面導(dǎo)體相同的絕緣層表面上走線的引出布線25C走線到層疊體22的右側(cè)面而與輸入輸出端子23B相連接。此外，構(gòu)成電容器25A、25B的第2平面導(dǎo)體作為接地導(dǎo)體29而構(gòu)成。在該接地導(dǎo)體29上的層疊體22的左側(cè)面附近和右側(cè)面附近，分別連接有橫向電感器24A的左側(cè)面?zhèn)鹊牡?端SB和橫向電感器24B的右側(cè)面?zhèn)鹊牡?端SB。
[0054]即使是該結(jié)構(gòu)，也配置成在從左側(cè)面?zhèn)然蛴覀?cè)面?zhèn)妊刂砝@軸CA透視層疊體22時，橫向電感器24A的卷繞范圍與橫向電感器24B的卷繞范圍相互重合，橫向電感器24A與橫向電感器24B在相互的磁通得到增強(qiáng)的方向上進(jìn)行感應(yīng)耦合(正耦合)。
[0055]此外,對于橫向電感器24A和橫向電感器24B,使與各自的輸入輸出端子23A、23B側(cè)相連接的第I端SA彼此在層疊體22的中心附近接近，因此，與使橫向電感器24A和橫向電感器24B的第I端SA與第2端SB接近的情況相比，橫向電感器24A和橫向電感器24B之間的感應(yīng)耦合變?nèi)酢?br> [0056]另外，即使是該結(jié)構(gòu)，也可以將橫向電感器24A和橫向電感器24B中的一方卷繞成使圖3(B)中箭頭所不的信號的傳輸方向為相反方向，使橫向電感器24A與橫向電感器24B之間在相互的磁通減弱的方向上進(jìn)行感應(yīng)耦合(負(fù)耦合)。即使在橫向電感器24A與橫向電感器24B進(jìn)行負(fù)耦合的情況下，仍能通過使輸入輸出端子23A、23B側(cè)的第I端SA彼此接近來降低負(fù)耦合的耦合度。
[0057]如上所述，也可以構(gòu)成使兩級諧振電路LCl與LC2在輸入輸出端子之間進(jìn)行耦合的帶通濾波器。在這樣的帶通濾波器中，通過確定橫向電感器L1、L2的兩端SA、SB的方向，能確定相鄰的橫向電感器LI和L2之間的感應(yīng)耦合的耦合度，能容易地設(shè)定濾波電路中的衰減極點(diǎn)和頻帶寬度。
[0058]另外，在以上的說明中，示出了在高頻元器件中構(gòu)成兩級諧振電路LC1、LC2的示例，但在高頻元器件中構(gòu)成的諧振電路既可以是一級也可以多于二級。
[0059]接下來，對本發(fā)明的實施方式3所涉及的高頻元器件31進(jìn)行說明。圖4是實施方式3所涉及的高頻元器件31的等效電路圖。高頻元器件31構(gòu)成帶通濾波器，該帶通濾波器由輸入輸出端子P1、P2、電容器C1、C2、C3、C4、C12、C23、C34、電感器L1、L2、L3、L4構(gòu)成。
[0060]電感器LI?L4具有輸入輸出端子P1、P2側(cè)的第I端SA、接地端子側(cè)的第2端SB。電容器Cl與電感器LI并聯(lián)連接，并與電感器LI 一起構(gòu)成諧振電路LCl。同樣，電容器C2與電感器L2并聯(lián)連接，并與電感器L2 —起構(gòu)成諧振電路LC2。電容器C3與電感器L3并聯(lián)連接，并與電感器L3 —起構(gòu)成諧振電路LC3。電容器C4與電感器L4并聯(lián)連接，并與電感器L4 一起構(gòu)成諧振電路LC4。
[0061]在諧振電路LCl與諧振電路LC2之間連接有電容器C12。同樣，在諧振電路LC2與諧振電路LC3之間連接有電容器C23。在諧振電路LC3與諧振電路LC4之間連接有電容器C34。這些電容器C12、C23、C34是與諧振電路LCl?LC4之間進(jìn)行電容耦合的耦合用電容器。
[0062]此外，諧振電路LCl和LC2的電感器LI和L2彼此之間進(jìn)行感應(yīng)耦合。同樣，諧振電路LC2和LC3的電感器L2和L3彼此之間也進(jìn)行感應(yīng)耦合。諧振電路LC3和LC4的電感器L3和L4彼此之間也進(jìn)行感應(yīng)耦合。
[0063]此外，諧振電路LCl與輸入端子Pl直接相連接，從而構(gòu)成輸入級的諧振電路。諧振電路LC4與輸出端子P2直接相連接，從而構(gòu)成輸出級的諧振電路。諧振電路LC2、LC3在諧振電路LCl和諧振電路LC4之間進(jìn)行耦合，分別構(gòu)成中間級的諧振電路。
[0064]通過以上的電路部分，構(gòu)成在輸入輸出端子Pl和P2之間四級并聯(lián)諧振電路進(jìn)行耦合的帶通濾波器。
[0065]圖5是實施方式3所涉及的高頻元器件31的分解立體圖。在以下的說明中，將圖5中示出的絕緣層的左邊前側(cè)的面稱為左側(cè)面，將絕緣層的右邊里側(cè)的面稱為右側(cè)面，將絕緣層的右邊前側(cè)的面稱為正面，將絕緣層的左邊里側(cè)的面稱為背面。
[0066]高頻元器件31具備通過相互層疊來構(gòu)成長方體狀的層疊體的絕緣層32A、32B、32C、32D、32E、32F、32G、32H、32J。絕緣層 32A、32B、32C、32D、32E、32F、32G、32H、32J 按照該順序從層疊體32的下面?zhèn)葘盈B到上面?zhèn)?。在各絕緣層32A?32J的表面設(shè)有平面導(dǎo)體、線狀導(dǎo)體，設(shè)置在不同的層上的導(dǎo)體之間的連接經(jīng)由設(shè)置在兩個導(dǎo)體之間的層間連接導(dǎo)體而得以實現(xiàn)。在絕緣層32A?32J各自的左側(cè)面及右側(cè)面形成有構(gòu)成圖4中示出的輸入輸出端子P1、P2的電極(未圖不標(biāo)號)的一部分。
[0067]絕緣層32A是露出至層疊體32的下表面的絕緣層，在絕緣層32A的下面?zhèn)?，從左?cè)面?zhèn)鹊接覀?cè)面?zhèn)纫来涡纬捎衅矫鎸?dǎo)體33A、34A、35A。平面導(dǎo)體33A是構(gòu)成圖4中示出的輸入端子Pl的電極的一部分。平面導(dǎo)體34A是接地端子。平面導(dǎo)體35A是構(gòu)成圖4中示出的輸出端子P2的電極的一部分。
[0068]絕緣層32B在上面?zhèn)刃纬捎衅矫鎸?dǎo)體(接地導(dǎo)體)33B。接地導(dǎo)體33B與其下面第I層的接地端子34A相連接。
[0069]在絕緣層32C的上面?zhèn)?，從左?cè)面?zhèn)鹊接覀?cè)面?zhèn)纫来涡纬捎衅矫鎸?dǎo)體33C、34C、35C、36C。平面導(dǎo)體33C與其下面第I層的接地導(dǎo)體33B相對而構(gòu)成電容器Cl。平面導(dǎo)體34C與其下面第I層的接地導(dǎo)體33B相對而構(gòu)成電容器C2。平面導(dǎo)體35C與其下面第I層的接地導(dǎo)體33B相對而構(gòu)成電容器C3。平面導(dǎo)體36C與其下面第I層的接地導(dǎo)體33B相對而構(gòu)成電容器C4。
[0070]在絕緣層32D的上面?zhèn)?，從左?cè)面?zhèn)鹊接覀?cè)面?zhèn)纫来涡纬捎衅矫鎸?dǎo)體33D、34D。平面導(dǎo)體33D與其下面第I層的平面導(dǎo)體33C相連接，而且，與其下面第I層的平面導(dǎo)體34C相對而構(gòu)成耦合用電容器C12的一部分。平面導(dǎo)體34D與其下面第I層的平面導(dǎo)體36C相連接，而且，與其下面第I層的平面導(dǎo)體35C相對而構(gòu)成耦合用電容器C34的一部分。
[0071]在絕緣層32E的上面?zhèn)?，從左?cè)面?zhèn)鹊接覀?cè)面?zhèn)纫来涡纬捎衅矫鎸?dǎo)體33E、34E。平面導(dǎo)體33E與其下面第2層的平面導(dǎo)體34C相連接，而且，與其下面第I層的平面導(dǎo)體33D相對而構(gòu)成耦合用電容器C12的一部分。平面導(dǎo)體34E與其下面第2層的平面導(dǎo)體35C相連接，而且，與其下面第I層的平面導(dǎo)體34D相對而構(gòu)成耦合用電容器C34的一部分。
[0072]在第6層的絕緣層32F的上面?zhèn)?，從左?cè)面?zhèn)鹊接覀?cè)面?zhèn)纫来涡纬捎芯€狀導(dǎo)體331F、332F、341F、342F、351F、352F、361F、362F。
[0073]在第7層的絕緣層32G的上面?zhèn)?，從左?cè)面?zhèn)鹊接覀?cè)面?zhèn)纫来涡纬捎芯€狀導(dǎo)體33G、34G、35G、36G。線狀導(dǎo)體33G的正面?zhèn)鹊亩瞬颗c其下面第4層的平面導(dǎo)體33C及其下面第3層的平面導(dǎo)體33D相連接。線狀導(dǎo)體34G的正面?zhèn)鹊亩瞬颗c其下面第4層的平面導(dǎo)體34C及其下面第2層的平面導(dǎo)體33E相連接。線狀導(dǎo)體35G的正面?zhèn)鹊亩瞬颗c其下面第4層的平面導(dǎo)體35C及其下面第2層的平面導(dǎo)體34E相連接。線狀導(dǎo)體36G的正面?zhèn)鹊亩瞬颗c其下面第4層的平面導(dǎo)體36C及其下面第3層的平面導(dǎo)體34D相連接。
[0074]在第8層的絕緣層32H的上面?zhèn)龋瑥淖髠?cè)面?zhèn)鹊接覀?cè)面?zhèn)纫来涡纬捎芯€狀導(dǎo)體331H、332H、333H、341H、342H、343H、351H、352H、353H、361H、362H、363H。
[0075]線狀導(dǎo)體331H的正面?zhèn)鹊亩瞬颗c其下面第6層的接地導(dǎo)體33B相連接，線狀導(dǎo)體331H的背面?zhèn)鹊亩瞬颗c其下面第2層的線狀導(dǎo)體331F相連接。線狀導(dǎo)體332H的正面?zhèn)鹊亩瞬颗c其下面第2層的線狀導(dǎo)體331F相連接，線狀導(dǎo)體332H的背面?zhèn)鹊亩瞬颗c其下面第2層的線狀導(dǎo)體332F相連接。線狀導(dǎo)體333H的正面?zhèn)鹊亩瞬颗c其下面第2層的線狀導(dǎo)體332F相連接，線狀導(dǎo)體333H的背面?zhèn)鹊亩瞬颗c其下面第I層的線狀導(dǎo)體33G相連接。由此，線狀導(dǎo)體331H?333H、線狀導(dǎo)體331F、332F、線狀導(dǎo)體33G與層間連接導(dǎo)體一起構(gòu)成圖4中示出的電感器(橫向電感器)L1。
[0076]線狀導(dǎo)體341H的正面?zhèn)鹊亩瞬颗c其下面第2層的線狀導(dǎo)體341F相連接，線狀導(dǎo)體341H的背面?zhèn)鹊亩瞬颗c其下面第I層的線狀導(dǎo)體34G相連接。線狀導(dǎo)體342H的正面?zhèn)鹊亩瞬颗c其下面第2層的線狀導(dǎo)體342F相連接，線狀導(dǎo)體342H的背面?zhèn)鹊亩瞬颗c其下面第2層的線狀導(dǎo)體341F相連接。線狀導(dǎo)體343H的正面?zhèn)鹊亩瞬颗c其下面第6層的接地導(dǎo)體33B相連接，線狀導(dǎo)體343H的背面?zhèn)鹊亩瞬颗c其下面第2層的線狀導(dǎo)體342F相連接。由此，線狀導(dǎo)體341H?343H、線狀導(dǎo)體341F、342F、線狀導(dǎo)體34G與層間連接導(dǎo)體一起構(gòu)成圖4中示出的電感器(橫向電感器)L2。
[0077]線狀導(dǎo)體351H的正面?zhèn)鹊亩瞬颗c其下面第6層的接地導(dǎo)體33B相連接，線狀導(dǎo)體351H的背面?zhèn)鹊亩瞬颗c其下面第2層的線狀導(dǎo)體351F相連接。線狀導(dǎo)體352H的正面?zhèn)鹊亩瞬颗c其下面第2層的線狀導(dǎo)體351F相連接，線狀導(dǎo)體352H的背面?zhèn)鹊亩瞬颗c其下面第2層的線狀導(dǎo)體352F相連接。線狀導(dǎo)體353H的正面?zhèn)鹊亩瞬颗c其下面第2層的線狀導(dǎo)體352F相連接，線狀導(dǎo)體353H的背面?zhèn)鹊亩瞬颗c其下面第I層的線狀導(dǎo)體35G相連接。由此，線狀導(dǎo)體351H?353H、線狀導(dǎo)體351F、352F、線狀導(dǎo)體35G與層間連接導(dǎo)體一起構(gòu)成圖4中示出的電感器(橫向電感器)L3。
[0078]線狀導(dǎo)體361H的正面?zhèn)鹊亩瞬颗c其下面第2層的線狀導(dǎo)體361F相連接，線狀導(dǎo)體361H的背面?zhèn)鹊亩瞬颗c其下面第I層的線狀導(dǎo)體36G相連接。線狀導(dǎo)體362H的正面?zhèn)鹊亩瞬颗c其下面第2層的線狀導(dǎo)體362F相連接，線狀導(dǎo)體362H的背面?zhèn)鹊亩瞬颗c其下面第2層的線狀導(dǎo)體361F相連接。線狀導(dǎo)體363H的正面?zhèn)鹊亩瞬颗c其下面第6層的接地導(dǎo)體33B相連接，線狀導(dǎo)體363H的背面?zhèn)鹊亩瞬颗c其下面第2層的線狀導(dǎo)體362F相連接。由此，線狀導(dǎo)體361H?363H、線狀導(dǎo)體361F、362F、線狀導(dǎo)體36G與層間連接導(dǎo)體一起構(gòu)成圖4中示出的電感器(橫向電感器)L4。
[0079]第9層的絕緣層32J是露出至層疊體32的上表面的絕緣層，在絕緣層32J的上面?zhèn)申驈淖髠?cè)面?zhèn)鹊接覀?cè)面?zhèn)纫来涡纬捎衅矫鎸?dǎo)體33J、34J。平面導(dǎo)體33J是構(gòu)成圖4中示出的輸入端子Pl的電極的一部分。平面導(dǎo)體34J是構(gòu)成圖4中示出的輸出端子P2的電極的一部分。
[0080]圖6 (A)是示意表示在高頻元器件31中從橫向電感器LI?L4的第2端SB到第I端SA，層間連接導(dǎo)體及線狀導(dǎo)體延伸的方向的立體圖。橫向電感器LI從位于層疊體32的右側(cè)面?zhèn)?層疊體中心側(cè))的第I端SA起到位于層疊體32的左側(cè)面?zhèn)鹊牡?端SB構(gòu)成左螺紋狀(左螺旋狀)。橫向電感器L2從位于層疊體32的左側(cè)面?zhèn)鹊牡贗端SA起到位于層疊體32的右側(cè)面?zhèn)?層疊體中心側(cè))的第2端SB構(gòu)成右螺紋狀(右螺旋狀)。橫向電感器L3從位于層疊體32的右側(cè)面?zhèn)鹊牡贗端SA起到位于層疊體32的左側(cè)面?zhèn)?層疊體中心側(cè))的第2端SB構(gòu)成左螺紋狀(左螺旋狀)。橫向電感器L4從位于層疊體32的左側(cè)面?zhèn)?層疊體中心側(cè))的第I端SA起到位于層疊體32的右側(cè)面?zhèn)鹊牡?端SB構(gòu)成右螺紋狀(右螺旋狀)。
[0081]圖6 (B)是高頻元器件31的剖視圖，表示與層疊體32的正面及背面平行的面上的層疊體32的截面。
[0082]電容器Cl在層疊體32的內(nèi)部配置在橫向電感器LI的下面?zhèn)?，第I平面導(dǎo)體與層疊體32的左側(cè)面的輸入端子Pl相連接。橫向電感器LI在右側(cè)面?zhèn)鹊牡贗端SA與電容器Cl、C12及輸入端子Pl相連接，在左側(cè)面?zhèn)鹊牡?端SB與接地導(dǎo)體33B直接相連接。
[0083]電容器C2在層疊體32的內(nèi)部配置在橫向電感器L2的下面?zhèn)取M向電感器L2在左側(cè)面?zhèn)鹊牡贗端SA與電容器C2、C12相連接，在右側(cè)面?zhèn)鹊牡?端SB與接地導(dǎo)體33B直接相連接。
[0084]電容器C3在層疊體32的內(nèi)部配置在橫向電感器L3的下面?zhèn)?。橫向電感器L3在右側(cè)面?zhèn)鹊牡贗端SA與電容器C3、C34相連接，在左側(cè)面?zhèn)鹊牡?端SB與接地導(dǎo)體33B直接相連接。
[0085]電容器C4在層疊體32的內(nèi)部配置在橫向電感器L4的下面?zhèn)?，第I平面導(dǎo)體與層疊體32的右側(cè)面的輸入輸出端子P2相連接。橫向電感器L4在左側(cè)面?zhèn)鹊牡贗端SA與電容器C4、C34及輸入輸出端子P2相連接，右側(cè)面?zhèn)鹊牡?端SB與接地導(dǎo)體33B直接相連接。
[0086]此外，耦合用電容器C23由橫向電感器L2與L3沿著卷繞軸CA接近、橫向電感器L2的線狀導(dǎo)體及層間連接導(dǎo)體與橫向電感器L3的線狀導(dǎo)體及層間連接導(dǎo)體相對而產(chǎn)生的電容構(gòu)成。
[0087]即使是該結(jié)構(gòu)，在從左側(cè)面?zhèn)然蛴覀?cè)面?zhèn)妊刂砝@軸CA透視層疊體32的情況下，也配置成橫向電感器LI?L4的卷繞范圍相互重合。此外，橫向電感器LI?L4卷繞成從輸入輸出端子P1、P2側(cè)的第I端SA到接地導(dǎo)體側(cè)的第2端SB，線狀導(dǎo)體及層間連接導(dǎo)體延伸的方向為相同方向，并在相互的磁通得到增強(qiáng)的方向上進(jìn)行感應(yīng)耦合(正耦合)。
[0088]然后，對于橫向電感器LI和橫向電感器L2,使各自的輸入輸出端子P1、P2側(cè)的第I端SA彼此接近。此外,對于橫向電感器L3和橫向電感器L4,也使各自的輸入輸出端子P1、P2側(cè)的第I端SA彼此接近。另一方面，對于橫向電感器L2和橫向電感器L3,使各自的接地導(dǎo)體33B側(cè)的第2端SB彼此接近。因此，橫向電感器L1、橫向電感器L2、橫向電感器L3及橫向電感器L4中，相鄰的橫向電感器之間的感應(yīng)耦合從橫向電感器LI側(cè)起到橫向電感器L4側(cè)依次為耦合度較低的松耦合、耦合度較高的緊耦合、耦合度較低的松耦合。
[0089]即使在以上結(jié)構(gòu)的高頻元器件31中，也構(gòu)成包含層間連接導(dǎo)體的橫向電感器LI?L4作為諧振電路LCl?LC4的電感器，因此，能使帶通濾波器的濾波特性(通頻帶特性)具有較高的Q值。此外，由于使用螺旋狀的橫向電感器LI?L4，因此，即使利用橫向電感器LI?L4實現(xiàn)較大的電感，也能抑制層疊體32在層疊方向上的尺寸。
[0090]另外，在上述的結(jié)構(gòu)中，構(gòu)成電容器Cl?C4的第2平面導(dǎo)體作為共用的接地導(dǎo)體33B而構(gòu)成，因此，能降低層疊體32中的絕緣層的層疊數(shù)。此外，由于將構(gòu)成電容器Cl?C4的第I平面導(dǎo)體配置在接地導(dǎo)體33B與橫向電感器LI?L4之間，因此，能節(jié)約接地導(dǎo)體33B與橫向電感器LI?L4之間的間隔，能進(jìn)一步提高分別包含橫向電感器LI?L4的諧振電路LCl?LC4中的Q值。
[0091]接下來，對實施方式4所涉及的高頻元器件41進(jìn)行說明。實施方式4所涉及的高頻元器件41是前面的實施方式3所涉及的高頻元器件的變形例。
[0092]圖7是實施方式4所涉及的高頻元器件41的分解立體圖。圖8(A)是示意表示在高頻元器件41中從橫向電感器LI?L4的第2端SB到第I端SA，層間連接導(dǎo)體及線狀導(dǎo)體延伸的方向的立體圖。圖8(B)是高頻元器件41的剖視圖，表示與層疊體42的正面及背面平行的面上的層疊體42的截面。
[0093]如圖7所示，高頻元器件41的平面導(dǎo)體44C及平面導(dǎo)體43E的形狀、平面導(dǎo)體45C及平面導(dǎo)體44E的形狀與前面的實施方式3所涉及的形狀不同，各個平面導(dǎo)體中的與層間連接導(dǎo)體相連接的連接位置變更到層疊體42的中心側(cè)。
[0094]此外，構(gòu)成橫向電感器L2的線狀導(dǎo)體441F、442F、44G、441H、442H、443H的形狀、構(gòu)成橫向電感器L3的線狀導(dǎo)體451F、452F、45G、451H、452H、453H的形狀與前面的實施方式3所涉及的形狀不同。具體而言，橫向電感器L2從位于層疊體42的右側(cè)面?zhèn)鹊牡贗端SA起到位于層疊體42的左側(cè)面?zhèn)鹊牡?端SB構(gòu)成左螺紋狀(左螺旋狀)。此外，橫向電感器L3從位于層疊體42的左側(cè)面?zhèn)鹊牡贗端SA起到位于層疊體42的右側(cè)面?zhèn)鹊牡?端SB構(gòu)成右螺紋狀(右螺旋狀)。此外，構(gòu)成橫向電感器L2、L3的輸入輸出端子P1、P2側(cè)的第I端SA、接地導(dǎo)體側(cè)的第2端SB的層間連接導(dǎo)體的位置相互交換。
[0095]因此，即使是該結(jié)構(gòu)，橫向電感器LI?L4中相鄰的各組橫向電感器彼此也卷繞成從輸入輸出端子P1、P2側(cè)的第I端SA到接地導(dǎo)體43B側(cè)的第2端SB，線狀導(dǎo)體及層間連接導(dǎo)體延伸的方向為相同方向，并在相互的磁通得到增強(qiáng)的方向上進(jìn)行感應(yīng)耦合(正耦合)。
[0096]然而，在該高頻元器件41中，對于橫向電感器LI和橫向電感器L2，將橫向電感器LI的第I端SA與橫向電感器L2的第2端SB接近配置。此外，對于橫向電感器L3和橫向電感器L4，也將橫向電感器L4的第I端SA與橫向電感器L3的第2端SB接近配置。因此，對于這些橫向電感器LI和L2之間以及橫向電感器L3和L4之間的感應(yīng)耦合，既不是使第2端SB彼此之間接近時的緊耦合，也不是使第I端SA彼此之間接近時的松耦合，而是緊耦合和松耦合的中間強(qiáng)度的耦合度(中間耦合)。
[0097]另一方面，對于橫向電感器L2和橫向電感器L3,使各自的輸入輸出端子P1、P2側(cè)的第I端SA彼此接近。因此，在橫向電感器L2和L3之間的感應(yīng)耦合為松耦合。因此，在該高頻元器件41中，橫向電感器L1、橫向電感器L2、橫向電感器L3及橫向電感器L4中，相鄰的橫向電感器之間的感應(yīng)耦合從橫向電感器LI側(cè)起到橫向電感器L4側(cè)依次為中間耦合、松耦合、中間耦合。
[0098]如上所述，也可以構(gòu)成使四級諧振電路LCl?LC4在輸入輸出端子Pl和P2之間進(jìn)行耦合的帶通濾波器。在這樣的帶通濾波器中，也能通過確定層疊體內(nèi)部的橫向電感器LI?L4的兩端SA、SB的方向來確定相鄰的橫向電感器LI?L4之間的感應(yīng)耦合的耦合度，能容易地調(diào)節(jié)濾波電路中的衰減極點(diǎn)和頻帶寬度。
[0099]接下來，對實施方式3所涉及的高頻元器件31、實施方式4所涉及的高頻元器件41各自的濾波特性(通頻帶特性)進(jìn)行說明。
[0100]圖9(A)是舉例示出高頻元器件31中的濾波特性的圖。此外，圖9(B)是舉例示出高頻元器件41中的濾波特性的圖。
[0101]如上所述，高頻元器件31中，使輸入輸出級的諧振電路LC1、LC4與中間級的諧振電路LC2、LC3之間的感應(yīng)耦合為松耦合，使中間級的諧振電路LC2和LC3彼此之間的感應(yīng)耦合為緊耦合。如該高頻元器件31那樣，在具備包含輸入輸出級的并聯(lián)諧振電路和二級以上的中間級的并聯(lián)諧振電路的、四級以上的并聯(lián)諧振電路的帶通濾波器中，通過使中間級的并聯(lián)諧振電路彼此之間的感應(yīng)耦合為緊耦合，能擴(kuò)大濾波特性(通頻帶特性)中的頻帶覽度。
[0102]此外，高頻元器件41中，使輸入輸出級的諧振電路LC1、LC4與中間級的諧振電路LC2、LC3之間的感應(yīng)耦合為既不是緊耦合也不是松耦合的中間耦合，使中間級的諧振電路LC2和LC3彼此之間的感應(yīng)耦合為松耦合。如該高頻元器件41那樣，在具備包含輸入輸出級的并聯(lián)諧振電路和二級以上的中間級的并聯(lián)諧振電路的、四級以上的并聯(lián)諧振電路的帶通濾波器中，通過使中間級的并聯(lián)諧振電路彼此之間的感應(yīng)耦合為松耦合，能使濾波特性(通頻帶特性)中的頻帶寬度變得狹窄。
[0103]接下來，對本發(fā)明的實施方式5所涉及的高頻元器件51進(jìn)行說明。實施方式5所涉及的高頻元器件51是前面的實施方式3所涉及的高頻元器件的變形例。
[0104]圖10 (A)是示意表示在高頻元器件51中從橫向電感器LI?L4的第2端SB到第I端SA，層間連接導(dǎo)體及線狀導(dǎo)體延伸的方向的立體圖。
[0105]高頻元器件51在構(gòu)成輸入輸出級的并聯(lián)諧振電路的橫向電感器LI和橫向電感器L4中，使輸入輸出端子P1、P2側(cè)的第I端SA的位置、接地導(dǎo)體側(cè)的第2端SB的位置構(gòu)成為與前面的實施方式3所涉及的高頻元器件相反。
[0106]在該結(jié)構(gòu)中，如圖10(A)中的箭頭所示，橫向電感器L2和橫向電感器L3卷繞成從第I端SA側(cè)到第2端SB側(cè)，線狀導(dǎo)體及層間連接導(dǎo)體延伸的方向為相同方向，并在相互的磁通得到增強(qiáng)的方向上進(jìn)行感應(yīng)耦合(正耦合)。此外，使橫向電感器L2和橫向電感器L3的第2端SB彼此接近，因此，橫向電感器L2和橫向電感器L3之間的感應(yīng)耦合的耦合度有所提聞。
[0107]另一方面，橫向電感器LI和橫向電感器L2卷繞成從第I端SA側(cè)到第2端SB側(cè)，線狀導(dǎo)體及層間連接導(dǎo)體延伸的方向為相反方向，并在相互的磁通減弱的方向上進(jìn)行感應(yīng)率禹合(負(fù)I禹合)。此外，對于橫向電感器LI和橫向電感器L2，由于將橫向電感器LI的第I端SA與橫向電感器L2的第2端SB接近配置，因此，以緊耦合和松耦合的中間強(qiáng)度的耦合度進(jìn)行感應(yīng)耦合(中間耦合)。同樣，橫向電感器L4和橫向電感器L3卷繞成從第I端SA側(cè)到第2端SB側(cè)，線狀導(dǎo)體及層間連接導(dǎo)體延伸的方向為相反方向，并在相互的磁通減弱的方向上進(jìn)行感應(yīng)I禹合(負(fù)I禹合)。然后，對于橫向電感器L4和橫向電感器L3，由于將橫向電感器L4的第I端SA與橫向電感器L3的第2端SB接近配置，因此，以緊耦合和松耦合的中間強(qiáng)度的耦合度進(jìn)行感應(yīng)耦合(中間耦合)。
[0108]圖10(B)是舉例示出高頻元器件51中的濾波特性的圖。
[0109]如上所述，高頻元器件51沒有改變中間級的諧振電路LC2和LC3彼此之間的耦合，而是使輸入輸出級的諧振電路LC1、LC4與中間級的諧振電路LC2、LC3之間的感應(yīng)耦合為負(fù)耦合，且為中間耦合。通常，在具備四級以上的并聯(lián)諧振電路的帶通濾波器中，通頻帶寬度受中間級的并聯(lián)諧振電路彼此之間的感應(yīng)耦合的耦合度的影響較大，受輸入輸出級的并聯(lián)諧振電路和中間級的并聯(lián)諧振電路之間的感應(yīng)耦合的耦合度的影響較為輕微。因此，高頻元器件51的濾波特性(通頻帶特性)中的頻帶寬度與前面的實施方式3所涉及的高頻元器件相比沒有大的變化。
[0110]不過，輸入輸出級的并聯(lián)諧振電路和中間級的并聯(lián)諧振電路之間的感應(yīng)耦合從正耦合變更為負(fù)耦合，因此，輸入輸出級的并聯(lián)諧振電路和中間級的并聯(lián)諧振電路之間的耦合中，電容性的偏置有所增強(qiáng)。因此，設(shè)置在輸入輸出級的并聯(lián)諧振電路和中間級的并聯(lián)諧振電路之間的耦合用電容器具有更小的電容即可。因此，能降低耦合用電容器的電極面積，或者僅利用輸入輸出級的并聯(lián)諧振電路和中間級的并聯(lián)諧振電路之間產(chǎn)生的電容來實現(xiàn)耦合用電容器。由此，能削減用于設(shè)置耦合用電容器的制造工序、以及在層疊體內(nèi)部的設(shè)置空間，使高頻元器件51小型、廉價。
[0111]另外，在前面的實施方式4所涉及的結(jié)構(gòu)中，也同樣可以使構(gòu)成輸入輸出級的并聯(lián)諧振電路的諧振電感器的第I端SA和第2端SB進(jìn)行互換。在此情況下，也同樣能在沒有較大地改變?yōu)V波特性(通頻帶特性)中的頻帶寬度的情況下，使輸入輸出級的并聯(lián)諧振電路和中間級的并聯(lián)諧振電路之間的耦合用電容器具有更小的電容。
[0112]接下來，對本發(fā)明的實施方式6所涉及的高頻元器件61進(jìn)行說明。實施方式6所涉及的高頻元器件61是前面的實施方式3所涉及的高頻元器件的變形例。
[0113]圖1l(A)是高頻元器件61的側(cè)剖視圖，表示與層疊體的正面及背面平行的面上的層疊體的截面。
[0114]高頻元器件61與前面的實施方式3所涉及的高頻元器件的不同之處在于，在構(gòu)成中間級的并聯(lián)諧振電路的橫向電感器L2和橫向電感器L3之間設(shè)有用于增強(qiáng)兩者的感應(yīng)耦合的短路用導(dǎo)體63。短路用導(dǎo)體63作為對橫向電感器L2的接地導(dǎo)體側(cè)的第2端SB和橫向電感器L3的接地導(dǎo)體側(cè)的第2端SB之間進(jìn)行連接的線狀導(dǎo)體而形成。通過設(shè)置這樣的短路用導(dǎo)體63，能增強(qiáng)橫向電感器L2和橫向電感器L3之間的感應(yīng)耦合。該結(jié)構(gòu)并不限于本實施方式，也可以在其他實施方式中采用。
[0115]圖1l(B)是舉例示出高頻元器件61中的濾波特性的圖。
[0116]如上所述，高頻元器件61通過設(shè)置短路用導(dǎo)體63，能增強(qiáng)橫向電感器L2和橫向電感器L3之間的感應(yīng)耦合。因此，在該高頻元器件61中，相比前面的實施方式3所涉及的高頻元器件，能更加擴(kuò)大濾波特性(通頻帶特性)中的頻帶寬度。
[0117]另外，在前面的實施方式4所涉及的結(jié)構(gòu)中，如果設(shè)置短路用導(dǎo)體來增強(qiáng)中間級的并聯(lián)諧振電路之間的感應(yīng)耦合，則同樣能擴(kuò)大濾波特性(通頻帶特性)中的頻帶寬度。
[0118]接下來，對本發(fā)明的實施方式7所涉及的高頻元器件71進(jìn)行說明。實施方式7所涉及的高頻元器件71是前面的實施方式3所涉及的高頻元器件的變形例。
[0119]圖12(A)是高頻元器件71的側(cè)剖視圖，表示與層疊體的正面及背面平行的面上的層疊體的截面。
[0120]高頻元器件71與前面的實施方式3所涉及的高頻元器件的不同之處在于，在構(gòu)成中間級的并聯(lián)諧振電路的橫向電感器L2和橫向電感器L3之間，為了抑制兩者的感應(yīng)耦合而設(shè)置由平面導(dǎo)體形成的耦合用電容器C23。耦合用電容器C23通過在分別與橫向電感器L2的接地導(dǎo)體側(cè)的第2端SB、橫向電感器L3的接地導(dǎo)體側(cè)的第2端SB相連接的平面導(dǎo)體之間夾設(shè)絕緣層而構(gòu)成。通過設(shè)置由這樣的平面導(dǎo)體形成的耦合用電容器C23，能增大耦合用電容器C23的電容，相對于中間級的并聯(lián)諧振電路彼此之間的耦合，能增強(qiáng)電容性的偏置。該結(jié)構(gòu)并不限于本實施方式，也可以在其他實施方式中采用。
[0121]圖12(B)是舉例示出高頻元器件71中的濾波特性的圖。
[0122]如上所述，高頻元器件71通過設(shè)置由平面導(dǎo)體形成的耦合用電容器C23，能增大耦合用電容器C23的電容，相對于中間級的并聯(lián)諧振電路彼此之間的耦合，能增強(qiáng)電容性的偏置。因此，在該高頻元器件71中，能使濾波特性(通頻帶特性)中的頻帶寬度相比前面的實施方式3所涉及的高頻元器件的頻帶寬度更為狹窄。
[0123]另外，在前面的實施方式4所涉及的結(jié)構(gòu)中，如果設(shè)置由平面導(dǎo)體形成的耦合用電容器來增強(qiáng)中間級的并聯(lián)諧振電路之間的電容耦合，則也同樣能使濾波特性(通頻帶特性)中的頻帶寬度變得狹窄。
[0124]接下來，對本發(fā)明的實施方式8所涉及的高頻元器件81進(jìn)行說明。實施方式8所涉及的高頻元器件81是前面的實施方式3所涉及的高頻元器件的變形例。
[0125]圖13(A)是高頻元器件81的等效電路圖。
[0126]高頻元器件81在輸入級的諧振電路LCl和輸出級的諧振電路LC4之間設(shè)有跳躍耦合用的電容器C14這方面與前面的實施方式3所涉及的高頻元器件不同。通過設(shè)置這樣的跳躍耦合用的電容器C14，能增加衰減極點(diǎn)來設(shè)定濾波特性。該結(jié)構(gòu)并不限于本實施方式，也可以在其他實施方式中采用。
[0127]圖13(B)是舉例示出高頻元器件81中的濾波特性的圖。
[0128]如上所述，高頻元器件81通過設(shè)置跳躍耦合用的電容器C14，在濾波特性中，能在通頻帶的低頻側(cè)增加衰減極點(diǎn)，由此，能容易地實現(xiàn)所希望的通過特性。
[0129]另外，在前面的實施方式4所涉及的結(jié)構(gòu)中，如果設(shè)置跳躍耦合用的電容器，則也同樣能增加衰減極點(diǎn)，容易地實現(xiàn)所希望的通過特性。
[0130]接下來，對本發(fā)明的實施方式9所涉及的高頻元器件91進(jìn)行說明。實施方式9所涉及的高頻元器件91是前面的實施方式3所涉及的高頻元器件的變形例。
[0131]圖14是實施方式9所涉及的高頻元器件91的分解俯視圖。與圖5相比較可知，圖5的形成在絕緣層32F上的導(dǎo)體圖案在圖14中由形成在絕緣層32F1及絕緣層32F2這兩層上的導(dǎo)體圖案構(gòu)成，在上述兩層導(dǎo)體圖案中，相對的各個線狀導(dǎo)體彼此之間并聯(lián)連接。同樣，圖5的形成在絕緣層32G上的導(dǎo)體圖案在圖14中由形成在絕緣層32G1及絕緣層32G2這兩層上的導(dǎo)體圖案構(gòu)成，在上述兩層導(dǎo)體圖案中，相對的各個線狀導(dǎo)體彼此之間并聯(lián)連接。此外，圖5的形成在絕緣層32H上的導(dǎo)體圖案在圖14中由形成在絕緣層32H1及絕緣層32H2這兩層上的導(dǎo)體圖案構(gòu)成，在上述兩層導(dǎo)體圖案中，相對的各個線狀導(dǎo)體彼此之間并聯(lián)連接。
[0132]這樣，在橫向電感器LI?L4中，各自的構(gòu)成相同匝數(shù)并在層疊方向上接近的兩個線狀導(dǎo)體通過層間連接導(dǎo)體并聯(lián)連接，因此，通過使構(gòu)成橫向電感器的線狀導(dǎo)體多層化，由此，能增加線狀導(dǎo)體的實際截面積，降低布線電阻。由此，能提高橫向電感器LI?L4各自構(gòu)成的諧振電路LCl?LC4的Q值。
[0133]另外，也可以不使所有的線狀導(dǎo)體多層化，僅使其中任一個線狀導(dǎo)體多層化。此夕卜，使線狀導(dǎo)體多層化的結(jié)構(gòu)并不限于本實施方式，也可以在其他實施方式中采用。總之，能增加線狀導(dǎo)體的實際截面積來降低布線電阻，因此，能提高橫向電感器所構(gòu)成的并聯(lián)諧振電路的Q值。
[0134]接下來，對本發(fā)明的實施方式10所涉及的高頻元器件101進(jìn)行說明。實施方式10所涉及的高頻元器件101是前面的實施方式3所涉及的高頻元器件的變形例。
[0135]圖15是實施方式10所涉及的高頻元器件101的分解俯視圖。
[0136]高頻元器件101具備電感器L0、L5。電感器L0、L5由在絕緣體層102G的表面上進(jìn)行多次環(huán)繞而螺旋狀設(shè)置的線狀導(dǎo)體構(gòu)成。在圖4示出的等效電路中，電感器LO串聯(lián)連接在輸入端子Pl和諧振電路LCl之間。在圖4示出的等效電路中，電感器L5串聯(lián)連接在輸出端子P2和諧振電路LC4之間。在圖15中，僅表示了與電感器L0、L5相連接的通孔導(dǎo)體，對其它通孔導(dǎo)體省略了表示。對于由其它通孔導(dǎo)體形成的布線結(jié)構(gòu)，與前面的實施方式3所涉及的高頻元器件(圖5)相同。這些電感器L0、L5實現(xiàn)經(jīng)由輸入輸出端子P1、P2的感應(yīng)性的外部耦合。
[0137]電感器L0、L5也可以配置在橫向電感器LI?L4的卷繞范圍的外側(cè)，但此處配置在橫向電感器LI?L4的卷繞范圍的內(nèi)側(cè)。由此，在橫向電感器LI?L4的卷繞范圍的外側(cè)不需要用于設(shè)置電感器L0、L5的設(shè)置空間，能使層疊體小型地構(gòu)成。
[0138]另外，不僅將電感器L0、L5那樣的、經(jīng)由輸入輸出端子P1、P2實現(xiàn)感應(yīng)性的外部耦合的電感器，還可以將用于實現(xiàn)電容性的外部耦合的電容器、使并聯(lián)諧振電路之間進(jìn)行電容耦合的耦合用電容器、強(qiáng)化并聯(lián)諧振電路之間的感應(yīng)耦合的耦合用電感器等配置在橫向電感器LI?L4的卷繞范圍的內(nèi)側(cè)。
[0139]此外，將其它電感器、電容器配置在橫向電感器的卷繞范圍的內(nèi)側(cè)的結(jié)構(gòu)并不限于本實施方式，也可以在其他實施方式中采用?？傊跈M向電感器LI?L4的卷繞范圍的外側(cè)不需要用于設(shè)置這些電感器、電容器的設(shè)置空間，能使層疊體小型地構(gòu)成。
[0140]另外，本發(fā)明的高頻元器件并不限于上述各實施方式中示出的諧振電路的級數(shù)，也可以由更多的諧振電路、或更少的諧振電路構(gòu)成。此外，作為高頻元器件，除了構(gòu)成帶通濾波器以外，也可以構(gòu)成高通濾波器、低通濾波器、帶阻濾波器等，只要具備至少一個LC諧振電路，可以設(shè)置任意的電路結(jié)構(gòu)。此外，在上述任一實施方式中，諧振電路與輸入輸出端子的外部耦合也可以通過經(jīng)由電感器的感應(yīng)耦合來實現(xiàn)，或者通過經(jīng)由電容器的電容耦合來實現(xiàn)，或者通過利用直接布線的抽頭耦合來實現(xiàn)。而且，優(yōu)選為采用至少實現(xiàn)一個緊耦合或松耦合的配置，多級LC諧振電路的感應(yīng)耦合中的耦合度的組合并不限于上述情況。此夕卜，感應(yīng)耦合既可以是正耦合也可以是負(fù)耦合，多級LC諧振電路的感應(yīng)耦合中的正耦合與負(fù)耦合的組合也不限于上述情況。
[0141]另外，在構(gòu)成至少包含輸入輸出級和中間級的多級LC諧振電路的情況下，優(yōu)選為使構(gòu)成中間級的LC諧振電路的橫向電感器的線狀導(dǎo)體的寬度比構(gòu)成輸入輸出級的LC諧振電路的橫向電感器的線狀導(dǎo)體的寬度要寬，從而成為低電阻。由此，尤其能提高形成在中間級的橫向電感器的Q值，較大地改善插入損耗。
標(biāo)號說明
[0142]CA…卷繞軸SA、SB…端部
11、21、31、41、51、61、71、81、91、101...高頻元器件
12、22、32、42…層疊體13A、13B、23A、23B…輸入輸出端子13C、23C、34A…接地端子14A、14B、24A、24B…橫向電感器15A、15B、25A、25B …電容器19、29、33B、43B…接地導(dǎo)體
32A、32B、32C、32D、32E、32F、32G、32H、32J …絕緣層63…短路用導(dǎo)體
【權(quán)利要求】
1.一種高頻元器件，該高頻元器件包括:層疊體，該層疊體通過將多個絕緣層進(jìn)行層疊而構(gòu)成；平面導(dǎo)體，該平面導(dǎo)體沿著所述絕緣層的表面擴(kuò)展；線狀導(dǎo)體，該線狀導(dǎo)體沿著所述絕緣層的表面延伸；以及層間連接導(dǎo)體，該層間連接導(dǎo)體貫通所述絕緣層，其特征在于， 構(gòu)成有橫向電感器，該橫向電感器具有第I端和第2端，并通過連接于所述第I端和所述第2端之間的所述線狀導(dǎo)體及所述層間連接導(dǎo)體將以與所述層疊體的層疊方向正交的方向作為卷繞軸方向， 通過與所述橫向電感器的第I端相連接的第I平面導(dǎo)體、與所述橫向電感器的第2端相連接的第2平面導(dǎo)體、以及夾設(shè)在所述第I平面導(dǎo)體和所述第2平面導(dǎo)體之間的所述絕緣層構(gòu)成電容器， 所述橫向電感器呈沿著所述卷繞軸方向卷繞至少多于一匝的螺旋狀。
2.如權(quán)利要求1所述的高頻元器件，其特征在于，由所述橫向電感器及所述電容器形成的LC諧振電路構(gòu)成有多個， 多個LC諧振電路各自的橫向電感器的所述卷繞軸方向相互平行， 在所述卷繞軸方向觀察時，由所述線狀導(dǎo)體和所述層間連接導(dǎo)體形成的卷繞范圍至少一部分重合。
3.如權(quán)利要求2所述的高頻元器件，其特征在于，具備形成在所述層疊體的外表面的輸入輸出端子及接地端子， 在所述卷繞軸方向上相鄰的至少一組所述橫向電感器各自的第I端與所述輸入輸出端子相連接，各自的第2端與所述接地端子相連接，在所述層疊體的內(nèi)部，所述第2端彼此接近。
4.如權(quán)利要求2所述的高頻元器件，其特征在于，具備形成在所述層疊體的外表面的輸入輸出端子及接地端子， 在所述卷繞軸方向上相鄰的至少一組所述橫向電感器各自的第I端與所述輸入輸出端子相連接，各自的第2端與所述接地端子相連接，在所述層疊體的內(nèi)部，所述第I端彼此接近。
5.如權(quán)利要求1至4的任一項所述的高頻元器件，其特征在于，所述第I平面導(dǎo)體或所述第2平面導(dǎo)體設(shè)置在與作為所述橫向電感器的一部分的所述線狀導(dǎo)體相同的絕緣層表面上。
6.如權(quán)利要求1至4的任一項所述的高頻元器件，其特征在于，所述第2平面導(dǎo)體是與所述接地端子導(dǎo)通的接地導(dǎo)體，并設(shè)置在與所述橫向電感器相對的位置上， 所述第I平面導(dǎo)體設(shè)置在所述層疊體內(nèi)的所述橫向電感器與所述第2平面導(dǎo)體之間。
7.如權(quán)利要求1至6的任一項所述的高頻元器件，其特征在于，所述高頻元器件還具備使所述多個LC諧振電路之間或所述輸入輸出端子與所述LC諧振電路之間進(jìn)行耦合的耦合用電感器或耦合用電容器。
8.如權(quán)利要求7所述的高頻元器件，其特征在于，在所述卷繞軸方向觀察時，所述耦合用電容器或所述耦合用電感器設(shè)置在所述橫向電感器的卷繞范圍的內(nèi)側(cè)。
9.如權(quán)利要求1至8的任一項所述的高頻元器件，其特征在于，作為所述橫向電感器的一部分的所述線狀導(dǎo)體形成在多個絕緣層上的、在所述層疊體的層疊方向觀察時相重合的位置上，多個所述線狀導(dǎo)體通過所述層間連接導(dǎo)體并聯(lián)連接。
10.如權(quán)利要求1至9的任一項所述的高頻元器件，其特征在于，位于所述第I平面導(dǎo)體及所述第2平面導(dǎo)體之間的絕緣層的相對介電常數(shù)比其它絕緣層要大。
【文檔編號】H03H7/12GK104426496SQ201410406006
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2014年8月18日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月28日
【發(fā)明者】今村光利 申請人:株式會社村田制作所