專利名稱：層狀結(jié)構(gòu)低壓ZnO壓敏電阻器制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種層狀結(jié)構(gòu)低壓ZnO壓敏電阻器，屬于電器元件 及其材料制造技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
低壓ZnO壓敏電阻是八十年代國外率先研究發(fā)展起來的。低壓 ZnO壓敏電阻具有低壓敏電壓和高介電系數(shù)雙優(yōu)特性，耐浪涌能力也很強，更 重要的是其工藝簡單，不要在高溫下還原燒成，而且燒結(jié)溫度較低，使成本大 大降低，它具有造價低廉、非歐姆特性優(yōu)良、響應(yīng)時間快、漏電流小、通流容 量大等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備和電力系統(tǒng)以及其它領(lǐng)域。隨著電子產(chǎn)品的 小型化、集成化，對低壓壓敏電阻的需求量愈來愈大，是一種很有發(fā)展前途的 復(fù)合功能電阻元件。
降低壓敏電壓的一般有兩種主要方法， 一是通過改變外型尺寸及工藝方法減 少壓敏元件的厚度以達到降低壓敏電壓的目的；二是尋找低壓配方，開發(fā)新型 低壓ZnO壓敏電阻材料體系，降低晶界的擊穿電壓。近年來，ZnO壓敏電阻器 釆用了疊層片式技術(shù)，可制造非歐姆特性好的低壓ZnO壓敏電阻器，產(chǎn)品的通 流能力也不會下降，疊片式ZnO壓敏電阻綜合性能較好，但是對工裝設(shè)備及工 藝要求極高，投資巨大。
國內(nèi)外做的比較成熟的性能理想的壓敏陶瓷電阻主要是疊層片式，工藝較 復(fù)雜，生產(chǎn)成本髙，而層狀結(jié)構(gòu)低壓ZnO壓敏電阻器制造方法的研究未見相關(guān) 的報道。
目前，對低壓ZnO壓敏電阻生產(chǎn)方法的研究主要有厚膜、疊層片式以及尋 找更佳配方等方面。但厚膜畢竟較薄，電阻片的耐浪涌能力自然會隨厚度的減 小而降低，同時，漏電流增大，這樣就降低了電阻片的功效，使其不能發(fā)揮應(yīng) 有的功能；疊層片式閥片雖然性能理想，但工藝復(fù)雜，造價高，生產(chǎn)成品率較
低；低壓壓敏更理想配方研究近年未有大的發(fā)展等。因此，非常需要有新的、
性能好、工藝相對簡單，造價低的低壓ZnO壓敏陶瓷電阻，以使其特有的優(yōu)越 的電性能更好地為工業(yè)所利用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)之不足，提供一種層狀結(jié)構(gòu)低壓 ZnO壓敏陶瓷材料的制造方法及其制造的電阻，應(yīng)用層狀結(jié)構(gòu)方式制造低壓 ZnO系壓敏陶瓷材料，制作工藝也相對簡單，同時可提高低壓ZnO系壓敏陶 瓷電阻的電性能。
本發(fā)明的技術(shù)方案是層狀結(jié)構(gòu)低壓ZnO壓敏陶瓷材料的制造方法是，先 用ZnO加上從一組摻雜元素Al、 Fe、 Eu、 Pr、 La、 Bi、 Ce、 Nd、 B、 Si、 Mn、 Cr、 Co、 Pb、 Ti、納米ZnO中任選的氧化物粉(如Eu203、 Si02、 PbO、納米ZnO等)組成第一組混合原料，然后將該原料在球磨罐中、加入水和酒精研磨 混合3 6小時；將球磨好的料漿干燥、過篩后(可放在干燥箱里烘干，然后過 280-350目標(biāo)準(zhǔn)篩)，在一定壓力下壓制成塊，600 750。C進行預(yù)燒，再次研細 后放入球磨罐中加水和酒精研磨8~12小時；將球磨好的料漿干燥、過篩后進 行造粒，將干燥后的粉料加入適量的聚乙烯醇水溶液，形狀如魚鱗狀即表示混 合均勻時，再過40 55目標(biāo)準(zhǔn)篩，用50 150Mpa壓力預(yù)壓成塊，然后打碎， 再次過40-55目標(biāo)準(zhǔn)篩，得到一定粒度而且均勻分布的第一組混合原料粉料； 另一組混合原料的ZnO不添加元素或從Al、 Ti、 Fe、 Nd、 B、 Si、 Mn、 Cr、 Co、 V的氧化物中選擇一部分摻入，使用和前一組相同的工藝處理，得到均勻分布 的第二組混合原料粉料。接著將兩組粉料再用50 150Mpa的壓力將各占百分 之五十的體積比逐層裝模并壓制成小圓片或小環(huán)形片；然后將成型的壓制片逐 漸加熱，在600 72(TC保溫20-30分鐘，進行排膠(可放在電阻爐中進行，將 加入的有機塑化劑排出，并使之具有一定的機械強度，為樣品的燒結(jié)創(chuàng)造條件)， 再在950 ~ 120(TC加熱燒結(jié)并保溫1 ~ 3小時(可放到管式電阻爐中進行)；最后 將燒結(jié)好的燒結(jié)體(隨爐)冷卻到室溫，得到層狀結(jié)構(gòu)低壓ZnO壓敏電阻器。
將燒結(jié)得到的低壓ZnO壓敏陶瓷材料進行表面加工，然后被電極，在600 ~ 80(TC下燒銀，經(jīng)測試后封裝，即可得到納米改性低壓ZnO壓敏電阻。在第一 組混合原料中，使用Pr、 La、 Pb、 Ba、 Bi、 V ^J氧化物時摻雜量摩爾百分比為 0.5~6%,而使用其它摻雜氧化物時所占的摩爾百分比為6.5-10% (根據(jù)實際需 要確定)；而在第二組混合原料中，只加入A1、 Ti、 Fe、 Nd、 B、 Si、 Mn、 Cr、 Co、 V的氧化物時摻雜量摩爾百分比為0.5 6。/。(根據(jù)實際需要確定)。
在第二組混合原料中，選擇摻雜Pr、 La、 Pb、 Ba、 Bi、 V的氧化物的粉料， 用于制備層狀結(jié)構(gòu)電阻器的低壓高非線性層；而不摻雜或只添加A1、 Ti、 Fe、 Nd、 B、 Si、 Mn、 Cr、 Co的氧化物中部分元素的ZnO粉料，用于制備層狀結(jié) 構(gòu)電阻器的低電阻層。
用該方法制造的低壓ZnO壓敏陶瓷材料或電阻，其壓敏電壓和漏電流隨著 燒結(jié)溫度的升高而降低、非線性系數(shù)隨著燒結(jié)溫度的升高而增大、介電損耗隨 燒結(jié)溫度的升高而降低，可依此總趨勢來確定具體的制備低壓ZnO壓敏電阻本 其壓敏，使其電壓V^^為8~40V/mm,非線性系數(shù)a大于20，漏電流乙為0.15 ~ 0.30mA，介電常數(shù)為3 x I04~7x 104，介電損耗值tan5為0.2 ~ 0.5。。
本發(fā)明的有益效果是層狀結(jié)構(gòu)低壓ZnO利用納米ZnO的特性，使ZnO 晶粒在合適的燒結(jié)溫度下得到充分的長大，性能穩(wěn)定，工藝簡單，克服了國內(nèi) 外疊層片式ZnO壓敏陶瓷電阻制作工藝復(fù)雜、性能不穩(wěn)定等缺點，同時要求的 指標(biāo)也實現(xiàn)了低壓化，使低壓ZnO壓敏具有電壓隨燒結(jié)溫度升高而降低，非線 性系數(shù)隨燒結(jié)溫度升高而升高的總趨勢；用本發(fā)明的工藝制造的壓敏陶瓷電阻，由于摻雜元素在低壓ZnO基體表面析出，且分布均勻，因此，還具有重復(fù)性、 穩(wěn)定性、 一致性好，電參數(shù)值有顯著改進的優(yōu)點；本發(fā)明可基本利用ZnO壓敏 電阻常規(guī)生產(chǎn)設(shè)備及工藝，不需要改變傳統(tǒng)的壓敏電阻工藝生產(chǎn)線，投資較小， 能滿足巿場對低壓化的需求，具有極大的巿場潛力。


圖l為本發(fā)明的工藝流程圖
圖2為本發(fā)明實施例5的V與a隨Ts的變化關(guān)系圖， 圖3為本發(fā)明實施例5的e與tanS隨Ts的變化關(guān)系圖，
具體實施例方式下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步說明。 實施例1:如圖l所示，該層狀結(jié)構(gòu)低壓ZnO壓敏陶瓷的制造方法是，先 用ZnO粉，按摩爾比加上0.5%的Ti02、 0.3。/。的Si02、 0.7%的0203、 5%的 PbO、 2%的8203、 5%的納米ZnO粉組成混合原料一，然后將該原料在行 星式球磨機中、加入水和酒精研磨混合3小時；將球磨好的料漿干燥、過篩后 (放在干燥箱里6(TC烘干，然后過320目標(biāo)準(zhǔn)篩)，在一定壓力下壓制成塊， 600 75(TC進行預(yù)燒，再次研細后放入球磨罐中加水和酒精研磨8 12小時；將 球磨好的料漿干燥、進行造粒(將干燥后的粉料加入適量7%的PVA水溶液， 形狀如魚鱗狀即表示混合均勻時，再過40目標(biāo)準(zhǔn)篩，用50Mpa壓力預(yù)壓成塊， 然后打碎，再次過45目標(biāo)準(zhǔn)篩)，得到一定粒度而且均勻分布的粉料一；將ZnO 粉料在不添加任何添加劑的情況下作為粉料二；用150Mpa的壓力將粉料一、 二分別按百分之五十的體積比例放入模具，壓制成小圓片((p=13mm, d = 1.5mm);然后將成型的壓制片逐漸加熱到680'C后保溫30分鐘(放在電阻爐中 進行)，進行排膠(將加入的有機塑化劑排出，并使之具有一定的機械強度，為 樣品的燒結(jié)創(chuàng)造條件)，再在110(TC加熱燒結(jié)并保溫2小時(放到管式電阻爐中 進行)；最后將燒結(jié)好的燒結(jié)體(隨爐)冷卻到室溫，得到層狀結(jié)構(gòu)低壓ZnO 壓敏陶瓷材料。
將燒結(jié)得到的低壓ZnO壓敏陶瓷材料進行表面加工，然后被電極，在600°C 下燒銀，經(jīng)測試后封裝，即可得到層狀結(jié)構(gòu)低壓ZnO壓敏電阻。
用該方法制造的層狀結(jié)構(gòu)低壓ZnO壓敏陶瓷材料或電阻，具有電容-壓敏 雙功能特性，其壓敏電壓和漏電流隨著燒結(jié)溫度的升高而降低，非線性系數(shù)和 介電常數(shù)隨著燒結(jié)溫度的升高而增大，介電損耗也有隨燒結(jié)溫度的升高而降低 的總趨勢；其壓敏電壓V,mA為26V/mm,非線性系數(shù)a為22，漏電流IL為0.15mA， 介電常數(shù)為6.7xl04，介電損耗值tanS為0.2。
實施例2:如圖l所示，該層狀結(jié)構(gòu)低壓ZnO壓敏陶瓷的制造方法是，先 用ZnO粉，按摩爾比加上0.5%的Ti02、 0.4。/c的Si02、 0.5%的0203、 5%的PbO、 2%的8203、 8%的納米ZnO粉組成混合原料一，然后將該原料在行 星式球磨機中、加入水和酒精研磨混合3小時；將球磨好的料漿干燥、過篩后 (放在干燥箱里60'C烘干，然后過320目標(biāo)準(zhǔn)篩)，在一定壓力下壓制成塊， 600 75(TC進行預(yù)燒，再次研細后放入球磨罐中加水和酒精研磨8 12小時；將 球磨好的料漿干燥、進行造粒(將干燥后的粉料加入適量7%的PVA水溶液， 形狀如魚鱗狀即表示混合均勻時，再過40目標(biāo)準(zhǔn)篩，用50Mpa壓力預(yù)壓成塊， 然后打碎，再次過45目標(biāo)準(zhǔn)篩)，得到一定粒度而且均勻分布的粉料一；將ZnO 粉料在不添加任何添加劑的情況下作為粉料二；用150Mpa的壓力將粉料一、 二分別按百分之五十的體積比例放入模具，壓制成小圓片(cp = 13mm, d = 1.5mm);然后將成型的壓制片逐漸加熱到68(TC后保溫30分鐘(放在電阻爐中 進行)，進行排膠(將加入的有機塑化劑排出，并使之具有一定的機械強度，為 樣品的燒結(jié)創(chuàng)造條件)，再在100(TC加熱燒結(jié)并保溫2小時(放到管式電阻爐中 進行)；最后將燒結(jié)好的燒結(jié)體(隨爐)冷卻到室溫，'得到層狀結(jié)構(gòu)低壓ZnO 壓敏陶瓷材料。
將燒結(jié)得到的低壓ZnO壓敏陶瓷材料進行表面加工，然后被電極，在600°C 下燒銀，經(jīng)測試后封裝，即可得到層狀結(jié)構(gòu)低壓ZnO壓敏電阻。
用該方法制造的層狀結(jié)構(gòu)低壓ZnO壓敏陶瓷材料或電阻，其壓敏電壓和漏 電流隨著燒結(jié)溫度的升高而降低，非線性系數(shù)和介電常數(shù)隨著燒結(jié)溫度的升高 而增大，介電損耗也有隨燒結(jié)溫度的升高而降低的總趨勢；其壓敏電壓V^為 20V/mm,非線性系數(shù)a為23，漏電流L為0.15mA,介電常數(shù)為6.5x104，介電 損耗值tan5為0.3。
實施例3:如圖1所示，該層狀結(jié)構(gòu)低壓ZnO壓敏陶瓷的制造方法是，先 用ZnO粉，按摩爾比加上0.5%的Ti02、 0.4。/。的Si02、 0.5%的0203、 5%的 PbO、 2%的8203、 8%的納米ZnO粉組成混合原料一，然后將該原料在行 星式球磨機中、加入水和酒精研磨混合3小時；將球磨好的料漿干燥、過篩后 (放在干燥箱里6(TC烘干，然后過320目標(biāo)準(zhǔn)篩)，在一定壓力下壓制成塊， 600 750。C進行預(yù)燒，再次研細后放入球磨罐中加水和酒精研磨8 12小時；將 球磨好的料漿干燥、進行造粒(將干燥后的粉料加入適量7%的PVA水溶液， 形狀如魚鱗狀即表示混合均勻時，再過40目標(biāo)準(zhǔn)篩，用50Mpa壓力預(yù)壓成塊， 然后打碎，再次過45目標(biāo)準(zhǔn)篩)，得到一定粒度而且均勻分布的粉料一；將ZnO 粉料中加入0.5%的0203情況下作為粉料二；用150Mpa的壓力將粉料一、二 分別按百分之五十的體積比例放入模具，壓制成小圓片(cp = 13mm， d- 1.5mm); 然后將成型的壓制片逐漸加熱到680'C后保溫30分鐘(放在電阻爐中進行)，進 行排膠(將加入的有機塑化劑排出，并使之具有一定的機械強度，為樣品的燒 結(jié)創(chuàng)造條件)，再在115(TC加熱燒結(jié)并保溫2小時(放到管式電阻爐中進行)；最后將燒結(jié)好的燒結(jié)體(隨爐)冷卻到室溫，得到層狀結(jié)構(gòu)低壓ZnO壓敏陶瓷材料。
將燒結(jié)得到的層狀結(jié)構(gòu)低壓ZnO壓敏陶瓷材料進行表面加工,然后被電極， 在60(TC下燒銀，經(jīng)測試后封裝，即可得層狀結(jié)構(gòu)低壓ZnO壓敏電阻。
用該方法制造的層狀結(jié)構(gòu)低壓ZnO壓敏陶瓷材料或電阻，其壓敏電壓和漏 電流隨著燒結(jié)溫度的升高而降低，非線性系數(shù)和介電常數(shù)隨著燒結(jié)溫度的升高 而增大，介電損耗也有隨燒結(jié)溫度的升高而降低的總趨勢；其壓敏電壓V^為 16V/mm,非線性系數(shù)a為27,漏電流^為0.15mA,介電常數(shù)為6.6x104,介電 損耗值tanS為0.2。
實施例4:如圖l所示，該層狀結(jié)構(gòu)低壓ZnO壓敏陶瓷的制造方法是，先 用ZnO粉，按摩爾比加上0.5%的Ti02、 0.4。/。的Si02、 0.5%的0"203、 5%的 PbO、 2%的8203、 8%的納米ZnO粉組成混合原料一，然后將該原料在行 星式球磨機中、加入水和酒精研磨混合3小時；將球磨好的料漿干燥、過篩后 (放在干燥箱里6(TC烘干，然后過320目標(biāo)準(zhǔn)篩)，在一定壓力下壓制成塊， 600 750。C進行預(yù)燒，再次研細后放入球磨罐中加水和酒精研磨8 12小時；將 球磨好的料漿干燥、進行造粒(將干燥后的粉料加入適量7%的PVA水溶液， 形狀如魚鱗狀即表示混合均勻時，再過40目標(biāo)準(zhǔn)篩，用50Mpa壓力預(yù)壓成塊， 然后打碎，再次過45目標(biāo)準(zhǔn)篩)，得到一定粒度而且均勻分布的粉料一；將ZnO 粉料中加入0.5%的^1203情況下作為粉料二；用150Mpa的壓力將粉料一、 二分別按百分之五十的體積比例放入模具，壓制成小圓片(cp=13mm， d = 1.5mm);然后將成型的壓制片逐漸加熱到68(TC后保溫30分鐘(放在電阻爐中 進行)，進行排膠(將加入的有機塑化劑排出，并使之具有一定的機械強度，為 樣品的燒結(jié)創(chuàng)造條件)，再在1100'C加熱燒結(jié)并保溫2小時(放到管式電阻爐中 進行)；最后將燒結(jié)好的燒結(jié)體(隨爐)冷卻到室溫，得到層狀結(jié)構(gòu)低壓ZnO 壓敏陶瓷材料。
將燒結(jié)得到的低壓ZnO壓敏陶瓷材料進行表面加工，然后被電極，在600°C 下燒銀，經(jīng)測試后封裝，即可得到層狀結(jié)構(gòu)低壓ZnO壓敏電阻。
用該方法制造的低壓ZnO壓敏陶瓷材料或電阻，其壓敏電壓和漏電流隨著 燒結(jié)溫度的升高而降低，非線性系數(shù)和介電常數(shù)隨著燒結(jié)溫度的升高而增大， 介電損耗也有隨燒結(jié)溫度的升高而降低的總趨勢；其壓敏電壓Vn^為18V/mm, 非線性系數(shù)ot為30,漏電流L為0.18mA，介電常數(shù)為6.7x104,介電損耗值tanS 為0.4。
實施例5:如圖l所示，該層狀結(jié)構(gòu)低壓ZnO壓敏陶瓷的制造方法是，先 用ZnO粉，按摩爾比加上0.5%的Ti02、 0.4。/o的Si02、 0.5%的0*203、 5%的 PbO、 2%的8203、 8%的納米ZnO粉組成混合原料一，然后將該原料在行星式球磨機中、加入水和酒精研磨混合3小時；將球磨好的料漿干燥、過篩后
(放在干燥箱里6(TC烘干，然后過320目標(biāo)準(zhǔn)篩)，在一定壓力下壓制成塊， 600 750。C進行預(yù)燒，再次研細后放入球磨罐中加水和酒精研磨8~12小時；將 球磨好的料漿干燥、進行造粒(將干燥后的粉料加入適量7%的PVA水溶液， 形狀如魚鱗狀即表示混合均勻時，再過40目標(biāo)準(zhǔn)篩，用50Mpa壓力預(yù)壓成塊， 然后打碎，再次過45目標(biāo)準(zhǔn)篩)，得到一定粒度而且均勻分布的粉料一；將ZnO 粉料中加入0.5 %的Mn203、 0.5 %的Cr203情況下作為粉料二；用150Mpa的 壓力將粉料一、二分別按百分之五十的體積比例放入模具，壓制成小圓片(cp =13mm,d= 1.5mm);然后將成型的壓制片逐漸加熱到68(TC后保溫30分鐘(放 在電阻爐中進行)，進行排膠(將加入的有機塑化劑排出，并使之具有一定的機 械強度，為樣品的燒結(jié)創(chuàng)造條件)，再在105(TC加熱燒結(jié)并保溫2小時(放到管 式電阻爐中進行)；最后將燒結(jié)好的燒結(jié)體(隨爐)冷卻到室溫，得到層狀結(jié)構(gòu) 低壓ZnO壓敏陶瓷材料。
將燒結(jié)得到的層狀結(jié)構(gòu)低壓ZnO壓敏陶瓷材料進行表面加工，然后被電極， 在60(TC下燒銀，經(jīng)測試后封裝，即可得到層狀結(jié)構(gòu)低壓ZnO壓敏電阻。 用該方法制造的層狀結(jié)構(gòu)低壓ZnO壓敏陶瓷材料或電阻，其壓敏電壓和漏電流 隨著燒結(jié)溫度的升高而降低，非線性系數(shù)和介電常數(shù)隨著燒結(jié)溫度的升高而增 大，介電損耗也有隨燒結(jié)溫度的升高而降低的總趨勢；其壓敏電壓V為 17V/mm，非線性系數(shù)a為23，漏電流乜為0.18mA,介電常數(shù)為2.4x104,介電 損耗值tanS為0.23。
權(quán)利要求
1. 一種層狀結(jié)構(gòu)低壓ZnO壓敏電阻器制造方法，其特征是先用ZnO加上從一組摻雜元素Al、Fe、Eu、Pr、La、Bi、Ce、Nd、B、Si、Mn、Cr、Co、Pb、Ti、納米ZnO中任選的氧化物粉組成混合原料一；用未摻雜ZnO粉末或與從Al、Ti、Fe、Nd、B、Si、Mn、Cr、Co、V的氧化物中任選部分粉料相混合的物料為混合原料二；然后將兩組原料分別在球磨罐中研磨，并加入水和酒精研磨3～6小時；將球磨后的料漿干燥、過篩，在壓力下壓制成塊，600～750℃下進行預(yù)燒，降溫后再放入球磨罐中加水和酒精研磨6～12小時；將球磨好的料漿干燥、過篩后，得到均勻分布的粉料，再用50～150Mpa的壓力將兩組粉料按照各百分之五十的體積比逐層裝模并壓制成小圓片或小環(huán)形片；然后將成型的壓制片逐漸加熱，在600～720℃保溫20～30分鐘，進行排膠；再在950～1200℃加熱燒結(jié)并保溫1～3小時；最后將燒結(jié)好的燒結(jié)體冷卻到室溫，得到層狀結(jié)構(gòu)低壓ZnO壓敏電阻器。
2、 根據(jù)權(quán)利要1所述的層狀結(jié)構(gòu)低壓ZnO壓敏電阻器制造方法，其特征 是在混合原料一中，使用Pr、 La、 Pb、 Ba、 Bi、 V的氧化物時摻雜量摩爾百 分比為0.5 6%，使用其它摻雜氧化物時所占的摩爾百分比為6.5~10%;而在 混合原料二中，只加入A1、 Ti、 Fe、 Nd、 B、 Si、 Mn、 Cr、 Co、 V的氧化物時 摻雜量摩爾百分比為0.5 6%;所述兩組混合原料都在二次球磨后應(yīng)加入聚乙烯 醇水溶液，待形狀如魚鱗狀混合均勻時過篩，預(yù)壓成塊，然后研細，再次過篩。
3、 根據(jù)權(quán)利要l或2所述的層狀結(jié)構(gòu)低壓ZnO壓敏電阻器制造方法，其 特征是在混合原料二中，選擇摻雜Pr、 La、 Pb、 Ba、 Bi、 V的氧化物的粉料， 用于制備層狀結(jié)構(gòu)電阻器的低壓高非線性層；而不摻雜或只添加A1、 Ti、 Fe、 Nd、 B、 Si、 Mn、 Cr、 Co的氧化物中部分元素的ZnO粉料，用于制備層狀結(jié) 構(gòu)電阻器的低電阻層。
4、 根據(jù)權(quán)利要3所述的層狀結(jié)構(gòu)低壓ZnO壓敏電阻器制造方法，其特征 是依照壓敏陶瓷材料的壓敏電壓和漏電流隨著燒結(jié)溫度的升高而降低、非線 性系數(shù)和介電常數(shù)隨著燒結(jié)溫度的升高而增大、介電損耗隨燒結(jié)溫度的升高而 降低的總趨勢來確定具體的制備方法。
5、 根據(jù)權(quán)利要1所述的層狀結(jié)構(gòu)低壓ZnO壓敏電阻器制造方法，其特征 是該方法所制備的電阻的壓敏電壓V^A為8~40V/mm,非線性系數(shù)a大于 20,漏電流IL為0.15 ~ 0.30mA,介電常數(shù)為3 x 104 ~ 7 x 104，介電損耗值tanS 為0.2-0.5。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種層狀結(jié)構(gòu)低壓ZnO壓敏陶瓷材料的制造方法及其制造的電阻，屬于電器元件及其材料制造技術(shù)領(lǐng)域。一組原料是ZnO中加入從摻雜元素Bi、Al、Fe、Eu、Pr、La、Ce、Nd、B、Si、Mn、Cr、Co、Pb、Ti、納米ZnO中任選的氧化物粉組成混合原料，另一組原料是不添加元素或從Al、Ti、Mn、Cr、Co等的氧化物中選擇一部分摻入ZnO組成混合原料，兩組粉料按比例放入模具壓制成型并逐漸加熱、保溫排膠，再加熱燒結(jié)，得到層狀結(jié)構(gòu)低壓ZnO壓敏陶瓷材料；進行表面加工，被電極燒銀，測試后封裝，得到產(chǎn)品。本發(fā)明具有工藝簡單、成本較低、性能好、使用范圍廣，所生產(chǎn)電阻重復(fù)性、穩(wěn)定性、一致性好，電參數(shù)值有顯著改進等優(yōu)點。
文檔編號H01C7/105GK101286393SQ200810058400
公開日2008年10月15日 申請日期2008年5月16日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月16日
發(fā)明者嚴繼康, 孫加林, 杜景紅, 王立惠, 甘國友, 陳敬超 申請人:昆明理工大學(xué)