專利名稱：：使用a1合金膜的低接觸電阻型電極及其制造方法和表示裝置的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及使用了Al合金膜的低接觸電阻型電極及其制造方法，該低接觸電阻型電極被用于以液晶顯示器為代表的薄型電子顯示裝置所使用的薄膜晶體管，本發(fā)明還涉及具有這樣的低接觸電阻型電極的顯示裝置。
背景技術：
：從小型的移動電話到超過30英寸的大型的電視，各種領域中所使用的液晶顯示裝置依據(jù)像素的驅動方法，被分為單純矩陣型液晶顯示裝置和有源矩陣(activematrix)液晶顯示裝置。其中作為開關元件而具有薄膜晶體管(ThinFilmTransistor:以下呼為"TFT")的有源矩陣型液晶顯示裝置由于能夠實現(xiàn)高精度的畫質而通用。圖1是表示有源矩陣型的液晶顯示裝置所適用的代表性的液晶面板的構造的概略剖面放大說明圖。圖1所示的液晶面板，具有TFT陣列(array)基板l，和與該TFT基板對向配置的對向基板2，以及配置在這些TFT基板1與對向基板2之間、作為光調制層而發(fā)揮功能的液晶層3。TFT陣列基板1由配置在絕緣性的玻璃基板la上的薄膜晶體管(TFT)4和配置在與配線部6為對向的位置的遮光膜9構成。另外，在構成TFT基板1和對身基板2的絕緣性基板的外面?zhèn)龋渲糜衅獍錓O、10，并且在對向基板2上設有導向膜11，其用于使液晶層3所含的液晶分子導向至規(guī)定的方向。在這種結構的液晶面板中，借助在對向基板2和透明導電膜5之間所形成的電場，液晶層3中的液晶分子的導向方向受到控制，通過TFT陣列基板1和對向基板2之間的液晶層3的光得到調制，由此，透過對向基板2的光的透光量受到控制而顯示出圖像。另外，TFT陣列是利用被拉出到TFT陣列外的TAB帶12，被驅動電路13和控制電路14驅動。還有，圖1中，15表示間隔物(spacer),16表示密封材，17表示保護膜，18表示擴散膜，19表示棱鏡片(prismsheet),20表示導光板，21表示反射板，22表示背光源(backlight),23表示保持架，24表示印刷電路板。圖2是例示上述這樣的顯示裝置用陣列基板所適用的薄膜晶體管(TFT)的構成的概略剖面說明圖。如圖2所示，在玻璃基板la上，由鋁合金薄膜形成掃描線25，該掃描線25的一部分作這控制薄膜晶體管的開、關的柵(gate)電極26發(fā)揮功能。另外經(jīng)由柵絕緣膜27與掃描線25交差，如此由鋁薄膜形成信號線，該信號線的一部分作為TFT的源(source)電極28發(fā)揮功能。還有，這一類型一般被稱為底柵型(BottomGate)。在柵絕緣膜27上的像素區(qū)域配置有透明導電膜5，其是由例如使In203中含有SnO的ITO膜而形成的。由鋁合金膜形成的薄膜晶體管的漏電極(drain)29與透明導電膜5直接接觸而被電連接。若在如上構成的TFT基板la上經(jīng)由掃描線25向柵電極26供給電壓，則薄膜晶體管成為中斷狀態(tài)，使預先被供給到信號線的驅動電壓從源電極28經(jīng)由漏電極29向透明導電膜25供給。而且，若向透明導電膜5供給規(guī)定級別的驅動電壓，則在對向的共通電極之間對液晶元件施加驅動電壓，使液晶工作。還有，在圖l所示的結構中，雖然顯示的是源-漏電極與透明導電膜直接接觸的狀態(tài)，但是在柵電極中，也有釆用以端子部與透明導電膜5接觸而電連接的結構的。另外，作為被該透明導電膜電連接的配線部的信號線，使用純Al或如Al-Nd這樣的Al合金，不過，不使它們與透明導電膜直接接觸，而是使其間夾隔由Mo、Cr、Ti、W等的高熔點金屬構成的層疊膜(被稱為"勢壘金屬層(barriermetal)"來進行接觸。然而最近，如圖2所示，也有嘗試省略這些高熔點金屬，使信號線與透明導電膜直接接觸的。作為這一技術，例如專利文獻1中認為，如果使用氧化物透明導電膜，其由氧化銦中含有氧化鋅10質量％左右的IZO膜構成，則可以與信號線直接接觸。另外在專利文獻2中公開有一種通過等離子體處理和離子注入而對漏電極實施表面處理的方法，另外在專利文獻3中公開有一種方法，是作為第l層柵極與源-漏電極，形成層疊有含有N、O、Si等雜質的第2層的層疊膜，如果采用這上結方法，則可知，即使省略前述的高熔點金屬元素時，與透明導電膜的接觸電阻仍能夠維持在低水平。本發(fā)明者們還就配線膜的形成進行了研究，在上述這種薄型電子顯示裝置中，不使用純粹的Al,而是使用以A1-Ni系合金為代表的這種多元系合金材形成配線膜，其具有必要的導電性和純Al無法企及耐熱性。作為該研究的一環(huán)，使上述這樣的Al合金材與可視光透明氧化物導電膜直接接觸，實現(xiàn)具有擔負著與配線的電連接功能的電極，因為該技術的意義已被確認，所以先行申請(專利文獻4)。根據(jù)該技術提出一種方法，不需要用于純Al和可視光透明氧化導電膜的電連接所需的高熔點金屬層，并且不必增加工序數(shù)而實現(xiàn)簡略化，能夠使Al系合金膜對于透明像素電極直接且確實地進行連接。專利文獻1特開平11-337976號公報專利文獻2特開平11-283934號公報專利文獻3特開平11-284195號公報專利文獻4特開2004-214606號公報可是，隨著近年的液晶面板的大型化，由于柵電極和源-漏電極的配線阻抗導至電壓脈沖的傳播延遲，由此帶來的圖像顯示不均成為課題。因此，承擔顯示裝置中的信號傳輸?shù)娜蝿盏臇烹姌O和源-漏電極的配線阻抗就要求與純A1相當?shù)闹?。在柵電極和源-漏電極中，為了實現(xiàn)與純A1相當?shù)呐渚€阻抗，需要盡可以減少Al合金中所含有的合金元素。然而，如果根據(jù)本發(fā)明者們研究的內容則判明，例如在A1-Ni系合金的情況下，若減少Ni含量，則與可視光透明氧化物導電膜的接觸電阻高。在柵電極和源-漏電極中，若與可視光透明氧化物導電膜的接觸電阻高，則顯示裝置的顯示不良(點燈不良)等問題發(fā)生。
發(fā)明內容本發(fā)明在這種狀況之下而做，其目的在于，提供一種即使減少A1合金中的合金元素，也能夠降低與透明氧化物導電膜的接觸電阻的接觸電阻型電極，和用于制造這種電極的有用的方法，以及具有這種電極的顯示裝置。能夠達成上述目的的所謂本發(fā)明的低接觸電阻型電極，具有如下向點要旨在與氧化物透明導電膜直接接觸的由Al合金膜構成的低接觸電阻型電極中，所述Al合金以0.11.0原子Q/。的比例含有比Al貴的金屬元素，且AI合金膜與氧化物透明電極直接接觸的Al合金膜表面，形成有以最大的高粗糙度Rz計為5nm以上的凹凸。還有，所謂最大的高粗糙度Rz，是基于JISB0601(2001修正后的JIS規(guī)格)。在本發(fā)明的低接觸電阻型電極中，作為前述比Al貴的金屬元素，可列舉Ni、Co、Ag、Au和Zn之中的一種以上，通過含有這些元素的金屬間化合物在A1合金膜表面析出，所述凹凸被形成。在所述Al合金膜中，此外還能夠以0.10.5原子％的比例含有稀土類元素的一種以上。本發(fā)明的低接觸電阻型電極，作為柵電極和源-漏電極能夠有效的適用。另外，通過具有這種低接觸電阻型電極，能夠實現(xiàn)沒有顯示不良發(fā)生的高性能的顯示裝置。當制造上述這種低接觸電阻型電極時，在與氧化物透明導電膜直接接觸之前，用堿溶液蝕刻Al合金膜表面，由此使其形成所述凹凸即可。另外，在應用這一方法時，由蝕刻造成的深度Rz優(yōu)選為5nm以上。另外，在與氧化物透明導電膜直接接觸之前，通過用SF6和Ar的混合氣體對Al合金膜表面進行干式蝕刻，也能夠制造上述這樣的低接觸電阻型電極。在本發(fā)明中，通過用堿溶液蝕刻A1合金膜表面，或者用SF6和Ar的混合氣體對其進行干式蝕刻，從而使Al合金膜表面形成凹凸，因此能夠在其表面形成合金元素的析出物，作為其結果是，即使合金元素比較少，也能夠降低接觸電阻，能夠實現(xiàn)顯示不良的發(fā)生得到極力降低的顯示裝置。圖1是表示有源矩陣型的液晶顯示裝置所適用的代表性的液晶面板的構造的概略剖面放大說明圖。圖2是例示顯示裝置用陣列基板所適用的薄膜晶體管(TFT)的構成的概略剖面說明圖。圖3是按序號表示上述圖2所示的顯示裝置用陣列基板的制造工序的一例的說明圖。圖4是按序號表示上述圖2所示的顯示裝置用陣列基板的制造工序的一例的說明圖。圖5是按序號表示上述圖2所示的顯示裝置用陣列基板的制造工序的一例的說明圖。圖6是按序號表示上述圖2所示的顯示裝置用陣列基板的制造工序的一例的說明圖。圖7是按序號表示上述圖2所示的顯示裝置用陣列基板的制造工序的一例的說明圖。圖8是按序號表示上述圖2所示的顯示裝置用陣列基板的制造工序的一例的說明圖。圖9是按序號表示上述圖2所示的顯示裝置用陣列基板的制造工序的一例的說明圖。圖10是按序號表示上述圖2所示的顯示裝置用陣列基板的制造工序的一例的說吸圖。圖11是表示試驗No.lO(本發(fā)明例)中的Al合金膜和ITO膜的界面的TEM剖面的圖紙代用照片。圖12是表示試驗No.l(比較例)中的Al合金膜和ITO膜的界面的TEM剖面的圖紙代用照片。圖13是表示Al合金膜的凸部的粗糙度Rz與接觸電阻的關系的曲線圖。圖14是表示試驗No.44(本發(fā)明例)中的Al合金膜和ITO膜的界面的TEM剖面的圖紙代用照片。圖15是表示試驗No.35(比較例)中的A1合金膜和IT0膜的界面的TEM剖面的圖紙代用照片。符號的說明1TFT陣列基板2對向基板3液晶層4薄膜晶體管(TFT)5透明導電膜6配線部7共通電極8彩色濾光片(colorfilter)9遮光膜10偏光板11導向膜12TAB帶13驅動電路14控制電路15間隔物(spacer)16密封材17保護膜18擴散膜19棱鏡片(prismsheet)20導光板具體實施方式首先，對于圖2所示的TFT陣列基板1的制法進行簡單地說明。還有，在此作為開關元件而形成的薄膜晶體管，是將以氫化非晶硅為半導體層而使用的非晶硅TFT作為一例進行列舉。首先，在玻璃基板la上，以濺射等的方法形成例如膜厚200nm左右的A1合金膜，通過對該Al合金膜進行圖案制作，從而形成柵電極26和掃描線25(圖3)。這時，使后述柵絕緣膜27的覆蓋良好，如此預先將鋁合金薄膜的周邊蝕刻為大約3040度的圓錐狀即可。其次，如圖4所示，例如以等離子體CVD法等的方法，用例如膜厚約300nrn左右的氧化硅(SiOx)形成柵絕緣膜27，再成膜例如膜厚50nm左右的氫化非晶硅膜(a-Si:H)和膜厚300nm左右的氮化硅膜(SiNx)。接著，通過以柵電極26為掩模的背面曝光，對如圖5所示的氮化硅(SiNx)膜進行圖案制作，形成通道(channel)保護膜。再在其上成膜摻雜有磷的例如膜厚50nm左右的n+型氫化非晶硅膜(nVSi:H)后，如圖6所示，對氫化非晶硅膜(a-Si:H)和n+型氫化非晶硅膜(nVSi:H)進行圖案制作。然后，在其上成膜例如膜厚300nm左右的Al合金膜，如圖7所示進行圖案制作，由此形成與信號線一體的源電極28、和被透明導電膜5接觸的漏電極29。此外，以源電極28和漏電極29為掩模，除去通道保護膜(SiNx)上的n+型氫化非晶硅膜(n+a-Si:H)。然后如圖8所示，采用例如等離子體CVD裝置等，成膜氮化硅膜30例如膜厚300nm左右，由此形成保護膜。這時的成膜例如以26(TC左右進行。然后在該氮化硅膜30上形成光致抗蝕劑(photoresist)層31后，對該氮化硅膜30進行圖案制作，例如通過干式蝕刻等在氮化硅膜30上形成接觸孔32(contacthole)。另外，雖然未圖示，但是同時在面臨與面板端部的柵電極上的TAB連接的部分形成接觸孔。此外如圖9所示，經(jīng)過例如利用氧等離子體的灰化(ashing)工序后，例如使用胺系等的剝離液，進行光致抗蝕劑層31的剝離處理，最后在例如保管時間8小時左右以內，如圖10所示成膜例如膜厚40nm左右的ITO膜，通過圖案制作成形透明導電膜5。同時，若在與面板端部的柵電極的TAB連接的部分，為了與TAB接合(bonding)而對ITO膜進行圖案制作，則TFT陣列基板完成。在這述這樣的工序中發(fā)現(xiàn)，在構成漏電極29等的A1合金膜上，通過濺射形成構成上述透明導電膜5的ITO膜時，若在該Al合金膜與透明導電膜5的界面形成氧化皮膜(AlOx)，則接觸電阻高，因此在例如ITO膜的成膜初期階段，不要使鋁合金的表面極力氧化，在不添加氧的氣氛中成膜，進行膜厚520nm(優(yōu)選為10nm左右)的成膜，如果將A10x所含的氧量降低至44原子％以下，則可實現(xiàn)低而穩(wěn)定的接觸電阻。本發(fā)明者們，作為用于極力降低透明導電膜5與Al合金膜的接觸電阻的方法，從與上述不同的觀點進行研究。其結果發(fā)現(xiàn)，在構成柵電極和源-漏電極的Al合金膜與透明導電膜直接接觸之前，如果用堿溶液對Al合金膜的表面進行濕式蝕刻，或用SF6和Ar的混合氣體對Al合金膜表面進行干式蝕刻，則A1溶解，比A1貴的合金元素包含在合金間化合物中并在A1合金膜表面析出，在A1合金表面呈凹凸狀殘存。然后，該凹凸形成以最大的高粗糙度Rz計為5nm時，上述接觸電阻降，從而完成本發(fā)明。在Al合金膜表面形成有上述這種凹凸的電極，其后即使與透明導電膜接觸，也會處于構成上述這樣的高接觸電阻的氧化物(AlOx)難以形成的狀態(tài)。根據(jù)情況，含有比Al貴的金屬元素的析出物與透明導電膜直接接觸。由于這一狀況得到實現(xiàn)，則透明導電膜與Al合金膜的低接觸電阻能夠實現(xiàn)。當在Al合金膜上形成上述這種凹凸時，在Al合金膜和透明導電膜直接接觸之前，用堿溶液對Al合金膜的表面進行濕式蝕刻或干式蝕刻即可，但是，為了實現(xiàn)所形成的凹凸的最大的高粗糙度Rz為5nm以上，這時的蝕刻量(蝕刻深度)優(yōu)選為5nm以上。另外，關于進行這一蝕刻處理的時機，只要在Al合金膜與透明導電膜物理性地直接接觸之前即可，例如在形成氮化硅(SiNx)等的層間絕緣膜前(所述圖8)，也可發(fā)揮同樣的效果。作為用于進行上述這種濕式蝕刻的堿溶液，可列舉例如pH913左右的抗蝕劑(resist)剝離液"TOK106"(商品名東京應化工業(yè)株式會社制)的水溶液和氫氧化鈉水溶液等，其雖然會溶解A1，但不會溶解比A1貴的金屬元素。另外，作為用于進行干式蝕刻的氣體，能夠使用SF6和Ar的混合氣體(例如SF6:60%，Ar:40%)。在形成氮化硅膜后，對該氮化硅膜進行干式蝕刻時的混合氣體雖然一般采用SF6、Ar和02的混合氣體，但是在利用這種混合氣體的干式蝕刻卻不能達成本發(fā)明的目的。通過使用上述這樣的堿溶液或混合氣體進行蝕刻處理，含有上述這樣的金屬元素的析出物成為在Al合金膜表面被稠化的狀態(tài)。所謂比A1貴的金屬元素，意思是比A1離子化傾向小的元素，作為這種金屬元素，可列舉Ni、Co、Ag、Au和Zn等，能夠使用它們的一種以上。但是，這些金屬元素，其含量在Al合金膜中需要有0.11.0原子％左右。該金屬元素的含量低于0.1原子％時，由于金屬元素降低，導致上述這樣的凹凸難以形成，接觸電阻反而降低。另外，若該金屬元素的含量超過1.0原子％，則A1合金膜自身的電阻變高。另外在本發(fā)明的Al合金膜中，作為上述以外的金屬元素(合金元素)，再含有稀土類元素的一種以上也有效。即，通過在Al合金膜中含有這些元素優(yōu)選為0.10.5原子％，由此將耐熱性提高至30(TC以上，另外還發(fā)揮出提高機械的強度和耐腐蝕性等的作用。作為這種金屬，鑭系稀土元素的任何一種都能夠采用，但特別優(yōu)選的是La、Gd、Nd之中的至少一種。具有如此形成的TFT陣列基板的顯示裝置，如果作為例如液晶顯示裝置使用，則能夠將透明導電膜和連接配線部之間的接觸電阻抑制在最小限度，因此能夠盡可能地抑制其帶給顯示畫面的顯示品質的不良影響。以下，列舉實施例更具體地說明本發(fā)明，但本發(fā)明當然不受下述實施例的限制，在能夠符合前、后述的宗旨的范圍內當然也可以適當?shù)丶右宰兏鼘嵤?，這些均包含在本發(fā)明的技術范圍內。實施例(實施例1)以無堿玻璃板(板厚0.7mm)為基板，通過濺射在其表面成膜作為柵電極和源-漏電極的Al-(X)Ni-(Y)La系合金(X:0.21.0原子％，Y:0.10.5原子％)的各種薄膜，以其作為試料。這時的膜厚均約為300nm。將得到的試料分成4組(AD組)，A組的試料保持原樣(后述表l的試驗No.13)，D組的試料用堿溶液(抗蝕劑剝離液"TOK106"(商品名東京應化工業(yè)株式會社制)的水溶液pH913)，通過濕式處理對Al薄膜表面實施蝕刻(后述表1的試驗No.1522)。對于上述各試料(A組和D組一起)，通過光蝕刻(photol池ography)和蝕刻進行圖案制作后(Al合金膜蝕刻成大約30。40°的圓錐狀)，通過等離子體CVD法形成膜厚300nm的氮化硅(SiNx)膜。這時進行成膜的溫度為25(TC，成膜時間約6分鐘。然后，對該氮化硅膜進行光蝕刻和干式蝕刻，在氮化硅膜上形成接觸孔(接觸區(qū)域10nmX10pm)。干式蝕刻通過R正(反應性離子蝕刻)實施，使用氣體為SF6:33.3%、02:26.7%、Ar:40y。的混合氣體。對氮化硅進行蝕刻后，實施以氮化硅薄膜換算為100%的過腐蝕(overetching)。另外，利用氧等離子體進行灰化，利用剝離液進行光致抗蝕劑的剝離處理。之后，經(jīng)8小時的保管時間在A1合金膜的表面，以濺射法成膜膜厚200nm的ITO膜。另一方面，上述B組的試料制作如下用堿溶液(抗蝕劑剝離液"TOK106"(商品名東京應化工業(yè)株式會社制)的水溶液pH913)，對Al薄膜表面通過濕式處理實施蝕刻(后述表1的試驗No.411)，C組的試料保持原樣(后述表1的試驗No.1214)，經(jīng)8小時的保管時間在Al合金膜的表面，以濺射法成膜膜厚200nm的ITO膜。對于上述各試料(B組和C組一起)，通過光蝕刻和蝕刻進行圖案制作，從而形成接觸電阻測定圖案(接觸區(qū)域10pmX10nm)。對于上述各試料，以四端子開爾文(kdvin)法測定ITO膜(氧化物透明導電膜)和AI合金膜的接觸電阻。這時，對于試料的一部分(試驗No.l、10)，以透射型電子顯微鏡(TEM)就Al合金膜和ITO膜的界面的構造進行觀察。接觸電阻值測定結果與濕式蝕刻量和Al合金組成(Ni/La的原子％)一起顯示在下述表1中。另外，測定和透明導電膜的截面的Al合金薄膜的凸部的粗糙度Rz[基于JISB0601(2001)的最大的高度粗糙度Rz]的測定結果在下述表1中顯示。另夕卜，試驗No.10(本發(fā)明例)中的Al合金膜和ITO膜的界面的TEM剖面顯示在圖11(圖紙代用照片)中，試驗No.l(比較例)的Al合金膜和ITO膜的界面的TEM剖面顯示在圖12(圖紙代用照片)中。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>由此結果可知，通過在適當?shù)臅r機對Al合金膜的表面進行濕式蝕刻，從而在Al合金膜的表面形成適當尺寸的凹凸，由此，在作為氧化物導電膜的ITO和作為柵電極或源-漏電極的Al-(X)Ni-(Y)La合金之間，能夠得到合適的接觸電阻。另外，從這些結果可知，通過加大A1—(X)Ni—(Y)La合金膜的表面粗糙度Rz，能夠減少接觸電阻。特別是通過使表面粗糙度Rz為5nm以上，能夠降低接觸電阻值。(實施例2)以無堿玻璃板(板厚0.7mm)為基板，通過濺射在其表面成膜作為柵電極和源-漏電極的AI-0.22原子。/。Ni合金膜，以其作為試料。這時的膜厚均約為300nm。對于得到的試料，用堿溶液(抗蝕劑剝離液"TOK106"(商品名東京應化工業(yè)株式會社制)的水溶液pH913)，通過濕式處理對A1薄膜表面實施蝕刻。進行該蝕刻時，通過改變濕式蝕刻時間，以調整蝕刻量。對于這一試料，與上述實施例同樣，測定接觸阻抗。另外，測定與透明導電膜的界面的Al合金膜的凸部的粗糙度Rz[基于JISB0601(2001)的最大的高粗糙度Rz]。其結果顯示在下述表2中[表中(一)的部分為沒有測定]?；诖藬?shù)據(jù)，Al合金膜的凸部的粗糙度Rz與接觸電阻的關系顯示在圖13中。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>由這些結果可知，通過加大濕式蝕刻量，從而加大Al合金膜的表面粗糙度Rz，能夠減少接觸電阻。特別是使?jié)袷轿g刻量為5nm以上，從而使表面粗糙度Rz為5nm以上，則能夠減小接觸電阻值。(實施例3)以無堿玻璃板(板厚0.7mm)為基板，通過濺射在其表面成膜作為柵電極和源-漏電極的A1-0.3原子。/。Ni-0.35La合金膜，以其作為試料。這時的膜厚均約為300nm。對于上述試料，與實施例1同樣，在氮化硅膜上形成接觸孔(接觸區(qū)域10^imX10^im)后，使用SF6:33.3%、02:26.7%、Ar:40%的混合氣體或SF^60%、Ar:40%的混合氣體，實施干式蝕刻。這時，以下述l3的級別實施干式蝕刻。其后，經(jīng)8小時的保管時間在A1合金膜的表面，以濺射法成膜膜厚200nm的ITO膜。干式蝕刻級別1:花費除去形成在Al合金膜上的氮化硅膜所需要的時間的2倍的時間，進行干式蝕刻。干式蝕刻級別2:花費除去形成在Al合金膜上的氮化硅膜所需要的時間的3倍的時間，進行干式蝕刻。干式蝕刻級別h花費除去形成在AI合金膜上的氮化硅膜所需要的時間的4倍的時間，進行干式蝕刻。對于這樣的試料，與上述實施例1同樣，測定接觸電阻。其結果顯示在下述表3中，可知通過利用規(guī)定成分的混合氣體進行干式蝕刻，能夠減少接觸電阻。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>(實施例4)以無堿玻璃板(板厚0.7mm)為基板，通過濺射在其表面成膜作為柵電極和源-漏電極的Al-(X)Ag-(Y)La系合金(X:0.21.0原子％，Y:0.10.5原子％)的各種薄膜，以其作為試料。這時的膜厚均約為300nm。將得到的試料分成4組(EH組)，A組的試料保持原樣(后述表4的試驗No.3537)，H組的試料用堿溶液(抗蝕劑剝離液"TOK106"(商品名東京應化工業(yè)株式會社制)的水溶液pH913)，通過濕式處理對Al薄膜表面實施蝕刻(后述表4的試驗No.4956)。對于上述各試料(E組和H組一起)，通過光蝕刻和蝕刻進行圖案制作后(Al合金膜蝕刻成大約30°40°的圓錐狀)，通過等離子體CVD法形成膜厚300nm的氮化硅(SiNx)膜。這時進行成膜的溫度為250°C,成膜時間約6分鐘。然后，對該氮化硅膜進行光蝕刻和干式蝕刻，在氮化硅膜上形成接觸孔(接觸區(qū)域10pmXl(^m)。干式蝕刻通過R正(反應性離子蝕刻)實施，使用氣體為SF6:33.3%、02:26.7%、Ar:40%的混合氣體。對氮化硅進行蝕刻后，實施以氮化硅薄膜換算為100%的過腐蝕。另外，利用氧等離子體進行灰化，利用剝離液進行光致抗蝕劑的剝離處理。之后，經(jīng)8小時的保管時間在Al合金膜的表面，以濺射法成膜膜厚:200nm的ITO膜。另一方面，上述F組的試料制作如下用堿溶液(抗蝕劑剝離液"TOK106"(商品名東京應化工業(yè)株式會社制)的水溶液pH913)，對Al薄膜表面通過濕式處理實施蝕刻(后述表1的試驗No.3845),G組的試料保持原樣(后述表1的試驗No.4648)，經(jīng)8小時的保管時間在Al合金膜的表面，以濺射法成膜膜厚200nm的ITO膜。對于上述各試料(F組和G組一起)，通過光蝕刻和蝕刻進行圖案制作，從而形成接觸電阻測定圖案(接觸區(qū)域10^imXl(Him)。對于上述各試料，以四端子kelvin法測定ITO膜(氧化物透明導電膜)和A1合金膜的接觸電阻。這時，對于試料的一部分(試驗No.35、44)，以透射型電子顯微鏡(TEM)就Al合金膜和ITO膜的界面的構造進行觀察。接觸電阻值測定結果與濕式蝕刻量和Al合金組成(Ag/La的原子％)一起顯示在下述表4中。測定和透明導電膜的截面的Al合金薄膜的凸部的粗糙度Rz[基于JISB0601(2001)的最大的高度粗糙度Rz]的測定結果在下述表4中顯示。另外，試驗No.44(本發(fā)明例)中的A1合金膜和IT0膜的界面的TEM剖面顯示在圖14(圖紙代用照片)中，試驗No.35(比較例)的Al合金膜和ITO膜的界面的TEM剖面顯示在圖15(圖紙代用照片)中。表4<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>由其結果可知，通過在適當?shù)臅r機對Al合金膜的表面進行濕式蝕刻，從而在Al合金膜的表面形成適當尺寸的凹凸，由此在作為氧化物導電膜的ITO和作為柵電極或源-漏電極的Al-(X)Ag-(Y)La合金之間，能夠降低接觸電阻。另外，從這些結果可知，通過加大A1—(X)Ag—(Y)La合金膜的表面粗糙度Rz，能夠減少接觸電阻。特別是通過使表面粗糙度Rz為5nm以上，能夠降低接觸電阻值。還有，在上述實施例14中，作為Al合金膜，雖然采用Al-(X)Ni-(Y)La系或Al-(X)Ag-(Y)La系都確認到其效果，但是作為比Al貴的金屬元素(X元素)，使用Co、Au、Zn時，或作為第3合金元素(Y元素)，使用La以外的稀土類元素(例如Gd和Nd等)時，也確認能夠得到與上述同樣的效果。權利要求1.一種使用Al合金膜的低接觸電阻型電極，其由與氧化物透明導電膜直接接觸的Al合金膜構成，其特征在于，所述Al合金膜以0.1～1.0原子％的比例含有比Al貴的金屬元素，且Al合金膜的與氧化物透明電極直接接觸的Al合金膜表面，形成有以最大的高粗糙度Rz計為5nm以上的凹凸。2.如權利要求l所述的低接觸電阻型電極，其特征在于，所述比A1貴的金屬元素是Ni、Co、Ag、Au和Zn中的一種以上，通過含有這些元素的金屬間化合物在A1合金膜表面析出，形成所述凹凸。3.如權利要求2所述的低接觸電阻型電極，其特征在于，所述A1合金膜還以0.10.5原子％的比例含有一種以上的稀土類元素。4.如權利要求1所述的低接觸電阻型電極，其特征在于，低接觸電阻型電極為柵電極。5.如權利要求1所述的低接觸電阻型電極，其特征在于，低接觸電阻型電極為源-漏電極。6.—種顯示裝置，其特征在于，具有權利要求1所述的低接觸電阻型電極。7.—種顯示裝置，其特征在于，具有權利要求2所述的低接觸電阻型電極。8.—種顯示裝置，其特征在于，具有權利要求3所述的低接觸電阻型電極。9.一種顯示裝置，其特征在于，具有權利要求4所述的低接觸電阻型電極。10.—種顯示裝置，其特征在于，具有權利要求5所述的低接觸電阻型電極。11.一種低接觸電阻型電極的制造方法，其特征在于，在制造權利要求1所述的低接觸電阻型電極時，在使Al合金膜與氧化物透明導電膜直接接觸之前，用堿溶液對Al合金膜表面進行濕式蝕刻，由此形成所述凹凸。12.如權利要求11所述的制造方法，其特征在于，由蝕刻導致的深度為5nm以上。13.—種低接觸電阻型電極的制造方法，其特征在于，在制造權利要求1所述的低接觸電阻型電極時，在使Al合金膜與氧化物透明導電膜直接接觸之前，用SFe和Ar的混合氣體對Al合金膜表面進行干式蝕刻，由此形成所述凹凸。全文摘要提供一種即使減少Al合金中的合金元素，仍能夠降低與透明氧化物導電膜的接觸阻抗的低接觸阻抗型電極，和用于制造這種電極的有用的方法，以及具有這種電極的顯示裝置。本發(fā)明的低接觸阻抗型電極，在與氧化物透明導電膜直接接觸的由Al合金膜構成的低接觸阻抗型電極中，所述Al合金膜以0.1～1.0原子％的比例含有比Al離子化傾向小的金屬元素，且Al合金膜與氧化物透明電極直接接觸的Al合金膜表面，形成有以最大的高粗糙度Rz計為5nm以上的凹凸。文檔編號H01L29/786GK101335294SQ20081012867公開日2008年12月31日申請日期2008年6月23日優(yōu)先權日2007年6月26日發(fā)明者后藤裕史,奧野博行,武富雄一,越智元隆申請人:株式會社神戶制鋼所